光電轉換裝置，光電轉換裝置材料，光傳感器和成像裝置的製作方法

2023-06-06 22:31:31 3

專利名稱：光電轉換裝置，光電轉換裝置材料，光傳感器和成像裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及光電轉換裝置，光電轉換裝置材料，光傳感器和成像裝置。
技術背景
常規的光傳感器通常為通過在半導體基板比如矽(Si)中形成光電二極體(PD)所 製造的裝置。關於固態成像裝置，廣泛地使用平面固態成像裝置，其中將PD在半導體基板 中二維排列，並且通過CCD或CMOS電路將對應於由在每個PD中光電轉換所產生的信號電 荷的信號讀出。
用於實現彩色固態成像裝置的方法通常是製造這樣一種結構，其中在平面固態成 像裝置的光入射表面側，設置僅透射特定波長的光的濾色片以用於顏色分離。特別地，其中 將分別透射藍⑶光、綠(G)光和紅(R)光的濾色片規則地安置在二維排列的PD中的每一 個上的單板固態成像裝置作為當今在數位相機等中廣泛使用的系統是廣為人知的。
在這種單板固態成像裝置中，因為濾色片僅透射有限波長的光，未能透射通過濾 色片的光沒有被利用並且光的利用效率是差的。此外，近年中，多像素裝置的製造正在發 展，並且像素尺寸以及進而光電二極體部件的面積變小，這帶來了開口率減小和光採集效 率降低的問題。
為了解決這些問題，已經建議了在縱向上層疊能夠檢測在不同波長的光的光電轉 換部件的系統。關於這樣的系統，就所關心的可見光來說，公開了，例如利用Si的吸收系 數的波長依賴性的系統，其中形成了垂直層疊結構並且利用厚度上的不同分離顏色(專利 文件1)；和其中形成了使用有機半導體的第一光接收部件以及各自由Si組成的第二和第 三光接收部件的系統(專利文件2)。
然而，這樣的系統的不利之處在於顏色分離差，因為吸收範圍在Si厚度方向上的 各個光接收部件中重疊並且分光性質差。
而且，具有在信號讀出基板上形成有有機光電轉換膜的結構的固態成像裝置的 開發正在進行。
在這種固態成像裝置中，其任務具體是提高光電轉換效率或減小暗電流，並且作 為用於改進這些性質的方法，公開的是，例如，對前者而言引入pn-結(非專利文獻1)或 引入體相異質結(bulk heterojunction)結構(專利文獻3)，以及對後者而言引入阻擋層 (專利文獻4)。
在通過引入pn-結或體相異質結結構來提高光電轉換效率的情況下，暗電流的增 加經常成為問題。此外，取決於材料的組合，光電轉換效率的改善程度不同，並且在一些情 況中，光信號量/暗時(dark time)噪聲的比率沒有比引入這種結構之前的比率提高。在 採用以上方法的情況下，結合什麼材料是重要的，並且特別地，當意欲降低暗時噪聲時，這 是難以通過傳統報導的材料組合實現的。
作為描述使用有機材料的光電轉換裝置的文獻，還已知的是專利文獻5至7，非專 利文獻2和3等。
專利文獻5描述了一種使用含有富勒烯的有機光電轉換膜的裝置，但是不可能僅 通過富勒烯滿足所有上述高光電轉換效率，低暗電流和高光吸收。
專利文獻6描述了一種含有噻吩，呋喃或吡咯的雜環化合物，而專利文獻7和非專 利文獻2和3描述了採用使用噻吩衍生物和富勒烯衍生物的有機光電轉換裝置的太陽能電 池。
[專利文獻1]美國專利5，965，875
[專利文獻2]JP-A-2003-332551 (本文中使用的術語「JP-A」是指「未審查的公布 日本專利申請」)
[專利文獻 3] JP-A-2OO2-O7639I
[專利文獻 4] JP-A-5-129576
[專利文獻 5] JP-A-2007-123707
[專利文獻 6] JP-A-2OO5-I329H
[專利文獻 7]JP-A-2007_091714
[非專利文獻11 應用物理簡報(AddI. Phys. Lett.), 1986，48，183
[非專利文獻 21 美國化學會志(T. Am. Chem. Soc. ) , 2006，128，3459
[非專利文獻 31 化學通訊(Chem. Commun.), 2008，48，6489發明內容
然而，專利文獻5至7和非專利文獻2和3的裝置是目的在於用作太陽能電池的 裝置，並且既沒有發現關於暗電流減小等的公開內容，也沒有提及對於用於在成像裝置中 使用的光電轉換裝置的應用等。
本發明的一個目的是提供一種使用有機光電轉換膜的光電轉換裝置，具體地，一 種在光電轉換效率方面優異的光電轉換裝置，和一種固態成像裝置。
在有機光電轉換裝置中，為了實現高光吸收率，高光電轉換效率和低暗電流，所使 用的有機光電轉換膜優選滿足下列要求。
1.染料的摩爾吸光係數需要是高的。
2.就高效率而言，激子離解後的信號電荷需要在沒有損失的條件下被即刻傳輸到 兩個電極。在少量的載流子捕獲部位條件下的高的遷移率和高的電荷輸送能力是必要的。
3.就高的光電轉換效率而言，優選的是激子穩定化能小，並且通過外加電場或者 由Pn-結等在內部產生的電場的影響，激子可以被很快地解離(高的激子解離效率)。
4.為了儘量減少暗時在內部產生的載流子，優選選擇使得在內部幾乎不存在中間 能級或者充當其原因之一的雜質的膜結構或材料。
5.在層疊多個層的情況下，需要匹配相鄰層的能級，並且如果形成能壘，則這抑制 電荷輸送。
在通過氣相沉積法形成有機光電轉換膜的情況下，分解溫度優選高於允許氣相沉 積的溫度，因為在氣相沉積過程中的熱分解可以被抑制。塗覆法的有利之處在於膜可以在 不受以上分解限制的條件下形成並且可以實現低成本，但是通過氣相沉積法形成膜是優選 的，因為易於形成均勻的膜並且可以減少可能的雜質混入。
作為深入研究的結果，本發明人已經發現了能夠實現高光電轉換效率和低暗電流的高吸收材料。
根據本發明人的研究，已經發現的是，當將由下式⑴表示的化合物和η型半導體 組合使用時，得到在光電轉換效率方面優異的光電轉換裝置。而且，已經發現，除由下式 (1)表示的化合物以外，由下式(4)表示的化合物和由式( 表示的化合物是可用作光電轉 換材料的新的化合物。
S卩，上述目的可以通過以下技術實現。
[1] 一種光電轉換裝置，其包括導電膜，有機光電轉換膜和透明導電膜，其中所述 有機光電轉換膜含有由下式(1)表示的化合物和η型有機半導體
式(1)
其中R1和&中的每一個獨立地表示被取代的芳基，未被取代的芳基，被取代的雜 芳基或未被取代的雜芳基，R3至R11中的每一個獨立地表示氫原子或取代基，條件是將酸基 排除在外，m表示0或1，η表示0以上的整數，R1和R2, R3和R4, R3和R5, R5和R6, R6和R8, R7和R8, R7和R9,或Rltl和R11可以彼此結合形成環，並且當η為2以上的整數時，在多個R7 和&中，一對R7, 一對R8,或一對R7和&可以彼此結合形成環。
[2]根據以上[1]的光電轉換裝置，其中所述由式⑴表示的化合物是由下式⑵ 表示的化合物
式(2)
其中隊至R9, m和η具有與以上相同的含義，R11和R12中的每一個獨立地表示氫 原子或取代基，並且R11和R12可以彼此結合形成環。
[3]根據以上[2]的光電轉換裝置，其中所述由式(2)表示的化合物是由下式(3) 表示的化合物
式(3)
8
其中隊至&，m和η具有與以上相同的含義，R13和R14中的每一個獨立地表示氫原 子或取代基，並且R13和R14可以彼此結合形成環。
[4]根據以上[3]的光電轉換裝置，其中所述由式(3)表示的化合物是由下式⑷ 表示的化合物
式(4)
Rl6
其中隊至I 9，m和η具有與以上相同的含義，R15至R18中的每一個獨立地表示氫原 子或取代基，並且R15和R16，R16和隊7，或R17和隊8可以彼此結合形成環。
[5]根據以上[3]的光電轉換裝置，其中所述由式(3)表示的化合物是由下式(5) 表示的化合物
式(5)
其中隊至&，m和η具有與以上相同的含義，R15和R18至Ii22中的每一個獨立地表 示氫原子或取代基，並且R15和R19，R19和R20' R20和R2I'R2I和R22'或R22和R18可以彼此結合 形成環。
[6]根據以上[1]至[5]中任一項的光電轉換裝置，其中所述η型有機半導體為富勒烯或富勒烯衍生物。
[7]根據以上[1]至[6]中任一項的光電轉換裝置，所述光電轉換裝置還包括電子 阻擋膜。
[8]根據以上[7]的光電轉換裝置，其中以下列順序層疊所述導電膜，所述電子阻 擋膜，所述有機光電轉換膜和所述透明導電膜，或以下列順序層疊所述導電膜，所述有機光 電轉換膜，所述電子阻擋膜和所述透明導電膜。
[9]根據以上[1]至[8]中任一項的光電轉換裝置，其中式⑴中的η表示0至3 的任何整數。
[10]根據以上[6]至[9]中任一項的光電轉換裝置，其中所述富勒烯或富勒烯衍 生物與由式(1)表示的化合物的體積比(富勒烯或富勒烯衍生物/由式(1)表示的化合 物X100(% ))為50%以上。
[11]根據以上[1]至[10]中任一項的光電轉換裝置，其中光通過所述透明導電膜 入射在所述有機光電轉換膜上。
[12]根據以上[1]至[11]中任一項的光電轉換裝置，其中所述透明導電膜包含透 明導電氧化物。
[13]根據以上[1]至[12]中任一項的光電轉換裝置，其中所述透明導電膜直接層 疊在所述有機光電轉換膜上。
[14]根據以上[1]至[13]中任一項的光電轉換裝置的使用方法，其中所述導 電膜和所述透明導電膜限定一對電極，所述方法包括在所述一對電極之間施加1Χ10—4至 1 X 107v/cm 的電場。
[15] 一種光傳感器，其包括根據以上[1]至[13]中任一項的光電轉換裝置。
[16] 一種成像裝置，其包括根據以上[1]至[13]中任一項的光電轉換裝置。
[17] 一種由下式⑷表示的化合物
式
其中R1和&中的每一個獨立地表示被取代的芳基，未被取代的芳基，被取代的雜 芳基或未被取代的雜芳基，R3至&和R15至R18中的每一個獨立地表示氫原子或取代基，m 表示0或1，並且η表示0以上的整數，
R1 和 R2, R3 和 R4, R3 和 R5, R5 和 R6, R6 和 R8, R7 和 R8, R7 和 R9, R15 和 R16, R16 和 R17，或R17和I^18可以彼此結合形成環，並且當η為2以上的整數時，在多個R7和&中，一對R7, 一對R8,或一對R7和&可以彼此結合形成環。
[18] 一種由下式(5)表示的化合物10
式(5)
其中R1和&中的每一個獨立地表示被取代的芳基，未被取代的芳基，被取代的雜 芳基或未被取代的雜芳基，R3至&，R15和札8至中的每一個獨立地表示氫原子或取代基， m表示0或1，並且η表示0以上的整數，
R1 和 R2, R3 和 R4, R3 和 R5, R5 和 R6, R6 和 R8, R7 和 R8, R7 和 R9, R15 和 R19, R19 和 R20, R^1和I^21，R21和，或Ii22和Rw可以彼此結合形成環，並且當η為2以上的整數時，在多個 R7和&中，一對R7，一對R8,或一對R7和&可以彼此結合形成環。
[19] 一種光電轉換裝置，其包括導電膜，有機光電轉換膜和透明導電膜，其中所述 有機光電轉換膜含有根據以上[17]或[18]的化合物。
[20] 一種光傳感器，其包括根據以上[19]的光電轉換裝置。
[21] 一種成像裝置，其包括根據以上[19]的光電轉換裝置。
根據本發明，可以提供一種在光電轉換效率方面優異的有機光電轉換裝置和固態 成像裝置。




圖IA和圖IB各自是顯示光電轉換裝置的一個構造實例的示意性橫截面圖。圖2是成像裝置的一個像素部分的示意性橫截面圖。圖3是在另一個構造實例中的成像裝置的一個像素部分的示意性橫截面圖。圖4是在另一個構造實例中的成像裝置的一個像素部分的示意性橫截面圖。圖5是在另一個構造實例中的成像裝置的示意性部分表面視圖。圖6是沿圖5中所示的成像裝置的X-X線切割的示意性橫截面圖。[參考數字和標記的描述]11下部電極(導電膜)12光電轉換層(光電轉換膜)15上部電極(透明導電膜)16Α電子阻擋層16Β空穴阻擋層100，200，300，400 成像裝置具體實施方式
以下描述根據本發明的光電轉換裝置的實施方案。
[取代基W]
以下描述取代基W。
取代基W包括滷素原子，烷基(包括環烷基，二環烷基和三環烷基)，烯基(包 括環烯基和二環烯基)，炔基，芳基，雜環基(heterocyclic group)(也可以稱為雜環基團 (hetero ring group))，氰基，羥基，硝基，烷氧基，芳氧基，甲矽烷氧基，雜環氧基，醯氧基， 氨甲醯氧基，烷氧羰基氧基，芳氧羰基氧基，氨基(包括苯胺基)，銨基，醯氨基，氨基羰基氨 基，烷氧基羰基氨基，芳氧基羰基氨基，氨磺醯基氨基，烷基磺醯基氨基，芳基磺醯基氨基， 巰基，烷硫基，芳硫基，雜環硫基，氨磺醯基，烷基亞磺醯基，芳基亞磺醯基，烷基磺醯基，芳基 磺醯基，醯基，芳氧羰基，烷氧羰基，烷基羰基，氨基甲醯基，芳基偶氮基，雜環偶氮基，亞氨基， 膦基，氧膦基，氧膦基氧基，氧膦基氨基，膦醯基，甲矽烷基，胼基，脲基和其它已知取代基。
更優選地，W表示例如下列(1)至(17)
(1)滷素原子，
例如氟原子，氯原子，溴原子和碘原子；
(2)燒基，
直鏈的，支鏈的或環狀的烷基
(2-a)烷基，
優選地，碳數為1至30的烷基(例如，甲基，乙基，正丙基，異丙基，叔丁基，正辛 基，二十烷基，2-氯乙基，2-氰基乙基，2-乙基己基)，和Ο-b)環烷基，
優選地，碳數為3至30的取代的或未取代的環烷基(例如，環己基，環戊基，4-正 十二烷基環己基)，
(3)烯基，
直鏈的，支鏈的或環狀的碳數為2至30的烯基(例如，乙烯基，烯丙基，苯乙烯基)
(4)炔基，
優選地，碳數為2至30的炔基(例如，乙炔基，炔丙基，三甲基甲矽烷基乙炔基)；
(5)芳基，
優選地，碳數為6至30的芳基(例如，苯基，對甲苯基，萘基，間氯苯基，鄰-十六 醯基氨基苯基，二茂鐵基)；
(6)雜環基，
優選地，通過從5-或6-元芳族或非芳族的雜環化合物移除一個氫原子而獲得 的單價基團，更優選地，碳數為2至50的5-或6-元芳族雜環基(例如，2-呋喃基，2-噻 吩基，2-嘧啶基，2-苯並噻唑基；雜環基還可以為陽離子雜環基如1-甲基-2-吡啶子基 (pyridinio)，l-甲基-2-喹啉子基(quinolinio))；
(7)烷氧基，
優選地，碳數為1至30的烷氧基(例如，甲氧基，乙氧基，異丙氧基，叔丁氧基，正 辛氧基，2-甲氧基乙氧基)；
(8)芳氧基，
優選地，碳數為6至30的芳氧基(例如，苯氧基，2-甲基苯氧基，4-叔丁基苯氧基，3-硝基苯氧基，2-十四碳醯基氨基苯氧基)；
(9)氨基，
優選地，氨基，碳數為1至30的烷基氨基，或碳數為6至30的苯胺基(例如氨基， 甲氨基，二甲基氨基，苯胺基，N-甲基-苯胺基和二苯基氨基)；
(10)烷硫基，
優選地，碳數為1至30的烷硫基(例如，甲硫基，乙硫基，正十六烷硫基)；
(11)芳硫基，
優選地，碳數為6至30的芳硫基(例如，苯硫基，對氯苯硫基，間甲氧基苯硫基)；
(12)雜環硫基，
優選地，碳數為2至30的取代的或未取代的雜環硫基(例如，2-苯並噻唑基硫基， 1-苯基四唑-5-基硫基)；
(13)烷基-或芳基-亞磺醯基
優選地，碳數為1至30的取代的或未取代的烷基亞磺醯基，或碳數為6至30的取代的或未取代的芳基亞磺醯基(例如甲基亞磺醯基，乙基亞磺醯基，苯基亞磺醯基和對甲 基苯基亞磺醯基)；
(14)烷基-或芳基-磺醯基，
優選地，碳數為1至30的烷基磺醯基，或碳數為6至30的芳基磺醯基(例如甲基 磺醯基，乙基磺醯基，苯基磺醯基和對甲基苯基磺醯基)；
(15)醯基，
優選地，甲醯基，碳數為2至30的烷基羰基，碳數為7至30的芳基羰基，或通過碳 原子與羰基結合的碳數為4至30的雜環羰基(例如乙醯基，新戊醯基，2-氯乙醯基，硬脂醯 基，苯甲醯基，對-正辛氧基苯基羰基，2-吡啶基羰基和2-呋喃基羰基)；
(16)膦基，
優選地，碳數為2至30的膦基(例如，二甲基膦基，二苯基膦基，甲基苯氧基膦 基)；和(17)甲矽烷基，
優選地，碳數為3至30的甲矽烷基(例如三甲基甲矽烷基，三乙基甲矽烷基，三異 丙基甲矽烷基，叔丁基二甲基甲矽烷基，苯基二甲基甲矽烷基)。
[環 R]
環R包括芳族的或非芳族的烴環，雜環，和由這些環進一步結合而形成的多環的 稠環。其實例包括苯環，萘環，蒽環，菲環，芴環，苯並[9，10]菲環，並四苯環，聯苯環，吡咯 環，呋喃環，噻吩環，咪唑環，卩惡唑環，噻唑環，吡啶環，吡嗪環，嘧啶環，噠嗪環，中氮茚環， 吲哚環，苯並呋喃環，苯並噻吩環，異苯並呋喃環，喹啉烷(quinolidine)環，喹啉環，酞嗪 環，萘啶(naphthylidine)環，喹喔啉環，喹卩惡唑啉(quinoxazoline)環，異喹啉環，咔唑 環，菲啶環，吖啶環，菲咯啉環，噻蒽環，色烯環，咕噸環，吩噻H惡(phenoxathiine)環，吩噻 嗪環和吩嗪環。
[光電轉換裝置]
本發明的光電轉換裝置包括導電膜，有機光電轉換膜和透明導電膜。在一個優選 實施方案中，光電轉換裝置除導電膜，有機光電轉換膜和透明導電膜之外還具有電子阻擋 層，並且此實施方案包括其中以下列順序層疊導電膜，電子阻擋膜，有機光電轉換膜和透明導電膜的實施方案；和其中以下列順序層疊導電膜，有機光電轉換膜，電子阻擋膜和透明 導電膜的實施方案。
有機光電轉換膜包含由下式(1)表示的化合物和η-型半導體。
式(1)
權利要求
1. 一種光電轉換裝置，其包括導電膜，有機光電轉換膜和透明導電膜，其中所述有機光 電轉換膜含有由下式(1)表示的化合物和η型有機半導體 式⑴其中R1和&中的每一個獨立地表示被取代的芳基，未被取代的芳基，被取代的雜芳基 或未被取代的雜芳基，R3至R11中的每一個獨立地表示氫原子或取代基，條件是將酸基排除 在夕卜，m表示0或1，η表示0以上的整數，R1和R2, R3和R4, R3和R5, R5和R6, R6和R8, R7和 R8, R7和R9,或Rltl和R11可以彼此結合形成環，並且當η為2以上的整數時，在多個R7和& 中，一對R7，一對R8,或一對R7和&可以彼此結合形成環。
2.根據權利要求1所述的光電轉換裝置，其中所述由式(1)表示的化合物是由下式 ⑵表示的化合物 式⑵其中R1至&，m和η具有與以上相同的含義，R11和R12中的每一個獨立地表示氫原子或 取代基，並且R11和R12可以彼此結合形成環。
3.根據權利要求2所述的光電轉換裝置，其中所述由式( 表示的化合物是由下式 ⑶表示的化合物 式⑶Rn其中R1至&，m和η具有與以上相同的含義，R13和R14中的每一個獨立地表示氫原子或 取代基，並且R13和R14可以彼此結合形成環。
4.根據權利要求3所述的光電轉換裝置，其中所述由式C3)表示的化合物是由下式(4)表示的化合物 式⑷
5.根據權利要求3所述的光電轉換裝置，其中所述由式C3)表示的化合物是由下式 (5)表示的化合物 式⑶其中隊至R9, m和η具有與以上相同的含義，R15和R18至Ii22中的每一個獨立地表示氫 原子或取代基，並且R15和R19，R19和R20, R20和R21^R21和R22,或R22和Rw可以彼此結合形成 環。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的光電轉換裝置，其中所述η型有機半導體為富 勒烯或富勒烯衍生物。
7.根據權利要求1至5中任一項所述的光電轉換裝置，所述光電轉換裝置還包括電子 阻擋膜。
8.根據權利要求7所述的光電轉換裝置，其中以下列順序層疊所述導電膜，所述電子 阻擋膜，所述有機光電轉換膜和所述透明導電膜，或以下列順序層疊所述導電膜，所述有機 光電轉換膜，所述電子阻擋膜和所述透明導電膜。
9.根據權利要求1至5中任一項所述的光電轉換裝置，其中式(1)中的η表示0至3 的任何整數。
10.根據權利要求6所述的光電轉換裝置，其中所述富勒烯或富勒烯衍生物與由式(1) 表示的化合物的體積比(富勒烯或富勒烯衍生物/由式(1)表示的化合物Χ100(% ))為 50%以上。
11.根據權利要求1至5中任一項所述的光電轉換裝置，其中光通過所述透明導電膜入 射在所述有機光電轉換膜上。
12.根據權利要求1至5中任一項所述的光電轉換裝置，其中所述透明導電膜包含透明 導電氧化物。
13.根據權利要求1至5中任一項所述的光電轉換裝置，其中所述透明導電膜直接層疊 在所述有機光電轉換膜上。
14.根據權利要求1至5中任一項所述的光電轉換裝置的使用方法，其中所述導電 膜和所述透明導電膜限定一對電極，所述方法包括在所述一對電極之間施加1X10—4至 1 X 107V/cm 的電場。
15.一種光傳感器，其包括根據權利要求1至5中任一項所述的光電轉換裝置。
16.一種成像裝置，其包括根據權利要求1至5中任一項所述的光電轉換裝置。
17.一種由下式⑷表示的化合物 式⑷
18. 一種由下式(5)表示的化合物 式⑶或未被取代的雜芳基，R3至I 9，R15和R18至I^22中的每一個獨立地表示氫原子或取代基，m表 示0或1，並且η表示0以上的整數，R1 禾口 R2，R3 禾口 R4，R3 禾口 R5，Rs 禾口 尺6，禾口 尺8，1^7 禾口 尺8，1^7 禾口 Rg，Rl5 禾口 禮9，^19 禾口 尺20，^20 禾口 R21, R21和&2，或I^22和R18可以彼此結合形成環，並且當η為2以上的整數時，在多個R7和 R8中，一對R7，一對R8,或一對R7和&可以彼此結合形成環。
19.一種光電轉換裝置，其包括導電膜，有機光電轉換膜和透明導電膜，其中所述有機 光電轉換膜含有根據權利要求17或18所述的化合物。
20.一種光傳感器，其包括根據權利要求19所述的光電轉換裝置。
21.—種成像裝置，其包括根據權利要求19所述的光電轉換裝置。
全文摘要
本發明涉及光電轉換裝置，光電轉換裝置材料，光傳感器和成像裝置。光電子轉換裝置包括導電膜，有機光電轉換膜和透明導電膜，其中所述有機光電轉換膜含有由下式(1)表示的化合物和n型有機半導體，式(1)中R1和R2中的每一個獨立地表示被取代的芳基，未被取代的芳基，被取代的雜芳基或未被取代的雜芳基，R3至R11中的每一個獨立地表示氫原子或取代基，m表示0或1，n表示0以上的整數，R1和R2，R3和R4，R3和R5，R5和R6，R6和R8，R7和R8，R7和R9，或R10和R11可以彼此結合形成環，並且當n為2以上的整數時，在多個R7和R8中，一對R7，一對R8，或一對R7和R8可以彼此結合形成環。
文檔編號C07D333/76GK102034933SQ20101029715
公開日2011年4月27日 申請日期2010年9月28日 優先權日2009年9月29日
發明者三井哲朗, 養父克行, 濱野光正, 野村公篤 申請人:富士膠片株式會社