非揮發性記憶裝置中的位線的檢測方法
2023-06-04 13:26:31
非揮發性記憶裝置中的位線的檢測方法
【專利摘要】本發明提供一種非揮發性記憶裝置中的位線的檢測方法，該非揮發性記憶裝置包含有一記憶胞元數組及橫跨該記憶胞元數組的多個字元線，每一等位線具有第一端及第二端，該等位線被區分為第一群組及第二群組，該檢測方法將電源電壓(充電)或接地電壓(放電)施予特定群組的位線，利用毀損位線無法被正常充放電的特徵分兩個檢測階段(開路及短路檢測)來檢測該等位線，進而可快速地完成位線開路或短路毀損的檢測，而不用經過冗長的程序化/抹除程序。
【專利說明】非揮發性記憶裝置中的位線的檢測方法
【技術領域】
[0001]本發明關於一種檢測方法，更特別的是關於一種非揮發性記憶裝置中的位線的檢測方法。
【背景技術】
[0002]非揮發性記憶裝置中，因半導體工藝技術上的缺陷，往往可能造成位線的斷裂或與鄰近的位線發生短路等的情況。例如:隨著非揮發性記憶裝置尺寸的微縮，相鄰兩位線會相當接近，也因此極易在工藝中產生位線接觸窗與相鄰位線過於接近導致的不當短路現象。
[0003]因此，在非揮發性記憶裝置中，驗證操作是必要的，以確認電荷是藉由程序化操作而適當地射入至內存胞元中。非揮發性記憶裝置通常藉由驗證操作程序來進行測試，以確認本體是否具有缺陷，然而驗證操作程序通常較為冗長且耗時，往往一個缺陷的確認需要好幾回的反覆測試才可完成，造成耗時的缺點。
【發明內容】
[0004]本發明目的之一在於提出一種減少位線檢測時間的檢測方法。
[0005]為達上述目的及其它目的，本發明的非揮發性記憶裝置中的位線的檢測方法中，該非揮發性記憶裝置包含有一記憶胞元數組及橫跨該記憶胞元數組的複數字元線，每一該等位線具有第一端及第二端，該等位線被區分為第一群組及第二群組，該檢測方法包含以下步驟:自該等位線之的第一端，對該第一群組位線施予供應電壓以進行充電程序且該第二群組位線系被施予接地電壓；關閉對該第一群組位線之的充電程序，且自該等位線的第二端對該等位線施予接地電壓以進行放電程序；根據該第一群組位線具有之的電壓位準決定該第一群組下之的每一位線之狀態，其中當位線之的電壓位準非為接地電壓時代表該位線具有開路毀損；自該等位線之的第二端，對該第二群組位線施予供應電壓以進行充電程序，且自該等位線之的第一端對該第一群組位線施予接地電壓以進行放電程序；關閉對該第一群組位線之的放電程序；及根據該第一群組位線具有之的電壓位準決定該第一群組下之每一位線之的狀態，其中當位線之的電壓位準非為接地電壓時代表該位線系與相鄰之的位線短路而具有短路毀損。
[0006]於一實施例中，該第一群組位線為奇數位線或偶數位線，該第二群組位線相對於該第一群組位線而為偶數位線或奇數位線。
[0007]於一實施例中，該等位線的第一端接收該非揮發性記憶裝置之一頁面緩衝電路施予的電壓，以及該位線是否具有開路毀損的信息記錄於該頁面緩衝電路中。
[0008]於一實施例中，上述方法還包含將第一群組位線與第二群組位線互換並重複檢測方法的步驟，進一步地完成所有位線的檢測。
[0009]通過本發明，可以快速地檢測出第一群組位線是否具有開路或短路毀損，而不用經過冗長的程序化/抹除程序。【專利附圖】
【附圖說明】
[0010]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0011]附圖1為本發明一實施例中位線的檢測方法流程圖；
[0012]附圖2為非揮發性記憶裝置的結構示意圖；
[0013]附圖3為本發明一實施例中位線狀態的示例圖。
[0014]附圖標號
[0015]100非揮發性記憶裝置
[0016]110記憶胞元數組
[0017]120頁面緩衝電路 [0018]130位線選 擇電路
[0019]140字符線選擇電路
[0020]160控制電路
[0021]T上端
[0022]B下端
[0023]BL位線
[0024]PB頁面緩衝器
[0025]WL字符線
[0026]SlOl~SI 11 步驟
【具體實施方式】
[0027]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。
[0028]為充分了解本發明之目的、特徵及功效，茲藉由下述具體實施例，並配合所附圖式，對本發明做一詳細說明，說明如後:
[0029]首先請參閱附圖1，是本發明一實施例中位線的檢測方法流程圖。本發明實施例將非揮發性記憶裝置的橫跨該記憶胞元數組的複數字元線分為兩個群組，即，第一群組及第二群組。較佳地是可將依序排列的該等位線中的奇數排序的位線作為第一群組，偶數排序的位線作為第二群組；或者是，將依序排列的該等位線中的奇數排序的位線作為第二群組，偶數排序的位線作為第一群組。每一位線具有兩端點以供信用的輸入及輸出。本發明實施例中提及的複數字元線的第一端或第二端皆指同一方向，舉例來說，複數字元線的第一端即可代表記憶胞元數組的下端(如附圖2所示之B)，該等位線的第二端即代表記憶胞元數組的上端(如附圖2所示之T)，後續實施例將以此作為示例。在區分好位線後，就將電源電壓(充電)或接地電壓(放電)施予特定群組的位線，利用毀損位線無法被正常充放電的特徵來檢測該等位線。
[0030]如附圖1所示，本發明實施例中的檢測方法包含以下步驟:
[0031]首先，步驟SlOl:自複數位元線的第一端(B)，對第一群組位線施予供應電壓(例如-.Ncc)以進行充電程序，並且，同時對該第二群組位線施予接地電壓(例如:Vss)以作為屏蔽(shielding)。
[0032]接著，步驟S103:關閉對該第一群組位線的充電程序，且自該等位線的第二端(T)對該等位線施予接地電壓以進行放電程序。其中，此處之該放電程序是指對所有的位線進行放電。於此放電程序中，通常會持續一小段時間以完全對位線放電，對於開路(斷掉)毀損的位線來說，此處的放電程序將對其無作用，也因此即可檢測出開路(斷掉)毀損的位線。
[0033]接著，步驟S105:根據該第一群組位線具有的電壓位準決定該第一群組下的每一位線的狀態，其中當位線的電壓位準非為接地電壓(Vss)時即代表該位線具有開路毀損；反之，當位線的電壓位準為接地電壓(Vss)時即代表該位線無開路(斷掉)毀損。
[0034]接著，步驟S107:自該等位線的第二端(T)，對該第二群組位線施予供應電壓(Vcc)以進行充電程序，並且，同時自該等位線的第一端(B)對該第一群組位線施予接地電壓(Vss)以進行放電程序。
[0035]在完成步驟S107的充電與放電程序後，接著，步驟S109:關閉對該第一群組位線的放電程序。於此步驟中，會持續一小段時間以讓具有短路毀損的第一群位線可被相鄰的第二群位線的充電程序被完全充電。對於短路毀損的位線來說，此處的未中斷的充電程序將對其再次充電，進而可基於此檢測出短路毀損的位線。
[0036]接著，步驟Slll:根據該第一群組位線具有的電壓位準決定該第一群組下的每一位線的狀態。其中當位線的電壓位準為電源電壓(Vcc)時，代表該位線是與相鄰的位線短路而具有短路毀損，會具有電源電壓(Vcc)是因第一群組中的位線，被短路連接的相鄰第二群位線的充電程序持續充電，進而造成位線的電壓位準非為接地電壓的結果；反之，當位線的電壓位準是為接地電壓(Vss)時即代表該位線無短路毀損。
[0037]前述步驟S101、S103、S105 為開路毀損的檢測(open bitline test)，步驟 S107、S109、S111 則為短路毀損的檢測(short bitline test)。
[0038]據此，該第一群組位線的短路或開路狀態即可被檢測出來，進一步地，當要檢測第二群組位線時，只要將前述檢測步驟中第一群組位線與第二群組位線互換並重複前述流程即可完成第二群組位線的檢測。
[0039]接著請參閱附圖2，是非揮發性記憶裝置100的結構示意圖。附圖2為簡要示圖，非揮發性記憶裝置100包含:記憶胞元數組110、頁面緩衝電路120、位線選擇電路130、字符線選擇電路140、及控制電路160，其間的連接方式如圖所示。控制電路160於此用於控制頁面緩衝電路120、位線選擇電路130、及控制是否供應電源至記憶胞元數組110，以執行前述的檢測方法。電源電壓(Vcc)是由記憶胞元數組110中既有的電路供應予經位線選擇電路130選定的位線群組。該控制電路160可控制電於的供應是自第二端(上端，T)或自第一端(下端，B)供應電壓予位線。
[0040]接著請參閱附圖3，是本發明一實施例中位線狀態的示例圖，附圖3以10條位線作為示例，並以每兩條位線連接至一頁面緩衝器PB為例，其中第4條位線為具有開路毀損的位線，第7和第8條位線為具有短路毀損的位線。實際上，每一頁面緩衝器PB可耦接至僅一條位線、二或三條位線或更多條。
[0041]於此系對第一群組位線進行檢測作為示例。其中，偶數位線(第2、4、6、8、10條位線)作為第一群組位線，奇數位線(第1、3、5、7、9條位線)作為第二群組位線，T方向指第
二端，B方向指第一端。
[0042]首先，從第一端(B)對第一群組位線(第2、4、6、8、10條位線)充電，從第一端(B)及/或第二端(T)對第二群組位線(第1、3、5、7、9條位線)放電。此時，第4條位線靠近第一端(B)的部分會蓄積電荷，第8條位在線不會蓄積電荷(電荷從第7條位線流失)。
[0043]接著，關閉對該第一群組位線(第2、4、6、8、10條位線)的充電程序，且自第二端(T)對所有位線(第1-10條位線)放電。於此，由於是從第二端⑴進行放電，因此第4條位在線靠近第一端(B)所蓄積的電荷不會流失；至於第8條位線則仍然是不具有任何蓄積的電荷。
[0044]接著，由於第4條位線的電壓位準為電源電壓Vcc，其餘第一群組位線(第2、6、8、10條位線)為接地電壓Vss，頁面緩衝器PB會據此鎖存此時的狀態。舉例來說，第4條位線連接的頁面緩衝器PB中的邏輯值會被設定為「 1」，其餘頁面緩衝器PB中的邏輯值被設定為 「O，，。
[0045]接著，從第二端(T)對第二群組位線(第1、3、5、7、9條位線)充電，且從第一端(B)對該第一群組位線(第2、4、6、8、10條位線)放電。此時，第8條位在線不會蓄積電荷(電荷雖從第7條位線流入但亦自第一端(B)流出)。
[0046]接著，關閉對第一群組位線(第2、4、6、8、10條位線)的放電。此時,僅關閉放電，第二群組位線(第1、3、5、7、9條位線)仍在充電，因此能使電荷從第7條位線流入第8條位線，進而使第8條位線蓄積電荷。
[0047]接著，由於第8條位線的電壓位準為電源電壓Vcc，其餘第一群組位線(第2、4、6、10條位線)為接地電壓Vss，頁面緩衝器PB會據此鎖存此時的狀態。舉例來說，第8條位線連接的頁面緩衝器PB中的邏輯值會被設定為「 1」，其餘頁面緩衝器PB中的邏輯值被設定為「0」，其中，已被設定為「I」的頁面緩衝器PB將不更動。如此即可快速地檢測出第一群組位線是否具有開路或短路毀損，而不用經過冗長的程序化/抹除程序。
[0048]本發明在上文中已以較佳實施例揭露，然本領域普通技術人員應理解的是，該實施例僅用於描繪本發明，而不應解讀為限制本發明的範圍。應注意的是，舉凡與該實施例等效之變化與置換，均應設為涵蓋於本發明之範疇內。因此，本發明的保護範圍當以權利要求範圍所界定為準。
【權利要求】
1.一種非揮發性記憶裝置中的位線的檢測方法，其特徵在於，所述非揮發性記憶裝置包含有一記憶胞元數組及橫跨所述記憶胞元數組的多個字元線，每一等位線具有第一端及第二端，所述等位線被區分為第一群組及第二群組，所述檢測方法包含以下步驟: 自所述等位線的第一端，對所述第一群組位線施予供應電壓以進行充電程序且所述第二群組位線被施予接地電壓； 關閉對所述第一群組位線的充電程序，且自所述等位線的第二端對所述等位線施予接地電壓以進行放電程序； 根據所述第一群組位線具有的電壓位準決定所述第一群組下的每一位線的狀態，其中當位線的電壓位準非為接地電壓時代表所述位線具有開路毀損； 自所述等位線的第二端，對所述第二群組位線施予供應電壓以進行充電程序，且自所述等位線的第一端對所述第一群組位線施予接地電壓以進行放電程序； 關閉對所述第一群組位線的放電程序；及 根據所述第一群組位線具有的電壓位準決定所述第一群組下的每一位線的狀態，其中當位線的電壓位準非為接地電壓時代表所述位線與相鄰的位線短路而具有短路毀損。
2.根據權利要求1所述的檢測方法，其特徵在於，所述第一群組位線為奇數位線或偶數位線，所述第二群組位線系相對於所述第一群組位線而為偶數位線或奇數位線。
3.根據權利要求1所述的檢測方法，其特徵在於，所述等位線的第一端接收所述非揮發性記憶裝置的一頁面緩衝電路施予的電壓，以及所述位線是否具有開路毀損的信息記錄於所述頁面緩衝電路中。
4.根據權利要求1所述的檢測方法，其特徵在於，所述檢測方法還包含以下步驟: 自所述等位線的第一端，對所述第二群組位線施予供應電壓以進行充電程序且所述第一群組位線被施予接地電壓以進行放電程序； 關閉對所述第二群組位線的充電程序，且自所述等位線的第二端對所述等位線施予接地電壓以進行放電程序； 根據所述第二群組位線具有的電壓位準決定所述第二群組下的每一位線的狀態，其中當位線的電壓位準非為接地電壓時代表所述位線具有開路毀損； 自所述等位線的第二端，對所述第一群組位線施予供應電壓以進行充電程序，且自所述等位線的第一端對所述第二群組位線施予接地電壓以進行放電程序； 關閉對所述第二群組位線的放電程序；及 根據所述第二群組位線具有的電壓位準決定所述第二群組下的每一位線的狀態，其中當位線的電壓位準非為接地電壓時代表所述位線與相鄰的位線短路而具有短路毀損。
【文檔編號】G11C29/28GK103531245SQ201210229815
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2012年7月4日 優先權日:2012年7月4日
【發明者】陳敦仁 申請人:宜揚科技股份有限公司