增大溼法去除未反應的鎳鉑矽化物之工藝窗口的方法
2023-06-11 22:18:41 3
增大溼法去除未反應的鎳鉑矽化物之工藝窗口的方法
【專利摘要】一種增大溼法去除未反應的鎳鉑矽化物之工藝窗口的方法，包括：執行步驟S1：在70℃的SC-1(NH4OH、H2O2的混合溶液)，或者常溫鹽酸(HCL)中，初次去除一定量的鎳鉑合金；執行步驟S2：在130～200℃的SPM(H2SO4、H2O2的混合溶液)中，除盡剩餘的鎳鉑合金；執行步驟S3：在SC-1(NH4OH、H2O2的混合溶液)中進行清洗。本發明通過在70℃的SC-1(NH4OH、H2O2的混合溶液)，或者常溫鹽酸(HCL)中，初次去除一定量的鎳鉑合金；然後在130～200℃的SPM(H2SO4、H2O2的混合溶液)中，利用高溫SPM對鎳鉑合金的優異選擇比，進行合適的過量刻蝕，以除盡剩餘的鎳鉑合金，進而實現增加溼法刻蝕的工藝窗口。
【專利說明】增大溼法去除未反應的鎳鉑矽化物之工藝窗口的方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體【技術領域】，尤其涉及一種增大溼法去除未反應的鎳鉬矽化物之工藝窗口的方法。
【背景技術】
[0002]在半導體製造工藝【技術領域】，鎳矽化物憑藉其低方塊電阻值，低矽消耗率等特性已成為65nm製程以下的首選。但是，由於所述鎳矽化物熱穩定差，在溫度大於700°C時，將會由低阻值NiSi相轉變為高阻值Ni2Si相。為了增強所述鎳矽化物之熱穩定性，在本領域中，通常採用在所述鎳矽化物中添加貴金屬鉬，以形成鎳鉬合金的方式得以實現。
[0003]現有的金屬矽化物之製備流程均採用自對準技術，其步驟包括:第一、曝開需要形成金屬矽化物的區域；第二、沉積金屬(鎳)，並經過第一次快速熱處理，以形成鎳矽化物Ni2Si ;第三、經溼法去除未反應的沉積金屬(鎳)，並經過第二次快速熱處理，以形成低阻值金屬矽化物Ni Si。
[0004]明顯地，在形成所述金屬矽化物製程中，需要溼法去除未反應的沉積金屬(鎳)，而且需要對已經形成的金屬矽化物Ni2Si有較高的選擇比。由於加入了貴金屬鉬，使得溼法去除變得困難。在現有溼法製程中，採用的溼法酸液是高溫的SPM(H2S04、H2O2的混合溶液)，溫度在130?200°C之間。
[0005]容易知曉地，所述金屬矽化物的溼法去除受添加的貴金屬鉬之含量影響較大，在鉬添加量增大時，所述溼法去除難度增大。故，為了保證製程之安全，則需增加SPM製程時間，以完全去除未反應的沉積金屬，導致其製程窗口過小。
[0006]故針對現有技術存在的問題，本案設計人憑藉從事此行業多年的經驗，積極研究改良，於是有了本發明一種增大溼法去除未反應的鎳鉬矽化物之工藝窗口的方法。
【發明內容】
[0007]本發明是針對現有技術中，傳統的金屬矽化物之溼法去除受添加的貴金屬鉬之含量影響較大，為保證製程之安全，需增加SPM製程時間，以完全去除未反應的沉積金屬，導致其製程窗口過小等缺陷提供一種增大溼法去除未反應的鎳鉬矽化物之工藝窗口的方法。
[0008]為了解決上述問題，本發明提供一種增大溼法去除未反應的鎳鉬矽化物之工藝窗口的方法，所述增大溼法去除未反應的鎳鉬矽化物之工藝窗口的方法，包括:
[0009]執行步驟S1:在70°C的SC-1 (NH4OH, H2O2的混合溶液)，或者常溫鹽酸(HCL)中，初次去除一定量的鎳鉬合金；
[0010]執行步驟S2:在130?200°C的SPM(H2S04、H202的混合溶液)中，除盡剩餘的鎳鉬合金；
[0011 ] 執行步驟S3:在SC-1 (NH4OH, H2O2的混合溶液)中進行清洗。
[0012]可選地，在130?200°C的SPM(H2S04、H2O2的混合溶液)中，除盡剩餘的鎳鉬合金進一步包括對鎳鉬合金進行過量刻蝕。
[0013]綜上所述，本發明通過在70°C的SC-1 (NH4OH, H2O2的混合溶液)，或者常溫鹽酸(HCL)中，初次去除一定量的鎳鉬合金；然後在130?200°C的SPM(H2S04、H202的混合溶液)中，利用高溫SPM對鎳鉬合金的優異選擇比，進行合適的過量刻蝕，以除盡剩餘的鎳鉬合金，進而實現增加溼法刻蝕的工藝窗口。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0014]圖1所示為本發明增大溼法去除未反應的鎳鉬矽化物之工藝窗口的方法流程圖。
【具體實施方式】
[0015]為詳細說明本發明創造的技術內容、構造特徵、所達成目的及功效，下面將結合實施例並配合附圖予以詳細說明。
[0016]請參閱圖1，圖1所示為本發明增大溼法去除未反應的鎳鉬矽化物之工藝窗口的方法流程圖。所述增大溼法去除未反應的鎳鉬矽化物之工藝窗口的方法，包括:
[0017]執行步驟S1:在70°C的SC-1 (NH4OH, H2O2的混合溶液)，或者常溫鹽酸(HCL)中，初次去除一定量的鎳鉬合金；
[0018]執行步驟S2:在130?200°C的SPM(H2SO4^H2O2的混合溶液)中，除盡剩餘的鎳鉬合金；
[0019]執行步驟S3:在SC-1 (NH4OH, H2O2的混合溶液)中進行清洗。
[0020]為了更直觀的揭露本發明之技術方案，凸顯本發明之有益效果，現對本發明增大溼法去除未反應的鎳鉬矽化物之工藝窗口的方法進行原理性闡述。
[0021 ] 在所述步驟SI中，70°C的SC-1 (NH4OH, H2O2的混合溶液)，或者常溫鹽酸(HCL)對所述鎳鉬合金具有高刻蝕率，可縮短溼法製程之時間，增加機臺之產能。另一方面，所述700C的SC-1 (NH4OH, H2O2的混合溶液)，或者常溫鹽酸(HCL)對所述鎳鉬矽化物的選擇比不高，會使形成的所述鎳鉬矽化物造成損失，影響器件之電性參數。故，在70°C的SC-1 (NH4OH,H2O2的混合溶液)，或者常溫鹽酸(HCL)中，初次去除一定量的鎳鉬合金後，執行步驟S2。即，在130?200°C的SPM(H2S04、H2O2的混合溶液)中，利用高溫SPM對鎳鉬合金的優異選擇比，進行合適的過量刻蝕，以除盡剩餘的鎳鉬合金，進而實現增加溼法刻蝕的工藝窗口。
[0022]顯然地，本發明通過在70°C的SC-1 (NH4OH^H2O2的混合溶液)，或者常溫鹽酸(HCL)中，初次去除一定量的鎳鉬合金；然後在130?200°C的SPM(H2SO4、H2O2的混合溶液)中，利用高溫SPM對鎳鉬合金的優異選擇比，進行合適的過量刻蝕，以除盡剩餘的鎳鉬合金，進而實現增加溼法刻蝕的工藝窗口。
[0023]綜上所述，本發明通過在70 V的SC-1 (NH4OH, H2O2的混合溶液)，或者常溫鹽酸(HCL)中，初次去除一定量的鎳鉬合金；然後在130?200°C的SPM(H2S04、H202的混合溶液)中，利用高溫SPM對鎳鉬合金的優異選擇比，進行合適的過量刻蝕，以除盡剩餘的鎳鉬合金，進而實現增加溼法刻蝕的工藝窗口。
[0024]本領域技術人員均應了解，在不脫離本發明的精神或範圍的情況下，可以對本發明進行各種修改和變型。因而，如果任何修改或變型落入所附權利要求書及等同物的保護範圍內時，認為本發明涵蓋這些修改和變型。
【權利要求】
1.一種增大溼法去除未反應的鎳鉬矽化物之工藝窗口的方法，其特徵在於，所述增大溼法去除未反應的鎳鉬矽化物之工藝窗口的方法，包括: 執行步驟S1:在70°C的SC-1 (NH4OH, H2O2的混合溶液)，或者常溫鹽酸(HCL)中，初次去除一定量的鎳鉬合金； 執行步驟S2:在130?200°C的SPM(H2SO4^H2O2的混合溶液)中，除盡剩餘的鎳鉬合金； 執行步驟S3:在SC-1 (NH4OH, H2O2的混合溶液)中進行清洗。
2.如權利要求1所述的增大溼法去除未反應的鎳鉬矽化物之工藝窗口的方法，其特徵在於，在130?200°C的SPM(H2S04、H2O2的混合溶液)中，除盡剩餘的鎳鉬合金進一步包括對鎳鉬合金進行過量刻蝕。
【文檔編號】H01L21/3213GK104183482SQ201410356956
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2014年7月24日 優先權日:2014年7月24日
【發明者】宋振偉, 徐友峰, 陳晉 申請人:上海華力微電子有限公司