可重寫光學數據存儲媒體和這種媒體的應用的製作方法
2023-06-11 07:56:41
專利名稱：可重寫光學數據存儲媒體和這種媒體的應用的製作方法
技術領域：
本發明涉及用於藉助於聚焦輻射束進行高速記錄的可重寫光學數據存儲媒體，所述媒體包括承載各層的堆疊的基片，所述堆疊包括第一輔助層、第二輔助層和相變材料的記錄層，所述相變材料主要包括Sb與Ga和In中至少一種的合金，所述記錄層插入在第一輔助層和第二輔助層之間。
本發明還涉及這種光學數據存儲媒體的應用。
從歐洲專利EP 0387898B1已知在開始段中提到的類型的光學數據存儲媒體的一個實施例。
由於把直接蓋寫(DOW)的可能性和高存儲密度與易於與只讀光學數據存儲系統兼容相結合，基於相變原理的光學數據存儲媒體引起了人們的注意。相變光學記錄涉及使用相當高功率的聚焦輻射束(例如，雷射束)在晶體記錄層產生的亞微米尺寸的非晶記錄標記。在信息記錄期間，媒體相對於聚焦雷射束移動，根據待記錄的信息調製聚焦雷射束。當高功率雷射束熔融晶體記錄層時就形成標記。當雷射束被斷開和/或繼續相對於記錄層移動時，記錄層上的熔融標記被淬火，在記錄層的暴光區域留下非晶信息標記，而在記錄層的未暴光區域則保留結晶體態。用同一雷射器的較低功率電平加熱(不需要熔融記錄層)，通過重結晶可以將寫入的非晶標記檫除。非晶標記表示數據位，用相當低功率的聚焦雷射束可讀出這些數據位(例如，穿過基片或覆蓋層)。根據記錄的信息，非晶標記相對於晶體記錄層的反射差值產生調製的雷射束，所述調製的雷射束隨後由檢測器轉換成調製的光電流。
在相變光學記錄中，最重要的要求之一就是高數據速率，高數據速率意味著至少能夠以30Mbits/s的用戶數據速率在媒體中寫入和重寫。這樣高的數據速率要求記錄層在DOW期間具有高的結晶速度，即短的結晶時間。為了保證上述記錄的非晶標記能夠在DOW期間重結晶，記錄層必須具有合適的結晶速度，使媒體與雷射束的速度匹配。如果結晶速度不夠高，上述記錄的表示老數據的非晶標記就不能完全檫除，即在DOW期間不能重結晶。這將產生高的噪音電平。在高密度記錄和高數據速率的光學記錄媒體中特別需要高的結晶速度，例如，在盤狀的CD-RW高速、DVD-RW、DVD+RW、DVD-RAM、DVR-red和blue，它們是新一代高密度數字通用盤(Digital VersatileDisk)+RW的縮寫，其中RW指這種盤是可重寫的數字視頻記錄光碟，其中red和blue指使用的雷射波長。blue版本也稱為蘭輻射盤(BD)。對於這些盤，完全檫除時間(CET)必須小於30ns。CET定義為在晶體環境中，用於完成寫入的非晶標記的完全結晶的檫除脈衝的最小持續時間，所述持續時間是靜態地測量的。對於DVD+RW，它具有每120mm盤4.7GB的記錄密度，需要26Mbits/s的用戶數據位速率，對於DVR-blue，所述速率為35Mbits/s。對於DVD+RW和DVR-blue的高速版本，需要50Mbits/s和更高的數據速率。關於非晶標記的完全檫除，已知兩種處理過程，即，通過核化的結晶和通過晶粒生長的結晶。核化結晶是一種過程，其中，在非晶材料中自然和隨機地形成晶體的核。因此，核化的慨率依賴於容量，例如記錄材料層的厚度。當已經存在晶體時，例如在非晶標記周圍的晶體或由核化形成的晶體，就會出現晶粒生長結晶。晶粒生長包括這些晶體伴隨與已經出現的晶體相鄰的非晶材料的結晶而生長。實際上，兩種機制都可能同時出現，但是一般地說，在效率和速度上一種機制佔優勢。
在相變光學記錄中，另一種非常重要的要求是高數據穩定性，意思是說，通常以非晶標記記錄的數據能夠完整保持很長時間。高數據穩定性要求記錄層具有低的結晶速率，即在溫度低於100℃時具有長的結晶時間。例如，可以規定在一種溫度(例如50℃或30℃)條件下數據的穩定性或保存壽命。在光學數據存儲媒體的保存存儲期間，寫入的非晶標記是以某一速率結晶，所述速率是由記錄層的特性確定的。當標記重結晶時，它們就不能與周圍的晶體區別，換句話說標記就被檫除。實際上，在室溫，即30℃條件下，重結晶至少需要10年時間。這超過了保存壽命。外推曲線是基於通常能接受的假設作出的，即，結晶時間是按指數律地依賴於絕對溫度(K)的倒數。結晶性能是關於寫入標記的度量。通常，穩定性基於澱積的非晶態，然而澱積的非晶態通常導致太高的穩定性值。這是因為寫入的非晶標記含有比澱積的非晶態層更多的核點，所述核點加快結晶的速度，特別是在晶體標記邊緣導致晶體生長。
在歐洲專利EP 0387898B1中，相變型媒體包括丙烯酸樹脂的盤狀基片，基片上具有100nm厚的SiO2第一絕緣層、100nm厚的相變合金記錄材料層和100nm厚的第二絕緣層。這樣的堆疊稱作為IPI-結構，其中，I表示絕緣層，P表示相變記錄層。該專利說明了記錄層的組分(InSb)80(GaSb)20，所述組分的結晶時間小於100ns，並且結晶溫度大於120℃。申請人的模擬表明，這對應於30℃下約為0.6年的結晶時間(即非晶的穩定時間)(參見表1的實例Z)。根據現有的標準，這樣的結晶時間對於用作穩定媒體中的記錄層是遠遠不夠大的。
本發明的一個目的是提供一種在開始段說明的光學數據存儲媒體，這種存儲媒體具有晶粒生長結晶佔主要的記錄層，所述記錄層適合於用作直接蓋寫的高數據速率的光學記錄，其線速度大於10m/s，並且在溫度30℃條件下，在具有相對低的媒體噪音的同時具有10年或更長的保存壽命穩定性。保存壽命穩定性意味著寫入的非晶標記的穩定性。當對晶體部分的記錄層掃描時，媒體噪音與聚焦輻射束的反射變化有關。
通過開始段說明的光學數據存儲媒體可以實現本發明的這個目的，光學數據存儲媒體的特徵在於，合金是由下式確定的原子組分百分比
GaxInySbz和70≤z≤95及x+y+z＝100。
本申請人已洞察這些材料有成為速度範圍超過4xDVD(4x3.5m/s)速度的候選材料的希望。這些材料的晶粒生長佔優勢。表3中證明了這點，其中，列出了幾種材料的成核時間，這些材料中有本發明使用的。可以看出，表中給出了1μs和更長的成核時間。然而在非晶標記檫除或重結晶(其過程必須是晶粒生長佔優勢)期間，本發明的所有材料表明它們的CET都遠小於100ns。表中只有成核佔優勢的材料為樣本Y，其成核時間約為100ns。晶粒生長佔優勢的結晶過程的另一個指標是取決於CET、使材料最適合於高數據密度應用的的斑點的尺寸。本發明的材料將快速結晶(短的CET)和優良的光學對比度(即固有的相當高的熱穩定性和低媒體噪音)相結合。所述範圍的材料的結晶溫度大大高於高速攙雜的」低共熔點」SbTe材料。」低共熔點」指在或相當接近低共熔點組分Sb69Te31。本申請人觀察到，對於本發明的材料，它們的結晶速率都可以通過調整相變材料的組分來改變，即在」低共熔點」SbTe材料中，高的Sb/Te比率對低的CET是有益的，但是高的Sb/Te比率會降低保存壽命的穩定性。申請人還發現，與高速攙雜的」低共熔點」SbTe材料(參見圖3)相比，Ga和/或攙雜In的Sb的組分表現出相當低的盤噪音。噪音起源於晶體相位中的反射變化，因此，媒體噪音的一個指標可以從初始化掃描期間，即以某速度(例如，7m/s)結晶的盤部分讀出的檢測器的噪音光譜獲得。噪音可以定量表示為綜合噪音係數(mv)。而且，由於所述組分相當接近二元組分InSb和GaSb的低共熔點，因此本發明材料的組分的熔點相當低。這就使得記錄層具有對聚焦輻射束相當靈敏的優點。
在一個實施例中，合金具有由下式定義的原子組分百分比GaxInySbz和77≤z≤91及x+y+z＝100。為了增強保存壽命的穩定性，Ga/攙雜In的Sb的材料最好包含低於91％的Sb，對於即使是低的CET，所述材料最好包含77％以上的Sb。較高的In含量可以加快結晶速度，即較低的CET，較高的Ga含量可以提高保存的穩定性。
在又一個實施例中，合金具有由下式定義的組分SbzM(100-z)，而M選自由Ga和In構成的組以及70≤z≤95。使用二元組分的優點在於更容易加工。使用Ga和M的優點在於能夠極為方便地外推出保存壽命的穩定性(即在30℃下遠高於百萬年)。使用In和M的優點在於，對於帶有仍然可接受的保存壽命的穩定性的所述組分，其CET極低。
在SbzM(100-z)中，z的範圍最好限制在77≤z≤91。這在結晶速度和保存壽命的穩定性之間具有更好的穩定平衡的優點。
當記錄層另外包含最多達10原子百分數的Ge時，可以增強保存壽命的穩定性。特別是當保存壽命的穩定性處於在30℃條件下＜100年的範圍時，這種增加就是有用的。
在又一個實施例中，存在與遠離第一輔助層的第二輔助層一側相鄰的反射層。第一和第二輔助層可以例如包括絕緣材料。反射層可以起增加堆疊總的反射和/或光學對比度的作用。而且，它可以起散熱器作用，特別是當它包括金屬時，為了增加記錄層在非晶標記形成期間的製冷速率，通過非晶標記的形成重結晶可以抵消在非晶標記形成期間產生的熱。反射層可以例如包括從Al、Ti、Au、Ag、Cu、Pt、Pd、Ni、Cr、Mo、W和Ta構成的組中選擇的至少一種金屬，包括這些金屬的合金。最好存在夾在反射層和第二輔助層之間的附加層，以防止反射層受第二輔助層的化學影響。特別是當Ag用於反射層時，將防止ZnS-SiO2輔助層的S原子與Ag可能產生的反應。用於屏蔽的合適附加層包括例如Si3N4。
記錄層最好具有小於20nm的厚度。這樣可以使記錄層具有相當高的光傳輸，高的光傳輸對多堆疊的光學媒體情況很有利。在多堆疊的光學媒體中可以出現幾個記錄層。通常記錄/讀雷射束直接穿過」較高的」記錄層，以便記錄到」較低的」記錄層/從」較低的」記錄層讀取數據，在這種情況下，較高的記錄層必須對雷射束至少是部分透明的，以便穿過」較高的」記錄層，到達」較低的」記錄層。而且，晶粒生長佔優勢的材料構成的薄記錄層的結晶比相當厚的記錄層更快。反射層和記錄層之間的層的總厚度最好相當薄，以便改善反射層的製冷效率。特別是當攙雜In的的Sb組分用作記錄層時，所述組分表明有極快的結晶特性，這時需要在將非晶標記寫入記錄層期間對記錄層進行快速製冷。
當記錄層與至少一個厚度在2和8nm之間的附加的碳化物層接觸時，可以進一步增加媒體的循環性(cyclability)。循環性是在寫入媒體中的標記的跳動等級出現一定的增加之前，DOW循環的可能數目。跳動是標記邊緣(例如，切線方向)的定位精度的度量。較高的跳動對應於較低的定位精度。上述材料用於堆疊II+PI+I或II+PI，其中I+是碳化物。或者，可以使用氮化物或氧化物。在II+PI+I堆疊中，記錄層P是第一和第二碳化物層I+之間的夾層。第一和第二碳化物層的碳化物最好是組合成具有短的CET和優良的循環性的SiC、ZrC、TaC、TiC和WC組中的成員。由於SiC的光學、機械和熱特性好因而是最好的材料；此外，其價格也相當低。附加碳化物層的厚度最好在2和8nm之間。當所述厚度小時，碳化物相當高的熱傳導率僅將對堆疊產生小的影響，因而可以容易地對堆疊進行熱設計。由於厚度相當薄，在第一輔助層和第二輔助層之間的碳化物層不會或者很少影響光學對比度。
第二輔助層(即反射層和相變層之間的那層)可以防止例如反射層和/或其它層對記錄層的直接影響，並且使光學對比度和熱特性最佳。為了獲得最佳的光學對比度和熱特性，第二輔助層的厚度最好在10-30nm的範圍內。極低的CET可能要求透明的第二輔助層的較小的厚度和/或相當高的熱傳導率。從光學對比度的觀點看，所述層的厚度可以選擇λ/(2n)nm厚，其中λ是雷射束的波長(nm)，n是第二輔助層的折射率。但是選擇較大的厚度將降低製冷對反射或記錄層中的其它層的影響。
第一輔助層(即輻射束(例如，雷射束)穿過的層)的最佳厚度範圍由a.o.雷射束的波長λ確定。當波長λ＝670nm時，最佳值約為90nm。
第一和第二輔助層可以由ZnS和SiO2(例如(ZnS)80(SiO2)20構成。可供選擇的方案是由SiO2、TiO2、ZnS、AIN、Si3N4和Ta2O5構成。最好使用碳化物，象SiC、WC、TaC、ZrC或TiC。與ZnS-SiO2混合物相比，這些材料的結晶速度更高，可循環性更好。另外，第二輔助層可以包括具有相當高的熱傳導率的透明材料(例如，摻雜錫的氧化銦(ITO)或氮化鉿)。
可以通過汽相澱積或濺射來形成所述反射層和輔助層。
光學數據存儲媒體的基片由例如聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、非晶聚烯烴或玻璃組成。在典型的實例中，基片是圓盤狀的，直徑為120mm，厚度為0.6或1.2mm。當使用0.6或1.2mm厚度的基片時，可以從第一輔助層開始在所述基片上塗敷各層。如果輻射束通過基片進入堆疊，那麼，基片必須至少對輻射束的波長是透明的。也可以按照相反的次序，即從第二輔助層或金屬反射層開始在基片上塗敷所述堆疊的各層，在這種情況下輻射束將不穿過基片進入堆疊。任選地，也可在堆疊上形成最外透明層作為覆蓋層，它保護下面各層不受環境影響。這層可以由上述各種基片材料之一或由透明樹脂(例如，厚度為100μm的紫外光固化聚(甲基)丙烯酸酯)構成。這種相當薄的覆蓋層允許聚焦輻射束的高的數字孔徑(NA)(例如，NA＝0.85)，並且必須具有相當好的光學質量和均勻性。薄的100μm的覆蓋層用於例如DVR或BD盤。如果輻射束通過所述透明層的入射面進入堆疊，那麼基片就可以是不透明的。
記錄層一側的光學數據存儲媒體的基片表面最好配備有可以用聚焦輻射束(例如，雷射光束)進行光學掃描的伺服道。這種伺服道常常由螺旋狀的槽構成，並且在注入成型或壓制期間藉助於模子形成在基片上。或者，可以以複製工藝在例如紫外光固化的丙烯酸鹽的合成樹脂層中形成所述槽，合成樹脂層單獨地設置在基片上。在高密度記錄中，這樣的槽具有0.5-0.8μm的間距和大約半個間距的寬度。
可以利用短波長雷射器例如具有670nm或更短(紅至蘭)波長的雷射器來實現高密度記錄和檫除。
可以通過汽相澱積和合適的靶的濺射在基片上塗敷相變記錄層。因此，澱積的層是非晶的。為了構造合適的記錄層，所述層必須首先完全結晶，通常將它稱作為初始化。為此，可以在爐內把記錄層加熱到超過摻雜Ga的Sb-Te合金的結晶溫度(例如，180℃)的溫度。或者，可以用足夠高功率的雷射束加熱合成樹脂基片(例如，聚碳酸酯)。這可以用專門的記錄器實現，在這種情況下，雷射束對移動的記錄層進行掃描。這樣的記錄器也可以稱作為初始化器。然後，非晶層被局部加熱到所述層結晶所需的溫度；同時防止基片遭受不利的熱負荷。
下面將藉助於典型實施例並參照附圖來更詳細地闡述本發明，附圖中
圖1示出本發明的光學數據存儲媒體的示意的截面圖，圖2示出若干組分的示意圖，其中垂直軸表示完全檫除時間(CET)，而水平軸表示以年為單位的保存壽命穩定性，圖3示出不同組分的記錄層的幾種噪音光譜，圖4示出作為檫除時間的函數的In15Ga85、Ga17Sb83和Ge15Sb85的澱積的非晶態的歸一化反射。
圖1中，用於利用聚焦的輻射束10進行高速記錄的可重寫的光學數據存儲媒體20(例如，DVR-red盤)具有基片1和設置在基片1上的各層的堆疊2。堆疊2具有由(ZnS)80(SiO2)20組成的，厚度為90nm的第一輔助層3；由(ZnS)80(SiO2)20組成的、厚度為22nm的第二輔助層5；以及由合金的相變材料組成的記錄層4，合金的組分如表1中本發明的實例A和B所示。記錄層4的厚度為14nm，並插入在第一輔助層3和第二輔助層5之間。由Ag組成的、厚度為120nm的反射層6與第二輔助層5的遠離第一輔助層3的一側相鄰。形成夾在反射層6和第二輔助層5之間的附加層8，附加層8使反射層6不受第二輔助層的化學影響。附加層包括Si3N4，具有3nm的厚度。
表1中示出摻雜物的數量。而且，表1還包括在30℃條件下的測量的實驗數據CET、綜合噪音和保存壽命穩定性的值。CET是採用以下方法測量的利用具有670nm波長、可變的功率電平和持續時間的雷射脈衝檫除16×16的非晶標記矩陣。檫除標記所需的最短時間為CET。媒體噪音指標是綜合噪音，綜合噪音是從利用聚焦輻射束(即雷射束)對某組分的記錄層表面掃描時測量的噪音光譜(參見圖3)獲得的，是在光電檢測器上反映出來的。噪音光譜是在以下條件下測量的盤轉速為7m/s；通過改變讀功率把DC-反射調整為750mV；解析度帶寬為30KHz；以及視頻帶寬為10Hz。利用HP 3400RMS伏特計累計測量所述噪音。保存壽命是按照本文序言中說明的方法外推出來的。以下過程用於寫標記的結晶特性的測量(保存壽命)。在玻璃基片上濺射所述堆疊，利用雷射束將盤的平坦部分初始化。以螺旋方式在初始化後的部分連續寫入DVD密度載體。從盤上切下的各片放入爐中，然後以確定的溫度使非晶標記結晶，同時；利用大的雷射光斑點(λ＝670nm)監測反射。從若干等溫結晶時間值，可以外推30℃條件下的保存壽命。由一定百分比的被檫除的(即非晶化的)標記定義結晶的數量。
由對雷射透明的紫外光固化樹脂組成的、厚度為100μm的保護層7與第一輔助層3相鄰。進行旋塗，然後用紫外光固化可以製備層7。
可以通過濺射形成層3、4、5、6和8。可以通過在初始化器中利用連續的雷射束將澱積的非晶記錄層4加熱到超過它的結晶溫度的溫度來獲得記錄層4的初始化晶體狀態。
表1歸納了各個實例的結果，其中，摻雜Sb的記錄層發生了變化。A是具有摻雜物Ga的實例，實例B具有摻雜物In，兩者都是本發明的實例。摻雜物In和Ga的混合可以控制GET和保存壽命的穩定性。實例T和U是摻雜的」低共熔點」SbTe組分。實例Z是EP 0387898B1中已知的組分。應當指出，Z的保存壽命穩定性大大低於A和B。
表1實例A、B、U、T和Z(U、T和Z不是本發明的實例＝nati)
表2表2中示出實例A、B的附加數據。Tcd和Tcw分別為記錄層的澱積非晶態和寫入非晶態的結晶溫度。Ea是激活能量(KJ/mol)。
表3在表3中示出幾種相變組分的澱積非晶態的成核時間。In15Ga85、Ga17Sb83和Ge15Sb85的各自的成核速率近似為1、4和49μs。這些速率都比成核佔優勢的材料，例如，實例Y＝Ge2Sb2Te5(～100ns)觀察到的成核速率大，但大大低於快速生長的摻雜的SbTe混合物的成核速率(參見表中的實例W)。相當高(與W比較)的成核速率對媒體的初始化有利，並可能是觀察到的低媒體噪音的原因。
表3
圖2示出標記直徑為100nm的不同組分的CET/保存壽命的測量結果示意圖。標記的直徑是從實驗的非晶標記調製值推導出來的。較大的調製有較大的標記直徑。0.1的調製對應於非晶標記的直徑近似為100nm。應當指出，這裡涉及的調製值不能與正常讀出寫入數據期間的調製深度比較。對於生長佔優勢的結晶過程，CET直接與標記的直徑成正比。這可以理解為非晶標記的重結晶是從邊緣開始的，因而較小的標記直徑，它的全重結晶速度較快。示意圖示出DVD+RW4x-8x記錄和DVD+RW＞8x記錄的適合的區域。可以看到，In15Ga85具有極快的結晶時間。由於在寫入期間標記的重結晶，極快的結晶特性可能導出小的標記。應用與記錄層相鄰的散熱片(例如，反射金屬層)可以抵消這種重結晶。
圖3中示出不同組分的讀噪音光譜。媒體的線速度為7m/s，光譜分析儀的解析度帶寬為30KHz，視頻帶寬為10Hz以及DC的反射電平調整為750mV。應當指出，Ga和摻雜In的Sb的噪音電平大大低於摻雜Ge的Sb的噪音電平。Ge的數量明顯增加(例如15原子百分數)似乎增大了噪音電平，所以，它是不太適合增加相當大數量的材料。然而根據本發明，給組分增加小量(即，＜10％)的Ge可以增強保存壽命的穩定性。為了比較，給出了具有優良噪音特性但是CET相當高，保存壽命的穩定性相當低的SbTeIn組分。SbTeGe組分具有可以與摻雜Ge的Sb相比較的噪音電平(即綜合噪音為11.8.mV)。
圖4中示出作為檫除時間t(ns)的函數的In15Ga85Ga17Sb83和Ge15Sb85的澱積非晶態的歸一化反射Rnormalized(任意單位)。通過在用聚焦雷射束照射相變材料的澱積非晶相位層期間監測反射電平來測量成核時間。照射期間的功率電平是正常的檫除電平。當反射突然增加一定的量(例如兩倍)時，所述材料就被假設為已經通過成核結晶。其結果歸納在表3中，在所述表中，列出了其它材料組分W和Y的附加結果。進一步的解釋參見所述表的說明。
應當指出，上述實施例的說明不是限制本發明，在不脫離後附的權利要求書的範圍的情況下，本專業的技術人員將能夠設計許多其它實施例。在權利要求書中，任何引用括號中的符號將不認為是對權利要求的限制。詞」compresing」包括現有的元件或步驟，而不是在權利要求書中列出的元件和步驟。元件前面的詞」a」或」an」不排除出現多個這樣的元件。事實上，某些測量以相互不同方式列出，相關的權利要求沒有指明這些測量的組合最好不用。
上面說明了用聚焦輻射束的高速記錄可重寫光學數據存儲媒體。所述媒體包括承載各層的堆疊的基片，堆疊包括第一輔助層、第二輔助層和由相變材料組成的記錄層，相變材料主要包括Sb以及Ga和In中至少一種的合金。記錄層插在第一輔助層和第二輔助層之間。如果合金具有由以下公式確定的原子百分比組分GaxInySbz和70≤z≤95及x+y+z＝100，那麼記錄層具有的結晶速度使其適合用於速度大於10m/s、和在30℃條件下至少10年的保存壽命的穩定性的直接蓋寫的高速記錄數據。而且，記錄層具有相當低的媒體噪音。
權利要求
1.一種利用聚焦輻射束的高速記錄的可重寫光學數據存儲媒體，所述媒體包括承載各層的堆疊的基片，所述堆疊包括第一輔助層、第二輔助層和相變材料組成的記錄層，所述相變材料主要包括Sb以及Ga和In中至少一種的合金，所述記錄層插在所述第一輔助層和所述第二輔助層之間，其特徵在於所述合金具有由以下公式確定的原子百分比組分GaxInySbz和70≤z≤95及x+y+z＝100。
2.如權利要求1所述的光學數據存儲媒體，其中，所述合金具有由以下公式確定的原子百分比組分GaxInySbz和77≤z≤91及x+y+z＝100。
3.如權利要求1所述的光學數據存儲媒體，其中，所述合金具有由以下公式確定的組分SbzM(100-z)，，其中M是從Ga和In的組中選擇的，並且70≤z≤95。
4.如權利要求3所述的光學數據存儲媒體，其中，77≤z≤91。
5.如權利要求1所述的光學數據存儲媒體，其中，所述記錄層還包含最多達10原子百分數的Ge。
6.如權利要求1所述的光學數據存儲媒體，其中，形成與所述第二輔助層的遠離所述第一輔助層的一側相鄰的反射層。
7.如權利要求6所述的光學數據存儲媒體，其中，形成夾在所述反射層和所述第二輔助層之間的夾附加層，所述附加層使所述反射層免受所述第二輔助層的化學影響。
8.如權利要求7所述的光學數據存儲媒體，其中，所述附加層包括Si3N4。
9.如權利要求1所述的光學數據存儲媒體，其中，所述記錄層的厚度小於20nm。
10.根據上述權利要求中的任何一個的光學數據存儲媒體，用於以至少10m/s的記錄速度和在30℃條件下至少10年的保存壽命穩定性進行高數據速率記錄。
全文摘要
描述一種用聚焦輻射束(10)高速記錄的可重寫光學數據存儲媒體(20)。媒體(20)包括承載各層的堆疊(2)的基片(1)，堆疊(2)包括第一輔助層(3)、第二輔助層(5)和相變材料的記錄層(4)，相變材料主要包括Sb以及Ga和In中的至少一種的合金。記錄層(4)插在第一輔助層(3)和第二輔助層(5)之間。如果合金具有由以下公式確定的原子百分比組分Ga
文檔編號G11B7/253GK1679095SQ03820139
公開日2005年10月5日 申請日期2003年8月18日 優先權日2002年8月28日
發明者L·范皮特森, M·H·R·蘭克霍斯特, J·H·J·魯森 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司