雙面拋光半導體晶片的方法
2023-09-23 14:42:55 2
專利名稱：雙面拋光半導體晶片的方法
技術領域：
本發明涉及雙面拋光半導體晶片的方法。
背景技術：
根據現有技術，在對從單晶切割的半導體晶片實施研磨、清潔和蝕刻步驟之後，通過拋光對半導體晶片的表面實施磨光。在單面拋光(簡寫為SSP)的情況下，在加工期間半導體晶片背面利用粘合劑、通過真空或利用粘結而固定在載盤上，並在另一面上進行拋光。在雙面拋光(DSP)的情況下，半導體晶片鬆散地插入薄的載體盤 (LSuferscheiben)內，並在均覆蓋有拋光墊的上下拋光碟之間以「自由浮動」的方式同步地拋光正面和背面。該拋光法是在送入拋光劑懸浮液(漿料)的情況下進行的，其通常是基於矽溶膠。在DSP的情況下，同時同步地拋光半導體晶片的正面和背面。DE 100 07 390 Al公開了一種適合的雙面拋光機。在現有技術中同樣已知所謂的利用牢固粘結的磨料進行的拋光(固定磨料拋光 "Fixed Abrasive Polishing，FAP」)，其中半導體晶片在拋光墊上進行拋光，與DSP拋光墊或CMP拋光墊不同該拋光墊包含粘結在拋光墊中的研磨劑(「固定磨料」或FA墊)。在FAP 的情況下原則上可以省略掉如在DSP時添加拋光劑懸浮液。例如德國專利申請DE 10 2007 035 266 Al描述了一種用於拋光由矽材料組成的基底的方法，其包括兩個利用FA墊的拋光步驟，其區別在於，在一個拋光步驟中將包含固體形式的未粘結的研磨劑的拋光劑懸浮液引入基材與拋光墊之間，而在第二拋光步驟中用不含固體的拋光劑溶液代替拋光劑懸浮液。在DSP或FAP之後，半導體晶片的正面通常以無光霧的方式進行拋光。這是利用更柔軟的拋光墊藉助鹼性拋光溶膠進行的。在文獻中通常將該步驟稱作CMP拋光。例如US 2002/0077039 和 US 2008/0305722 公開了 CMP 法。在DSP的情況下，半導體晶片位於通常比半導體晶片更薄的載體盤中。DE 199 05 737 Al請求保護一種雙面拋光法，其中半導體晶片的初始厚度比載體盤厚度大20至 200μ m0這涉及以「凸起(ijberstand)」的方式拋光半導體晶片。載體盤在雙面拋光的情況下的厚度通常為400至1200 μ m。位於下拋光碟上的拋光墊通常與待拋光的半導體晶片正面接觸，而半導體晶片的背面與位於上拋光碟上的拋光墊接觸。DE 100 04 578 Cl建議針對上拋光碟和下拋光碟使用不同的拋光墊。粘結在上拋光碟上的拋光墊遍布溝槽網絡，而粘結在下拋光碟上的拋光墊不具有此類紋理而是具有光滑表面。通過上拋光墊的紋理實現所用拋光劑分布的改善。拋光劑通常從上向下送入。因此，拋光劑流動通過上拋光墊的溝槽，然後從上拋光墊通過載體盤中的切口或開口流向下拋光墊或半導體晶片的正面。
此外，上拋光墊的溝槽避免了半導體晶片的背面粘結在上拋光墊上。根據DE 100 04 578 Cl，上拋光墊包括區塊尺寸為5mmX 5mm至50mmX 50mm且溝槽寬度和深度為0.5至 2mm的溝槽的棋盤狀均勻排列。通過該排列方式在優選為0. 1至0. 3bar的拋光壓力下進行拋光。然而，根據DE 100 04 578 Cl的規定導致半導體晶片在相對的面(背面和正面) 的外部邊緣處不對稱拋光去除材料的情況。已發現發生所謂的塌邊現象(Edge Roll-Off，邊緣厚度減小)，該現象在半導體晶片的正面比背面更加明顯。
發明內容
本發明的目的是避免在DSP的情況下半導體晶片的邊緣區域內不對稱的拋光去除材料的情況。本發明的目的是通過雙面拋光半導體晶片的方法實現的，其包括在覆蓋有第一拋光墊的上拋光碟與覆蓋有第二拋光墊的下拋光碟之間對位於載體盤的切口中的半導體晶片進行同步雙面拋光，其中在拋光期間位於載體盤中的半導體晶片的一部分面積暫時地突出於由上拋光碟和下拋光碟形成的加工間隙，其中這兩個拋光墊均勻分布有寬度和深度為 0. 5至2mm的溝槽，從而在拋光墊上形成正方形區塊的棋盤狀分布，其中位於上拋光碟上的第一拋光墊具有大於20mmX20mm的區塊，而位於下拋光碟上的第二拋光墊具有小於或等於20mmX 20mm的區塊，其中這兩個拋光墊在區塊上含有選自矽、鋁和鈰的元素的氧化物的、平均尺寸為0. 1至1. 0 μ m的磨料，其中在拋光期間送入不含固體且pH值能夠通過相應地添加鹼性組分而在11至13. 5的範圍內改變的拋光劑溶液，其中在第一步驟中送入pH為 11至12. 5的拋光劑溶液，而在第二步驟中送入pH為大於或等於13的拋光劑溶液。該方法的優選的實施方案在從屬權利要求中請求保護。本發明提供利用特殊製備的拋光墊進行雙面拋光，該拋光墊包含選自矽、鋁和鈰的元素的氧化物的、牢固粘結的磨料。以如下方式切割拋光墊，可以在頂部和底部實現晶片偏移。晶片偏移是指在拋光期間晶片的一部分面積暫時地突出於由上拋光碟和下拋光碟形成的加工間隙。上拋光墊和下拋光墊具有不同的紋理。位於上拋光碟上的墊具有大於20mm X 20mm 的區塊，而位於下拋光碟上的墊具有小於或等於20mmX 20mm的區塊。下拋光墊具有較小的凹槽間距。兩個溝槽或凹槽之間的距離是通過正方形區塊的邊長給定的。凹槽邊緣優選朝向墊的頂面倒圓，即具有特定的倒圓半徑，以避免確定凹槽的「硬邊緣」反映在半導體晶片待拋光的面，主要是所述晶片的正面上。凹槽邊緣在半導體表面上的此類刻痕會對納米形貌有關鍵性的影響。區塊是通過溝槽或凹槽在拋光墊表面上的均勻分布而給定的。溝槽是利用適當的機械或化學方法例如銑削(milling)或蝕刻而產生的。通過相應地控制鹼性組分的添加，可以改變在拋光過程的第一階段中送入的、不含固體的拋光劑溶液的PH值。通過可改變的pH值控制材料去除速率。目的是獲得不具有楔形偏差的、不具有邊緣區域不平坦度(塌邊現象)的、儘可能平坦的半導體晶片。對於本發明重要的是，通過提高鹼性拋光劑溶液的pH值到13或更高而停止拋光過程。在該停止步驟中降低了半導體晶片的表面粗糙度。這尤其是涉及長波表面粗糙度。除了不同的結構化，兩個拋光墊具有相同的材料特異性的特性。拋光墊優選包含熱塑性或熱固性聚合物。作為所述材料可以考慮多種物質，如聚氨酯、聚碳酸酯、聚醯胺、聚丙烯酸酯、聚酯等。拋光墊優選包含固體微孔聚氨酯。優選還使用由用聚合物浸漬的、發泡的盤或氈基材或纖維基材組成的拋光墊。在兩個拋光墊中所含的磨料位於區塊上，即凹槽或溝槽之間的凸起上。磨料優選為矽的氧化物，尤其是Si02。雙面拋光是利用行星運動學進行的。這意味著，半導體晶片以自由移動的方式位於利用滾動裝置進行旋轉的載體盤的切口中，並由此以擺線軌跡移動，同時半導體晶片在上下拋光碟之間進行拋光。本發明能夠實現在半導體晶片的正面和背面上最佳的邊緣幾何形狀(塌邊現象)。已發現通過本發明方法完全避免了在現有技術中所觀察到的在半導體晶片邊緣區域內不均勻的拋光去除材料的現象。通過本發明方法能夠省略掉在DSP的現有技術中所使用的矽溶膠。同時同步地拋光半導體晶片的正面和背面。傳統的DSP拋光機適合於此，其中所用的拋光墊包含磨料，而上拋光墊和下拋光墊不同地結構化。在拋光步驟中，將不含固體的拋光劑溶液引入半導體晶片待拋光的面與兩個拋光墊之間。拋光劑溶液包含水，但優選包含具有通常用於半導體工業中的純度的去離子水 (DIW)。此外，拋光劑溶液優選包含化合物，如碳酸鈉(Na2CO3)、碳酸鉀(K2CO3)、氫氧化鈉 (NaOH)、氫氧化鉀(KOH)、氫氧化銨(NH4OH)、氫氧化四甲基銨(TMAH)或其任意的混合物。特別優選使用碳酸鉀。拋光劑溶液的pH值在11至約13. 5的範圍內，並通過相應地添加所述化合物而在該PH值範圍內改變。所述化合物如碳酸鉀在拋光劑溶液中的比例優選為0. 01至10重量％。在第一步驟中，送入pH為11至12. 5的拋光劑溶液。在該步驟中，對半導體晶片的兩個面去除材料。在第二步驟中，送入pH值大於或等於13的拋光劑溶液。由此停止去除材料。優選在第三步驟中送入pH值小於或等於11. 5的拋光劑溶液。該步驟用於優選隨後在送入拋光劑懸浮液(漿料)的情況下進行拋光的準備。具體而言，該方法優選還包括在相同的拋光墊上對半導體晶片進行同步雙面拋光，其中代替拋光劑溶液而送入拋光劑懸浮液，其包含選自矽、鋁和鈰的元素的氧化物的磨料，其中在第一步驟中使用磨料的平均尺寸為15至30nm的拋光劑懸浮液，而在第二步驟中使用磨料的平均尺寸大於在第一步驟中所用拋光劑懸浮液的平均磨料尺寸、優選為35至 70nm的拋光劑懸浮液。
所述額外的拋光一方面用於減少由FAP拋光所誘發的微損傷，另一方面用於最小化缺陷和刮痕以及降低短波表面粗糙度。在所述額外的同步雙面拋光中，送入包含磨料的拋光劑懸浮液。研磨劑顆粒的尺寸分布優選顯示為單峰。研磨劑包含機械去除基底材料的材料，優選為一種或多種元素鋁、鈰或矽的氧化物。研磨劑在拋光劑懸浮液中的比例優選為0. 25至20重量％，更優選為0. 25至1重量％。特別優選使用膠體狀分散的二氧化矽作為拋光劑懸浮液。例如可以使用購自H. C. Starck公司的Levasil 以及購自Fujimi公司的 Glanzox 3900 含水拋光劑。Levasil 是Leverkusen的Bayer股份公司的註冊商標，由 H. C. Starck有限公司持有許可。Levasil 的平均粒逕取決於類型為5至75nm。因此，Levasil :適用於兩個拋光步驟，其中在第一步驟中使用粒徑為15至30nm的Levasil ，而在第二步驟中使用粒徑為 35 至 70nm 的Levasil 。Glanzox3900 是由日本Fujimi公司作為濃縮物提供的拋光劑懸浮液的產品名。 該濃縮物的底液的PH值為10. 5，並且包含約9重量％的膠體狀Si02。拋光劑優選包含添加劑，如碳酸鈉(Na2CO3)、碳酸鉀(K2CO3)、氫氧化鈉(NaOH)、氫氧化鉀(KOH)、氫氧化銨(NH4OH)、氫氧化四甲基銨(TMAH)。但是拋光劑懸浮液可以包含一種或多種其他的添加劑，例如表面活性添加劑如潤溼劑和表面活性劑、發揮保護膠體作用的穩定劑、防腐劑、抗微生物劑、醇和絡合劑。在本發明方法中優選但非必需地採用其他方式送入或供應拋光劑。下拋光碟與上拋光碟無關地送入新鮮的拋光劑。為此，下拋光碟同樣被設計為拋光劑引導通過以及分離的拋光劑輸送系統。購自德國Rendsburg的Peter Wolters公司的AC2000型拋光機特別適合於實施本發明方法。該拋光機配備有外輪圈和內輪圈的銷釘嚙合(Stiftverzahrumg)用於驅動載體盤。所述設備可以被設計用於一個或多個載體盤。由於通過量更大，優選為用於多個載體盤的設備，例如在DE 100 07 390 Al中所述，其中載體盤在行星式路徑上圍繞設備中心運動。所述設備包括下拋光碟和上拋光碟，它們可以水平地自由轉動並覆蓋有拋光墊。在拋光期間半導體晶片位於載體盤的切口中及在兩個轉動且對其施加有特定的拋光壓力的拋光碟之間，同時連續地送入拋光劑(懸浮液或溶液)。在此，優選還通過轉動的銷釘輪圈使載體盤移動，該銷釘輪圈嚙合在載體盤的圓周上的齒中。一種典型的載體盤包括用於接收3個半導體晶片的切口。切口圓周上具有嵌入物或所謂的載體盤型模(LSuferscheibenausspritzungen)，其用於保護半導體晶片的斷裂
敏感性邊緣，尤其是還防止從載體盤體釋放金屬。
載體盤體例如可以包含金屬、陶瓷、塑料、纖維增強的塑料或者塗覆有塑料或類金剛石碳層(DLC層)的金屬。但是優選為鋼材，特別優選為不鏽鉻鋼。切口優選被設計用於接收直徑至少為200mm、優選為300mm、更優選為450mm且厚度為500至1000 μ m的奇數個半導體晶片。下面依照附圖闡述本發明。
圖1示意性地顯示了用於實施本發明方法的構造。圖2所示為晶片偏移的實施方案。
附圖標記11下拋光碟上的拋光墊12上拋光碟上的拋光墊21下拋光碟22上拋光碟31內齒輪圈32外齒輪圈4半導體晶片5 偏移6載體盤7拋光/壓緊壓力
具體實施例方式圖1示意性地顯示了在利用內齒輪圈31和外齒輪圈32移動的載體盤61和62的切口中的半導體晶片4。拋光墊11位於下拋光碟21上。拋光墊12位於上拋光碟22上。 拋光碟22用拋光墊12以拋光/壓緊壓力7的方向壓在載體盤61和62、半導體晶片4和具有拋光墊11的下拋光碟21上。半導體晶片41突出於拋光墊11和12的邊界(偏移5)。圖2所示為偏移的實施方案。2A所示為在載體盤63中的半導體晶片42，連同下拋光墊11和上拋光墊12，在內齒輪圈31與外齒輪圈32之間。半導體晶片42突出於上拋光墊12 (偏移51)。2B所示為在載體盤63中的半導體晶片42，連同下拋光墊11和上拋光墊12，在內齒輪圈31與外齒輪圈32之間。半導體晶片42突出於下拋光墊11 (偏移52)。2C所示為在載體盤63中的半導體晶片42，連同下拋光墊11和上拋光墊12，在內齒輪圈31與外齒輪圈32之間。半導體晶片42突出於上拋光墊12且突出於下拋光墊11 (偏移 53)。2D所示為在載體盤63中的半導體晶片42，連同下拋光墊11和上拋光墊12，在內齒輪圈31與外齒輪圈32之間。半導體晶片42突出於上拋光墊12且突出於下拋光墊11。 偏移54相對於上拋光墊12更加明顯。2E所示為在載體盤63中的半導體晶片42，連同下拋光墊11和上拋光墊12，在內齒輪圈31與外齒輪圈32之間。半導體晶片42突出於上拋光墊12且突出於下拋光墊11。偏移55相對於下拋光墊11更加明顯。下面解釋如何能夠將根據本發明的雙面拋光優選集成在用於製備半導體晶片的製造序列中。首先將利用CZ或FZ生長的、由半導體材料組成的單晶切割成半導體晶片。優選利用鋼絲鋸切割半導體晶片。例如US 4，655，191、EP 522 542A1、DE 39 42 671 Al或EP 433 956 Al公開了利用鋼絲鋸切割半導體晶片。生長的由半導體材料組成的單晶優選為由矽組成的單晶。半導體晶片優選為單晶娃晶片。在應用根據本發明的拋光之前，優選實施如下過程首先將利用CZ或FZ生長的、由半導體材料組成的單晶切割成半導體晶片。優選利用鋼絲鋸切割半導體晶片。例如US 4，655，191、EP 522 542A1、DE 39 42 671 Al或EP 433 956 Al公開了利用鋼絲鋸切割半導體晶片。生長的由半導體材料組成的單晶優選為由矽組成的單晶。半導體晶片優選為單晶娃晶片。
隨後加工半導體晶片的邊緣和兩個表面。優選利用粗的磨削劑對半導體晶片的邊緣進行倒圓。為此，將半導體晶片固定在旋轉的桌上，並以其邊緣與同樣旋轉的加工工具的工作面相對地進給。在此使用的加工工具可以圓盤的形式構成，其被固定在轉軸上並具有作為用於加工半導體晶片邊緣的工作面使用的圓周面。例如DE 195 35 616 Al公開了適合於此的裝置。半導體晶片優選具有相對於晶片中心面對稱的輪廓，其在晶片正面和晶片背面上具有同類小平面，或者具有不對稱的邊緣輪廓，其在正面和背面上具有不同的小平面寬度。 在此半導體晶片的邊緣獲得幾何形狀與目標輪廓相似的輪廓。所用的磨削圓盤優選具有凹槽分布。DE 10 2006 048 218 Al公開了一種優選的
磨削圓盤。工作面還可以磨削墊或磨削帶的形式構成。去除材料的顆粒，優選金剛石，可以牢固地錨定在加工工具的工作面內。所用的顆粒優選具有粗的粒度。根據JIS R 6001 1998，粒度(以篩目計)為#240 至 #800。平均粒徑為20至60 μ m,優選為25至40 μ m,更優選為25至30 μ m或30至40 μ m。在邊緣倒圓之後，優選利用粗的磨削劑對由單晶切割的半導體晶片實施雙面去除材料式加工。例如PPG(行星墊磨削)適合於此。PPG是一種用於同時雙面磨削多個半導體晶片的方法，其中每個半導體晶片以自由移動的方式位於多個利用滾動裝置進行旋轉的載體盤之一的切口中，並由此以擺線軌跡移動，其中半導體晶片在兩個旋轉的加工圓盤之間實施去除材料式加工，其中各個加工圓盤具有包含粘結的磨削劑的加工層。涉及利用行星運動學的方法，如DSP。作為粘結在加工層中的磨削劑，優選為莫氏硬度> 6的硬質材料。作為合適的磨削材料優選考慮金剛石、碳化矽(SiC)、二氧化鈰(CeO2)、剛玉(氧化鋁，Al2O3)、二氧化鋯(ZrO2)、氮化硼(BN ；立方氮化硼，CBN)，此外考慮二氧化矽(SiO2)、碳化硼(B4C)直至明顯更軟的材料，如碳酸鋇(BaCO3)、碳酸鈣(CaCO3)或碳酸鎂(MgCO3)。但是特別優選為金剛石、 碳化矽(SiC)和氧化鋁(Al2O3 ；剛玉)。磨削劑的平 均粒徑為5至20 μ m，優選為5至15 μ m，更優選為5至10 μ m。磨削顆粒優選單獨地或者作為聚集體(「團簇」)粘結在加工層的粘結基體中。在聚集體粘結的情況下，被認為是優選的粒徑涉及團簇成分的初級粒徑。隨後優選對半導體晶片實施第二 PPG磨削，其中使用具有比之前更細的粒度的磨削墊。在此情況下，磨削劑的平均粒徑為0. 5至10 μ m，優選為0. 5至7 μ m，更優選為0. 5 至4 μ m，特別優選為0. 5至2 μ m。接著可以利用更細的磨削劑實施第二邊緣倒圓。因此，在第二邊緣倒圓中使用具有更細的粒度的磨削工具。為此，又將半導體晶片固定在旋轉的桌上，並以其邊緣與同樣旋轉的加工工具的工作面相對地進給。在此使用的加工工具可以圓盤的形式構成，其被固定在轉軸上並具有作為用於加工半導體晶片邊緣的工作面使用的圓周面。工作面還可以磨削墊或磨削帶的形式構成。去除材料的顆粒，優選金剛石，可以牢固地錨定在加工工具的工作面內。所用的顆粒具有細的粒度。根據JIS R 6001 :1998，粒度應當細於#800，優選為 #800至#8000。平均粒徑為0. 5至20 μ m，優選為0. 5至15 μ m，更優選為0. 5至ΙΟμπι，特別優選為0. 5至5 μ m。在另一個步驟中，可以在半導體晶片每個面的材料去除量不超過Iym的情況下利用蝕刻介質處理半導體晶片的兩個面。半導體晶片的每個面的最小材料去除量優選為1個單層，即約0. lnm。優選利用酸性介質對半導體晶片實施溼化學處理。氫氟酸、硝酸或乙酸的水溶液適合作為酸性介質。所述的清潔和蝕刻方法優選以單晶片處理的方式實施。因此，根據本發明方法實施雙面拋光。同時同步地對半導體晶片的正面和背面進行拋光。傳統的DSP拋光機適合於此，其中根據本發明設置所用的拋光墊。在根據本發明實施雙面拋光之後，優選對半導體晶片的邊緣進行拋光。可商購獲得的自動邊緣拋光機適合於此。US 5，989，105公開了用於邊緣拋光的此類裝置，其中拋光滾筒由鋁合金組成，並且具有施加在其上的拋光墊。半導體晶片通常固定在平坦的晶片保持器即所謂的夾盤(chuck)上。半導體晶片的邊緣突出於夾盤，從而使其可以自由地到達拋光滾筒。相對於夾盤傾斜特定角度的、繞中心旋轉且施加有拋光墊的拋光滾筒和帶有半導體晶片的夾盤相互進給，並在連續送入拋光劑的情況下以特定的壓緊壓力相互擠壓。在邊緣拋光時，帶有保持在其上的半導體晶片的夾盤繞中心旋轉。夾盤旋轉一圈優選持續20至300秒，更優選50至150秒(迴轉周期)。
優選以300至ΙδΟΟπ ιΓ1、更優選500至lOOOmirT1的轉速繞中心旋轉的、覆蓋有
拋光墊的拋光滾筒和夾盤相互進給，其中拋光滾筒以相對於半導體晶片的裝置角傾斜地設置，而半導體晶片被固定在夾盤上，從而使半導體晶片輕微地突出於夾盤並因此可以到達拋光滾筒。裝置角優選為30至50°在優選以0. 1至1升/min，更優選0. 15至0. 40升/min的拋光劑流量連續送入拋光劑的情況下，半導體晶片和拋光滾筒以特定的壓緊壓力相互擠壓，其中壓緊壓力可以通過固定在輥上的重量加以調節，優選為1至5kg，更優選為2至4kg。優選在使半導體晶片或保持半導體晶片的夾盤旋轉2至20周，更優選2至8周之後，使拋光滾筒與半導體晶片彼此分離。在邊緣拋光時使用的拋光墊可以具有施加在其上的牢固粘結的磨料(FAP拋光墊)。在此情況下，在連續送入不含固體的拋光劑溶液的情況下進行拋光。研磨劑由機械去除基底材料的材料組成，優選由一種或多種元素鋁、鈰或矽的氧化物組成。額外地接著可以在相同的FAP拋光墊上利用輕柔地去除材料的矽溶膠(例如 Glanzox)實施短的拋光步驟，以降低邊緣粗糙度和邊緣缺陷率。最後優選至少對半導體晶片的正面實施化學機械拋光(CMP)。優選在該步驟中利用CMP對半導體晶片的兩個面進行拋光。傳統的DSP拋光機適合於此，但是其中代替傳統的DSP去除材料式拋光墊使用更軟的CMP拋光墊。
權利要求
1.雙面拋光半導體晶片的方法，其包括在覆蓋有第一拋光墊的上拋光碟與覆蓋有第二拋光墊的下拋光碟之間對位於載體盤的切口中的半導體晶片進行同步雙面拋光，其中在拋光期間位於載體盤中的半導體晶片的一部分面積暫時地突出於由上拋光碟和下拋光碟形成的加工間隙，其中這兩個拋光墊均勻分布有寬度和深度為0. 5至2mm的溝槽，從而在拋光墊上形成正方形區塊的棋盤狀分布，其中位於上拋光碟上的第一拋光墊具有大於 20mmX20mm的區塊，而位於下拋光碟上的第二拋光墊具有小於或等於20mmX20mm的區塊，其中這兩個拋光墊在區塊上含有選自矽、鋁和鈰的元素的氧化物的、平均尺寸為0. 1至 1. 0 μ m的磨料，其中在拋光期間送入pH值能夠通過相應地添加鹼性組分而在11至13. 5的範圍內改變的拋光劑溶液，其中在第一步驟中送入PH為11至12. 5的拋光劑溶液，而在第二步驟中送入PH為大於或等於13的拋光劑溶液。
2.根據權利要求1的方法，其中在第三步驟中送入pH為小於或等於11.5的拋光劑溶液。
3.根據權利要求1或2的方法，其此外還包括在相同的拋光墊上對半導體晶片進行同步雙面拋光，其中代替拋光劑溶液而送入拋光劑懸浮液，其包含選自矽、鋁和鈰的元素的氧化物的磨料，其中在第一步驟中使用平均粒徑為15至30nm的拋光劑懸浮液，而在第二步驟中使用平均粒徑為35至70nm的拋光劑懸浮液。
4.根據權利要求1至3之一的方法，其中將拋光劑溶液或拋光劑懸浮液相互獨立地輸送至下拋光碟上方和上拋光碟上方。
5.根據權利要求1至4之一的方法，其中半導體晶片的初始厚度大於載體盤的厚度。
6.根據權利要求1至5之一的方法，其中在兩個拋光墊的情況下，所述溝槽在向墊的頂面的過渡處具有經倒圓的邊緣。
全文摘要
雙面拋光半導體晶片的方法，其包括在覆蓋有第一拋光墊的上拋光碟與覆蓋有第二拋光墊的下拋光碟之間對位於載體盤的切口中的半導體晶片進行同步雙面拋光，其中在拋光期間位於載體盤中的半導體晶片的一部分面積暫時地突出於由上拋光碟和下拋光碟形成的加工間隙，其中這兩個拋光墊均勻分布有寬度和深度為0.5至2mm的溝槽，從而在拋光墊上形成正方形區塊的棋盤狀分布，其中位於上拋光碟上的第一拋光墊具有大於20mm×20mm的區塊，而位於下拋光碟上的第二拋光墊具有小於或等於20mm×20mm的區塊，其中這兩個拋光墊在區塊上含有選自矽、鋁和鈰的元素的氧化物的、平均尺寸為0.1至1.0μm的磨料，其中在拋光期間送入pH值能夠通過相應地添加鹼性組分而在11至13.5的範圍內改變的拋光劑溶液，其中在第一步驟中送入pH為11至12.5的拋光劑溶液，而在第二步驟中送入pH為大於或等於13的拋光劑溶液。
文檔編號B24B29/02GK102205520SQ201110084878
公開日2011年10月5日 申請日期2011年3月29日 優先權日2010年3月31日
發明者J·施萬德納, R·柯普爾特, T·布施哈爾特 申請人:矽電子股份公司