具有垂直結構的發光器件及其製造方法
2023-09-23 18:13:15
專利名稱：具有垂直結構的發光器件及其製造方法
技術領域：
本發明涉及一種具有垂直結構的發光器件，更具體地，涉及一種能夠實現增強光洩漏效率的具有垂直結構的發光器件，及其製造方法。
背景技術：
發光二極體(LED)是眾所周知的將電流轉換成光以發光的半導體發光器件。由於利用GaAsP化合物半導體的紅色LED在1962年就可在市場上買到了，其與GaP:N基綠色LED —起，已被用作電子設備的光源,用於圖像顯不。由這種LED發射的光的波長取決於用於製備該LED的半導體材料。這是因為發光的波長取決於表示價帶電子和導帶電子之間能量差的半導體材料的能帶隙。氮化鎵(GaN)化合物半導體已備受重視。GaN化合物半導體備受重視的一個原因是GaN和其它元素例如銦(In)、鋁(Al)等結合使用，能夠製備可以發綠、藍或白光的半導體層。由此，GaN和其它適當元素結合使用，能夠調節要發射的光的波長。因而，使用GaN,根據應用LED的設備的特性，能夠適當地確定所希望LED的材料。例如，能夠製備用於光學記錄的藍色LED或用於代替輝光燈的白色LED。另一方面，利用GaP製備開始發展的綠色LED。由於GaP是可引起效率降低的間接躍遷材料，所以利用該材料製備的綠色LED實際上不能製造純綠色的光。然而，依靠InGaN薄膜生長的近來成功，已能夠製備高亮度的綠色LED。依靠GaN基LED的上述優點和其它優點，GaN基LED市場快速發展。而且，由於GaN基LED在1994年就能夠在市場上買到，所以與GaN基電光器件有關的技術已得以快速發展。GaN基LED已經發展，顯示出光發射效率超過了輝光燈。當前，GaN基LED的效率基本等於螢光燈的效率。由此，可以預期GaN基LED市場將顯著增長。儘管GaN基半導體器件的技術快速前進，但是GaN基器件的製備受到高生產成本的很大不利條件。這種不利條件主要是涉及關於GaN薄膜(外延層)生長的難度以及成品GaN基器件的後續切割。這種GaN基器件一般在藍寶石(Al2O3)襯底上製備。這是因為適合批量生產GaN基器件的尺寸的藍寶石晶片是市售的，其支持以相對高質量進行GaN外延生長，並在寬的溫度範圍內展示出高的加工性能。此外，藍寶石是化學和熱穩定的，並且具有能夠執行高溫製造工藝的高熔點。而且，藍寶石具有高鍵合能(122. 4千卡/摩爾)和高介電常數。在化學結構方面，藍寶石是結晶氧化招(Al2O3X同時，由於藍寶石為絕緣材料，所以利用藍寶石襯底(或其它絕緣襯底)製造的有效LED器件實際上限於橫向或垂直結構。在橫向結構中，所有用於向LED注入電流的金屬接觸都布置在器件結構的上表面上(或相同襯底表面上)。另一方面，在垂直結構中，一個金屬接觸布置在上表面上，而在移除藍寶石(絕緣)襯底之後，另一個接觸布置在器件結構的底表面上。另外，還廣泛採用了倒裝晶片鍵合法。根據倒裝晶片鍵合法，將分別製備的LED晶片，在翻轉該LED晶片的條件下，附著在例如具有優良熱傳導性的矽晶片或陶瓷襯底的下 底座。然而，橫向結構或倒裝晶片法存在與熱釋放效率差相關聯的問題，因為藍寶石襯底具有大約27W/mK的熱導率，由此導致非常高的熱阻。此外，倒裝晶片法還具有需要大量光刻工藝步驟的不利條件，由此導致製造工藝複雜。為此，具有垂直結構的LED器件顯得更為突出，因為所述垂直結構涉及移除藍寶石襯底。在這種垂直LED結構的製備中，雷射剝離(LLO)方法用於移除藍寶石襯底，由此解決由藍寶石襯底造成的問題。也就是，如圖I所示，在藍寶石襯底I上方，形成包括n型GaN層2、有源層3和p型GaN層4的GaN薄膜。在GaN薄膜上方形成P型電極5。將LLO方法應用到如用上述方式製備的晶片，以完全移除藍寶石襯底I。在LLO方法中，一旦雷射束入射，應力就施加到GaN薄膜上。為了使藍寶石襯底I和GaN薄膜彼此分開，必須使用具有高能量密度的雷射束。該雷射束將GaN分解成金屬元素，即，Ga,和氮氣(N2X如上述移除襯底I之後，如圖2所示，在暴露的n型GaN層2上形成n型電極7，以製備晶片結構。在這種垂直LED結構中，如圖所示，n型GaN層2布置在晶片結構的最上部分。由於這個原因，n型GaN層2的接觸區域的面積相當大地影響了總發光效率。雖然在光洩漏方面減少接觸區域的面積是有利的，但是會存在例如工作電壓增加的問題，因為減少的接觸區域導致器件的總電阻增加或電流散布不足。由於GaN材料具有2.35的折射係數，所以在GaN材料與折射係數為I的空氣直接接觸的情況下，使得來自LED的光向外發射而沒有在LED內部全反射的角度限於離垂直線
25。。
發明內容
從而，本發明涉及一種具有垂直結構的發光器件及其製造方法，其基本避免了一個或多個由於相關技術的限制和不利條件導致的問題。本發明的目的是提供一種具有垂直結構的發光器件及其製造方法，利用在GaN半導體層上方層壓的透明導電氧化物(TCO)，和在GaN半導體層和TCO之間形成歐姆接觸的吸氣金屬，該發光器件能夠實現發光效率和光洩漏效率的增強。
本發明的另外優點、目的和特徵將在隨後的說明中部分闡明，並且根據隨後的審查，部分對於具有普通技術的本領域技術人員將變得很明顯，或可以從本發明的實踐中得到教導。通過在書面說明和其權利要求還有附圖中具體指出的結構，可以實現和達到本發明的目的和其它優點。 為了實現這些目的和其它優點，根據本發明的意圖，如這裡具體表達和廣泛描述的，一種具有垂直結構的發光器件包括具有第一表面和第二表面的半導體層；布置在半導體層的第一表面上的第一電極；布置在半導體層的第二表面上的透明導電氧化物(TCO)層；和布置在TCO層上的第二電極。在本發明的另一方面，一種具有垂直結構的發光器件包括第一電極；布置在第一電極上的半導體層；金屬層，其與用於形成半導體層的至少一種元素之間具有反應性；布置在金屬層上的透明導電氧化物(TCO)層；和布置在TCO層上的第二電極。在本發明的另一方面，一種用於製造具有垂直結構的發光器件的方法包括在襯底上方形成具有多層結構的半導體層；在該半導體層上形成第一電極；在第一電極上方形成由金屬或半導體製成的支撐層；使襯底從半導體層分離；在半導體層的襯底分離表面上方形成透明導電氧化物(TCO)層；和在TCO層上形成第二電極。要理解的是，本發明在前的概要描述和隨後的詳細描述是示範性和說明性的，並且意在提供如所要求的本發明的進一步說明。
包括附圖以提供本發明的進一步理解，並且併入附圖並構成本申請的一部分，這些附圖示出了本發明的實施例，並且和描述一起用於解釋本發明的原理。在這些圖中圖I是示出用於製造具有垂直結構的發光器件的常規工藝的示例的截面圖；圖2是示出具有垂直結構的常規發光器件的示例的截面圖；圖3到11是示出本發明的第一實施例的截面圖，其中圖3是示出根據本發明的製造工藝的示例的截面圖；圖4是示出根據本發明的製造工藝的另一個示例的截面圖；圖5是示出根據本發明製造的具有垂直結構的發光器件的示例的截面圖；圖6是示出ITO和n型GaN的能帶結構的示意圖；圖7是示出在ITO和n型GaN的鍵合態形成的能帶結構的示意圖；圖8是示出在電場施加到ITO和n型GaN的鍵合結構時形成的能帶結構的示意圖；圖9是示出ZnO和n型GaN的能帶結構的示意圖；圖10是示出在ZnO和n型GaN鍵合態形成的能帶結構的示意圖；圖11是示出在電場施加到ZnO和n型GaN的鍵合結構時形成的能帶結構的示意圖；和圖12到15是示出本發明的第二實施例的截面圖，其中圖12是示出根據本發明的製造工藝的示例的截面圖13是示出根據本發明製造的具有垂直結構的發光器件的示例的截面圖；圖14是示出熱處理工藝的示意圖；和圖15是示出ITO和GaN的能帶結構的示意圖。
具體實施例方式現在將詳細地參考本發明的優選實施例，其示例示於附圖中。然而，本發明可以具體化為許多不同的形式，並且不應該解釋為限於這裡闡述的實施例。因而，雖然可對本發明進行不同的修改和選擇性的形式，但是本發明的具體實施例在圖中以示例的方式示出了，並且將在這裡詳細描述。然而，應該理解，沒有必要限於本發明的具體公開的形式，相反，本發明應覆蓋落入由權利要求定義的本發明的精神和範圍內的所有修改、等效和替換。關於所述附圖的描述，相同的附圖標記表示相同的要素。在圖中，為了清楚，誇大 了層和區域的厚度。應當理解，當一個要素，例如層、區域或襯底稱為在另一個要素「上」時，其可以直接在另一個要素上，或者還可以存在中間要素。還將理解，如果要素的一部分，例如表面，稱為「內部」，則它相比該要素的其它部分更遠離該器件的外部。另外，關係術語，例如「在...之下」和「在...上面」，在這裡可以用來描述一個層的或區域對另一個層或區域的關係，如圖中所示。應當理解，除了在圖中描寫的方位外，這些術語意指包含器件的不同方位。最終，術語「直接地」意思是不存在中間要素。如這裡所使用的，術語「和/或」包括一個或多個相關聯的列出零件的任意和全部組合。應當理解，雖然術語第一、第二等在這裡可以用來描述不同的要素、部件、區域、層和/或部分，但是這些要素、部件、區域、層和/或部分不應該被這些術語所限制。這些術語僅用來區別一個區域、層或部分同另一個區域、層或部分。由此，下面討論的第一區域、層或部分可以稱為第二區域、層或部分，同樣，在沒有偏離本發明的教導的情況下，第二區域、層或部分也可以稱為第一區域、層或部分。〈第一實施例〉在下文中，將參考附圖描述本發明的第一實施例。如圖3所示，為了製造根據該實施例的發光器件，在藍寶石襯底10上方形成具有多層結構的GaN半導體層20和第一電極30。半導體層20可以利用普通的半導體生長方法生長。對於半導體生長方法，根據工藝的方便可以選擇性地使用不同的方法，例如，PVD例如濺射、利用有機金屬前體(pre-cursor)的 M0CVD、和離子注入。半導體層20包括n型半導體層21、有源層22和p型半導體層23。如圖3所示，隨著半導體層20遠離襯底10，其可以具有面積逐漸縮小的結構。如果需要，可以在p型半導體層23的上方形成電流擴散層24，如圖4所示。對於電流擴散層24，可以使用InxGahN層或InxGai_xN/GaN超晶格層。電流擴散層24可以用來增強載流子遷移率，並且由此導致電流平穩地流動。在這點上，該電流擴散層也稱為電流傳輸增強層(CTEL)。
第一電極30是歐姆電極。這種歐姆電極可以利用透明電極結構形成。第一電極30可以是p型電極，因為其形成在p型半導體層23的上方。如上所述，在透明電極用作第一電極30時，利用透明導電氧化物(TC0)，在電流擴散層24上方形成該透明電極是更有利的。在該結構中，電流擴散層24的功函數可以比作為p型半導體層23的p型GaN半導體層的功函數小，但是可以大於該透明電極的功函數。電流擴散層24和p型半導體層23的功函數範圍可以彼此部分交迭。而且，p型半導體層23和透明電極的功函數範圍可以彼此部分交迭。對於透明電極的TC0，可以使用氧化銦錫(IT0)。也可以使用其它材料，例如氧化銦鋅(IZO )、氧化鋁鋅(AZO )、氧化鎂鋅(MZO )或氧化鎵鋅(GZO )。
為了實現反射效率增強，可以在第一電極30上方形成反射電極40。優選反射電極40由銀(Ag)或招(Al)製成。同時，如將在後面描述的，在分離襯底10和半導體層20的工藝中，也可以提供支撐層以支撐半導體層20。該支撐層由金屬或包含Si的半導體製成。在半導體層20具有按上述次序層壓的結構時，第一電極30用作p型電極。在形成包括如上述形成的半導體層20、第一電極30和反射電極40的發光器件晶片之後，利用雷射剝離(LLO)方法，從發光器件晶片完全地移除藍寶石襯底10。在該LLO方法中，一旦雷射束入射，應力就施加到GaN基薄膜。為了分離開藍寶石襯底10和GaN薄膜，也就是半導體層20，必須使用具有高能量密度的雷射束。該雷射束將GaN分解成金屬元素，S卩，Ga，和氮氣(N2)。可以利用除LLO方法之外的方法，例如蝕刻，來實現襯底10的分離。其後，如圖5所示，在結構的翻轉狀態，在移除襯底10之後獲得的結構的上方形成TCO層50。以金屬焊盤的形式在TCO層50上形成第二電極60。TCO層50用來向半導體層20有效地供應電流。由此，可以實現發光效率增強、發光面積增大和工作電壓降低。也就是，儘管接觸區域縮小，但由於器件的總電阻沒有增加，所以實現了有效電流擴散。因而，能夠降低工作電壓。由此，可以以例如金屬焊盤的形式形成第二電極60，以具有減小的面積。從而，第二電極60沒有減少發光面積。同時，如圖所示，隨著半導體層20從第一電極30向TCO層50延伸，其具有面積逐漸增加的結構。根據該結構，能夠增加光洩漏角。TCO層50由ZnO製成。而且，可以使用通過向ZnO中加入作為摻雜劑的Al或In所製得的AlZnO或InZnO。雖然ITO可以用於TCO層50，但是在這種情況下TCO層50的效果差，因為可能不充分地形成TCO層50和半導體層20的n型半導體層21之間的歐姆接觸。圖6示出了鍵合ITO和n型GaN半導體之前它們的能帶結構。參考圖6，ITO具有大約為4. 7eV的功函數和大約3. 7eV的能帶隙Bg，而GaN具有大約3. 44eV的能帶隙。如圖7所示，當鍵合具有如上所述特徵的ITO和n型GaN半導體時，利用導帶，也就是，n型GaN的費米能級補償ITO的費米能級，如同導電金屬一樣。在這種情況下，形成了阻擋電子流動並具有I. 7eV能級的勢壘A E。。也就是，在鍵合表面彎曲能帶結構，以便在鍵合表面形成處於導帶的勢壘。當電壓(偏置)施加到該狀態中的能帶結構時，該勢壘保持在I. 7eV，但是能帶結構進一步彎曲了。從而，如圖8所示，在勢壘產生了隧道效應現象。結果，電流流動。在這種情況下，當施加的電壓較高時，因為彎曲度增加，所以流動的電流量增大。當鍵合ZnO和n型GaN時，產生了類似的現象。這裡，ZnO具有4. 2eV的功函數和
3.37eV的能帶隙Bg。如圖10所示，當鍵合具有如上所述特徵的ZnO和n型GaN半導體時,利用導帶,也就是，n型GaN的費米能級補償ZnO的費米能級如同導電金屬一樣。在這種情況下，形成了阻擋電子流動並具有I. 2eV級的勢壘A E。。
由於根據隧道效應現象電流流動的量與Exp [ (A Ec) 3/2]成比例，所以在ZnO和n型GaN鍵合的情況下，在更低的電壓能夠產生足夠的電流流動。也就是，如從上面的描述所看到的，利用ZnO的情況和利用加入摻雜劑的AlZnO或InZnO的情況，在電流流動方面更有利。由如上所述的ZnO-基材料製成的TCO層50可以大大地提高光洩漏角，通過該角光從GaN材料內部洩漏出。根據簡單計算，光能夠從折射係數為2. 35的GaN直接洩漏到GaN外部(空氣)的光洩漏角大約為25°。然而，當ZnO-基材料用於TCO層50時，因為「sin—1 (2. 07/2. 35)」為61.74°，所以該光洩漏角大大增加了。在下文中，將參考圖12到15描述本發明的第二實施例。在下面的描述中，不再說明與第一實施例相同的工藝。如圖12所示，為了製造根據本實施例的發光器件，在藍寶石襯底100上方形成GaN基半導體層200和第一電極300。如圖12所示，半導體層200包括n型半導體層210、有源層220和p型半導體層230。為了實現反射效率增強，第一電極300可以包括反射電極400。還可以在第一電極300的上方形成由金屬或包含Si的半導體製成的支撐層。在半導體層200具有按上述次序層壓的結構時，第一電極300用作P型電極。在形成如上述的發光器件晶片之後，利用雷射剝離(LLO)方法，從發光器件晶片完全地移除藍寶石襯底100。在該LLO方法中，一旦雷射束入射，應力就施加到GaN基薄膜。為了分離開藍寶石襯底100和GaN薄膜，必須使用具有高能量密度的雷射束。該雷射束將GaN分解成金屬元素,即，Ga,和氮氣(N2X如圖13所示，然後利用具有氮吸氣特性的金屬，例如，Ti、Zr或Cr，在移除了襯底100的n型半導體層210的表面上方澱積吸氣金屬層500。吸氣金屬層500能展示出對氮(N)的高反應性，其是諸如GaN的III族到V族的半導體材料中的V族材料。通過在n型半導體層210的界面上或界面中小量塗覆或摻雜該吸氣金屬，完成吸氣金屬例如Ti、Zr或Cr的澱積。對於澱積方法，根據工藝的方便可以選擇性地使用不同的方法，例如，PVD例如濺射、利用有機金屬前體的M0CVD、和離子注入。
在澱積了吸氣金屬層500之後，為了獲得最大的光洩漏效果，在吸氣金屬層500上方形成具有適當折射係數的透明導電氧化物(TCO)層600。優選TCO層600由氧化銦錫(ITO)製成。在半導體層200上方形成吸氣金屬層500和TCO層600之後，如圖14所示，進行熱處理。如通常所知的，如圖15所示，TCO例如ITO可以不與n型GaN和p型GaN的任何一個形成有效的歐姆接觸。然而，如果在折射係數方面高效的TCO層600可以應用到具有垂直結構的發光器件的頂層，如同在上面描述的結構一樣，在光洩漏方面可以提供相當大的優勢。從最近的研究結果可以看出，在熱處理中，在ITO/GaN界面上觀察到Ga-N分解。有報導說，n型GaN的歐姆接觸通常與Ga-N表面中的氮反應，由此導致該表面氮缺乏，並由此 形成歐姆接觸。因而，通過去除Ga-N結構中的氮，氮吸氣金屬層500能夠實現歐姆特性和器件穩定性的提聞。眾所周知，因為Ti容易形成Ti-N化合物，並且Ti-N展示出和金屬中一樣的導電性，所以金屬例如Ti能夠有效地防止由形成化合物導致的電極特性退化。在形成如上所述的TCO層600之後，在TCO層600上方形成第二電極700，作為n型電極。由此，完全製成了晶片結構。因而，能夠利用ITO作為TCO層600。結果，能夠大大地提高光洩漏角，通過該角光從GaN材料內部洩漏出。根據簡單計算，光能夠從折射係數為2. 35的GaN直接洩漏到GaN外部(空氣)的光洩漏角大約為25。。然而，當使用ITO時,該光洩漏角大大增加到54. 78°。對於本領域的那些技術人員來說很顯然，在不偏離本發明的精神或範圍的前提下，本發明可以做不同的修改和變化。由此，本發明意在覆蓋全部的落入附加的權利要求和其等效物的範圍之內的本發明的修改和變動。
權利要求
1.一種發光器件，包括 支撐層； 在所述支撐層上的第一電極； 在所述第一電極上的半導體結構，所述半導體結構具有傾斜的側表面； 在所述半導體層上的透明層； 在所述半導體結構的一部分上的第二電極；以及 金屬層，其布置在所述半導體結構和所述第二電極之間，所述金屬層對於包含在所述半導體結構的至少一種元素具有反應性， 其中，所述金屬層在所述半導體結構上充當歐姆接觸。
2.根據權利要求I的所述發光器件，其中所述半導體結構包括 在所述第一電極上的P型半導體層； 在所述P型半導體層上的有源層；和 在所述有源層上的n型半導體層。
3.根據權利要求I的所述發光器件，進一步包括 布置在所述半導體層和所述第一電極之間的電流擴散層。
4.根據權利要求3的所述發光器件，其中，所述電流擴散層包括InGaN層或InGaN/GaN超晶格層。
5.根據權利要求3的所述發光器件，其中，所述電流擴散層被配置為增強所述器件中載流子的遷移率。
6.根據權利要求3的所述發光器件，其中，所述電流擴散層的功函數小於所述半導體結構的功函數。
7.根據權利要求3的所述發光器件，其中，所述電流擴散層的功函數大於所述第一電極的功函數。
8.根據權利要求I至7中的任一項所述的發光器件，其中，所述第一電極包括反射電極。
9.根據權利要求I至7中的任一項所述的發光器件，其中，所述第一電極包括透明電極。
10.根據權利要求I至7中的任一項所述的發光器件，其中，所述支撐層包括金屬。
11.根據權利要求I至7中的任一項所述發光器件，其中，所述支撐層與所述第一電極接觸。
12.根據權利要求I至7中的任一項所述的發光器件，其中，所述半導體結構具有面向所述第一電極的第一表面和面向所述第二電極的第二表面，以及 其中，所述半導體結構的所述傾斜的側表面使得所述第二表面的面積大於所述第一表面的面積。
13.根據權利要求I至7中的任一項所述的發光器件，其中，面對所述半導體結構的所述第一電極的表面的面積小於面向所述第二電極的所述半導體結構的表面的面積。
14.根據權利要求I至7中的任一項所述的發光器件，其中，所述傾斜的側表面被配置為增強所述器件的光提取能力。
15.根據權利要求I至7中的任一項所述的發光器件，其中，所述透明層包括透明導電氧化物層。
16.根據權利要求I至7中的任一項所述的發光器件，其中，所述透明層包括氧化銦錫(ITO), ZnO, AlZnO 和 InZnO 中的一種。
17.根據權利要求I至7中的任一項所述的發光器件，其中，所述透明層具有比所述半導體結構的折射係數大的折射係數。
18.根據權利要求I至7中的任一項所述的發光器件，其中，所述透明層被配置為增強發光效率。
19.根據權利要求I至7中的任一項所述的發光器件，其中，所述透明層被配置為增強電流擴散特性。
20.根據權利要求I至7中的任一項所述的發光器件，其中，所述金屬層包括Ti、Zr和Cr中的至少一種。
21.根據權利要求I至7中的任一項所述的發光器件，其中，所述金屬層對於氮具有反應性。
22.根據權利要求21所述的發光器件，其中，所述金屬層具有氮吸取氣特性。
23.根據權利要求I至7中的任一項所述的發光器件，其中，所述第二電極具有金屬焊盤。
24.根據權利要求I至7中的任一項所述的發光器件，其中，所述金屬層具有面對所述第二電極的第一表面和所述第二電極具有面對所述金屬層的第二表面；以及 其中，所述第一表面的面積與所述第二表面的面積不同。
25.根據權利要求I至7中的任一項所述的發光器件，其中，所述透明層布置在所述第二電極和所述金屬層之間。
26.根據權利要求I至7中的任一項所述的發光器件，其中，所述透明層與所述第二電極接觸。
27.根據權利要求I至7中的任一項所述的發光器件，其中，所述透明層覆蓋所述半導體結構的整個上表面。
28.根據權利要求I至7中的任一項所述的發光器件，其中，所述透明層是導電的。
29.根據權利要求I至7中的任一項所述的發光器件，其中，所述金屬層與所述透明層接觸。
30.根據權利要求I至7中的任一項所述的發光器件，其中，所述金屬層與所述半導體結構的整個上表面層接觸。
31.一種發光器件，包括 包含金屬的支撐層； 在所述支撐層上的第一電極； 在所述第一電極上的半導體結構，所述半導體結構具有傾斜的側表面； 在所述半導體結構上的透明層； 在所述半導體結構的一部分上的第二電極；以及 金屬層，布置在所述半導體結構和所述第二電極之間，所述金屬層對於包含在所述半導體結構的至少一種元素具有反應性， 其中，所述金屬層包括Ti，其中，所述半導體結構具有n型半導體層、p型半導體層以及在所述n型半導體層和所述P型半導體層之間的有源層， 其中，所述第一電極具有反射層和電極層。
32.根據權利要求31所述發光器件，其中，所述半導體結構具有面向所述第一電極的第一表面和面向所述第二電極的第二表面，以及 其中，所述半導體結構的所述傾斜的側表面使得所述第二表面的面積不同於所述第一表面的面積。
全文摘要
公開了一種具有垂直結構的發光器件及其製造方法，發光器件，包括支撐層；在所述支撐層上的第一電極；在所述第一電極上的半導體結構，所述半導體結構具有傾斜的側表面；在所述半導體層上的透明層；在所述半導體結構的一部分上的第二電極；以及金屬層，其布置在所述半導體結構和所述第二電極之間，所述金屬層對於包含在所述半導體結構的至少一種元素具有反應性，其中，所述金屬層在所述半導體結構上充當歐姆接觸。
文檔編號H01L33/32GK102751415SQ20121018876
公開日2012年10月24日 申請日期2007年2月16日 優先權日2006年2月16日
發明者張峻豪, 河俊碩 申請人:Lg伊諾特有限公司, Lg電子株式會社