乾燥方法及乾燥裝置製造方法
2023-09-23 02:43:50 2
乾燥方法及乾燥裝置製造方法
【專利摘要】本發明公開一種乾燥方法，其應用於半導體、太陽能、LED等產業工藝中，主要包含高溫氣體加壓步驟、降壓步驟、差壓循環判斷步驟、低壓乾燥步驟、壓力回復步驟及總循環判斷步驟，而根據差壓循環設定及總循環設定來乾燥處理槽中的被乾燥物，其中通過重複加熱、加壓及降壓的循環而使被乾燥物表面的水分完全被去除；本發明另公開一種乾燥裝置，用於執行該乾燥方法；本發明可達成快速乾燥工藝中的被乾燥物的目的，並可維持被乾燥物的高潔淨度。
【專利說明】乾燥方法及乾燥裝置【技術領域】
[0001]本發明涉及一種乾燥方法及乾燥裝置，特別涉及可應用於半導體、太陽能及LED等產業工藝中的一種通過加熱、加壓及降壓的乾燥方法及乾燥裝置。
【背景技術】
[0002]乾燥技術與乾燥設備廣泛地用於半導體、太陽能或LED等產業的製造過程中，舉例而言，在半導體工藝中，為了避免基板表面或晶圓盒的灰塵、微粒等汙染物影響工藝及產品合格率，故基板或晶圓盒等被乾燥物的清洗及乾燥技術是影響工藝合格率的關鍵，其中乾燥技術是將清洗後的基板或晶圓盒等被乾燥物上的水分完全去除，而現有用於半導體工藝的技術有異丙酮蒸氣乾燥法(IPA Vapor Dry)、旋轉乾燥法(Spin dry)、IPA及馬蘭哥尼乾燥法(Marangoni dry)等。
[0003]然而,異丙酮蒸氣乾燥法主要使用一低蒸氣壓的異丙醇(isopropylalcohol, IPA)的有機溶劑，其為一種高揮發性質的化學溶劑，並且需要浸泡在溶液中操作過程較為複雜而導致達到完全乾燥工藝所需耗時較長；馬蘭哥尼乾燥法是通過液面溫度或液體組成的濃度變化所產生的表面張力進行乾燥，而具有危險性、效率低、無法完全乾燥且無法抑制氧化層產生等缺點；旋轉乾燥法是使基板高速旋轉，而使水分通過離心力脫離基板表面，然而旋轉乾燥法固定基板並高速旋轉的方式可能使基板內部結構產生機械應力，並且旋轉乾燥法具有粒子極限(particle limit)及無法完全去除水痕的缺點，而限制了工藝的應用性。
【發明內容】
[0004]本發明的主要目的在於公開一種乾燥方法，其應用於半導體、太陽能或LED等產業工藝中，以快速地完全乾燥被乾燥物。
[0005]本發明的另一目的在於公開一種乾燥裝置，其應用於半導體、太陽能或LED等產業工藝中，以用於執行一種可快速地完全被乾燥物的乾燥方法。
[0006]為達上述目的及其它目的，本發明的一種乾燥方法，用於根據一差壓循環設定及一總循環設定來乾燥一處理槽中的一被乾燥物，該乾燥方法包含以下步驟:高溫氣體加壓步驟，提供高溫的氣體至該處理槽中，以使該處理槽內的壓力大於760託(torr)，並通過該高溫氣體加熱該被乾燥物；降壓步驟，開啟連接該處理槽的一排氣閥以使該處理槽內的壓力降低；差壓循環判斷步驟，根據該差壓循環設定以依序地執行該高溫氣體加壓步驟及該降壓步驟至少一次以上；低壓乾燥步驟，開啟連接該處理槽的一真空裝置以使該處理槽內的確壓力降低至180託(torr)以下；壓力回復步驟，填充氣體至該處理槽中，以使該處理槽內的壓力回升；總循環判斷步驟，根據該總循環設定依序執行該高溫氣體加壓步驟至該壓力回復步驟至少一次以上。
[0007]在一實施例中，該高溫氣體加壓步驟中，該處理槽內的壓力增加至大於760託(torr)且小於等於1460託(torr)的範圍。
[0008]在一實施例中，該低壓乾燥步驟中，該處理槽內的壓力降低至0.1-180託(torr)。[0009]有一實施例中，該高溫氣體加壓步驟中，該被乾燥物的表面溫度增加至30_160°C ；此外，該高溫氣體加壓步驟至該壓力回復步驟的期間，該處理槽內部維持在30-160°C。
[0010]在一實施例中，該高溫氣體加壓步驟中，該被乾燥物的表面溫度增加至30-80°C ；此外，該高溫氣體加壓步驟至該壓力回復步驟的期間，該處理槽內部維持在30-80°C。
[0011]在一實施例中，該差壓循環判斷步驟後還包含:結束循環判斷步驟，其是當該總循環設定為二次以上時，根據一結束循環設定判斷是否結束。
[0012]在一實施例中，該高溫氣體加壓步驟前還包含:預處理步驟，其通過HF last或SCl工藝在一預處理槽中進行該被乾燥物的洗淨，其中該被乾燥物為基板。
[0013]在一實施例中，該高溫氣體加壓步驟前還包含:預乾燥步驟，其通過將該被乾燥物浸泡於一預處理槽的清洗液中再利用馬蘭哥尼效應(Marangonieffect)使該被乾燥物表面的液體去除，其中該被乾燥物為基板。
[0014]在一實施例中，該差壓循環設定為該高溫氣體加壓步驟及該降壓步驟依序循環執行二次。
[0015]在一實施例中，該氣體為氮氣或潔淨氣體(Clean Dry Air, CDA)。
[0016]在一實施例中，該氣體是通過氣體加熱器或紅外線加熱器加熱。
[0017]為達上述另一目的及其它目的，本發明又公開一種乾燥裝置，其用於執行上述的乾燥方法，該乾燥裝置包含:處理槽，其具有用於容置該被乾燥物的容置空間；氣體供應單元，連接該處理槽，用於提供氣體至該處理槽中；氣體加熱單元，連接該氣體供應單元，用以加熱供應至該處理槽的氣體；降壓單元，具有分別連接該處理槽的排氣閥及用於抽氣的真空裝置，以降低該處理槽內部氣壓；主控計算機設備，電性連接該氣體供應單元、該氣體加熱單元及該降壓單元，該主控計算機設備接收該差壓循環設定及該總循環設定來控制該氣體供應單元、該氣體加熱單元及該降壓單元。
[0018]在一實施例中，該處理槽上設置有加熱裝置，用以維持該處理槽內的溫度或使該處理槽內的溫度上升。
[0019]在一實施例中，該加熱裝置與該主控計算機設備電性連接。
[0020]在一實施例中，該處理槽內另包含一預處理槽。
[0021]在一實施例中，該乾燥裝置另包含一預處理槽，其通過一輸送單元與該處理槽連接，以使該被乾燥物由該預處理槽輸送至該處理槽。
[0022]在一實施例中，該處理槽內設置有量測裝置，該量測裝置與該主控計算機設備電性連接，以量測或紀錄該處理槽內的溫度、壓力及溼度的至少其中一個。
[0023]在一實施例中，該氣體供應單元通過一氣體管路連接該處理槽，該氣體管路上設置有控制閥、氣體過濾器及流量控制器的至少其中一個。
[0024]在一實施例中，該氣體加熱單元為電熱式氣體加熱器或紅外線加熱器。
[0025]藉此，本發明一種乾燥方法及乾燥裝置，其應用於半導體、太陽能或LED等產業工藝中，而可達成快速乾燥的目的，以縮短工藝所需時間，並使工藝中的被乾燥物可維持高潔淨度。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0026]圖1為本發明一實施例中乾燥方法的流程圖。[0027]圖2為用於執行本發明一實施例的乾燥方法的乾燥裝置的示意圖。
[0028]圖3為乾燥裝置的功能方塊圖。
[0029]圖4為本發明另一實施例的乾燥方法的流程圖。
[0030]圖5為本發明又一實施例的乾燥方法的流程圖。
[0031]【主要組件符號說明】
[0032]10處理槽
[0033]11加熱裝置
[0034]12量測裝置
[0035]20氣體供應單元
[0036]21氣體管路
[0037]22控制閥
[0038]23氣體過濾器
[0039]24流量控制器
[0040]30氣體加熱單元
[0041]40降壓單元
[0042]41排氣閥
[0043]42真空裝置
[0044]43真空泵
[0045]44真空閥
[0046]50主控計算機設備
[0047]60預處理槽
[0048]61輸送單元
[0049]100被乾燥物
[0050]Tl差壓循環設定
[0051]T2總循環設定
[0052]T3結束循環設定
[0053]S11-S80 步驟
【具體實施方式】
[0054]為充分了解本發明的目的、特徵及功效，現通過下述具體的實施例，並配合附圖，對本發明做一詳細說明，說明如後:
[0055]本發明一實施例的乾燥方法可應用於半導體、太陽能及LED等產業工藝中，例如半導體、太陽能或LED等產業工藝中的基板或裝載基板的載具等需要清洗、乾燥的組件，舉例而言，半導體工藝中的基板在每一工藝的前後必須通過洗淨流程與乾燥流程，來去除工藝中附著於基板表面的汙染物及水分，才能輸送往下一工藝區，以保持單一工藝中基板的乾燥度及/或潔淨度，進而提高工藝合格率。
[0056]首先請參閱圖1並配合圖2及圖3所示，圖1為本發明一實施例中乾燥方法的流程圖；圖2為用於執行本發明一實施例的乾燥方法的乾燥裝置的示意圖；圖3為乾燥裝置的功能方塊圖。[0057]本發明一實施例的乾燥方法用於根據一差壓循環設定及一總循環設定來乾燥一處理槽10中的一被乾燥物100，該乾燥方法包含以下步驟:
[0058]高溫氣體加壓步驟S20:提供高溫的氣體至該處理槽中，以使該處理槽10內的壓力大於760託(torr),並通過該高溫氣體加熱該被乾燥物100。
[0059]降壓步驟S30:開啟連接該處理槽10的一排氣閥41以使該處理槽10內的壓力降低。
[0060]差壓循環判斷步驟S40:根據該差壓循環設定以依序地執行該高溫氣體加壓步驟S20及該降壓步驟S30至少一次以上。
[0061]低壓乾燥步驟S60:開啟連接該處理槽10的一真空裝置42以使該處理槽10內的壓力降低至180託(torr)以下。
[0062]壓力回復步驟S70:填充氣體至該處理槽10中，以使該處理槽10內的壓力回升。
[0063]總循環判斷步驟S80:根據該總循環設定依序執行該高溫氣體加壓步驟S20至該壓力回復步驟S70至少一次以上。
[0064]如圖2所示，應用本實施例的乾燥方法的乾燥裝置I主要包含處理槽10、氣體供應單元20、氣體加熱單元30、降壓單元40及主控計算機設備50 ;其中，該處理槽10具有用於容置該被乾燥物100的容置空間；該氣體供應單元20連接該處理槽10，用於提供氣體至該處理槽10中；該氣體加熱單元30連接該氣體供應單元20，用以加熱供應至該處理槽10的氣體；該降壓單元40具有分別連接該處理槽10的排氣閥41及用於抽氣的真空裝置42，以降低該處理槽內部氣壓；該主控計算機設備50電性連接該氣體供應單元20、該氣體加熱單元30及該降壓單元40，該主控計算機設備50接收該差壓循環設定及該總循環設定來控制該氣體供應單元20、該氣體加熱單元30及該降壓單元40。
[0065]以下配合圖2及圖3所示的乾燥裝置I來說明本發明實施例的乾燥方法，此外，本實施例以應用於半導體、太陽能或LED等產業工藝中的基板作為被乾燥物的示例說明，然而被乾燥物的種類不限於此，其可為裝載基板的載具或其它相關組件等。
[0066]首先，該高溫氣體加壓步驟S20是通過高溫加熱單元30加熱由該氣體供應單元20輸出的氣體(例如氮氣或潔淨氣體)，被加熱後的高溫的氣體供應至該處理槽10中，以使該處理槽內的壓力大於760託(torr)，較佳地是，該處理槽10內的壓力增加至大於760託(torr)且小於等於1460託(torr)的範圍；此時,高溫的氣體加熱該被乾燥物100,其中，該被乾燥物100的表面溫度增加至30-160°C，較佳為35-160°C，因此，殘留於被乾燥物100的表面大部份的水分將因高溫汽化而被去除，同時可防止氧化膜的產生。
[0067]其次，該降壓步驟S30將連接於該處理槽100的排氣閥41開啟，以使氣體由該處理槽10排出，而使該處理槽10內的氣體壓力降低。
[0068]接著，該差壓循環判斷步驟S40是根據該差壓循環設定Tl (圖3)以依序地執行該高溫氣體加壓步驟S20及該降壓步驟S30至少一次以上，用以初步地去除該被乾燥物100表面大部份的水分；其中，該差壓循環設定Tl可為由用戶輸入該主控計算機設備50在一開始手動預設的參數值，該差壓循環設定Tl是代表該高溫氣體加壓步驟S20及該降壓步驟S30依序循環執行的次數，本實施例中示例該差壓循環設定Tl為二次，然而，本領域技術人員應了解的是，該差壓循環設定Tl可依該被乾燥物100的材料種類、數量及相關工藝參數來調整變換，而不限於本實施例。[0069]然後，該低壓乾燥步驟S60開啟連接該處理槽10的一真空裝置42，以使該處理槽內的壓力降低至180託(torr)以下，較佳地是，該處理槽10內的壓力降低至0.1-180託(torr);當該處理槽10內的壓力下降至愈接近真空狀態時,該被乾燥物100表面的水分的
蒸發速率愈快；其中，該真空裝置42可為一真空泵。
[0070]接下來，該壓力回復步驟S70中是通過該氣體供應單元20填充氣體至該處理槽10的容置空間中，較佳地是通過該氣體加熱單元30使氣體被加熱後再供應至，以使該處理槽10內的壓力回升，藉此補充該被乾燥物100在蒸發過程中被帶走的潛熱，並防止該被乾燥物100上殘留水分或表面形成水痕(watermark)。
[0071]最後，該總循環判斷步驟S80是根據該總循環設定T2 (圖3)依序執行該高溫氣體加壓步驟S20至該壓力回復步驟S70至少一次以上，藉以達成該被乾燥物100完全乾燥的目的；其中，該總循環設定T2可為由用戶輸入該主控計算機設備50在一開始手動預設的參數值，該總循環設定T2是代表該高溫氣體加壓步驟S20至該壓力回復步驟S70依序循環執行的次數，其可依該被乾燥物100的材料種類、數量及相關工藝參數來調整變換。
[0072]此外，該高溫氣體加壓步驟S20至該壓力回復步驟S70中，該處理槽10內部可維持在30-160°C的範圍內，較佳為35-160°C，換句話說，該高溫氣體加壓步驟S20至該壓力回復步驟S70均於高溫下進行。
[0073]據此，上述本發明一實施例的乾燥方法可達成該被乾燥物100在高溫下經過加壓與降壓的差壓控制來達成快速乾燥及高潔淨度的目的。舉例來說，本發明一實施例以50片基板執行乾燥流程後，基板邊緣以3mm作為排除量時，所量測的微粒量可達到0.1um小於30PPW的功效，其中該微粒量測可通過KLA Tencor Surfscan SP1/TBI儀器進行量測，藉此，本發明一實施例相較於現有技術還可達成快速乾燥及高潔淨度的功效。
[0074]請參照圖4，其為本發明另一實施例的乾燥方法的流程圖，本發明另一實施例是在該差壓循環判斷步驟S40後還包含:結束循環判斷步驟S50，其是當該總循環設定為二次以上時，根據一結束循環設定T3(圖3)判斷是否結束，也就是說，在本實施例中，由於該被乾燥物100在該高溫氣體加壓步驟SlO至該壓力回復步驟S80進行二次以上之後可達到預期的乾燥程度，換句話說，本發明另一實施例中，每一乾燥流程的最後一次循環不一定要再經過低壓乾燥步驟S60及壓力回復步驟S70，其可在完成差壓循環判斷步驟S40之後直接結束該乾燥流程，以更加縮短乾燥時間。
[0075]類似於該差壓循環設定或該總循環設定，該結束循環設定可為由用戶輸入該主控計算機設備50在一開始手動預設的參數值，該結束循環設定是代表完成該總循環設定及該差壓循環設定的次數後，結束乾燥流程；同樣地，本領域技術人員應了解的是，該結束循環設定可依該被乾燥物100的材料種類、數量及相關工藝參數與經驗法則來調整變換，而不限於本實施例。
[0076]請參照圖5，其為本發明又一實施例的乾燥方法的流程圖，本發明另一實施例是在該高溫氣體加壓步驟S20前可選擇性地執行一預處理步驟Sll及一預乾燥步驟S12的其中一個。
[0077]該預處理步驟Sll中，是通過HF last或SCl工藝在一預處理槽60中進行該被乾燥物100的洗淨，其可去除表面增生的氧化層或汙染物與改變該被乾燥物100表面性質，再進行後續的該高溫氣體加壓步驟S20至該壓力回復步驟S70，而可增進潔淨的效果。[0078]該預乾燥步驟Sll中，是通過將該被乾燥物100浸泡於一預處理槽60的清洗液中，再利用馬蘭哥尼效應(Marangoni effect)使該被乾燥物表面的清洗液與水分等液體去除，殘存於該被乾燥物100表面的清洗液沿著最佳路徑流回該預處理槽60中該清洗液的液面，而可減少乾燥所需的時間並增進乾燥效果；其中，該清洗液為異丙醇。
[0079]上述本發明一實施例的乾燥方法主要以應用於半導體、太陽能或LED等產業工藝中的基板作為被乾燥物的示例，以利於詳細說明上述本發明一實施例的乾燥方法，而本領域技術人員應了解的是，上述工藝中例如升壓、降壓及溫度的參數範圍可依該被乾燥物的材料、種類、數量及設備等因素來調整變換，以達到所需的乾燥效果。舉例而言，當本發明的乾燥方法應用於裝載基板的載具(例如晶圓盒)作為被乾燥物100時，不同於上述本發明一實施例之處尤其在於，所執行的乾燥方法的高溫氣體加壓步驟S70中，該被乾燥物100的表面溫度通過高溫的氣體加熱而增加至30-80°C，並且該高溫氣體加壓步驟至該壓力回復步驟的期間該處理槽內部維持在30-80°C，其它例如各步驟的循環次數、加壓與降壓等參數設定同樣依被乾燥物的數量或設備等來調整變換。
[0080]以下參照圖2再進一步詳細說明應用上述本發明一實施例的乾燥裝置的各種實施方式。
[0081]在本實施例中，該處理槽10上設置有加熱裝置11，用以維持該處理槽10內的溫度或使該處理槽10內的溫度上升；該加熱裝置11可環繞地設置於該處理槽10側壁或為一貼附式桶狀加熱器，而可提供該處理槽10均勻的加熱，並在執行該乾燥方法的過程中使該處理槽10的內部維持高溫環境。
[0082]此外，如圖2所示，該乾燥裝置I另可進一步包含一預處理槽，該預處理槽60通過一輸送單兀61與該處理槽10連接，以使該被乾燥物100由該預處理槽60輸送至該處理槽10，該預處理槽60可用於裝載清洗液或化學藥劑，以進行例如另一實施例的預處理步驟Sll或預乾燥步驟S12，而在執行該預處理步驟Sll或該預乾燥步驟S12並離開該預處理槽60之後，再通過該輸送單元61將該被乾燥物100輸送至該處理槽10，接著進行後續的該高溫氣體加壓步驟S20至該壓力回復步驟S70。
[0083]或者，該處理槽10內可進一步包含一預處理槽60，即該預處理槽60是容置於該處理槽10的容置空間中(圖未示)，相同於上述，該預處理槽60可用於裝載清洗液或化學藥劑，以進行例如另一實施例的預處理步驟Sll或預乾燥步驟S12，而在執行該預處理步驟Sll或該預乾燥步驟S12並離開該預處理槽60之後，再進行後續的該高溫氣體加壓步驟S20至該壓力回復步驟S70。
[0084]另外，該處理槽10內可設置有量測裝置12，用以量測處理槽內的溫度、壓力或溼度，藉以監控該處理槽10內的環境狀態。
[0085]本實施例的乾燥裝置I中，該氣體供應單元20通過一氣體管路21連接該處理槽10，該氣體管路21上設置有控制閥22、氣體過濾器23及流量控制器24的至少其中一個，該控制閥22用於開啟或關閉氣體的流通，該氣體過濾器23用於過濾該氣體供應單元20所輸出的氣體，該流量控制器24用於控制該氣體管路21中氣體的流量，以控制輸入該處理槽10中的氣體流率。其中，該氣體供應單元20所供應的氣體為氮氣或潔淨氣體。
[0086]本實施例的乾燥裝置I中，該氣體加熱單元30可為電熱式氣體加熱器或紅外線加熱器，以使提供至該處理槽10內的氣體通過該電熱式氣體加熱器或紅外線加熱器加熱。[0087]本實施例的乾燥裝置I中，該降壓單元40具有分別連接該處理槽10的排氣閥41及用於抽氣的真空裝置42，以降低該處理槽10內部氣壓，其中，該真空裝置42可包含一真空閥44及一真空泵43，用以抽取該處理槽10內部的氣體以達成降壓。
[0088]請同時圖2及圖3，本實施例的乾燥裝置I中，該主控計算機設備50電性連接該氣體供應單元20、該氣體加熱單元30及該降壓單元40，並還可電性連接例如該處理槽10上的加熱裝置11、該預處理槽60、該輸送單元61或氣體管路21上的控制閥22、氣體過濾器23及流量控制器24等，用以達成乾燥裝置I中每一個運作的單元的控制而利於自動化整合；並且，該主控計算機設備50接收該差壓循環設定Tl、該總循環設定T2及/或該結束循環設定T3來進行乾燥流程中運作的單元的控制，藉以完成被乾燥物100的乾燥流程。
[0089]綜上所述，本發明的這些實施例的乾燥方法及乾燥裝置相較於現有技術可大幅降低有機溶劑的使用量，並可避免如旋轉乾燥法造成的機械應力的產生，尤其是，本發明中這些實施例還可達成快速乾燥的目的而大幅縮短了工藝所需時間，並使工藝中的被乾燥物可維持高潔淨度。
[0090]本發明在上文中已以較佳實施例公開，然而本領域的技術人員應理解的是，該實施例僅用於描繪本發明，而不應解讀為限制本發明的範圍。應注意的是，舉凡與該實施例等效的變化與置換，均應設為涵蓋於本發明的範疇內。因此，本發明的保護範圍當以權利要求所界定者為準。
【權利要求】
1.一種乾燥方法，用於根據一差壓循環設定及一總循環設定來乾燥一處理槽中的一被乾燥物，該乾燥方法包含以下步驟: 高溫氣體加壓步驟，提供高溫的氣體至該處理槽中，以使該處理槽內的壓力大於760託，並通過該高溫氣體加熱該被乾燥物； 降壓步驟，開啟連接該處理槽的一排氣閥以使該處理槽內的壓力降低； 差壓循環判斷步驟，根據該差壓循環設定以依序地執行該高溫氣體加壓步驟及該降壓步驟至少一次以上； 低壓乾燥步驟，開啟連接該處理槽的一真空裝置以使該處理槽內的壓力降低至180託以下； 壓力回復步驟，填充氣體至該處理槽中，以使該處理槽內的壓力回升 '及 總循環判斷步驟，根據該總循環設定依序執行該高溫氣體加壓步驟至該壓力回復步驟至少一次以上。
2.如權利要求1所述的乾燥方法，其特徵在於，在該高溫氣體加壓步驟中，該處理槽內的壓力增加至大於760託且小於等於1460託的範圍。
3.如權利要求1所述的乾燥方法，其特徵在於，在該低壓乾燥步驟中，該處理槽內的壓力降低至0.1-180託。
4.如權利要求1所述的乾燥方法，其特徵在於，在該高溫氣體加壓步驟中，該被乾燥物的表面溫度增加至30-160°C。
5.如權利要求4所述的乾燥方法`，其特徵在於，在該高溫氣體加壓步驟至該壓力回復步驟的期間，該處理槽內部維持在30-160°C。
6.如權利要求1所述的乾燥方法，其特徵在於，在該高溫氣體加壓步驟中，該被乾燥物的表面溫度增加至30-80°C。
7.如權利要求6所述的乾燥方法，其特徵在於，在該高溫氣體加壓步驟至該壓力回復步驟的期間，該處理槽內部維持在30-80°C。
8.如權利要求1所述的乾燥方法，其特徵在於，該差壓循環判斷步驟後還包含:結束循環判斷步驟，其是當該總循環設定為二次以上時，根據一結束循環設定判斷是否結束。
9.如權利要求1所述的乾燥方法，其特徵在於，該高溫氣體加壓步驟前還包含:預處理步驟，其是通過HF last或SCl工藝在一預處理槽中進行該被乾燥物的洗淨，其中該被乾燥物為基板。
10.如權利要求1所述的乾燥方法，其特徵在於，在該高溫氣體加壓步驟前還包含:預乾燥步驟，其是通過將該被乾燥物浸泡於一預處理槽的清洗液中再利用馬蘭哥尼效應使該被乾燥物表面的液體去除，其中該被乾燥物為基板。
11.如權利要求1所述的乾燥方法，其特徵在於，該差壓循環設定為該高溫氣體加壓步驟及該降壓步驟依序循環執行二次。
12.如申權利要求1所述的乾燥方法，其特徵在於，該氣體為氮氣或潔淨氣體。
13.如權利要求1所述的乾燥方法，其特徵在於，該氣體是通過氣體加熱器或紅外線加熱器加熱。
14.一種乾燥裝置，用於執行如權利要求1至13中任一項所述的乾燥方法，其特徵在於，該乾燥裝置包含:處理槽，具有用於容置該被乾燥物的容置空間； 氣體供應單元，連接該處理槽，用於提供氣體至該處理槽中； 氣體加熱單元，連接該氣體供應單元，用以加熱供應至該處理槽的氣體； 降壓單元，具有分別連接該處理槽的排氣閥及用於抽氣的真空裝置，以降低該處理槽內部氣壓；及 主控計算機設備，其電性連接該氣體供應單元、該氣體加熱單元及該降壓單元，該主控計算機設備接收該差壓循環設定及該總循環設定來控制該氣體供應單元、該氣體加熱單元及該降壓單元。
15.如權利要求14所述的乾燥裝置，其特徵在於，該處理槽上設置有加熱裝置，用以維持該處理槽內的溫度或使該處理槽內的溫度上升。
16.如權利要求15所述的乾燥裝置，其特徵在於，該加熱裝置與該主控計算機設備電性連接。
17.如權利要求14所述的乾燥裝置，其特徵在於，該處理槽內另包含一預處理槽。
18.如權利要求14所述的乾燥裝置，其特徵在於，該乾燥裝置另包含一預處理槽，其通過一輸送單元與該處理槽連接，以使該被乾燥物由該預處理槽輸送至該處理槽。
19.如權利要求14所述的乾燥裝置，其特徵在於，該處理槽內設置有量測裝置，該量測裝置與該主控計算機 設備電性連接，以量測或記錄該處理槽內的溫度、壓力及溼度的至少其中一個。
20.如權利要求14所述的乾燥裝置，其特徵在於，該氣體供應單元通過一氣體管路連接該處理槽，該氣體管路上設置有控制閥、氣體過濾器及流量控制器的至少其中一個。
21.如權利要求14所述的乾燥裝置，其特徵在於，該氣體加熱單元為電熱式氣體加熱器或紅外線加熱器。
【文檔編號】H01L21/67GK103730331SQ201210383045
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2012年10月10日 優先權日:2012年10月10日
【發明者】謝宏亮, 許明棋 申請人:辛耘企業股份有限公司