用於半導體製程的輔助加熱罩的製作方法

2023-09-23 15:30:00

專利名稱：用於半導體製程的輔助加熱罩的製作方法
技術領域：
本實用新型是與輔助加熱罩有關，輔助加熱罩用以罩於基板上，特別是指一種用於半導體製程的輔助加熱罩。
背景技術：
隨著太陽能產業的發展,相較於鋪化鎘薄膜材料硒化銅銦鎵(Copper IndiumGallium Diselenide1CIGS)薄膜材料具有較佳的能源轉換效率，所以受到重視。CIGS薄膜太陽能電池的製程中，通常前製程中已經率先將銅銦鎵硒材料鍍在基板上，基板材料通常是玻璃材質，接著，將鍍有銅銦鎵硒的基板放入反應爐中加熱，以在基板上形成CIGS薄膜。類似的製程例如，中國臺灣公開第201227984號申請案，其揭露一種用於在玻璃上形成半導體薄膜的反應容器，反應容器包括一上蓋及與一底座，契合的上蓋與底座之間形成一置物空間，用以容置鍍有銅銦鎵硒的玻璃基板，特別地，上蓋與底座契合部分是榫卯結構，榫卯結構用以供硒蒸氣逸散，這表示置物空間內的硒蒸氣會藉由榫卯結構逸散到反應容器夕卜，這樣可能會讓置物空間內的硒蒸氣濃度不足，進而造成最終玻璃基板上的CIGS薄膜的硒含量不足，導致良率不佳的嚴重缺點。
發明內容本實用新型提供一種用於半導體製程的輔助加熱罩。輔助加熱罩罩於一玻璃基板上。玻璃基板具有一頂面、一底面及位於頂、底兩面的周緣之間的一環立面，玻璃基板的頂面鍍有反應材料。輔助加熱罩包括一罩體及一環牆。該罩體具有一支撐牆及一蓋板。支撐牆的頂部連接蓋板，且環繞於蓋板的周緣，使得該支撐牆及該蓋板之間形成一腔體。支撐牆的底部抵靠於玻璃基板的頂面，且環繞玻璃基板的周圍。蓋板是間隔面對玻璃基板的頂面。環牆形成於罩體的外周緣，且有一連接部及一凸伸部。連接部延伸自支撐牆及蓋板。凸伸部延伸自連接部，且低於支撐牆的底部。其中，環牆的凸伸部正對玻璃基板的環立面。如此，當本實用新型的輔助加熱罩罩於鍍有反應材料的玻璃基板上，且被放入加熱反應爐中加熱，這樣，均溫的腔體中的玻璃基板頂面就會形成由反應材料組成的半導體薄膜。再者，本實用新型的輔助加熱罩是直接罩在玻璃基板上，且支撐牆抵靠在玻璃基板的周圍，所以，相較於先前技術，反應材料(例如硒)蒸氣較不會外散，且更適合量產。

圖1為本實用新型較佳實施例的輔助加熱罩的立體圖。圖2為玻璃基板上的示意圖。圖3及圖4分別為輔助加熱罩罩於玻璃基板上的剖視示意圖。
具體實施方式
為了詳細說明本實用新型的技術特點所在，茲舉以下一較佳實施例並配合圖式說明如後，其中:如圖1所示，圖1為本實用新型一較佳實施例的輔助加熱罩的立體圖。輔助加熱罩10包括一罩體11及一環牆13。罩體11具有一支撐牆111及一蓋板113。支撐牆111的頂部連接蓋板113，且環繞於蓋板113的周緣，使得支撐牆111及蓋板113之間形成一腔體15 (請先參照圖3及圖4)。輔助加熱罩10較佳地選用石墨或石英材料。環牆13形成於罩體11的外周緣，且具有一連接部131及一凸伸部133。連接部131延伸自支撐牆111及蓋板113。凸伸部133延伸自連接部131，且低於支撐牆111的底部112。實際上，輔助加熱罩10是一體成形的結構，表示，罩體11及環牆13 —體的結構。如圖2所示，圖2為玻璃基板上的立體圖。玻璃基板20具有一頂面21、一底面23及位在頂、底兩面21、23的周緣之間的一環立面25。如圖3所示，圖3為輔助加熱罩罩於玻璃基板上的剖視示意圖。由於，輔助加熱罩10罩於玻璃基板20上的立體圖標無法顯示本實用新型的特徵，即圖1中的輔助加熱罩10被翻轉180度，且罩在玻璃基板20上，所以，省略組合狀態的立體圖，僅以組合後的剖視圖為例。需要注意的是，玻璃基板20的尺寸略小於環牆13所形成的空間，以使輔助加熱罩10可完整地罩住玻璃基板20。此外，玻璃基板20的頂面21有半導體的反應材料，半導體的反應材料說明請容後再述。當輔助加熱罩10罩於玻璃基板20時，支撐牆111的底部112抵靠於玻璃基板20的頂面21，且環繞玻璃基板20的周圍，蓋板113間隔面對玻璃基板20的頂面21，如此，腔體15就變成密閉的腔體。環牆13正對玻璃基板20的環立面25，以包圍玻璃基板20的環立面25。其中，形成反應空間的目的請容後再述。一般硒化銅銦鎵(Copper Indium Gallium Diselenide, CIGS)薄膜太陽能電池的製程中通常需經過硒化(Selenization)等製程，以使玻璃基板20上形成銅銦鎵硒薄膜。通常在硒化製程之前，玻璃基板20上已經鍍有銅銦鎵硒，即前述的反應材料，而在執行硒化製程時，本實用新型的輔助加熱罩10罩於鍍有銅銦鎵硒材料的玻璃基板20上，且放入加熱反應爐中，這樣，玻璃基板20與輔助加熱罩10之間密閉的腔體15就可提供均溫的環境，來對玻璃基板20的頂面的反應材料加熱。如此，經過一段時間且待冷卻後，玻璃基板20上就可形成銅銦鎵硒薄膜。再者，由於支撐牆111直接抵靠在玻璃基板20上，且藉由該輔助加熱罩10的重量自然壓在玻璃基板20上，因此腔體15內的硒蒸氣就不會外洩至輔助加熱罩10外。實務上，輔助加熱罩10也可以被應用於其它反應製程中，因此，不以此所述的硒化製程為限。需要注意的是，在圖3中，輔助加熱罩10及玻璃基板20屬於未被加熱的狀態，所以，環牆13與玻璃基板20之間會有間隙，一旦加熱後，由於材料熱脹的自然現象，間隙會自然的縮小。輔助加熱罩10的形狀不以此所繪矩形為限，也可以是圓形或三角形等。環牆13的凸伸部133具有一內立面135、一外立面137及一底面139，內立面135及外立面137分別連接底面139的內、外兩邊，如此，當上述的硒化反應完成後，即可藉由其它支撐器具(未繪示於圖中)抵頂凸伸部133的底面139後，由下往上將輔助加熱罩10升起，而供取出玻璃基板20。請再參照圖3，較佳地，罩體11的環牆13的底緣131與玻璃基板20的底面23齊平，這樣，就能在加熱爐中平穩的輸送罩有輔助加熱罩10的玻璃基板20。如圖4所示，罩體11的環牆13的底緣131也可以高於玻璃基板20的底面23，這樣，也可以達到上述平穩輸送的目的。
權利要求1.一種用於半導體製程的輔助加熱罩，其特徵在於，罩於一玻璃基板上，該玻璃基板具有一頂面、一底面及位在頂、底兩面的周緣之間的一環立面，該玻璃基板的頂面有反應材料，該輔助加熱罩包括: 一罩體，具有一支撐牆及一蓋板，該支撐牆的頂部連接該蓋板，且環繞於該蓋板的周緣，使得該支撐牆及該蓋板之間形成一腔體，其中，該支撐牆的底部抵靠於該玻璃基板的頂面，且環繞該玻璃基板的周圍，該蓋板面對該玻璃基板的頂面；及 一環牆，形成於該罩體的外周緣，且有一連接部及一凸伸部，該連接部延伸自該支撐牆及該蓋板，該凸伸部延伸自該連接部，且低於該支撐牆的底部，其中，該環牆的凸伸部正對該玻璃基板的環立面。
2.如權利要求1所述的用於半導體製程的輔助加熱罩，其特徵在於，該環牆的凸伸部具有一內立面、一外立面及一底面，該內立面及該外立面分別連接該底面的內、外兩邊。
3.如權利要求2所述的用於半導體製程的輔助加熱罩，其特徵在於，該環牆的凸伸部的底面與該玻璃基板的底面齊平，或該環牆的凸伸部的底面高於該玻璃基板的底面。
專利摘要本實用新型提供一種用於半導體製程的輔助加熱罩。輔助加熱罩用以罩於一玻璃基板上。玻璃基板具有一頂面、一底面及位於頂、底兩面的周緣之間的一環立面，玻璃基板的頂面鍍有反應材料。輔助加熱罩包括一罩體及一環牆。該罩體具有一支撐牆及一蓋板。支撐牆的頂部連接蓋板，且環繞於蓋板的周緣。支撐牆的底部抵靠於玻璃基板的頂面，且環繞玻璃基板的周圍。蓋板間隔面對玻璃基板的頂面。環牆形成於罩體的外周緣，且有一連接部及延伸自連接部的一凸伸部。凸伸部正對玻璃基板的環立面。
文檔編號H01L31/18GK203026544SQ20122070418
公開日2013年6月26日 申請日期2012年12月18日 優先權日2012年12月18日
發明者曾昭隆, 邱文鼎, 趙子銘, 陳君健, 汪宇炎, 何文福, 黎勝, 廖科峰 申請人:生陽新材料科技(寧波)有限公司