導電性膜及導電性膜卷的製作方法

2023-09-23 12:16:25

技術領域：
本發明涉及適用於能夠通過手指或觸控筆(styluspen)等的接觸而輸入信息的輸入顯示裝置等的導電性膜及導電性膜卷。
背景技術：
：目前，已知一種導電性膜，該導電性膜具備形成在膜基材的兩面的透明導電體層和形成在各透明導電體層的表面的金屬層(專利文獻1)。將這樣的導電性膜用於例如接觸式傳感器時，對金屬層進行加工，在接觸輸入區域的外緣部形成引導布線，從而能夠實現窄邊框化。現有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2011－060146號公報技術實現要素：但是，上述現有的導電性膜存在將該膜捲成卷狀時鄰接的膜彼此壓接的問題。如果將壓接的膜彼此剝離，則有時損傷膜內的透明導電體層，可能導致品質降低。本發明的目的在於提供將導電性膜捲成卷狀時鄰接的膜不壓接而能夠維持高品質的導電性膜及導電性膜卷。為了實現上述目的，本發明的導電性膜具備：膜基材，形成在上述膜基材的一側的第1透明導電體層，形成在上述第1透明導電體層的與上述膜基材相反側的第1銅層，形成在上述膜基材的另一側的第2透明導電體層，形成在上述第2透明導電體層的與上述膜基材相反側的第2銅層，形成在上述第1銅層的與上述第1透明導電體層相反側、含有氧化亞銅的厚度為1nm～15nm的第1氧化被膜層。優選上述第1氧化被膜層的厚度為1.0nm～8.0nm。另外，優選上述第1氧化被膜層由含有50重量％以上的氧化亞銅、並且含有銅、氧化銅、碳酸銅及氫氧化銅的組合物構成。更優選上述第1氧化被膜層實質上僅由氧化亞銅構成。上述導電性膜優選還具有形成於上述第2銅層、含有氧化亞銅的厚度為1nm～15nm的第2氧化被膜層。另外，為了實現上述目的，本發明的導電性膜卷的特徵在於，將上述導電性膜捲成卷狀而構成。根據本發明，第1氧化被膜層形成在第1銅層的與第1透明導電體層相反側。從而，將本導電性膜捲成卷狀時，因為第1銅層和第2銅層之間存在第1氧化被膜層，所以能夠抑制第1銅層和第2銅層的金屬鍵合。另外，因為使含有氧化亞銅的第1氧化被膜層的厚度為1nm～15nm，從而鄰接的膜彼此不壓接，所以不會損傷第1透明導電體層，能夠維持高品質。另外，因為第1氧化被膜層的厚度為1.0nm～8.0nm，所以能夠確實地防止鄰接的膜彼此的壓接。進而，因為第1氧化被膜層由含有50重量％以上的氧化亞銅、並且含有銅、氧化銅、碳酸銅及氫氧化銅的組合物構成，所以能夠確實地防止鄰接的膜彼此壓接。附圖說明圖1是概略地表示將本發明實施方式的導電性膜捲成的導電性膜卷的構成的側視圖。圖2是表示圖1的導電性膜的變形例的部分放大圖。圖3是表示圖1的導電性膜卷的變形例的側視圖。符號說明1導電性膜2膜基材3透明導電體層4銅層5透明導電體層6銅層7氧化被膜層8，8』導電性膜卷9，9』巻芯10，20導電性膜11氧化被膜層具體實施方式以下參照附圖詳細說明本發明的實施方式。圖1是概略地表示將本實施方式的導電性膜捲成的導電性膜卷的構成的側視圖。應予說明，圖1中的各層的厚度表示它的一例，本發明的導電性膜中的各層的厚度不限定於圖1的厚度。如圖1所示，本發明的導電性膜1具備膜基材2，形成在該膜基材的一側的透明導電體層(第1透明導電體層)3，形成在透明導電體層3的與膜基材2相反側的銅層(第1銅層)4，形成在膜基材2的另一側的透明導電體層(第2透明導電體層)5，形成在透明導電體層5的與膜基材2相反側的銅層(第2銅層)6，形成在銅層4的與透明導電體層3相反側、含有氧化亞銅的厚度為1nm～15nm的氧化被膜層(第1氧化被膜層)7。導電性膜卷8通過將長條狀的導電性膜1捲成卷狀而構成。導電性膜1的長度代表性的為100m以上，優選為500m～5000m。在導電性膜卷8的中心部，通常配置用於纏繞導電性膜1的塑料制或金屬制的巻芯9。這樣的導電性膜卷在銅層4的與透明導電體層3相反側形成含有氧化亞銅的厚度為1nm～15nm的氧化被膜層7，從而發揮即使纏繞時不在導電性膜之間插入襯紙(slipsheet)也不壓接的優異效果。推測這是因為在將導電性膜捲成卷狀時，在鄰接的銅層4和銅層6之間存在含有不具有自由電子的氧化亞銅的氧化被膜層7，從而能夠防止銅層4和銅層6金屬鍵合。應予說明，作為導電性膜1的變形例，如圖2所示，導電性膜10在銅層6上還可以具有與形成於銅層4的氧化被膜層7同樣的氧化被膜層11。另外，本發明的導電性膜1具有形成於銅層4的氧化被膜層7(圖1)，但也可以代之以具有形成於銅層6的氧化被膜層11(圖3)。接下來說明導電性膜1的各構成要素的詳細情況。(1)膜基材本發明中的膜基材分別支撐透明導電體層3、5。上述膜基材的厚度例如為20μm～200μm。作為形成上述膜基材的材料，優選為聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚環烯烴或聚碳酸酯。該膜基材在其表面可以具有用於提高透明導電體層和膜基材的密合性的易粘合層、用於調整膜基材的反射率的折射率調整層(Index-matchinglayer)或用於使膜基材的表面難以被損傷的硬塗層。(2)透明導電體層本發明中使用的2個透明導電體層分別形成在上述膜基材的兩面。上述透明導電體層的厚度優選分別為20nm～80nm。該透明導電體層由特定的透明導電體構成，透明導電體使用例如在可見光區域透射率高(最高透射率為80％以上)、並且每單位面積的表面電阻值(Ω/□：Ohmspersquare)為500Ω/□以下的材料。形成該透明導電體的材料優選為銦錫氧化物、銦鋅氧化物或氧化銦－氧化鋅複合氧化物。(3)銅層本發明中使用的2個銅層分別形成於上述2個透明導電體層。上述2個銅層是為了在例如用於觸摸面板時對各銅層的中央部進行蝕刻加工，在接觸輸入區域的外緣部形成引導布線而使用的。上述2個銅層的厚度優選為20nm～300nm，更優選為25nm～250nm。通過具有這樣的厚度範圍，能夠使形成的引導布線變細。(4)氧化被膜層本發明中使用的氧化被膜層含有氧化亞銅，形成在銅層的與透明導電體層相反側。上述氧化被膜層優選在上述銅層氧化前以密合於其表面的方式形成。氧化亞銅是用化學式：Cu2O表示的1價氧化銅。氧化被膜層的氧化亞銅的含量優選為50重量％以上，更優選為60重量％以上。上述氧化被膜層可以僅由氧化亞銅構成，也可以由除了氧化亞銅以外、還含有銅(沒有被氧化的銅)、氧化銅、碳酸銅、氫氧化銅等的組合物構成。該氧化被膜層的厚度為1nm～15nm，優選為1.0nm～8.0nm。本發明的導電性膜通過具有上述厚度範圍的氧化被膜層，從而能夠防止粘合或壓接。上述氧化被膜層的厚度低於1nm時，導電性膜卷可能發生壓接，大幅超過15nm時，可能導致導電性膜的生產率降低。下面說明本發明的導電性膜的製造方法。首先，將長度500m～5000m的膜基材2的卷放入濺射裝置內，以一定速度將其陸續送出。通過濺射，在膜基材2的一面順次形成透明導電體層3、銅層4及氧化被膜層7。此時，進行控制使氧化被膜層7的厚度為1nm～15nm。接下來，通過濺射，在膜基材的另一面順次形成透明導電體層5、銅層6及根據需要形成氧化被膜層11。在銅層6上形成氧化被膜層11時，與氧化被膜層7同樣地進行控制使氧化被膜層11的厚度為1～15nm。上述濺射是使在低壓氣體中產生的等離子體中的陽離子衝擊作為負電極的靶材料，使從上述靶材料表面飛散的物質附著於基板的方法。此時，上述銦錫氧化物層的成膜使用例如氧化銦和氧化錫的燒成體靶，上述銅層的成膜使用無氧銅(Oxygen-freecopper)靶。上述氧化被膜層的成膜可以通過使用氧化銅靶、或使用無氧銅靶、在氧氣的存在下進行濺射而完成。應予說明，本實施方式中構成導電性膜的各層通過濺射法形成，但不限定於此，也可通過真空蒸鍍法形成。如上所述，根據本實施方式，氧化被膜層7形成在銅層4的與透明導電體層3相反側。從而，在將導電性膜1捲成卷狀時，因為銅層4和銅層6之間存在氧化被膜層7，所以不插入襯紙等其他部件，能夠抑制銅層4和銅層6的金屬鍵合。另外，通過使含有氧化亞銅的氧化被膜層7的厚度為1nm～15nm，鄰接的膜彼此不壓接，所以透明導電體層3不發生剝離，能夠維持高品質。以上說明了本實施方式的導電性膜及導電性膜卷，但本發明不限定於前文所述的實施方式，基於本發明的技術構思，可進行各種變形及變更。以下，說明本發明的實施例。實施例(實施例1)首先，通過濺射法在長度1000m、厚度100μm的由聚環烯烴膜(日本ZEON社制商品名「ZEONOR(註冊商標)」構成的膜基材的一側形成厚度20nm的由銦錫氧化物層構成的第1透明導電體層。接下來，通過濺射法在該第1透明導電體層的表面順次形成厚度50nm的第1銅層和含有80重量％的氧化亞銅、厚度2.5nm的氧化被膜層。接下來，通過濺射法在上述膜基材的另一側形成厚度30nm的由銦錫氧化物層構成的第2透明導電體層。接下來，通過濺射法在該第2透明導電體層的表面形成厚度50nm的第2銅層。將像這樣地得到的導電性膜卷在塑料制的巻芯上，製作導電性膜卷。(實施例2)通過改變濺射時間，將第1氧化被膜層的厚度變為1.8nm，除此之外，用與實施例1同樣的方法製作導電性膜卷。(實施例3)通過改變濺射時間，將第1氧化被膜層的厚度變為5.0nm，除此之外，用與實施例1同樣的方法製作導電性膜卷。(比較例1)通過改變濺射時間，將第1氧化被膜層的厚度變為0.5nm，除此之外，用與實施例1同樣的方法製作導電性膜卷。(比較例2)不在第1銅層上形成第1氧化被膜層，除此之外，用與實施例1同樣的方法製作導電性膜卷。接下來通過以下的方法測定·觀察上述實施例1～3及比較例1～2。(1)氧化被膜層的厚度及氧化亞銅的含量的測定使用X射線光電子分光(X-rayPhotoelectronSpectroscopy)分析裝置(PHI社制產品名「QuanteraSXM」)，測定氧化被膜層的厚度和氧化被膜層所含的氧化亞銅的重量％。(2)導電性膜壓接的有無從導電性膜卷將導電性膜開卷，觀察卷表面，確認膜彼此壓接的有無。將通過上述(1)～(3)的方法評價的結果示於表1。【表1】氧化被膜層的厚度(nm)卷的壓接(nm)判定實施例12.5無○實施例21.8無○實施例35無○比較例10.5有×比較例2(無氧化被膜層)有×如表1的實施例1～實施例3所示，如果使氧化被膜層的厚度為1.8nm～5.0nm，則從導電性膜卷將導電性膜開卷時，確認膜彼此完全沒有壓接。另一方面，如比較例1及比較例2所示，如果使氧化被膜層的厚度為0nm～0.5nm，則開卷時，出現剝離聲，在第1透明導電體層或第2透明導電體層的表面產生許多損傷。因此可知在本發明的導電性膜的構成中，如果使氧化被膜層的厚度為1nm～15nm、特別是1.8nm～5.0nm，則鄰接的膜不壓接而能夠維持高品質。產業上的可利用性本發明的導電性膜優選切斷加工成顯示器尺寸、用於靜電電容式等接觸式傳感器。當前第1頁1&nbsp2&nbsp3&nbsp