產生不相干輻射的反射環路系統的製作方法

2023-09-23 08:32:05

專利名稱：：產生不相干輻射的反射環路系統的製作方法
技術領域：
：本發明涉及輻射系統。技術背景光刻設備是一種將所需圖案加到襯底上或部分襯底上的機器。光刻設備可例如用於平板顯示器、集成電路(IC)以及涉及精密結構的其它裝置的製造中。在常規設備中，圖案形成裝置可稱其為掩模或原版，可用來產生對應於平板顯示器(或其它裝置)各層的電路圖案。通過成像到村底上提供的輻射敏感材料層(例如光刻膠)上，該圖案可被轉移到全部或部分^)"底(例如玻璃板)上。除電路圖案外，圖案形成裝置可以用來產生其它圖案，例如濾色圖案或點矩陣。除掩模外，圖案形成裝置可包括圖案形成陣列，它包括單獨可控元件的陣列。與基於掩模的系統相比，在這種系統中圖案可以更快和用更低的成本^支改變。平板顯示器襯底通常是矩形的。設計來曝光這種類型襯底的光刻設備可以提供覆蓋矩形襯底全部寬度或覆蓋部分寬度(例如一半寬度)的曝光區域。襯底可在曝光區域下面被掃描，而掩模或原版則通過射束被同步掃描。這樣，圖案就被轉移到襯底上。如果曝光區域覆蓋襯底的全部寬度，則曝光可用單次掃描完成。如果曝光區域覆蓋例如襯底的一半寬度，則可在第一次掃描後使襯底橫向移動，且通常執行又一次掃描以曝光襯底的其餘部分。通常，光刻系統使用雷射器作為輻射源來產生照射射束，例如相干照射射束或部分相干照射射束。在其通過光刻系統的運行期間，照射射束會可從光刻系統中的組件上反射，其可形成散射光。散射光可與照射射束幹涉，導致圖《象中的散斑圖案。散斑圖案是不希望有的，因為它們會在襯底上形成的圖案中引起誤差。散斑圖案可由於易受微小時間和空間波動的部分相干射束的幹涉而引起。散斑圖案有時稱為(部分)相干照射射束的似噪聲特徵。由於要作射束的多個相干拷貝而使用增大角分布的元件時，也會引起散斑圖案。當與射束的相干長度(例如橫向和時間的)相比不同相干拷貝之間(例如射束的產生和射束的檢測之間)的光路差很小時，射束的多個相干拷貝會相互幹涉。按照常規，散斑圖案已通過使用放置在雷射器後的衍射或折射光學元件得到補償，這些元件用來從相干射束中形成不相干射束。這些元件有時稱為"相干失敗元件"。如上所述，不相干射束包括相干射束的多個拷貝。通過相對照射射束移動光學元件可進一步減少散斑圖案。光學元件的移動改變了對相干射束每個拷貝的相位分布，這就改變了對一組相干射束拷貝的散斑圖案。通過積分(例如求和)所有的散斑圖案，均勻光即產生。但是，需要有光學元件較大的移動才可基本上消除散斑圖案。而且，通常這4交大的移動必須在短時段內例如曝光時間內完成。在使用來自1000Hz雷射器的30個脈衝的實例中，曝光時間可能為大約30(is。在該短時段內的較大移動會引起光刻系統中的大振蕩，包括高加速度和沖擊。高加速度和衝擊會在光刻系統中引起問題。而且，由於通常有限的積分時間，例如大約每個脈衝50ns，幾乎不可能相對射束足夠移動光學元件以基本上消除散斑圖案。補償散斑圖案的另一方法是在每個曝光周期期間使用大量的雷射器脈衝，例如60個雷射器脈衝。每個雷射器脈衝產生不同的散斑圖案。因此，通過使用大量的雷射器脈衝，散斑圖案可以在一段時間內最終被平均掉。但是，最近的光刻系統已降低了在每個曝光周期期間雷射器脈衝的數量，和/或已減少了每個雷射器脈衝的時長。不幸的是，降低每個曝光周期期間的雷射器脈衝數量會使平均效應不能發生。而且，在減少的雷射器脈沖時長期間很難使光學元件移動可接受的量，以便允許對散斑圖案進行補償。所以，所需要的是一種能產生具有均勻強度的不相干輻射的系統和方法。
發明內容在本發明的一個實施例中，提供了一種系統，它包括輻射源和反射環路系統。輻射源產生相干或部分相干射束。反射環路系統配置成接收該至少部分相干射束，並通過環路、或備選通過不重疊環路反射該部分相干射束，以形成更加不相干的射束。此外或備選，該系統可以是雷射器。此外或備選，該系統可以是照射器。此外或備選，兩個或更多個反射環路系統可光學串聯耦合。此外或備選，該系統可位於光刻系統內，該光刻系統包括圖案形成裝置和投射系統。在此實例中，照射射束從不相干射束中形成。照射射束被引導為由圖案形成裝置形成圖案，且投射系統將形成圖案的射束投射到村底上。在另一實施例中，提供了一種裝置製造方法。相干或部分相干射束通過環路、或備選通過不重疊環路被反射，以形成更加不相干的射束。照射射束從不相干射束中形成。使照射射束形成圖案。將形成圖案的照射射束投射到襯底的目標部分上。以下參閱附圖對本發明更多的實施例、特徵和優點以及本發明各種實施例的結構和^t喿作加以詳細it明。結合在本文內並形成本說明書一部分的附圖示出本發明的一個或多個實施例，並和il明書一起，進一步用於解釋本發明的原理，以使所屬有關領域的技術人員能夠製作和使用本發明。圖1和2示出按照本發明各種實施例的光刻設備。圖3示出按照如圖2所示的本發明一個實施例將圖案轉移到襯底上的模式。圖4示出按照本發明一個實施例的光學引擎布置。圖5、6和7示出按照本發明各種實施例的包括反射環路系統的各種輻射產生布置。圖8示出按照本發明一個實施例的反射環路系統，它包括第一反射環路系統和第二反射環路系統。圖9、10、11、12、13、14、15、16和17示出按照本發明各種實施例用於反射環路系統的各種配置。圖18以圖形示出按照本發明一個實施例用於反射環路系統的入口和出口照射強度分布。圖19示出按照本發明一個實施例的方法流程圖。現參閱本發明的一個或多個實施例。在附圖中，相同的參考編號可指示同樣的或功能近似的元件。此外，參考編號最左邊的數字可標識該參考編號第一次出現的附圖。具體實施方式在一個或多個實施例中，一種系統和方法用來從(部分)相干射束中形成更加不相干的射束。系統包括輻射源和反射環路系統。輻射源產生相干或部分相干射束。反射環路系統接收該(部分)相干射束，並通過環路或備選通過不重疊環路反射該射束，以形成更加不相干的射束。在一個實例中，通過在此配置中產生不相干射束，沒有照射射束的相干部分與照射的其它相干部分幹涉，以致沒有散斑產生。在整個說明書中，相干雷射束的處理同樣適用於部分相干射束的處理，或反之亦然，諸如含有多種模式(例如橫向和時間的)的射束。因此，本發明各種實施例的範圍應被認為覆蓋各種類型的射束。雖然討論了具體配置和布置，但應理解，這樣做僅是為了說明的目的。所屬領域的技術人員會認識到，在不背離本發明的精神和範圍的前提下，其它的配置和布置也可使用。對所屬領域的技術人員而言，顯然本發明也可在多種其它應用中被採用。圖1示出本發明一個實施例的光刻設備1的示意圖。該設備包括照射系統IL、圖案形成裝置PD、襯底臺WT以及投射系統PS。照射系統(照射器)IL配置成調節輻射束B(例如UV輻射)。圖案形成裝置PD(例如原版或掩模或單獨可控元件陣列)調製該射束。一般來說，單獨可控元件陣列的位置相對於投射系統PS是固定的。但也可改為將它連接到配置成按照某些參數準確定位單獨可控元件陣列的定位器。襯底臺WT構建成支撐襯底(例如塗敷有光刻膠的襯底)W,並連接到配置成按照某些參數準確定位襯底的定位器PW。投射系統(例如折射投射透鏡系統)PS配置成將單獨可控元件陣列所調製的輻射束投射到襯底W的目標部分C(例如包括一個或多個小片)上。照射系統可包括各種類型的光學組件，諸如折射、反射、磁、電磁、靜電或其它類型的光學組件，或它們的任何組合，用於引導、成形或控制輻射。本文所用術語"圖案形成裝置"或"對比裝置"應廣義解釋為是指可用於調製輻射束截面以便在襯底的目標部分創建圖案的任何裝置。這些裝置可以是靜態圖案形成裝置(例如掩模或原版)，或是動態(例如可編程元件陣列)圖案形成裝置。為簡明起見，大部分本說明書是就動態圖案形成裝置而言，但應理解，在不背離本發明範圍的前提下，靜態圖案形成裝置也可使用。應指出，賦予輻射束的圖案可能並不精確對應於襯底目標部分中的所需圖案，例如，如果圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵的話。同樣，在襯底上最終產生的圖案可能並不對應於在單獨可控元件陣列上任一瞬間所形成的圖案。在以下布置中是這種情況在襯底每個部分上形成的最終圖案是在給定時段或給定曝光數建立的，在此期間在單獨可控元件陣列上的圖案和/或襯底的相對位置發生改變。一般來說，在襯底目標部分上創建的圖案將對應於在目標部分中正被創建的裝置諸如集成電路或平板顯示器中的特定功能層(例如平板顯示器中的濾色層或平板顯示器中的薄膜電晶體層)。這種圖案形成裝置的實例包括例如原版、可編程鏡面陣列、雷射器二極體陣列、發光二極體陣列、光柵光閥以及LCD陣列。其圖案可藉助於電子部件(例如計算機)可編程的圖案形成裝置，諸如包括多個可編程元件的圖案形成裝置(例如前句中所述的除原版外的所有裝置)，在本文中統稱為"對比裝置，，。在一個實例中，圖案形成裝置包括至少IO個可編程元件，例如至少100、至少1,000、至少10,000、至少100,000、至少1,000,000或至少IO,OOO，OOO個可編程元件。可編程鏡面陣列可包括矩陣可尋址面，該表面具有粘彈性控制層和反射面。這種設備的基本原理在於例如反射面的尋址區域將入射光反射為衍射光，而未尋址區域將入射光反射為非衍射光。使用適當的空間濾波器，可將非衍射光從反射的射束中濾除，僅留下衍射光到達襯底。用這種方式，射束就按照矩陣可尋址面的尋址圖案形成圖案。應理解，作為備選方案，濾波器可濾除衍射光，而留下非衍射光衍射光學MEMS裝置(微機電系統裝置)陣列也可以對應的方式使用。在一個實例中，衍射光學MEMS裝置由多個反射帶狀物組成，它們可相對彼此變形以形成光柵，它將入射光反射為衍射光。可編程鏡面陣列的又一備選實例採用微小鏡面的矩陣布置，通過施加適當的局部電場，或通過採用壓電致動部件，可使每個微小鏡面各繞軸傾斜。再一次，鏡面為矩陣可尋址的，以致已尋址鏡面以不同於未尋址鏡面的方向反射入射的輻射束；以這種方式，反射的射束可按照矩陣可尋址鏡面的尋址圖案來形成圖案。所需的矩陣尋址可使用適當的電子部件來執4亍。另一實例PD是可編程LCD陣列。光刻設備可包括一個或多個對比裝置。例如，它可具有多個單獨可控元件陣列，每個陣列相互獨立受控。在這種布置中，一些或所有單獨可控元件陣列可具有以下至少一項公用照射系統(或部分照射系統)、用於單獨可控元件陣列的公用支撐結構、和/或公用投射系統(或部分投射系統)。在一個實例中，諸如圖1所示的實施例中，襯底W具有基本上為圓形的形狀，可選的是沿其部分外周有切口和/或扁平邊緣。在一個實例中，襯底具有多邊形狀，例如矩形。襯底具有基本圓形的實例包括襯底具有直徑至少為25mm的實例，例如至少為50mm、至少為75mm、至少為100mm、至少為125mm、至少為150mm、至少為175mm、至少為200mm、至少為250mm、或至少為300mm。在一個實施例中，襯底具有的直徑至多為500mm、至多為400mm、至多為350mm、至多為300mm、至多為250mm、至多為200mm、至多為150mm、至多為100mm、或至多為75mm。襯底為多邊形例如矩形的實例包括襯底的至少一邊例如至少兩邊或至少三邊具有的長度至少為5cm的實例，例如至少為25cm、至少為50cm、至少為100cm、至少為150cm、至少為200cm、或至少為250cm。在一個實例中，襯底的至少一邊具有的長度至多為1000cm，例如至多為750cm、至多為500cm、至多為350cm、至多為250cm、至多為150cm、或至多為75cm。在一個實例中，襯底W是晶片，例如半導體晶片。在一個實例中，晶片材料從以下組中選擇Si、SiGe、SiGeC、SiC、Ge、GaAs、InP和InAs。晶片可以是III/V族化合物半導體晶片、矽晶片、陶瓷襯底、玻璃襯底或塑料襯底。村底可以是透明的(對人的肉眼)、彩色的、或沒有顏色的。襯底的厚度可各不相同，並在一定程度上可取決於例如襯底材料和/或襯底尺寸。在一個實例中，厚度至少為50ium,例如至少為100ILim、至少為200pm、至少為300fim、至少為400|im、至少為500或至少為600pm。襯底的厚度至多為5000|im，例如至多為3500pm、至多為2500nm、至多為1750|im、至多為1250|um、至多為1000pm、至多為800pm、至多為600(im、至多為500ium、至多為400inm或至多為300|um。本文提到的襯底可以例如在軌道(一種通常將一層光刻膠加到襯底上並顯影曝光的光刻膠的工具)、計量工具和/或檢驗工具中在曝光之前或之後被處理。在一個實例中，將光刻膠層提供到襯底上。本文所用的術語"投射系統"應廣義解釋為包括任何類型的投射系統，包括折射、反射、兼反射折射、磁、電磁和靜電光學系統，或它們的任何組合，適合於所^使用的曝光輻射、或其它因素，諸如使用浸液或使用真空等。在本文中任何使用術語"投射透鏡"可認為與更通用的術語"投射系統"同義。投射系統可將圖案成像到單獨可控元件陣列上，以使圖案在襯底上相干形成。備選的是，投射系統可成像二次光源，單獨可控元件陣列的元件則用作光閘。在這方面，投射系統可包括聚焦元件陣列，諸如微透鏡陣列(稱為MLA)或菲涅爾透鏡陣列，例如以形成二次光源並將光點成像到襯底上。在一個實例中，聚焦元件陣列(例如MLA)包括至少IO個聚焦元件，例如至少100個聚焦元件、至少1,000個聚焦元件、至少10,000個聚焦元件、至少100,000個聚焦元件或至少l,OOO，OOO個聚焦元件。在一個實例中，圖案形成裝置中的單獨可控元件數等於或大於聚焦元件陣列中的聚焦元件數。在一個實例中，聚焦元件陣列中的一個或多個(例如1,000或更多個、絕大多數或大約每一個)聚焦元件可與單獨可控元件陣列中的一個或多個單獨可控元件光學相關聯，例如與單獨可控元件陣列中的兩個或更多個單獨可控元件光學相關聯，諸如3個或更多個、5個或更多個、10個或更多個、20個或更多個、25個或更多個、35個或更多個、或50個或更多個。在一個實例中，MLA至少在朝向和遠離襯底的方向上可移動(例如通過使用一個或多個致動器)。能夠朝向和遠離襯底移動MLA允許例如不必移動襯底而進行聚焦調整。如本文圖l和2中所示，該設備是反射型(例如採用單獨可控元件的反射陣列)。備選的是，該設備可以是透射型(例如採用單獨可控元件的透射陣列)。光刻設備可以是具有兩個(雙級)或更多個襯底臺的類型。在這種"多級，，機器中，附加臺可並行使用，或準備步驟可以在一個或多個臺上進行，而一個或多個其它臺正用於曝光。光刻設備可以是以下類型其中至少一部分襯底可被折射指數相對較高的"浸液"例如水覆蓋，以便填充投射系統和襯底之間的空間。浸液也可應用於光刻設備中的其它空間，例如圖案形成裝置和投射系統之間的空間。浸漬技術在所屬領域已眾所周知，用於增大投射系統的數值孔徑。在本文中使用的術語"浸漬"並不是指一個結構諸如襯底必須浸沒在液體中，而只是指在曝光期間液體位於投射系統和襯底之間。再次參閱圖1，照射器IL接收來自輻射源SO的輻射束。在一個實例中，輻射源提供的輻射具有的波長至少為5nm，例如至少為10nm、至少為11-13nm、至少為50nm、至少為100nm、至少為150nm、至少為175nm、至少為200nm、至少為250nm、至少為275nm、至少為300nm、至少為325nm、至少為350nm、或至少為360nm。在一個實例中，輻射源SO提供的輻射具有的波長至多為450nm，例如至多為425nm、至多為375nm、至多為360nm、至多為325nm、至多為275nm、至多為250nm、至多為225nm、至多為200nm、或至多為175nm。在一個實例中，輻射具有的波長包括436nm、405nm、365nm、355nm、248nm、193nm、157腿和/或126腦。在一個實例中，輻射包括的波長在365nm左右或355nm左右。在一個實例中，輻射包括寬帶波長，例如包括365、405和436nm。可以使用355nm的雷射源。源和光刻設備可以是分離的實體，例如當源是準分子雷射器時。在這種情況下，不認為源形成為光刻設備的一部分，且輻射束從源SO被傳送到照射器IL是藉助於射束傳遞系統BD,它包括例如適當的引導鏡面和/或射束擴展器。在其它情況下，源可以是光刻設備的一個整體部分，例如當源是汞燈時。源SO和照射器IL必要時還有射束傳遞系統BD—起可稱為輻射系統。照射器IL可包括調整器AD,用於調整輻射束的角強度分布。一般來說，照射器光瞳平面中強度分布的至少外和/或內徑向範圍(通常分別稱為o-外和cj-內)可加以調整。此外，照射器IL可包括各種其它組件，諸如積分器IN和聚光器CO。照射器可用來調節輻射束，使其截面上具有所需的均勻度和強度分布。照射器IL或與其相關聯的附加組件也可布置成將輻射束分成多個子射束，例如可以使每個子射束與單獨可控元件陣列的一個或多個單獨可控元件相關聯。例如可用二維衍射光柵將輻射束分成子射束。在本說明書中，術語"輻射束"包括但不限於射束由多個這種輻射子射束組成的情況。輻射束B入射到圖案形成裝置PD(例如單獨可控元件陣列)上，並由圖案形成裝置調製。被圖案形成裝置PD反射後，輻射束B穿過投射系統PS，投射系統PS將射束聚焦到襯底W的目標部分C上。藉助於定位器PW和位置傳感器IF2(例如幹涉儀裝置、線性編碼器、電容傳感器等等)，襯底臺WT可以精確移動，例如以便將不同的目標部分C定位在輻射束B的路徑內。如果使用的話，用於單獨可控元件陣列的定位部件可以用來例如在掃描期間相對於射束B的路徑精確校正圖案形成裝置PD的位置。在一個實例中，襯底臺WT的移動是藉助於長衝程模塊(粗略定位)和短沖程模塊(精細定位)來實現的，在圖1中未明確示出。在另一實例中，可能沒有短沖禾呈級。類似的系統也可用來定位單獨可控元件陣列。應理解，射束B可備選/附加為可移動的，而物體臺和/或單獨可控元件陣列可具有固定的位置，以提供所需的相對移動。這種布置有助於限制設備的大小。還有一備選方案，例如可應用在平板顯示器的製造中，即襯底臺WT和投射系統PS的位置可以是固定的，而襯底W可被布置為相對襯底臺WT移動。例如可為襯底臺WT提供一個系統，用於以基本上恆定的速度在其上掃描襯底W。如圖l所示，輻射束B可通過分束器BS引導到圖案形成裝置PD上，分束器BS配置成使輻射最初由分束器反射並引導到圖案形成裝置PD上。應認識到，不使用分束器也可將輻射束B引向圖案形成裝置。在一個實例中，輻射束以0。和90。之間的角度被引向圖案形成裝置，例如5。和85。之間、15。和75。之間、25。和65。之間、或35°和55°之間(圖1所示實施例為90°角)。圖案形成裝置PD調製輻射束B，並將其反射回分束器BS，後者將調製的射束透射到投射系統PS。但應理解，一些備選布置也可用來將輻射束B引導到圖案形成裝置PD，隨繼到投射系統PS。特別是，如果使用透射圖案形成裝置，則圖1所示的布置可能就不需要。圖示設備可在幾種模式中使用1.在步進模式，單獨可控元件陣列和襯底保持基本上靜止不動，而賦予輻射束的整個圖案一次性被投射到目標部分C上(即單次靜態曝光)。襯底臺WT然後向X和/或Y方向移位，以使不同的目標部分C能被曝光。在步進模式，曝光場的最大尺寸限制著在單次靜態曝光中成像的目標部分C的大小。2.在掃描模式，單獨可控元件陣列和襯底被同步掃描，而賦予輻射束的圖案被投射到目標部分C上(即單次動態曝光)。襯底相對於單獨可控元件陣列的速度和方向可由投射系統PS的(縮小)放大和圖像反轉特徵來確定。在掃描模式，曝光場的最大尺寸限制著在單次動態曝光中目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描移動的長度確定了目標部分的高度(在掃描方向上)。3.在脈衝模式，單獨可控元件陣列保持基本上靜止不動，並使用脈沖輻射源將整個圖案投射到襯底W的目標部分C上。襯底臺WT以基本恆定的速度移動，以使射束B在襯底W上掃描過一條線。單獨可控元件陣列上的圖案根據需要在輻射系統的脈衝之間被更新，且脈沖被定時以使隨繼的目標部分C在襯底W的所需位置處被曝光。於是，射束B可掃描過襯底W，以曝光一條襯底的完整圖案。該過程反覆進行，直到整個襯底W已逐線曝光為止。4.連續掃描模式，與脈衝^i式實質上相同，不同之處在於以基本恆定的速度使襯底W相對已調製輻射束B被掃描，並且當射束B掃描過襯底W並使其曝光時，單獨可控元件陣列上的圖案被更新。基本上恆定的輻射源或與單獨可控元件陣列上的圖案更新同步的脈衝輻射源都可使用。5.在像素網格成像模式中，這種模式可以使用圖2的光刻設備來執行，在襯底W上形成的圖案是通過隨後曝光由光點發生器形成的光點實現的，這些光點被引導到圖案形成裝置PD上。曝光的光點具有基本上相同的形狀。在襯底W上這些光點被基本上印製在網格中。在一個實例中，光點尺寸大於印製像素網格的節距，但比曝光光點網格小得多。通過改變所印製光點的強度，圖案即可實現。在曝光閃爍之間，這些光點上的強度分布被改變。也可採用上述使用模式的組合和/或變型或完全不同的使用模式。在光刻工藝中，圖案在襯底上的光刻膠層上被曝光。光刻膠然後被顯影。隨後，在村底上執行附加的處理步驟。這些隨後的處理步驟對襯底每個部分的影響取決於光刻膠的曝光。特別是，對這些過程進行調諧，以使接收的輻射劑量高於給定劑量閾值的襯底部分與接收的輻射劑量低於劑量閾值的襯底部分有不同的響應。例如，在蝕刻過程中，接收的輻射劑量高於閾值的村底區域被顯影的光刻膠層保護而不被蝕刻。但在曝光後的顯影時，接收的輻射劑量低於閾值的光刻膠部分被去除，因而那些區域不受不被蝕刻的保護。於是，所需的圖案可被蝕刻。特別是，將圖案形成裝置中的單獨可控元件設置成，使發射到在圖案特徵內的襯底區域的輻射具有足夠高的強度，以致在曝光期間該區域接收的輻射劑量高於劑量閾值。通過將對應的單獨可控元件設置成提供零或顯著較低的輻射強度，襯底上的其餘區域接收的輻射劑量低於劑量閾值。在實踐中，即使單獨可控元件被設置為在特徵邊界的一側提供最大輻射強度並在另一側提供最小輻射強度，在圖案特徵的邊緣處輻射劑量也不會從給定最大劑量突然改變為零劑量。而是，由於衍射效應，輻射劑量等級在過渡區逐漸下降。由顯影光刻膠最終形成的圖案特徵的邊界位置由所接收的劑量降到輻射劑量闞值以下的位置來確定。通過設置向位於或接近於圖案特徵邊界的襯底上的點提供輻射的單獨可控元件，就可以更準確地控制輻射劑量在過渡區的下降分布圖，從而控制圖案特徵邊界的準確位置。這些不僅是對於最大或最小強度等級，也是對於最大和最小強度等級之間的強度等級。這一般稱為"灰度定標"。灰度定標對圖案特徵邊界的位置提供了比在光刻系統中可能實現的更大控制，在光刻系統中由給定單獨可控元件提供到襯底的輻射強度只能被設置為兩個值(例如只是最大值和最小值)。在一個實施例中，至少三個不同的輻射強度值可以被投射到襯底上，例如至少4個輻射強度值、至少8個輻射強度值、至少16個輻射強度值、至少32個輻射強度值、至少64個輻射強度值、至少128個輻射強度值、或至少256個輻射強度值。應理解，灰度定標可用於上述的附加或備選目的。例如，曝光後襯底的處理可以調諧，以使襯底區域有多於兩種潛在的響應，取決於所接收的輻射劑量等級。例如，接收的輻射劑量低於第一閾值的襯底部分以第一方式響應；接》1文的輻射劑量高於第一閾值但低於第二閾值的襯底部分以第二方式響應；且接收的輻射劑量高於第二閾值的襯底部分以第三方式響應。因此，灰度定標可用來在具有多於兩個期望劑量等級的襯底上提供輻射劑量分布圖。在一個實施例中，輻射劑量分布圖具有至少2個期望劑量等級，例如至少3個期望輻射劑量等級、至少4個期望輻射劑量等級、至少6個期望輻射劑量等級、或至少8個期望輻射劑量等級。還應理解，輻射劑量分布圖除了通過只是控制在襯底上每一點接收的輻射強度外，如上所述，還可通過其它方法加以控制。例如，在襯底上每一點所接收的輻射劑量可以備選或附加地通過控制該點的曝光時長加以控制。舉又一實例，襯底上的每一點有可能在多次相繼曝光中接收輻射。所以，每一點所接收的輻射劑量因此備選或附加地可通過使用多次相繼曝光的所選子集來曝光該點而控制。為了在襯底上形成所需圖案，需要將圖案形成裝置中的每一個單獨可控元件設置為在曝光過程期間每一階段的必要狀態。所以，代表這些必要狀態的控制信號必須被發射到每一個單獨可控元件。在一個實例中，光刻設備包括產生控制信號的控制器。要在襯底上形成的圖案可以用矢量定義的格式，諸如GDSII，提供到光刻設備。為了將設計信息轉換為每個單獨可控元件的控制信號，控制器包括一個或多個數據操作裝置，每個配置成在代表圖案的數據流上執行處理步驟。數據操作裝置可統稱為"數據路徑"。數據路徑的數據操作裝置可配置成執行一個或多個以下功能將基於矢量的設計信息轉換為位案數據；將位案數據轉換為所需的輻射劑量圖(例如襯底上的所需輻射劑量分布圖)；將所需的輻射劑量圖轉換為每個單獨可控元件的所需輻射強度值；以及將每個單獨可控元件的所需輻射強度值轉換為對應的控制信號。圖2示出按照本發明的設備布置，它可用於例如平板顯示器的製造。與圖1所示組件對應的組件用相同的參考編號示出。而且，各種實施例的上述說明，例如襯底的各種配置、對比裝置、MLA、輻射束等等，也仍然適用。如圖2所示，投射系統PS包括射束擴展器，它包括兩個透鏡L1、L2。第一透鏡L1被布置成接收已調製輻射束B,並通過孔徑光闌AS中的孔徑將其聚焦。又一透鏡AL可位於孔徑中。輻射束B然後發散，並由第二透鏡L2(例如場透鏡)聚焦。投射系統PS還包括透鏡陣列MLA，布置成接收已擴展調製的輻射B。已調製輻射束B的不同部分，對應於圖案形成裝置PD中的一個或多個單獨可控元件，穿過透鏡陣列MLA中相應的不同透鏡。每個透鏡使已調製輻射束B的相應部分聚焦到位於襯底W上的一個點。用這種方式將輻射光點S的陣列曝光到襯底W上。應理解，雖然僅示出圖示透鏡陣列14的8個透鏡，但該透鏡陣列可包括成千上萬個透鏡(用作圖案形成裝置PD的單獨可控元件陣列也是如此)。圖3的示意圖示出按照本發明的一個實施例如何使用圖2的系統產生襯底W上的圖案。實心圓代表由投射系統PS中的透鏡陣列MLA投射到襯底W上的光點S的陣列。當在襯底W上進行一系列曝光時，使襯底W相對投射系統PS向Y方向移動。空心圓代表襯底W上以前已曝光的曝光光點SE。如圖所示，由投射系統PS中的透鏡陣列投射到襯底上的每個光點使襯底W上的一行R曝光光點曝光。用於襯底的完整圖案由每個光點S曝光的所有行R曝光光點SE的總和產生。這種布置一般稱為"像素網格成像"，如上所述。可以看出，輻射光點s陣列布置成相對襯底w成角度e(襯底邊緣平行於X和Y方向)。這樣4故以便當襯底向掃描方向(Y方向)移動時，每個輻射光點會通過襯底的不同區域，從而允許整個襯底被輻射光點陣列15所覆蓋。在一個實例中，角度e至多為20。、10°，例如，至多為5。、至多為3°、至多為l。、至多為0.5。、至多為0.25。、至多為0.10。、至多為0.05°、或至多為0.01。。在一個實例中，角度e至少為0.001。。圖4的示意圖示出按照本發明的一個實施例，如何使用多個光學引擎使整個平板顯示器襯底W可在單次掃描中被曝光。在所示實例中，輻射光點S的8個陣列SA由8個光學引擎(未示出)產生，它們布置成"棋盤"配置中的兩行Rl、R2,以使輻射光點(例如圖3中的光點S)—個陣列的邊緣與輻射光點鄰近陣列的邊緣稍稍重疊(在掃描方向Y)。在一個實例中，光學引擎被布置成至少3行，例如4行或5行。這樣，一個輻射帶便在村底W的寬度上延伸，允許在單次掃描中執行整個襯底的曝光。應理解，可以使用任何適合數量的光學引擎。在一個實例中，光學引擎的數量至少為l，例如至少為2、至少為4、至少為8、至少為10、至少為12、至少為14、或至少為17。在一個實例中，光學引擎的數量少於40，例如少於30或少於20。每個光學引擎可包括分離的照射系統IL、圖案形成裝置PD以及投射系統PS，如上所述。但應理解，兩個或更多個光學引擎可共享一個或多個照射系統、圖案形成裝置和投射系統中的至少一部分。示範輻射產生布置圖5、6和7示出按照本發明各種實施例的包括反射環路系統的各種輻射產生布置。圖5示出按照本發明一個實施例的輻射系統500。輻射系統500包括輻射源SO、反射環路系統RL、以及照射器IL。源SO和反射環路系統RL的位置與照射器IL分離。例如，反射環路系統RL可用來代替圖1和2中的射束傳遞系統BD,或包含在其中。輻射源SO產生(部分)相干或相干輻射束502，使用反射環路系統RL使其形成為更加不相干的輻射束504。如以下結合圖9-17的更詳細討論，反射環路系統RL允許有環路路徑或不重疊的環路路徑(例如通過反射環路系統RL的往返行程)，通過它們產生更不相干的射束504。在一個實例中，不相千射束504可以從在每個環路或往返行程(以下這兩個術語將被認為可以互換並稱作環路，除非另有說明)後對於一個或多個環路所產生的輸出射束的求和特徵中產生。此外，每個環路比部分相干射束502的時間相干長度更長，以致在反射環路系統RL內基本上不發生光的幹涉。通過消除幹涉，散斑圖案即被消除。應理解，反射環路系統RL可被認為是射束擴展器、延遲環路、場定義元件等等，取決於其在特定光學系統中的定位和應用，所屬領域的技術人員在閱讀和理解了本說明書後這是顯而易見的。以下對這些並非詳盡無遺的示範反射環路系統作更為詳細的說明。圖6示出按照本發明一個實施例的輻射系統600。輻射系統600包括輻射源SO和照射器IL，輻射源SO包括輻射裝置RD和反射環路系統RL。此外或備選，射束傳遞系統BD(未示出，但可參閱圖1和2)也可包含在輻射系統600中，在輻射源SO和照射器IL之間。輻射系統600的功能類似於上迷輻射系統500。一個不同之處在於輻射源SO使用反射環路系統RL產生不相干輻射504。此外或備選，一些源SO的功能在前面，且一些在反射環路系統RL之後。圖7示出按照本發明一個實施例的輻射系統700。輻射系統700具有照射器IL,它包括輻射源SO和反射環路系統RL。此外或備選，從反射環路系統RL出來的光可^C引導到光學組件上，或圖案形成裝置上(未示出，請參閱圖l和2)。輻射系統700的功能類似於上述輻射系統500。此外或備選，一些照射器IL的功能在前面，且一些在反射環路系統RL之後。備選或此外，在不背離本發明範圍的前提下，輻射系統500、600和700可用於光刻設備的其它照射系統，即，除曝光照射系統之外，諸如對準照射系統或4企測系統。此外或備選，輻射系統500、600和700可用來代替要求形成不相干光束和/或更均勻光例如以便通過不允許散斑產生而基本上消除散斑圖案的任何照射系統。圖8示出按照本發明一個實施例的反射環路系統RL，它包括第一反射環路系統RL1(例如上遊系統)和第二反射環路系統RL2(例如下遊系統)。此外或備選，光學組件可以用在第一和第二反射環路系統RL1和RL2之間。例如，這些光學組件可包括柱面透鏡，用以光學耦合反射環路系統RL1和RL2。通過使用兩個連續的反射環路系統RL1和RL2,來自輻射源SO的輻射可在第一和第二方向上混合。例如，該雙環路布置可允"i午在X和Y兩個方向上混合。此外或備選，期望組合的相千長度小於時間相干長度，以使formulaseeoriginaldocumentpage23在此公式中，n和m分別為在第一和第二反射環路系統RL1和RL2中的往返行程數；n是小於或等於環路1中往返行程總數(N)的整數；m是小於或等於環路2中往返行程總數(M)的整數。Ll和L2分別是第一和第二反射環路系統RL1和RL2的環路路徑長度；Lcoherent是輻射源SO輻射例如至少部分相干輻射502的時間相干長度。此外或備選，如果使用附加反射環路系統，關係式可表示為formulaseeoriginaldocumentpage23此外或備選，按照本發明的另一實施例，可以使用一個或多個附加反射環路系統RLm(m-l、2、3、…)，使它們光學串聯耦合。每個反射環路系統RLm可接收來自上遊反射環路系統RL的不相干輻射，並可允許該不相干輻射通過一個或多個環路或往返行程循環，以產生另一不相干輻射束。例如，如果有(Mx)個環路路徑系統串聯，則每個環路路徑創建至少部分相干射束502的N個不相干拷貝。使用一系列反射環路系統RL實現的模式總數等於NAM,而不是在單一反射環路系統RL中產生拷貝時的N*M。在一些應用中，可能需要有串聯耦合的反射環路系統RL,例如因為反射量用N+M定標，且透射用Re"(N*M)定標(式中Re是每個反射環路系統中的反射裝置的反射率百分比)。因此，在使用多個反射環路系統串聯時，它們產生比一個大反射環路系統更高的輻射強度總透射。例如，如果N-2，每單個環路有4次反射，則透射等於formulaseeoriginaldocumentpage23x)*RA4,式中R等於一個鏡面的反射係數(例如R~0.98%)，x等於通過第一時間的射束部分(例如x比50%小一點)，則可能需要下式成立x=RA4/(l+RA4)-0.4798在這種情況下，0通過和第一次通過具有基本上相同的強度，且透射大約為96%。因此，放置4個反射環路系統串聯得到84,8%的透射(0.96A4)和2^=16個至少部分相干射束502的不相干拷貝。但是，備選方案是使用一個環路路徑系統，在其中進行15+1次往返行程。這具有的透射為0.92A0/16+0.92Al/l6+0.92A2/l6+0.92A3/l6+0.92A4/l6+0.92A5/l6+0.92A6/l6+0.92A7/16+0.92A7/l6+0.92A9/l6+0.92A10/16+0.92Al1/16+0.92Al2/16+0.92A13/16+0.92A14/16+0.92A15/16+0.92A16/16=58.4%.因此，如果需要較高的射束強度總透射，則更需要使用串聯耦合的反射環路系統，例如每個系統一個環路，而不是一個大反射環路系統產生所有環路。示範反射環路系統配置圖9、10、11、12、13、14、15、16和17示出按照本發明各種實施例的各種反射環路系統RL。第一示範反射環路系統配置按照本發明的各種實施例，圖9示出第一配置的反射環路系統RL9,而圖10、11和12示出具有各種入口和出口位置的類似相應反射環路系統RLIO、RL11和RL12。參閱圖9，反射環路系統RL9包括第一反射器910、笫二反射器912、第三反射器914和第四反射器916。例如，每個反射器可以是但不限於鏡面或其它類似的反射裝置。第一反射器910是半徑為R的曲面反射器。在一個實例中，反射環路系統RL9布置成反射環路系統RL9的焦距是第一反射器910的半徑R的一半。第二、第三和第四反射器912、914和916分別是平面反射器。第二和第四反射器912和916分別可成0到90度之間的角度，例如45度，並與反射環路系統RL9的光瞳相關聯，而第三反射器914與反射環路系統RL9的場相關聯。通常，場是循環射束最集中之處，而光瞳是循環射束最少集中之處。反射環路系統RL內的任何地方都可被選擇為場或光瞳平面。場和光瞳之間的關係是一個位置的角度對應於另一個的位置(且反之亦然)。需要在一個鏡面表面上選擇場和光瞳之一或二者，以便使射束進出，但本發明不限於這些位置。在一個實例中，通過移動或傾斜第二和第四反射器912和916之一或二者，在第三鏡面處的隨後反彈就會在不同的位置。同樣，通過移動或傾斜第三反射器914,在第二和第四反射器處的隨後反彈就會在不同的位置。此外或備選，第一鏡面被分成兩個鏡面分段。在此實例中，此後每個鏡面每個往返行程只被反彈一次。此外或備選，相應的第一到笫四反射器910-916可被布置成，允許通過反射環路系統RL9的環路路徑大於至少部分相干輻射束502(該射束未具體示出，但可參閱圖5、6、7和8)的時間相干長度。此外或備選，相應的第一到第四反射器910-916中至少一個的反射面可以相對於相應第一到第四反射器910-916中其它的反射面傾斜，以允許"不重疊"的順序環路。這種傾斜還可允許在每個環路後在反射環路系統RL9出口(該出口未具體示出，但可參閱圖10、ll和12)附近處射束路徑的"走動，，，以下詳述。這種"走動"可允許在每個環路後部分射束從反射環路系統RL9中出來，且部分射束再次通過該環路反射。增大由射束形成的環路數可增大不相干射束504(該射束未具體示出，但可參閱圖5、6、7和8)中的不相干性。圖10示出按照本發明一個實施例的反射環路系統RL10的入口位置1018，以箭頭A表示，以及出口位置1020,以箭頭B表示。在此實例中，在第三反射器914中形成一個開口或針孔1022，該開口1022用作出口1020。在各種實例中，針孔是指任何形狀的孔。例如，形狀可以是但不限於圓形、方形、橢圓形、矩形、或任何自由形態的開口。由於反射環路路徑系統沿一個主要方向(在所有附圖中所畫的平面內)工作，因此矩形開口是最合乎邏輯的選擇。再者，使相應第一到第四反射器910、912、914和/或916的至少一個反射面相對於其它反射面傾斜或不對準，以使在每次往返行程或環路後不同部分的循環射束通過針孔1022透射，如下所述。工作時，至少部分相干射束502在入口點1018進入反射環路系統，並依次從第二反射器912、第一反射器910、第三反射器914、第一反射器910、第四反射器916、第二反射器912和第一反射器910反射。在此最後反射之後，一部分循環射束從第三反射器914反射，並按上述順序運行，而一部分4^環射束通過在第三反射器914中針孔1020處的出口1022從反射環路系統RL10中出來，以形成不相干射束504。因此，如果不止一個環路被執行，則在每個環路後，一部分循環射束就會通過出口1020透射，以形成不相干射束504。圖11示出按照本發明一個實施例的反射環路系統RL11的入口位置1118，以箭頭A表示，以及出口位置1120,以箭頭B表示。在此實例中，在第三反射器914中形成一個開口或針孔1122，該開口1122用作入口位置1118。而且，在此實例中，使用反射裝置1124，例如摺疊鏡面，使射束通過出口位置1120出耦合。在其它方面，與上述有關反射環路系統RL10工作相同的基本原理都適用。工作時，至少部分相干射束502通過第三反射器914中的針孔1122進入反射環路系統RLll,並依次從第一反射器910、第二反射器912、第四反射器916、第一反射器910、第三反射器914、第一反射器910和第二反射器912反射。在最後從第二反射器912反射之後，一部分循環射束通過出口1120從反射器1124反射(出耦合)，以形成不相干射束504(該射束未示出)，而一部分循環射束沿光路徑繼續運行，以從第四反射器916反射，並再次按上述順序運行。因此，如果不止一個環路被執行，則在每個環路後，一部分循環射束就會通過出口1120透射，以形成不相干射束504(該射束未示出)。圖12示出按照本發明一個實施例的反射環路系統RL12的入口位置1218，以箭頭A表示，以及出口位置1220，以箭頭B表示，該系統類似於圖9的反射環路系統RL9。在此實例中，在第三反射器914中形成一個開口或針孔1222，該開口1222用作入口位置1218。而且，在此實例中，在第一反射器910中形成一個開口或針孔1226,它用作出口位置1220。在其它方面，與上述有關反射環路系統RL10和RLll工作相同的基本原理都適用。工作時，至少部分相干射束502通過第三反射器914中的針孔1222進入反射環路系統RL12,並依次從第一反射器910、第二反射器912、第四反射器916、第一反射器910和第三反射器914反射。在從第三反射器914反射之後，一部分4盾環射束通過第一反射器910中的針孔1226透射，針孔1226用作出口1220，以形成不相干射束504(該射束未示出)，而一部分循環射束沿光路徑繼續運行，以從第一反射器910反射，並再次按上述順序運行。因此，如果不止一個環路被執行，則在每個環路後，一部分循環射束就會通過出口1220透射，以形成不相干射束504(該射束未示出)。在相應圖10、11和12中反射環路系統RLIO、RL11和RL12中的入口和出口的位置是從圖9所示第一配置的反射環路系統RL9中的入口和出口的示範，而不是詳盡無遺的。而且，應理解，可使用光學元件與任何示範性反射環路系統RL的入口和/或出口相鄰，以允i午輻射的入並禺合(in-couple)和出耦合(out-couple)。第二示範反射環路系統配置按照本發明的各種實施例，圖13、14、15、16和17示出具有各種入口和出口位置的第二配置的相應反射環路系統RL13到RL17。該第二配置，如反射環路系統RL13所示，包括第一和第二反射器1330和1332(例如曲面反射器)。如下所述，在一個實例中，第一和第二反射器1330和1332每一個可包括兩個鏡面分段。該第二配置導致每次往返行程反射環路系統RL具有兩個場和兩個光瞳。在一個實例中，光瞳和場位於相應第一和第二反射器1330和1332之間的區域中。備選的是，光瞳和場位於第一和第二反射器1330和1332的相應表面。在任一實例中，由於存在兩個光瞳和場，因此入口和出口位置可以從這兩個位置中選擇。相應第一和第二反射器1330和1332中每個具有的曲率半徑為R。反射環路系統RL13的焦距F可等於曲率半徑R。備選或此外，相應第一和第二反射器1330和/或1332之一或二者可具有可相對彼此移動的第一半和第二半或部分。基於這種移動，光瞳和場位於相應第一和第二反射器1330和1332的位置上，而不在反射器1330和1332之間。此外或備選，相應第一和第二反射器1330和1332可布置成允許通過反射環路系統RL13的環路路徑大於至少部分相干輻射束502(該射束未具體示出，但可參閱圖5、6、7和8)的時間相干長度。此外或備選，反射器1330或1332中至少一個的反射面或其一部分可相對反射器1330或1332中另一個的反射面或至少其一部分傾斜，以允許"不重疊"的順序環路。例如，在不止一個環路被執行的實施例中，這種傾斜允許每個環路具有不同的路徑。具有不同的路徑允許隨後的射束路徑不相同或不重疊，這可用來減少循環射束之間幹涉的可能性。例如，這可消除散斑。這種傾斜還可允許在每個環路後在反射環路系統RL13出口(該出口未具體示出，但可參閱圖14、15、16和17)附近的射束路徑的"走動"。這種"走動"可允許在每個環路後部分射束從反射環路系統RL13中出來，且部分射束再次通過該環路反射。增大由循環射束形成的環路數可增大不相干射束504(該射束未具體示出，但可參閱圖5、6、7和8)中的不相干性。圖14和15分別示出按照本發明一個實施例的在反射環路系統RL14中的第一和第二環路路徑。至少部分相干射束502通過第二反射器1332中的針孔或開口1434進入反射環路系統RL14，該開口1434也用作反射環路系統RL14的入口和出口。在此實例中，第一反射器1330包括第一半或部分1330A和第二半或部分1330B。第一部分1330A可相對第二部分1330B移動，以致其反射面相對於第二反射器1332的反射面不對準或傾斜，這就允許如上所述的"走動"。在一個實例中，如圖14中可見，在穿過入口1434後，至少部分相干射束502依次從第一反射器1330的第一半1330A、第二反射器1332、第一反射器1330的第二半1330B並返回第二反射器1332反射。箭頭C示出基於第一反射器1330相對第二反射器1332的部分不對準或傾斜，在第一環路之後發生的"射束走動，，。然後，如在圖15中可見(圖14的第一環3各在圖15中為虛線，第二環路在圖15中為實線)，第二環路從以下各項的依次反射中形成第二反射器1332、第一反射器1330的第一半1330A、第二反射器1332和第一反射器1330的第二半1330B。箭頭D示出在第二環路之後的"射束走動"。如在圖15的透視圖中可見，射束走動是從右向左發生的。如果有附加環路被執行，則在每個隨後的環^後，部分循環射束會通過出口1434透射，以形成不相干射束504(該射束未示出)。例如，在通過反射環路系統RL14循環之後，部分循環射束通過出口1434透射，且循環射束的其餘部分從第二反射器1332反射，以再次按環路路徑運行。圖16和17分別示出按照本發明一個實施例的在第二配置的反射環路系統RL16中的第一和第二環路路徑。在該配置中，第一反射器1330中的開口或針孔1636用作入口和出口點。至少部分相干射束502通過第一反射器1330中的針孔1636進入反射環路系統RL16。在此實例中，第二反射器1332包括第一半或部分1332A和第二半或部分1332B。第一部分1332A可相對第二部分1332B移動。第一部分1332A的反射面可相對於第一反射器1330的反射面不對準或傾斜，這就允許如上所述的"走動"。在一個實例中，如在圖16中可見，在穿過入口1636後，至少部分相干射束502依次從第二反射器1332的第一半1332A、第一反射器1330、第二反射器1332的第二半1332B並返回第一反射器1330反射。箭頭E示出基於第一反射器1330的反射面相對第二反射器1332的反射面的部分不對準或傾斜，在第一環路之後發生的"射束走動"。然後如圖17中可見，第二環路從以下各項的依次反射中形成第一反射器1330、第二反射器1332的第一半1332A、第一反射器1330和第二反射器1332的第二半1332B。箭頭F示出在第二環^後的"射束走動"。如圖17的透視圖中可見，射束走動是從左向右發生。如果有附加環路被執行，則在每個隨後環路之後，部分循環射束會通過出口1636透射，以形成不相干射束504(該射束未示出)。例如，在循環之後，部分循環射束通過出口1636透射，且循環射束的其餘部分從第一反射器1330反射，以再次按環路路徑運行。反射環路系統的示範布置在一個實例中，反射環路系統RL可基於以下關係式進行布置formulaseeoriginaldocumentpage30式中&=入口處的射束大小[mm]d;=入口處的射束髮散[mrad]x。-出口處的射束大小[mm]d。-出口處的射束髮散[mrad]N-往返行程數F-所用透鏡的焦距[m]D=光瞳平面處的射束大小[m]f。-場開口[m]X=場平面處的射束大小[m]tf=場平面中的射束傾斜[rad]tp=光瞳平面中的射束傾斜[rad]下表1示出了可用於示範反射環路系統RL的示範參數:表1tableseeoriginaldocumentpage31從反射環路系統中輸出照射的示範圖形表示圖18以圖形示出按照本發明一個實施例的來自反射環路系統RL(未示出)的入口和出口的照射強度分布。例如，任一上述討論的反射環路系統都可用作該實施例的反射環路系統RL。在一個實例中，反射環路系統RL的入口將接收強度分布1800。每個環路或往返行程的反射環路系統RL的出口布置成選擇從反射環路系統RL出來的光分布1804的不同部分1802。出口處的輸出基本上是所有出口強度分布1806的總和，以使輸出呈現均勻的強度分布圖1808。在一個實例中，圖形1806代表場，且圖形1808代表光瞳。工作時，圖形1806代表在第一往返行程後出口處的光強度分布。在每次往返行程後，圖^f象向左移位一個分段，故光分布1804的下一部分1802從反射環路系統RL中出來。組合每次往返行程的強度分布圖1806的總和1808的積分在每次或所有往返行程後確定，它合乎需要地是均勻的。此外或備選，反射環路系統RL可起射束擴展器的作用。通過使入口窗口大於射束大小，射束的聚光本領(etendue)增大。射束的聚光本領定義為光的場分布和角分布的乘積。聚光本領的增大等於入口窗口大小除以入口射束大小。此外或備選，反射環路系統RL可在曝光照射系統中起場定義元件的作用。在用作場定義元件時，光瞳內的反射環路系統RL點可真正不相干，以致不會引起散斑。因此，由於沒有散斑產生，也就不需要減少散斑。例如，當用作場定義時，出口射束可以是從每次往返行程中出來的所有光的不相干總和(見圖18)。此外或備選，反射環路系統RL可用作脈衝展寬器。例如，當出口脈衝長度被展寬時，以致出口脈衝長度將等於入口脈衝長度+系統的總延遲(往返行程數*一次往返行程長度)。示範性搡作圖19示出按照本發明一個實施例的方法1900的流程圖。例如，方法l卯O可使用任何一個系統500、600、700或800來執行，它們使用任何一個示範反射環路系統RL以及RL9到RL17,如上所述。在步驟1902，相干或部分相干射束通過環路反射，以形成不相干射束。在步驟1904,照射射束從不相干射束中形成。在步驟1906，照射射束被形成圖案。在步驟1908，形成圖案的照射射束被投射到襯底的目標部分上。雖然在此上下文中具體引用了光刻設備在製造具體裝置(例如集成電路或平板顯示器)中的使用，但應理解，本文所述的光刻設備可有其它應用。這些應用包括但不限於製造集成電路、集成光學系統、用於磁疇存儲器的引導和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭、微機電裝置(MEMS)、發光二極體(LED)等等。而且，例如在平板顯示器中，本設備可用來協助創建各種層，例如薄膜電晶體層和/或濾色層。雖然以上已從光刻的角度具體引述了本發明實施例的使用，應理解本，發明可用於其它應用中，例如壓印光刻，只要環境允許，且本發明不限於光刻。在壓印光刻中，圖案形成裝置中的構形定義在襯底上創建的圖案。圖案形成裝置的構形可以被壓到在襯底上提供的光刻膠層中，然後通過施加電磁輻射、熱、壓力或它們的組合使光刻膠固化。在光刻膠固化之後，將圖案形成裝置從光刻膠中取出，在其中留下圖案。結論雖然以上已對本發明的各種實施例作了說明，但應理解，它們僅是以舉例的方式，而非以限制的方式提出。對於所屬領域的技術人員來說，在不背離本發明的精神和範圍的前提下，顯然可以作形式上和細節上的各種修改。因此，本發明的廣度和範圍不應受任何上述示範實施例的限制，而僅應^^安照以下權利要求以及它們的等效內容來定義。應理解，具體實施方式部分，而不是
發明內容和摘要部分，旨在用於解釋這些權利要求。
發明內容和摘要部分可闡述發明人所考慮的本發明的一個或多個實施例，但不是全部，因此不應以任何方式限制本發明及所附權利要求。權利要求1.一種系統，包括輻射源，它產生相干或部分相干射束；以及反射環路系統，它包括曲面反射裝置，並配置成通過環路反射所述部分相干射束，以形成更加不相干的射束。2.如權利要求1所述的系統，其中所述反射環路系統包括第二反射裝置。3.如權利要求2所述的系統，其中第一和第二反射裝置都是曲面的。4.如權利要求2所述的系統，其中第一和第二反射裝置中的至少一個包括第一和第二部分，且第一和第二部分中的至少一個相對於第一和第二反射裝置的相應反射面不對準。5.如權利要求1所述的系統，其中所述反射環路系統包括第二到第四反射裝置。6.如權利要求5所述的系統，其中四個反射裝置包括三個平面反射裝置和所述曲面反射裝置。7.如權利要求1所述的系統，其中所述反射環路系統包括反射裝置，所述反射裝置具有相對彼此傾斜的相應反射面，以便形成不重疊環路。8.如權利要求l所述的系統，其中使用第一光學裝置使所述部分相干射束入耦合到所述反射環路系統中；以及使用第二光學裝置使所述不相干射束從所述反射環路系統中出耦合。9.如權利要求1所述的系統，其中所述反射環路系統包括場平面和光瞳平面。10.如權利要求l所述的系統，其中所述反射環路系統包括兩個場平面和兩個光瞳平面。11.如權利要求l所述的系統，其中所述至少部分相干射束或所述不相干射束穿過所述反射環路系統中的針孔。12.如權利要求l所述的系統，其中所述反射環路系統還包括第二反射裝置，與所述反射環路系統的場相關聯；以及第三反射裝置，與所述反射環路系統的光瞳相關聯，其中基於第二和第三反射裝置的相應反射面之間的不對準，改變所述場或所述光瞳的位置。13.如權利要求l所述的系統，其中所述反射環路系統配置成，在每個環路後，所述不相干射束的第一部分從所述反射環路系統透射，且所述不相干射束的其餘部分沿所述環路中的另一環路被引導。14.如權利要求l所述的系統，其中所述不相干射束通過所述反射環路系統的光瞳或場中之一被透射；以及所述至少部分相千射束在所述反射環路系統的光瞳或場中的另一個被接收。15.如權利要求l所述的系統，還包括圖案形成裝置，它使所述不相干射束形成圖案；以及投射系統，它將所述不相干射束投射到襯底的目標部分上。16.如權利要求15所述的系統，還包括照射系統，它處理所述不相干射束，並將所述不相干射束引導到所述圖案形成裝置上。17.如權利要求16所述的系統，其中所述照射系統包括所述輻射源和所述反射環路系統。18.如權利要求l所述的系統，其中所述環路的路徑長度大於所述至少部分相干射束的時間相干長度。19.如權利要求l所述的系統，還包括一個或多個附加反射環路系統，它們配置成從上遊反射環路系統接收相應的不相干射束，並通過環路反射所述不相干射束，以形成另一不相干射束。20.—種光刻系統，包括照射系統，它產生輻射的照射射束，包括輻射源，以及反射環路系統，它包括曲面反射裝置；圖案形成裝置，它使所述輻射的照射射束形成圖案；以及投射系統，它將形成圖案的射束投射到襯底的目標部分上。21.如權利要求20所述的光刻系統，其中所述反射環路系統配置成接收所述部分相干射束，並在環路中反射所述部分相干射束，以形成不相干射束。22.如權利要求21所述的光刻系統，其中所述反射環路系統配置成，在每個環路後，所述不相干射束的第一部分從所述反射環路系統被透射，且所述不相干射束的其餘部分沿所述環路中的另一環路被引導。23.如權利要求21所述的光刻系統，其中所述反射環路系統包括所述反射裝置以及一個或多個附加反射裝置，這些反射裝置具有相對彼此傾斜的相應反射面，以便形成不重疊的環路路徑。24.—種裝置製造方法，包括(a)使用曲面反射裝置通過環路反射相干或部分相干射束，以形成不相干射束；(b)從所述不相干射束中形成照射射束；(c)使所述照射射束形成圖案；以及(d)將形成圖案的照射射束投射到村底的目標部分上。25.如權利要求24所述的方法，其中在每個環路後，所述不相干射束的第一部分被形成在步驟(b)中所用的所述照射射束，且所述不相干射束的其餘部分沿所述環路中的另一環路被引導。26.如權利要求24所述的方法，其中步驟(a)包括使反射裝置的相應反射面相對彼此傾斜，以形成不重疊的環路路徑。27.—種輸出不相干輸出射束的雷射器，包括輻射源，它產生相干或部分相干射束；以及反射環路系統，它包括曲面反射裝置，並配置成接收所述部分相干射束，並通過環路反射所述部分相干射束以形成不相干輸出射束。28.如權利要求27所述的雷射器，其中所述反射環路系統配置成，在每個環路後，所述不相干射束的第一部分從所述反射環路系統被透射，且所述不相干射束的其餘部分沿所述環路中的另一環路被引導。29.如權利要求27所述的雷射器，其中所述反射環路系統包括所述反射裝置以及一個或多個附加反射裝置，這些反射裝置具有相對彼此傾斜的相應反射面，以<更形成不重疊的環路路徑。30.—種輸出不相干照射射束的照射器，包括輻射源，它產生相干或部分相干射束；以及反射環路系統，它包括曲面反射裝置，並配置成接收所述部分相干射束，並通過環路反射所述部分相干射束以形成不相干照射射束。31.如權利要求30所述的照射器，其中所述反射環路系統配置成，在每個環路後，所述不相干射束的第一部分從所述反射環路系統被透射，且所述不相干射束的其餘部分沿所述環路中的另一環路被引導。32.如權利要求30所述的照射器，其中所述反射環路系統包括所述反射裝置以及一個或多個附加反射裝置，這些反射裝置具有相對彼此傾斜的相應反射面，以^更形成不重疊的環路路徑。全文摘要一種系統和方法用於從相干射束中形成不相干射束。系統包括輻射源和反射環路系統。輻射源產生相干或部分相干射束。反射環路系統接收該部分相干射束，並通過環路或備選通過不重疊環路反射該部分相干射束，以形成不相干射束。文檔編號H01L21/027GK101105638SQ20071010989公開日2008年1月16日申請日期2007年6月5日優先權日2006年6月6日發明者J·J·M·巴塞爾曼斯,K·尤雅馬申請人:Asml荷蘭有限公司;大日本網目版製造株式會社