陣列基板及多晶矽層的製作方法

2023-10-07 03:20:59 2

專利名稱：陣列基板及多晶矽層的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種基板及膜層的製作方法，且特別是涉及一種陣列基板及多晶矽層的製作方法。
背景技術：
近年來，隨著光電技術與半導體製造技術的日益成熟，平面顯示器便蓬勃發展起來，其中液晶顯示器基於其低電壓操作、無輻射線散射、重量輕以及體積小等優點，更逐漸取代傳統的陰極射線管顯示器而成為近年來顯示器產品的主流。一般而言，液晶顯示器可分為非晶娃薄膜電晶體(amorphous silicon thin film transistor)液晶顯示器及低溫多晶娃薄膜電晶體(low temperature poly-silicon thin film transistor)液晶顯不器等兩種。
由於低溫多晶矽薄膜電晶體具有高載流子移動率與高輸出電流等較佳的元件特性，因此其在產品設計上的應用較廣，且常用於高解析度的顯示器中。低溫多晶矽層的形成通常是通過化學氣相沉積於軟性基板上形成非晶矽層，再以準分子雷射照射非晶矽層，使非晶矽層經由熔融、成核、管芯成長等步驟而轉變成多晶矽層。然而，由於非晶矽層對於準分子雷射的波長通常具有穿透性，因此準分子雷射照射時所產生的光與熱能有可能傳遞到軟性基板而傷害軟性基板。再者，雖然以玻璃薄片或金屬薄片作為軟性基板可以承受較高的溫度，但由於該些薄片必須通過粘著層粘貼於載具上，因此光與熱能也可能破壞粘著層。換言之，目前的低溫多晶矽製作工藝可能會破壞軟性基板、粘著層等構件的特性，而導致該些構件劣化，進而影響顯示器的元件特性。

發明內容
本發明的目的在於提供一種陣列基板，其中包括多晶矽層的薄膜電晶體具有良好的元件特性。本發明另一目的在於提供一種多晶矽層的製作方法，能避免可撓基板吸收雷射。為達上述目的，本發明提出一種陣列基板，其包括可撓基板、第一緩衝層、第一阻擋層、第二緩衝層、第二阻擋層以及薄膜電晶體。第一緩衝層配置於可撓基板上。第一阻擋層配置於第一緩衝層上。第二緩衝層配置於第一阻擋層上。第二阻擋層配置於第二緩衝層上。薄膜電晶體配置於第二阻擋層上，其中薄膜電晶體包括多晶矽層。本發明另提供一種多晶矽層的製作方法。在可撓基板上形成第一緩衝層。在第一緩衝層上形成第一阻擋層。在第一阻擋層上形成第二緩衝層。在第二緩衝層上形成第二阻擋層。在第二阻擋層上形成非晶矽層。以雷射將非晶矽層轉變成多晶矽層。基於上述，在本發明的多晶矽層的製作方法中，可撓基板與多晶矽層之間具有多個緩衝層與阻障層，緩衝層與阻障層可以吸收穿透多晶矽層的雷射能量，以最小化傳遞至可撓基板的雷射能量。如此一來，能避免可撓基板劣化。因此，當薄膜電晶體具有以上述方式配置的多晶矽層時，包含此薄膜電晶體的陣列基板具有良好的元件特性。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附附圖作詳細說明如下。


圖IA至圖IE是本發明一實施例的多晶矽層的製作方法的流程剖面示意圖；圖2A至圖2D是本發明一實施例的多晶矽層的製作方法的流程剖面示意圖；圖3是本發明一實施例的多晶矽層的剖面示意圖；圖4是本發明一實施例的陣列基板的剖面示意圖；圖5是本發明一實施例的有機發光裝置的剖面不意圖。 主要元件符號說明100:陣列基板102 :載具104 :粘著層110:可撓基板120、140:緩衝層130、150:阻擋層160 :非晶矽層170:多晶矽層180 :柵極182a :源極182b :漏極184 :焊墊186:像素電極188:閘介電層188a、190a、192a :接觸孔190:層間介電層192、194:保護層196、198:接觸插塞200 :薄膜電晶體300 :有機發光裝置LB :雷射
具體實施例方式圖IA至圖IE是根據本發明一實施例的多晶矽層的製作方法的流程剖面示意圖。請參照圖1A，首先，在可撓基板110上形成第一緩衝層120。在本實施例中，可撓基板110例如是聚醯亞胺基板、玻璃基板、金屬基板或其他基板。可撓基板110的厚度例如是大於0.01mm。在一實施例中，可撓基板110的玻璃轉換溫度例如是小於400°C。第一緩衝層120的材料例如是包括氮化矽、氧化矽或是氮氧化矽等介電材料，其厚度例如是50nm。第一緩衝層120的形成方法例如是等離子體輔助化學氣相沉積法。
請參照圖1B，接著，在第一緩衝層120上形成第一阻擋層130。在本實施例中，第一阻擋層130的材料例如是包括氧化矽，其厚度例如是150nm。第一阻擋層130的形成方法例如是等離子體輔助化學氣相沉積法。在第一阻擋層130上形成第二緩衝層140。在本實施例中，第二緩衝層140的材料例如是包括非晶矽，其厚度例如是50nm。第二緩衝層140的形成方法例如是等離子體輔助化學氣相沉積法。請參照圖1C，然後，在第二緩衝層140上形成第二阻擋層150。在本實施例中，第二阻擋層150的材料的導熱係數例如是小於10W/mk。第二阻擋層150的材料例如是包括氧化矽，其厚度例如是1000埃至4000埃。第二阻擋層150的形成方法例如是等離子體輔助化學氣相沉積法。請參照圖1D，接著，在第二阻擋層150上形成非晶矽層160。在本實施例中，非晶矽層160的形成方法例如是等離子體輔助化學氣相沉積法。
請同時參照圖ID與圖1E，而後，以雷射LB將非晶矽層160轉變成多晶矽層170。在本實施例中，雷射LB的波長例如是300nm至310nm，且例如是308nm。可撓基板110的材料例如是對具有上述波長的雷射LB具有強吸收能力。多晶矽層170例如是低溫多晶矽。在本實例中，有一部分的雷射LB例如是會穿透多晶矽層170而進入第二阻擋層150中。然而，由於本實施例是根據雷射LB的波長，適當地選擇第一與第二阻擋層130、150與第一與第二緩衝層120、140的材料與厚度，尤其是第二阻擋層150與第二緩衝層140的材料與厚度，因此第一與第二阻擋層130、150與第一與第二緩衝層120、140能吸收穿透多晶矽層170的雷射LB。舉例來說，在一實施例中，雷射LB的波長例如是308nm，第二阻擋層150的材料例如是具有低導熱係數的氧化矽且其厚度例如是1000埃至4000埃，如此一來，第二阻擋層150能大幅吸收雷射LB所產生的熱量以及降低雷射LB繼續傳遞至第二阻擋層150下方膜層(諸如可撓基板110)的機率。再者，將第二阻擋層150設計成具有適當厚度，可通過光學幹涉原理使得雷射LB在經過多晶矽層170與第二阻擋層150的介面或第二阻擋層150與第二緩衝層140的介面時被反射，以降低雷射LB穿透第二阻擋層150而到達可撓基板110的可能性。此外，由於第二阻擋層150下方更配置有第二緩衝層140，因此第二緩衝層140可以進一步吸收穿透多晶矽層170與第二阻擋層150的剩餘雷射LB，以進一步防止雷射LB到達可撓基板110。特別是，在一實施例中，是以非晶矽作為第二緩衝層140的材料，換言之，第二緩衝層140與非晶矽層160對於具有特定波長的雷射LB具有相似或相同的特性，因此剩餘的雷射LB幾乎會被第二緩衝層140完全吸收。—般來說，可撓基板110的玻璃轉換溫度遠小於非晶娃層160的熔融溫度,舉例來說，聚醯亞胺的可撓基板110的玻璃轉換溫度約為410°C，而非晶矽層160的熔融溫度通常大於1410°C。因此，用以將非晶矽層160轉變成多晶矽層170的雷射LB會產生大量的熱能，而這些熱能可能會傳遞到可撓基板110而導致其軟化、變形或分解。在本實施例中，在可撓基板110與多晶矽層170之間配置具有適當材料與厚度的第一緩衝層120、第一阻擋層130、第二阻擋層150以及第二緩衝層140，以吸收穿透多晶矽層170的雷射LB及其所產生的能量，或者使雷射LB在該些膜層之間的介面被反射，以大幅降低雷射LB與其所產生的能量穿透及傳遞至可撓基板110的可能性。如此一來，能避免可撓基板110發生劣化或變形，使得可撓基板110能保有其良好特性。圖2A至圖2D是根據本發明一實施例的多晶矽層的製作方法的流程剖面示意圖。本實施例的多晶矽層的製作方法與前一實施例中所述的多晶矽層的製作方法大致相同，以下針對不同處進行說明，其餘部分可參照前一實施例中所述。請參照圖2A，首先，在載具102上形成粘著層104。在本實施例中，載具102例如是玻璃載具。粘著層104的材料例如是雙面膠帶、單面膠帶或粘著膠體，其形成方法例如是貼附、塗布或其他方式。粘著層104的耐熱溫度例如是低於350°C。接著，在粘著層104上形成可撓基板110。在本實施例中，可撓基板110的厚度例如是小於O. 1_。舉例來說，在一實施例中，可撓基板110的材料例如是聚醯亞胺，其厚度例如是小於O. 025_。在一實施例中，可撓基板110的材料例如是玻璃，其厚度例如是小於O. 1mm。在一實施例中，可撓基板110的材料例如是金屬，其厚度例如是小於O. 08mm。請參照圖2B，然後，在可撓基板110上形成 第一緩衝層120。在本實施例中，第一緩衝層120的材料例如是包括氮化矽、氧化矽或是氮氧化矽等介電材料，其厚度例如是50nm。第一緩衝層120的形成方法例如是等離子體輔助化學氣相沉積法。接著，在第一緩衝層120上形成第一阻擋層130。在本實施例中，第一阻擋層130的材料例如是包括氧化矽，其厚度例如是150nm。第一阻擋層130的形成方法例如是等離子體輔助化學氣相沉積法。然後，在第一阻擋層130上形成第二緩衝層140。在本實施例中，第二緩衝層140的材料例如是包括非晶矽，其厚度例如是50nm。第二緩衝層140的形成方法例如是等離子體輔助化學氣相沉積法。請參照圖2C，接著，在第二緩衝層140上形成第二阻擋層150。在本實施例中，第二阻擋層150的材料的導熱係數例如是小於10W/mk。第二阻擋層150的材料例如是包括氧化矽，其厚度例如是1000埃至4000埃。第二阻擋層150的形成方法例如是等離子體輔助化學氣相沉積法。然後，在第二阻擋層150上形成非晶矽層160。在本實施例中，非晶矽層160的形成方法例如是等離子體輔助化學氣相沉積法。請同時參照圖2C與圖2D，而後，以雷射LB將非晶矽層160轉變成多晶矽層170。在本實施例中，雷射LB的波長例如是300nm至310nm，且例如是308nm。可撓基板110的材料與粘著層104的材料例如是對具有上述波長的雷射LB具有強吸收能力，且可撓基板110的材料與粘著層104的材料的耐熱溫度例如是低於350°C。多晶矽層170例如是低溫多晶矽。在本實例中，有一部分的雷射LB例如是會穿透多晶矽層170而進入第二阻擋層150中。然而，由於本實施例是根據雷射LB的波長，適當地選擇第一與第二阻擋層130、150與第一與第二緩衝層120、140的材料與厚度，尤其是第二阻擋層150與第二緩衝層140的材料與厚度，因此第一與第二阻擋層130、150與第一與第二緩衝層120、140能大幅吸收與阻擋雷射LB，以避免雷射LB及其所產生的熱能穿透或傳遞至可撓基板110與粘著層104。其中，第一與第二阻擋層130、150及第一與第二緩衝層120、140吸收與阻擋雷射LB及其所產生熱能的機制可以參照前一實施例中所述，在此不贅述。特別一提的是，在本實施例的多晶矽層的製作方法中，是通過粘著層104將可撓基板110附著至載具102上為例，但在另一實施例中，如圖3所不，可接基板110也可以直接附著至載具102上並與其接觸，其中可撓基板110可以是塑膠基板。由於其餘膜層的製作皆與前述實施例相同，因此在此不贅述。在本實施例中，在可撓基板110與多晶矽層170之間配置具有適當材料與厚度的第一緩衝層120、第一阻擋層130、第二阻擋層150以及第二緩衝層140，以吸收穿透多晶矽層170的雷射LB及其所產生的能量，或者使雷射LB在該些膜層之間的介面被反射。如此一來，可以大幅降低雷射LB與其所產生的能量穿透及傳遞至可撓基板110與粘著層104的可能性。因此，能避免可撓基板110與粘著層104發生劣化、變形或變質，使得可撓基板110與粘著層104能保有其良好特性。圖4是根據本發明一實施例的陣列基板的剖面示意圖。請參照圖4，陣列基板100包括可撓基板110、第一緩衝層120、第一阻擋層130、第二緩衝層140、第二阻擋層150以及
薄膜電晶體200。在本實施例中，可撓基板110例如是聚醯亞胺基板、玻璃基板或金屬基板。第一緩衝層120配置於可撓基板110上。第一緩衝層120的材料例如是包括氮化矽。第一阻擋層130配置於第一緩衝層120上。第一阻擋層130的材料例如是包括氧化矽。第二緩衝層140配置於第一阻擋層130上。第二緩衝層140的材料例如是包括非晶矽，其厚度例如是介於400至1000埃。第二阻擋層150配置於第二緩衝層140上。第二阻擋層150的導熱係數例如是小於10W/mk。第二阻擋層150的材料例如是包括氧化矽，其厚度例如是介於1000埃至4000埃。其中，可撓基板110、第一緩衝層120、第一阻擋層130、第二緩衝層140以及第二阻擋層150的材料、厚度以及製作方法可以參照前文實施例中所述者。薄膜電晶體200配置於第二阻擋層150上，其中薄膜電晶體200包括多晶矽層170。在本實施例中，多晶矽層170例如是通過前文實施例中所述的方式製作，而後經由圖案化與摻雜製作工藝以作為薄膜電晶體中的通道層。舉例來說，在本實施例中，多晶矽層170例如是包括通道區、重摻雜區、輕摻雜區、源極區與漏極區。多晶矽層170的材料例如是包括低溫多晶矽。薄膜電晶體200例如是低溫多晶矽薄膜電晶體。在本實施例中，薄膜電晶體200還包括柵極180、源極182a與漏極182b、像素電極186、柵極介電層188、層間介電層190以及保護層192、194。其中，柵極介電層188例如是覆蓋多晶矽層170。柵極180例如是配置於柵極介電層188上。層間介電層190例如是覆蓋柵極180與柵極介電層188。源極182a與漏極182b例如是配置於層間介電層190上，且例如是經由柵極介電層188與層間介電層190中的接觸孔188a、190a與多晶矽層170電連接。保護層192例如是覆蓋層間介電層190以及源極182a與漏極182b。像素電極186例如是配置於保護層192上，且例如是經由保護層192中的接觸孔192a與漏極182b電連接。保護層194例如是覆蓋像素電極186以及保護層192。在本實施例中，薄膜電晶體200例如是更包括焊墊184，其經由配置於層間介電層190與保護層192的接觸孔190a、192a中的接觸插塞196、198與外界電路連接。特別一提的是，雖然在本實施例中是以陣列基板100具有圖4所示的薄膜電晶體200結構為例，但本發明不限於此，換言之，薄膜電晶體200可以具有其他構型。再者，在一實施例中(未繪示)，陣列基板100例如是還包括載具102，其中可撓基板110配置於載具102與第一緩衝層120之間。在一實施例中(未繪示)，陣列基板100例如是還包括載具102與粘著層104，其中粘著層104配置於載具102與可撓基板110之間。載具102、粘著層104以及可撓基板110的材料與厚度可以參照圖2D與圖3所示的實施例中所述，在此不贅述。在本實施例中，在可撓基板110與多晶矽層170之間配置具有適當材料與厚度的緩衝層120、140與阻擋層130、150，因此在以諸如雷射LB等能量光束將非晶矽層轉換成作為通道層的多晶矽層170吋，緩衝層120、140與阻擋層130、150可以吸收穿透多晶矽層170的雷射LB及其所產生的能量，或者使雷射LB在該些膜層之間的介面被反射。如此ー來，可以大幅降低雷射LB與其所產生的能量穿透及傳遞至可撓基板110與粘著層104的可能性。因此，能避免可撓基板110與粘著層104發生劣化、變形或變質，使得可撓基板110與粘著層104能保有其良好特性。此外，緩衝層120、140與阻擋層130、150也在製作薄膜電晶體的其他元件時提供緩衝與阻擋的功能，以進一歩防止可撓基板110與粘著層104受到破壞。 因此，本實施例的陣列基板具有良好的元件特性。此外，本實施例的陣列基板的製作方法可輕易的與現有的陣列基板的製作エ藝結合，因此不會造成製作成本的大幅増加，但可大幅提升陣列基板的良率。圖5是根據本發明ー實施例的有機發光裝置的剖面示意圖。在本實施例中，有機發光裝置300包括陣列基板100、第一電極310、有機發光層340以及第ニ電極370。第一電極310、有機發光層340以及第ニ電極370配置於陣列基板100上，且有機發光層340位於第一電極310與第二電極370之間。在本實施例中，陣列基板100為圖4所不的陣列基板，其包括可撓基板110、第一緩衝層120、第一阻擋層130、第二緩衝層140、第二阻擋層150以及薄膜電晶體200,詳細結構可參照圖4所示以及前一實施例中所述,在此省略繪示與描述。在本實施例中，第一電極310例如是陽極以及第ニ電極370例如是陰極。有機發光裝置300例如是還包括空穴注入層320、空穴傳輸層330、電子傳輸層350以及電子注入層360。空穴注入層320與空穴傳輸層330例如是配置於第一電極310與有機發光層340之間，且空穴注入層320例如是配置於第一電極310與空穴傳輸層330之間。電子注入層360與電子傳輸層350例如是配置於第二電極370與有機發光層340之間，且電子注入層360例如是配置於第二電極370與電子傳輸層350之間。當然，在其他實施例中，也可以省略空穴注入層320、空穴傳輸層330、電子傳輸層350以及電子注入層360的配置。再者，在一實施例中(未繪示)，陣列基板100中的可撓基板110也可以直接配置於載具102上或經由粘著層104配置於載具102上。載具102、粘著層104以及可撓基板110的配置方式、材料以及厚度可以參照圖2D與圖3所示的實施例中所述，在此不贅述。在本實施例中，有機發光裝置300具有陣列基板100，陣列基板100中的緩衝層120,140與阻擋層130、150能避免可撓基板110受到用以將非晶矽層轉換成多晶矽層170的雷射LB的影響，使得可撓基板110保有其良好特性。如此ー來，有機發光裝置300具有較佳的元件特性與良率。特別ー提的是，雖然在上述的實施例中是以將多晶矽的製作方法應用於可撓基板中的薄膜電晶體以及有機發光裝置中，但本發明不以此為限。也就是說，多晶矽的製作方法可以應用在各種需要通過雷射將非晶矽轉變成多晶矽的元件中，以避免元件中的可撓基板受到雷射的破壞或影響。綜上所述，在本發明的多晶矽層的製作方法中，可撓基板與多晶矽層之間具有多個緩衝層與阻擋層，緩衝層與阻擋層可以吸收穿透多晶矽層的雷射能量，以最小化傳遞至可撓基板的雷射能量。如此ー來，能避免可撓基板與粘著層劣化，使得可撓基板與粘著層能保有其原本的良好特性。再者，當薄膜電晶體具有以上述方式配置的多晶矽層時，包含此薄膜電晶體的陣列基板或包含上述陣列基板的有機發光裝置或其他裝置也具有較佳的元件特性。另ー方面，由於本發明的多晶矽層的製作方法能輕易地與現有的薄膜電晶體、陣列基板或有機發光裝置等裝置的製作エ藝結合，而無需額外添購設備或大幅地改變製作流程，因此不會導致上述元件的製作成本大幅増加，且能使得上述元件具有較佳的良率。
雖然結合以上實施例揭露了本發明，然而其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中熟悉此技術者，在不脫離本發明的精神和範圍內，可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍應以附上的權利要求所界定的為準。
權利要求
1.一種陣列基板,包括 可撓基板； 第一緩衝層，配置於該可撓基板上； 第一阻擋層，配置於該第一緩衝層上； 第二緩衝層，配置於該第一阻擋層上； 第二阻擋層，配置於該第二緩衝層上；以及 薄膜電晶體，配置於該第二阻擋層上，其中該薄膜電晶體包括ー多晶矽層。
2.如權利要求I所述的陣列基板，其中該可撓基板包括聚醯亞胺基板、玻璃基板或金屬基板。
3.如權利要求I所述的陣列基板，其中該多晶矽層的材料包括低溫多晶矽。
4.如權利要求I所述的陣列基板，其中該第二阻擋層的材料的導熱係數小於10W/mk。
5.如權利要求I所述的陣列基板，其中該第二阻擋層的厚度為1000埃至4000埃。
6.如權利要求I所述的陣列基板，其中該第二阻擋層的材料包括氧化矽。
7.如權利要求I所述的陣列基板，其中該第二緩衝層的材料包括非晶矽。
8.如權利要求I所述的陣列基板，其中該第二緩衝層的厚度為400至1000埃。
9.如權利要求I所述的陣列基板，其中該第一阻擋層的材料包括氧化矽。
10.如權利要求I所述的陣列基板，其中該第一緩衝層的材料包括氮化矽。
11.如權利要求I所述的陣列基板，還包括載具，其中該可撓基板配置於該載具與該第一緩衝層之間。
12.如權利要求11所述的陣列基板，還包括粘著層，配置於該載具與該可撓基板之間。
13.如權利要求12所述的陣列基板，其中該可撓基板的材料為聚醯亞胺，其厚度小於.O.025mm。
14.如權利要求12所述的陣列基板，其中該可撓基板的材料為玻璃，其厚度小於.O.Imm0
15.如權利要求12所述的陣列基板，其中該可撓基板的材料為金屬，其厚度小於.O.08mm。
16.如權利要求I所述的陣列基板，還包括 像素電極，配置於該薄膜電晶體上且與該薄膜電晶體電連接； 有機發光層，配置於該像素電極上；以及 電極層，配置於該有機發光層上，其中該有機發光層位於該像素電極與該電極層之間。
17.—種多晶娃層的製作方法,包括 在一可撓基板上形成一第一緩衝層； 在該第一緩衝層上形成一第一阻擋層； 在該第一阻擋層上形成一第二緩衝層； 在該第二緩衝層上形成一第二阻擋層； 在該第二阻擋層上形成一非晶矽層；以及 以ー雷射將該非晶娃層轉變成一多晶娃層。
18.如權利要求17所述的多晶矽層的製作方法，其中該雷射的波長為300nm至310nm。
19.如權利要求17所述的多晶矽層的製作方法，其中該第二阻擋層吸收穿透該多晶矽層的該雷射。
20.如權利要求17所述的多晶矽層的製作方法，其中該第二緩衝層吸收穿透該第二阻擋層的該雷射。
21.如權利要求17所述的多晶矽層的製作方法，其中該可撓基板包括ー聚醯亞胺基板、一玻璃基板以及ー金屬基板。
22.如權利要求17所述的多晶矽層的製作方法，其中該多晶矽層的材料包括低溫多晶矽。
23.如權利要求17所述的多晶矽層的製作方法，其中該第二阻擋層的材料的導熱係數小於 10W/mk。
24.如權利要求17所述的多晶矽層的製作方法，其中該第二阻擋層的厚度為1000埃至4000 埃。
25.如權利要求17所述的多晶矽層的製作方法，其中該第二阻擋層的材料包括氧化矽。
26.如權利要求17所述的多晶矽層的製作方法，其中該第二緩衝層的材料包括非晶矽。
27.如權利要求17所述的多晶矽層的製作方法，其中該第一阻擋層的材料包括氧化矽。
28.如權利要求17所述的多晶矽層的製作方法，其中該第一緩衝層的材料包括氮化矽。
29.如權利要求17所述的多晶矽層的製作方法，還包括一載具，其中該可撓基板配置於該載具與該第一緩衝層之間。
30.如權利要求29所述的多晶矽層的製作方法，還包括一粘著層，配置於該載具與該可撓基板之間。
31.如權利要求30所述的多晶矽層的製作方法，其中該可撓基板的材料為聚醯亞胺，其厚度小於O. 025mm。
32.如權利要求30所述的多晶矽層的製作方法，其中該可撓基板的材料為玻璃，其厚度小於O. 1mm。
33.如權利要求30所述的多晶矽層的製作方法，其中該可撓基板的材料為金屬，其厚度小於O. 08_。
全文摘要
本發明公開一種陣列基板及多晶矽層的製作方法。在可撓基板上形成第一緩衝層。在第一緩衝層上形成第一阻擋層。在第一阻擋層上形成第二緩衝層。在第二緩衝層上形成第二阻擋層。在第二阻擋層上形成非晶矽層。以雷射將非晶矽層轉變成多晶矽層。
文檔編號H01L29/786GK102664196SQ201210156748
公開日2012年9月12日 申請日期2012年5月18日 優先權日2012年2月16日
發明者劉展睿, 方俊雄, 李泓緯, 陳重嘉 申請人:友達光電股份有限公司