光半導體裝置用白色固化性組合物、光半導體裝置用成形體及光半導體裝置製造方法

2023-10-06 23:28:09 3

光半導體裝置用白色固化性組合物、光半導體裝置用成形體及光半導體裝置製造方法
【專利摘要】本發明提供一種光半導體裝置，該光半導體裝置即使在苛刻的環境下使用品質也不易降低，進而可以抑制電極的變色，且可以提高成形體和與該成形體相接部件的密合性。本發明的半導體裝置用白色固化性組合物為在光半導體裝置中配置於光半導體元件的側方，在白色固化性組合物的內面包圍的區域內填充密封劑以密封上述光半導體元件而使用的成形體，且為了得到具有將由上述光半導體元件所發出的光導出到外部的開口的成形體而使用，含有具有環氧基的環氧化合物、酸酐固化劑、氧化鈦、球狀二氧化矽和破碎二氧化矽，所述球狀二氧化矽的平均粒徑為5μm以上且100μm以下。
【專利說明】光半導體裝置用白色固化性組合物、光半導體裝置用成形體及光半導體裝置
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種為了得到具有將光半導體元件發出的光導出到外部的開口的成形體而優選使用的光半導體裝置用白色固化性組合物。另外，本發明涉及一種使用了該光半導體裝置用白色固化性組合物的光半導體裝置用成形體及光半導體裝置。
【背景技術】
[0002]發光二極體(LED)裝置等光半導體裝置耗電低且壽命長。另外，光半導體裝置即使在苛刻的環境下也可以使用。因此，光半導體裝置可廣泛用於行動電話用背光源、液晶電視用背光源、汽車用燈、照明器具及廣告牌等用途。
[0003]若光半導體裝置中所使用的發光元件即光半導體元件(例如LED)與大氣直接接觸時，光半導體元件的發光特性因大氣中的水分或浮遊的垃圾等而迅速降低。因此，上述光半導體元件通常由密封劑密封。另外，為了填充該密封劑，在搭載有上述光半導體元件的引線框上配置有框狀的成形體。在該框狀的成形體的內側填充有上述密封劑。該成形體有時稱為反射器或罩(housing)。
[0004]作為用於形成上述成形體的組合物的一個例子，在下述的專利文獻I中公開有一種含有環氧樹脂、固化劑、固化催化劑、無機填充材料及白色顏料的固化性組合物。在將使該固化性組合物固化而形成的固化物在150°C的高溫條件下放置500小時後測定時，光波長400nm處的光擴散反射率為80%以上。另外，在上述固化性組合物中，栓塞壓注時的剪切脫模力在10注壓以內，為200KPa以下。
[0005]在上述專利文獻I的實施例中，使用熔融球狀二氧化矽作為上述無機填充劑，使用空心粒子或氧化鋁作為上述白色顏料。在上述文獻I的實施例中，未使用氧化鈦。
[0006]在下述的專利文獻2中公開有一種含有環氧樹脂、固化劑、固化促進劑、無機填充材料及白色顏料的固化性組合物。另外，在專利文獻2中公開有一種光半導體裝置的製造方法，其具備以下的工序:得到成形體的工序，通過使用了固化性組合物的栓塞壓注法在配線部件上形成具有多個的貫穿孔的光反射層，從而得到形成了多個凹部的成形體，所述凹部是以上述配線部件塞住上述貫穿孔一端的開口部而形成的；將光半導體元件分別配置在上述凹部內的工序；以覆蓋上述光反射層表面的方式向配置有上述半導體元件的上述凹部供給密封樹脂的工序；通過使上述密封樹脂夾在中間，以從上述光反射層的上述表面隔開的狀態配置覆蓋上述凹部的透鏡後，使上述密封樹脂固化的工序；以每個上述凹部對上述成形體進行分割而得到多個光半導體裝置的工序。
[0007]在上述專利文獻2的實施例中記載有一種固化性組合物，其含有環氧樹脂、固化齊U、固化促進劑、2種作為無機填充劑的熔融球狀二氧化矽及作為白色顏料的氧化鈦。
[0008]現有技術文獻
[0009]專利文獻
[0010]專利文獻1:日本特開2009-141327號公報[0011]專利文獻2:日本特開2011-009519號公報
【發明內容】

[0012]發明所要解決的問題
[0013]在使用如專利文獻1、2中記載的現有固化性組合物來製作成形體，且得到具備該成形體的光半導體裝置的情況下，若該光半導體裝置暴露在苛刻的環境下時，則光半導體裝置的質量容易降低。具體而言，存在該光半導體裝置中耐PCT(加壓蒸煮試驗)特性較低這樣的問題。
[0014]進而，在光半導體裝置中，為了反射到達發光元件的背面的光，有時在發光元件的背面形成有鍍銀的電極。在光半導體裝置中，有時電極因存在於大氣中的硫化氫氣體或亞硫酸氣體等腐蝕性氣體而發生變色。若電極發生變色，則反射率降低，因此，存在發光元件發出的光的亮度降低的問題。
[0015]本發明的目的在於，提供一種成形體和與該成形體相接部件的密合性可以得到提高的光半導體裝置用白色固化性組合物，以及使用了該光半導體裝置用白色固化性組合物的光半導體裝置用成形體，所述光半導體裝置具備使用了光半導體裝置用白色固化性組合物的成形體，即使在苛刻的環境下使用，其品質也不易降低，而且可以抑制該光半導體裝置中電極的變色。
[0016]本發明的目的在於，提供一種即使在苛刻的環境下使用品質也不易降低，進而可以抑制電極的變色，且可以提高成形體和與該成形體相接部件的密合性的半導體裝置。
[0017]用於解決問題的手段
[0018]根據本發明寬泛的方面，可提供一種白色的光半導體裝置用白色固化性組合物，其用於得到成形體，所述成形體在光半導體裝置中配置於光半導體元件的側方，並在其內面所包圍的區域內填充密封劑以密封所述光半導體元件，且所述成形體具有將所述光半導體元件所發出的光導出到外部的開口，所述光半導體裝置用白色固化性組合物含有具有環氧基的環氧化合物、酸酐固化劑、氧化鈦、球狀二氧化矽和破碎二氧化矽，所述球狀二氧化矽的平均粒徑為5 μ m以上且100 μ m以下。
[0019]另外，根據本發明寬泛的方面，可提供一種使用了上述的光半導體裝置用白色固化性組合物的光半導體裝置。
[0020]S卩，根據本發明寬泛的方面，可提供一種光半導體裝置，其具備引線框、搭載在所述引線框上的光半導體元件、配置在所述引線框上的成形體、以及密封劑，所述成形體通過使光半導體裝置用白色固化性組合物固化而得到，所述光半導體裝置用白色固化性組合物為白色的光半導體裝置用白色固化性組合物，所述光半導體裝置用白色固化性組合物含有具有環氧基的環氧化合物、酸酐固化劑、氧化鈦、球狀二氧化矽及破碎二氧化矽，所述球狀二氧化矽的平均粒徑為5μπι以上且ΙΟΟμπι以下，所述成形體具有將由所述光半導體元件所發出的光導出到外部的開口，所述密封劑配置在所述光半導體元件的側面，所述密封劑填充在所述成形體的內面所包圍的區域內以密封所述光半導體元件。
[0021]在本說明書中，公開有一種涉及上述的光半導體裝置用白色固化性組合物的發明和涉及上述的光半導體裝置的發明這兩者。
[0022]優選所述破碎二氧化矽的長寬比為1.5以上且20以下。優選所述破碎二氧化矽的平均粒徑為I μ m以上且30 μ m以下。優選所述氧化鈦為金紅石型氧化鈦。
[0023]優選所述環氧化合物不具有芳香族骨架，且構成所述環氧化合物的原子僅為碳原子、氧原子及氫原子這3種。
[0024]優選所述環氧化合物具有脂環式骨架。優選所述環氧化合物包括具有脂環式骨架且環氧基的2個碳原子為脂環式骨架的碳原子的環氧化合物。優選所述環氧化合物包括具有脂環式骨架且環氧基的2個碳原子不是脂環式骨架的碳原子的環氧化合物。優選所述環氧化合物包括具有脂環式骨架且環氧基的2個碳原子為脂環式骨架的碳原子的環氧化合物和具有脂環式骨架且環氧基的2個碳原子不是脂環式骨架的碳原子的環氧化合物這兩者。
[0025]本發明的光半導體裝置用白色固化性組合物優選為用於得到成形體而使用的白色的光半導體裝置用白色固化性組合物，所述成形體在光半導體裝置中配置在搭載有光半導體元件的引線框上。此時，本發明的光半導體裝置用白色固化性組合物優選用於在得到多個成形體連接而成的分割前成形體後，分割該分割前成形體而得到各個成形體。
[0026]本發明的光半導體裝置用白色固化性組合物優選用於得到以下成形體，所述成形體在光半導體裝置中配置在搭載有光半導體元件的引線框上，並配置在上述光半導體元件的側面，且具有反射由所述光半導體元件所發出的光的光反射部。
[0027]本發明的光半導體裝置用成形體為在光半導體裝置中配置於光半導體元件的側方，並在內面所包圍的區域內填充密封劑以密封所述光半導體元件，且具有將由所述光半導體元件所發出的光導出到外部的開口，其通過使上述的光半導體裝置用白色固化性組合物固化而得到。
[0028]在本發明的光半導體裝置中，所述成形體優選配置於所述光半導體元件的側方，且所述成形體的內面為反射由所述光半導體元件所發出的光的光反射部。
[0029]發明效果
[0030]本發明的光半導體裝置用白色固化性組合物含有具有環氧基的環氧化合物、酸酐固化劑、氧化鈦、球狀二氧化矽及破碎二氧化矽，上述球狀二氧化矽的平均粒徑為5μπι以上且100 μ m以下，因此，具備使用了光半導體裝置用白色固化性組合物的成形體的光半導體裝置，即使在苛刻的環境下使用，其品質也不易降低，還可以抑制該光半導體裝置中電極的變色。進一步，可以提高成形體和與該成形體相接部件的密合性。
[0031]在本發明的光半導體裝置中，成形體可通過使上述的光半導體裝置用白色固化性組合物固化而得到，因此，即使在苛刻的環境下使用，其品質也不易降低，還可以抑制電極的變色。進一步，可以提高成形體和與該成形體接觸部件的密合性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0032]圖1(a)及(b)為示意性地表示具備使用了本發明的一實施方式的光半導體裝置用白色固化性組合物的成形體的光半導體裝置的一個例子的剖面圖及立體圖；
[0033]圖2為示意性地表示含有使用了本發明中一實施方式的光半導體裝置用白色固化性組合物的多個成形體連接而成的分割前成形體的分割前光半導體裝置用部件的一個例子的剖面圖；
[0034]圖3為示意性地表示含有使用了本發明的一實施方式的光半導體裝置用白色固化性組合物的多個成形體連接而成的分割前成形體的分割前光半導體裝置的一個例子的剖面圖。
【具體實施方式】
[0035]下面，對本發明詳細地進行說明。
[0036](光半導體裝置用白色固化性組合物)
[0037]本發明的光半導體裝置用白色固化性組合物為白色的光半導體裝置用白色固化性組合物。本發明的光半導體裝置用白色固化性組合物用於得到如下成形體，其在光半導體裝置中配置於光半導體元件的側方，且用於在內面所包圍的區域內填充密封劑以密封上述光半導體元件，且所述成形體具有將上述光半導體元件所發出的光導出到外部的開口。本發明的光半導體裝置用白色固化性組合物含有具有環氧基的環氧化合物(A)、固化劑(B)、氧化鈦(C)、與氧化鈦不同的填充劑。在本發明的光半導體裝置用白色固化性組合物中，與氧化鈦不同的填充材料為二氧化矽(D)。該二氧化矽(D)包含球狀二氧化矽(Dl)和破碎二氧化矽(D2)。即，本發明的光半導體裝置用白色固化性組合物含有球狀二氧化矽(Dl)和破碎二氧化矽(D2)這兩者。
[0038]在本發明的光半導體裝置用白色固化性組合物中，球狀二氧化矽(Dl)的平均粒徑為5 μ m以上且100 μ m以下。
[0039]通過採用本發明的光半導體裝置用白色固化性組合物中的上述構成，使用了光半導體裝置用白色固化性組合物的光半導體裝置即使在苛刻的環境下使用，其品質也不易降低。具體而言，可以提高光半導體裝置中的耐PCT(加壓蒸煮試驗)特性。即，在進行光半導體裝置的PCT時，在與通過使固化性組合物固化而得到的成形體接觸的密封劑等部件上不易產生龜裂，不易產生該成形體和該部件的剝離，不易產生配線的連接不良。
[0040]進而，通過採用本發明的光半導體裝置用白色固化性組合物中的上述的構成，可以抑制光半導體裝置中電極的變色。在光半導體裝置中，為了反射到達發光元件背面的光，有時在發光元件的背面形成有鍍銀的電極。通過採用本發明的光半導體裝置用白色固化性組合物中的上述的構成，在光半導體裝置中，可抑制電極因存在於大氣中的硫化氫氣體或亞硫酸氣體等腐蝕性氣體而變色。其結果，可抑制電極反射率的降低，可維持發光元件發出的光的高亮度。
[0041]進而，通過採用本發明的光半導體裝置用白色固化性組合物中的上述構成，可以提高通過使上述固化性組合物固化而得到的成形體和與該成形體接觸的密封劑或引線框等部件的密合性。
[0042]下面，對本發明的光半導體裝置用白色固化性組合物中所含的各成分的其它詳細情況進行說明。
[0043][環氧化合物⑷]
[0044]上述固化性組合物含有上述環氧化合物(A)以使其可通過加熱來固化。上述環氧化合物(A)具有環氧基。通過使用上述環氧化合物(A)作為熱固性化合物，成形體的耐熱性及絕緣可靠性提高。上述環氧化合物㈧可以僅使用I種，也可以組合使用2種以上。
[0045]作為上述環氧化合物(A)的具體例，可以舉出:雙酚型環氧化合物、酚醛清漆型環氧化合物、使多元酸化合物和表氯醇反應得到的縮水甘油酯型環氧化合物、使多元胺化合物和表氯醇反應而得到的縮水甘油胺型環氧化合物、縮水甘油醚型環氧化合物、脂肪族環氧化合物、氫化芳香族環氧化合物、具有脂環式骨架的環氧化合物、異氰脲酸三縮水甘油酯等雜環式環氧化合物等。作為上述多元酸化合物，可以舉出:鄰苯二甲酸及二聚酸等。作為上述多元胺化合物，可以舉出:二氨基二苯基甲烷及異氰脲酸等。
[0046]從提高成形體的強度、以及更進一步提高成形體加工性的觀點考慮，上述環氧化合物(A)優選含有具有芳香族骨架的環氧化合物及具有脂環式骨架的環氧化合物中的至少I種。上述環氧化合物(A)可以含有具有芳香族骨架的環氧化合物和具有脂環式骨架的環氧化合物這兩者。
[0047]從更進一步提高成形體的強度及耐熱性的觀點考慮，上述環氧化合物(A)優選含有具有芳香族骨架的環氧化合物。上述具有芳香族骨架的環氧化合物可以僅使用I種，也可以組合使用2種以上。
[0048]從更進一步提高密封劑或引線框與成形體的密合性的觀點考慮，上述環氧化合物(A)優選含有具有脂環式骨架的環氧化合物。上述具有脂環式骨架的環氧化合物可以僅使用I種，也可以組合使用2種以上。
[0049]作為上述具有芳香族骨架的環氧化合物，可以舉出:雙酚A型環氧化合物、雙酚F型環氧化合物、甲酚酚醛清漆型環氧化合物、苯酚酚醛清漆型環氧化合物、使具有芳香族骨架的多元酸化合物和表氯醇反應而得到的縮水甘油酯型環氧化合物及具有芳香族骨架的縮水甘油醚型環氧化合物等。
[0050]作為上述具有脂環式骨架的環氧化合物的具體例，可以舉出:2-(3，4_環氧)環己基-5，5-螺-(3，4-環氧)環己烷間二噁烷、3，4-環氧環己烯基甲基-3』，4』-環氧環己烯羧酸酯、二氧化雙環戊二烯、一氧化乙烯基環己烯、1，2-環氧-4-乙烯基環己烷、1，2:8，9- 二環氧檸檬烯、ε-己內酯修飾四(3，4-環氧環己基甲基)丁烯四羧酸酯、2，2-雙(羥基甲基)-1- 丁醇的1，2-環氧-4- (2-環氧乙基)環己烷加成物、氫化雙酚A型環氧化合物及氫化雙酚F型環氧化合物等。
[0051]從更進一步抑制在苛刻環境下的使用而導致的光半導體裝置品質的降低、進而更進一步抑制電極的變色的觀點考慮，上述環氧化合物(A)優選不具有芳香族骨架。從更進一步抑制在苛刻的環境下的使用導致的光半導體裝置品質的降低、進而更進一步抑制電極的變色的觀點考慮，構成環氧化合物(A)的原子優選僅為碳原子、氧原子及氫原子這3種。從更進一步抑制在苛刻的環境下的使用導致的光半導體裝置品質的降低、進而更進一步抑制電極的變色的觀點考慮，上述環氧化合物(A)優選不具有芳香族骨架且構成上述環氧化合物(A)的原子僅為碳原子、氧原子及氫原子3種。
[0052]上述環氧化合物(A)優選具有脂環式骨架。即，上述環氧化合物(A)優選不具有芳香族骨架且具有脂環式骨架。通過使用具有脂環式骨架的環氧化合物，成形體的切割性更進一步地提高，進而即使光半導體裝置在苛刻的條件下使用或光半導體裝置受到冷熱循環等熱衝擊，光半導體裝置的品質也不易降低。
[0053]上述環氧化合物(A)中環氧基的2個碳原子可以為脂環式骨架的碳原子，也可以不是脂環式骨架的碳原子。在環氧基的2個碳原子為脂環式骨架的碳原子的情況下，環氧基稱為脂環環氧基。
[0054]上述環氧化合物(A)優選含有環氧化合物(Al)，其具有脂環式骨架且環氧基的2個碳原子為脂環式骨架的碳原子。上述環氧化合物(Al)為具有脂環環氧基的環氧化合物。上述環氧化合物(Al)優選具有環氧環己基。上述環氧化合物(Al)可以僅使用I種，也可以組合使用2種以上。
[0055]上述環氧化合物(A)的整體100重量％中，上述環氧化合物(Al)的含量優選為
0.1重量％以上，更優選為I重量％以上，進一步優選為5重量％以上，特別優選為10重量％以上，最優選為20重量％以上且100重量％以下。上述環氧化合物㈧可以全部為上述環氧化合物(Al)。上述環氧化合物(Al)可以僅使用I種，也可以組合使用2種以上。
[0056]上述環氧化合物(A)優選含有環氧化合物(A2)，其具有脂環式骨架且環氧基的2個碳原子不是脂環式骨架的碳原子。上述環氧化合物(A2)優選不具有脂環環氧基的環氧化合物。上述環氧化合物(A2)在與脂環式骨架不同的部位具有環氧基。上述環氧化合物(A)的整體100重量％中，上述環氧化合物(A2)的含量優選為0.1重量％以上，更優選為I重量％以上，進一步優選為5重量％以上,特別優選為10重量％以上,最優選為20重量％以上且100重量％以下。上述環氧化合物(A)可以全部為上述環氧化合物(A2)。上述環氧化合物(A2)可以僅使用I種，也可以組合使用2種以上。
[0057]上述環氧化合物(A)的整體100重量％中，上述環氧化合物(Al)和上述環氧化合物(A2)的合計含量優選為0.1重量％以上，更優選為I重量％以上，更進一步優選為5重量％以上，進一步優選為10重量％以上，更進一步優選為20重量％以上，特別優選為30重量％以上，最優選為50重量％以上且100重量％以下。上述環氧化合物(A)可以全部為上述環氧化合物(Al)和上述環氧化合物(A2)。
[0058]上述環氧化合物(A)優選含有環氧化合物(Al)和環氧化合物(A2)這兩者，所述環氧化合物(Al)具有脂環式骨架且環氧基的2個碳原子為脂環式骨架的碳原子，所述環氧化合物(A2)具有脂環式骨架且環氧基的2個碳原子不是脂環式骨架的碳原子。通過組合使用上述環氧化合物(Al)和上述環氧化合物(A2)，成形體的耐PCT特性更進一步變得良好。
[0059]作為上述環氧化合物(Al)的市售品，可以舉出:CELL0XIDE2021P、CELL0XIDE2081、CELL0XIDE3000、EPOLEAD GT301、EPOLEAD GT401 (以上均為 DAICEL 公司制)等。其中，優選3，4-環氧環己烯基甲基-3』，4』-環氧環己烯羧酸酯CELL0XIDE2021P。
[0060]作為上述環氧化合物(A2)的市售品，可以舉出:EHPE3150(DAICEL公司制)、以及ST-4000D (新日鐵住金化學公司制)等。其中，優選雙(2，3-環氧環戊基)醚、2，2-雙(羥基甲基)-1_ 丁醇的1，2-環氧-4-(2-環氧乙基)環己烷加成物EHPE3150。通過使用EHPE3150,上述成形體的耐熱性更進一步提高。
[0061]上述環氧化合物的環氧當量，特別是上述具有脂環式骨架的環氧化合物的環氧當量優選為50以上，更優選為100以上，優選為500以下，更優選為300以下。上述具有脂環式骨架的環氧化合物的環氧當量特別優選為100以上且300以下。若環氧當量為上述下限以上及上述上限以下，則成形體和與該成形體接觸的密封劑或引線框等部件的密合性更進
一步提聞。
[0062]上述環氧化合物(A)的配合量可適宜進行調整以通過加熱實現適度固化，沒有特別限定。上述光半導體裝置用白色固化性組合物100重量％中，上述環氧化合物㈧的含量優選為I重量％以上，更優選為3重量％以上，進一步優選為5重量％以上，優選為99重量％以下，更優選為95重量％以下，進一步優選為80重量％以下。若上述環氧化合物(A)的含量為上述下限以上，則固化性組合物通過加熱更進一步有效地固化。若上述環氧化合物(A)的含量為上述上限以下，則成形體的耐熱性更進一步提高。
[0063]在組合使用上述環氧化合物(Al)和上述環氧化合物(A2)的情況下，上述固化性組合物優選以重量比為1:1000?1000:1含有上述環氧化合物(Al)和上述環氧化合物(A2)，更優選以1:100?100:1含有，進一步優選以1:20?20:1含有，特別優選以1:10?10:1含有，最優選以1:5?5:1含有。若上述環氧化合物(Al)和上述環氧化合物(A2)的重量比在上述範圍內，則成形體的切割性更進一步變得良好。
[0064][固化劑(B)]
[0065]上述光半導體裝置用白色固化性組合物含有上述固化劑(B)以通過加熱有效地實現固化。上述固化劑(B)使上述環氧化合物(A)固化。上述固化劑(B)為酸酐固化劑。通過使用該酸酐固化劑，成形體和與該成形體接觸的密封劑或引線框等部件的密合性提高。另外，通過使用上述酸酐固化劑，可維持高固化性，可更進一步抑制成形體的成形不均。作為上述酸酐固化劑，可使用作為上述環氧化合物(A)的固化劑所使用的公知酸酐固化劑。上述固化劑⑶可以僅使用I種，也可以組合使用2種以上。
[0066]作為上述酸酐固化劑，可使用具有芳香族骨架的酸酐及具有脂環式骨架的酸酐中的任一種。
[0067]作為優選的上述酸酐固化劑，可以舉出:鄰苯二甲酸酐、馬來酸酐、偏苯三酸酐、苯均四酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、甲基納迪克酸酐、納迪克酸酐、戊二酸酐、甲基六氫鄰苯二甲酸酐及甲基四氫鄰苯二甲酸酐等。
[0068]上述酸酐固化劑優選不具有雙鍵。作為不具有雙鍵的優選的酸酐固化劑，可以舉出:六氫鄰苯二甲酸酐及甲基六氫鄰苯二甲酸酐等。
[0069]上述環氧化合物(A)和上述固化劑(B)的配合比率沒有特別限定。相對於環氧化合物(A) 100重量份，上述固化劑(B)的含量優選為0.5重量份以上，更優選為I重量份以上，進一步優選為2重量份以上，特別優選為3重量份以上，優選為500重量份以下，更優選為300重量份以下，進一步優選為100重量份以下。
[0070]另外，在上述光半導體裝置用白色固化性組合物中，上述環氧化合物(A)整體的環氧當量和上述固化劑(B)的固化劑當量的當量比(環氧當量:固化劑當量)優選為
0.3:1?2:1,更優選為0.5:1?1.5:1。若上述當量比(環氧當量:固化劑當量)滿足上述範圍，則成形體的耐熱性及耐候性更進一步提高。
[0071](氧化鈦(C))
[0072]上述光半導體裝置用白色固化性組合物含有上述氧化鈦(C)，因此可以得到光的反射率較高的成形體。另外，通過使用上述氧化鈦(C)，與僅使用與氧化鈦(C)不同的填充材料的情況相比，可得到光的反射率較高的成形體。上述氧化鈦(C)可以僅使用I種，也可以組合使用2種以上。
[0073]上述氧化鈦(C)優選金紅石型氧化鈦或銳鈦礦型氧化鈦。通過使用金紅石型氧化鈦，可得到耐熱性更進一步優異的成形體，光半導體裝置即使在苛刻的環境下使用，其品質也不易降低。上述銳鈦礦型氧化鈦的硬度比金紅石型氧化鈦低。因此，通過使用銳鈦礦型氧化鈦，上述固化性組合物的成形性更進一步提高。[0074]上述氧化鈦(C)優選含有利用氧化鋁進行了表面處理的金紅石型氧化鈦。上述氧化鈦(C) 100重量％中，上述利用氧化鋁進行了表面處理的金紅石型氧化鈦的含量優選為10重量％以上，更優選為30重量％以上且100重量％以下。上述全部氧化鈦(C)可以為上述利用氧化鋁進行了表面處理的金紅石型氧化鈦。通過使用上述利用氧化鋁進行了表面處理的金紅石型氧化鈦，成形體的耐熱性更進一步提高。
[0075]作為上述利用氧化鋁進行了表面處理的金紅石型氧化鈦，例如可以舉出:金紅石氯法氧化鈦石原產業公司制的商品編號:CR-58及、金紅石硫酸法氧化鈦石原產業公司制的商品編號:R_630等。
[0076]上述光半導體裝置用白色固化性組合物100重量％中，上述氧化鈦(C)的含量優選為3重量％以上,更優選為10重量％以上,進一步優選為15重量％以上,優選為95重量％以下，更優選為90重量％以下，進一步優選為85重量％以下。若上述氧化鈦(C)的含量為上述下限以上及上述上限以下，則成形體的光的反射率更進一步提高，進而成形體的耐熱性提高，在成形體暴露於高溫時不易黃變。
[0077]( 二氧化矽⑶)
[0078]上述光半導體裝置用白色固化性組合物含有上述二氧化矽(D)作為與氧化鈦不同的填充材料。上述二氧化矽(D)含有上述球狀二氧化矽(Dl)和上述破碎二氧化矽(D2)這兩者。上述球狀二氧化矽(Dl)可以僅使用I種，也可以組合使用2種以上。上述破碎二氧化矽(D2)可以僅使用I種，也可以組合使用2種以上。
[0079]作為上述與氧化鈦不同的填充材料的具體例，可以舉出:二氧化矽、氧化鋁、雲母、氧化鈹、鈦酸鉀、鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣、氧化鋯、氧化銻、硼酸鋁、氫氧化鋁、氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、碳酸鋁、矽酸鈣、矽酸鋁、矽酸鎂、磷酸鈣、硫酸鈣、硫酸鋇、氮化矽、氮化硼、燒成粘土等粘土、滑石、碳化矽、交聯丙烯酸樹脂粒子及有機矽粒子等。其中，使用二氧化矽(D)。
[0080]通過上述二氧化矽(D)含有球狀二氧化矽(Dl)和破碎二氧化矽(D2)這兩者，可更進一步抑制在苛刻的環境下的使用而導致的光半導體裝置品質的降低，進而可更進一步抑制電極的變色，且可提高成形體和與該成形體接觸的密封劑或引線框等部件的密合性。進而，通過組合使用上述球狀二氧化矽(Dl)和上述破碎二氧化矽(D2)，成形體的堅韌性更進一步提高，成形體的加工性更進一步提高。另外，通過組合使用上述球狀二氧化矽(Dl)和上述破碎二氧化矽(D2)，成形體的切割性更進一步提高。
[0081]上述球狀二氧化矽(Dl)為球狀。球狀二氧化矽(Dl)是指長寬比為2以下的二氧化矽。球狀二氧化矽(Dl)可以為真球狀，也可以為使球扁平的橢圓球狀，或可以為與這些類似的形狀。上述球狀二氧化矽(Dl)的長寬比也可以低於1.5。
[0082]上述破碎二氧化矽(D2)為經破碎的二氧化矽。上述破碎二氧化矽(D2)的長寬比沒有特別限定。上述破碎二氧化矽(D2)的長寬比優選為1.5以上，優選為20以下。長寬比低於1.5的破碎二氧化矽較昂貴，因此，固化性組合物的成本增高。上述破碎二氧化矽(D2)的長寬比也可以大於2。若上述長寬比為20以下，則上述破碎二氧化矽(D2)容易進行填充。
[0083]上述破碎二氧化矽(D2)的長寬比例如可以通過使用數碼圖像分析方式粒度分布測定裝置(商品名:FPA、日本rufuto公司制)測定上述破碎二氧化矽(D2)的破碎面來求出。[0084]上述球狀二氧化矽(Dl)的平均粒徑為5 μ m以上且100 μ m以下。若上述球狀二氧化矽(Dl)的平均粒徑小於5 μ m，則可抑制光半導體裝置中電極的變色。另外，若上述球狀二氧化矽(Dl)的平均粒徑為5 μ m以上且100 μ m以下，則光半導體裝置在苛刻的環境下使用時品質也不易降低，光半導體裝置的耐PCT特性提高。從更進一步抑制在苛刻的環境下的使用而導致的光半導體裝置的品質的降低，進而更進一步抑制電極變色的觀點考慮，上述球狀二氧化矽(Dl)的平均粒徑優選為10 μ m以上，優選為70 μ m以下，更優選為50 μ m以下。另外，若上述平均粒徑為上述下限以上，則上述固化性組合物的成形性更進一步變得良好。若上述平均粒徑為上述上限以下，則更進一步不易產生成形體外觀不良。
[0085]上述破碎二氧化矽(D2)的平均粒徑優選為0.1 μ m以上，更優選為I μ m以上，優選為100 μ m以下，更優選為30 μ m以下。上述破碎二氧化矽(D2)的平均粒徑特別優選為Iym以上且30μπι以下。若上述破碎二氧化矽(D2)的平均粒徑為上述下限以上及上述上限以下，則可更進一步抑制在苛刻的環境下的使用而導致的光半導體裝置的品質的降低，進而可更進一步抑制電極的變色。另外，若上述平均粒徑為上述下限以上，則上述固化性組合物的成形性更進一步變得良好。若上述平均粒徑為上述上限以下，則更進一步不易產生成形體外觀不良。
[0086]上述球狀二氧化矽(Dl)中的平均粒徑及上述破碎二氧化矽(D2)的平均粒徑為在體積基準粒度分布曲線中累積值為50%時的粒徑值。該平均粒徑可使用例如雷射式粒度分布儀測定。作為該雷射式粒度分布儀的市售品，可以舉出Beckman Coulter公司制「LSI3320」 等。
[0087]上述光半導體裝置用白色固化性組合物100重量％中，上述二氧化矽⑶的含量(球狀二氧化矽(Dl)和破碎二氧化矽(D2)的合計的含量)優選為5重量％以上，更優選為10重量％以上,進一步優選為20重量％以上,優選為95重量％以下,更優選為90重量％以下，進一步優選為85重量％以下。若上述二氧化矽(D)的含量為上述下限以上及上述上限以下，則固化性組合物的成形性更進一步提高。若上述二氧化矽(D)的含量為上述上限以下，則成形體的光反射率更進一步提高。
[0088]上述光半導體裝置用白色固化性組合物100重量％中，上述氧化鈦(C)和上述二氧化矽(D)的合計含量(氧化鈦(C)、球狀二氧化矽(Dl)及破碎二氧化矽(D2)的合計含量)優選為5重量％以上，更優選為10重量％以上，進一步優選為20重量％以上，優選為95重量％以下，更優選為93重量％以下，進一步優選為90重量％以下。若上述氧化鈦(C)和上述二氧化矽(D)的合計含量為上述下限以上及上述上限以下，則固化性組合物的成形性及成形體的光反射率更進一步提高。
[0089]在上述光半導體裝置用白色固化性組合物中，上述球狀二氧化矽(Dl)含量與上述破碎二氧化矽(D2)含量的重量比(球狀二氧化矽(Dl)/破碎二氧化矽(D2))優選為0.3以上且30以下，更優選為I以上且15以下。上述球狀二氧化矽(Dl)的含量及上述破碎二氧化矽(D2)的含量表示上述固化性組合物100重量％中的含量。即，上述光半導體裝置用白色固化性組合物優選以重量比(球狀二氧化矽(Dl):破碎二氧化矽(D2))為1:30?30:1含有上述球狀二氧化矽(Dl)和上述破碎二氧化矽(D2)，更優選以1:15?15:1含有。若上述球狀二氧化矽(Dl)的含量相對變多，則成形體不易變脆，從而成形體的加工性更進一步提高，更進一步在成形體上不易產生龜裂及缺口。若上述破碎二氧化矽(D2)的含量相對變多，則成形體的強度更進一步提高。
[0090](固化促進劑(E))
[0091]上述光半導體裝置用白色固化性組合物中不含或含有固化促進劑(E)。上述光半導體裝置用白色固化性組合物，為了促進上述環氧化合物(A)和上述固化劑(B)的反應，優選含有固化促進劑(E)。通過使用固化促進劑(E)，可以提高固化性組合物的固化性，進而可以提高成形體的耐熱性。固化促進劑(E)可以僅使用I種，也可以組合使用2種以上。
[0092]上述固化促進劑(E)優選含有具有鹼性的固化促進劑。通過使用具有鹼性的固化促進劑，固化性組合物的固化性更進一步變得良好。
[0093]需要說明的是，上述固化促進劑是否具有鹼性可通過以下方法判斷:將固化促進劑Ig放入含有丙酮5g和純水5g的液體IOg中，在80°C下一邊攪拌一邊加熱I小時，接著，通過過濾除去加熱後液體中的不溶成分得到萃取液時，該萃取液的PH為鹼性。
[0094]作為上述固化促進劑(E)，例如可以舉出:脲化合物、鎗鹽化合物、咪唑化合物、磷化合物、胺化合物及有機金屬化合物等。[0095]作為上述脲化合物，可以舉出:脲、脂肪族脲化合物及芳香族脲化合物等。作為上述脲化合物的具體例，可以舉出:脲、甲基脲、1，1-二甲基脲、1，3- 二甲基脲、I, I, 3，3-四甲基脲、1，3- 二苯基脲及三正丁基硫脲等。可以使用除此以外的脲化合物。
[0096]作為上述鐵鹽化合物，可以舉出:按鹽、鱗鐵鹽及琉鐵鹽化合物等。
[0097]作為上述咪唑化合物，可以舉出:2-1烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、I, 2- 二甲基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-1^一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-1^一烷基咪唑鎗偏苯三酸鹽、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎗偏苯三酸鹽、2，4-二氨基-6-[2』 -甲基咪唑基_(1』 )]-乙基-均三嗪、2，4-二氨基-6-[2』 ^一烷基咪唑基_(1』)]-乙基-均三嗪、2，4-二氨基-6-[2』 -乙基-4』 -甲基咪唑基-0- )]-乙基-均三嗪、2，4-二氨基-6-[2』_甲基咪唑基乙基-均三嗪異氰脲酸加成物、2-苯基咪唑異氰脲酸加成物、2-甲基咪唑異氰脲酸加成物、2-苯基-4，5- 二羥基甲基咪唑及2-苯基-4-甲基-5- 二羥甲基咪唑等。
[0098]上述磷化合物含有磷，為含磷化合物。作為上述磷化合物，可以舉出:三苯基膦、四苯基硼四苯基鱗、O，O-二乙基二硫代磷酸四正丁基鱗、四氟硼酸四正丁基鱗、及四苯基硼酸四正丁基鱗等。可以使用除此以外的磷化合物。
[0099]作為上述胺化合物，可以舉出:二乙胺、三乙胺、二亞乙基四胺、三亞乙基四胺、4，4-二甲基氨基吡啶、二氮雜雙環烷烴、二氮雜雙環烯烴、季銨鹽、三亞乙基二胺、及三-2，4，6-二甲基氨基甲基苯酚。可以使用上述化合物的鹽。可以舉出:苯基膦、四苯基硼酸四苯基鱗、O，ο-二乙基二硫代磷酸四正丁基鱗、四氟硼酸四正丁基鱗、四苯基硼酸四正丁基鱗。
[0100]作為上述有機金屬化合物，可以舉出:鹼金屬化合物及鹼土金屬化合物等。作為上述有機金屬化合物的具體例，可以舉出:環烷酸鋅、環烷酸鈷、辛酸錫、辛酸鈷、二乙醯丙酮鈷(II)及三乙醯丙酮鈷(III)等。
[0101]從更進一步提高上述固化性組合物的固化性，進而更進一步提高成形體耐熱性的觀點考慮，上述固化促進劑(E)優選脲化合物、鎗鹽化合物或磷化合物。上述固化促進劑(E)還優選為脲化合物，也優選為鎗鹽化合物，還優選為磷化合物。
[0102]上述環氧化合物㈧和上述固化促進劑(E)的配合比率沒有特別限定。相對於上述環氧化合物(A) 100重量份，上述固化促進劑(E)的含量優選為0.01重量份以上，更優選為0.1重量份以上，優選為100重量份以下，更優選為10重量份以下，進一步優選為5重量份以下。
[0103]相對於上述環氧化合物(A) 100重量份，具有上述鹼性的固化促進劑的含量優選為0.01重量份以上，更優選為0.1重量份以上，優選為100重量份以下，更優選為10重量份以下，進一步優選為5重量份以下。若具有鹼性的固化促進劑的含量為上述下限以上及上述上限以下，則固化性組合物的固化性更進一步提高，更進一步不易產生成形體的成形不均。
[0104](其它的成分)
[0105]上述光半導體裝置用白色固化性組合物可以含有上述氧化鈦(C)及與上述二氧化矽(D)不同的填充材料。
[0106]上述光半導體裝置用白色固化性組合物根據需要可以含有偶聯劑、抗氧化劑、脫模劑、樹脂改性劑、著色劑、稀釋劑、表面處理劑、阻燃劑、粘度調節劑、分散劑、分散助劑、表面改質劑、增塑劑、抗菌劑、抗黴劑、流平劑、穩定劑、防流掛劑或螢光體等。上述稀釋劑可以為反應性稀釋劑，也可以為非反應性稀釋劑。
[0107]作為上述偶聯劑沒有特別限定，可以舉出矽烷偶聯劑及鈦酸酯類偶聯劑。
[0108]作為上述抗氧化劑沒有特別限定，可以舉出:酚類抗氧化劑、磷類抗氧化劑及胺類抗氧化劑等。
[0109]作為上述著色劑沒有特別限定，可以舉出:酞菁、偶氮化合物、重氮化合物、喹吖啶酮、蒽醌、黃士酮、紫環酮、茈、二噁嗪、縮合偶氮化合物、偶氮甲鹼化合物、紅外吸收材料及紫外線吸收劑等各種有機系色素、以及硫酸鉛、鉻黃、鋅黃、鉻朱紅、紫紅、鈷紫、深藍、群青、炭黑、鉻綠、氧化鉻及鈷綠等無機顏料等。
[0110](光半導體裝置用白色固化性組合物的其它的詳細情況及光半導體裝置用成形體)
[0111]本發明的光半導體裝置用白色固化性組合物優選用於得到成形體的光半導體裝置用白色固化性組合物，所述成形體在光半導體裝置中配置在搭載有光半導體元件的引線框上。上述引線框例如為用於支承和固定光半導體元件、實現光半導體元件的電極和外部配線的電連接的部件。上述成形體為光半導體裝置用成形體，優選為光半導體元件搭載用基板。
[0112]由於可得到光反射率較高的成形體，因此，本發明的光半導體裝置用白色固化性組合物優選用於得到成形體的光半導體裝置用白色固化性組合物，所述成形體在光半導體裝置中配置在搭載有光半導體元件的引線框上且在上述光半導體元件的側面，且具有對上述光半導體元件所發出的光進行反射的光反射部。
[0113]由於可得到光反射率較高的成形體，因此，本發明的光半導體裝置用白色固化性組合物優選用於得到成形體的光半導體裝置用白色固化性組合物，所述成形體在光半導體裝置中配置在搭載有光半導體元件的引線框上且包圍上述光半導體元件，且在內面具有對上述光半導體元件發出的光進行反射的光反射部。上述成形體優選具有包圍上述光半導體元件的外壁部，優選具有框部。上述成形體優選為包圍上述光半導體元件的外壁部件，優選為框狀部件。需要說明的是，上述成形體在光半導體裝置中，與用於接合光半導體元件(晶片接合)晶片的接合材料不同。
[0114]本發明的光半導體裝置用白色固化性組合物優選用於在得到多個成形體連接而成的分割前成形體後分割該分割前成形體而得到各個成形體。使用本發明的光半導體裝置用白色固化性組合物的分割前成形體的加工性較高，因此，即使分割該分割前成形體得到各個成形體，在成形體上也可不易產生龜裂及缺口。
[0115]上述光半導體裝置用白色固化性組合物可通過以現有公知的方法混合環氧化合物(A)、固化劑(B)、氧化鈦(C)、二氧化矽(D)以及根據需要所配合的其它的成分來得到。作為製作上述固化性樹脂組合物的一般的方法，可以舉出利用擠出機、捏合機、輥、擠壓機等混煉各成分後，冷卻混煉物並粉碎的方法。從提高分散性的觀點考慮，各成分的混煉優選以熔融狀態進行。混煉的條件可根據各成分的種類及配合量適宜確定。優選在15?150°C下混煉5?120分鐘，更優選在15?150°C下混煉5?40分鐘，進一步優選在20?100°C下混煉10?30分鐘。
[0116]本發明的光半導體裝置用成形體可通過使上述的光半導體裝置用白色固化性組合物固化來得到。使上述光半導體裝置用白色固化性組合物成形為規定的形狀。本發明的光半導體裝置用成形體在光半導體裝置中配置於光半導體元件的側方，且在內面所包圍的區域內填充密封劑以密封上述光半導體元件。本發明的光半導體裝置用成形體具有將上述光半導體元件發出的光導出到外部的開口。成形體，通過使上述光半導體裝置用白色固化性組合物固化而得到，在光半導體裝置中優選用於反射由光半導體元件所發出的光。
[0117]作為使用上述光半導體裝置用白色固化性組合物得到上述光半導體裝置用成形體的方法，可以舉出:壓縮成形法、柱塞壓注法、層疊成形法、注射成形法、擠出成形法及吹塑成形法等。其中，優選柱塞壓注法。
[0118]在柱塞壓注法中，例如可通過在成形溫度100?200°C、成形壓力5?20MPa及成形時間60?300秒鐘的條件下對上述光半導體裝置用白色固化性組合物進行柱塞壓注來得到成形體。
[0119](光半導體裝置的詳細情況及光半導體裝置的實施方式)
[0120]本發明的光半導體裝置具備引線框、搭載在該引線框上的光半導體元件、配置在上述引線框上的成形體、以及密封劑，該成形體通過使上述光半導體裝置用白色固化性組合物固化而得到。上述成形體具有將上述光半導體元件所發出的光導出到外部的開口。上述密封劑配置於上述光半導體元件的側方。上述密封劑填充在上述成形體的內面所包圍的區域內以密封上述光半導體元件。
[0121]在本發明的光半導體裝置中，上述成形體優選配置於上述光半導體元件的側方，且上述成形體的內面為對上述光半導體元件所發出的光進行反射的光反射部。
[0122]在圖1(a)及(b)中以剖面圖及立體圖表示本發明的一實施方式的光半導體裝置。
[0123]本實施方式的光半導體裝置I具有引線框2、光半導體元件3、第一成形體4及第二成形體5。光半導體兀件3優選為發光二極體(LED)。第一成形體4和第二成形體5並非一體形成，而分別是2個部件。第一成形體4和第二成形體5可以一體形成。[0124]在引線框2上搭載、配置有光半導體元件3。另外，在引線框2上配置有第一成形體4。另外，在多個引線框2間和引線框2的下方配置有第二成形體5。在第一成形體4的內側配置有光半導體元件3。在光半導體元件3的側面配置有第一成形體4，且使其包圍光半導體元件3。第一、第二成形體4、5為上述的光半導體裝置用白色固化性組合物的固化物，通過使上述的光半導體裝置用白色固化性組合物固化而得到。因此，第一成形體4具有光反射性，在內面4a具有光反射部。即，第一成形體4的內面4a為光反射部。因此，光半導體元件3的周圍被第一成形體4的具有光反射性的內面4a包圍。
[0125]第一成形體4的內面4a以伴隨內面4a的直徑朝開口端逐漸變大的方式形成。因此，在光半導體元件3所發出的光中，箭頭B所示的到達內面4a的光由內面4a反射，前進到光半導體元件3的前方。
[0126]光半導體元件3用晶片接合材料6連接於引線框2上。設置於光半導體元件3的接合襯墊(未圖示)和引線框2由接合線7電連接。在由第一成形體4的內面4a所包圍的區域內填充密封劑8以密封光半導體元件3及接合線7。
[0127]在光半導體裝置I中，若驅動光半導體兀件3,則如虛線A所發出光。在光半導體裝置I中，不僅存在由光半導體元件3照射到與引線框2的上面反方向即上方的光，也存在到達第一成形體4的內面4a的光如箭頭B所示那樣反射的光。因此，由光半導體裝置I導出的光的亮度明亮。
[0128]需要說明的是，圖1所示的結構只是本發明的光半導體裝置的一個例子，可對成形體的結構及光半導體元件的實裝結構等進行適宜變形。
[0129]另外，如圖2所示，準備多個光半導體裝置用部件連接而成的分割前光半導體裝置用部件11，將分割前光半導體裝置用部件11在虛線X所示的部分切斷，可以得到各個光半導體裝置用部件。分割前光半導體裝置用部件11具有分割前引線框2A、分割前第一成形體4A及分割前第二成形體5A。得到各個光半導體裝置用部件後，搭載光半導體元件3，利用密封劑8密封該光半導體元件3，可以得到光半導體裝置I。若將分割前引線框2A在虛線X所示的部分切斷，則可得到引線框2。若將分割前第一成形體4A在虛線X所示的部分切斷，則可得到第一成形體4。若將分割前第二成形體5A在虛線X所示的部分切斷，則可得到第二成形體5。
[0130]進而，如圖3所示，準備多個分割前光半導體裝置連接而成的分割前光半導體裝置12，將分割前光半導體裝置12在虛線X所示的部分切斷，可以得到各個光半導體裝置。分割前光半導體裝置12具有分割前引線框2A、分割前第一成形體4A及分割前第二成形體5A。另外，與圖1所示的光半導體裝置I相同，在分割前光半導體裝置12中，在分割前引線框2A上搭載、配置有光半導體元件3。需要說明的是，在圖2、3中，在分割前光半導體裝置用部件11及分割前光半導體裝置12中，多個成形體連接而形成分割前成形體，但也可以分割多個成形體未連接的分割前光半導體裝置用部件及分割前光半導體裝置而得到光半導體裝置用部件及光半導體裝置。
[0131]下面，通過舉出本發明的具體的實施例及比較例，明確本發明。本發明並不限定於以下的實施例。
[0132]在實施例及比較例中，使用以下的材料。
[0133](環氧化合物(A))[0134]1)CELL0XIDE2021P (環氧化合物(Al)、3，4_環氧環己烯基甲基_3』，4』-環氧環己烯羧酸酯、環氧當量126、DAICEL公司制)
[0135]2)EPOLEAD GT401 (環氧化合物(Al)、多官能脂環式環氧樹脂、環氧當量220、DAICEL公司制)
[0136]3)EHPE3150(環氧化合物(A2)、具有脂環式骨架的環氧樹脂、環氧當量177、DAICEL公司制)
[0137]4)ST_4000D (環氧化合物(A2)、氫化雙酚A型環氧樹脂、環氧當量700、新日鐵住金化學公司制)
[0138]5)TEPIC(異氰脲酸三縮水甘油酯、具有氮原子、環氧當量100、日產化學公司制)
[0139]6) YD-127 (雙酚A型環氧樹脂、具有芳香族骨架、環氧當量190、新日鐵住金化學公司制)
[0140](固化劑(B))
[0141]I)RIKACID MH-700(六氫鄰苯二甲酸酐和甲基六氫鄰苯二甲酸酐的混合物、不具有鹼性、新日本理化公司制)
[0142]2) RIKACID HH(六氫鄰苯二甲酸酐、不具有鹼性、新日本理化公司制)
[0143](氧化鈦(C))
[0144]1)CR_90(金紅石型氧化鈦、利用Al、Si進行表面處理、石原產業公司制)
[0145]2)CR_58(金紅石型氧化鈦、利用Al進行表面處理、石原產業公司制)
[0146](球狀二氧化矽(Dl))
[0147]l)HS-305(球狀二氧化矽、平均粒徑80ym、Micron公司制)
[0148]2)MSR_3512(球狀二氧化矽、平均粒徑30 μ m、龍森公司制)
[0149]3)MSR_22(球狀氧化鋁、平均粒徑23 μ m、龍森公司制)
[0150]4) SE-8 (球狀二氧化娃、平均粒徑9 μ m、Tokuyama公司制)
[0151](破碎二氧化矽(D2))
[0152]1)3K_S(破碎二氧化矽、平均粒徑35μπι、長寬比超過2且5以下、龍森公司制)
[0153]2)ΝΧ_7(破碎二氧化矽、平均粒徑13 μ m、長寬比超過2且5以下、龍森公司制)
[0154]3)CMC_12(破碎二氧化矽、平均粒徑5μπκ長寬比超過2且5以下、龍森公司制)
[0155](其它的填充材料)
[0156]1)HSP_2000(球狀二氧化矽、平均粒徑2μπκ東亞合成公司制)
[0157](固化促進劑(E))
[0158]1)ΡΧ-4ΕΤ(ο, ο- 二乙基二硫代磷酸四正丁基鱗、具有鹼性、日本化學工業公司制)
[0159](實施例1?18及比較例I?8)
[0160]以下述表1、2所示的配合量配合(配合單位為重量份)下述表1、2所示的各成分，用混合機(LABOPLASTOMILL R-60、東洋精機製作所公司制)混合15分鐘，得到混煉物。
[0161](評價)
[0162](I)耐 PCT 特性
[0163]將得到的混煉物在40°C下熱處理30小時，使其固化。粉碎固化的混煉物，成形片狀物(固化性組合物)。
[0164]在銅材料(TAMAC194)上通過蝕刻形成迴路後，實施鍍銀，得到厚度為0.2mm的引線框。使用柱塞壓注法裝置(TO W A公司制「YPS-MP」)，利用MAP成形法以栓塞壓注(成形溫度170°C、成形時間3分鐘)在上述引線框上製作通過使上述固化性組合物固化而得到的成形體，製作具備成形體的光半導體裝置搭載用基板。作為模具，使用配置為縱15個X橫10個的基體狀的具有150個凹部(光半導體元件搭載部)的總括成形用模。每I個模腔尺寸設為6mmX 3mm、深度5mm。將得到的成形體在170°C下後固化2小時。後固化後的成形體上具有毛刺的情況下，使用AX-930(Rix公司制)除去毛刺。
[0165]接著，使用有機矽樹脂粘接劑在後固化後的成形體上載置以InGaN為發光層的藍寶石基板的藍色發光的發光元件。將發光元件和引線框使用直徑為30 μ m的金線進行電連接。分別向底面載置有發光元件的成形體的凹部滴加密封劑。密封劑含有矽樹脂100重量份和YAG螢光體30重量份。滴加後，在150°C下固化密封劑3小時。最後，從引線框切出，得到白色發光的光半導體裝置。
[0166]將得到的光半導體裝置在121°C、溼度100%、203kPa的條件下進行60小時或120小時加速試驗(PCT試驗)。以下述的基準判定耐PCT特性。
[0167][耐PCT特性的判定基準]
[0168]OO:加速試驗120小時後，沒有未點亮的光半導體裝置，沒有密封劑的剝離，且密封劑未產生龜裂
[0169]O:加速試驗60小時後，沒有未點亮的光半導體裝置，沒有密封劑的剝離，且密封劑未產生龜裂，但加速試驗120小時後，有未點亮的光半導體裝置，或產生密封劑的剝離，或密封劑產生龜裂
[0170]X:加速試驗60小時後，有未點亮的光半導體裝置，或產生密封劑的剝離，或密封劑產生龜裂
[0171](2)電極的變色
[0172]準備上述(I)耐PCT特性評價中得到的光半導體裝置。在可密封的200mL的玻璃瓶中放入0.2g的硫以及上述光半導體裝置。密封上述玻璃瓶，在70°C的烘箱內加熱15小時或30小時後，取出光半導體裝置。通過目視觀察取出的光半導體裝置。以下述的基準判定電極的變色。
[0173][電極的變色的判定基準]
[0174]OO:加熱30小時後，在與成形體及密封劑接觸的電極部分中，鍍銀未變色
[0175]O:加熱15小時後，在與成形體及密封劑接觸的電極部分中，鍍銀未變色，但加熱30小時後，在與成形體及密封劑接觸的電極部分中，鍍銀變色
[0176]X:加熱15小時後，在與成形體及密封劑接觸的電極部分中，鍍銀變色
[0177](3)引線框和成形體的密合性
[0178]將得到的混煉物在40°C下熱處理30小時，使其固化。粉碎固化的混煉物，成形片狀物(固化性組合物)。
[0179]在銅材料(TAMAC194)上利用蝕刻形成迴路後，實施鍍銀，得到厚度為0.2mm的引線框。在引線框上搭載上述固化性組合物0.2g，在上述固化性組合物上載置3mmX3mm大小的矽晶片。然後，在170°C下加熱2小時使上述固化性組合物固化，得到樣品。
[0180]對得到的樣品使用模剪切測試儀(Rhesca公司制「PTR-1102」)測定引線框和成形體的模剪切強度。以下述的基準判定引線框和成形體的密合性。[0181][引線框和成形體的密合性]
[0182]OO:模具剪切強度為30N以上
[0183]O:模具剪切強度為ION以上且低於30N
[0184]X:模具剪切強度低於ION
[0185]將結果示於下述的表1、2。
【權利要求】
1.一種白色的光半導體裝置用白色固化性組合物，其用於得到成形體，所述成形體在光半導體裝置中配置於光半導體元件的側方，並用於在由其內面所包圍的區域內填充密封劑以密封所述光半導體元件，所述成形體具有將由所述光半導體元件發出的光導出到外部的開口，其中， 所述光半導體裝置用白色固化性組合物含有具有環氧基的環氧化合物、酸酐固化劑、氧化鈦、球狀二氧化矽和破碎二氧化矽， 所述球狀二氧化矽的平均粒徑為5 μ m以上且100 μ m以下。
2.如權利要求1所述的光半導體裝置用白色固化性組合物，其中，所述破碎二氧化矽的長寬比為1.5以上且20以下。
3.如權利要求1或2所述的光半導體裝置用白色固化性組合物，其中，所述破碎二氧化矽的平均粒徑為I μ m以上且30 μ m以下。
4.如權利要求1~3中任一項所述的光半導體裝置用白色固化性組合物，其中，所述氧化鈦為金紅石型氧化鈦。
5.如權利要求1~4中任一項所述的光半導體裝置用白色固化性組合物，其中，所述環氧化合物不具有芳香族骨架，構成所述環氧化合物的原子僅為碳原子、氧原子及氫原子這3種。
6.如權利要求1~5中任一項所述的光半導體裝置用白色固化性組合物，其中，所述環氧化合物具有脂環式骨架。
7.如權利要求6所述的光半導體裝置用白色固化性組合物，其中，所述環氧化合物包含具有脂環式骨架且環氧基的2個碳原子為脂環式骨架的碳原子的環氧化合物。
8.如權利要求6所述的光半導體裝置用白色固化性組合物，其中，所述環氧化合物包含具有脂環式骨架但環氧基的2個碳原子不是脂環式骨架的碳原子的環氧化合物。
9.如權利要求6所述的光半導體裝置用白色固化性組合物，其中，所述環氧化合物包含具有脂環式骨架且環氧基的2個碳原子為脂環式骨架的碳原子的環氧化合物和具有脂環式骨架但環氧基的2個碳原子不是脂環式骨架的碳原子的環氧化合物這兩者。
10.如權利要求1~9中任一項所述的光半導體裝置用白色固化性組合物，其用於得到在光半導體裝置中配置在搭載有光半導體元件的引線框上的成形體。
11.如權利要求1~10中任一項所述的光半導體裝置用白色固化性組合物，其用於得到在光半導體裝置中配置在搭載有光半導體元件的引線框上成形體，其中， 該組合物用於在得到多個成形體連接而成的分割前成形體之後，對所述分割前成形體進行分割而得到各個成形體。
12.如權利要求1~11中任一項所述的光半導體裝置用白色固化性組合物，其用於得到如下成形體，所述成形體在光半導體裝置中配置在搭載有光半導體元件的引線框上，並配置在上述光半導體元件的側面，且具有光反射部，所述光反射部用於反射由所述光半導體元件發出的光。
13.一種光半導體裝置用成形體，其在光半導體裝置中配置於光半導體元件的側方，並用於在由其內面所包圍的區域內填充密封劑以密封所述光半導體元件，所述成形體具有將由所述光半導體元件發出的光導出到外部的開口， 所述成形體是通過使權利要求1~12中任一項所述的光半導體裝置用白色固化性組合物固化而得到的。
14.一種光半導體裝置，其具備引線框、搭載在所述引線框上的光半導體元件、配置在所述引線框上的成形體、以及密封劑， 所述成形體通過使權利要求1~12中任一項所述的光半導體裝置用白色固化性組合物固化而得到， 所述成形體具有將由所述光半導體元件發出的光導出到外部的開口， 所述密封劑配置於所述光半導體元件的側方， 所述密封劑填充在所述成形體的內面所包圍的區域內以密封所述光半導體元件。
15.如權利要求14所述的光半導體裝置，其中，所述成形體配置於所述光半導體元件的側方，且所述成形體的內面為`反射由所述光半導體元件發出的光的光反射部。
【文檔編號】H01L23/08GK103890936SQ201380003620
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2013年3月18日 優先權日:2012年3月30日
【發明者】鹿毛崇至, 樋口勳夫, 福田崇志, 保井秀文, 中村秀, 渡邊貴志 申請人:積水化學工業株式會社