銅合金材料及其製造方法與流程

2023-10-11 05:41:24 1

本發明涉及銅合金材料及其製造方法，特別是涉及包括半導體裝置中使用的引線框在內的電氣電子部件中使用的銅合金材料及其製造方法。

背景技術：

用於ic、lsi等半導體裝置的引線框通過將銅合金材料衝壓加工而形成，此時，在材料中殘留加工變形。如果殘留有該加工變形，則在進行後續工序的蝕刻時，在材料中發生翹曲，引線框的引腳(leadpin)間隔的尺寸精度降低。因此，通常對衝壓加工後的引線框施以400～450℃下的熱處理，去除加工變形，但已知銅合金的結晶組織在該熱處理時再結晶化，從而具有銅合金材料的強度降低的傾向。因此，引線框中所使用的電子設備用銅合金材料必須具備即使實施上述熱處理，強度也不降低的特性(耐熱性)。

此外，對於引線框用銅合金材料，除了具備用於適用於小型化的部件的高強度和用於抑制部件的發熱的高導電率以外，也要求兼具用於提高部件成型的自由度的良好的彎曲加工性。

作為滿足這樣的要求的銅合金材料，廣泛地提供了cu-ni-sn-p系合金。cu-ni-sn-p系合金能夠通過使ni-p系的化合物析出而兼具高強度、高導電率和良好的彎曲加工性。

在專利文獻1～9中研究了通過控制析出物的尺寸、分布，從而除了具有拉伸強度、導電率、彎曲加工性以外，兼具彈性、耐應力緩和特性、衝壓加工性、耐蝕性、鍍敷性、焊料潤溼性、耐遷移性、熱加工性等各種特性。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平4-154942號公報

專利文獻2：日本特開平4-236736號公報

專利文獻3：日本特開平10-226835號公報

專利文獻4：日本特開2000-129377號公報

專利文獻5：日本特開2000-256814號公報

專利文獻6：日本特開2001-262255號公報

專利文獻7：日本特開2001-262297號公報

專利文獻8：日本特開2006-291356號公報

專利文獻9：日本特開2007-100111號公報

技術實現要素：

發明要解決的課題

cu-ni-sn-p系合金是兼具高強度、高導電率和良好的彎曲加工性的優異的合金系，但對於在衝壓加工後的引線框中所實施的400～450℃的熱處理的耐熱性難以說充分。

在專利文獻1～9中，雖然均嘗試了各材料特性的改進，但並沒有著眼於耐熱性的提高。

鑑於上述實際情況，本發明的目的在於提供除了具有高強度、高導電率和良好的彎曲加工性以外還兼具良好的耐熱性的銅合金材料及其製造方法。用於解決課題的手段

本發明人對於在包括引線框在內的電氣電子部件中使用的cu-ni-sn-p系合金進行研究，發現通過具有含有0.05～1.2質量％的ni、0.01～0.15質量％的p和0.05～2.5質量％的sn的合金組成，並用fe-sem觀察電解拋光後的材料表面，每1μm×1μm的視野面積中，使粒徑為5～30nm的化合物粒子的個數比例為20個/μm2以上，使粒徑超過30nm的化合物粒子的個數比例為1個/μm2以下，從而得到不僅具備高強度、高導電率和良好的彎曲加工性而且還兼具良好的耐熱性的銅合金材料，完成了本發明。

即，本發明的主要特徵如下所述。

(1)銅合金材料，其特徵在於，具有如下的合金組成：含有0.05～1.2質量％的ni、0.01～0.15質量％的p和0.05～2.5質量％的sn，其餘部分由cu和不可避免的雜質組成；用fe-sem觀察電解拋光後的材料表面，每1μm×1μm的視野面積中，粒徑為5～30nm的化合物粒子的個數比例為20個/μm2以上，粒徑超過30nm的化合物粒子的個數比例為1個/μm2以下。

(2)銅合金材料，其特徵在於，具有如下的合金組成：含有0.05～1.2質量％的ni、0.01～0.15質量％的p和0.05～2.5質量％的sn，進一步含有選自fe、zn、pb、si、mg、zr、cr、ti、mn和co中的至少1種成分，fe為0.001～0.1質量％，zn為0.001～0.5質量％，pb為0.001～0.05質量％，si為0.001～0.1質量％，mg為0.001～0.3質量％，zr為0.001～0.15質量％，cr為0.001～0.3質量％，ti為0.001～0.05質量％，mn為0.001～0.2質量％且co為0.001～0.2質量％，並且在含有mg、zr、cr、ti、mn和co中的2種以上時的合計含量為0.001～0.5質量％，其餘部分由cu和不可避免的雜質組成；用fe-sem觀察電解拋光後的材料表面，每1μm×1μm的視野面積中，粒徑為5～30nm的化合物粒子的個數比例為20個/μm2以上，粒徑超過30nm的化合物粒子的個數比例為1個/μm2以下。

(3)上述(1)或(2)所述的銅合金材料，其特徵在於，含有0.05～0.5質量％的sn，拉伸強度為400mpa以上，導電率為50％iacs以上。

(4)上述(1)或(2)所述的銅合金材料，其特徵在於，含有超過0.5質量％且2.5質量％以下的sn，拉伸強度為500mpa以上，導電率為25％iacs以上。

(5)上述(1)～(4)中任一項所述的銅合金材料的製造方法，其特徵在於，包括下述(a)～(e)的工序：

(a)使直至300℃的冷卻速度為30℃/分鐘以上的熔解鑄造工序；

(b)以5℃/分鐘以上升溫，在600～1000℃下保持30分鐘～10小時的均質化熱處理工序；

(c)使直至300℃的冷卻速度為30℃/分鐘以上的熱軋工序；

(d)使加工率為80％以上的冷軋工序；和

(e)在350～600℃下保持5秒～10小時的退火工序。

發明的效果

根據本發明，通過具有如下的合金組成：含有0.05～1.2質量％的ni、0.01～0.15質量％的p和0.05～2.5質量％的sn，其餘部分由cu和不可避免的雜質組成，用fe-sem觀察電解拋光後的材料表面，每1μm×1μm的視野面積中，使粒徑為5～30nm的化合物粒子的個數比例為20個/μm2以上，使粒徑超過30nm的化合物粒子的個數比例為1個/μm2以下，從而可以提供除了具有高強度、高導電率和良好的彎曲加工性以外還兼具良好的耐熱性的銅合金材料。

附圖說明

圖1為採用fe-sem以倍率：50000倍觀察本發明的銅合金材料(實施例14)的電解拋光後的表面時的sem照片。

圖2為採用fe-sem以倍率：50000倍觀察比較例22的電解拋光後的表面時的sem照片。

具體實施方式

以下對於本發明的銅合金材料的優選實施方式詳細地說明。

(銅合金材料的成分組成)

本發明的銅合金材料的基本組成為含有0.05～1.2質量％的ni、0.01～0.15質量％的p和0.05～2.5質量％的sn，其餘部分為cu和不可避免的雜質。

[必須含有的成分]

(ni：0.05～1.2質量％)

ni是通過固溶於母相，而且與p形成化合物，從而使強度增加的元素。此外，ni具有如下效果：通過與p生成化合物，使該生成物析出，從而在提高導電率的同時也使耐熱性提高。但是，如果ni含量低於0.05質量％，則無法充分地發揮其效果，此外，如果超過1.2質量％，則導電率顯著地下降。因此，ni含量設為0.05～1.2質量％，優選設為0.10～1.00質量％，更優選設為0.10～0.40質量％。

(p：0.01～0.15質量％)

p為通過與ni生成化合物從而有助於強度的增加、導電率的上升和耐熱性的提高的元素。但是，如果p含量低於0.01質量％，則無法充分地獲得其效果，此外，如果超過0.15質量％，則引起導電率的下降、粗大(例如粒徑超過30nm)的化合物粒子的生成導致的彎曲加工性的下降、微細(例如粒徑為5～30nm)的化合物的生成比例減少所導致的耐熱性的下降、加工性的下降。因此，p含量設為0.01～0.15質量％，優選設為0.01～0.10質量％，更優選設為0.05～0.10質量％。

(sn：0.05～2.5質量％)

sn為通過固溶於母相從而有助於強度的增加和耐熱性的提高的元素。但是，如果sn含量低於0.05質量％，則無法充分地獲得其效果，此外，如果超過2.5質量％，則引起導電率的下降、熱加工性的劣化。因此，sn含量設為0.05～2.5質量％。需要說明的是，在拉伸強度與導電率中特別重視導電率的情況下，優選將sn含量限定於0.05～0.5質量％，此時拉伸強度為400mpa以上，且能夠具備50％iacs以上的高導電率，此外，特別重視拉伸強度的情況下，優選將sn含量限定於超過0.5質量％且2.5質量％以下，此時為25％iacs以上的導電率，且能夠具備500mpa以上的高拉伸強度。

[任意添加成分]

在本發明中，必須含有上述的ni、p和sn作為基本組成，可進一步選擇性地含有選自fe、zn、pb、si、mg、zr、cr、ti、mn和co中的至少1種成分作為任意添加成分。

(fe：0.001～0.1質量％)

fe為通過與p形成化合物從而有助於強度的增加、耐熱性的提高的元素，為發揮該效果，優選使fe含量為0.001質量％以上。但是，如果fe含量多於0.1質量％，則材料變得容易帶有磁性，如果材料帶有磁性，則有可能使引線框中的傳送信號的傳輸特性劣化。因此，fe含量優選設為0.001～0.1質量％，更優選0.001～0.05質量％，進一步優選0.001～0.01質量％。

(zn：0.001～0.5質量％)

zn是通過固溶於母相從而有助於強度的增加、焊料潤溼性的提高、鍍敷性的提高的元素，為發揮該效果，優選使zn含量為0.001質量％以上。但是，如果zn含量多於0.5質量％，則存在導電率降低的傾向。因此，zn含量優選為0.001～0.5質量％，更優選0.01～0.5質量％，進一步優選0.1～0.5質量％。

(pb：0.001～0.05質量％)

pb為有助於衝壓加工性的提高的元素，為發揮該效果，優選使pb含量為0.001質量％以上。但是，即使使pb含量多於0.05質量％，也無法確認效果的進一步提高，此外，從近年的環境保護的觀點考慮，希望極力抑制pb含量。因此，優選使pb含量為0.001～0.05質量％，更優選0.001～0.01質量％。

(si：0.001～0.1質量％)

si為有助於強度的增加的元素，為發揮該效果，優選使si含量為0.001質量％以上。但是，如果使si含量多於0.1質量％，則有可能發生導電率的下降、粗大化合物的生成導致的彎曲加工性的劣化。因此，si含量優選0.001～0.1質量％，更優選0.01～0.1質量％。

(mg：0.001～0.3質量％)

mg為有助於強度的增加、耐熱性的提高的元素。此外，例如，在電子部件的彈性接點等處，有助於耐應力緩和特性的提高。為發揮這些效果，優選使mg含量為0.001質量％以上。但是，如果使mg含量多於0.3質量％，則有可能發生導電率的下降、鑄造時夾雜物的形成。因此，mg含量優選0.001～0.3質量％，更優選0.01～0.3質量％。

(zr：0.001～0.15質量％)

zr為有助於強度的增加、耐熱性的提高的元素。此外，例如，在電子部件的彈性接點等處，有助於耐應力緩和特性的提高。為發揮這些效果，優選使zr含量為0.001質量％以上。但是，如果使zr含量多於0.15質量％，則有可能發生導電率的下降、熱加工時的斷裂。因此，zr含量優選0.001～0.15質量％，更優選0.01～0.1質量％。

(cr：0.001～0.3質量％)

cr為有助於強度的增加、耐熱性的提高的元素，為發揮該效果，優選使cr含量為0.001質量％以上。但是，如果使cr含量多於0.3質量％，則有可能發生鑄造時的結晶物的產生引起的彎曲加工性的下降。因此，cr含量優選0.001～0.3質量％，更優選0.01～0.3質量％。

(ti：0.001～0.05質量％)

ti為有助於強度的增加、耐熱性的提高的元素。此外，例如，在電子部件的彈性接點等處，有助於耐應力緩和特性的提高。為發揮這些效果，優選使ti含量為0.001質量％以上。但是，如果使ti含量多於0.05質量％，則有可能發生導電率的下降、鑄塊表面的鑄件表面異常。因此，ti含量優選0.001～0.05質量％，更優選0.01～0.05質量％。

(mn：0.001～0.2質量％)

mn為有助於強度的增加、耐熱性的提高、熱加工性的提高的元素，為發揮該效果，優選使mn含量為0.001質量％以上。但是，如果使mn含量多於0.2質量％，則有可能發生導電率的下降。因此，mn含量優選0.001～0.2質量％，更優選0.01～0.2質量％。

(co：0.001～0.2質量％)

co為有助於強度的增加、熱加工性的提高的元素，為發揮該效果，優選使co含量為0.001質量％以上。但是，如果使co含量多於0.2質量％，則有可能發生導電率的下降。因此，co含量優選0.001～0.2質量％，更優選0.01～0.2質量％。

(含有mg、zr、cr、ti、mn和co中的2種以上時的合計含量：0.001～0.5質量％)

mg、zr、cr、ti、mn和co通過與p形成化合物，從而有助於強度的增加、耐熱性的提高。這些元素的添加量優選0.001～0.5質量％，更優選0.01～0.5質量％，進一步優選0.1～0.5質量％。大於0.5質量％的情況下，有可能發生導電率的下降、粗大化合物的形成導致的彎曲加工性的降低。

(化合物粒子)

在本發明中，通過用fe-sem觀察電解拋光後的材料表面，使每1μm×1μm的視野面積中，粒徑為5～30nm的化合物粒子的個數比例為20個/μm2以上，且粒徑超過30nm的化合物粒子的個數比例為1個/μm2以下，從而能夠得到除了具有高強度、高導電率和良好的彎曲加工性以外還兼具良好的耐熱性的銅合金材料。在此所說的「化合物粒子」是指在鑄造時所形成的夾雜物、結晶物、在鑄造凝固後所形成的析出物的總稱。此外，化合物粒子的粒徑是指長徑的長度。每1μm×1μm的視野面積中，粒徑為5～30nm的微細的化合物粒子的個數比例為20個/μm2以上時，通過微細化合物粒子可獲得充分的銷釘固定效果，由此抑制再結晶，並獲得良好的耐熱性。另一方面，在微細的化合物粒子的個數比例小於20個/μm2的情況下，無法獲得良好的耐熱性。此外，通過使粒徑超過30nm的粗大化合物粒子的個數比例為1個/μm2以下，可獲得良好的彎曲加工性。如果粗大化合物粒子的個數比例超過1個/μm2，則粗大化合物粒子成為破壞的起點，彎曲加工性顯著地劣化。並且，此時，如果大量地形成粗大化合物粒子，則存在微細的化合物粒子的個數比例減少的傾向，因此耐熱性也有可能惡化。以往，化合物粒子的分散狀態多是使用透射型電子顯微鏡(tem)觀察，用視野中的個數、面積率表現，但這些數值依賴於試驗片的厚度。但是，使為了用於tem而製作的試驗片的厚度難以相同一致，此外，即使利用相同的試驗片測定，也有可能因測定次數而導致稍微不同的結果。因此，在本發明中，使用不依賴於試驗片的厚度的場致發射型掃描電子顯微鏡(fe-sem)評價了化合物粒子的個數比例。

(銅合金材料的製造方法)

接下來，對於本發明的銅合金材料的製造方法進行說明。

本發明的銅合金材料通常通過進行熔解鑄造→均質化熱處理→熱軋→冷軋→退火→精軋而製造。在各工序之間，根據需要可適當地進行表面切削、拋光研磨、酸洗、脫脂等。此外，冷軋與退火可反覆進行多次，可進一步在精軋後施以低溫退火。在本發明的製造方法中，重要的是在熔解鑄造、均質化熱處理和熱軋中極力不使粗大化合物粒子生成，並在其後的冷軋和退火中使微細的析出物大量生成。本發明的製造方法雖然是與以往相同程度的工序數，但通過適當地調整各個工序條件，從而能夠實現材料特性的提高。

熔解鑄造採用一般的方法實施即可，在本發明中，鑄造時，以30℃/分鐘以上的冷卻速度冷卻至300℃，這從抑制冷卻時的結晶、析出，並抑制粗大化合物粒子的生成方面考慮是優選的。這是因為，如果上述冷卻速度小於30℃/分鐘，則無法充分地抑制冷卻時的結晶、析出，存在容易生成粗大化合物粒子的傾向。

均質化熱處理是為了使熔解鑄造中生成的粗大化合物粒子固溶於母相、形成固溶化狀態而實施的處理。均質化熱處理優選在600～1000℃下保持30分鐘～10小時。以往，並未重視均質化熱處理的升溫速度，但在本發明中，為了得到規定的材料組織，特別需要將升溫速度控制在5℃/分鐘以上，優選控制在10℃/分鐘以上。這是因為，如果升溫速度小於5℃/分鐘，則在熔解鑄造中形成的粗大化合物粒子在升溫時生長，在其後的均質化熱處理中無法將粗大化合物粒子充分溶於母相而容易殘存，在最終特性上使彎曲加工性劣化。此外，由於微細的化合物粒子的個數比例也減少，因此耐熱性也惡化。這是因為，在滿足保持溫度低於600℃和保持時間低於30分鐘的至少之一的情況下，沒有在母相中完全固溶的粗大化合物粒子容易殘存，在最終特性中彎曲加工性有可能劣化，此外，在保持溫度超過1000℃的情況下，在後續的熱軋工序中，有可能發生熱加工斷裂。需要說明的是，從固溶化的效果的飽和、實際製造中的時間限制的觀點考慮，優選使保持時間的上限為10小時。

熱軋優選在550～950℃下實施。在本發明中，特別是需要使冷卻至300℃的冷卻速度為30℃/分鐘以上。這是因為，如果冷卻至300℃的冷卻速度小於30℃/分鐘，則在冷卻中粗大化合物粒子容易析出，對最終特性造成不良影響。

熱軋後的冷軋優選以80％以上的加工率實施。這是因為，如果加工率低於80％，則無法在材料內均勻地導入形變，在之後的退火中微細的化合物粒子析出時，有可能在材料內析出狀態產生差異。

退火優選在350～600℃下保持5秒～10小時。這是因為，如果與上述的範圍相比是低溫短時間，則微細的化合物粒子的析出不充分，有可能發生強度和導電率的降低，此外，如果與上述的範圍相比是高溫長時間，則粗大化合物粒子析出，有可能發生彎曲加工性的劣化、耐熱性的惡化。

對精軋的加工率並無特別限定，但為了獲得良好的彎曲加工性，優選使其為60％以下。

在精軋後，可以在250～400℃下實施2秒～5小時的低溫退火。通過低溫退火，能夠使材料的彈性、耐應力緩和特性提高。這是因為，如果與上述的範圍相比是低溫短時間，則有可能無法獲得低溫退火的效果，此外，如果與上述的範圍相比是高溫長時間，則微細的化合物粒子粗大地生長，有可能對彎曲加工性、耐熱性造成不良影響。此外，材料進行再結晶，有可能無法獲得所期望的強度。

本發明的銅合金材料通過控制具有規定的合金組成的cu-ni-sn-p系銅合金中的化合物粒子的尺寸和量，從而除了具有高強度、高導電率和良好的彎曲加工性以外，能夠進一步兼具耐熱性。因此，本發明的銅合金材料適合用於包括引線框在內的電氣電子部件。

實施例

以下基於實施例更詳細地說明本發明，但本發明並不限定於這些實施例。

(實施例1～26和比較例1～22)

以下基於實施例更詳細地說明本發明，但本發明並不限定於此。

將合金成分熔解，邊以30℃/分鐘以上的冷卻速度冷卻至300℃邊鑄造，製作具有表1中所示的成分組成的鑄塊後，以表2中所示的升溫速度升溫，實施在600～1000℃下保持30分鐘至10小時的均質化熱處理，接下來，實施熱軋。在熱軋後，以表2中所示的直至300℃的冷卻速度冷卻，然後，通過表面切削除去表面氧化層，以80％以上的加工率實施了冷軋。然後進一步在350～600℃下實施5秒～10小時的退火，接下來，以60％以下的加工率實施精軋，最後在250～400℃下進行2秒～5小時的低溫退火，製造了板厚0.5mm的銅合金材料。

對這樣製造的供試材料，實施了下述評價。

(組織觀察)

將從製造的各銅合金材料(供試材料)採取的試驗片(尺寸：20mm×20mm)的表面(20μm)用磷酸系水溶液電解拋光後，採用fe-sem，以10000～100000倍觀察材料表面。對1μm×1μm的範圍任意觀察3個視野，計測在該視野範圍內存在的、粒徑為5～30nm的微細的化合物粒子的個數和粒徑超過30nm的粗大化合物粒子的個數。然後，將計測的個數換算為每1μm×1μm(1μm2)的視野面積中的個數比例。換算的個數比例四捨五入，用整數表示微細的化合物粒子，另外，關於粗大化合物粒子，表示到小數點後第二位的數字。

(拉伸強度的測定)

如下測定拉伸強度：採用3個從各供試材料沿著軋制平行方向切出的jisz2241：2011的附件b中規定的5號試驗片，按照jisz2241：2011中規定的「金屬材料拉伸試驗方法」測定3個試樣。將它們的拉伸強度的平均值示於表2。

(導電率的測定)

在保持在20℃(±0.5℃)的恆溫槽中，採用四端子法測量比電阻值，由測量的比電阻值算出導電率。需要說明的是，使端子間距離為100mm。

(彎曲加工性)

基於jcbat307：2007實施彎曲試驗。對於板寬10mm的試驗片，針對曲軸為垂直於軋制方向的方向(g.w.方向)和平行於軋制方向的方向(b.w.方向)，分別以內側彎曲半徑0.5mm進行彎曲角度為90°的w彎曲。在包括引線框在內的電氣電子部件中，設想g.w.方向及b.w.方向的兩方向的彎曲加工，因此採用光學顯微鏡觀察彎曲後的彎曲部頂點的表面，將g.w.方向和b.w.方向都沒有發生斷裂的試驗片評價為彎曲加工性良好(a)，將發生斷裂的試驗片評價為彎曲加工性不良(d)。將其評估結果示於表2中。

(耐熱性)

耐熱性是將試驗片實施如下熱處理，即將其投入升溫至450℃的鹽浴中，經過5分鐘後取出，進行水冷，將熱處理後的硬度除以熱處理前的硬度，並將所得的值為0.8以上時評價為耐熱性良好(a)，低於0.8時評價為耐熱性不良(d)。將其評價結果示於表2中。需要說明的是，硬度基於jisz2244：2009中規定的維氏硬度試驗-試驗方法測定。此外，熱處理後的材料由於在與鹽浴接觸的表面形成了被膜，因此通過酸洗除去被膜後測定硬度。

[表1]

(注)表中的下劃線部的數值均表示為本發明的適當範圍外。

(注)表中成分組成的其他為「-」的實施例和比較例表示沒有添加其他成分。

(注)表中材料組織為「-」的比較例表示在材料製造中製造性上產生問題，未能評價。

[表2]

(注)表中的下劃線部均表示為本發明的適當範圍外或性能為適當範圍外。

(注)表中製造條件、性能評價為「-」的比較例表示在材料製造中製造性上產生問題，未能進行其後的製造、評價。

由表1和表2中所示的結果可知，對於sn濃度為0.05～0.5質量％的範圍的實施例1～13，其拉伸強度均為432～492mpa，即為400mpa以上，導電率均為50～77％iacs，即為50％iacs以上，均獲得了良好的彎曲加工性(a)和良好的耐熱性(a)。而對於表1中所示的成分組成為本發明的範圍外的比較例1～9以及表2中所示的製造條件為本發明的範圍外的比較例10和11，其拉伸強度、導電率、彎曲加工性、耐熱性和製造性中的至少一個為差。

此外，對於sn濃度為超過0.5質量％且2.5質量％以下的範圍的實施例14～26，其拉伸強度均為512～593mpa，即為500mpa以上，導電率均為27～38％iacs，即為25％iacs以上，均獲得了良好的彎曲加工性(a)和良好的耐熱性(a)。而對於表1中所示的成分組成為本發明的範圍外的比較例12～20以及表2中所示的製造條件為本發明的範圍外的比較例21和22，其拉伸強度、導電率、彎曲加工性、耐熱性和製造性中的至少一個為差。

此外，圖1和圖2分別表示採用fe-sem觀察實施例14和比較例22的銅合金材料的電解拋光後的表面時的sem照片。可知在圖1中所示的實施例14的銅合金材料中，微細的化合物粒子分散，而在圖2中所示的比較例22的銅合金材料中，化合物粒子粗化。

產業上的可利用性

根據本發明，可以提供除了具有高強度、高導電率和良好的彎曲加工性以外進一步兼具良好的耐熱性的銅合金材料。本發明的銅合金材料特別適合用於包括半導體裝置中使用的引線框在內的電氣電子部件。