一種晶片物理完整性檢測裝置製造方法

2023-09-23 22:47:45

一種晶片物理完整性檢測裝置製造方法
【專利摘要】本發明公開了一種晶片物理完整性檢測裝置，涉及晶片物理完整性檢測領域。包括控制器、發射器、金屬檢測線網、檢測器，所述控制器，用於根據待檢測晶片的工作狀態選擇檢測模式並發出模式選擇信號；還用於根據檢測器返回的電位信息判斷所述待檢測晶片是否存在異常；所述發射器，用於根據所述模式選擇信號，向所述金屬檢測線網發送發射信號；所述檢測器，用於根據所述模式選擇信號，檢測與其連接的金屬檢測線網信號端的電位信息，並將檢測到的電位信息發送至控制器。通過切換兩種檢測模式進行工作，可以擴大可檢測破壞行為覆蓋面；而且相對於一直單獨使用主動檢測模式，可以明顯的降低功耗。
【專利說明】一種晶片物理完整性檢測裝置
【技術領域】
[0001]本發明涉及晶片物理完整性檢測領域。
【背景技術】
[0002]晶片的侵入式攻擊，也稱為物理攻擊，是指攻擊者通過物理手段(如藉助特殊的儀器設備)，對晶片內部所展開的信息窺探和惡意破壞行為。包括剝離、探針、聚焦離子束FIB等。現階段針對物理攻擊的解決辦法之一是頂層金屬檢測。當晶片遭受物理攻擊時，頂層金屬會遭到破壞，檢測裝置會檢測到頂層金屬受到破壞而發出報警信號。
[0003]現有的頂層金屬檢測一般採用被動檢測方式或者主動檢測方式，其中，如圖1所示，被動檢測方式採用上拉電阻式檢測方式或下拉電阻式檢測方式。上拉電阻檢測方式指金屬檢測線網一端接地，另一端通過一個大阻值的上拉電阻接到電源。控制器對金屬檢測線網連接上拉電阻的端點的電位進行檢測。下拉電阻檢測方式的電路結構類似。
[0004]通過檢測點的電位變化可知金屬檢測線網的完整性。當金屬檢測線網是完整的，金屬線網的阻值與上拉電阻的阻值相比很小，所以檢測點電位為O。當金屬檢測線網受到破壞而斷路時，檢測點電位為I。
[0005]上拉(或下拉)電阻電平檢測方式存在一些缺點:
[0006]I)上拉(或下拉)電阻阻值大，佔用面積大。
[0007]2)上拉(或下拉)電阻不能直接放在標準單元區域，版圖物理實現困難。
[0008]3)漏電大，正常時從電源到地一直有電流。
[0009]如圖2所示，主動檢測方式則是在頂層覆蓋的的一條或者多條金屬線兩端分別增加邏輯門電路，在金屬檢測線網一端發送測試信號，在另一端接收測試信號並與之前發送的測試信號進行比較，如果兩者波形不同，說明金屬檢測線網被切斷和/或與鄰近檢測線短路即晶片遭到了物理攻擊。
[0010]主動檢測方式缺點是:
[0011]I)功耗大。
[0012]2)在一組m條金屬輸入端同時變化，頂層金屬由於走線很長，總阻值和寄生電容很大，多條電路在瞬間翻轉，會導致晶片瞬間功耗劇增，對底層的敏感器件和敏感信號線有影響。
[0013]3)無法檢測到將金屬檢測線兩端短接後中間部分發生的破壞行為。

【發明內容】

[0014]本發明所要解決的技術問題是針對現有的單獨採用一種檢測方式的缺點，提出一種晶片物理完整性檢測裝置，減小完整性檢測裝置的面積，準確檢測晶片物理完整性是否遭到破壞。
[0015]為了解決上述技術問題，本發明提供的技術方案如下:
[0016]一種晶片物理完整性檢測裝置，包括控制器、發射器、金屬檢測線網、檢測器，[0017]所述控制器，用於根據待檢測晶片的工作狀態選擇檢測模式並發出模式選擇信號；還用於根據檢測器返回的電位信息判斷所述待檢測晶片是否存在異常；
[0018]所述發射器，用於根據所述模式選擇信號，向所述金屬檢測線網發送發射信號；
[0019]所述檢測器，用於根據所述模式選擇信號，檢測與其連接的金屬檢測線網信號端的電位信息，並將檢測到的電位信息發送至控制器。
[0020]進一步地，當所述待檢測晶片的工作狀態為開始啟動或者重要操作時，控制器選擇主動檢測模式，否則，控制器選擇被動檢測模式。
[0021 ] 進一步地，所述重要操作包括存儲器讀寫和加解密運算。
[0022]進一步地，在所述控制器選擇主動檢測模式時，所述發射器發出方波信號；在所述控制器選擇被動檢測模式時，所述發射器發出低電平信號或者高電平信號。
[0023]進一步地，所述金屬檢測線網一端接所述發射器，在所述金屬檢測線網上設置多個檢測點，
[0024]所述檢測器包括主動檢測模塊和被動檢測模塊，在所述控制器選擇主動檢測模式時，所述主動檢測模塊啟動，所述信號端為金屬檢測線網的另一端，所述主動檢測模塊檢測金屬檢測線網的另一端的電位信息，在所述控制器選擇被動檢測模式時，所述被動檢測模塊啟動，所述信號端為所述多個檢測點，所述被動檢測模塊檢測每個檢測點的電位信息。
[0025]進一步地，所述主動檢測模塊包括接收器和比較器，所述接收器用於接收金屬檢測線網另一端的電平信號，所述比較器用於比較所述電平信號與所述發射器發出方波信號波形是否相同；所述控制器在所述比較器判斷出波形不同時，判斷所述待檢測晶片存在異常；
[0026]所述被動檢測模塊包括多個電平檢測模塊，每個檢測點連接一個電平檢測模塊，所述多個電平檢測模塊分為一個或者多個組；每組電平檢測模塊依次相連組成一條鏈式檢測電路；所述控制器在所述鏈式檢測電路中有一個或者多個電平檢測模塊檢測到電位異常，判斷所述待檢測晶片存在異常。
[0027]進一步地，所述檢測點在金屬檢測線網的關鍵區域的覆蓋密度高於其他區域。
[0028]進一步地，所述電平檢測模塊包括:第一上拉器件TIEH、數據選擇器MUX、保持電路HOLD、異或門X0R、第二上拉器件TIEH、第一寄存器FF、或門OR和第二寄存器FF，所述數據選擇器MUX的高選通輸入端與所述第一上拉器件TffiH的輸出端相連，所述數據選擇器MUX的低選通輸入端與所述檢測點相連，所述數據選擇器MUX的選擇控制埠 SEL接入檢測頻率控制信號，所述數據選擇器MUX的輸出端通過保持電路HOLD與所述異或門XOR的第一輸入端相連，所述異或門XOR的第二輸入端接入所述檢測頻率控制信號，所述第一寄存器FF的數據輸入端D與所述第二上拉器件TIEH的輸出端相連，所述第一寄存器FF的觸發信號輸入端與所述異或門XOR的輸出端相連，所述第一寄存器FF的數據輸出端Q與所述或門OR的第一輸入端相連，所述或門OR的第二輸入端與前級電平檢測模塊第二寄存器FF的數據輸出端相連，所述或門OR的輸出端與所述第二寄存器FF的數據輸入端D相連，所述第二寄存器FF的觸發信號輸入端接入時鐘信號，所述第二寄存器FF的數據輸出端Q與後級電平檢測模塊中或門OR的第二輸入端相連；所述第一寄存器FF和第二寄存器FF的使能信號端EN分別接入系統控制信號，控制所述第一寄存器FF和/或第二寄存器FF的復位和/或正常工作，當檢測點的電位異常或者前級電平檢測模塊中的第二寄存器FF輸出異常信號，則所述第二寄存器FF的數據輸出端Q輸出異常信號。
[0029]進一步地，所述檢測點電位異常為電位懸空，所述前級電平檢測模塊中的第二寄存器FF輸出異常信號為輸出「 I 」，所述第一寄存器FF和第二寄存器FF為有效沿觸發，所述第二寄存器FF的數據輸出端Q輸出異常信號為輸出「I」。
[0030]進一步地，所述控制器，還用於在判斷出所述待檢測晶片異常時，執行以下一項或者多項:發出報警信號、將所述待檢測晶片的存儲器清零、停止待檢測晶片當前工作、復位系統。
[0031]本發明的檢測裝置使用兩種檢測模式:主動檢測模式和被動檢測模式。金屬檢測線網為主動檢測模式和被動檢測模式共用，控制器發出模式選擇信號，決定其中一種模式工作，另一種模式停止。在被動檢測模式時，當金屬檢測線網任意一處檢測點的電位懸空，都會被與之相連的電平檢測模塊檢測到並輸出異常檢測值，異常檢測值會單獨發送給控制器或者沿著鏈式檢測電路傳遞下去給控制器，控制器立即進行相應的安全應對機制，如存儲器清零、晶片停止工作等，無需上拉或者下拉電阻，減小了完整性檢測裝置的面積。通過切換兩種檢測模式進行工作，可以擴大可檢測破壞行為覆蓋面；而且相對於一直單獨使用主動檢測模式，可以明顯的降低功耗。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0032]圖1為現有技術被動檢測模式的保護電路的結構示意圖；
[0033]圖2為現有技術主動檢測模式的保護電路的結構示意圖；
[0034]圖3為本發明實施例的晶片物理完整性檢測裝置的結構示意圖；
[0035]圖4為本發明實施例的電平檢測模塊的結構示意圖；
[0036]圖5為本發明實施例的鏈式檢測電路的波形示意圖。
【具體實施方式】
[0037]為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚明白，下文中將結合附圖對本發明的實施例進行詳細說明。需要說明的是，在不衝突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特徵可以相互任意組合。
[0038]如圖3所示，本發明實施例的晶片物理完整性檢測裝置，包括控制器、發射器、金屬檢測線網、檢測器，
[0039]所述控制器，用於根據待檢測晶片的工作狀態選擇檢測模式並發出模式選擇信號；還用於根據檢測器返回的電位信息判斷所述待檢測晶片是否存在異常；
[0040]所述發射器，用於根據所述模式選擇信號，向所述金屬檢測線網發送發射信號；
[0041]所述檢測器，用於根據所述模式選擇信號，檢測與其連接的金屬檢測線網信號端的電位信息，並將檢測到的電位信息發送至控制器。
[0042]本發明中檢測模式受控制器發出的模式選擇信號MSS控制。模式選擇信號MSS決定其中一種模式工作，其他模式停止。
[0043]本發明採取的對晶片物理保護，增強晶片抵抗物理攻擊的能力。當晶片受到物理攻擊時，晶片的物理完整性遭到破壞，本發明能夠快速檢測到這種攻擊，並立即發出報警信號，控制器會立即進行相應的安全應對機制。[0044]本發明主要提供兩種工作模式:主動檢測模式和被動檢測模式，當所述待檢測晶片的工作狀態為開始啟動或者重要操作時，控制器選擇主動檢測模式，否則，控制器選擇被動檢測模式。
[0045]其中，重要操作包括存儲器讀寫和加解密運算。
[0046]發射器根據接收到模式選擇信號產生相對應的發射信號，在所述控制器選擇主動檢測模式時，所述發射器發出方波信號；在所述控制器選擇被動檢測模式時，所述發射器發出低電平信號或者高電平信號。
[0047]所述金屬檢測線網一端接所述發射器，在所述金屬檢測線網上設置多個檢測點。
[0048]所述檢測器包括主動檢測模塊和被動檢測模塊，在所述控制器選擇主動檢測模式時，所述主動檢測模塊啟動，所述信號端為金屬檢測線網的另一端，所述主動檢測模塊檢測金屬檢測線網的另一端的電位信息，在所述控制器選擇被動檢測模式時，所述被動檢測模塊啟動，所述信號端為所述多個檢測點，所述被動檢測模塊檢測每個檢測點的電位信息。
[0049]多個檢測點位置可由軟體根據配置隨機指定，並設置一些冗餘被動檢測點，冗餘被動檢測點本身不起檢測作用，增加破解難度。
[0050]所述主動檢測模塊包括接收器和比較器，所述接收器用於接收金屬檢測線網另一端的電平信號，所述比較器用於比較所述電平信號與所述發射器發出方波信號波形是否相同；所述控制器在所述比較器判斷出波形不同時，判斷所述待檢測晶片存在異常；
[0051]所述被動檢測模塊包括多個電平檢測模塊，每個檢測點連接一個電平檢測模塊，所述多個電平檢測模塊分為一個或者多個組；每組電平檢測模塊依次相連組成一條鏈式檢測電路；所述控制器在所述鏈式檢測電路中有一個或者多個電平檢測模塊檢測到電位異常，判斷所述待檢測晶片存在異常。
[0052]所述檢測點在金屬檢測線網的關鍵區域的覆蓋密度高於其他區域。
[0053]金屬檢測線網可以採用單層金屬如頂層金屬，也可同時採用多層金屬。金屬檢測線網默認是覆蓋全晶片，也可根據具體要求只覆蓋特定的關鍵區域和關鍵IP。關鍵區域包括存儲器區域、加解密算法區域、密鑰區域，安全地址區域。
[0054]本發明可以利用傳輸門電路TG實現模式選擇功能,模式選擇信號控制傳輸門電路TG開啟或關閉，從而控制主動模式的接收器或被動模式的電平檢測模塊連接到金屬檢測線網。
[0055]如圖4所示，所述電平檢測模塊包括:第一上拉器件TKH、數據選擇器MUX201、保持電路H0LD202、異或門X0R203、第二上拉器件TffiH、第一寄存器FF204、或門0R205和第二寄存器FF206，所述數據選擇器MUX201的高選通輸入端與所述第一上拉器件TffiH的輸出端相連，所述數據選擇器MUX201的低選通輸入端與所述檢測點相連，所述數據選擇器MUX201的選擇控制埠 SEL接入檢測頻率控制信號，所述數據選擇器MUX201的輸出端通過保持電路H0LD202與所述異或門X0R203的第一輸入端相連，所述異或門X0R203的第二輸入端接入所述檢測頻率控制信號，所述第一寄存器FF204的數據輸入端D與所述第二上拉器件TffiH的輸出端相連，所述第一寄存器FF204的觸發信號輸入端與所述異或門X0R203的輸出端相連，所述第一寄存器FF204的數據輸出端Q與所述或門0R205的第一輸入端相連，所述或門0R205的第二輸入端與前級電平檢測模塊第二寄存器FF206的數據輸出端相連，所述或門0R205的輸出端與所述第二寄存器FF206的數據輸入端D相連，所述第二寄存器FF206的觸發信號輸入端接入時鐘信號，所述第二寄存器FF206的數據輸出端Q與後級電平檢測模塊中或門0R205的第二輸入端相連；所述第一寄存器FF204和第二寄存器FF206的使能信號端EN分別接入系統控制信號，控制所述第一寄存器FF204和/或第二寄存器FF206的復位和/或正常工作，當檢測點的電位異常或者前級電平檢測模塊中的第二寄存器FF206輸出異常信號，則所述第二寄存器FF206的數據輸出端Q輸出異常信號。
[0056]所述檢測點電位異常為電位懸空，所述前級電平檢測模塊中的第二寄存器FF輸出異常信號為輸出「 I 」，所述第一寄存器FF和第二寄存器FF為有效沿觸發，所述第二寄存器FF的數據輸出端Q輸出異常信號為輸出「I」。
[0057]所述控制器，還用於在判斷出所述待檢測晶片異常時，執行以下一項或者多項:發出報警信號、將所述待檢測晶片的存儲器清零、停止待檢測晶片當前工作、復位系統。
[0058]實施例1
[0059]主動檢測模式(ActiveShield)
[0060]控制器發出的模式選擇信號為I時，主動檢測模式啟動,被動檢測模式停止。
[0061]連接接收器的傳輸門電路TG打開，連接電平檢測模塊的傳輸門電路TG關閉。
[0062]主動檢測模式包括以下4部分:發射器、金屬檢測線網、接收器、比較器。
[0063]發射器在主動檢測模式有效時產生的發射信號為周期不固定的方波信號，發射信號與金屬檢測線網一一對應，比如晶片有32條金屬檢測線網，就有32個檢測信號，檢測信號之間波形和相位各不相同。
[0064]接收器接收金屬檢測線網傳送過來的接收信號。
[0065]比較器比較發射信號和接收信號。如果兩者波形一致，說明金屬檢測線網是完整的。如果兩者波形不一致，說明發射信號的傳輸過程中出現了問題，金屬檢測線網遭到破壞，如被切斷和/或與鄰近檢測線短路，晶片遭到了外界的惡意物理攻擊，所述控制器得出待檢測晶片存在異常的結論；採取發出報警信號等措施。
[0066]實施例2
[0067]被動檢測模式(PassiveShield)
[0068]控制器發出的模式選擇信號為O時，被動檢測模式啟動，主動檢測模式停止。連接電平檢測模塊的傳輸門電路TG打開，連接接收器件的傳輸門電路TG關閉。
[0069]電平檢測模塊的檢測輸入端與金屬檢測線網的檢測點相連，電平檢測模塊可以檢測到檢測點的電位是正常還是懸空。如果檢測點的電位懸空，則輸出異常值。
[0070]電平檢測模塊的前級輸入端如果為異常值，則輸出異常值。
[0071]電平檢測模塊由數字標準單元構成。電平檢測模塊的檢測頻率受檢測頻率控制信號控制。
[0072]如圖4所示，電平檢測模塊包括:第一上拉器件TffiH、第二上拉器件TIEH、數據選擇器MUX201、保持電路H0LD202、異或門X0R203、第一寄存器FF204、或門0R205、第二寄存器FF206。
[0073]如果金屬檢測線網正常，被動檢測點的電位為O。當頻率檢測控制信號FRE_CTRL為低電平時，數據選擇器MUX201的輸出為O。保持電路H0LD202維持O的狀態。異或門X0R203的輸出為O。當頻率檢測控制信號FRE_CTRL為高電平時，數據選擇器MUX201的輸出為I。保持電路H0LD202維持I的狀態。異或門X0R203的輸出O。所以當金屬檢測線網正常時，異或門X0R203的輸出一直為O。
[0074]如果金屬檢測線網被切斷，被動檢測點的電位懸空。當頻率檢測控制信號FRE_CTRL由高電平變為低電平時，數據選擇器MUX201中連接被動檢測點的輸入端導通，由於檢測點懸空，所以保持電路H0LD202的輸出保持原來的狀態1，異或門X0R203的輸出變為I。
[0075]第一寄存器FF204的作用為上升沿捕獲電路。當異或門X0R203的輸出變為I後，第一寄存器FF204的輸出一直為I。
[0076]假設前級輸入端data_in的電位為0，當被動檢測點懸空時，第二寄存器FF206會在時鐘有效沿到來時輸出異常值I。
[0077]兩個或兩個以上的電平檢測模塊依次首尾相連，一個電平檢測模塊的輸出端data_out接到下一個電平檢測模塊的前級輸入端data_in。這樣一系列的電平檢測模塊就構成了 一條鏈式結構的電路。
[0078]被動鏈式檢測電路中的任意一級模塊對應的檢測點懸空時，該級模塊輸出異常值，並且異常值會沿著被動鏈式檢測電路傳遞下去，所述控制器得出待檢測晶片存在異常的結論；採取發出報警信號等措施。
[0079]如圖5所示，第二級電平檢測模塊對應的被動檢測點在某個時刻懸空，第二級電平檢測模塊檢測到懸空的情況，輸出信號變為異常值。異常值會沿著鏈式檢測電路傳遞下去，隨後的各級電平檢測模塊的輸出都會變為異常值，直到最後一級的報警信號也變為高電平即有效電平。
[0080]雖然本發明所揭露的實施方式如上，但所述的內容只是為了便於理解本發明而採用的實施方式，並非用以限定本發明。任何本發明所屬【技術領域】內的技術人員，在不脫離本發明所揭露的精神和範圍的前提下，可以在實施的形式上及細節上作任何的修改與變化，但本發明的專利保護範圍，仍須以所附的權利要求書所界定的範圍為準。
【權利要求】
1.一種晶片物理完整性檢測裝置，其特徵在於，所述檢測裝置包括控制器、發射器、金屬檢測線網、檢測器，所述控制器，用於根據待檢測晶片的工作狀態選擇檢測模式並發出模式選擇信號；還用於根據檢測器返回的電位信息判斷所述待檢測晶片是否存在異常；所述發射器，用於根據所述模式選擇信號，向所述金屬檢測線網發送發射信號；所述檢測器，用於根據所述模式選擇信號，檢測與其連接的金屬檢測線網信號端的電位信息，並將檢測到的電位信息發送至控制器。
2.根據權利要求1所述的檢測裝置，其特徵在於，當所述待檢測晶片的工作狀態為開始啟動或者重要操作時，控制器選擇主動檢測模式，否則，控制器選擇被動檢測模式。
3.根據權利要求2所述的檢測裝置，其特徵在於，所述重要操作包括存儲器讀寫和加解密運算。
4.根據權利要求2所述的檢測裝置，其特徵在於，在所述控制器選擇主動檢測模式時，所述發射器發出方波信號；在所述控制器選擇被動檢測模式時，所述發射器發出低電平信號或者高電平信號。
5.根據權利要求2所述的檢測裝置，其特徵在於，所述金屬檢測線網一端接所述發射器，在所述金屬檢測線網上設置多個檢測點，所述檢測器包括主動檢測模塊和被動檢測模塊，在所述控制器選擇主動檢測模式時，所述主動檢測模塊啟動，所述信號端為金屬檢測線網的另一端，所述主動檢測模塊檢測金屬檢測線網的另一端的電位信息，在所述控制器選擇被動檢測模式時，所述被動檢測模塊啟動，所述信號端為所述多個檢測點，所述被動檢測模塊檢測每個檢測點的電位信息。
6.根據權利要求5所述的檢測裝置，其特徵在於， 所述主動檢測模塊包括接收器和比較器，所述接收器用於接收金屬檢測線網另一端的電平信號，所述比較器用於比較所述電平信號與所述發射器發出方波信號波形是否相同；所述控制器在所述比較器判斷出波形不同時，判斷所述待檢測晶片存在異常；所述被動檢測模塊包括多個電平檢測模塊，每個檢測點連接一個電平檢測模塊，所述多個電平檢測模塊分為一個或者多個組；每組電平檢測模塊依次相連組成一條鏈式檢測電路；所述控制器在所述鏈式檢測電路中有一個或者多個電平檢測模塊檢測到電位異常，判斷所述待檢測晶片存在異常。
7.根據權利要求5所述的檢測裝置，其特徵在於，所述檢測點在金屬檢測線網的關鍵區域的覆蓋密度高於其他區域。
8.根據權利要求5所述的檢測裝置，其特徵在於，所述電平檢測模塊包括:第一上拉器件TIEH、數據選擇器MUX、保持電路HOLD、異或門X0R、第二上拉器件TKH、第一寄存器FF、或門OR和第二寄存器FF，所述數據選擇器MUX的高選通輸入端與所述第一上拉器件TKH的輸出端相連，所述數據選擇器MUX的低選通輸入端與所述檢測點相連，所述數據選擇器MUX的選擇控制埠 SEL接入檢測頻率控制信號，所述數據選擇器MUX的輸出端通過保持電路HOLD與所述異或門XOR的第一輸入端相連，所述異或門XOR的第二輸入端接入所述檢測頻率控制信號，所述第一寄存器FF的數據輸入端D與所述第二上拉器件TffiH的輸出端相連，所述第一寄存器FF的觸發信號輸入端與所述異或門XOR的輸出端相連，所述第一寄存器FF的數據輸出端Q與所述或門OR的第一輸入端相連，所述或門OR的第二輸入端與前級電平檢測模塊第二寄存器FF的數據輸出端相連，所述或門OR的輸出端與所述第二寄存器FF的數據輸入端D相連，所述第二寄存器FF的觸發信號輸入端接入時鐘信號，所述第二寄存器FF的數據輸出端Q與後級電平檢測模塊中或門OR的第二輸入端相連；所述第一寄存器FF和第二寄存器FF的使能信號端EN分別接入系統控制信號，控制所述第一寄存器FF和/或第二寄存器FF的復位和/或正常工作，當檢測點的電位異常或者前級電平檢測模塊中的第二寄存器FF輸出異常信號，則所述第二寄存器FF的數據輸出端Q輸出異常信號。
9.根據權利要求8所述的檢測裝置，其特徵在於，所述檢測點電位異常為電位懸空，所述前級電平檢測模塊中的第二寄存器FF輸出異常信號為輸出「1」，所述第一寄存器FF和第二寄存器FF為有效沿觸發，所述第二寄存器FF的數據輸出端Q輸出異常信號為輸出「 I 」。
10.根據權利要求1所述的檢測裝置，其特徵在於，所述控制器，還用於在判斷出所述待檢測晶片異常時，執行以下一項或者多項:發出報警信號、將所述待檢測晶片的存儲器清零、停止待檢測晶片當 前工作、復位系統。
【文檔編號】G06F21/50GK103440452SQ201310364242
【公開日】2013年12月11日 申請日期:2013年8月20日 優先權日:2013年8月20日
【發明者】高洪福, 何其, 李軍 申請人:大唐微電子技術有限公司