場致發光屏用的封裝膜及其製造方法以及使用了該膜的場致發光屏和液晶顯示模塊的製作方法
2023-09-24 02:02:30 1
專利名稱：場致發光屏用的封裝膜及其製造方法以及使用了該膜的場致發光屏和液晶顯示模塊的製作方法
技術領域：
本發明涉及場致發光屏用的封裝膜及其製造方法、使用了場致發光屏用的封裝膜的場致發光屏使用了該場致發光屏的液晶顯示模塊，特別是涉及使用了有機物分散型場致發光屏和使用了該場致發光屏的液晶顯示模塊。
背景技術：
最近，作為輕量、薄形而且形狀的自由度優良的面發光體，EL屏(場致發光屏)特別是有機物分散型的場致發光屏是令人注目的。這樣的有機物分散型場致發光屏廣泛地用於PDA(個人數字助理)手持終端等的LCD模塊那樣的各種液晶顯示裝置及各種顯示板的背照光以及其它各種用途。
有機物分散型場致發光屏具有以下所示的結構。發光體層通過使ZnS等螢光體粒子分散在有機高分子中來構成。在發光體層的一個面上通過反射絕緣層層疊由A1箔等構成的背面電極。在發光體層的另一個面上層疊在透明絕緣膜上設置了由ITO蒸鍍膜等構成的透明電極的透明電極片。在背面電極和透明電極片上分別設有外部引出用的引線。將透明電極用的引線壓接到由設置在透明電極片上的Ag糊劑等塗敷層構成的供電部上。通過用封裝膜來封裝具有上述各層的層疊體，構成有機物分散型場致發光屏。
但是，最近手持終端等攜帶用小型信息終端正在得到普及。對這樣的攜帶用小型裝置中使用的液晶顯示裝置那樣的小型化的液晶顯示裝置的需要正在增加。對作為這樣的小型液晶顯示裝置的背照光使用的場致發光屏，要求小型化和薄形化。結果，厚度約為0.6～0.7mm的薄的場致發光屏正在成為主流。也在試驗進一步降低場致發光屏的厚度。
但是，這裡發生了新的問題。即，通過在透明電極與背面電極間施加交流電壓使有機物分散型場致發光屏發光。因而，在有機物分散型場致發光屏中，起因於交流電壓的極性反轉的周期而發生微小的振動。另一方面，在將場致發光屏作為LCD(液晶)單元等的背照光裝入時，在液晶單元和場致發光屏之間通常存在1mm以下的間隙。在該液晶單元和場致發光屏之間的間隙中，存在著因場致發光屏的極性反轉產生的微小的振動引起共振的情況。可知存在著該共振現象成為來自液晶單元表面的噪聲的發生原因的擔心。
作為防止場致發光屏的振動的方法，已知有在背面電極的外側設置銅板並對透明電極和銅板提供等電位的技術。按照該3片電極結構，在理論上可消除因交流電源的極性反轉的周期而引起的振動。但是，在再附加銅板來防止振動的技術中，當然要犧牲場致發光屏的厚度。因此，在最近的要求厚度變得極薄的場致發光屏中，不能利用上述的防止振動的技術來解決噪聲的問題。
再者，作為防止場致發光屏的振動的方法，可考慮使用防震膜或將場致發光屏固定在合成高的基板上等方法。但是，這些防止振動的方法中的任一個都會導致場致發光屏的厚度增加。因而，終究不能適用於最近的要求厚度變得極薄的場致發光屏。
由以上所述可知，目前正強烈地要求不對現有的場致發光屏附加特殊的結構而能抑制因交流電壓的極性反轉的周期而引起的振動的技術。而且，要求通過防止該場致發光屏的振動和其在液晶單元與場致發光屏之間的間隙中發生共振來降低因這些情況而引起的來自液晶單元表面的噪聲。
本發明的目的在於提供一種不導致場致發光屏的厚度的增加等而能抑制因交流電壓的極性反轉的周期而引起的振動的場致發光屏。本發明的另一個目的在於提供一種可降低基於場致發光屏的振動的噪聲的液晶顯示模塊。本發明的場致發光屏用的封裝膜及其製造方法是以抑制上述的振動為目的而完成的。
發明的公開本發明者們為了不對現有的場致發光屏特別附加任何結構而能抑制因施加到場致發光屏上的交流電壓的極性反轉的周期而引起的振動而進行了精心研究的結果，發現了通過利用迄今為止的場致發光屏的結構要素本身來吸收並分散從場致發光屏發生的振動，可抑制例如在與液晶單元的間隙中的共振。本發明是根據這些認識而完成的。
本發明的場致發光屏用的封裝膜的特徵在於在其至少一個表面上具有3μm以上的由JIS G 0601規定的算術平均粗糙度(Ra)的凹凸。或者是在至少一個表面上具有10μm以上的由JIS G 0601規定的最大高度(Ry)的凹凸的場致發光屏用的封裝膜。特別是，本發明的場致發光屏用的封裝膜最好具有同時滿足上述的Ra和Ry的條件的凹凸。
在此，所謂由JIS G 0601規定的算術平均粗糙度Ra指的是如以下的方式求出的值。首先，從粗糙度曲線中沿其平均線的方向去掉基準長度L。將x軸取為該去掉部分的平均線的方向，將y軸取為縱向放大倍數的方向。在用y=f(x)來表示該部分的粗糙度曲線時，用下述的公式求出的值是Ra(μm)。Ra=1LOL|f(x)|dx]]>此外，所謂由JIS G 0601規定的最大高度Ry指的是如以下的方式求出的值。首先，從粗糙度曲線中沿其平均線的方向去掉基準長度L。在粗糙度曲線的縱向放大倍數的方向上測定該去掉部分的峰線與谷線的間隔的值是Ry(μm)。再有，所謂粗糙度曲線，是從以垂直於對象面的平面切斷對象面時顯現的剖面曲線中除去了比預定的波長長的表面起伏成分的曲線。
本發明的另一種場致發光屏用的封裝膜的特徵在於在其至少一個表面上具有以1.0mm以下的間距排列的凹凸。本發明的又一種場致發光屏用的封裝膜的特徵在於在其至少一個表面上具有可得到消音效果的凹凸。
此外，本發明的場致發光屏用的封裝膜的製造方法的特徵在於在封裝膜的至少一個表面上以0.3～1.0m的m間距進行壓紋(emboss)加工。
本發明的場致發光屏具備場致發光元件部；在所述透明電極層和背面電極層上分別設置的一對引線；以及夾住所述場致發光元件部的一對封裝膜，其中，所述場致發光元件部包括具有分散了螢光體粒子的發光體層；與所述發光體層的一個主面一體地相對配置的透明電極層；以及通過反射絕緣層在所述發光體層的另一個主面上層疊地配置的背面電極層，其特徵在於在所述一對封裝膜中，用上述的本發明的場致發光屏用的封裝膜構成至少配置在發光面一側的封裝膜。這樣來配置本發明的場致發光屏用的封裝膜，使得上述的凹凸位於至少構成屏表面的表面上。
本發明的液晶顯示模塊的特徵在於具有上述的本發明的場致發光屏。
在本發明的場致發光屏用的封裝膜中，在其至少一個表面上設置了3μm以上的Ra的凹凸或10μm以上的Ry的凹凸。或者，具有以1.0mm以下的間距排列的凹凸。這樣的封裝膜表面的凹凸顯示出吸收並分散因施加到場致發光屏上的交流電壓的極性反轉的周期而引起的振動的效果。
因而，在使用這樣的封裝膜的場致發光屏中，不特別附加用於抑制振動的結構就能抑制上述的振動。即，在不導致發生牛頓環或莫爾條紋(moire)及維持薄形的屏結構的情況下，可抑制上述的振動。再者，在使用這樣的場致發光屏而構成的液晶顯示模塊中，可抑制在液晶單元與場致發光屏的間隙中的場致發光屏的振動的共振。於是可降低因上運的共振而引起的來自液晶顯示單元表面的噪聲。
附圖的簡單說明
圖1是示出本發明的場致發光屏用的封裝膜的一實施形態的結構的剖面圖；圖2是示出本發明的場致發光屏用的封裝膜的另一實施形態的結構的剖面圖；圖3A和圖3B是示出本發明的場致發光屏的一實施形態的結構的圖，圖3A是切去其一部分的平面圖，圖3B是剖面圖；圖4A和圖4B是將本發明的實施例1的場致發光屏用的封裝膜的表面狀態放大後示出的顯微鏡照片，圖4A是放大倍數為9.6倍的顯微鏡照片，圖4B是放大倍數為48倍的顯微鏡照片；圖5是示出測定本發明的實施例1的場致發光屏用的封裝膜的表面粗糙度的結果的曲線圖；圖6是示出測定使用了本發明的實施例1的場致發光屏用的封裝膜製造的場致發光屏的表面粗糙度的結果的曲線圖；圖7A和圖7B是將比較例1的場致發光屏用的封裝膜的表面狀態放大後示出的顯微鏡照片，圖7A是放大倍數為9.6倍的顯微鏡照片，圖7B是放大倍數為48倍的顯微鏡照片；
圖8是示出測定比較例1的場致發光屏用的封裝膜的表面粗糙度的結果的曲線圖；圖9A和圖9B是將比較例2中複製了圖形A的場致發光屏用的封裝膜的表面狀態放大後示出的顯微鏡照片，圖9A是放大倍數為9.6倍的顯微鏡照片，圖9B是放大倍數為48倍的顯微鏡照片；圖10A和圖10B是將比較例2中複製了圖形B的場致發光屏用的封裝膜的表面狀態放大後示出的顯微鏡照片，圖10A是放大倍數為9.6倍的顯微鏡照片，圖10B是放大倍數為48倍的顯微鏡照片；圖11A和圖11B是將比較例2中複製了圖形C的場致發光屏用的封裝膜的表面狀態放大後示出的顯微鏡照片，圖11A是放大倍數為9.6倍的顯微鏡照片，圖11B是放大倍數為48倍的顯微鏡照片；圖12是示出測定比較例2中複製了圖形A的場致發光屏用的封裝膜的表面粗糙度的結果的曲線圖；圖13是示出測定比較例2中複製了圖形B的場致發光屏用的封裝膜的表面粗糙度的結果的曲線圖；以及圖14是示出測定比較例2中複製了圖形C的場致發光屏用的封裝膜的表面粗糙度的結果的曲線圖。
用於實施發明的形態以下說明用於實施本發明的形態。
本發明的場致發光屏用的封裝膜在其至少一個表面上具有可得到消音效果的凹凸。作為具有該消音效果的凹凸，可舉出滿足3μm以上的由JIS G 0601規定的算術平均粗糙度(Ra)和10μm以上的最大高度(Ry)的至少一個的凹凸。或者，也可以是以1.0mm以下的間距排列的凹凸。
這樣的封裝膜表面的凹凸具有良好的消音效果。於是，通過使用至少在一個表面上具有上述的凹凸的場致發光屏用的封裝膜，可吸收並分散因施加到場致發光屏上的交流電壓的極性反轉的周期而引起的振動。
在此，封裝膜表面的凹凸如以上所述，滿足Ra≥3μm和Ry≥10μm的至少一個條件即可。在封裝膜表面凹凸不到3μm的Ra而且不到10μm的Ry的情況下，不能得到因表面凹凸產生的良好的消音效果。再有，對表面凹凸的Ra和Ry的上限不作特別限定，但可根據封裝膜的厚度等適當地進行設定。
特別是，由於在連續地存在微細的凹凸的情況下可得到良好的消音效果，故最好應用Ra為3μm以上的凹凸。再者，同時滿足Ra≥3μm和Ry≥10μm的凹凸顯示出更良好的消音效果。於是，具有同時滿足Ra≥3μm和Ry≥10μm的表面凹凸的封裝膜，在本發明中是特別理想的。
可應用各種製造方法來製造具有上述那樣的表面凹凸的封裝膜。例如，通過進行以0.3～1.0mm的間距進行壓紋加工，可在封裝膜的表面上容易地形成滿足上述條件的凹凸。
如果壓紋加工時的凹凸間距超過1.0mm，則不能得到具有良好的消音效果的表面凹凸。另一方面，如果壓紋加工時的凹凸間距窄到不到0.3mm，則存在所得到的凹凸的高度(深度)是不充分的擔心。此時也降低了因表面凹凸引起的消音效果。因此，最好以0.3～1.0mm的間距進行壓紋加工。這樣，本發明的封裝膜中的表面凹凸，也可以是以1.0mm以下的間距排列的例如由壓紋加工得到的凹凸。
基本上使用具有透光性的絕緣樹脂膜作為本發明的場致發光屏用的封裝膜。在此，一般來說對場致發光屏用的封裝膜要求防溼性。在需要防溼性的情況下，使用具有防溼性的透明樹脂膜。作為這樣的膜，聚氯三氟乙烯(PCTFE)膜是適合的。
圖1是示意性地示出由PCIFE膜1構成的場致發光屏用的封裝膜的結構的剖面圖。在厚度約為50～250μm的PCTFE膜1的表面1a、1b上分別形成了滿足上述條件的凹凸2。第1表面1a構成場致發光屏的最外的表面。在第2表面1b上設置了厚度約為30～70μm的粘接劑層3。利用熱壓接等將第2表面1b接合到下述的場致發光元件部上。因而，如果只在PCTFE膜1的第1表面1a上形成凹凸2，則可達到初期的目的。
作為具有防溼性的封裝膜的其它例子，如圖2中所示，可舉出在厚度約為12～100μm的聚酯(PET)膜4的第2表面4b一側形成了由例如厚度約為10～50nn的SiOx蒸鍍膜或AlOx蒸鍍膜等構成的防溼層5的結構。雖然PET膜4本身的防溼性能較差，但通過在一個表面4b上設置SiOx蒸鍍膜或AlOx蒸鍍膜等的防溼層5，可作為具有防溼性的封裝膜來使用。也可用多個層來構成防溼層5。
在PET膜4的第1表面4a上形成滿足上述條件的凹凸2。該第1表面4a構成場致發光屏的最外的表面。也可不在第2表面4b一側特別地形成凹凸2。在第2表面4b上設置了厚度約為30～70μm的粘接劑層3。
根據場致發光屏的使用用途，有封裝膜可以不特別地具有防溼性的情況。此外，根據場致發光屏的結構，有利用封裝膜以外的結構要素來滿足防溼性的情況。在這種情況下，可單獨地使用PET膜作為封裝膜。具體的結構與圖1中示出的PCTFE膜1相同。
即使是上述材料以外的封裝膜，只要是具有適應於用途的特性的透明絕緣膜或具有附加層的透明絕緣膜，都可作為本發明的場致發光屏用的封裝膜來使用。
其次，參照圖3A和圖3B說明將本發明的場致發光屏應用於有機物分散型場致發光屏的一個實施形態。
圖3A和圖3B示出了有機物分散型場致發光屏的一個實施形態的結構。在這些圖中，11是將ZnS等螢光體粒子分散在例如氰乙基纖維那樣的具有高介電係數的有機高分子中的發光體層。在該發光體層11的一個主面上，層疊地形成例如將TiO2或BaTiO3等高反射性的無機氧化物粉末分散在氰乙基纖維等具有高介電係數的有機高分子中的反射絕緣層12。在發光體層11的一個主面上，通過反射絕緣層12一體地層疊配置例如由Al的金屬箔或金屬膜構成的背面電極層13。
在發光體層11的另一個主面上，按順序一體地層疊配置在聚酯膜那樣的透明絕緣膜上覆蓋形成了由ITO蒸鍍膜等構成的透明電極的透明電極層(透明電極片)14和由6-尼龍膜等吸溼性膜構成的吸溼層15。根據需要來配置吸溼層15。相對於發光體層11來配置ITO蒸鍍膜。在ITO蒸鍍膜上形成了例如銀糊劑那樣的導體糊劑的印刷層作為供電部16。
例如熱壓接由上述的背面電極層13、反射絕緣層12、發光體層11、透明電極層14和吸溼層15構成的層疊體17。該層疊體(熱壓接體)17構成了場致發光元件部。其中，在背面電極層13的背面一側安裝了背面電極用的引線18。此外，在透明電極層14的供電部16上，在夾在透明電極層14和發光體層11間的狀態下安裝了透明電極用的引線19。
在構成場致發光元件部的層疊體17的兩側分別配置了封裝膜20、21，以便將層疊體17夾在中間。通過對該表面背面的一對封裝膜20、21的外周側的伸出部分進行熱壓接，對場致發光元件部17進行封裝。通過這樣做，就構成了有機物分散型場致發光屏22。
在表面背面的一對封裝膜20、21中，至少配置在透明電極層14一側的封裝膜21由上述本發明的場致發光屏用的封裝膜構成。即，作為配置在發光面一側的封裝膜，使用由圖1中示出的PCTFE膜1或圖2中示出的由具有防溼層5的PET膜4等構成的場致發光屏用的封裝膜。關於配置在背面電極層13一側的封裝膜20，最好也使用本發明的場致發光屏用的封裝膜。
有機物分散型場致發光屏22，除了至少在配置在發光面一側的封裝膜21的表面上形成了凹凸這一點外，具有與現有的有機物分散型場致發光屏相同的結構。即，基本結構與現有的有機物分散型場致發光屏相比沒有特別的變更。在該有機物分散型場致發光屏22中，利用在封裝膜21(20)的表面上形成的凹凸，來吸收並分散因施加到場致發光屏上的交流電壓的極性反轉的周期而引起的振動。即，不附加用於抑制振動的特殊的結構，就能抑制上述的振動。因而，不會發生牛頓環或莫爾條紋等及屏的厚度的增大那樣的情況。
由於有機物分散型場致發光屏22在維持薄形的屏結構的基礎上能抑制振動，故作為手持終端等攜帶用小型信息終端的液晶顯示裝置那樣的小型化的液晶顯示裝置的背照光等是適合的。這樣，有機物分散型場致發光屏22可作為例如液晶顯示單元的背照光來使用。
這樣的液晶顯示模塊通過裝入有機物分散型場致發光屏22作為液晶顯示單元的背照光來構成。此時，如以上所述，通常在場致發光屏與液晶顯示單元之間存在1mm以下的間隙。在現有的場致發光屏中，在該場致發光屏與液晶顯示單元的間隙中，場致發光屏的振動引起共振，從液晶顯示單元的表面起使噪聲發生。
有機物分散型場致發光屏22如以上所述，具有吸收並分散因施加的交流電壓的極性反轉的周期而引起的振動本身的功能。再者，可抑制在場致發光屏與液晶顯示單元的間隙中與場致發光屏的振動發生共振。因而，可降低因上述共振引起的來自液晶顯示單元表面的噪聲。該噪聲的降低大大有助於提高液晶顯示模塊及其周邊裝置的可靠性。
其次，敘述本發明的具體的實施例及其評價結果。
實施例1首先，準備10片厚度為200μm的PCTFE膜。對這些膜分別以0.5mm的間距進行壓紋加工。通過這樣做，製造了10片在PCTEE膜的表面上形成了0.5mm間距的凹凸的場致發光屏用的封裝膜。
用表面粗糙度測定器(Rank Taylor Hobson公司製造，フオ-ムタリサ-フS4C)測定了這10片封裝膜的表面粗糙度。其結果，Ra是3.0～3.5μm，Ry是12.0～15.0μm。
圖4A和圖4B將該實施例1的場致發光屏用的封裝膜的表面狀態放大後示出。圖4A是放大倍數為9.6倍的顯微鏡照片，圖4B是放大倍數為48倍的顯微鏡照片。圖5中示出該實施例1的場致發光屏用的封裝膜的表面粗糙度的測定結果的曲線圖。
如以後詳細地敘述的那樣，該實施例1的場致發光屏用的封裝膜使用於場致發光屏的製造。圖6中示出使用該場致發光屏用的封裝膜製造的場致發光屏的表面粗糙度的測定結果的曲線圖。從圖5和圖6可知，即使在製造了場致發光屏之後，也能維持封裝膜表面的凹凸。
實施例2準備10片厚度為150μm的PCTFE膜。對這些膜分別以0.7mm的間距進行壓紋加工。通過這樣做，製造了10片在PCTFE膜的表面上形成了0.7mm間距的凹凸的場致發光屏用的封裝膜。與實施例1同樣地用表面粗糙度測定器測定了這10片封裝膜的表面粗糙度。其結果，Ra是3.2～3.6μm,Ry是12.5～16.0μm。
比較例1準備10片厚度為200μm的PCTFE膜。用表面粗糙度測定器測定了這些PCTFE膜的表面粗糙度。其結果,Ra是0.3～0.5μm,Ry是1.2～2.0μm。將這10片PCTFE膜直接作為場致發光屏用的封裝膜來使用。
在圖7A和圖7B中將該比較例1的場致發光屏用的封裝膜的表面狀態放大後示出。放大倍數與實施例1相同。圖8中示出該比較例1的場致發光屏用的封裝膜的表面粗糙度的測定結果的曲線圖。
比較例2準備30片厚度為200μm的PCTFE膜。將3種柵格狀圖形(圖形A、圖形B、圖形C)複製到這些膜上。分別製造10片複製了A、B、C各圖形的膜。
在圖9A和圖9B中將複製了圖形A的場致發光屏用的封裝膜的表面狀態放大後示出。在圖10A和圖10B中將複製了圖形B的場致發光屏用的封裝膜的表面狀態放大後示出。在圖11A和圖11B中將複製了圖形C的場致發光屏用的封裝膜的表面狀態放大後示出。放大倍數與實施例1相同。
分別用表面粗糙度測定器測定複製了A、B、C各圖形的場致發光屏用的封裝膜的表面粗糙度。其結果，複製了圖形A的膜的Ra是1.3～1.8μm,Ry是8.0～9.0μm。複製了圖形B的膜的Ra是0.9～1.2μm,Ry是4.5～5.5μm。複製了圖形C的膜的Ra是1.1～1.4μm,Ry是7.5～8.5μm。圖12中示出複製了圖形A的膜的表面粗糙度的測定結果的曲線圖。圖13中示出複製了圖形B的膜的表面粗糙度的測定結果的曲線圖。圖14中示出複製了圖形C的膜的表面粗糙度的測定結果的曲線圖。
使用實施例1、2和比較例1、2的各場致發光屏用的封裝膜，按照常規方法製造了圖3中示出的有機物分散型場致發光屏。各例的封裝膜分別作為有機物分散型場致發光屏表面背面一對封裝膜20、21來使用。
在這些場致發光屏中，相對於使用比較例1的在表面上沒有凹凸的封裝膜的場致發光屏，在使用了比較例2中的複製了A、B、C三種圖形的封裝膜的場致發光屏中，分別發現了不到1dB的若干噪聲的減少。但是，從本質上說不能消除噪聲。與此不同，在使用了實施例1和實施例2的封裝膜的場致發光屏中，可將噪聲降低幾個dB至最大降低20dB。
再者，將這些場致發光屏作為液晶顯示單元的背照光裝入，分別製造了液晶顯示模塊。評價了來自這些液晶顯示模塊的液晶顯示單元表面的噪聲。其結果，使用了比較例2的封裝膜的液晶顯示模塊中發生的噪聲與使用了現有的比較例1的封裝膜的情況相比，未發現有很大的差別。與此不同，在使用了實施例1和實施例2的封裝膜的情況下，發現噪聲降低了約10dB以上。
產業上利用的可能性從以上的實施例可知，按照使用了本發明的封裝膜的場致發光屏，不特別地改變現有的基本結構就能抑制伴隨施加的交流電壓的極性反轉而發生的振動。特別是在將其作為液晶顯示單元的背照光裝入液晶顯示模塊中的情況下，可大大有助於降低來自液晶顯示單元的噪聲。
權利要求
1．一種場致發光屏用的封裝膜，其特徵在於在其至少一個表面上具有3μm以上的由JIS G 0601規定的算術平均粗糙度(Ra)的凹凸。
2．一種場致發光屏用的封裝膜，其特徵在於在其至少一個表面上具有10μm以上的由JIS G 0601規定的最大高度(Ry)的凹凸。
3．一種場致發光屏用的封裝膜，其特徵在於在其至少一個表面上具有3μm以上的由JIS G 0601規定的算術平均粗糙度(Ra)的、10μm以上的最大高度(Ry)的凹凸。
4．一種場致發光屏用的封裝膜，其特徵在於在其至少一個表面上具有以1.0mm以下的間距排列的凹凸。
5．一種場致發光屏用的封裝膜，其特徵在於在其至少一個表面上具有可得到消音效果的凹凸。
6．如權利要求1至5的任一項中所述的場致發光屏用的封裝膜，其特徵在於所述封裝膜由防溫膜構成。
7．如權利要求6中所述的場致發光屏用的封裝膜，其特徵在於所述防溼膜由聚氯三氟乙烯膜、或具有防溼層的聚酯膜構成。
8．一種場致發光屏用的封裝膜的製造方法，其特徵在於在場致發光屏用的封裝膜的至少一個表面上以0.3～1.0mm的間距進行壓紋加工。
9．一種場致發光屏，具備場致發光元件部，包括具有分散了螢光體粒子的發光體層、與所述發光體層的一個主面一體地相對配置的透明電極層、以及通過反射絕緣層在所述發光體層的另一個主面上層疊地配置的背面電極層；在所述透明電極層和背面電極層上分別設置的一對引線；以及夾住所述場致發光元件部的一對封裝膜，其特徵在於在所述一對封裝膜中，至少配置在發光面一側的封裝膜在至少構成屏表面的表面上具有3μm以上的由JIS G 0601規定的算術平均粗糙度(Ra)的凹凸。
10．一種場致發光屏，具備場致發光元件部，包括具有分散了螢光體粒子的發光體層、與所述發光體層的一個主面一體地相對配置的透明電極層、以及通過反射絕緣層在所述發光體層的另一個主面上層疊地配置的背面電極層；在所述透明電極層和背面電極層上分別設置的一對引線；以及夾住所述場致發光元件部的一對封裝膜，其特徵在於在所述一對封裝膜中，至少配置在發光面一側的封裝膜在至少構成屏表面的表面上具有10μm以上的由JIS G 0601規定的最大高度(Ry)的凹凸。
11．一種場致發光屏，具備場致發光元件部，包括具有分散了螢光體粒子的發光體層、與所述發光體層的一個主面一體地相對配置的透明電極層、以及通過反射絕緣層在所述發光體層的另一個主面上層疊地配置的背面電極層；在所述透明電極層和背面電極層上分別設置的一對引線；以及夾住所述場致發光元件部的一對封裝膜，其特徵在於在所述一對封裝膜中，至少配置在發光面一側的封裝膜在至少構成屏表面的表面上具有3μm以上的由JIS G 0601規定的算術平均粗糙度(Ra)的、10μm以上的最大高度(Ry)的凹凸。
12．如權利要求9至11的任一項中所述的場致發光屏，其特徵在於所述封裝膜由防溫膜構成。
13．如權利要求12中所述的場致發光屏，其特徵在於所述防溼膜由聚氯三氟乙烯膜、或具有防溼層的聚酯膜構成。
14．一種液晶顯示模塊，其特徵在於具有權利要求9至11的任一項中所述的場致發光屏。
全文摘要
本發明例如是由聚氯三氟乙烯膜或具有防溼層的聚酯膜構成的場致發光屏用的封裝膜。該場致發光屏用的封裝膜在其至少一個表面上具有3μm以上的由JIS B 0601規定的算術平均粗糙度(Ra)的、10μm以上的最大高度(Ry)的凹凸。場致發光屏將具有這樣的表面凹凸的場致發光屏用的封裝膜至少作為發光面一側的封裝膜來使用而構成。利用封裝膜表面的凹凸來吸收並分散伴隨所施加的交流電壓的極性反轉而發生的振動。液晶顯示模塊具有這樣的場致發光屏作為背照光。可降低來自液晶顯示單元表面的噪聲。
文檔編號H05B33/04GK1219339SQ97194767
公開日1999年6月9日 申請日期1997年3月31日 優先權日1996年3月29日
發明者中村光夫, 矢部洋一郎 申請人:株式會社東芝