具有與凹槽相對準的焊料區的封裝件的製作方法

2023-10-19 00:39:32 2

具有與凹槽相對準的焊料區的封裝件的製作方法
【專利摘要】本發明提供了一種方法，包括在金屬焊盤的一部分上方形成鈍化層，在鈍化層上方形成聚合物層，以及使用光刻掩模來曝光聚合物層。光刻掩模具有不透明部分、透明部分以及局部透明部分。對經曝光的聚合物層進行顯影以形成開口，其中金屬焊盤通過開口被暴露。後鈍化互連件（PPI）形成在聚合物層上方，其中PPI包括延伸至開口內的部分以與金屬焊盤連接。本發明還公開了具有與凹槽對準的焊料區的封裝件。
【專利說明】具有與凹槽相對準的焊料區的封裝件

【技術領域】
[0001] 本發明涉及半導體【技術領域】，更具體地，涉及一種具有與凹槽對準的焊料區的封 裝件。

【背景技術】
[0002] 在集成電路製造工藝中，諸如電晶體的集成電路器件首先形成在晶圓中的半導體 襯底的表面處。然後互連結構形成在集成電路器件上方。金屬焊盤形成在互連結構上方， 並且電連接至互連結構。鈍化層和第一聚合物層形成在金屬焊盤上，使得金屬焊盤通過鈍 化層和第一聚合物層中的開口而暴露。然後形成後鈍化互連（PPI)結構，該結構包括連接 至金屬焊盤的再分配線。然後，第二聚合物層形成在PPI上方。形成凸塊下金屬（UBM)以 延伸到第二聚合物層中的開口內，其中UMB電連接至PPI。然後將焊球放置在UMB上方並且 進行回流。


【發明內容】

[0003] 為了解決現有技術中所存在的問題，根據本發明的一個方面，提供了一種方法，包 括：
[0004] 在金屬焊盤的一部分上方形成鈍化層；
[0005] 在所述鈍化層上方形成聚合物層；
[0006] 使用光刻掩模來曝光所述聚合物層，其中，所述光刻掩模包括不透明部分、透明部 分以及局部透明部分；
[0007] 對所述聚合物層進行顯影以形成開口，其中，所述金屬焊盤通過所述開口被暴露； 以及
[0008] 在所述聚合物層上方形成後鈍化互連件（PPI)，其中所述PPI包括延伸至所述開 口內的部分以與所述金屬焊盤連接。
[0009] 在可選實施例中，所述局部透明部分具有大約20%至大約80%之間的光通過率。
[0010] 在可選實施例中，在曝光步驟期間，所述透明部分與所述聚合物層的第一部分相 對準，其中所述第一部分在顯影步驟中被去除以形成所述開口，以及所述局部透明部分與 所述聚合物層的第二部分相對準，所述第二部分的頂層在所述顯影步驟中被去除以形成凹 槽，而所述第二部分的底層在所述顯影步驟之後被保留。
[0011] 在可選實施例中，所述凹槽並不穿透所述聚合物層。
[0012] 在可選實施例中，所述PPI包括PPI焊盤，通過所述PPI焊盤的頂面形成額外的凹 槽。
[0013] 在可選實施例中，所述方法還包括：將焊球放置在所述PPI的PPI焊盤上方，其中 所述PPI延伸至所述凹槽內；以及，進行回流以將所述焊球接合至所述PPI焊盤。
[0014] 在可選實施例中，所述凹槽具有一深度，所述聚合物層具有一厚度，並且所述深度 與所述厚度的比率在大約0. 2至大約0. 5之間。
[0015] 根據本發明的另一方面，還提供了一種方法，包括：
[0016] 在金屬焊盤的一部分上方形成鈍化層；
[0017] 在所述鈍化層上方形成聚合物層；
[0018] 圖案化所述聚合物層以形成：
[0019] 穿透所述聚合物層的開口，其中，所述金屬焊盤通過所述開口被暴露；和
[0020] 凹槽，延伸至所述聚合物層內但是並不穿透所述聚合物層；
[0021] 在所述聚合物層上方形成後鈍化互連件（PPI)，其中，所述PPI包括：
[0022] PPI通孔，延伸至所述開口內以與所述金屬焊盤連接；和
[0023] PPI焊盤，包括位於所述凹槽中的一部分；
[0024] 將金屬凸塊放置在所述PPI焊盤上方；以及
[0025] 對所述金屬凸塊進行回流，其中，所述金屬凸塊與所述凹槽相對準，並且電連接至 所述PPI焊盤。
[0026] 在可選實施例中，所述方法還包括：將所述金屬凸塊的下部模製在模製材料中。
[0027] 在可選實施例中，所述模製材料與所述PPI和所述聚合物層物理接觸。
[0028] 在可選實施例中，在圖案化所述聚合物層的步驟中，所述開口和所述凹槽同時形 成。
[0029] 在可選實施例中，圖案化所述聚合物層的步驟包括：使用光刻掩模對所述聚合物 層進行曝光，其中，所述光刻掩模包括不透明部分、透明部分和局部透明部分；以及，顯影所 述聚合物層，其中顯影步驟包括：去除所述聚合物層的在所述曝光步驟中與所述不透明部 分和所述透明部分中的一個相對準的第一部分，以形成所述開口；和，去除所述聚合物層的 在所述曝光步驟中與所述局部透明部分相對準的第二部分的頂層，以形成所述凹槽。
[0030] 在可選實施例中，所述凹槽具有一深度，所述聚合物層具有一厚度，並且所述深度 與所述厚度的比率在大約0. 2至大約0. 5之間。
[0031] 在可選實施例中，在回流焊之後，所述金屬凸塊填充所述凹槽。
[0032] 根據本發明的又一方面，還提供了一種集成電路結構，包括：
[0033] 襯底；
[0034] 位於所述襯底上方的金屬焊盤；
[0035] 位於所述金屬焊盤的一部分上方的鈍化層；
[0036] 位於所述鈍化層上方的聚合物層；
[0037] 後鈍化互連件（PPI),包括：
[0038] PPI通孔，穿透所述聚合物層以與所述金屬焊盤連接；以及
[0039] PPI焊盤，電連接至所述PPI通孔，其中所述PPI焊盤包括延伸至所述聚合物層的 凹槽內的第一部分，所述凹槽從所述聚合物的頂面延伸至所述聚合物層的中間位置；以及
[0040] 焊料區，覆蓋在所述PPI焊盤上方並且電連接至所述PPI焊盤，其中所述焊料區直 接位於所述PPI焊盤上方。
[0041] 在可選實施例中，所述PPI焊盤的頂面形成與所述聚合物層的凹槽相對準的額外 凹槽。
[0042] 在可選實施例中，所述焊料區填充所述額外凹槽。
[0043] 在可選實施例中，所述集成電路結構還包括位於所述金屬焊盤上方並且填充所述 額外凹槽的金屬飾層，其中所述焊料區與所述金屬飾層接觸。
[0044] 在可選實施例中，所述凹槽具有一深度，所述聚合物層具有一厚度，並且所述深度 與所述厚度的比率在大約〇. 2至大約0. 5之間。
[0045] 在可選實施例中，所述PPI焊盤還包括位於所述聚合物層的平坦表面上方的第二 部分。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0046] 為更完整地理解本發明實施例及其優點，現將結合附圖參考以下描述，在附圖 中：
[0047] 圖1至圖12是根據一些示例性實施例的製造晶圓的中間過程的截面圖；
[0048] 圖13示出了根據一些示例性實施例的晶圓的一部分的截面圖，其中聚合物層中 的凹槽具有彎曲底部；
[0049] 圖14和15示出了根據一些示例性實施例的後鈍化互連（PPI)結構的俯視圖；以 及
[0050] 圖16A至19示出了根據多個示例性實施例的延伸至底層聚合物層中的凹槽。

【具體實施方式】
[0051] 下面詳細討論了本發明各實施例的製造和使用。然而，應該理解，這些實施例提供 了許多可以在各種具體環境中實施的可應用的概念。所討論的具體實施例僅為示例性的， 而不用於限制本發明的範圍。
[0052] 根據一些實施例，提供了形成後鈍化互連（PPI)結構、上覆的焊料區的方法，並提 供了最終得到的結構。根據一些示例性實施例，示出了形成對應晶圓的中間階段。然後討 論實施例的變化。在通篇的多個附圖和示例性實施例中，相同的參考標號用於指代相同的 元件。
[0053] 參考圖1，提供了晶圓100。晶圓100包括襯底20,襯底20可為諸如娃襯底的半導 體襯底，然而它也可以由諸如矽鍺、矽碳、砷化鎵等其它半導體材料所形成。諸如電晶體的 半導體器件24可形成在襯底20的表面處。包括在其中形成的金屬線和通孔26的互連結 構22形成在襯底20的上方，並電連接至半導體器件24。金屬線和通孔由銅和銅合金形成， 並且可使用鑲嵌工藝來形成。互連結構22可包括介電層25,其可包括層間電介質（ILD，未 示出）和金屬間電介質（MD，未示出）。在可選實施例中，晶圓100為中介晶圓或封裝襯底， 並且基本不包括電晶體、電阻器、電容器、電感器等集成電路器件。
[0054] 金屬焊盤28形成在互連結構22上方。金屬焊盤28包括鋁（A1)、銅（Cu)、銀（Ag)、 金（Au)、鎳（Ni)、鎢（W)、它們的合金和/或它們的多層結構。金屬焊盤28可通過例如下方 的互連結構22電連接至半導體器件24。可形成鈍化層30以覆蓋金屬焊盤28的邊緣部分。 在一些示例性實施例中，鈍化層30包括氧化矽層以及位於氧化矽層上方的氮化矽層，然而 也可使用其它介電材料。鈍化層中形成有開口。
[0055] 聚合物層32形成在鈍化層30的上方，其中聚合物層32延伸至鈍化層30中的開 口內。聚合物層32包括光敏材料，其可為正性光敏材料或者負性光敏材料。例如，聚合物 層32可包括聚醯亞胺、聚苯並惡唑（ΡΒ0)等。聚合物層32在施加到鈍化層30上之後對其 進行固化。在一些實施例中，聚合物層32具有平坦表面。
[0056] 在接下來的步驟中，對聚合物層32進行圖案化。在一些實施例中，使用部分上色 (也被稱作部分色，partial tone)的光刻掩模200實施對聚合物層32的曝光。光刻掩模 200包括部分200A、200B和200C。部分200A為用於阻擋光210的不透明部分，它用於曝光 聚合物層32。透明部分200B為透明部分，其中光210能夠在不損失光強度的情況下穿過。 局部阻擋部分200C，也即局部透明部分，阻擋期望百分比的光210,以致光210'（也即穿過 局部阻擋部分200C的那部分光）的光強LI2低於光210的光強LI1。在一些實施例中，局 部阻擋部分200C具有的光通過率LI2/LI1大於大約0. 2、0. 3、0. 4、0. 5、0. 6,或者為任何其 它小於1. 〇的正值。光通過率LI2/LI1還可小於大約0. 8、0. 7、0. 6、0. 5、0. 4,或者為任何大 於〇. 〇的其它正值。作為對比，不透明部分200A可阻擋超過大約99%的光(使用光強度來 進行測量)，而透明部分200B可允許超過99%的光(使用光強度來進行測量）通過。現已發 現，取決於光刻掩模200的材料，部分200A和200B的光通過率和光阻擋率可輕微地變化。
[0057] 在一些實施例中，光刻掩模200包括透明襯底202,其可由玻璃、石英等形成。不透 明層204形成在襯底202上。對不透明層204進行圖案化，不透明層204的剩餘部分形成不 透明部分200A。襯底202的一部分不具有在其上的不透明層204,因此該相應的部分為透 明部分200B或者局部透明部分200C。在一些示例性實施例中，不透明層204包括鉻，然而 也可使用其它能夠有效阻擋光的材料。可以理解，某層是否透明與材料和其厚度有關。因 此，不透明層204足夠厚(例如具有超過1 〇 A的厚度）以阻擋光。局部透明部分200C可 包括局部透明層206,其由矽化鑰（MoSi)或其它類型的材料形成，並且可通過調整局部透 明層206的材料和/或厚度來調整光通過率LI2/LI1。例如，MoSi層206可具有大約800A 至大約1600A之間的厚度。
[0058] 在通過光刻掩模200將聚合物層32曝光之後，去除光刻掩模200。然後對聚合物 層32進行顯影，並且去除曝光的部分。圖2示出了所得到的結構。在圖2中，示出光刻掩模 200以說明一些部件的相對位置，儘管在此時光刻掩模200還未在晶圓100的上方。因此， 使用虛線示出光刻掩模200。如圖2所示，當曝光聚合物層32時，聚合物層32的一部分與 透明部分200B相對準，並且在顯影聚合物層32之後，該部分被去除以形成金屬焊盤28通 過其暴露的開口 29。聚合物層32的與不透明部分相對準的部分保持為不被去除。聚合物 層32的與局部透明部分200C對準的部分被部分去除，這意味著儘管這部分受到曝光，但光 量不足以導致聚合物層32的該部分在顯影步驟中被完全去除。因此，在對聚合物層32進 行顯影之後，聚合物層32的局部曝光部分的頂層被去除，而聚合物層32的局部曝光部分的 底層未被去除。因此在聚合物層32中形成了凹槽34,其具有小於聚合物層32的厚度T1的 深度D1。在一些實施例中，比率D1/T1在大約0. 2至0. 8之間，或者在0. 2到0. 5之間，然 而也可使用其它值。深度D1可大於大約1. 6 μ m以允許後面實施的焊球能夠穩定在適當的 位置。
[0059] 應該理解，在圖1和2中使用的實例中，聚合物層32是正性感光材料（photo material)，因此在顯影步驟中曝光的部分被去除，未曝光的部分不被去除。當聚合物層32 是負性感光材料時，還可使用相同的概念來形成開口 29和凹槽34。然而在那些實施例中， 不透明部分200A和透明部分200B的位置互換，而局部透明部分200C的位置不變。
[0060] 接著，如圖3中所示，晶種層40形成在聚合物層32的上方。晶種層40可包括層 40A和40B。層40A可為鈦層、氮化鈦層、鉭層、氮化鉭層等。層40B的材料可包括銅或銅合 金。在一些實施例中，可使用物理氣相沉積來形成晶種層40,然而也可使用其它可適用的方 法。
[0061] 圖4不出了掩模46的形成。在一些實施例中，掩模46由光刻膠形成，因此在通篇 說明書中可選地被稱作光刻膠46,然而也可使用其它材料。晶種層40的一部分通過掩模46 中的開口 48被暴露。接下來，如圖5所示，進行電鍍步驟以在開口 48中形成PPI50。PPI50 可由銅或銅合金形成，並且可包括PPI線50A、PPI焊盤50B以及PPI通孔50D。圖14中示 出了示例性PPI50的俯視圖。
[0062] 在PPI50形成之後，去除掩模46。接著，之前由光刻膠46所覆蓋的晶種層40的暴 露部分通過蝕刻被去除，而晶種層40的被PPI50所覆蓋的部分保持為不被去除。圖6示出 了所得到的結構。在通篇說明書中，晶種層40的剩餘部分被認為是PPI50的一部分。
[0063] 如圖6所示，PPI焊盤50B包括位於聚合物層32的凹槽34 (圖2)中的一部分。 PPI焊盤50B還可包括位於凹槽34之外、聚合物層32上方的額外部分。PPI焊盤50B可為 共形層，因此PPI焊盤50B的位於凹槽34中的部分、PPI焊盤50B的位於聚合物層32上方 的部分以及凹槽34的側壁上的可能的傾斜部分具有基本相同的厚度。因此，在PPI焊盤 50B中形成有凹槽34'，其可具有與圖2中的深度D1相似的深度D1'。
[0064] 在一些示例性實施例中，如圖7所示，金屬飾層（metal finish)形成在PPI焊盤 50B上。在可選實施例中，不形成金屬飾層56,並且金屬凸塊58 (圖8)直接附著在PPI焊 盤50B上。因此，使用虛線示出金屬飾層56以表明它們可以存在或不存在。在形成金屬飾 層56的實施例中，金屬飾層56可為化學鍍鎳鈀浸金（ENEPIG)，其包括鎳層、鎳層上的鈀層 以及鈀層上的金層。可使用浸鍍來形成金層。在其它實施例中，金屬飾層56可由其它飾 層材料並使用其它方法來形成，包括但不限於，化學鍍鎳浸金（ENIG)、直接浸金（DIG)等方 式。在一些實施例中，金屬飾層56形成在光刻膠52中的開口中。在金屬飾層56形成之後， 去除光刻膠52。在一些實施例中，金屬凸塊58為焊球，並因此在通篇說明書中被稱作焊球 58,然而它也可為其它類型的金屬凸塊，諸如銅球。
[0065] 圖8示出了助焊劑54應用到PPI焊盤50B上(或金屬飾層56上，如果存在)。接 著，將模板57放置在晶圓100上，並且焊球58落入模板57的開口 60中。開口 60與PPI 焊盤50B相對準，以便焊球58可精確地放置在PPI焊盤50B或者金屬飾層56上。接著，去 除模板57,並且實施回流以對焊球58進行回流，因此焊球58接合或接觸PPI焊盤50B或金 屬飾層56。圖9中示出了所得到的結構。
[0066] 在對焊球58進行回流期間，由於焊球58與凹槽34'（圖6)以及凹槽34 (圖2)自 對準，因此焊球58很難改變位置，並因此焊球58的位置與期望位置精確對準，期望位置也 即由模板57中的開口 60所限定的位置（圖8)。
[0067] 接著如圖10所示，將液態模塑料62施加到晶圓100上，其中焊球58可淹沒在液 態模塑料62下。參考圖11，釋放膜64施加到液態模塑料62上。如箭頭63所示，施加壓 力。釋放膜64由軟材料形成，因此焊球58的一部分被壓進釋放膜64中。此外，釋放膜64 將一些液態模塑料62從晶圓100的頂面推走，並且釋放膜64的底面低於焊球58的頂端。 隨著繼續相對於焊球58和液態模塑料62推釋放膜64,實施硬化以硬化並凝固液態模塑料 62。在模塑料62凝固之後，焊球58的頂端高於模塑料62的頂面。
[0068] 然後從現已是固態形式的模塑料62剝去釋放膜64。圖12中示出了所得到的結 構。遺留在焊球58的頂面的模塑料殘留物被蝕刻。在最後得到的結構中，模塑料62被形 成為焊球58的一部分埋在模塑料62中。焊球58的頂端可高於模塑料62的頂面。
[0069] 圖15示出了模塑料62、下層PPI50和凹槽34的俯視圖。圖15示出了 PPI線50A、 PPI焊盤50B以及連接PPI線50A與PPI焊盤50B的過渡部分50C。過渡部分30C可具有 逐漸變化的寬度，因此PPI線50A和PPI焊盤50B之間的連接並不生硬。凹槽34'/34可與 PPI焊盤50B的中心相對準。
[0070] 再參考圖12,在後續步驟中，晶圓100被鋸成多個管芯，其中每個管芯粘合至諸如 封裝襯底、中介層（interposer)、印刷電路板（PCB)等的另一封裝元件以形成封裝件。焊球 58也會與其它封裝元件上的導電部件接合。由於焊球58的位置因聚合物32中形成有凹槽 34而被精確限定（圖2)，因此減小了焊球58和封裝組件的導電部件之間的不對準。
[0071] 圖13示出了 PPI焊盤50B和金屬飾層56 (如存在）的可能輪廓。在一些實施例 中，聚合物層32中凹槽34 (被PPI焊盤50B填充）具有彎曲且平滑的底面。因此，金屬飾 層56也具有彎曲且平滑的頂面和底面。該彎曲表面可通過光學作用來形成。
[0072] 圖16A至圖19示出了根據可選實施例的PPI焊盤50B的截面圖和俯視圖，其中一 個以上的凹槽34與同一 PPI焊盤50B相對應。與每個PPI焊盤50B相對應的凹槽34的數 量可為諸如2、3、4、5等的任何正整數。例如，圖16A示出了一些實施例的截面圖，其中兩個 凹槽34形成在聚合物層32中，其中PPI焊盤50B延伸至凹槽34中。圖16B示出了與圖 16A中示出的相對應的凹槽34的俯視圖。圖16C進一步示出了模製材料62。
[0073] 在圖14、15以及16C中，凹槽34具有圓形的俯視形狀。圖17示出了多個矩形凹 槽34/34'，矩形凹槽34/34'可具有正方形俯視形狀。圖18示出了凹槽34/34'具有條狀， 例如，其長度L1大於其寬度W1的兩倍。在圖18中，凹槽34的長度方向與相應連接的PPI 線50A的長度方向平行。圖19示出了與圖18中示出的相似的實施例，區別之處在於凹槽 34的長度方向與相應連接的PPI線50A的長度方向垂直。
[0074] 在本說明書的實施例中，通過使用部分上色光刻掩模圖案化聚合物層，在聚合物 層上形成PPI，聚合物層可具有形成在其中的凹槽，其中PPI焊盤延伸至凹槽內。因此PPI 焊盤也具有凹槽。因此，可有效地消除位於其上的焊球的位置的偏移。實施例提高了焊球 的對準精度，同時不會產生額外的製造成本。
[0075] 根據一些實施例，一種方法包括在金屬焊盤的一部分上方形成鈍化層，在鈍化層 上方形成聚合物層，以及使用光刻掩模來曝光聚合物層。光刻掩模具有不透明部分、透明部 分以及局部透明部分。對被曝光的聚合物層進行顯影以形成開口，其中金屬焊盤通過該開 口露出。後鈍化互連（PPI)形成在聚合物層上方，其中PPI包括延伸至開口內以與金屬焊 盤連接的部分。
[0076] 根據其它實施例，一種方法包括在金屬焊盤的一部分上方形成鈍化層，在鈍化層 上方形成聚合物層，以及圖案化聚合物層以形成開口和凹槽。開口穿透聚合物層，其中金屬 焊盤通過開口被暴露。凹槽延伸至聚合物層內，但是並不穿透聚合物層。PPI形成在聚合物 層上方，其中PPI包括延伸至開口內以與金屬焊盤連接的PPI通孔，並且PPI焊盤包括凹槽 中的部分。該方法還包括將焊球放置在PPI焊盤上方，並且對焊球進行回流。焊球與凹槽 相對準，並且電連接至PPI焊盤。
[0077] 根據其它實施例，一種器件包括襯底、位於襯底上方的金屬焊盤、位於金屬焊盤的 一部分上方的鈍化層、位於鈍化層上方的聚合物層以及PPI。PPI包括穿透聚合物層以與金 屬焊盤連接的PPI通孔，PPI焊盤電連接至PPI通孔。PPI焊盤包括延伸至聚合物層中的凹 槽內的部分，凹槽從聚合物的頂面延伸至聚合物層的中間位置。焊料區覆蓋在PPI焊盤上， 並電連接至PPI焊盤，其中焊料區直接位於PPI焊盤上方。
[0078] 儘管已經詳細地描述了本發明及其優勢，但應該理解，可以在不背離所附權利要 求限定的本發明主旨和範圍的情況下，做各種不同的改變，替換和更改。而且，本申請的範 圍並不僅限於本說明書中描述的工藝、機器、製造、材料組分、裝置、方法和步驟的特定實施 例。作為本領域普通技術人員應理解，通過本發明，現有的或今後開發的用於執行與根據本 發明所採用的所述相應實施例基本相同的功能或獲得基本相同結果的工藝、機器、製造，材 料組分、裝置、方法或步驟根據本發明可以被使用。因此，所附權利要求應該將這樣的工藝、 機器、製造、材料組分、裝置、方法或步驟包括在範圍內。此外，各權利要求構成單獨的實施 例，並且多個權利要求和實施例的組合也在本發明的保護範圍內。
【權利要求】
1. 一種方法，包括： 在金屬焊盤的一部分上方形成鈍化層； 在所述鈍化層上方形成聚合物層； 使用光刻掩模來曝光所述聚合物層，其中，所述光刻掩模包括不透明部分、透明部分以 及局部透明部分； 對所述聚合物層進行顯影以形成開口，其中，所述金屬焊盤通過所述開口被暴露；以及 在所述聚合物層上方形成後鈍化互連件（PPI)，其中所述PPI包括延伸至所述開口內 的部分以與所述金屬焊盤連接。
2. 根據權利要求1所述的方法，其中，所述局部透明部分具有大約20%至大約80%之間 的光通過率。
3. 根據權利要求1所述的方法，其中，在曝光步驟期間，所述透明部分與所述聚合物層 的第一部分相對準，其中所述第一部分在顯影步驟中被去除以形成所述開口，以及所述局 部透明部分與所述聚合物層的第二部分相對準，所述第二部分的頂層在所述顯影步驟中被 去除以形成凹槽，而所述第二部分的底層在所述顯影步驟之後被保留。
4. 一種方法，包括： 在金屬焊盤的一部分上方形成鈍化層； 在所述鈍化層上方形成聚合物層； 圖案化所述聚合物層以形成： 穿透所述聚合物層的開口，其中，所述金屬焊盤通過所述開口被暴露；和 凹槽，延伸至所述聚合物層內但是並不穿透所述聚合物層； 在所述聚合物層上方形成後鈍化互連件（PPI)，其中，所述PPI包括： PPI通孔，延伸至所述開口內以與所述金屬焊盤連接；和 PPI焊盤，包括位於所述凹槽中的一部分； 將金屬凸塊放置在所述PPI焊盤上方；以及 對所述金屬凸塊進行回流，其中，所述金屬凸塊與所述凹槽相對準，並且電連接至所述 PPI焊盤。
5. -種集成電路結構，包括： 襯底； 位於所述襯底上方的金屬焊盤； 位於所述金屬焊盤的一部分上方的鈍化層； 位於所述鈍化層上方的聚合物層； 後鈍化互連件（PPI),包括： PPI通孔，穿透所述聚合物層以與所述金屬焊盤連接；以及 PPI焊盤，電連接至所述PPI通孔，其中所述PPI焊盤包括延伸至所述聚合物層的凹槽 內的第一部分，所述凹槽從所述聚合物的頂面延伸至所述聚合物層的中間位置；以及 焊料區，覆蓋在所述PPI焊盤上方並且電連接至所述PPI焊盤，其中所述焊料區直接位 於所述PPI焊盤上方。
6. 根據權利要求5所述的集成電路結構，其中，所述PPI焊盤的頂面形成與所述聚合物 層的凹槽相對準的額外凹槽。
7. 根據權利要求6所述的集成電路結構，其中，所述焊料區填充所述額外凹槽。
8. 根據權利要求6所述的集成電路結構，還包括位於所述金屬焊盤上方並且填充所述 額外凹槽的金屬飾層，其中所述焊料區與所述金屬飾層接觸。
9. 根據權利要求5所述的集成電路結構，其中，所述凹槽具有一深度，所述聚合物層具 有一厚度，並且所述深度與所述厚度的比率在大約〇. 2至大約0. 5之間。
10. 根據權利要求5所示的集成電路結構，其中，所述PPI焊盤還包括位於所述聚合物 層的平坦表面上方的第二部分。
【文檔編號】H01L23/488GK104253053SQ201310422055
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2013年9月16日 優先權日:2013年6月25日
【發明者】楊慶榮, 陳憲偉, 杜賢明, 黃章斌, 賴昱嘉, 邵棟梁 申請人:臺灣積體電路製造股份有限公司