高解析度高亮度的等離子體顯示板及其驅動方法

2023-10-10 06:11:54

專利名稱：高解析度高亮度的等離子體顯示板及其驅動方法
技術領域：
本發明涉及用於計算機、電視等的諸如等離子體顯示板的氣體放電板顯示裝置及其驅動方法。
背景技術：
近年來，對於高質量大屏幕電視諸如高清晰度電視(HDTV)的生產的日益增長的需求已經導致旨在填補各種技術領域中的這項空白的顯示板包括陰極射線管(CRT)、液晶顯示器(LCD)以及等離子體顯示板(PDP)的發展。
CRT廣泛地用作電視顯示器，並且顯示了出色的解析度和圖像質量。但是，CRT的厚度和重量隨著屏幕尺寸而增大，使它們不適合用於40英寸以上的大屏幕。同時，LCD具有低功耗和低驅動電壓，但是大屏幕LCD的製造在技術上是困難的。
投影顯示器採用要求精確調整光軸的、複雜的光學系統，這增加了製造費用。所述光學系統還對光學失真敏感，這導致圖像質量驚人惡化和空間頻率解析度特性的惡化。這種問題使投影顯示器不適合作為高解析度顯示器。
但是在PDP的情況下，可以實現大的平板屏幕，並且已經開發了在50英寸範圍的產品。
可以把PDP大體上分為兩類直流(DC)PDP和交流(AC)PDP。AC PDP適合於大屏幕使用，因而目前它是佔優勢的類型。
在傳統的AC PDP中，把前襯底和後襯底與夾在它們之間的隔離肋條平行地放置。放電氣體被封閉在由隔離肋條分開的放電空間中。把掃描電極和保持電極平行地放置在前襯底上，並且由鉛玻璃的介質層覆蓋。地址電極、隔離肋條和由通過紫外光激發的紅、綠和藍螢光體構成的螢光層被安排在後襯底上。
為了驅動PDP，驅動電路把脈衝加在電極上以導致在發出紫外光的放電氣體中發生放電。螢光層中的螢光體微粒(紅、綠和藍)接收紫外光並且被激發，發出可見光。
但是，在這種PDP中的放電小區基本只能有兩種顯示狀態，點亮和熄滅。因而，對於紅、綠和藍每種顏色執行尋址顯示周期分開(ADS)子場驅動方法，在所述方法中一個場分成多個子場並且在每個子場中把亮和滅狀態結合以表現灰度。
每個子場包括設置周期、尋址周期和放電保持周期。在設置周期中，通過把脈衝電壓加在所有掃描電極上來執行設置。在尋址周期中，在脈衝電壓依次加在掃描電極的同時，在所選中的地址電極上加脈衝電壓。這導致在點亮的小區中積累壁電荷。在放電保持周期中，在掃描電極和保持電極上加脈衝電壓，產生放電。這種產生要在PDP上顯示的圖像的操作順序是ADS子場驅動方法。
對於電視圖像的NTSC(國家電視系統委員會)標準規定每秒60場圖像的速率，所以一場的時間設為16.7毫秒(ms)。
解決上述問題的方法目前，符合NTSC標準、(640×480個像素，0.43mm×1.29mm的小區像素，0.55mm2的各個小區面積)用於40-42英寸範圍的電視機的PDP可以獲得1.2Lm/W的玻屏效率和400cd/m2的屏幕亮度，如在1997年公布的「平板顯示器」，部分5-1，第198頁中所描述的。但是，希望有甚至更高的亮度。
現在正在引進具有高達1920×1080個像素的高解析度HDTV。因而如對於其他類型的顯示板一樣期望PDP能夠實現這種高解析度顯示。
但是，高解析度PDP具有大量掃描電極，引起尋址周期長度的相應增加。這裡，如果每個子場的長度和在每種情況下設置所需的時間是一致的，則尋址周期長度的增加把放電保持周期在每個子場所佔的比例限制在一個更低的水平。
因而在高解析度PDP中減小了放電保持周期在每個子場所佔的比例。PDP的板亮度與放電保持周期的相對長度成比例，所以解析度的增加會降低板亮度。
因而，在實現高解析度PDP時，提高板亮度的必要性變得更高。
在本領域中利用了各種技術以試圖解決這些困難。這包括通過用來提高螢光層的發光效率的方法、用於提高小區發光效率、提高整個板亮度的技術，以及採用雙掃描方法、用於在尋址周期中執行掃描、使得在大約一半的時間內可以覆蓋相同數量的掃描線的技術。
這些技術在克服上述問題上已經有一些效果，但是不能令人滿意地響應同時具有高解析度和高亮度的PDP的需求。因而，應該與這些技術結合、完美地應用其他技術以解決這些問題。

發明內容
本發明的目的是提供一種氣體放電板顯示裝置和能夠實現同時具有高亮度的高解析度結構的氣體放電板驅動方法。
為了達到這個目的，本發明提供了一種包括氣體放電板和驅動電路的氣體放電板顯示裝置，所述氣體放電板由一對平行相對設置的襯底構成，其中以矩陣形式形成多個放電小區，通過用隔離肋條組把所述一對襯底之間的空間分成放電空間並且在每個放電空間中安排螢光材料來形成所述放電小區，而所述驅動電路包括用於通過施加電壓來設置多個放電小區的設置單元；用於通過把尋址脈衝加到所述多個放電小區來寫圖像的尋址單元；和用於通過把保持電壓加到所述多個放電小區來保持放電的放電保持單元，所述氣體放電板在保持放電周期中顯示圖像，其中通過所述設置單元加至多個放電小區的所述電壓的波形按下列順序包括第一區間，其中所述電壓上升至第一電壓，100V≤第一電壓＜放電啟動電壓；第二區間，其中所述電壓上升至不小於所述放電啟動電壓的第二電壓，所述電壓上升的斜率小於在所述第一區間中所述電壓上升的斜率；第三區間，其中所述電壓從所述第二電壓下降到比所述放電啟動電壓更低的第三電壓；第四區間，其中所述電壓從所述第三電壓進一步下降，所述電壓下降的斜率小於在所述第三區間中所述電壓下降的斜率。
本發明還提供了一種包括氣體放電板和驅動電路的氣體放電板顯示裝置，所述氣體放電板包括中間有一個空間的平行相對設置的第一和第二襯底；第一和第二電極組，每個電極組由多個電極線組成並且被介質層覆蓋，在面向所述第二襯底的所述第一襯底的表面上平行、交替地設置了所述第一和第二電極組的電極線；第三電極組，它由多個電極線組成並且被介質層覆蓋，以與所述第一電極組成直角的方向、平行地設置在面對所述第一襯底的所述第二襯底的表面上，所述襯底之間的空間被隔離肋條組分開，並且在隔離肋條之間設置了螢光材料，而所述驅動電路包括用於通過在所述第一電極組和所述第三電極組之間施加電壓來執行設置的設置單元；用於通過在從所述第三電極組選擇的電極線上加電壓、同時在所述第一電極組的每條電極線上依次施加電壓來寫圖像的尋址單元；以及通過在所述第一電極組和所述第二電極組之間加電壓來保持放電的放電保持單元，其中通過所述設置單元施加在所述第一電極組和所述第三電極組之間的電壓的波形按下列順序包括第一區間，其中所述電壓上升至第一電壓，100V≤第一電壓＜放電啟動電壓；第二區間，其中所述電壓上升至不小於所述放電啟動電壓的第二電壓，所述電壓上升的斜率小於在所述第一區間中所述電壓上升的斜率；第三區間，其中所述電壓從所述第二電壓下降到比所述放電啟動電壓更低的第三電壓；和第四區間，其中所述電壓從所述第三電壓進一步下降，所述電壓下降的斜率小於在所述第三區間中所述電壓下降的斜率。
本發明最後提供了一種用於在氣體放電板上顯示圖像的氣體放電板驅動方法，所述氣體放電板由一對平行相對設置的襯底構成，其中以矩陣形式形成多個放電小區，所述放電小區通過把所述一對襯底之間的空間分成放電空間並且在每個放電空間中設置螢光材料來形成所述放電小區，並且所述氣體放電板驅動方法包括用於通過施加電壓來設置多個放電小區的設置步驟；用於通過把尋址脈衝加到所述多個放電小區來寫圖像的尋址步驟；和用於通過把保持電壓加到所述多個放電小區來保持放電的放電保持步驟，通過重複地執行上述順序的步驟來顯示圖像，其中在所述設置步驟中加在所述多個放電小區的所述電壓的波形按以下順序包括第一區間，其中所述電壓上升至第一電壓，100V≤第一電壓＜放電啟動電壓；第二區間，其中所述電壓上升至不小於所述放電啟動電壓的第二電壓，所述電壓上升的斜率小於在所述第一區間中所述電壓上升的斜率；第三區間，其中所述電壓從所述第二電壓下降到比所述放電啟動電壓低的第三電壓；和第四區間，其中所述電壓從所述第三電壓進一步下降，所述電壓下降的斜率小於在所述第三區間中所述電壓下降的斜率。
當驅動氣體放電板時，在掃描和地址電極組之間施加電壓以實現設置。所述電壓波形具有四個區間，在第一區間中，該電壓在短時間(小於10μs)內上升至第一電壓，其中100V≤第一電壓＜起始電壓。接著，在第二區間中，該電壓升至不小於起始電壓的第二電壓，並且具有比在第一區間中電壓上升的絕對斜率小的絕對斜率(不大於9V/μs)。接著，在第三區間中，電壓在短時間(不大於10μs)內從第二電壓下降至不大於起始電壓的第三電壓。隨後，在第四區間中，所述電壓以比第三區間中電壓下降的斜率小的斜率進一步降低(從100μs至250μs)。整個電壓波形所佔的時間應該不小於360μs。
如果在設置期間使用這種電壓波形，當電壓逐漸上升和下降時的過程中(即當電壓變化的斜率不大於9V/μs期間)，壁電荷有效地積累。這意味著可以在設置周期中採用接近起始電壓電平的壁電壓。
採用接近起始電壓電平的壁電壓使壁電荷能適當地積累並且甚至在尋址周期中所加的脈衝短(不大於1.5μs)的情況下能執行穩定的尋址。
而且，從第一區間至第三區間的電壓變化是短時間的(不大於10μs)。這使加設置電壓的總時間能被限制在不大於360μs。因此，設置周期在驅動時間中所佔的比例(設置周期在一場中所佔的比例)縮短了。
因而設置和尋址周期佔用的總時間縮短了，允許放電保持周期佔用的時間相應地加長了。或者，設置和尋址周期可能與先有技術中的相同，而掃描電極線的數量增加了，所以獲得了高解析度的氣體放電板。
帶有具有80μm至110μm的高度和100μm至200μm的隔離肋條間距的隔離肋條組的氣體放電板，當在設置周期中採用上述電壓波形驅動時，在獲得高解析度顯示方面特別有效。


圖1表示在實施例中的AC PDP的結構；圖2表示用於PDP的電極矩陣；圖3表示當用ADS子場驅動方法表現256等級的灰度時對於一個子場的劃分方法；圖4是表示實施例中在一個子場中加在電極上的脈衝的時間圖；圖5是表示用於驅動PDP的驅動裝置的結構的方框圖；圖6是表示圖5的掃描驅動器的結構的方框圖；圖7是表示圖5的數據驅動器的結構的方框圖；圖8表示實施例中的設置脈衝的波形；圖9表示對比當執行設置時加的脈衝波形的圖；圖10是實施例中形成設置脈衝的脈衝合併電路的方框圖；圖11表示當第一和第二脈衝被脈衝合併電路合併時的情形；圖12表示實施例中PDP驅動方法的一個可選實例。
圖13是脈衝產生電路U2的結構的方框圖及其所產生的脈衝。
圖14表示各個電勢在建立周期中的變化方式。
具體實施例方式
對PDP結構、製造和驅動方法的一般說明圖1是普通交流(AC)PDP的示圖。
在這個PDP中，前襯底10是通過在前玻璃板11上放置掃描電極組12a和保持電極組12b，介質層13和保護層14而形成的。後襯底20是通過在後玻璃板21上放置地址電極組22和介質層23而形成的。前襯底10和後襯底20被平行放置，其間留下一個空間，電極組12a和12b與地址電極組22成直角。放電空間40通過用安排成條形的隔離肋條30把前襯底10和後襯底20之間的間隙分割而形成。放電氣體被封閉在放電空間40中。
螢光層31在與後襯底20最接近的一邊的放電空間40中形成。螢光層31由按順序排列的紅、綠和藍螢光體組成。
掃描電極組12a、保持電極組12b和地址電極組22可由單一的金屬諸如銀、金、銅、鉻、鎳和鉑形成。但是，掃描電極組12a和保持電極組12b應該最好採用組合電極，所述組合電極是通過把窄的銀電極層壓在由可導電的金屬氧化物如ITO，SnO2或ZnO製成的寬的透明電極頂部而形成的。這是因為這種電極拓寬了每個小區中的放電面積。
構造所述板使得發紅、綠和藍光的小區形成於電極組12a和12b與掃描電極22交叉的點上。
介質層13是由絕緣物質形成的並且覆蓋在上面已經安排了電極組12a和12b的前玻璃板11的整個表面。通常使用具有低軟化點的鉛玻璃，但是也可以使用具有低軟化點的秘玻璃，或者具有低軟化點的鉛玻璃和鉍玻璃的層壓品。
保護層14是覆蓋在介質層13的整個表面的氧化鎂(MgO)的薄塗層。
隔離肋條30從後襯底20上的介質層23的表面伸出。
前襯底的製造前襯底10以下列方式形成在前玻璃板11上形成電極組12a和12b，並且在其頂部塗上鉛玻璃層然後燒制以形成介質層13。在介質層13的表面上形成保護層14。然後在保護層14的表面中形成微小的凹凸。
電極組12a和12b可通過常規方法形成，在所述方法中通過濺射形成ITO薄膜並且通過蝕刻去掉薄膜的不需要的部分。然後，使用絲網印刷塗上銀電極糊並將所得物燒制。或者，通過掃描噴射的、包括形成電極的物質的塗料可容易地獲得精密製造的電極。
用於介質層13的鉛混合物含有70％的氧化鉛(PbO)，15％的三氧化二硼(B2O3)和15％的二氧化矽(SiO2)，並且可通過絲網印刷和燒制來形成。作為一種特殊方法，通過絲網印刷來塗敷與有機粘合劑(其中10％的乙基纖維已被分解的α-萜品醇)混合而得到的混合物並且將其在580℃燒制十分鐘。
保護層14是由鹼土氧化物(這裡使用氧化鎂)構成的並且是具有(100)或(200)的平面取向的晶體薄膜。可用例如汽化方法形成這種保護層。
後襯底的製造後襯底是用以下方式製造的通過採用絲網印刷以塗敷銀電極糊並且燒制所得結果，在上部玻璃板21上形成地址電極組22。在這上面，用與介質層13所用的相同方式進行絲網印刷和燒制，由鉛玻璃構成介質層23。接著，以指定的間距附上玻璃隔離肋條30。然後，紅、綠和藍螢光體之一被塗到隔離肋條30間形成的每個空間，然後燒制玻屏形成螢光層31。常規用於PDP中的螢光體可用於各種顏色。以下是這種螢光體的特定例子紅色螢光體(YXGd1-X)BO3:Eu3+綠色螢光體BaAL12O19:Mn藍色螢光體BaMgAl14O23:Eu2+把襯底固定在一起以製造PDP
PDP是以下列方法製造的首先，把如上所述製造的前襯底和後襯底用密封玻璃固定在一起，同時抽空由隔離肋條30形成的放電空間40，形成約為1×10-4Pa(帕)的高真空。接著，把特定混合物的氣體以指定壓力密封在放電空間40中。
所述密封放電氣體的壓強常規上不高於大氣壓，通常在大約1×104Pa至7×104Pa的範圍內。但是，設置高於大氣壓的壓強(即8×104Pa或以上)提高了玻屏亮度和發光效率。
圖2表示PDP的電極矩陣。電極線12a和12b安排成與地址電極線22成直角。放電小區在前玻璃板11和後玻璃板21之間，在電極線的交點處形成放電小區。隔離肋板30把相鄰的放電小區分開，防止在相鄰的放電小區間的放電漫射，以便能夠獲得高解析度的顯示。
PDP用ADS子場驅動方法驅動。
圖3表示當表現256等級的灰度時對一個場的劃分方法。沿著水平軸繪製時間並且陰影部分代表放電保持周期。
在圖3所示的劃分方法實例中，一場由八個子場構成。放電保持周期對各個子場的比值分別設為1，2，4，8，16，32，64和128。子場的八位二進位組合表現256等級的灰度。對於電視圖像的NTSC(國家電視系統委員會)標準規定每秒60場圖像的速率，所以一場的時間設為16.7ms。
每個子場是按以下順序組成的設置周期、尋址周期和放電保持周期。一場的圖像顯示是通過重複對於每個子場的操作八次來完成的。
圖4是表示在本發明的實施例中在一個子場期間加在電極上的脈衝的時間圖。
在本文中稍後將對每個周期中執行的操作進行詳細說明。在尋址周期中，脈衝依次加在多個掃描電極線上並且同時加在所選中的地址電極線上，但是，為方便起見，圖4僅示出一個掃描電極線和一個地址電極線。
驅動裝置和驅動方法的詳細說明圖5是表示驅動裝置100的結構的方框圖。
驅動裝置100包括預處理器101，幀存儲器102，同步脈衝發生器103，掃描驅動器104，保持驅動器105和數據驅動器106。預處理器101處理從外部圖像輸出裝置輸入的圖像數據。幀存儲器102存儲處理的數據。同步脈衝發生器103產生用於每個場和每個子場的同步脈衝。掃描驅動器104把脈衝加至掃描電極組12a，保持驅動器105把脈衝加至保持電極組12b，而數據驅動器把脈衝加至地址電極組22。
預處理器101從輸入圖像數據中抽取每場的圖像數據(場圖像數據)，從所抽取的圖像數據中產生每個子場的圖像數據(子場圖像數據)並且將其存儲在幀存儲器102中。然後預處理器101將存儲在幀存儲器102中的當前子場圖像數據逐行輸出至數據驅動器106，從所述的輸入圖像數據中檢測諸如水平同步信號和垂直同步信號的同步信號並且把用於每場和每個子場的同步信號送至同步脈衝發生器103。
幀存儲器102能存儲分成用於每個子場的子場圖像數據的每場數據。
特別是，幀存儲器102是設有兩個存儲區的兩埠幀存儲器，所述每個存儲區能夠存儲一個子場的數據(八個子場的圖像)。在這些存儲區上可以輪流地執行把場圖像數據寫入一個存儲區而同時讀出已寫入其他幀存儲區的場圖像數據的操作。
同步脈衝發生器103產生指示設置、掃描、保持和消除脈衝中的每個應該出現的定時的觸發信號。這些觸發信號是在從預處理器101收到的用於每場和每個子場的同步信號的基礎上產生的，並且被發送到驅動器104和106。
掃描驅動器104響應從同步脈衝發生器103收到的觸發信號產生並施加設置、掃描和保持脈衝。
圖6是表示掃描驅動器104的結構的方框圖。
設置和保持脈衝加在所有的掃描電極線12a上。
作為結果，掃描驅動器104具有設置脈衝發生器111和保持脈衝發生器112a，如圖6所示。兩個脈衝發生器用浮動地的方式串聯並且響應來自同步脈衝發生器103的觸發信號，依次把設置脈衝和保持脈衝加在掃描電極組12a上。
如圖6所示，掃描驅動器104還包括掃描脈衝發生器114，掃描脈衝發生器114和與之相連的多路復用器115一起，使掃描脈衝能按順序加至掃描電極線12a1，12a2等等，直到12aN。響應來自同步脈衝發生器103的觸發信號，在掃描脈衝發生器114中產生脈衝並由多路復用器115轉接輸出。或者，也可以使用其中對每個掃描電極線12a提供一個單獨的掃描脈衝產生電路的結構。
開關SW1和SW2安排在掃描驅動器104中以選擇性地把來自上述脈衝發生器111和112的輸出和來自掃描脈衝發生器114的輸出加在掃描電極組12a上。
保持驅動器105具有保持脈衝發生器112b和消除脈衝發生器113，響應來自同步脈衝發生器103的觸發信號，產生保持和消除脈衝，並且把保持和消除脈衝加在保持電極組12b上。
數據驅動器106並行輸出數據脈衝(也稱為尋址脈衝)至地址電極線221至22M。輸出基於對應於逐行連續地輸入數據驅動器106的子場數據的子場信息而發生。
圖7是數據驅動器106的結構的方框圖。
數據驅動器106包括每次取出一個掃描行的子場數據的第一鎖存電路121，存儲一行子場數據的第二鎖存電路122，產生數據脈衝的數據脈衝發生器123以及位於每個地址電極線221至22M的入口的與門1241至124M。
在第一鎖存電路121中，與CLK(時鐘)信號同步，每次按序取出依次從預處理器101發出的那麼多比特的子場圖像數據。一旦已經鎖存了一個掃描行的子場圖像數據(表明221至22M每個地址電極線是否要加數據脈衝的信息)，將把所述數據傳輸給第二鎖存電路122。第二鎖存電路響應來自同步脈衝發生器103的觸發信號，打開屬於要加脈衝的地址電極線22的與門。數據脈衝發生器123同時產生數據脈衝，使得該數據脈衝加在帶有開與門的地址電極線22上。
諸如這樣的驅動裝置如下所述在每個設置、尋址和放電保持周期中把電壓加在每個電極上。
對每個周期中執行的操作的說明設置周期在設置周期中，掃描驅動器104中的開關SW1和SW2分別開和關。設置脈衝發生器111把設置脈衝加在所有掃描電極12a上。這導致在所有的放電小區中都發生設置放電。
設置放電發生在三個電極組兩兩之間；即，在掃描電極與地址電極之間和在掃描電極與保持電極之間。這使每個放電小區初始化並且在他們內部積累了壁電荷，引起壁電壓。因此，在隨後的尋址周期中發生的尋址放電能更早開始。
設置脈衝波形具有適合於在每個脈衝所佔的短時間內(360μs或更少)產生接近於放電起始電壓(以下稱為起始電壓)的電平的壁電壓的特徵。在本文中，稍後將更詳細地說明這種特徵。
注意，從設置周期的下半周期開始直至尋址周期完成，在保持電極組12b上加正電壓。這使得在尋址周期中壁電荷更容易在介質層的表面積累。
尋址周期在尋址周期中，掃描驅動器104中的開關SW1和SW2分別開和關。由掃描脈衝發生器114產生的負掃描脈衝按順序加在掃描電極的第一行12a1至掃描電極的最後一行12aN。在適當定時的條件下，數據驅動器106通過在要點亮的放電小區對應的數據電極221至22M上施加正數據脈衝、在這些放電小區中積累壁電荷來產生尋址放電。因而，通過在要點亮的放電小區中的介質層表面上積累壁電荷可以寫出一屏隱藏圖像。
應該把掃描脈衝和數據脈衝(或者說尋址脈衝)設置得儘可能短以使驅動能被高速執行。但是，如果尋址脈衝太短，很可能出現寫缺陷(尋址放電缺陷)。另外，可能用到的電路類型上的限制意味著脈衝長度通常需要被設為大約1.25μs或更多。
如果尋址用雙掃描方法執行，把圖2所示的地址電極組22分為上半組和下半組，並且驅動裝置100把分開的脈衝同時加到每個地址電極22的上半組和下半組。因而，在PDP的上半和下半並行地執行上述尋址。
放電保持周期在放電保持周期中，在掃描驅動器104中的開關SW1和SW2分別開和關。保持脈衝發生器112a把固定長度(例如1μs至5μs)的放電脈衝加在整個掃描電極組12a上和保持脈衝發生器112b把固定長度的放電脈衝加在整個保持電極組12b上的操作是重複交替的。
這個操作提高了放電小區的介質層表面的電勢，這些小區中的壁電荷在尋址周期中從起始電壓上已經積累了。這產生了持續放電，導致在放電小區內發出紫外光。當螢光層31把紫外光轉變為可見光時，發出與每個放電小區中螢光層顏色相對應的可見光。
在放電保持周期的最後部分，在其上升時間有大約3V/μs至9V/μs的斜坡、與保持脈衝相同的電壓，在大約20μs至50μs的短時間中加在保持電極12b上。這消除了在點亮的小區中殘留的壁電荷。
在設置周期中所加的電壓波形圖8說明設置脈衝波形。如圖中所示，這個脈衝波形可分為區間A1至A7。
在本實施例的設置周期中，把具有這種波形的設置脈衝加在掃描電極組12a上。
如圖4所示，當把設置脈衝加在掃描電極組上時，地址電極組22的電勢保持在0。這意味著，掃描電極組12a和地址電極組22之間的電勢差具有與圖8中波形類似的波形。
考慮到在儘可能短的時間內在介質層表面上積累壁電荷的需要，這個設置脈衝波形是按以下方法設置的。所述壁電荷對應於接近起始電壓電平的壁電壓。
區間A1是時間調整階段。
在區間A2中，在儘可能短的時間內(不多於10μs)把電壓升至接近起始電壓Vf的電平V1。這裡電壓V1設置在100≤V1＜Vf範圍內。注意，Vf是從內部(從所述驅動裝置)來看的起始電壓。
起始電壓Vf是由PDP結構確定的固定值，並且可以例如用下述方法測量。
一直對氣體放電板進行可視觀察，逐漸地增加從板驅動裝置施加在掃描電極組12a和保持電極組12b之間的電壓。然後，當氣體放電板中放電小區的一個或某個特定數字，比如三個，被點亮時所加的電壓被讀作起始電壓。
接著，在區間A3中，把電壓緩慢地升到電壓V2，並且在區間A4中保持在電壓V2。這裡，電壓V2是高於起始電壓Vf的值，但是如果把V2設置得過高，當電壓下降時可能發生自消除放電。因而，電壓V2需要被設置使得不會發生自消除放電，即在450V至480V的範圍內。
在區間A3中電壓上升的斜率應該不大於9V/μs並且最好在1.7V/μs與7V/μs之間。通過以這種方式緩慢地升高電壓，在I-V特性為正的區域中產生弱放電，放電是在接近低壓模式的電壓下產生的，並且在放電小區內部的電壓保持在Vf*值附近，略低於起始電壓Vf。因此，與電勢差V2-Vf*相對應的負壁電荷積累在覆蓋掃描電極組12a的介質層13的表面上。
分配給區間A3的時間量在100μs至250μs之間，並且應該最好在100μs至150μs的範圍內。
對應于波形的峰值的區間A4應該最好設置得儘可能短，但是與板驅動裝置的電路相關的條件意味著它實際上持續幾微秒。
接著，在區間A5內，電壓在儘可能短的時間內(不多於10μs)被降至至少為50V且不高於起始電壓Vf的電壓V3。
然後，在區間A6內緩慢地降低電壓。在區間A6內電壓下降的斜率不大於9V/μs，並且應該最好在0.6V/μs與3V/μs之間。當覆蓋掃描電極組12a的介質層的表面的電勢超過小區內的實際起始電壓時，以這種方式緩慢地降低電壓，在正特性的區域中產生弱放電，並且小區內電壓可保持在Vf×，略低於起始電壓Vf。因此，與起始電壓Vf相對應的負壁電荷積累在掃描電極12a之上的介質層表面上的狀況得以保持。
區間A7是時間調整周期。
通過以這種方式設置用於設置脈衝的電壓波形，在不多於360μs的短脈衝施加周期中，接近起始電壓電平的壁電壓可以非常有效地加在每個小區中。另外，甚至在尋址周期中所加的脈衝為不超過1.5μs的短脈衝的情況下，能夠積累尋址所需的壁電荷而不會導致任何放電延遲。
因此，甚至當顯示具有1080條掃描線的高解析度圖像時，可產生圖像顯示，而保持與具有480條掃描線、符合VGA協議(視頻圖形陣列)的PDP類似的放電保持周期。
這裡，比較圖8中所示的本實施例的設置波形的使用與幾個先有技術的設置波形的使用。
首先，圖8中的設置波形的電壓在區間A3和A6中被緩慢升高和降低，以避免產生強放電。這使大的壁電荷能積累起來。而且，因為在區間A2和A5中急劇升高和降低電壓不影響壁電荷的積累，所以可通過設置高的電壓斜率保持短的設置所需的時間。
當使用類似圖9A中波形的簡單方波，或者類似圖9B中波形的基於指數或對數函數的波形時，在波形對應於間隔A3和A6的部分中發生電壓突升或突降。這產生強放電，防止如同在所述實施例中一樣積累壁電荷。
當僅在設置周期中積累少量壁電荷時，長約1.5μs的尋址脈衝的使用將導致放電延遲，產生不穩定尋址放電和屏幕閃爍。在這種情況下，尋址脈衝需要設置為不小於2.5μs的長度以確保尋址放電適當地發生。如果有1080條掃描線，這意味著尋址所需的時間將會為至少2.7ms。
或者，假設採用如圖9C中波形的電壓逐漸上升和下降的斜坡波形。可以在美國專利5,745,086中找到這種類型的波形的更詳細說明。在這種情況下，施加與起始電壓電平接近的壁電壓，積累壁電荷，但是設置本身是耗時的且不能被限制在360μs左右。
但是，在圖8的設置波形中，可應用接近起始電壓電平的壁電壓，使得甚至用不多於1.25μs的極短的尋址脈衝能穩定地進行尋址。因此，當掃描線數為1080時，可以在1350μs或更短時間內完成尋址。既然整個設置波形需要360μs或更少時間，設置和尋址合起來所要的總時間可以限制在1710μs或更短時間內。
這意味著甚至在有八子場的情況下，在一場內為放電保持周期保留的總時間至少為16.7-(1.71×8)ms，即3ms，所以可以給放電保持周期分配足夠的時間。
考慮到上述原因，可以看出使用本實施例的設置波形使設置和尋址所需總時間能被限制在比先有技術中更低的水平。
換言之，甚至當掃描電極數高於先有技術中的掃描電極數時，設置和尋址所需的總時間被限制在同樣的水平。這必然允許把放電保持周期所佔的時間的百分比保持在與先有技術同樣的水平。
因而，本實施例可有效地實現具有極好的玻屏亮度的高解析度PDP。
另外，當用雙掃描方法執行尋址時，放電保持周期所佔時間的比例大於用單掃描方法時所佔時間的比例。
假設有1080條掃描線，並且尋址脈衝是1.25μs。這裡，如果執行雙掃描方法，八個子場可用6倍速方式實現，十二個子場可用3倍速方式實現，而十五個子場可用1倍速方式實現。
這裡，n倍速方式指的是其中在放電保持周期中、以在1倍速方式下所加保持脈衝次數的n倍施加保持脈衝的方式。隨著保持脈衝數量的增加，玻屏亮度也增加了。
形成設置脈衝波形的電路脈衝產生電路，諸如圖10中所示的那種，可用於圖6中所示的設置脈衝發生器111，以把具有上述特徵的波形作為設置脈衝加在掃描電極組12a上。
圖10中所示的脈衝產生電路是由用於產生具有逐漸上升的斜坡的第一脈衝的脈衝產生電路U1和用於產生具有逐漸下降的斜坡的第二脈衝的脈衝產生電路U2構成。第一脈衝產生電路U1和第二脈衝產生電路U2通過浮動地的方式連接。
第一脈衝產生電路U1和第二脈衝產生電路U2響應發自同步脈衝發生器103的觸發信號產生第一和第二脈衝。
這裡，如圖11所示，脈衝產生電路U1產生逐漸上升的斜坡的第一脈衝，而脈衝產生電路U2產生逐漸下降的斜坡的第二脈衝。而且，第一脈衝上升時間的起點與第二脈衝的上升時間實際上是一致的，第二脈衝下降時間的起點與第一脈衝的下降時間實際上也是一致的。通過把這兩個脈衝的電壓加在一起形成輸出脈衝而產生具有與圖8中波形同樣特點的脈衝波形。
圖12A和圖13A是分別表示脈衝產生電路U1和脈衝產生電路U2的結構的方框圖。
脈衝產生電路U1和U2具有下列結構。
如圖12A中所示，脈衝產生電路U1是連接到IC1(例如由InternationalRectifier製造的IR2113)的推挽電路。IC1是三相橋路激勵器，而推挽電路包括上拉FET Q1(場效應管)和下拉FET Q2。電容C1插在上拉FET Q1的柵極和漏極之間，而限流元件R1插在IC1的端子H0和上拉FET Q1的柵極之間。均勻電壓Vset1加在推挽電路上。這個電壓Vset1具有等於電壓V2-電壓V1的值，電壓V1和V2已經在圖8中作了說明。
在脈衝產生電路U1中形成包括上拉FET Q1，電容C1和限流元件R1的密勒積分器，使具有平緩斜坡的上升時間的波形得以形成。
圖12B表示由形成第一脈衝的脈衝產生電路U1產生的碼元。
如圖12B所示，當脈衝信號VHin1輸入Hin端且具有相反極性的脈衝信號VLin1輸入IC1的Lin端時，推挽電路在IC1的控制下被驅動，從輸出端OUT1輸出第一脈衝。第一脈衝是上升至電壓Vset1的平緩斜坡的斜坡脈衝。
這裡，第一脈衝中平緩斜坡上升時間t1與電容C1的電容量C1、電壓Vset1、IC1的Ha端和Vs端之間的電勢差VH、以及限流元件R1的電阻值R1具有下列關係t1＝(C1×Vset1)/[(Vset1-VH)/R1]＝C1×R1×Vset1/(Vset1-VH)因此，通過改變電容C1的電容量C1和限流元件R1的電阻值R1可以調整上升時間t1。
如圖13A所示，脈衝產生電路U2是連接到IC2(例如由InternationalRectifier製造的IR2113)的推挽電路。IC2是三相橋路激勵器，而推挽電路包括上拉FET Q3和下拉FET Q4。電容C2插在上拉FET Q4的柵極和漏極之間，而限流元件R2插在IC2的端子H0和上拉FET Q4的柵極之間。均勻電壓Vset2加在推挽電路上。這個電壓Vset2具有等於圖8中所示電壓V1的值。
在脈衝產生電路U2中形成包括上拉FET Q4，電容C2和限流元件R2的密勒積分器，使具有平緩斜坡的上升時間的波形得以形成。
圖13B表示由形成第二脈衝的脈衝產生電路U2產生的碼元。
如圖13B所示，當脈衝信號VHin2輸入Hin端且具有相反極性的脈衝信號VLin2輸入IC2的Lin端時，推挽電路在IC2的控制下被驅動，從輸出端OUT2輸出第二脈衝。第二脈衝是上升至電壓Vset2的平緩斜坡的斜坡脈衝。
這裡，第二脈衝中平緩斜坡上升時間t2與電容C2的電容量C2、電壓Vset2、IC2的La端的電勢VL、以及限流元件R2的電阻值R2具有下列關係t2＝(C2×Vset2)/[(Vset2-VL)/R2]＝C2×R2×Vset2/(Vset2-VL)因此，通過改變電容C2的電容量C2和限流元件R2的電阻值R2可以調整下降時間t2。
隔離肋條的高度與間距的要求當用上述設置脈衝波形來驅動具有約1080條掃描線的玻屏的高解析度PDP時，應該如下設計所述玻屏的構成部分以獲得尤其是在穩定尋址方面，對PDP令人滿意的驅動。
隔離肋條30應該最好具有在80μm和110μm之間的高度。
這是因為不多於110μm的高度使甚至在尋址脈衝不多於1.5μs時，尋址能穩定地發生，而少於80μm的高度將使放電空間太狹窄，增加了尋址不穩定性的可能。
當隔離肋條30高為80μm至110μm時，甚至在尋址脈衝是大約1.25μs的極短脈衝時，確保了穩定尋址。
隔離肋條30的適當間距是在100μm至200μm之間(尤其在140μm至200μm之間)。
這是因為超過200μm的間距意味著更大的玻屏和對於每條電極線更高的阻抗值，使獲得一致高的放電變得困難。同時，小於140μm的間距(尤其是小於100μm的間距)使放電空間更窄，並且尋址放電更不穩定。
每條掃描電極線12a與保持電極線12b之間的間隔的適當範圍是在50μm與90μm之間。
這是因為把上述間隔設置在小於50μm使在生產過程中短路的發生更有可能，同時超過90μm的間隔使在高速驅動中放電的產生更加困難。
襯底上的螢光層31部分的厚度應該最好設為在15μm至30μm之間的厚度(尤其是在15μm至25μm之間)。
原因是如果這部分的厚度小於15μm，則紫外光轉變為可見光的效率降低了，而如果厚度超過25μm(而且甚至更多所以如果它超過30μm)，放電空間變得更窄，減少了產生的紫外光量。
每個地址電極線22的寬度應該最好在隔離肋條30間距的40％至60％之間(尤其希望在所述間距的30％至60％之間)。
原因是小於所述間距的40％的寬度(特別是小於其30％的寬度)太窄了，使穩定的尋址放電更加難以產生，而超過所述間距的60％的寬度使相鄰小區間的串擾更加可能發生。
介質層13應該最好具有在35μm至45μm之間的厚度。
原因是，如果介質層13具有小於35μm的厚度，電荷趨於耗散，使得不穩定尋址更有可能。同時，超過45μm的厚度增加了驅動電壓。
介質層23應該最好具有在5μm與15μm之間(尤其希望在5μm與10μm之間)的厚度。
原因是，如果介質層23具有小於5μm的厚度，電荷趨於耗散，使得不穩定尋址更有可能。同時，超過10μm的厚度，尤其是超過15μm的厚度，增加了驅動電壓。
實施例的備選方案本實施例給出了圖4所示的實例，其中，在設置周期中，具有上述特點的脈衝波形加在掃描電極組12a上，沒有電壓加在地址電極組22上(在設置周期中地址電極22的電勢為0)，或者在區間A1至A5中加在保持電極組12b上。但是，通過使用導致在掃描電極組12a與地址電極組22之間以及在掃描電極組12a與保持電極組12b之間電勢差的、具有與上述在設置周期中波形相同的特點的電壓，可以獲得類似的效果。
例如，在設置周期中可加上圖12B中所示波形。即，把具有正電壓值V1的斜坡電壓脈衝加在掃描電極組12a上，而具有負電壓值(V1-V2)的斜坡電壓脈衝同時加在地址電極組22上。這裡，電壓值V1和V2具有與所述實施例中相同的意義。在掃描電極組12a與地址電極組22之間所加的電勢差波形具有與圖8中所示波形相同的特點，因而獲得類似效果。
另外，本實施例給出實例，其中在設置周期中加在掃描電極組12a和尋址電極組22間，以及在掃描電極組12a與保持電極組12b之間的電勢差波形都具有類似圖8中所示波形的特點。但是，如果在設置周期中僅加在掃描電極組12a和尋址電極組22的電勢差波形具有類似圖8中波形，具有與這個電壓波形類似特點的電壓波形將會加在每個小區上，能獲得幾乎相同的效果。
例如，如果具有與圖8中波形相同特點的電壓波形加在掃描電極組12a和保持電極組12b上，在掃描電極組12a與地址電極組22之間以及在保持電極組12b與地址電極組22之間仍然可以產生設置放電。這使得能夠獲得幾乎一致的效果。
不限於在驅動所述實施例中描述的這類PDP時使用本發明，而且可以在由ADS子場驅動方法所驅動的氣體放電板顯示裝置中廣泛地利用本發明。設若具有與圖8中相同特點的電壓波形在設置周期中加在每個放電小區中，當用設置周期-尋址周期-放電保持周期的順序驅動氣體放電板時，可以獲得如所述實施例同樣的效果。
實施例的實例表1

樣本1至11號(除樣本2號之外)表示當PDP中『掃描線數』，『尋址方法』，『子場數』，『方式數』，『尋址脈衝長度』和『設置脈衝長度』設置成不同值時，分配給『放電保持周期』和『保留周期』的時間量。
表1中『尋址方法』欄表示在一個尋址周期中加的尋址脈衝數。對於樣本1，在PDP的玻屏中掃描線總數為480，而對於樣本1至10為1080。但是，樣本5至11是用雙掃描方法驅動的，所以在這種情況下『掃描線數』表示出1080的一半，或者540。
在『設置周期(μs)』欄的值表示在一場(16.7μs)中設置周期所佔的總時間。每個值都是通過把設置脈衝長度乘以子場數而得到的。
在『尋址周期(μs)』欄的值表示在一場中尋址周期所佔的總時間。每個值對應於尋址脈衝長度×掃描線數×子場數所得總數。但是，表1中的尋址周期的值也可包括緊隨放電保持脈衝的施加之後加消除脈衝所佔的時間。
在『放電保持周期(μs)』欄的值表示在一場中分配給放電保持周期的總時間。
在『保留周期(μs)』欄的值是通過從一場的時間(16.7μs)中減去設置周期、尋址周期和放電保持周期所佔的時間而得到的。
注意，在樣本2中，由尋址周期所佔的時間大於一個子場的時間，所以保留周期為負值。因此，在樣本2描述的條件下驅動實際上不能發生。
在表1的每個樣本中(除樣本2之外)描述的條件下驅動PDP和顯示圖像，在樣本3至11的條件下驅動的PDP可令人滿意地顯示圖像。
對比實例為了作對比，現在描述採用如設置脈衝的先有技術的矩形波的實例。
在這個對比實例中，PDP中的掃描線數為480，所用方法為雙掃描，一場(16.7ms)中的子場數為十二，而對於每場的總設置周期為4.54ms。
這裡，尋址脈衝具有2.5μs的長度。在這種情況下，對於一場的總尋址周期為2.5μs×12(子場數)×240(線)＝7.2ms。
這意味著在一場中放電保持周期為3.825ms，對於上述樣本10相同，並且保留周期為1135μs。
當此替換實例與樣本10作比較時，可以看出，在每種情況下，放電保持周期所佔時間的比例是相同的，但是用於樣本10的掃描線數約為其兩倍，意味著它具有大約兩倍的解析度。
換言之，本實例表明，採用本發明使甚至具有大量掃描線的高解析度PDP能獲得與具有少數掃描線的先有技術中PDP相同的亮度。
這些說明主要集中在當本發明用於具有大量掃描線的PDP時產生的效果。但是，當本發明用於具有小玻屏和少數掃描線的PDP時，放電保持周期可以相應地加長。這導致諸如超過先有技術的PDP的玻屏亮度的增加這種效果，以及甚至在使用單掃描方法時保持足夠玻屏亮度的能力。
用所述驅動方法的PDP和本發明中所描述的氣體放電板顯示裝置在實現用於計算機和電視尤其是高解析度大屏幕裝置的顯示裝置上是有效的。
權利要求
1.一種包括氣體放電板和驅動電路的氣體放電板顯示裝置，所述氣體放電板由一對平行相對設置的襯底構成，其中以矩陣形式形成多個放電小區，通過用隔離肋條組把所述一對襯底之間的空間分成放電空間並且在每個放電空間中安排螢光材料來形成所述放電小區，而所述驅動電路包括用於通過施加電壓來設置多個放電小區的設置單元；用於通過把尋址脈衝加到所述多個放電小區來寫圖像的尋址單元；和用於通過把保持電壓加到所述多個放電小區來保持放電的放電保持單元，所述氣體放電板在保持放電周期中顯示圖像，其中通過所述設置單元加至多個放電小區的所述電壓的波形按下列順序包括第一區間，其中所述電壓上升至第一電壓，100V≤第一電壓＜放電啟動電壓；第二區間，其中所述電壓上升至不小於所述放電啟動電壓的第二電壓，所述電壓上升的斜率小於在所述第一區間中所述電壓上升的斜率；第三區間，其中所述電壓從所述第二電壓下降到比所述放電啟動電壓更低的第三電壓；第四區間，其中所述電壓從所述第三電壓進一步下降，所述電壓下降的斜率小於在所述第三區間中所述電壓下降的斜率。
2.根據權利要求1的氣體放電板顯示裝置，其中所述第三電壓不小於50V。
3.根據權利要求2的氣體放電板顯示裝置，其中所述第二區間中的所述電壓上升的斜率不大於9V/μs。
4.根據權利要求3的氣體放電板顯示裝置，其中所述第二區間中的所述電壓上升的斜率在1.7V/μs和7V/μs之間。
5.根據權利要求2的氣體放電板顯示裝置，其中所述第四區間中的所述電壓下降的斜率不大於9V/μs。
6.根據權利要求5的氣體放電板顯示裝置，其中所述第四區間中的所述電壓下降的斜率在0.6V/μs和3V/μs之間。
7.根據權利要求2的氣體放電板顯示裝置，其中所述第一區間和第三區間都不多於10μs。
8.根據權利要求2的氣體放電板顯示裝置，其中所述第二區間在100μs和250μs之間。
9.根據權利要求2的氣體放電板顯示裝置，其中所述第一電壓和第三電壓相同。
10.根據權利要求1-9中任一權利要求的氣體放電板顯示裝置，其中所述第三電壓是正電壓。
11.一種包括氣體放電板和驅動電路的氣體放電板顯示裝置，所述氣體放電板包括中間有一個空間的平行相對設置的第一和第二襯底；第一和第二電極組，每個電極組由多個電極線組成並且被介質層覆蓋，在面向所述第二襯底的所述第一襯底的表面上平行、交替地設置了所述第一和第二電極組的電極線；第三電極組，它由多個電極線組成並且被介質層覆蓋，以與所述第一電極組成直角的方向、平行地設置在面對所述第一襯底的所述第二襯底的表面上，所述襯底之間的空間被隔離肋條組分開，並且在隔離肋條之間設置了螢光材料，而所述驅動電路包括用於通過在所述第一電極組和所述第三電極組之間施加電壓來執行設置的設置單元；用於通過在從所述第三電極組選擇的電極線上加電壓、同時在所述第一電極組的每條電極線上依次施加電壓來寫圖像的尋址單元；以及通過在所述第一電極組和所述第二電極組之間加電壓來保持放電的放電保持單元，其中通過所述設置單元施加在所述第一電極組和所述第三電極組之間的電壓的波形按下列順序包括第一區間，其中所述電壓上升至第一電壓，100V≤第一電壓＜放電啟動電壓；第二區間，其中所述電壓上升至不小於所述放電啟動電壓的第二電壓，所述電壓上升的斜率小於在所述第一區間中所述電壓上升的斜率；第三區間，其中所述電壓從所述第二電壓下降到比所述放電啟動電壓更低的第三電壓；和第四區間，其中所述電壓從所述第三電壓進一步下降，所述電壓下降的斜率小於在所述第三區間中所述電壓下降的斜率。
12.權利要求11的氣體放電板顯示裝置，其特徵在於，所述第一電極組中的電極線與所述第二電極組中的電極線之間的間隔為50μm至90μm。
13.權利要求11的氣體放電板顯示裝置，其特徵在於，所述第一和第二電極組中至少一個電極組的電極線是由透明的導電薄膜和不透明的導電薄膜層壓在一起而構成的。
14.權利要求11的氣體放電板顯示裝置，其特徵在於，所述隔離肋條組包括多個以均勻間距排列的隔離肋條，並且所述第三電極組的每條電極線排列在相鄰的隔離肋條之間的間隙中，且具有所述肋條間距的30％與60％之間的寬度。
15.權利要求11的氣體放電板顯示裝置，其特徵在於，在所述第一電極組和第二電極組中的所述電極線被20μm至40μm厚的介質層覆蓋。
16.權利要求11的氣體放電板顯示裝置，其特徵在於，在所述第三電極組中的電極線被5μm至15μm厚的介質層覆蓋。
17.權利要求1至16中任一權利要求所述的氣體放電板顯示裝置，其特徵在於在由所述設置單元施加的所述電壓波形中所述電壓在所述第二區間中上升的斜率和所述電壓在所述第四區間中下降的斜率都不超過9V/μs；所述第一區間和所述第三區間都不多於10μs；所述第四區間在100μs與250μs之間；和從所述第一區間至所述第四區間的總時間不多於360μs。
18.權利要求17的氣體放電板顯示裝置，其特徵在於，由所述尋址單元施加的每個電壓脈衝不長於1.5μs。
19.權利要求17的氣體放電板顯示裝置，其特徵在於，所述隔離肋條組不高於110μm。
20.權利要求19的氣體放電板顯示裝置，其特徵在於，所述隔離肋條組至少有80μm高。
21.權利要求20的氣體放電板顯示裝置，其特徵在於，所述隔離肋條組被設置成具有不多於200μm的肋條間距的長條。
22.權利要求21的氣體放電板顯示裝置，其特徵在於，所述隔離肋條組的肋條間距不小於100μm。
23.權利要求21的氣體放電板顯示裝置，其特徵在於，所述隔離肋條組的肋條間距不小於140μm。
24.權利要求17的氣體放電板顯示裝置，其特徵在於，所述螢光材料的至少一部分被設置成所述第二襯底的面對所述第一襯底的表面上的螢光層，所述螢光層厚度在15μm與30μm之間。
25.一種用於在氣體放電板上顯示圖像的氣體放電板驅動方法，所述氣體放電板由一對平行相對設置的襯底構成，其中以矩陣形式形成多個放電小區，所述放電小區通過把所述一對襯底之間的空間分成放電空間並且在每個放電空間中設置螢光材料來形成所述放電小區，並且所述氣體放電板驅動方法包括用於通過施加電壓來設置多個放電小區的設置步驟；用於通過把尋址脈衝加到所述多個放電小區來寫圖像的尋址步驟；和用於通過把保持電壓加到所述多個放電小區來保持放電的放電保持步驟，通過重複地執行上述順序的步驟來顯示圖像，其中在所述設置步驟中加在所述多個放電小區的所述電壓的波形按以下順序包括第一區間，其中所述電壓上升至第一電壓，100V≤第一電壓＜放電啟動電壓；第二區間，其中所述電壓上升至不小於所述放電啟動電壓的第二電壓，所述電壓上升的斜率小於在所述第一區間中所述電壓上升的斜率；第三區間，其中所述電壓從所述第二電壓下降到比所述放電啟動電壓低的第三電壓；和第四區間，其中所述電壓從所述第三電壓進一步下降，所述電壓下降的斜率小於在所述第三區間中所述電壓下降的斜率。
26.根據權利要求25的氣體放電板顯示裝置，其中所述第三電壓不小於50V。
27.根據權利要求26的氣體放電板顯示裝置，其中所述第二區間中的所述電壓上升的斜率不大於9V/μs。
28.根據權利要求27的氣體放電板顯示裝置，其中所述第二區間中的所述電壓上升的斜率在1.7V/μs和7V/μs之間。
29.根據權利要求26的氣體放電板顯示裝置，其中所述第四區間中的所述電壓下降的斜率不大於9V/μs。
30.根據權利要求29的氣體放電板顯示裝置，其中所述第四區間中的所述電壓下降的斜率在0.6V/μs和3V/μs之間。
31.根據權利要求26的氣體放電板顯示裝置，其中所述第一區間和第三區間都不多於10μs。
32.根據權利要求26的氣體放電板顯示裝置，其中所述第二區間在100μs和250μs之間。
33.根據權利要求26的氣體放電板顯示裝置，其中所述第一電壓和第三電壓相同。
34.根據權利要求25-33中任一權利要求的氣體放電板顯示裝置，其中所述第三電壓是正電壓。
35.根據權利要求25、31-34中任一權利要求的氣體放電板驅動方法，其特徵在於在所述設置步驟中所施加的電壓波形中所述電壓在所述第二區間中上升的斜率和所述電壓在所述第四區間中下降的斜率都不超過9V/μs；所述第一區間和所述第三區間都不多於10μs；所述第四區間在100μs與250μs之間；和從所述第一區間至所述第四區間的總時間不多於360μs。
36.權利要求35的氣體放電板驅動方法，其特徵在於，在所述尋址步驟中施加的每個電壓脈衝不長於1.5μs。
全文摘要
當驅動氣體放電板時，在掃描和尋址電極組之間施加電壓以執行設置。所述電壓波形具有四個區間。在第一區間中，電壓在短時間內上升至第一電壓，其中100V≤第一電壓＜啟動電壓。然後，在第二區間中，電壓上升至不小於啟動電壓的第二電壓，並且電壓上升的絕對斜率小於在第一區間中電壓上升的絕對斜率。接著，在第三區間中，電壓在短時間內從第二電壓下降到比啟動電壓低的第三電壓。隨後，在第四區間中，電壓以小於第三區間中電壓下降的斜率的斜率進一步減小，在100μs至250μs內。整個電壓波形所佔的時間應該不大於360μs。這意味著可以適當地積累壁電荷，使得甚至當尋址周期中所加脈衝短時可以執行穩定尋址。這加長了放電保持周期因而提高了亮度。
文檔編號H01J17/49GK1892763SQ20061010142
公開日2007年1月10日 申請日期1999年11月8日 優先權日1998年11月13日
發明者日比野純一, 東野秀隆, 長尾宣明, 關澤卓, 宮下加奈子, 大河政文 申請人:松下電器產業株式會社