存在常規低k和/或多孔低k介電材料時的光刻膠剝除方法

2023-10-10 02:56:29 2

專利名稱：：存在常規低k和/或多孔低k介電材料時的光刻膠剝除方法存在常M/f氐k和/或多孔4氐k介電材料時的光刻膠剝除方法
背景技術：
：在半導體製造過程中，集成電路形成於由諸如矽等材料組成的半導體晶片上(簡稱"晶片")。為了在該晶片上形成集成電路，有必要製備出大量(例如，數百萬)的電子器件，例如不同類型的電阻、二極體、電容以及電晶體。這些電子器件的製造過程包括在晶片精確位置上沉積、去除和注入材料。通常^吏用一種稱為光刻的處理方法，以便於在晶片的精確位置上進行材料的沉積、去除和注入。在光刻處理中，光刻月交材衝+首先一皮沉積到晶片上。然後該光刻月交材衝+曝光於由中間4奄才莫(reticle)過濾的光線。該中間4奄才莫通常為^^璃面一反，其形成有示例特^正幾^T形狀圖案，該幾4可形狀可以阻止光線穿過中間掩模。當穿過中間掩模後，光線接觸光刻膠材料的表面。該光線改變曝光的光刻力交材料的化學組成。4吏用正型光刻膠材料，曝光使得曝光的光刻膠材料不溶於顯影液。相反，使用負型光刻膠材料，曝光4吏得曝光的光刻膠材料可溶於顯影液。當曝光後，光刻膠材料的可溶部分被去除，而剩下圖案化的光刻膠層。然後，晶片被處理，以在沒有被該圖案化的光刻膠層覆蓋的晶片區域中去除、沉積或注入材^牛。在該晶片處理後，在,皮稱作光刻膠剝除的處理中，該圖案化的光刻膠層從晶片被去除。在光刻膠剝除處理中完全去除光刻膠材料是重要的，這是因為，保留在晶片表面上的光刻膠材料可導致集成電路的缺陷。另外，該光刻膠剝除處理應當謹慎地進行，以避免化學上改變或物理上損壞晶片上的底層材料。
發明內容在一個實施例中，公開了一種用於從基片去除光刻膠材料的方法。該方法包括提供具有覆蓋低k介電材料的光刻膠材料的基片的操作，其中該光刻膠材料以及該低k介電材料均具有上覆的聚合物硬掩膜層限定。該方法還提供了用於進行第一剝除處理的操作，該剝除處理使用氧等離子體以去除聚合物膜。該方法進一步提供了在完成第一剝除處理後進行第二剝除處理的才喿作。第二剝除處理〗吏用氨等離子體以去除光刻膠材料。#丸行第一剝除處理和第二剝除處理時，均不會不利地損壞或去除下面的4氐k介電材料，並且不會磨蝕(faceting)石更4務月莫(hardmask)(》口果存在的i舌)。在另一個實施例中，公開了一種用於從基片去除光刻膠材料的方法。該方法包括提供具有覆蓋低k介電材料的光刻膠材料的基片的操作，該光刻膠材料以及低k介電材料均具有上覆的聚合物膜，該聚合物力莫包4舌碳氟4匕合物成分或氫氟烴(hydrofluorocarbon)成分。另外，該基片可使用或不使用在光刻膠材料以及低k介電材料之間的硬4奄膜層限定。該方法還包括在基片上配置氧氣，並將氧氣轉化為活性形式，其中，氧氣的活性形式影響聚合物膜的去除。當大體上完全去除聚合物膜後，終止基片上的氧氣配置(dispose)。該方法進一步包括在終止基片上的氧氣配置後，在基片上配置氨氣。氨氣被轉化為活性形式，其中，氨氣的活性形式影響光刻膠材料從基片的去除，並且不會導致下面的低k介電材料的實質性損壞或去除，並且不會磨蝕硬掩膜(如果存在的話)。在另一個實施例中，提供了一種用於從基片去除光刻膠材料的方法，該基片具有位於光刻膠材料下的低k介電材料，該光刻月交材料以及該低k介電材料均具有上覆有聚合物膜，該聚合物膜包括碳氟化合物成分或氬氟烴成分。在該方法的第一糹喿作中，在剛好去除聚合物膜所必需的持續時間內將聚合物膜暴露於氧等離子體。聚合物膜去除後，進行該方法的第二操作，在第二操作中，在完全去除光刻膠材料所必需的持續時間內將光刻膠材料暴露於氨等離子體。本發明的其它方面和優點將會從以下結合附圖並通過本發明的實例說明的具體的描述而更加明顯。圖1是示出根據本發明的一個實施例的示例性等離子體蝕刻腔室的示意限定的理想結構的示意圖2B是示出對應於圖2A中的聚合物層、光刻月交層和BARC層一皮去除後的結構的理想結構的示意圖3是示出根據本發明的一個實施例的用於從基片去除光刻膠材並+的方法的流禾呈圖的示意圖4A是示出根據本發明的一個實施例的在進行兩步剝除處理之前的樣品晶片表面的圖像的示意圖4B是示出在進行兩步剝除處理之前的樣品晶片表面的另一個圖像的示意圖；圖5A和圖5B是示出在如表1中描述的進行兩步剝除處理之後，圖4A和圖4B中的^^羊品晶片圖^f象的示意圖；以及圖6A和6B是示出在進4亍氬氟酸浸漬後，圖5A和圖5B中的樣品晶片圖像的示意圖。具體實施例方式在以下描述中，將闡明多個特別的細節，以提供對本發明的透徹的理解。但是，明顯地，對於本領域的技術人員而言，本發明可熟知的處理操作未具體描述，以避免不必要地混淆本發明。先進的集成電路通常使用低k介電材料作為相鄰導線間的電絕緣體，即作為中間層介電材料。低k介電材料被定義為具有比Si02的k值小(即小於約3.9的k值)的絕緣材料。為了論述的目的，具有小於約2.5的介電常數值(即k值)的低k介電材料被認為是"多孑L，，低k材料。另夕卜，具有大於或等於約2.5的介電常悽史值(即k值)的低k介電材料被認為是"密集"或"常規"低k材料。使用低k介電材料減少了在增加器件速度時在相鄰導線之間的不期望的電容耦合(即串擾)。本文中，通用術語"低k介電材料"指任何類型的低k介電材料(即多孔型或密集/常規型)。為了在晶片上形成集成電路結構，通常有必要使低k介電材料經受等離子體蝕刻處理。在晶片上的低k介電層的等離子體蝕刻中，通常使用光刻膠掩模層以在低k介電層上形成掩模圖案。該掩模圖案用於在等離子體蝕刻處理過程中保護下面的低k材料不淨皮去除。一旦該等離子體蝕刻處理完成，並且對應的4務模圖案在該低k介電層中形成，則光刻膠材料以及相關聯的殘留物需要乂人該晶片去除。另夕卜，應當理解，一旦等離子體蝕刻處理完成，則保留的低k介電材料的部分將會被暴露。光刻膠材料從晶片的去除可通過在晶片上進行光刻膠剝除處理而完成。但是，光刻膠剝除處理需要以這樣的方式進行，即其不會不利地影響下面的/暴露的低k介電材料，也不會導致磨蝕存在於光刻膠材料以及低k介電材料之間的硬掩膜材料。本發明提供了一種用於將光刻膠材料從基片剝除(即去除)的兩步處理，其中，基片包括位於光刻膠材料之下的低k介電材料。在一個實施例中，基片表現為半導體晶片。應當理解，術語基片、半導體晶片和晶片在本發明中為同意用語。除了包括低k介電材料之外，該基片的特徵在於其還具有覆蓋光刻膠材料及低k介電材料的聚合物膜或聚合物層。該聚合物膜為在光刻膠剝除處理之前執行的晶片製造處理(例如，等離子體蝕刻處理)的副產品。在一個實施例中，聚合物膜的特徵在於其包括^友氟化合物成分或氫氟烴成分。用於剝除光刻膠材料的兩步處理中的第一步驟使用氧等離子該兩步處理中的第二步驟使用氨等離子體以去除光刻膠材料，而不會不利地損壞或去除下面的低k介電材料。應當理解，第二步驟在第一步驟完成後開始。另外，還應當理解，該兩步光刻月交剝除處理學性質、溫度、壓力、氣流率、射頻功率、以及持續時間。在該兩步光刻月交剝除處理中，上述處理參悽史:帔限定為同時滿足以下要求-均一地去除該光刻材津+,而不會不利地損壞下面的^f氐k介電材料，-以商業上地竟爭性速率去除光刻膠材料，■完全去除光刻膠材料，基本上不留任何殘留物，以及去除光刻膠材料，並且不會在實質上導致硬掩膜材料(如存在的話)的4壬4可物理損壞或磨蝕。在詳細描述該兩步光刻膠剝除處理之前，描述可在其中進行該兩步光刻膠剝除處理的腔室是有益的。圖l是示出4艮據本發明的一個實施例的示例性等離子體蝕刻腔室("腔室")100的示意圖。該月空室100包4舌射頻(RF)馬區動電才及101和淨皮動電才及(passiveelectrode)103。RF驅動電極101配置為支持暴露於將要在腔室100內產生的等離子體的晶片105。提供了低頻RF發生器113和高頻RF發生器115，以通過導電連接體111分別向RF驅動電極101供應^f氐頻以及高頻的RF電流。在一個實施例中，產生的低頻RF電流具有2MHz的頻率，而產生的高頻RF電流具有27MHz的頻率。^f旦是，應當理解，本發明可^吏用以2MHz和27MHz以外的頻率產生的RF功率實施。例如，在低密度等離子體腔室中，RF功率可以千赫茲(kHz)的量級產生。相反地，在高密度等離子體腔室中，RF功率可以千兆赫茲(GHz)的量級產生。另夕卜，應當理解，本發明的兩步光刻月交剝除處理可^吏用多頻率腔室(如參照圖1所描述)或者單頻率腔室實施。對於圖1,在才喿作中，高頻和j氐頻RF電流通過腔室100的等離子體區i或，由RF驅動電才及101傳輸到一皮動電才及103，如箭頭117所示。應當注意，該腔室的等離子體區域^皮限定在晶片105、晶片105外的RF驅動電才及101、；陂動電極103以及限制環121之間。另外，高頻和4氐頻RF電流通過等離子體區域由RF驅動電才及101傳專敘到4妻i也延^f申吾卩107禾口109,^口箭頭119戶斤示。在才喿作中，處理氣體通過氣體供應口(未示出)和氣體排i文口(圖未示)，流經穿過腔室100的等離子體區域。通過等離子體區域傳輸的高頻和^f氐頻RF電流用於將處理氣體轉化為活性形式，該活性形式包括該處理氣體材料組分的離子和自由基(radical)。應當理解，該處理氣體的活性形式糹皮定義為具有等離子體的特4i。高頻RF電流影響腔室100中的等離子體密度，而低頻RF電流影響腔室100中的電壓，其中，電壓影響等離子體中的離子能量。可以調整提供給低頻RF發生器113和高頻RF發生器115的電力，以增加或減少等離子體內的等離子體密度和離子能量。等離子體內的離子和自由基與晶片105材^"相互作用，以<吏暴露於該等離子體的晶片105表面的性質產生變化。另夕卜，RF馬區動電才及101禾口,皮動電才及103之間的/U可關係影響存在於晶片105的偏置電壓。例如，當RF馬區動電才及101的上表面區域相對於被動電才及103的底表面區i或減小時，RF驅動電才及101的偏置電壓^奪增加，反之亦然。因為晶片105由RF驅動電才及101支撐，因此RF驅動電才及101的偏置電壓的增加會導致晶片105的偏置電壓的相應增加。當晶片105的偏置電壓增加時，與晶片105撞擊時的離子速率和定向性增加。增加的離子速率和定向性在某些處理中是優選的，例如高長寬比蝕刻。但是，另一些處理，例如溝槽蝕刻使用減小的離子速率和定向性是最優的。用於本發明的兩步光刻月交剝除處理的等離子體處理腔室才是供了處理氣體流動率控制、溫度控制、壓力控制、RF功率控制以及處理持續時間控制。如參照圖l所描述的，該雙頻率等離子體處理腔室IOO表示一種示例性的腔室，在該腔室中可進行本發明的兩步光刻膠剝除處理。〗旦是，應當理解，本發明的兩步光刻膠處理可以在實質上本領域技術人員熟知的任何適合於半導體晶片製造的等離子體處理腔室中進4亍。圖2A是示出根據本發曰i片上的理想結構(feature)200A的示意圖。該結構200A包括覆蓋低k介電材料207的光刻膠材料201。應當理解，該低k介電材料可以是多孔的或密集/常規的。在圖2A的示例中，SiC硬掩膜材料205以及底部防反射塗覆(BARC)材料203設置於光刻膠材料201與低k介電材料207之間。另外，低k介電材料207限定在SiC材料209上。整個結構200A被限定在Si基片211上。另外，聚合物層213，也被稱為聚合物膜，被限定在光刻膠材料201和低k介電材料207上。該聚合物層213代表先前蝕刻處理的副產品。在一個實施例中，聚合物層213一皮限定為包括-友氟化合物成分或氫氟烴成分。為了從該結構200A繼續半導體製造，有必要去除聚合物層213、光刻月交層201以及BARC層203。圖2B是示出對應於聚合物層213、光刻月交層201和BARC層203淨皮去除後的結構200A的理想結構200B的示意圖。圖3是示出了根據本發明的一個實施例的用於從基片去除光刻膠材料201的方法的流程圖的示意圖。應當理解，才艮據圖3描述的方法代表了一種上述的用於從基片剝除光刻膠材料的兩步處理的一個實施例。該方法包括用於提供具有覆蓋低k介電材料的光刻膠材料的基片的操作301。該光刻膠材料和低k介電材料均具有上覆的聚合物膜。在一個實施例中，該聚合物膜包括碳氟化合物成分或氫氟烴成分。該方法還包"fe用於進4亍第一剝除處理的才喿作303，該第一剝除處理使用氧等離子體去除聚合物膜，而不會不利地損傷或去除下面的低k介電材料。該第一剝除處理包括在基片上配置氧(02)氣。在一個實施例中，氧氣以/人約50標準立方釐米每分鐘(sccm)到約1000sccm範圍內的流率配置。本文中，術語"約"意指特定值±10%內。在另一個實施例中，氧氣以乂人約100sccm到約500sccm範圍內的流率配置。在再一個實施例中，氧氣以約200sccm的流率配置。該第一剝除處理還包4舌對配置在基片上的氧氣施加射頻(RF)功率。在一個實施例中，施加於氧氣的RF功率在從約50瓦特(W)到約2000W的範圍內。在另一個實施例中，施加於氧氣的RF功率在從約100W到約1000W的範圍內。在再一個實施例中，施加於氧氣的RF功率在乂人約200W到約1000W的範圍內。該施力口的RF功率用於將氧氣轉化為氧等離子體，其中，氧等離子體代表能夠去除聚合物膜的氧的活性形式。該第一剝除處理進一步包括在包括基片和氧等離子體的區域內保持壓力。在一個實施例中，在第一剝除處理期間，壓力保持在從約5毫託(mT)到約500mT的範圍內。在另一個實施例中，在第一剝除處理期間的壓力保持在從約5mT到約100mT範圍內。在再一個實施例中，在第一剝除處理期間的壓力〗呆持在,人約5mT到約20mT的範圍內。在聚合物膜包括碳氟化合物成分或氫氟烴成分的實施例中，來自氧等離子體與聚合物的反應的氟成分可被監控，以檢測第一剝除處理的終點。例如，第一剝除處理的終點將與氧等離子體中氟濃度的穩態同時發生。當確定已經大體上完全去除了聚合物膜後，通過終止在基片上配置氧氣而結束第一剝除處理。該方法進一步包括用於進行第二剝除處理的4喿作305,該第二剝除處理使用氨等離子體以去除光刻膠材料，而不會不利地損壞或去除下面的低k介電材料。應當理解，該第二剝除處理在第一剝除處理完成後開始。該第二剝除處理包4舌在基片上配置氨(NH3)氣。在一個實施例中，氨氣以/人約50sccm到約2000sccm範圍內的流率配置。在另一個實施例中，氨氣以/人約100sccm到約1000sccm範圍內的;^率配置。在再一個實施例中，氨氣以乂人約200sccm到約800sccm範圍內的;充率配置。該第二剝除處理還包4舌對配置在基片上的氨氣施加RF功率。在一個實施例中，施加於氨氣的RF功率在/人約50W到約2000W的範圍內。在另一個實施例中，施力口於氨氣的RF功率在,人約100W到約IOOOW的範圍內。在再一個實施例中，施加於氨氣的RF功率在/人約200W到約1000W的範圍內。該施力o的RF功率用於將氨氣轉化為氨等離子體，其中，氨等離子體代表能夠去除光刻膠材料的氨組分的活性形式。該第二剝除處理進一步包括在包括基片和氨等離子體的區域內保持壓力。在第二剝除處理中保持的壓力取決於低k介電材料的介電常數。如果該低k介電材料具有小於約2.5的介電常數值(即多孔低k介電材泮+)，4艮據一個實施例，在第二剝除處理中的壓力保持在從約5mT到約500mT的範圍內。在低k介電材料的介電常數小於約2.5的另一個實施例中，在第二剝除處理中，壓力保持在從約5mT到約100mT的範圍內。在低k介電材料的介電常數小於約2.5的再一個實施例中，在第二剝除處理中，壓力保持在從約5mT到約20mT的範圍內。但是，如果低k介電材料具有大於或等於約2.5的介電常數值(即密集/常規低k介電材料)，根據一個實施例，在第二剝除處理中，壓力保持在從約5mT到約1000mT的範圍內。在低k介電材料的介電常數值大於或等於約2.5的另一個實施例中，在第二剝除處理中，壓力保持在從約100mT到約500mT的範圍內。在低k介電材料的介電常數值大於或等於約2.5的再一個實施例中，在第二剝除處理中，壓力l呆l寺在約200mT。另外，才艮據一個實施例，在操作303的第一剝除處理和糹喿作305的第二剝除處理期間，其上設置有晶片的支撐件的溫度保持在從約-40攝氏度(°C)到約6(TC的範圍內。在另一個實施例中，其上設置有晶片的支持件的溫度保持在從約0°C到約4(TC的範圍內。在再一個實施例中，其上設置有晶片的支持件的溫度保持在約20°C。在一個實施例中，該方法包4舌在第二剝除處理完成後進4亍過剝除(overstrip)處理。該過剝除處J裡以與第二剝除處理相同的方式進行。應當理解，第二剝除處理的完成可以使用終點檢測技術(例如等離子體光譜分析)確定。例如，在一個實施例中，第二剝除處理的終點可通過觀察約420納米波長的CN發射譜線而確定。在才艮據終點一全測確定完成第二剝除處理後，進行過剝除處理，其持續時間為第二剝除處理持續至其終點的持續時間的約10%到第二剝除處理持續至其終點的持續時間的約200%的範圍內。在另一個實施例中，進行過剝除處理的持續時間為第二剝除處理持續至其終點的持續時間的約50%到第二剝除處理持續至其終點的持續時間的約100%的範圍內。在再一個實施例中，進行過剝除處理的持續時間對應於第二剝除處理4寺續至其終點的持續時間的約50%。由上述方法^是供的光刻力交材;扦剝除率耳又決於上述的剝除處理參數。在不同的實施例中，可期望從本發明的兩步剝除處理中獲得大於約5000A每分鐘(A/分)的光刻膠材料剝除率。另外，本發明的兩步剝除處理^爭越晶片^是供了均一的剝除率。例如，可期望本發明的兩步剝除處理在^爭越300毫米的晶片上4是供小於5%的剝除率的三標準偏差均一性。圖4A是示出了根據本發明的一個實施例的在進行兩步剝除處理之前的樣品晶片表面圖像的示意圖。該樣品晶片表面由數個結構限定，每個結構均具有覆蓋低k介電材料層207的光刻膠材料層201，其中SiC硬掩膜層限定於光刻膠材料和低k介電材料之間。聚合物膜213設置在光刻膠材料201、SiC硬掩膜和低k介電材料207上。圖4B是示出在進行兩步剝除處理之前的樣品晶片表面另一個圖^f象的示意圖。光刻月交材料層201、SiC石更掩月莫、^f氐k介電材料207和上覆的聚合物膜213均出現於圖4B的圖像中。表1描述了用於在圖4A-4B的樣品晶片上執行兩步剝除處理的剝除處理參數值。表1用於樣品晶片的剝除處理湊^t值tableseeoriginaldocumentpage19圖5A和5B是示出在進行了如表1所述的兩步剝除處理之後，圖4A和圖4B中才羊品晶片圖l象的示意圖。^口圖5A-5B所示，應該理解，本發明的兩步剝除處理大體上不留有殘留物。圖6A和6B是顯示出在進行氫氟酸(HF)浸漬後，圖5A和圖5B中樣品晶片圖4象的示意圖。HF浸漬用於去除由剝除處理改變的剩餘材料。如圖6A-6B所示，應該理解，本發明的兩步剝除處理基本上不產生4氐k材料損壞。另外，本發明的兩步剝除處理防止了一種以角部磨蝕(comerfaceting)為特徵的形體破壞。因此，本發明提供的用於從材料的損傷，並提供了高剝除率以及跨越晶片的優良的均一性，並且不磨蝕;更糹務膜材料。儘管已經根據數個實施例描述了本發明，但應該理解，通過閱讀前述說明和研究附圖，本領域的技術人員可實現多種改變、添附、置換及其等同方式。因此，本發明包括所有落入本發明主旨和範圍內的改變、添附、置換及其等同方式。權利要求1.一種用於從基片去除光刻膠材料的方法，包括提供基片，所述基片具有覆蓋低k介電材料的光刻膠材料，其中，所述光刻膠材料和所述低k介電材料均具有上覆的聚合物膜；使用氧等離子體執行第一剝除處理，以在沒有不利地損壞或去除所述下面的低k介電材料的情況下去除所述聚合物膜；以及使用氨等離子體執行第二剝除處理，以在沒有不利地損壞或去除所述下面的低k介電材料的情況下去除所述光刻膠材料，其中，在所述第一剝除處理完成後執行所述第二剝除處理。2.根據權利要求1所述的用於從基片去除光刻膠材料的方法，其中，所述聚合物膜包括碳氟化合物成分或氫氟烴成分，其中，由所述聚合物膜與所述氧等離子體反應產生的氟成分一皮監控，以檢測所述第一剝除處理的終點，所述第一剝除處理的終點與所述氧等離子體中氟濃度的穩態同時發生。3.根據權利要求1所述的用於從基片去除光刻膠材料的方法，進一步包4舌檢測所述第二剝除處理的終點；在所述第二剝除處理的終點後，執行過剝除處理，所述過剝除處理具有在乂人延續至所述終點的所述第二剝除處理的持續時間的約10%到延續至所述終點的所述第二剝除處理的持續時間的約200%範圍內的持續時間，其中，以與所述第二剝除處理相同的方式執行所述過剝除處理。4.根據權利要求1所述的用於從基片去除光刻膠材料的方法，其中，所述第一剝除處理包4舌以/人約50衝示準立方釐米每分4中(sccm)到約1000sccm範圍內的流率在所述基片上配置氧氣，以及對所述氧氣施加/人約50瓦特(W)到約2000W的範圍內的射頻(RF)功率，以將所述氧氣轉化為所述氧等離子體。5.根據權利要求1所述的用於從基片去除光刻膠材料的方法，其中，在所述光刻膠材津牛和所述低k介電材^f之間限定有硬掩膜材料。6.根據權利要求5所述的用於從基片去除光刻膠材料的方法，其中，在不磨蝕所述硬掩膜材料的情況下執行所述第一和第二剝除處理中的每一個。7.根據權利要求1所述的用於從基片去除光刻膠材料的方法，其中，所述第二剝除處理包括以從約50標準立方釐米每分鐘(sccm)到約2000sccm範圍內的流率在所述基片上配置氨氣，以及對所述氨氣施加從約50瓦特(W)到約2000W範圍內的射頻(RF)功率，以將所述氨氣轉化為所述氨等離子體。8.根據權利要求1所述的用於從基片去除光刻膠材料的方法，其中，所述第一剝除處理包括在包括所述基片和所述氧等離子體的區域內，將壓力保持在從約5毫託(mT)到約500mT的範圍內。39.根據權利要求1所述的用於從基片去除光刻膠材料的方法，其中，所述第二剝除處理包括當所述^f氐k介電材料具有小於2.5的介電常數值時，在包括所述基片和所述氧等離子體的區域內，將壓力保持在從約5毫託(mT)到約500mT的範圍內，其中，所述第二剝除處理包括當所述4氐k介電材並+具有大於或等於2.5的介電常數值時，在包括所述基片和所述氧等離子體的區域內，將壓力保持在從約5mT到約1000mT的範圍內。10.根據權利要求1所述的用於從基片去除光刻膠材料的方法，進一步包4舌將支撐所述基片的卡盤的溫度保持在從約_40攝氏度rc)到約6crc的範圍內。11.一種用於從基片去除光刻膠材料的方法，包括提供基片，所述基片具有覆蓋低k介電材料的光刻膠材料，其中，所述光刻膠材料和所述低k介電材料均具有上覆的聚合物膜，所述聚合物膜包括碳氟化合物成分或氫氟烴成分；在所述基片上配置氧氣；將所述氧氣轉化為活性形式，其中，所述氧的活性形式影響所述聚合物膜的去除；當大體上完全去除所述聚合物膜後，終止所述基片上所述氧氣的配置；在終止所述基片上的所述氧氣的配置後，在所述基片上配置氨氣；以及將所述氨氣轉化為活性形式，其中，所述氨的活性形式影響所述光刻膠材料從所述基片的去除，而不會導致所述下面的低k介電材料的實質性損壞或去除。12.根據權利要求11所述的用於從基片去除光刻膠材料的方法，進一步包括在所述基片上配置所述氧氣期間，監控所述基片附近呈現的氟濃度，所述聚合物膜的大體完全去除與所述氟濃度的穩態同時發生。13.根據權利要求11所述的用於從基片去除光刻膠材料的方法，其中，以,人約50標準立方釐米每分4中(sccm)到約1000sccm範圍內的流率在所述基片上配置所述氧氣。14.根據權利要求11所述的用於從基片去除光刻膠材料的方法，其中，以/人約50標準立方釐米每分^中(sccm)到約2000sccm範圍內的流率在所述基片上配置所述氨氣。15.根據權利要求11所述的用於從基片去除光刻膠材料的方法，其中，通過向所述氧氣和所述氨氣中的各種氣體施加從約50瓦特(W)到約2000W範圍內的射頻(RF)功率，將所述氧氣和所述氨氣中的每種轉化為活性形式。16.根據權利要求11所述的用於從基片去除光刻膠材料的方法，進一步包4舌在所述基片上配置所述氧氣期間，在包括所述基片的區域內，將壓力保持在從約5毫託(mT)到約500mT範圍內；當所述低k介電材料具有小於2.5的介電常數值時，在所述基片上配置所述氨氣期間，在包括所述基片的區域內，將壓力保持在從約5mT到約500mT的範圍內；當所述^[氐k介電材闢牛具有大於或等於2.5的介電常悽t值時，在所述基片上配置所述氨氣期間，在包括所述基片的區域內，將壓力保持在從約5mT到約1000mT的範圍內。17.根據權利要求11所述的用於從基片去除光刻膠材料的方法，其中，在所述光刻月交材料和所述低k介電材料之間限定有石更掩膜材料，所述氧和氨的活性形式分別影響所述聚合物膜和光刻膠材料從所述基片的去除，而不會磨蝕所述硬掩膜材料。18.—種用於從基片去除光刻膠材料的方法，所述基片具有位於所述光刻膠材料之下的低k介電材料，其中，所述光刻膠材料和所述低k介電材料均具有上覆的聚合物膜，所述聚合物膜包括,灰氟化合物或氫氟烴成分，所述方法包4舌在剛好去除所述聚合物膜所必需的持續時間內將所述聚合物膜暴露於氧等離子體；以及在去除所述聚合物膜後，在完全去除所述光刻膠材料所必需的持續時間內將所述光刻膠材料暴露於氨等離子體。19.根據權利要求18所述的方法，其中，將所述聚合物膜暴露於所述氧等離子體包括以,人約50標準立方釐米每分鐘(sccm)到約1000sccm範圍內的流率在所述基片上配置氧氣，對所述氧氣施加乂人約50瓦特(W)到約2000W的範圍內的射頻(RF)功率，以產生所述氧等離子體，以及在包括所述基片和氧等離子體的區域內，將壓力保持在從約5毫託(mT)到約500mT的範圍內。20.根據權利要求18所述的方法，其中，將所述聚合物膜暴露於所述氨等離子體包括以乂人約50標準立方釐米每分4中(sccm)到約2000sccm範圍內的流率在所述基片上配置氨氣，對所述氨氣施加從約50瓦特(W)到約2000W的範圍內的RF功率，以產生所述氨等離子體，如果所述低k介電材料具有小於2.5的介電常數值，則在包括所述基片和氨等離子體的區域內，將壓力保持在從約5毫託(mT)到約500mT的範圍內，以及如果所述^氐k介電材料具有大於或等於2.5的介電常數值，則在包括所述基片和氨等離子體的區域內，將壓力保持在/人約5mT到約1000mT的範圍內。全文摘要公開了一種用於從基片剝除光刻膠材料的兩步處理方法，其中基片包括位於光刻膠材料之下的低k介電材料以及覆蓋在光刻膠材料和低k介電材料上的聚合物膜。兩步處理的第一步驟使用氧等離子體以去除聚合物膜。兩步處理的第二步驟使用氨等離子體以去除光刻膠材料，其中第二步驟在第一步驟完成後開始。兩步光刻膠剝除處理中的每個步驟分別由特定的處理參數值限定，這些處理參數包括化學成分、溫度、壓力、氣流率、射頻功率、以及頻率和持續時間。文檔編號H01L21/02GK101171673SQ200680015723公開日2008年4月30日申請日期2006年5月8日優先權日2005年5月10日發明者R·薩亞迪,海倫·朱申請人:朗姆研究公司