單相過零驅動閘的設計的製作方法

2023-10-10 22:03:04 2

專利名稱：單相過零驅動閘的設計的製作方法
技術領域：
本發明屬機電領域。
我曾在1999、9、1、公開的專利「三相交流電的無觸關開關(ZL95227526.0)」中留下一個設定，假定單相電的過零驅動問題有一個接入雙向可控矽控制極的過零驅動集成塊(或線路)就算問題已經解決。稍後對有關資料一推敲，我發現問題遠非如此簡單。由於該問題的徹底解決牽涉到上述三相專利的有效實施，為了掃清前進路上的技術障礙，也為了徹底揭示在單相電領域遺留下的圍繞過零驅動出現的技術問題，本發明著重從設計方法上描述「單相過零驅動閘」(即是上述專利ZL95227526.0中所說「單相交流電的過零驅動型無觸頭開關」)製作成功必然涉及的各個技術要點，這些要點均屬解決問題的必要條件，缺一不可。
人們出於安全生產與環境保護諸多需要，近年正著眼於以無觸頭的開關去取代有觸頭的開關，這是大勢所趨，通常這一任務由可控矽的截止與導通功能實施，而且實施也不難。稍後人們發現，只用可控矽作成的無觸頭開關雖可使負載線沒有因觸頭而生成的電火花，但仍不能根除開或關那一瞬派生的浪湧電流或電壓跳變，因而派生的高頻電磁輻射仍舊很強，於是出現了在可控矽控制極G上接入的「過零驅動集成塊」(或過零驅動線路)。說到底，這些集成塊或線路本質上都只是脈衝變換器，即使它已設計得十全十美，也只能算是滿足了單相過零驅動閘製造成功之前的一個必要條件，以下一些關係到能否真正實現過零驅動功能的要害問題，它就絲毫未能正面作答，如所謂「過零」的原始信息，確切的電參數為何？如何去捕捉？捉「過零」的方法周密否？等等，還不止此，退一步講，就算控制極上來的觸發信號果真是合格的「過零」才準開(或關)的脈衝，但可控矽仍舊可能不遵守過零規則我行我素運作，這一點見過後文分析即可一目了然；還有，有效的過零驅動對負載也有相應的嚴格要求，比方說，要求負載必須是無源負載，因為任何有源負載，哪怕該負載內只在某一時間段才出現派生的臨時「電源」，也可能因迭加而導致過零規則的破壞。可見，在單相交流供電領域裡能否有效實現過零驅動，決不是一個簡單的孤立的技術問題。之所以可控矽的非過零驅動容易實施，而過零驅動卻難於實施，是因為非過零驅動是一種只由可控矽獨自專斷的強制性功能，而過零一瞬的驅動卻是一種引導性的、多因素配合的功能。以上所述決非故弄玄虛，幾年前就曾出現過在過零驅動問題上前功盡棄的教訓，這已在我的前述三相專利文獻ZL95227526.0中揭示過一例，不再重述。
本發明的目的是從設計方法上說明在廣義單相電領域使用的過零驅動閘應當滿足的各種必要條件；作為重要特例，對以正弦交變電壓供電的無源負載或準無源負載，說明過零驅動閘各個必要條件的量的界線；就正弦交變電壓這種波形，提供詳細的線路圖，該圖既能精確地捕捉供電的每一次過零信息，又通過適當的脈衝變換使雙向可控矽的控制極上得到恰當的過零觸發脈衝，雙向可控矽是選用合格可控矽(如果負載屬於無源負載或準無源負載)，也可以是選用次合格可控矽(如果負載屬於線性儲能負載或非線性儲能負載)。如果情況屬於選用合格可控矽那種，則可控矽的開通與關斷均可在正弦交變電壓過零一瞬實現；如果情況屬於選用次合格可控矽那種，則可控矽的開通可在正弦交變電壓過零一瞬實現，但可控矽的關斷那一刻卻只能在負載上的交變電流過零實現了，此刻交變電壓並不過零。由此可見，過零驅動將酌情包含不同內容。
鑑於以往過零驅動設計上的教訓，為了避免重蹈覆轍，在說明本發明要求保護的技術內容之前，首先對後文將提及的主要概念界定如下單相電。後文所說「單相電」是一個廣義概念，它是指在供電(即相線——中線進線端)提供的周期為T的沒有直流分量的交變電壓V(t)，該V(t)的零值電壓[V(ti)＝0]每隔T/2時間間隔出現一次，而且，其上升沿「過零」與下降沿「過零」交替出現。
鏡象重合電壓。在上述單相電V(t)中，有一簇特殊的單相電，它的負值電壓(時間軸t之下那部分)反號成正值電壓後(即變為時間軸t上方的鏡象後)，可與該單相電的原正值電壓部分通過平移完全重合，這簇單相電稱為「鏡象重合電壓」，包括時間軸t從中腰穿過的正弦波、方波、三角波等電壓(鏡象重合電壓還有許多波形，因本文不予討論，略)。這一簇單相電是後文V(t)的主要供電形式，只要在這一簇中確定了任何一種具體供電波形及波參數，就可以準確地確定後文主線路上主要元部件應當界定的電參數。(注本文所有時間軸t均以平面直角坐標系的橫軸表示)。
過零驅動。後文所說「過零驅動」是指雙向可控矽在單相電零值電壓[V(ti)＝0]的近傍一個短暫「一瞬」內完成的開或關功能。此「一瞬」不是時間軸t上的幾何點，而是t軸上一節線段，但該時間線段遠遠短於V(t)的周期T所對應的時間線段。「一瞬」時間段的取值如何將直接關係「過零驅動」功能質量的高低，甚至關係到其成敗。決定「一瞬」取值的因素有二(1)V(t)的具體波形、波參數；(2)雙向可控矽某種特性參數的約束。下邊僅以常用市電的波形及波參數作詳細分析
討論的V(t)具體為V(t)＝E＝EmSin(2πft＋φ)，其中，Em＝310伏特，f＝50HZ，導出參數E周期T＝20ms，E的有效值220伏特。為了便於作定量分析，下文以一個開區間(ti－Δt，ti＋Δt)作「過零一瞬」的表達式。顯然，表達式內Δt這個時間段取值越小，同時雙向可控矽又有能力在其時間段內完成開或關功能，則「過零驅動閘」的質量必越高，能抑制的浪湧電流或電壓跳變當然也就越徹底。上述論斷的前提是在開區間(ti－Δt，ti＋Δt)內，V(t)只能是單調的上升(或下降)變量。
現在看上述E的三組具體數據(1)當Δt取0.317ms時，在開區間(ti－0.317ms，ti＋0.317ms)裡V(t)的最大模值為|Vmax0.317|≈31伏特，即為周期T內E的峰值Em(310伏)的1/10 ；(2)當Δt取0.106ms時，|Vmax0.106|≈10伏特，即為Em的1/30；(3)當Δt取0.032ms時，|Vmax0.032|≈3伏特，即為Em的1/100；由以上數據可知，如果雙向可控矽有能力在第(3)檔完成開或關功能，則將是上述三種情況下「過零驅動」質量的最佳者。特別注意，當Δt取1.6ms，|Vmax1.6|≈Em/2，顯然，此時再談「過零驅動」已失去意義，當然不可取，Δt再大就更不行了。
無源負載。凡負載之內不藏有任何供電實體與儲能元件者均稱「無源負載」。事實上，只有純電阻這一種線性負載才是標準的「無源負載」。
線性儲能負載與線性準無源負載。凡是單純由線性元件電阻R和線性儲能元件如電容C及電感L(包括自感與互感)等組合成的負載均稱為線性儲能負載，這些組合體之內雖然並無電源的實體，但也應算是「有源」的，因為其中的電抗元件恰巧要在供電的開或關那一刻以「供電電源」的身份出現。但這類負載卻有個共同特點因為是線性，其中每個R、C、L上的穩定的電流變量I(t)在V(t)屬於正弦供電條件時將依然屬於正弦變量，I(t)與V(t)的區別只在峰值與相位方面，而周期則均為T，所以，這類負載都可以「整容」成另一綜合性負載，後者功能與純電阻相同。「整容」過程如下如果線性儲能負載是等效為電感與電阻相串的「感性負載」，可與它適當並聯一個「容性平衡支路」，使並聯後綜合負載的功率因素為1；如果線性儲能負載是等效為電容與電阻相串的「容性負載」，可與它適當並聯一個「感性平衡支路」，使並聯後綜合負載的功率因素也為1。經「整容」後得到的綜合負載，統稱「線性準無源負載」。實際上，綜合負載的功率因素COSψ在區間
的雙向可控矽稱為「合格可控矽」；把除IH外其餘電參數均合格者稱為「次合格可控矽」。
本發明要求保護以下技術內容關於單相過零驅動閘的設計法，與其他同類設計法相比，本設計法的特點是對過零驅動閘電路設計圖上關係到過零驅動功能的主要元件的電參數、以及部份線路的主功能，規定出了量的界限，其中有(1)規定使用雙向可控矽作執行元件，且雙向可控矽的VFA值必須小於單相V(t)在所有(ti－Δt，ti＋Δt)區間裡的最大模值|VmaxΔt|，設計者選定Δt之值時，要使這個|VmaxΔt|的值至少小於V(t)在一個周期T內的峰值電壓的1/10；過零驅動質量的高低由|VmaxΔt|值裁定，且|VmaxΔt|的值越小質量越高；(2)專門使用「同步過零線路」捕捉單相電V(t)的過零信息，然後將此信息直接輸入脈衝變換器的信號輸入端，而且，這個過零信息區間內出現的峰值電壓也非常接近零值，具體說，它至少小於V(t)在一個周期T內峰值電壓的1/1000，再小些當然會更好；(3)設計的脈衝變換器應為雙向可控矽的G～T1足提供如下參數的觸發脈衝脈衝幅度大於VGT，脈衝輸入或輸出G足的觸發電流大於IGT，脈寬td則既要大於(ti－Δt，ti＋Δt)，又要小於(ti－MΔt，ti＋MΔt)，td的前一區間界用於保證雙向可控矽過零一瞬實現觸通，td的後一區間界用於防止td寬得過份了，反而幹擾稍後跟著出現的關斷。上述M的取值視波形而定，M＞1，但M之值應保證在任何(ti，ti＋MΔt)內，V(t)都是單調變量，或遞增或遞減，只能屬一種。
(4)本設計的過零對每一次V(ti)＝0均適用，不論它是上升沿過零，或下降沿過零；本設計使用的單相電V(t)只限於鏡象重含電壓，負載也只限於以下四種之一無源負載、準無源負載、線性儲能負載、橋式整流的非線性儲能負載。
上述(1)、(2)、(3)的界定屬於過零驅動閘的內因，第(4)則屬於其外因。
此外，作為典型例子，本發明還專門針對正弦交流電壓(市電)E＝EmSin(2πft＋φ)這一種供電形式設計了一個完整的電路，該電路將用來詳細描述上述被保護技術內容的細節，下邊就來談這些細節


圖1是一個完整的單相過零驅動閘的線路圖。(為了醒目，供過零驅動線路使用的直流穩壓線路另畫)圖1供電端的V(t)現在是E＝EmSin(2πft＋φ)，為了與專利ZL95227526.0文獻上的線路圖相銜接，圖中仍以B相、O線作為進線端(即ZL95227526.0中所謂「B相線上的單元」)；圖1畫的RL是純電阻負載；R1與R2即ZL95227526.0中的「降壓同步交流線路」，現更名為「同步過零線路」，目的是突出「過零一瞬」的同步；除上述R1、R2、RL與雙向可控矽Vs以外，圖1所剩餘部分即為ZL95227526.0中的「過零驅動線路」。相線與0線的接法可保證在VS截止時負載RL上「不帶火」。
再看圖1中「過零驅動線路」的結構該線路共有7個集成塊IC1～7，所有集成塊均選用單電源供電的成品，且供電電壓統一使用一個直流穩壓電源E1，E1的取值在9伏至15伏之間。每個集成塊周圍的電子元件是為實現該集成塊的功能而設。7個集成塊中，IC1～3是三個電壓比較器，選一個四比較器LM339隻用其三(或選個作比較器用的四運放LM324隻用其三)，IC4是三輸入與門(若選用二輸入與門，可將電阻R6去除；若選用四輸入與門，可將多餘的一個輸入端搭接於另三輸入端之一)，IC5-7是三個施密特觸發器；可選個六施密特觸發器(如CD40106或CH40106)只用其中三個；直流穩壓電源E1的「參考零電位」接至B相的進線上，為了與已接大地的0線(中線)相區別，「參考零電位」使用圖1所示專用記號——加有園環的「接殼」標誌；光電耦合器GD中只有光敏管VT1在電路上與E1相通；而發光二極體VD7，卻是直接接入控制器線路的；該控制器在圖1未畫，它的線路與包括IC1～7在內的主線路互相隔離，電路上不相通。電壓比較器IC1與IC2按圖示並接在輸入端，IC1的「＋」與IC2的「－」短接於P1，IC1的「－」與IC2的「＋」短接於「參考零電位」，在輸出端，IC1接整流管VD5、IC2接整流管VD6，然後二管短接於P2；IC5、IC6對脈衝進行整形，它們之間的微分電路C1、R7的時間常數C1R7之值決定輸入IC4的脈寬td值，因為是正弦交變電壓供電，我們取td＝0.4ms，此時可選C1＝0.01μf，R7＝40KΩ(可用39KΩ代)；比較器IC1、IC2前的四個電晶體VD1～4是限幅器，其中二個穩壓管VD2、VD4取6伏至10伏之間某個穩壓值，VD1、VD3為整流管。當0線對B相的電壓為正，且P1點電位達到VD1與VD2共同形成的穩壓值後，0線電壓的繼續上升並不改變P1點的電位；但當P1點電位低於VD1與VD2共同形成的穩壓值界限後，VD1、VD2不起限幅作用了，此時只有分壓電阻R2起作用。以上0線對B相電壓為正，稱為交變市電的「正半周」，在另一半周(負半周)時，0線對B相電壓為負值；限幅作用由VD3、VD4實現，與上述「正半周」功能相似。R1在取值時可同時當作穩壓管VD2、VD4的限流電阻，比如取R1為220kΩ、0.5W，此時VD2、VD4就可取成0.25W的小功率穩壓管；R2應取值大於R1，這可使捕捉E＝EmSin(2πft＋φ)過零信息的精確性與準確性提高，例如取R2為51DKΩ，0.25W1再考慮到電壓比較器的放大倍數很高，因此，如果E1的供電電壓不超過20伏，則P1點對「參考零電位」的電壓值只要一超出[－2mV，＋2mV]區間，在P2點就會得到高電平E1值(VD5、VD6上壓降可略)。再結合上述R1、R2的具體取值，我們將看到捕捉到的V(t)的過零信息非常小，實際上在該過零信息區間內出現的電壓峰值大約只有V(t)一周期內的峰值Em的十萬分之一，比要求保護的千分之一而言就好得多了。另外，根據上述微分線路C1、R7的取值，td＝0.4ms，Δt＝0.1ms，對供電E＝EmSin(2πft＋φ)而言，|Vmax0.1|≈10伏，也只有峰值Em(310伏)的1/30，也比要求保護的比例(1/10)質量更高些。
以上對三與門IC4的第1輸入支路進行了詳細的量的描述；IC4的第3輸入支路由IC3、IC7、GD等元件組成。當控制器使光電耦合器GD中的發光二極體VD7點亮時，光敏管VT1因內阻減小使其集電極電壓降低，低於某個界值後施密特觸發器IC7的輸入將由高電平跳至低電平，再導致IC4的第3輸入端呈高電平。這裡，低電平指可視為「參考零電位」的小電壓，高電平指可視為E1電壓的「1」。IC7有防抖作用；三與門IC4的第2輸入端通過R6呈高電平。有時，為了便於VS截止時進行檢測，也可將第2輸入端鎖定於「參考零電位」。
在「過零驅動線路」中，三與門IC4三條輸入支路上各元件參數的選取值與負載無直接關係，從IC4起，以後的VT2、R8*如何選值將直接由雙向可控矽VS的要求決定，而VS究竟如何篩選又由負載決定。根據圖1所示，負載是純電阻RL，因此VS必須按前述合格可控矽的標準篩選，在現在的具體情況下，VS的觸通閥壓VFA＜10伏，而維持電流IH則為IH＜10伏/RL，其他參數則按常規方式去選定。
一般而言，三與門IC4的輸出電流只有幾毫安，為了向VS提供足夠的觸發電流，圖1使用NPN型放大管VT2，電阻R8*用於調定進入G足的電流與電壓，如果VT2的放大倍數太小，可改用複合管，如達林頓管。
關於直流穩壓電源E1E1是過零驅動線路與同步過零線路(這兩個線路在專利ZL95227526.0中統稱「過零驅動組件」)共用的工作電源。由於E1的「-」端是接在「參考零電位」(B相)上，所以應使用圖2—1或圖2—2的線路從供電端V(t)取得交流供電。圖2—1中，L0、L1、L2三個繞組各自獨立，不可以直接相接。由L2降壓，接著整流、濾波、穩壓得到直流穩壓電源E2是專為控制器線路(包括圖1光電耦合器裡的VD7)提供可隔離於雙向可控矽主線路的工作能源的， E2仍取9伏至15伏間一值；按圖2-2線路得到的直流穩壓電源EIB是專為三相專利ZL95227526.0中「B相線上的單元」所轄「過零驅動組件」提供工作能源的，至於「A相線上的單元」和「C相線上的單元」，也用圖2—2的線路，把B字母改成A或C，各參數與B相線單元所用的也完全相同，只不過別忘，得到的EIA和EIC是各自為自己所屬的單元服務的。由於圖2—2交流降壓時未使用電源變壓器；故其中的R11、R13均不可少，0線，相線的接入方式也只能如圖所示，不可接反，至於各元件的參數就得按具體的服務內容去決定了，一般設計者均可勝任，不再羅嗦。三相的控制器線路所使用的直流穩壓電源E2從交流供電端引進初始能量時，是使用電源變壓器，但變壓器初級繞組卻是跨接至三相線的兩個相線上的，380伏，這裡只提個醒，細節請看ZL95227526.0的文獻。
行文到此，可以說本文已通過對一種鏡象重合電壓[E＝EmSin(2πft＋φ)，Em＝310伏，f＝50HZ]的定量剖析，將本發明要求保護的技術內容描述得相當透徹。用一句話概括，本發明要求保護的是一種設計法，一種關於單相過零驅動閘的設計法。按照國際慣例，我將此法命名為「中華楊法」，意指此法乃中華大地上一個姓楊者所倡導。
本發明要求保護的幾個界限，總的來說不太嚴格，這是為了使批量生產時選材方便。拿雙向可控矽的VFA值來說，本文對於E＝EmSin(2πft＋φ)這種供電，只主張取VFA小於10伏的可控矽；即是說，VFA只佔Em＝310伏的1/30；如果再嚴格點，VFA取3伏以下；顯然，「合格」的VS將會減少，這只可在特殊的需要時考慮。事實上，VFA取得越小(當然，td也隨之縮小)，削除的浪湧電流也越多，而且，越是VFA選得小，在四維時空中實現的控制(特別是遙控)將越精確、快捷。此話從何說起？記得在我為專利ZL95227526.0說明其先進性時，有這樣的話「特別是發明中屬於高級檔次的那種系列設計，已將所有有觸頭的元部件(包括各式中介微型繼電器在內)全部撇開，卻另以一種特殊的設計法，乾淨利落地將各種自動化動作快速推入最佳狀態，從而避開了觸頭機械動作所固有的滯後現象，為精確的控制鋪平道路。」實際上，何止是自動化，遙控當然也如此。由於三相專利的實施是離不開本文對「過零驅動閘」的定量精確描述，顯然，本文的閘定量質量的高低將直接關係ZL95227526.0的精確度，試想，在「過零一瞬」上越是含含糊糊，相對誤差不是將更大嗎？其實，本文技術也是對ZL95227526.0專利技術的深化，原先屬於ZL95227526.0的優點，由本文技術得到的產品仍舊保有，而且還進一步有所增加。保留的其他優點就略去不談了，這一節內容就算是對「過零驅動閘」先進性的說明吧。
在此我想說明幾個容易被忽略的問題(1)有一種情況是不問單相電V(t)究竟是何波形也去談「過零驅動」，其實，任何直流供電和V(t)只停留在直角坐標系第1象限的交變電壓(包括一部份周期性電壓)均無法討論這個課題。有些被遙控的用電器，由於其機動性高，是使用直流供電的；若要討論它的「過零驅動」問題，應先將供電通過變換器變為鏡象重合電壓，最通用的辦法是變為方波(2)討論方波的「過零驅動」要特別注意，決不可在「過零一瞬」之內出現峰值(不論是正峰值還是負峰值)。應把方波的本來波形——此波形類似梯形波——找出來，在其上升沿和下降沿之內(即梯形波腰上)找出適用於VFA的界值|VmaxΔt|；(3)有一類含有傳感器(包括天線)的電器，內部沒有任何供電的實體，也是橋式整流的、非線性的儲能負載。若傳感器從空間吸收的信號能量很弱，遠遠小於該電器從供電電源V(t)得到的能量，以至它可以忽略時，該傳感器可按非線性元件對待，整個電器此時可作為一般橋式非線性儲能負載處理，並引入「過零驅動閘」。
以上對過零驅動閘的分析尚未對其三與門IC4的第3輸入支路功能作詳細描述，實際上第3支路泛指各種外控制信號如何實施對過零驅動閘的指揮，顯然，這種指揮是與第1支路配合進行的。在第3支路上，可實現人工的手控，也可實現有關信息變化參量的監控(自動控制)，還可實現遠距離的遙控，這一切均通過控制器線路實現，這一點已在三相專利ZL95227526.0中從幾個不同檔次作了詳細分析，本文不再重複，僅對其中的遙控問題通過下邊一個具體例子作一些剖析，供使用者舉一反三參考。
1999年12月份《無線電》雜誌上有一篇談遙控的文章，題目是「新穎實用的八通道紅外遙控電路」，作者瞿貴榮。這是近一年內出現的通俗易懂的好文章。該文講清楚了如何將低頻訊號調製到載波——紅外光線上發射出去，遠處的接收器又如何將接收到的載波中的不同頻率的低頻訊號譯出來變為不同的八個指令，再通過發光二級管VD3～10，依次送到雙向可控矽VS1～VS8的八個控制極，最終促成VS1～VS8以八個各自獨立的遙控開關出現。當然，這八個遙控開關均不屬於本文的「過零驅動型」。但是，只要對接收器線路稍作修改(保留原發射電路不變)，八個遙控開關一下子就變成八個各自獨立的「過零驅動閘」了，這就是本說明書附圖的圖3所表示的內容。圖3畫有三個方框圖，方框圖I就是瞿文中的圖①，沒有變化；方框圖II就是瞿文中的圖②，僅有以下小變化將瞿文圖②電路上八個發光二級管VD3～10和八個雙向可控矽VS1～VS8去除，然後把從其中CD4022的八個足Y0～7引出的原本接至瞿文VD3～10的接線，改接至本文的光電耦合器GD的發光二極體的a足方框圖III與光電耦合器GD就是本說明書附圖的圖1簡化圖，新增的R21在圖中作限流電阻用。方框圖II工作的電源就是本說明書附2—1中的直流穩壓電源E2，遙控閘如圖4。
順便提一句對於批量生產而言，只是從理論上給出製作「過零驅動閘」的技術方案——設計法，還是不夠的，還應當有一個或一套能對「過零驅動」的質量作出客觀評判的檢定儀或設備，但已不屬於本文議題，只好以別的方式去對它進行表述了。
權利要求
1.對單相過零驅動閘進行設計，給出一幅或一套完整而詳細的電路圖，本發明的特徵在於還要進一步根據該電路圖引出的成品所面臨的使用條件[單相電V(t)的波形、波參數、負載RL的特性]及其內結構(雙向可控矽、脈衝變換器、放大器、同步過零線路等)，對圖上涉及過零驅動功能的主要元、部件的關鍵參數，嚴格作出如下量值界定(1)執行元件雙向可控矽的VFA值必須選得小於|VmaxΔt|，而|VmaxΔt|又必須至少小於V(t)在一個周期T內的峰值電壓的1/10(2)同步過零線路捕捉到的V(ti)＝0近傍的微電壓，其可能出現的最大值也至少小於V(t)在一個周期T內的峰值電壓的1/1000；(3)脈衝變換器向執行元件送去的觸發脈衝，除脈衝幅度與脈衝電流要符合常規規定以外，其脈衝的寬度tb則必須既大於(ti－Δt，ti＋Δt)，又小於(ti－MΔt，ti＋MΔt)，這裡的M取大於1的正數，但M的最大取值也必須能保證在任一小區間(ti，ti＋MΔt)之內，單相電V(t)只能是單調遞增變量或單調遞減變量當中的一種；(4)上述(1)、(2)、(3)款的規定對每一次零值電壓V(ti)＝0均適用。
2.根據第1條設計規則，針對單相電為正弦交流電壓E＝EmSin(2πft＋φ)的條件進行過零驅動閘的設計，其特徵在於(1)雙向可控矽的VFA按小於Em/30的標準篩選；(2)同步過零線路上R1、R2的取值能保證該線路能捕捉到的V(ti)＝0近傍的微電壓，其最大值也不足Em的十萬分之一；(3)脈衝變換器中，微分電路的時間常數的取值決定脈寬td。
3.根據第2條設計規則，單相電V(t)中的Em＝310伏，f＝50赫芝其特性在於(1)取雙向可控矽的VFA小於10伏；(2)脈衝變換器提供的觸發脈衝寬度為0.4ms，此時，M＝2。
全文摘要
「單相過零驅動閘的設計」是一種屬於機電領域的設計方法,它首先闡明:欲使該閘的過零驅動優良特性實施成功,提出其電路設計圖時,對圖上涉及過零驅動功能的主要元件參數及脈衝變換器的脈衝參數必須作出準確的量的界定,否則,過零一瞬的驅動將泡湯,不格;本文還以單相正弦市電為例,作出了其準確的界定,這就既為市電大幅度削除派生高頻輻射提供了堅實的理論根據,也為四維時空系統的精確遙控和監控在技術上鋪平道路;當然,還為三相專利ZL95227526.0的大範圍推廣解決了燃眉之急。
文檔編號H03K17/13GK1326268SQ0011784
公開日2001年12月12日 申請日期2000年5月26日 優先權日2000年5月26日
發明者楊榮合 申請人:楊松雲, 楊榮合