光刻投影組件、裝載鎖閉裝置和轉移物體的方法

2023-07-30 14:15:16

專利名稱：：光刻投影組件、裝載鎖閉裝置和轉移物體的方法
技術領域：
：本發明涉及一種包括含有處理室的物體處理器的光刻投影組件和一種包括投影室的光刻投影裝置，其中所述投影室和處理室可以相通，用於把將要被處理的物體從處理室轉移到投影室，反之亦然，所述物體尤其是基底，例如矽晶片，或構圖裝置例如掩模或中間掩模版。光刻投影裝置一般典型地包括-用於提供輻射投影光束的輻射系統；-用於支承構圖裝置(patterningmeans)的支承結構，所述構圖裝置用於根據期望的圖案對投影光束進行構圖；-用於保持基底的基底臺(substratetable)；和-用於將帶圖案的光束投影到基底的目標部分上的投影系統。
背景技術：
：這裡使用的術語「構圖裝置」應廣義地解釋為能夠給入射的輻射束賦予帶圖案的截面的部件，其中所述圖案與要在基底的目標部分上形成的圖案一致；本文中也使用術語「光閥」。一般地，所述圖案與在目標部分中形成的特定功能層相應，例如集成電路或其他器件(見下文)。這些構圖裝置的例子包括-掩模。掩模的概念在光刻中是公知的。它包括如二進位型、交替相移型、和衰減相移型的掩模類型，以及各種混合掩模類型。這種掩模在輻射光束中的布置使入射到掩模上的輻射能夠根據掩模上的圖案而選擇性的被透射(在透射掩模的情況下)或者被反射(在反射掩模的情況下)。在使用掩模的情況下，支承結構一般是一個掩模臺，它能夠保證掩模被保持在入射輻射光束中的期望位置，並且如果需要該掩模臺會相對所述光束移動；-可編程反射鏡陣列。這種設備的一個例子是具有一粘彈性控制層和一反射表面的矩陣可尋址表面。這種裝置的基本原理是(例如)反射表面的已尋址區域將入射光反射為衍射光，而未尋址區域將入射光反射為為非衍射光。用一個適當的濾光器，從反射的光束中過濾出所述非衍射光，只保留衍射光；按照這種方式，光束根據矩陣可尋址表面的定址圖案而產生圖案。可編程反射鏡陣列的另一實施例利用微小反射鏡的矩陣排列，通過使用適當定位的電場，或者通過使用壓電致動器裝置，使得每個反射鏡能夠獨立地關於一軸傾斜。再者，反射鏡是矩陣可尋址的，由此已定址反射鏡以不同的方向將入射的輻射光束反射到未定址的反射鏡上；按照這種方式，根據矩陣可尋址反射鏡的定址圖案對反射光束進行構圖。可以用適當的電子裝置進行該所需的矩陣尋址。在上述兩種情況中，構圖裝置可包括一個或者多個可編程反射鏡陣列。反射鏡陣列的更多信息可以從例如美國專利US5,296,891、美國專利US5,523,193、PCT專利申請WO98/38597和WO98/33096中獲得，這些文獻在這裡引入作為參照。在可編程反射鏡陣列的情況中，所述支承結構可以是例如框架或者工作檯，所述結構根據需要可以是固定的或者是可移動的；和-可編程LCD陣列，這種結構的例子在例如由美國專利US5,229,872中給出。如上所述，在這種情況下支承結構可以是例如框架或者工作檯，所述結構根據需要可以是固定的或者是可移動的。為簡單起見，本文的其餘部分在某些位置具體以掩模和掩模臺為例；可是，在這樣的例子中所討論的一般原理應適用於上述更寬範圍的構圖裝置。光刻投影裝置可以用於例如集成電路(IC)的製造。在這種情況下，構圖裝置可產生對應於IC每一層的電路圖案，該圖案可以成像在已塗覆輻射敏感材料(抗蝕劑)層的基底(矽片)的目標部分上(例如包括一個或者多個管芯(die))。一般的，單晶片將包含相鄰目標部分的整個網格，該相鄰目標部分由投影系統逐個相繼輻射。在目前採用掩模臺上的掩模進行構圖的裝置中，有兩種不同類型的機器。一類光刻投影裝置是，通過一次曝光目標部分上的整個掩模圖案而輻射每一個目標部分；這種裝置通常稱作晶片步進器(stepper)或步進重複(step-and-repeat)裝置。另一種裝置-通常稱作步進掃描裝置-通過在投影光束下沿給定的參考方向(「掃描」方向)依次掃描掩模圖案、並同時沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃描基底臺來輻射每一目標部分；因為一般來說，投影系統有一個放大係數M(通常＜1)，因此對基底臺的掃描速度V是對掩模臺掃描速度的M倍。這裡描述的關於光刻設備的更多信息可以從例如美國專利US6,046,792中獲得。在用光刻投影裝置的製造方法中，(例如在掩模中的)圖案成像在至少部分由一層輻射敏感材料(抗蝕劑)覆蓋的基底上。在這種成像步驟之前，可以對基底可進行各種處理，如打底，塗敷抗蝕劑和弱烘烤。在曝光後，可以對基底進行其它的處理，如曝光後烘烤(PEB)，顯影，強烘烤和測量/檢查成像特徵。以這一系列工藝為基礎，對例如IC的器件的單層形成圖案。然後這種圖案層可進行任何不同的處理，如蝕刻、離子注入(摻雜)、鍍金屬、氧化、化學-機械拋光等完成一單層所需的所有處理。如果需要多層，那麼對每一新層重複全部步驟或者其變化。最終，在基底(晶片)上出現器件陣列。然後採用例如切割或者鋸斷的技術將這些器件彼此分開，單個器件可以安裝在載體上，與管腳連接等。關於這些步驟的進一步信息可從例如PetervanZant的「微型集成電路片製造半導體加工實踐入門(MicrochipFabricationAPracticalGuidetoSemiconductorProcessing)」一書(第三版，McGrawHillPublishingCo.，1997，ISBN0-07-067250-4)中獲得，這裡作為參考引入。為了簡單起見，投影系統在下文稱為「鏡頭」；可是，該術語應廣義地解釋為包含各種類型的投影系統，包括例如折射光學裝置、反射光學裝置和反折射系統。輻射系統還可以包括根據這些設計類型中任一設計的操作部件，該操作部件用於引導、整形或者控制輻射的投影光束，這種部件在下文還可共同地或者單獨地稱作「鏡頭」。另外，光刻裝置可以具有兩個或者多個基底臺(和/或兩個或者多個掩模臺)。在這種「多臺式(multiplestage)」器件中，可以並行使用這些附加臺，或者可以在一個或者多個臺上進行準備步驟，而一個或者多個其它臺用於曝光。例如在美國專利US5,969,441和WO98/40791中描述的二級光刻裝置。在典型的光刻設備中，通過基底軌道(track)和基底處理器(handler)將基底傳送到光刻投影裝置的基底臺上。在基底軌道中基底的表面被預處理。基底的預處理典型地包括用輻射敏感材料(抗蝕劑)層至少部分地覆蓋基底。進一步，在成像步驟之前，基底可經過各種其他預處理工序，如打底，和弱烘烤。在基底預處理之後，通過基底處理器將基底從基底軌道傳送到基底臺(stage)。基底處理器典型地適合將基底精確定位在基底臺上，且還可以控制基底的溫度。對於確定的光刻投影裝置，例如使用遠紫外輻射(簡寫EUV輻射)的裝置，只有在真空條件下才能獲得基底上的投影。因此基板處理器應適合將預處理的基底轉移到真空中。那就典型地意味著至少在基底軌道中基底的預處理之後，基底的處理和溫度控制必須在真空中完成。對於另一類型的光刻投影裝置，例如在N2環境中使用如157nm輻射操作的裝置，保持特殊的氣體環境，例如N2環境是必要的。因此基底處理器應適合將預處理的基底轉移進特殊氣體環境中。那通常意味著至少在基底軌道中基底的預處理之後，基底的處理和溫度控制必須在特殊氣體環境中完成。
發明內容本發明的第一方面第一方面，本發明涉及一種構成光刻投影組件部分的裝載鎖閉裝置(loadlock)。裝載鎖閉裝置是用於將物體例如基底，從第一環境轉移到第二環境的裝置，由此例如其中的一個環境具有比另一個環境較低的氣壓。在兩個環境中氣壓也是可以相同的。其本質是裝載鎖閉裝置是在兩個或更多個具有不同條件例如不同的氣壓、不同的溫度、不同的氣體成分或氣氛(atmospheres)、以及其它的環境之間的中間空間。從以前的技術可以了解到，裝載鎖閉裝置設有單一的支承位置(supportposition)。該支承位置用於將來自第一環境的要轉移的物體轉移到第二環境，以及將來自第二環境的要轉移的物體轉移到第一環境。在從第一環境到第二環境的物體轉移過程中，裝載鎖閉裝置的內部被排氣。排氣需要花費一定量的時間。為了提高從第一環境轉移到第二環境的物體的數量，提高排氣過程的速度是有可能的。然而依照以前的技術，裝載鎖閉裝置的排氣仍需要一個最小時間量。鑑於容納光刻投影組件的部件的空間較小的事實，本發明的第一方面的目的是提高光刻投影組件的生產量。依照本發明的第一方面，通過提供下述光刻投影組件達到該目的，該光刻投影組件包含至少一個用於在第一環境與第二環境之間轉移物體尤其是基底的裝載鎖閉裝置；包含處理室的物體處理器，在該處理室內第二環境佔優勢，物體處理器和裝載鎖閉裝置被構造和布置成在它們之間轉移物體，和包括投影室的光刻投影裝置；其中所述處理室和投影室為了在它們之間轉移物體而相通，且其中所述裝載鎖閉裝置包括裝載鎖閉裝置室，該裝載鎖閉裝置室設有至少兩個彼此不同的物體支承位置。在裝載鎖閉裝置內存在至少兩個物體支承位置例如第一和第二二支承位置的優點是，在一個裝載鎖閉裝置循環內第一物體可以定位在一個物體支承位置上，第二物體可以從另一個物體支承位置移除。例如，當打開裝載鎖閉裝置以將裝載鎖閉裝置室內部與第二環境連接時，這就使首先在一個物體支承位置上定位處理過的基底，而後移動已經定位在另一個物體支承位置上將要處理的物體成為可能。接著，在關閉所述裝載鎖閉裝置室和朝向第一環境將所述裝載鎖閉裝置室通氣之後，所述裝載鎖閉裝置室內部與第一環境相連接，能移去處理過的物體和插入新的將要被處理的物體。然後可以將裝載鎖閉裝置排氣並重複在前的步驟，等等。該步驟能夠使在第一和第二環境之間的轉移物體例如基底的時間變得有效率。此外用於移動像操縱器如機械手這樣的設備所必需的時間能保持到最小，其中該設備用於抓住和操縱將在第一環境和第二環境之間轉移的物體，例如基底。倘若兩個環境之間的差別在於將裝載鎖閉裝置內部排氣時兩個環境的氣壓，該氣壓差就會影響裝載鎖閉裝置室內的溫度。由於該氣壓差，裝載鎖閉裝置室內的物體如基底的溫度也會受到影響。至於在光刻投影組件中的將要被處理的物體，該物體的溫度是需要控制的因素之一。這在當基底在光刻投影裝置內時尤其適用，然而這也意味著在向光刻投影裝置的轉移過程中，應注意基底的溫度。在將物體經過裝載鎖閉裝置轉移的過程中，為了改善物體的溫度控制，依照本發明的一個實施例，所述裝載鎖閉裝置包括體積減小裝置用來減小氣體體積尤其是定位於至少一個物體支承位置上的鄰近物體表面的氣體體積。由於這個措施，鄰近物體表面的氣體體積會最小化。那就意味著在物體的轉移過程中由氣壓差導致的溫度差會保持到最小。依照本發明該方面的一個實施方案，所述至少一個物體支承位置包括尺寸大約等於或大於被支承的物體的支承板，頂棚板，設在所述至少一個物體支承位置上面，所述頂棚板具有大約等於或大於所述物體的尺寸；和所述體積減小裝置，包括一個定位裝置，用來●在所述裝載鎖閉裝置室的排氣之前和/或該過程中減小所述支承板和所述至少一個物體支承位置的所述頂棚板之間的距離；和●在物體從所述至少一個物體支承位置移去或將物體遞送到所述至少一個物體支承位置上之前，增大所述支承板與所述頂棚板之間的距離。尺寸大約等於或大於被支承的物體的支承板是指，在基底的情況下，阻止所述基底的支承側與鄰近於基底的氣體體積相接觸或，當所述支承板是以前技術中公知的小突起片(pimpledplate)時，所述支承側與存在於基底的支承側，支承板和所述支承板的小突起(pimples)之間的氣體體積具有有限的接觸。所述頂棚板可以是布置在裝載鎖閉裝置室內的單獨的板元件以及鎖閉裝置室的壁或存在於鎖閉裝置室內的任何元件的表面，它也需要具有大約等於或大於所述基底的尺寸，以使鄰近基底上表面的氣體體積能夠最小化。依照本發明該方面進一步的實施方案，所述定位裝置適合作用於所述支承板，而相應的頂棚板優選以固定的方式布置在所述裝載鎖閉裝置室內。這個布置在縮短用於處理基底從夾子到基底支承位置上，或反之，處理基底從基底支承位置到夾子上所需要的時間方面提供了優點。依照本發明該方面進一步的實施方案，所述定位裝置設在所述裝載鎖閉裝置室的側面和/或在所述裝載鎖閉裝置室的頂部和/或在所述裝載鎖閉裝置室的底部。這個布置允許從前側以及從後側自由進入裝載鎖閉裝置室。為了補償在通過裝載鎖閉裝置室轉移過程中作用在物體上的溫度影響和/或為了使物體在早期階段受到溫度處理，依照本發明的一個實施方案，所述裝載鎖閉裝置，優選是一個或多個具有所述至少兩個支承位置的裝載鎖閉裝置，包括熱處理裝置，用來使物體達到預定的溫度和/或使整個物體上的溫度均衡。在該方面，依照本發明的一個實施方案，包含一個或多個所述至少兩個支承位置的支承板設有熱處理裝置。這種熱處理裝置可以是，例如管線的形式，例如管子或通道，其設在各自支承板的內部，通過所述的管線抽吸流體，以控制支承板的溫度，且經由支承板控制物體的溫度。依照本發明該方面進一步的實施方案，兩個所述的至少兩個支承位置，一個放置在另一個的上面。這種情況下，有利於熱處理裝置定位在所述的兩個支承位置之間。熱處理裝置可以是，例如帶有內部管線的板，通過該內部管線抽吸流體，就像以前描述的一樣。這種結構的優點是通過提供熱處理裝置可以節省空間和裝置，該熱處理裝置可以用於所述熱處理裝置上面的支承位置和所述熱處理裝置下面的支承位置的熱處理。倘若一個且相同的裝載鎖閉裝置用於轉移在光刻投影裝置中將要被處理的物體，以及在所述光刻投影裝置中處理過的物體，值得注意的是一般地所述熱處理對於仍要被處理的物體來說是非常重要的，對於已經處理的物體不太重要，但這取決於仍相當重要的後面的處理工序。這意味著布置在兩個支承位置之間的熱處理裝置對於兩個支承位置來說不需要有相同的效果，至少可以設想其中一個支承位置用於仍需要被處理的物體，另一個支承位置用於已經處理過的物體。依照本發明的一個實施方案，就像已經指出的，當所述熱處理裝置包括管線例如管子或通道和用來通過所述的管線泵送流體的流體泵送系統是有利的，所述管線設在支承板內和/或裝載鎖閉裝置室的一個或多個壁內。依照本發明該方面的又一個優選實施方案，所述裝載鎖閉裝置室包括頂壁和底壁，其中所述排氣裝置包括排氣開口，其設在所述裝載鎖閉裝置室的底壁中，和其中所述裝載鎖閉裝置包括通氣(venting)開口，其設在所述裝載鎖閉裝置室的頂壁中。通過從所述底壁排氣和從所述頂壁通氣，裝置內的氣流會從頂部到底部。這意味著粒子，如果存在的話，將會被氣體從裝載鎖閉裝置室的上部傳送到下部。所述粒子會沉積在裝載鎖閉裝置室的底部或從裝載鎖閉裝置室移除。在這個方面，優選所述的通氣開口和所述的排氣開口相對於所述支承位置居中布置，所述支承位置一個布置在另一個上面。這就為在排氣和或/通氣以移除粒子的過程中使用產生於裝載鎖閉裝置室內部的氣流提供了可能性，所述粒子可能放置在或可能粘附在裝載鎖閉裝置室內的基底上。所述頂壁和/或底壁可以固定，但不是必需固定，有利地，為了維修的目的頂壁和底壁是可移動的。依照該方面的進一步的實施方案，其中所述的投影室是一個真空室，所述的光刻投影裝置包括真空裝置，用來在所述真空室中形成和維持真空。真空意味著絕對氣壓大約0.1巴或更小。依照本發明該方面的進一步的實施方案，其中所述投影裝置包括-用於提供輻射投影光束的輻射系統；-用於支承構圖裝置(patterningmeans)的支承結構，所述構圖裝置用於根據期望的圖案對投影光束進行構圖；-用於保持基底的基底臺(substratetable)；和-用於將形成圖案的光束投影到基底的目標部分上的投影系統。依照本發明該方面的進一步的實施方案，所述物體是半導體晶片。依照本發明該方面的進一步的實施方案，所述門裝置包括朝向所述第一環境的第一門和朝向所述第二環境的第二門。由於具有兩個門，每一個朝向一個環境，這就避免了不得不操作裝載鎖閉裝置室本身。所述裝載鎖閉裝置室可以設置在一個固定的位置。這提高了裝載鎖閉裝置的輸入速度。為了提高光刻投影組件的生產量，依照本發明的一個實施方案，當光刻投影組件具有兩個或多個裝載鎖閉裝置時是有利的。裝載鎖閉裝置的生產量方面的限制因素是通氣和排氣所需要的時間。通過具有兩個或更多個裝載鎖閉裝置，可以在一個時間段內向第二環境提供更多個物體。例如一個裝載鎖閉裝置可以向第二環境打開，同時另一個裝載鎖閉裝置已經包含了一個物體，該物體是後來將要被轉移到第二環境中的。依照第一方面，本發明進一步涉及一種光刻投影組件，包括用於在第一環境和第二環境之間轉移物體特別是基底的至少一個裝載鎖閉裝置；物體處理器，其包括一個處理室，在其中第二環境佔優勢，所述物體處理器和所述裝載鎖閉裝置被構造和布置成在它們之間轉移物體，和光刻投影裝置，其包括一個投影室；其中所述處理室和投影室為了在它們之間轉移物體而相通，且其中所述裝載鎖閉裝置包括一個裝載鎖閉裝置室，該裝載室設有至少兩個彼此不同的物體支承位置，其中所述物體處理器結合在所述裝載鎖閉裝置內，以使所述處理室和所述裝載鎖閉裝置室是相同的。這就導致一個更加緊湊的組件。依照本發明的第一方面，本發明也涉及一種上面討論的裝載鎖閉裝置。換言之本發明也涉及一種在第一環境和第二環境之間用於轉移物體特別是基底的裝載鎖閉裝置，其中所述裝載鎖閉裝置包括裝載鎖閉裝置室，該裝載室設有至少兩個彼此不同的物體支承位置。本發明也尤其涉及一種在第一環境和第二環境之間用於轉移物體特別是基底的裝載鎖閉裝置，所述第二環境具有比所述第一環境低的氣壓；其中所述裝載鎖閉裝置包括裝載鎖閉裝置室；排氣裝置，用於將所述的裝載鎖閉裝置室排氣；門裝置，用於在排氣過程中關閉所述裝載鎖閉裝置室，和打開所述裝載鎖閉裝置室以使物體進入裝載鎖閉裝置室和從所述裝載鎖閉裝置室移除物體，其中所述裝載鎖閉裝置室設有至少兩個物體支承位置。涉及光刻投影組件的從屬權利要求也可以被看作是從屬於這個裝載鎖閉裝置權利要求，構成裝載鎖閉裝置優選實施方案的權利要求。依照本發明該方面，本發明也涉及一種依照本發明的裝載鎖閉裝置組件和晶片軌道系統，其中面向所述的第一環境的所述的門裝置在晶片軌道(track)系統處有出口。依照該方面，本發明也涉及一種在第一環境和第二環境之間轉移物體，尤其是基底的方法，該方法使用裝載鎖閉裝置優選上面描述的裝載鎖閉裝置，所述裝載鎖閉裝置具有裝載鎖閉裝置室，該方法包括-將第一物體定位在裝載鎖閉裝置內的第一物體支承位置上，-關閉所述裝載鎖閉裝置以密封第一物體，-通過排氣裝置將所述裝載鎖閉裝置排氣，-打開所述裝載鎖閉裝置以將裝載鎖閉裝置與第二環境相連，-將第二物體定位在所述裝載鎖閉裝置內的第二物體支承位置上和從第一物體支承位置移除第一物體。這個方法的優點從以前的關於光刻投影組件的描述是很清楚的。依照本發明該方面的方法的一個實施方案，當所述方法相繼地包括下述步驟時是有利的-關閉裝載鎖閉裝置以密封第二物體，-將所述裝載鎖閉裝置通氣，-打開裝載鎖閉裝置以將裝載鎖閉裝置與第一環境相連，和-從裝載鎖閉裝置移除第二物體。依照本發明的實施方案，當定位第二物體是在移除第一物體之前執行時，且當所述的定位和移除兩個步驟用相同的夾子執行時，可以提高所述方法的生產量。由於前面解釋的原因，依照本發明實施方案的方法，在裝載鎖閉裝置的排氣之前有利地包括減小與定位在第一物體支承位置上的第一物體鄰近的氣體體積。本發明的第二方面本發明的進一步目標是提供一種具有以下布置的光刻投影組件，該布置能使用有限數量的傳送裝置以在第一環境例如基底軌道與投影室之間有效地轉移基底，所述投影室一般包括基底臺。依照本發明，這個目標在光刻投影組件內達到，該光刻投影組件包括●用於在第一環境和第二環境之間轉移基底的至少兩個裝載鎖閉裝置，第二環境具有比第一環境低的氣壓；●基底處理器，其包括處理室，在其中第二環境佔優勢；●光刻投影裝置，包括投影室；所述處理室和所述投影室一方面通過裝載位置相通以使基底從處理室進入投影室，另一方面，通過卸載位置用於將基底從投影室移進處理室，在這個方面應當注意的是所述裝載位置和卸載位置可以是一個且相同的位置，也可以是不同的位置；所述處理室設有●預處理裝置，例如預對準裝置和/或熱處理裝置，用於基底的預處理；和傳輸裝置，適合將基底從裝載鎖閉裝置轉移到預處理裝置和從預處理裝置轉移到裝載鎖閉裝置，以及將基底從卸載位置轉移到裝載鎖閉裝置。所述裝載鎖閉裝置能將基底從第一環境例如空氣環境進入到第二環境，第二環境具有比第一環境低的氣壓，所述第二環境例如是真空，或接近真空。處理室中第二環境佔優勢。所述處理室包括傳輸裝置，用於將基底從裝載鎖閉裝置轉移到投影室，反之亦然。所述處理室也包括預處理裝置，例如預對準裝置，用於精確定位基底-以使得隨後在投影室中基底可以得到非常精確地處理一，和/或熱處理裝置，用於基底的熱處理以使其達到預定的溫度和/或使整個基底的溫度均衡和/或調節基底的溫度。所述預對準裝置一般包括用於相對於某個參考點來確定和/或糾正基底的位置的部件。通過提供至少兩個裝載鎖閉裝置，投影裝置中將要被處理的基底以及投影裝置中處理過的基底的生產量得到提高，這又必定增加傳輸裝置的數量，例如機器人的數量，或提高傳輸裝置的處理速度。依照一個實施方案，所述投影室是一個真空室，所述光刻投影裝置包括真空裝置，以在真空室中形成或維持真空。這樣的光刻投影組件尤其適合使用EUV輻射，其需要在真空下處理基底。對於真空，可以理解為絕對氣壓低於0,1巴(bar)。依照一個實施方案，所述傳輸裝置包括一個單一的，尤其僅僅一個操縱器，該操縱器設有夾子，且所述光刻投影組件包括適合控制操縱器的控制裝置，用於●從一個所述裝載鎖閉裝置抓取基底，並將所述基底轉移到預處理裝置；●從預處理裝置抓取基底，並將所述基底轉移到所述裝載位置；和●從所述卸載位置抓取基底，並將所述基底轉移到所述裝載鎖閉裝置中的一個上。這個實施方案能使用最小數量的操縱器，又節省了空間和成本。依照進一步的實施方案，所述光刻投影組件特徵在於所述傳輸裝置包括第一操縱器，其設有第一夾子；和第二操縱器，其設有第二夾子，且在光刻投影組件中包括適合控制第一和第二操縱器的控制裝置，用來●用第一夾子從一個所述裝載鎖閉裝置上抓取基底，並將所述基底轉移到預處理裝置；●用第二夾子從預處理裝置上抓取基底，並將所述基底轉移到裝載位置；●用第一夾子從卸載位置上抓取基底，並將所述基底轉移到所述裝載鎖閉裝置的一個中。通過提供第一和第二操縱器和因此合適的控制裝置，可以實現第二夾子僅把將要被處理的基底轉移進投影室中。這意味著，在預處理裝置的預處理後，所述基底被第二夾子處理，其非常精確地工作，而第一夾子可以允許較低精度的操作，這又降低了對第一夾子和操縱器的要求。任選地，預處理裝置可以包括預對準基底的預對準裝置，用於提高基底位置的精確性。第一夾子僅向裝載鎖閉裝置轉移已處理過的基底，以及從裝載鎖閉裝置移出將要被處理的基底。因此，通過使用一個用於向裝載鎖閉裝置轉移和從裝載鎖閉裝置移出基底的操縱器，在繁忙的基底通行交通的區域中得到了一個節省結構的空間。進一步，通過使用用於將基底遞送進投影室的第二操縱器和通過使用用於將基底從投影室移出的第一操縱器，在投影室和處理室之間的交換率得到提高。為了提高生產量，依照本發明的一個實施方案，當第一和/或第二夾子設有熱處理裝置，用於將基底達到預定的溫度和/或使整個基底上的溫度均衡，和/或調節基底的溫度時是有利的。通過這個實施方案，用於基底轉移的時間同時被用於基底的熱處理。基底溫度的調節會使所述基底溫度的幹擾最小化。為了使所需要的操縱器的數量最小化，依照本發明的一個實施方案，當所述至少兩個裝載鎖閉裝置包括第一和第二裝載鎖閉裝置時是有利的，為了與所述的第一和第二裝載鎖閉裝置相配合，定位所述單一的操縱器或第一操縱器。因此，從基底處理器的測面，一個且相同的操縱器服務於兩個裝載鎖閉裝置。進一步，這個構形提高了基底的生產量。當服務於裝載鎖閉裝置的操縱器為了將基底定位在第一裝載鎖閉裝置內或將基底從第一裝載鎖閉裝置收回而被使用時，所述第二裝載鎖閉裝置能同時用於在第一環境和第二環境之間轉移基底。依照一個進一步的實施方案，所述至少一個裝載鎖閉裝置，例如第一和/或第二裝載鎖閉裝置，設有第一和第二基底支承位置。這提高了使用所述至少一個裝載鎖閉裝置的靈活性。例如，當一個裝載鎖閉裝置將一個將要被處理的基底引進基底處理器時，所述操縱器可以首先將一個處理過的基底遞送到裝載鎖閉裝置內的一個空的支承位置上，然後取走所引進的將要被處理的基底。這降低了操縱器的運動次數。依照進一步的一個實施方案，第一和第二裝載鎖閉裝置與基底軌道(substratetrack)相連，用於向第一和第二裝載鎖閉裝置的基底供給和從第一和第二裝載鎖閉裝置的基底移除。依照進一步的一個實施方案，所述光刻投影組件還包括第三裝載鎖閉裝置，用於將物體，例如基底從第三環境轉移到第二環境，所述第三裝載鎖閉裝置設在面向第三環境的側面上，可自由到達。這種可自由到達的第三裝載鎖閉裝置一方面能將特殊物體引進光刻投影組件，該物體例如替換部件、工具等等，其由於某些原因需要進入光刻投影組件。通過第三裝載鎖閉裝置實施這些操作，可以維持在處理室和/或投影室內的真空或接近真空條件。為了能將第三裝載鎖閉裝置用作臨時緩衝器或存儲位置，依照本發明的一個實施方案，當所述控制裝置適合下述操作時是有利的，即用所述傳輸裝置將基底放進所述第三裝載鎖閉裝置，所述被放置的基底在第三裝載鎖閉裝置內的同時保持第三裝載鎖閉裝置的外部門關閉，和在所述的傳輸裝置轉移其他基底後，用相同的傳輸裝置夾子來抓取和轉移所述的被放置的基底。為了提高光刻投影組件的靈活性，依照本發明的一個實施方案，當所述控制裝置適合彼此獨立地控制裝載鎖閉裝置時是有利的。這意味著所述裝載鎖閉裝置在相位上彼此相對不耦合，除非控制裝置在裝載鎖閉裝置上施加一個確定的相位差。事實上所述裝載鎖閉裝置可以是被驅動的項目(events)，所述項目在控制裝置的控制下。依照本發明一個進一步的實施方案，一個或更多個所述至少兩個裝載鎖閉裝置包括一個附加的門，用於將物體例如基底從第四環境轉移到第二環境，所述附加的門面對第四環境，且可以自由到達。這種可自由到達的附加的門能將特殊物體引進光刻投影組件，該物體例如是替換部件、工具等等，其由於某些原因需要進入光刻投影組件。通過附加的門實施這些操作，可以維持在處理室和/或投影室內的第二環境的真空度，同時裝載鎖閉裝置第一環境側的位置可以保持在與裝載鎖閉裝置沒有脫開的地方。這裡自由到達意思是通過操作器而不需要移動大部分的硬體便可到達，所述裝載鎖閉裝置或它的象這樣的附加的門可以任意地被蓋子密封。依照一個進一步的實施方案，預處理裝置包括熱處理裝置，用於使基底達到預定的溫度和/或使整個基底上的溫度均衡。通過提供帶有熱處理裝置的預處理裝置，能在裝載鎖閉裝置內實施熱處理或在裝載鎖閉裝置內只允許一個適度的熱處理。通過這個實施方案，裝載鎖閉裝置的生產量可以提高，其生產量是總體上光刻投影組件的總生產量中的決定因素中的一個。進一步的優點，因為預對準作業能花費較大量的時間，所以當預處理裝置也包括預對準裝置時，熱處理裝置與預對準裝置的組合會導致在預對準的同時有效的熱處理。依照一個進一步的實施方案，所述基底是半導體晶片。依照本發明當前方面的一個子方面，本發明也涉及一種處理裝置，用於處理基底，包括依照本發明的所述組件，但是沒有投影裝置。這種處理裝置，叫做基底處理器組件，它能更加清楚地限定為，包括●至少兩個裝載鎖閉裝置，用於將基底從第一環境轉移到第二環境，所述第二環境具有比第一環境低的氣壓；●基底處理器，包括一個處理室，在其內第二環境佔優勢；所述處理室的連通一方面通過裝載位置，用來使基底從處理室進入下一個位置，另一方面，通過卸載位置，用於使基底從所述下一個位置移進處理室；所述處理室設有●預處理裝置，用於基底的處理；和●傳輸裝置，適合將基底從所述裝載鎖閉裝置轉移到所述預處理裝置和從所述預處理裝置轉移到所述裝載位置，以及適合將基底從所述卸載位置轉移到所述裝載鎖閉裝置。對於所述處理裝置和所述基底處理器組件，與依照本發明的光刻投影組件一樣，當它進一步包括一個軌道時是有利的，其中至少所述至少兩個裝載鎖閉裝置布置成在所述軌道和所述基底處理器之間。依照本發明當前方面的子方面，也提供了一種處理基底的方法，包括下面的步驟a)通過所述裝載鎖閉裝置外部的門將基底從第一環境轉移進至少兩個裝載鎖閉裝置中的一個；b)關閉所述的外部門，並將所述一個裝載鎖閉裝置排氣；c)打開所述裝載鎖閉裝置的內部門；d)使用第一操縱器從所述裝載鎖閉裝置抓取基底，並使用所述的第一操縱器將基底轉移到預處理裝置；e)用預處理裝置處理所述基底；f)用所述的第一操縱器或第二操縱器從預處理裝置抓取所述基底；g)使用所述的第一或第二操縱器將基底從預處理裝置轉移到裝載位置；h)處理所述基底，並將基底遞送到卸載位置；i)使用所述的第一操縱器從卸載位置上抓取所述基底；並通過所述內部門將基底轉移進所述的裝載鎖閉裝置或通過內部門轉移進另外一個裝載鎖閉裝置；j)關閉各自的內部門，並將各自的裝載鎖閉裝置通氣；和k)打開所述的各自的裝載鎖閉裝置，並將基底從所述的各自的裝載鎖閉裝置移除。這個方法可以用最小數量的操縱器且在時間上有效率地執行。進一步的優點可以從以前的描述部分清楚地看到。為了使投影室內的將要處理的基底達到確定的溫度，在步驟c)之前，在步驟b)的排氣步驟的過程中和/或之後，熱處理所述基底是有利的。通過這個實施方案，例如可以利用排氣所需要的時間來使所述基底經歷至少一部分的熱處理，所述熱處理是它必須經歷的。依照一個進一步的實施方案，當所述基底在預處理裝置時，可以熱處理所述基底。通過這個實施方案，可以有利地利用預對準所需要的時間(時間相對長)來使基底經歷其所需的一部分或全部的熱處理。為了提高第一環境和第二環境之間的交換速度，依照本發明的一個實施方案，當步驟d)相對於一個裝載鎖閉裝置被執行，而步驟a)和/或b)和/或c)和/或j和/或k在另外一個裝載鎖閉裝置內同時被執行時是有利的。依照一個進一步的實施方案，所述基底是半導體晶片。依照該方面進一步的子方面，本發明提供了一種依照本發明該方面操作光刻投影組件的方法，包括啟動模式(startupmode)，常規操作模式和空運行模式(runemptymode)，所述至少兩個裝載鎖閉裝置的每一個都具有一個抽氣循環，在該循環內各自裝載鎖閉裝置內的氣壓減小，也具有一個通氣循環，在該循環內各自裝載鎖閉裝置內的壓力升高，其中，在啟動模式中，至少兩個裝載鎖閉裝置中的至少一個執行所述的通氣循環而在各自的裝載鎖閉裝置內沒有基底存在，同時各自的裝載鎖閉裝置執行抽氣循環在，各自的裝載鎖閉裝置內有基底存在；其中，在常規操作模式中，所述至少兩個裝載鎖閉裝置中的至少一個執行抽氣循環和通氣循環，在各自的裝載鎖閉裝置內有基底存在；其中，在空運行模式中，所述至少兩個裝載鎖閉裝置中的至少一個執行抽氣循環，而在各自的裝載鎖閉裝置內沒有基底存在，並且當各自的裝載鎖閉裝置執行通氣循環時，在各自的裝載鎖閉裝置內有基底存在時。這個方法使時間上有效率地利用至少兩個裝載鎖閉裝置-或交替地使用至少一個裝載鎖閉裝置(見下面某些段落在該方面的說明)-和用來以相對大的生產量連續持續幾天地操作例如依照本發明的光刻投影組件的傳輸裝置。在例如在光刻投影裝置中發生的或在向裝載鎖閉裝置移入將要被處理的基底時基底停滯的情況下，所述控制裝置會從常規操作模式切換到空運行模式。依據情況，這個空運行模式能操作很長時間或非常短的時間，例如僅僅一個裝載鎖閉裝置的一個通氣循環。當所述停滯解決時，所述控制裝置會依據情況直接切換到常規操作模式或啟動模式，可能隨後通過開關切換到常規操作模式，儘管依據情況切換回空運行模式也是可能的。所述啟動模式和所述空運行模式因此不僅僅發生在基底生產的開始或基底生產的結束，而是也發生在生產過程中。因此依照一個優選的實施方案，一個或更多個開啟模式、常規操作模式和空運行模式依據發生在光刻投影組件中的基底處理過程中的事件而按任意順序重複。依照本發明的這個方法，當在僅僅一個單獨的裝載鎖閉裝置的情況下獲得了高效率，這個裝載鎖閉裝置設有第一和第二基底支承位置。當然也可以使用多於一個裝載鎖閉裝置，其全部或僅僅一些設有第一和第二基底支承位置是有利的。然而，在兩個或更多個裝載鎖閉裝置的情況下，倘若所有裝載鎖閉裝置或一些裝載鎖閉裝置具有僅僅一個基底支承位置，效率也會很高。依照本發明這個方面的光刻投影組件，也能僅僅使用一個裝載鎖閉裝置來操作，即在權利要求中詞語「至少兩個裝載鎖閉裝置」可以被「至少一個裝載鎖閉裝置」替換。「至少兩個裝載鎖閉裝置」的一些優點由於這個取代而丟失，可是許多其他優點還在「一個裝載鎖閉裝置「的情況中還存在。進一步可以了解，依照本發明這個方面，操縱器，例如所述單一的操縱器和/或所述第一操縱器和/或所述第二操縱器可以僅僅設有一個夾子(優選地)，也可以設有兩個或更多個夾子。簡要注釋儘管在本文中，給出了具體的依照本發明的裝置在製造IC中的使用，但是應當明確地理解為，這種裝置具有許多其他可能的應用。例如，它可以用於集成光學系統的製造、磁疇存儲器(magneticdomainmemories)、液晶顯示板，薄膜磁頭等的引導和檢測圖案。本領域的技術人員將理解，在這種可選擇的應用範圍中，本文中的任何術語「中間掩模版(reticle)」，「晶片」或「管芯(die)」中的使用應當認為可以分別由更普遍的術語「掩摸」，「基底」和「目標部分(targetportion)」所代替。在本文獻中，術語「輻射」和「光束」用於包含所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如使用365，248，193，157或126nm的波長)和遠紫外(EUV)輻射(例如具有在5-20納米範圍內的波長)，以及粒子束，例如離子束或電子束。將會很清楚，本發明包括幾個方面。每一個方面是與其他方面分離的發明，然而依照本發明一個或多個方面，或部分所述的方面能相互有利地結合。本發明的實施方案將參照所附的示意圖，僅僅作為例子在下面描述，圖中相應的參考標記或數字表示相應的部分，其中-圖1示意性地描述了依照本發明一個實施方案的光刻投影裝置；-圖2示意性地描述了依照本發明一個實施方案的光刻投影組件的分離模塊的總布局圖；-圖3描述了依照本發明第一實施方案的光刻投影組件；-圖4描述了依照本發明第二實施方案的光刻投影組件；-圖5描述了依照本發明一個實施方案的裝載鎖閉裝置的截面圖；-圖6描述了依照本發明一個實施方案的裝載鎖閉裝置的與圖5截面垂直(線VI-VI)的截面圖；在下面的描述中相同的標號或數字在整個圖中代表相同的部件。具體實施例方式圖1示意性地描述了依照本發明一個特定的實施方案的光刻投影裝置(LP)。該圖的描述列出了光刻投影裝置的各個部件。該裝置包括-輻射系統Ex，IL，用於提供輻射的投影光束PB(例如EUV輻射)。在該具體的例子中輻射系統還包括一個輻射源LA；-第一物體臺(掩模臺)MT，設有用於保持掩模MA(例如中間掩模版)的掩模保持器，並與用於將該掩模相對於零件PL精確定位的第一定位裝置PM連接；-第二物體(基底臺)WT，設有用於保持基底W(例如塗覆抗蝕劑的矽晶片)的基底臺，並與用於將基底相對於零件PL精確定位的第二定位裝置PW連接；和-投影系統(「鏡頭」)PL(例如反射鏡系統)，用於將掩模MA的被照射部分成像在基底W的目標部分C(例如包括一個或多個管芯(dies))上。如上所述，該裝置是反射型的(即具有反射掩模)。但是該裝置通常也可以例如是透射型的(折射透鏡系統中具有透射掩模)。可選擇地，該裝置可以採用其他類型的構圖裝置，例如上述可編程反射鏡陣列類型。輻射源LA(例如等離子輻射源)產生輻射束。該光束直接或經過如光束擴束器Ex的橫向調節裝置後，再照射到照射系統(照射器)IL上。照射器IL包括調節裝置AM，用於設定光束強度分布的外和/或內徑向量(通常分別稱為σ-外和σ-內)。另外，它一般包括各種其它部件，如積分器IN和聚光器CO。按照這種方式，照射到掩模MA上的光束PB在其橫截面具有理想的均勻性和強度分布。應該注意，圖1中的輻射源LA可以置於光刻投影裝置的殼體中(例如當源LA是汞燈時經常是這種情況)，但也可以遠離光刻投影裝置，其產生的輻射光束被(例如通過適當的定向反射鏡的幫助)引導進該裝置中；當源LA是準分子雷射器時通常是後面的那種情況。本發明和權利要求包含這兩種方案。光束PB然後與保持在掩模臺MT上的掩模MA相交。經過掩模MA之後，光束PB通過鏡頭PL，該鏡頭將光束PB聚焦在基底W的目標部分C上。在第二定位裝置PW(和幹涉測量裝置IF)的輔助下，基底臺WT可以精確地移動，例如使得在光束PB的光路中定位不同的目標部分C。類似地，例如在從掩模庫中機械取出掩模MA後或在掃描期間，可以使用第一定位裝置PM將掩模MA相對光束PB的光路進行精確定位。一般地，在圖1中未明確顯示的長衝程模塊(粗略定位)和短衝程模塊(精確定位)的輔助下，可以實現物體臺MT、WT的移動。可是，在晶片分檔器(與步進掃描裝置相對)的情況下，掩模臺MT可僅與短衝程執行裝置連接，或者固定。掩模MA和基底W可以用掩模對準標記M1、M2和基底對準標記P1、P2對準。所描述的裝置可以按照兩種不同模式使用1.在步進模式中，掩模臺MT基本保持不動，整個掩模圖像被一次投影(即單「閃」)到目標部分C上。然後基底臺WT沿x和/或y方向移動，以使不同的目標部分C能夠被光束PB照射；和2.在掃描模式中，基本為相同的情況，除了所給的目標部分C沒有在單「閃」中曝光。取而代之的是，掩模臺MT沿給定的方向(所謂的「掃描方向」，例如y方向)以速度v移動，以使投影光束PB掃描整個掩模圖像；同時，基底臺WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同時移動，其中M是鏡頭PL的放大率(通常M＝1/4或1/5)。以這種方式，可以曝光相當大的目標部分C，而沒有犧牲解析度。圖2示意性地描述了依照本發明一個實施方案的光刻投影組件LPA的分離模塊的平面圖；該圖用來說明在該公開文件中使用的模塊。所述布局圖包括-兩個用於在第一環境和第二環境之間轉移基底的裝載鎖閉裝置LL。在模塊HC和LP中佔優勢的第二環境具有比第一環境低的氣壓；-處理室HC，其設有用於基底預處理的預處理裝置，例如預對準裝置和/或熱處理裝置，和用於將基底從裝載鎖閉裝置LL轉移到預處理裝置，並進一步將基底從預處理裝置轉移到光刻投影裝置LP的裝載位置和沿相反方向將基底從光刻投影裝置LP的卸載位置轉移到裝載鎖閉裝置LL的傳輸裝置。-光刻投影裝置LP，如上面詳細描述的一樣。所述裝載鎖閉裝置與處理室通常共同稱作基底處理器SH或，如果正在處理晶片，稱作晶片處理器。所述光刻投影裝置包括投影室，該投影室包括在其中的基底臺WT，典型地圖1中的第二定位裝置PW，和用於將投影室排氣的排氣裝置。所述裝載鎖閉裝置和處理室的功能在下面作更詳細地描述。圖3和圖4分別描述了依照本發明的第一和第二實施方案的光刻投影組件。在兩幅圖中可以看到下面的模塊-兩個裝載鎖閉裝置LL-處理室HC，與兩個裝載鎖閉裝置LL共同被稱作基底處理器SH或晶片處理器-光刻投影裝置LP，包括一投影室。後面的模塊LP並沒有詳細示出其布置，但可以從圖1和2的例子中了解。鄰近與處理室HC相對的裝載鎖閉裝置LL將存在另外一個模塊例如基底軌道ST(見圖2)，它配備用來向裝載鎖閉裝置LL供給基底和從裝載鎖閉裝置移除基底。在每一個裝載鎖閉裝置LL中存在門10、11，所述門是指用來允許在第一環境和裝載鎖閉裝置LL之間轉移基底。在它的相對側，每一個裝載鎖閉裝置設有門12、13，以允許在裝載鎖閉裝置LL和處理室HC之間轉移基底。在投影步驟過程中第二環境在處理室HC和光刻投影裝置LP中佔優勢。每一個門10、11、12、13設置成以氣密的方式封閉各自裝載鎖閉裝置的內部。每一個裝載鎖閉裝置具有基底支承位置14a，15a，以支承基底或晶片。在圖4中沒有顯示第二基底支承位置14b、15b。所述第一和第二基底支承位置顯示在圖5和6中，且在下文解釋。第二環境具有比第一環境低的氣壓。當所述光刻投影裝置LP使用例如遠紫外(EUV)輻射時，第二環境會是真空環境。這種情況下投影室是真空室。為了形成真空氛圍，兩個實施方案的光刻投影組件可以設有真空裝置，以形成或維持真空(沒有示出)。可選擇地，第二環境也可以是特殊氣體環境，例如氮氣環境。為了在第一環境和具有較低氣壓的第二環境之間轉移基底而不會由於不受控制的強烈氣流損壞重要部分，每次只將裝載鎖閉裝置LL的一個門打開。在從基底支承位置14a、15a到第一環境的轉移時，所述裝載鎖閉裝置LL在打開各自的門10、11之前將首先被通氣(vented)，而在從基底支承位置14b、15b到第二環境的轉移之時，所述裝載鎖閉裝置在打開各自的門12、13之前將首先被抽氣到必需的真空水平。在處理室HC中存在一個預處理位16，預對準裝置和熱處理裝置設置在那裡(沒有示出)。為了達到晶片臺WT上的基底定位所必需的精確水平，預處理位16處的預對準是很重要的。下一個位置是光刻投影裝置LP中的裝載位置17。在該位置處，基底放置在圖1中的基底臺WT上。如果正在處理晶片，該臺就認為是晶片臺。為了維持整個基底的控制溫度，在位置16處使用熱處理裝置是很有利的。在圖4所描述的本發明的第二實施方案中，附加的卸載位置18設置在光刻投影裝置LP中。這與圖3的第一實施方案形成對比，圖3中兩個位置17和18恰好重合。當在處理室HC和光刻投影裝置LP之間，反之，轉移基底時，基底經過入口23或24。與先前段落中的差別相比，在圖3的第一實施方案中，在處理室與裝載及卸載位置之間的入口23、24恰好重合。圖3和圖4的第一和第二實施方案之間的另一個差別涉及傳送裝置。圖3的第一實施方案包括一個含有夾子20的操縱器19，而圖4中描述的第二實施方案包括與第一操縱器鄰接的第二操縱器，其也具有夾子22。在這些實施方案中兩個操縱器都是機器人(robot)，一種SCARA機器人，但也可以是能想到的其他機器人或其他操縱器。所述機器人適合下面的操作1.從其中一個裝載鎖閉裝置LL上抓取基底，並將所述基底轉移到預處理裝置16上；和/或2.從預處理裝置16上抓取基底，並將所述基底轉移到裝載位置17；和/或3.從卸載位置18抓取基底，並將所述基底轉移到其中一個裝載鎖閉裝置LL的基底傳輸位置14，15。在將其中任一裝載鎖閉裝置LL通氣或抽氣之前，結合兩個或多個上面提到的三個操作可以提高第一實施方案中的生產量。所屬領域的技術人員容易理解使用兩個機器人代替一個機器人能夠很大地提高上述操作結合的可能性，在第二實施方案中就是這樣的情況。當然其他有利的組合也是可能的。最合理的轉移操作的順序將取決於光刻投影組件LPA的操作模式；-啟動階段(start-upphase)，在該階段中不需要將基底從卸載位置18轉移到裝載鎖閉裝置LL，且一個或多個基底被轉移進處理室和光刻投影裝置-穩態操作；其中分別平穩轉移到裝載位置17和從卸載位置18轉移-空運行階段，在該階段中從裝載鎖閉裝置LL到預處理位置16或到裝載位置沒有轉移發生，一個或多個基底被轉移出處理室和光刻投影裝置。依照本發明的實施方案，每一個裝載鎖閉裝置LL設有第一14a，15a和第二基底支承位置14b、15b(圖3和4中沒有示出，但圖5和6中示出了)。附加的支承位置提高了結合所提到的三個轉移操作的可能性，因為所述第二位置能作為一種引入和引出基底的緩衝器。在第一和第二兩個實施方案中，裝載鎖閉裝置與相應的機器人一起構成了所謂的雙向(two-way)裝載鎖閉裝置，即意味著通過處理室中的機器人和來自例如基底軌道的機器人，每一個裝載鎖閉裝置以這樣一種方式是可到達的，使得基底能通過門10、11、12、13沿兩個方向被轉移。這在圖3和4中用帶有箭頭的線D、E、F、G被表示出來。這種結構能提高基底的生產量。依照本發明的光刻投影組件，其中一個裝載鎖閉裝置用於引入基底和另一個裝載鎖閉裝置用於引出基底的實施方案也是可行的。這種實施方案降低了三個轉移操作組合的靈活性，但同時降低了機器人操作要達到的要求。在兩個實施方案中，基底處理器SH可以任選地設有第三裝載鎖閉裝置25，用於在第三環境和第二環境之間轉移基底。在第三裝載鎖閉裝置25的相對側面上設有兩個門27、28。該門27將第三裝載鎖閉裝置的內部與處理室連接起來。外部門28將第三裝載鎖閉裝置的內部與基底處理器的外部環境連接起來。該第三裝載鎖閉裝置設置在可自由到達的處理室的一個側面上，這提高了光刻投影組件LPA的靈活性和應用可能性，例如通過使用該第三裝載鎖閉裝置作為一個緩衝器，倘若基底應該被移除或倘若第一和第二裝載鎖閉裝置的基底支承位置14a，14b，15a，15b已經被佔用。此外它可以用於使處理室HC和/或光刻投影裝置LP的維修和維護變得容易。應當注意第三環境可以與第一環境相同，但也可以與第一環境不同。在圖3和4中，其中一個裝載鎖閉裝置LL包括一個任選的外部門26，其設置在可自由到達的一側上。該門26用於將基底或其他物體直接從第三環境(其可以與第一環境相同)轉移到裝載鎖閉裝置。此外它可以用於相應裝載鎖閉裝置的維修和維護。將兩個裝載鎖閉裝置都設置外部門26或將外部門26設置在另外一個裝載鎖閉裝置LL上也是可能的。圖5描述了依照本發明的一個實施方案的裝載鎖閉裝置的截面圖。圖5中的幾個部分可以從以前的兩個圖中看出來-裝載鎖閉裝置門10，11，用於與第一環境相連-裝載鎖閉裝置門12，13，用於與第二環境相連-裝載鎖閉裝置上面部分中的第一基底支承位置14a，15a-裝載鎖閉裝置下面部分中的第二基底支承位置14b，15b-來自處理室HC中的機器人的夾子20在左側表示出夾子30，其配備用來在裝載鎖閉裝置與例如基底軌道系統中的第一環境之間轉移基底。該夾子30與夾子20一樣，能拾取和遞送基底到各基底支承位置和從各基底支承位置抓取和遞送基底。圖5中夾子30正好將基底31放置在第一基底支承位置14a上，而第二基底支承位置14b，15b支承著第二基底32。兩組基底支承位置14a，14b，15a，15b包括支承板33，35和推頂杆34，36。所述推頂杆34，36使基底與支承板33，35之間的移動變得容易，以使不管是將基底遞送到基底支承位置上還是從基底支承位置移除基底時，夾子的一部分能夠插入到基底和支承板之間。在夾子30已經遞送了基底31且本身移出了裝載鎖閉裝置後，推頂杆34，36和/或支承板33，35在它們之間移動，以使支承板33，35支承基底，就像圖5中較低的基底32的情形。相似地，推頂杆34，36和/或支承板33，35在它們之間移動，以讓夾子30，20的一部分插入基底和支承板之間，以使夾子抓取和將基底轉移出裝載鎖閉裝置。圖5中僅僅描述了每個支承板一個推頂杆34，36，但大多數情況下支承板將具有三個和更多個推頂杆。在支承板33，35之間，設置有中間板55，其功能將在後面描述。參照圖5很容易解釋兩個基底支承位置的優點。裝載鎖閉裝置LL與第一環境通氣(vent)，當來自處理室HC的且在將裝載鎖閉裝置通氣以前已經存在的第二基底被支承在第二基底支承位置14b，15b上時，第一基底31剛好被遞送到第一基底支承位置14a，15a。從這個情形出發可以執行下面的操作-將夾子30移到裝載鎖閉裝置的外面；-支承板33和/或推頂杆34之間移動，以使支承板33完全支承基底31；-支承板35和/或推頂杆36之間移動，以使第二基底32從支承板35舉起；-將夾子30或可能的第二夾子(沒有示出)移到第二基底32，隨後讓那個夾子抓住第二基底32；-將帶有第二基底32的夾子或可能的第二夾子(沒有示出)移到裝載鎖閉裝置的外面(第一環境)；-關閉門10，11，且對裝載鎖閉裝置抽氣。所述優點是基底在兩個相繼的通氣和排氣之間的操作中既能轉移到裝載鎖閉裝置，又能從裝載鎖閉裝置中轉移。所屬領域的技術人員將容易理解，為了在處理室HC和裝載鎖閉裝置LL之間用夾子20轉移兩個基底，類似的操作順序是可能的。進一步在圖5中，一方面描述了包括通氣(venting)開口37的頂壁38，另一方面描述了包括排氣(evacuating)開口39的底壁40。通過通氣和排氣裝置，所述開口37，39用於供給或抽出氣體。通氣開口和排氣開口的這個結構的優點是在裝載鎖閉裝置內氣流總是從頂端到底端，這有利於阻止空氣中的粒子降落在基底的未支承的表面上。雖然圖5中沒有詳細顯示，但本發明的另一方面是與一個或多個支承板結合在一起的可選擇的溫度控制裝置，以穩定基底的溫度。這意味著，舉例來說，包括設置在支承板內部的管線60，61，例如通道，管道或管子，和用來通過所述管線來抽吸溫度控制流體的流體泵系統。支承板33，35可以受到不同的溫度處理。可選擇的是在一個或多個壁，如壁38，40，50，51和/或裝載鎖閉裝置室的門10，11，12，13上設置溫度控制裝置，其在穩定基底溫度方面的有效性較小，但是給出了更加簡單的結構。圖6描述了依照本發明一個實施方案的裝載鎖閉裝置按照圖5中的線VI-VI的截面圖。在這個截面圖中描繪了側壁50和51而不是裝載鎖閉裝置的門。這些壁與底壁40和頂壁38一起確定了裝載鎖閉裝置室52。除了推頂杆34，36，支承板33，35及通氣和排氣開口37，39以外，該實施方案包括舉起部件53和/或54。波紋管(bellow)56，57用作密封件。這些舉起裝置在裝載鎖閉裝置室排氣之前首先一方面減小基底31與頂壁38之間的距離A，另一方面減小基底32與中間片55之間的距離B。其次舉起裝置在遞送或抓取基底之前分別增加支承板33與頂壁38，支承板35與中間片55之間的距離。如前面所討論的，減小距離A和B的有益的效果是減小了基底周圍存在氣體的體積。隨著氣體體積的減小，裝載鎖閉裝置室52排氣過程中的絕熱影響和基底上的溫度影響也減小。為了避免基底與頂壁或中間片的任何接觸，距離A和B大於100μm。其另外的原因是避免增加抽氣時間，這可能發生在當過小的縫隙存在於裝載鎖閉裝置室內時。在使裝載鎖閉裝置室52排氣和打開門12，13之後，距離A，B增大來為夾子20抓取和移除或遞送基底形成足夠的空間。代替向固定的頂壁38/中間片55移動支承板33，35/基底31，32，可選擇的是使用活動的頂棚(ceiling)板(沒有示出)，其向著固定的或可移動的支承板/基底移動。對於帶有基底31的第一支承板33，這樣一種頂棚板設置在頂壁38處，其中設置合適的移動部件，然而對於帶有基底32的第二支承板35，中間片55起到頂棚板的功能。對於所述後者合適的移動部件可以設置在例如側壁50中。圖6中兩組基底支承位置14a，14b，15a，15b都是可移動的。僅僅其中一組基底支承位置可移動的實施方案也是可行的。當保留一個基底支承位置(用於較大的部分)用於引出晶片，其中對於該晶片精密封閉的溫度控制的關鍵性較小時，這種實施方案尤其有利。依照該方面優選的實施方案，上面的基底支承位置14a，15a是可移動的，同時下面的基底支承位置14b，15b是固定的(即，例如波紋管56是多餘的，且舉起裝置54可以被固定的杆取代)。但是，上面的基底支承位置14a，15a是固定的，同時下面的基底支承位置14b，15b是活動的也是可行的。在可選擇的實施方案中，將舉起裝置53，54結合在壁50，51中也是可行的。在圖6b的實施方案中，排氣開口39結合在舉起裝置54的結構內。對於本領域技術人員可以得知，由於汙染物粒子能夠妨礙投影光達到基底W的輻射敏感表面，因此在光刻投影裝置LP中的汙染物應該最小化。同樣，基底W的背側表面上的或基底臺WT的基底支承表面上的汙染物粒子能引起投影到基底W上的圖案的誤差。因此，在裝載鎖閉裝置LL內的，尤其是在裝載鎖閉裝置內與基底W接觸的表面的一個或多個表面由對汙染物粒子具有良好親合力的材料構成是有利的，例如有機材料。這會使汙染物粒子粘在裝載鎖閉裝置LL內的表面上，而不是粘到基底W上。汙染物粒子的收集也可以通過使用靜電力來達到。例如，裝載鎖閉裝置LL的一個或多個表面可以帶有電荷，汙染物粒子帶有相反的電荷，以將汙染物粒子吸附到一個或多個表面上。裝載鎖閉裝置LL可以設有蓋子，以向其上吸附有粒子的表面提供清洗通路，所述表面，尤其接觸表面可以按這樣的方式布置，即為了容易清洗，它們可以容易的從裝載鎖閉裝置LL移除。為了使例如處理室HC內的汙染物的最小化，裝載鎖閉裝置LL內汙染物粒子的收集使從第一到第二環境傳輸的汙染物粒子達到最小化，反之亦然。而且通過在裝載鎖閉裝置LL內聚集許多粒子，到達光刻投影裝置LP內的基底臺WT的汙染物粒子能夠減少，其中汙染物粒子是有害的。此外，與清洗基底臺WT或處理室HC相比，裝載鎖閉裝置LL的清洗更加容易，花費的時間也較少。通過在裝載鎖閉裝置LL內收集粒子，可以減少打開處理室HC或光刻投影裝置LP，而因此幹擾真空的需要。作為結果，由於清洗步驟而花費的時間會更少，因為重新形成真空是耗費時間的。因為處理室和/或光刻投影裝置可以更少打開來清洗，所以作為清洗步驟的結果汙染物的危險也降低(例如指紋)。裝載鎖閉裝置LL也可以用來將所謂的粘性晶片傳送到處理室HC和/或光刻投影裝置LP中。這些粘性晶片是像晶片的物體，其具有收集汙染物粒子(例如抗蝕劑的殘留物)的特性。這些粘性晶片的一個或多個通過光刻投影裝置LP、處理室HC和/或裝載鎖閉裝置LL循環以收集汙染物粒子。這種粘性晶片的表面應該比光刻投影裝置LP、處理室HC和/或裝載鎖閉裝置LL內的接觸表面具有更大的對汙染物粒子親合力。其上收集有粒子的粘性晶片可以被傳送出機器，被清洗，然後為了下一循環被重新插入機器。粘性晶片的收集特性可以基於幾種機制。例如，一種機制是靜電。所述粘性晶片可以被充上靜電以吸引汙染物粒子。當晶片循環時，自由的帶電粒子(包括偶極子)會被吸引到粘性晶片上，且被移出機器，例如通過將粘性晶片傳輸出機器。磁力也可以用於粘性晶片，其對汙染物粒子是適宜的。另外一個收集機制的例子可以是附著力和/或凝聚力。帶粘性的晶片具有對汙染物粒子(例如抗蝕劑粒子)較大的親合力。汙染物粒子具有粘附到粘性晶片上的趨向。在有粘聚性的粘性晶片的情況下，粘附到所述粘性晶片上的粒子將趨向保持在所述粘性晶片上，而不會到其他的表面上，例如到夾子的表面上。有利地，粘性晶片會提供強的附著力和強的凝聚力。可以使用不同水平的附著力和/或凝聚力以適合應用。這種附著力和/或凝聚力可以通過例如，晶片上特殊的粘性和/或有粘聚性的塗覆層或者本身就是由粘性的和/或有粘聚性的材料構成的晶片來提供。粘性晶片作為清洗元件的使用具有至少幾個優點。例如，粘性晶片比普通的晶片更有效。進一步，當粘性晶片通過機器循環時處理室HC和/或光刻投影裝置LP內的真空能保持不受幹擾。重新形成真空是耗費時間的。進一步，因為很少需要手工清洗處理室HC、裝載鎖閉裝置LL和/或光刻投影裝置LP，所以可以降低由於手工清洗本身造成的汙染物的危險。雖然本發明詳細的實施方案已經在上面描述過，但是可以理解，本發明可以用除所描述以外的其他的方式來實施。所述描述並不打算限定本發明。權利要求1.光刻投影組件，包括用於在第一環境和第二環境之間轉移物體特別是基底的至少一個裝載鎖閉裝置；包括處理室的物體處理器，在處理室中第二環境佔優勢，所述物體處理器和所述裝載鎖閉裝置被構造和布置成在它們之間轉移物體，和包括投影室的光刻投影裝置；其中所述處理室和投影室為了在它們之間轉移物體而相通，且其中所述裝載鎖閉裝置包括裝載鎖閉裝置室，該裝載室設有至少兩個彼此不同的物體支承位置。2.依照權利要求1的組件，其中所述第二環境具有比所述第一環境低的氣壓。3.依照權利要求2的組件，其中所述裝載鎖閉裝置還包括排氣裝置，用於將所述的裝載鎖閉裝置室排氣。4.依照權利要求2或3的組件，其中所述裝載鎖閉裝置進一步包括門裝置，用於在排氣過程中關閉所述裝載鎖閉裝置室，和用於打開所述裝載鎖閉裝置室以分別使物體進入所述裝載鎖閉裝置室和從所述裝載鎖閉裝置室移除。5.依照權利要求1的組件，其中所述裝載鎖閉裝置包括體積減小裝置，用於減小氣體體積。6.依照權利要求5的組件，其中所述體積減小裝置適合減小鄰近定位在至少一個所述物體支承位置上的物體表面的氣體體積。7.依照權利要求5或6的組件，其中所述至少一個物體支承位置包括尺寸大約等於或大於被支承的物體的支承板，其中頂棚板設在所述至少一個物體支承位置上面，所述頂棚板具有大約等於或大於所述物體的尺寸；其中所述體積減小裝置包括一定位裝置，用來在所述裝載鎖閉裝置室的排氣之前和/或該過程中減小所述支承板與所述至少一個物體支承位置的所述頂棚板之間的距離；和在物體從至少一個物體支承位置移除或遞送到所述至少一個物體支承位置上之前，增大所述支承板與所述頂棚板之間的距離。8.依照權利要求7的組件，其中所述定位裝置適合分別作用於所述支承板或所述頂棚板上，而相應的頂棚板、相應的支承板分別優選以固定的方式布置在所述裝載鎖閉裝置室內。9.依照權利要求7或8的組件，其中所述定位裝置設在所述裝載鎖閉裝置室的側面和/或在所述裝載鎖閉裝置室的頂部和/或在所述裝載鎖閉裝置室的底部。10.依照前述的任意一項權利要求的組件，其中所述裝載鎖閉裝置，優選是所述至少兩個支承位置的一個或多個，包括熱處理裝置，用來使物體達到預定的溫度和/或使整個物體上的溫度均衡。11.依照權利要求10的組件，其中所述至少兩個物體支承位置中的一個或多個的支承板設有熱處理裝置。12.依照前述的任意一項權利要求的組件，其中，兩個所述的至少兩個物體支承位置，一個放置在另一個的上面，其中熱處理裝置定位在所述的兩個物體支承位置之間。13.依照權利要求10到12中任意一項的組件，其中所述熱處理裝置包括管線例如管子或通道，和流體泵送系統，用來通過所述的管線泵送流體，以使所述管線與相應的支承板處於良好的熱接觸。14.依照權利要求13的組件，其中所述管線設在支承板的內部和/或在所述裝載鎖閉裝置室的一個或多個壁中。15.依照前述的任意一項權利要求的組件，其中所述裝載鎖閉裝置室包括一頂壁和一底壁，其中所述排氣裝置包括排氣開口，其設在所述裝載鎖閉裝置室的底壁中，和其中所述裝載鎖閉裝置包括通氣開口，其設在所述裝載鎖閉裝置室的頂壁中。16.依照權利要求15的組件，其中所述的通氣開口和所述的排氣開口基本上相對於所述物體支承位置居中布置，所述物體支承位置一個布置在另一個上面。17.依照前述的任意一項權利要求的組件，其中所述的投影室是一個真空室，其中所述的光刻投影裝置包括真空裝置，用來在所述真空室中形成和維持真空。18.依照前述的任意一項權利要求的組件，其中所述投影裝置包括-用於提供輻射投影光束的輻射系統；-用於支承構圖裝置的支承結構，所述構圖裝置用於根據期望的圖案對投影光束進行構圖；-用於保持基底的基底臺；和-用於將形成圖案的光束投影到基底的目標部分上的投影系統。19.依照前述的任意一項權利要求的組件，其中所述物體是半導體晶片。20.依照前述的任意一項權利要求的組件，其中所述的門裝置包括朝向所述第一環境的第一門和朝向所述第二環境的第二門。21.依照前述的任意一項權利要求的組件，包括兩個或更多個所述的裝載鎖閉裝置。22.光刻投影組件，包括用於在第一環境和第二環境之間轉移物體，特別是基底的至少一個裝載鎖閉裝置；包括處理室的物體處理器，在處理室中第二環境佔優勢，所述物體處理器和所述裝載鎖閉裝置被構造和布置成在它們之間轉移物體，和包括投影室的光刻投影裝置；其中所述處理室和投影室為了在它們之間轉移物體而相通，且其中所述裝載鎖閉裝置包括裝載鎖閉裝置室，該裝載室設有至少兩個彼此不同的物體支承位置，其中所述物體處理器結合在所述裝載鎖閉裝置內，以使所述處理室和所述裝載鎖閉裝置室是相同的。23.在第一環境和第二環境之間用於轉移物體特別是基底的裝載鎖閉裝置，其中所述裝載鎖閉裝置包括裝載鎖閉裝置室，設有至少兩個彼此不同的物體支承位置。24.依照權利要求23的裝載鎖閉裝置，其中所述第二環境具有比所述第一環境低的氣壓，且其中所述裝載鎖閉裝置還包括排氣裝置，用於將所述的裝載鎖閉裝置室排氣；門裝置，用於在排氣過程中關閉所述裝載鎖閉裝置室，和用於打開所述裝載鎖閉裝置室以分別使物體進入所述裝載鎖閉裝置室和從所述裝載鎖閉裝置室移除物體。25.依照權利要求24的裝載鎖閉裝置的組件和晶片軌道系統，其中面向所述的第一環境的所述的門裝置在晶片軌道系統處有出口。26.在第一環境和第二環境之間轉移物體尤其是基底的方法，該方法使用一裝載鎖閉裝置，優選依照權利要求23或24的裝載鎖閉裝置，所述裝載鎖閉裝置具有裝載鎖閉裝置室，該方法包括-將第一物體定位在所述裝載鎖閉裝置內的第一物體支承位置，該物體來自第一環境，-關閉所述裝載鎖閉裝置以封閉第一物體，-通過排氣裝置將所述裝載鎖閉裝置排氣，-打開所述裝載鎖閉裝置以將該裝載鎖閉裝置與第二環境相連，和-將第二物體定位在所述裝載鎖閉裝置內的第二物體支承位置上和從所述第一物體支承位置移除所述第一物體。27.依照權利要求26的方法，所述方法相繼包括-關閉所述裝載鎖閉裝置以封閉所述第二物體，-將所述裝載鎖閉裝置通氣，-打開所述裝載鎖閉裝置以將該裝載鎖閉裝置與第一環境相連，和-從所述裝載鎖閉裝置移除所述第二物體。28.依照權利要求26或權利要求27的方法，其中定位所述第二物體是在移除所述第一物體之前執行，且其中所述的定位和移除兩個步驟用相同的夾子執行。29.依照權利要求26-28任一項的方法，包括在所述裝載鎖閉裝置的排氣之前，減小鄰近定位在所述第一物體支承位置上的第一物體的氣體體積。全文摘要光刻投影組件，包括用於在第一環境和第二環境之間轉移物體特別是基底的至少一個裝載鎖閉裝置，第二環境優選具有比第一環境低的氣壓；包括處理室的物體處理器，在處理室中第二環境佔優勢；和包括投影室的光刻投影裝置。所述處理室和投影室為了轉移物體而相通。所述裝載鎖閉裝置包括裝載鎖閉裝置室；排氣裝置，用來將所述的裝載鎖閉裝置室排氣；和門裝置，用於在排氣過程中關閉所述裝載鎖閉裝置室，和用於打開所述裝載鎖閉裝置室以使物體進入所述裝載鎖閉裝置室或從所述裝載鎖閉裝置室移除物體。所述裝載鎖閉裝置室設有至少兩個彼此不同的物體支承位置。文檔編號H01L21/677GK1570761SQ20041003268公開日2005年1月26日申請日期2004年3月10日優先權日2003年3月11日發明者A·J·H·克洛普,J·F·胡格坎普,J·C·J·A·烏格特斯,R·G·裡維塞伊,J·H·G·弗蘭斯森申請人:Asml荷蘭有限公司