掩模框架組件、其製造方法及有機發光顯示裝置製造方法與流程

2023-10-10 08:15:54 3

本發明的實施方式涉及掩模框架組件、其製造方法及有機發光顯示裝置的製造方法。

背景技術：

通常，作為有源發光型顯示元件，作為平坦式顯示器之一的有機發光顯示裝置不僅具有視角寬、對比度優異的優點，而且還具有能夠通過低電壓驅動、呈輕量的扁平狀並且響應速度快的優點，由此作為下一代顯示元件而備受矚目。

這種發光元件根據形成發光層的物質劃分為無機發光元件和有機發光元件，並且相比於無機發光元件，有機發光元件具有亮度、響應速度等特性優秀、能夠以彩色顯示等的優點，因此對其的開發最近廣為進行。

有機發光顯示裝置通過真空沉積法形成有機膜和/或電極。然而，隨著有機發光顯示裝置逐漸被高解析度化，沉積工藝中所用的掩模的開放式狹縫(open slit)的寬度逐漸變窄並且其散布也需要被進一步減小。

此外，為了製造高解析度有機發光顯示裝置，需要減少或去除陰影現象(shadow effect)。為此，在襯底與掩模緊貼的狀態下進行沉積工藝，並且正在興起用於改善襯底與掩模的附接度的技術的開發。

上述的背景技術是發明人為得出本發明而擁有的技術信息或者在得出過程中習得的技術信息，並不一定是在本發明的實施方式的申請前已公開於一般公眾的公知技術。

技術實現要素：

本發明的實施方式提供掩模框架組件、其製造方法和有機發光顯示裝置的製造方法。

本發明的實施方式公開了掩模框架組件，其特徵在於包括具有供沉 積物質通過的一個以上的沉積區域的掩模、具有基座部和從基座部凸出形成並支承掩模的支承部的框架，並且掩模的邊角形成為朝著基座部彎曲。

在本實施方式中，沉積區域可以包括外圍區域由支承部支承的主體部和形成於主體部並且供沉積物質通過的一個以上的圖案部。

在本實施方式中，主體部的外圍區域的邊角可以形成為朝著基座部的方向彎曲。

在本實施方式中，框架還可以包括形成為連接支承部的面對掩模的面與基座部的面對掩模的面並且支承掩模的連接面。

在本實施方式中，沉積區域可以包括外圍區域由支承部支承的主體部和形成於主體部並且供沉積物質通過的一個以上的圖案部。

在本實施方式中，主體部的外圍區域的邊角可以形成為朝著連接面的方向彎曲。

在本實施方式中，連接面中可以形成有一個以上的凹陷部。

在本實施方式中，沉積區域可以包括外圍區域由支承部支承的主體部和形成於主體部並且供沉積物質通過的一個以上的圖案部。

在本實施方式中，主體部的外圍區域的邊角可以形成為朝著凹陷部的方向彎曲。

本發明的另一實施方式公開了掩模框架組件製造方法，該方法包括準備包括基座部和從基座部凸出的支承部的框架的步驟；準備包括供沉積物質通過的沉積區域和與沉積區域連接而成的盈餘區域的掩模的步驟；將掩模對齊到框架上的步驟；用模具部從掩模與框架接觸的面的相反側對掩模施壓而將掩模的形狀變形為與框架的形狀相對應的步驟；以及對盈餘區域進行切割的步驟。

在本實施方式中，在將掩模對齊到框架上的步驟中，可以將沉積區域與盈餘區域相接的界面定位到基座部上。

在本實施方式中，框架還可以包括形成為連接支承部的面對掩模的面與基座部的面對掩模的面並且支承掩模的連接面。

在本實施方式中，在將掩模對齊到框架上的步驟中，可以將沉積區域與盈餘區域相接的界面定位到連接面上。

在本實施方式中，連接面中可以形成有一個以上的凹陷部。

在本實施方式中，在將掩模對齊到框架上的步驟中，可以將沉積區域與盈餘區域相接的界面定位到凹陷部上。

在本實施方式中，作為切割盈餘區域的方法，可以將雷射照射到沉積區域與盈餘區域的界面。

在本實施方式中，作為切割盈餘區域的方法，可以用機械式切割器(mechanical cutter)對沉積區域與盈餘區域的界面進行切割。

在本實施方式中，在將掩模對齊到框架上的步驟與用模具部對掩模施壓的步驟之間還可以包括對框架與掩模進行接合的步驟。

本發明的又一實施方式公開了有機發光顯示裝置的製造方法，該方法包括將襯底和掩模框架組件安裝到腔室內部的步驟；對襯底與掩模框架組件進行對齊的步驟；以及通過掩模框架組件的開口部將從沉積源噴射的沉積物質沉積到襯底上的步驟，並且掩模框架組件包括具有供沉積物質通過的一個以上的沉積區域的掩模和具有基座部和從所述基座部凸出形成並支承掩模的支承部的框架，並且掩模的邊角形成為朝著基座部彎曲。

通過權利要求範圍和發明的詳細說明，除了上述以外的其他方面、特徵、優點將變得明確。

根據本發明的實施方式，掩模框架組件、其製造方法和有機發光顯示裝置的製造方法提升了襯底與掩模的緊貼性，從而可以將沉積物質精密地沉積到襯底上。

附圖說明

圖1是示出根據本發明的實施方式的掩模框架組件的分解立體圖。

圖2至圖7是示出根據本發明的實施方式的掩模框架組件的製造方法的剖視圖。

圖8是示出使用圖1中所示的掩模框架組件製造的有機發光顯示裝置的視圖。

具體實施方式

本發明可以實施多種變型並且可以具有多種實施方式，並且旨在附圖中示出特定實施方式並對其進行詳細說明。通過參照結合附圖詳細說明的實施方式，本發明的效果和特徵以及實現其的方法將變得明確。然而，本發明並不限於下面所公開的實施方式，而是可以多種形態實現。在下面的實施方式中，「第一」、「第二」等的措辭並不具有限定的含義，而是以將一個構成要素與其他構成要素區分開的目的使用。此外，除非文中另有明確指示，否則單數的表述包括複數的表述。此外，「包括」或「具有」等的措辭是指說明書中所述記載的特徵或構成要素的存在，而不是提前排除一個以上的其他特徵或構成要素的附加可能性。

此外，為了說明的便利，附圖中構成要素的大小可以被誇大或被縮小。例如，為了說明的便利，附圖中所示的各構件的大小和厚度被任意示出，因此本發明並不一定限定於圖中所示。此外，當能夠以不同的方式實現某些實施方式時，特定的工藝可以按照與所說明的順序不同的順序執行。例如，連續說明的兩個工藝可以實質上同時執行，也可以按照與所說明的順序相反的順序進行。

下面，將參照附圖對本發明的實施方式進行詳細說明，並且在參照附圖進行說明時，將對相同或對應的構成要素賦予相同的附圖標記，並且將省略對其的重複描述。

圖1是示出根據本發明的實施方式的掩模框架組件10的分解立體圖。

參照圖1，掩模框架組件10包括掩模100和框架200，並且掩模100與框架200接合為一體以使得待被沉積到襯底(未示出)上的沉積物質可以選擇性地通過。

掩模100可以包括供沉積物質通過的沉積區域110、將在下文中描述的在掩模框架組件10的製造過程中待被切割的盈餘區域120和接合掩模100與框架200的焊接部130。

沉積區域110可以包括外圍區域由框架200的支承部220支承的主體部112和以孔(hole)或狹縫(slit)形狀形成於主體部112並且供沉積物質通過的一個以上的圖案部111。

沉積區域110被布置成與框架200的開口部230對應，圖案部111形成貫穿掩模100的沉積用圖案。主體部112被形成在各個圖案部111之間以及 沉積區域110的外圍，從而執行阻擋從沉積源(未示出)放射的沉積物質的作用。因此，從沉積源放射的沉積物質通過圖案部111沉積到襯底上，這意味著沉積到襯底上的沉積物質的排列可以根據圖案部111的形狀而有所不同。

也就是說，圖案部111不僅可以形成為如圖1中所示的條紋(stripe)形態，而且還可以形成為例如多個點狀(dot)形態。因此，圖1中所示的圖案部111的數量或位置也僅僅是一個示例，本發明的實施方式並不限於此。

此外，掩模100可以如圖1中所示的那樣形成為一個大型部件並接合到框架200，但是本發明的實施方式並不限於此。例如，掩模100可以包括分散掩模100的自身重量的多個條狀物。然而，為了說明的便利，下文中將主要對如圖1中所示的單張形態的掩模100進行說明。

另外，焊接部130形成在沉積區域110的外圍並且對掩模100與框架200進行接合。用於形成焊接部130的方法，即，用於接合掩模100與框架200的方法通常為焊接(welding)方式，此外，也可以使用電鑄法(electroforming)和/或無電解鍍(electroless plating)等的多種方法。

然後，框架200作為與掩模100接合併支承掩模100的部件，其包括基座部210、從基座部210朝著襯底方向凸出形成的支承部220和供沉積物質通過的開口部230。

框架200可以由金屬或合成樹脂等製成，並且雖然在圖1中示出了形成為四邊形形狀並具有一個以上的開口部230，但是本發明的實施方式並不限於此，例如，可以形成為圓形或多邊形等多種形態。

基座部210作為框架200的本體部件，其支承凸出形成於框架200的支承部220和連接至支承部220的掩模100。

如上所述，支承部220作為支承掩模100的部件，其可以由安置面221和連接面222構成，其中，安置面221布置成與掩模100接觸，連接面222形成為連接基座部210的面對襯底的面與安置面221，並且連接面222可以包括以面對襯底的方式凹陷形成的凹陷部223。

連接面222作為形成於支承部220的外圍的段差，其可以如附圖所示的那樣傾斜地形成，但是本發明的實施方式並不限於此，例如 ，也可以形成為與基座部210實質上垂直。然而，為了說明的便利，下文中將主要對連接面222具有傾斜而使連接面222與基座部210呈一定角度的情況進行說明。

沉積區域110的邊角形成為朝著基座部210的方向處於比安置面221的高度低的高度處(參照圖7)。具體地，焊接部130被布置在支承部220的安置面221上，而處於比焊接部130更外圍的沉積區域110的邊角可以被布置成朝著基座部210的方向彎曲。此時，朝著基座部210的方向彎曲的沉積區域110的邊角可以形成為與連接面222接觸，並且沉積區域110的邊角可以形成為彎曲至凹陷部223。

另外，雖然未在圖中示出，但是連接面222中也可以不形成有凹陷部223。此時，沉積區域110的邊角也可以在朝著基座部210的方向上沿著連接面222彎曲，從而處於比布置在安置面221上的掩模100低的高度處。

此外，如上所述，當連接面222與基座部210構成的角度實質上為垂直時，即，當支承部220與基座部210類似地具有四邊形形狀時，沉積區域110的邊角也可以形成為朝著基座部210的方向彎曲。此時，連接面222中也可以形成有凹陷部223。

另外，上述的沉積區域110的邊角也是指主體部112的邊角。這是因為如上所述，沉積區域110的邊角處不形成有供沉積物質通過的圖案部111，所以主體部112的邊角作為沉積區域110的骨架，其也意味著沉積區域110的邊角。

以這種方式將沉積區域110的邊角(即，主體部112的外圍區域的邊角)形成為朝著基座部210的方向彎曲的理由如下。

在掩模框架組件10的製造工藝中切割將在下文中描述的盈餘區域120時，掩模100的切割面上將形成毛刺(burr)。此處，毛刺(burr)是指在切割盈餘區域120的過程中從掩模100的表面凸出形成的掩模100的殘餘物。

在將沉積物質沉積到襯底上的工藝中，掩模100與襯底緊貼。此時，當在掩模100上形成有毛刺(burr)的情況下使襯底與掩模100緊貼時，襯底與掩模100之間將形成與毛刺(burr)的高度相當的空的空間。這意味著襯底與掩模100因為毛刺(burr)而導致無法完全緊貼。

如果在沉積工藝中掩模100與襯底如上所述的那樣彼此未緊貼時，則沉積物質將被沉積到襯底上的不期望的區域(即，盲區(dead zone))上，由此可能導致顯示器產品的生產率和像素的準確性下降。

這種現象一般稱之為陰影現象(shadow effect)。為了製造出要求大型化、高解析度化的有機發光顯示裝置，需要減少或去除這種陰影現象。

因此，為了減少或去除陰影現象，有必要提升襯底與掩模100的緊貼度。即，有必要將掩模製造成使在掩模100的製造工藝中形成的毛刺(burr)不與襯底接觸。

為了克服這種問題，可能附加地要求切削形成在掩模100上的毛刺(burr)的工藝。然而，這種切削毛刺(burr)的工藝作為附加工藝，可能導致生產效率下降和生產成本的上升。

為了解決這種問題，根據本發明的實施方式的掩模框架組件10將掩模100的邊角形成為朝著基座部210作為一種特徵。

下面，將參照圖2至圖7對通過使形成在掩模100的表面上的毛刺(burr)不與襯底接觸的方式製造掩模框架組件10的方法進行說明。

圖2至圖7是示出根據本發明的實施方式的掩模框架組件的製造方法的剖視圖。

參照圖2至圖7，掩模框架組件10的製造方法可以包括準備框架200的步驟、準備掩模100的步驟、對掩模100與框架200進行接合的步驟、用模具部50a/50b對掩模100施壓的步驟、和對掩模100的盈餘區域120進行切割的步驟。因為準備框架200的步驟和準備掩模100的步驟是製造上述的掩模100和框架200的步驟，因此將省略或簡述對其的詳細說明。

參照圖2，掩模100的主體部112的外圍區域可以被設置成與支承部220的安置面221接觸。此時，掩模100的盈餘區域120不與框架200接觸，由此盈餘區域120將被布置成與框架200的基座部210相隔一定間距，因此盈餘區域120與基座部210之間可以形成一定的空的空間。

參照圖3，掩模100可以通過焊接部130接合至框架200。這種焊接部130可以通過焊接(welding)方式形成，此外，也可以通過電鑄法(electroforming)和/或無電解鍍(electroless plating)等的多種方法形成，從而對掩模100與框架200進行接合。通過這種方式形成焊接部130來對掩 模100與框架200進行接合的理由是為了在掩模框架組件10的製造工藝中在精密地對齊掩模100與框架200的情況下進行工藝。

然後，將參照圖4至圖7對用模具部50a/50b對掩模100施壓的步驟和對掩模100的盈餘區域120進行切割的步驟進行說明。

參照圖4，在掩模100與框架200彼此相接的面的相反方向上準備用於對掩模100施壓的模具部50a。模具部50a的形狀與框架200的形狀相對應。這意味著與掩模100的沉積區域110相鄰的模具部50a的內側區域形成為凹陷。這樣凹陷形成的模具部50a的內側區域可以與從基座部210凸出形成的支承部220的形狀相對應。

模具部50a具有如上所述的形狀的理由是為了對處於掩模100的外圍區域的盈餘區域120和沉積區域110的外圍區域進行施壓而使得掩模100的外圍區域變形為與安置面221、連接面222和基座部210的形狀相對應。

圖5示出了模具部50a對掩模100的外圍區域施壓而使掩模100的外圍區域變形後的模樣。如上所述，變形後的掩模100的外圍區域變形為與安置面221、連接面222和基座部210的形狀相對應。

圖6a和圖6b是示出對掩模100的盈餘區域120進行切割的方法的視圖。首先，圖6a示出了從雷射照射部60射出的雷射L照射到沉積區域110與盈餘區域120的界面B。

此處，通過模具部50a/50b的施壓力，其外圍區域變形後的掩模100的沉積區域110與盈餘區域120的界面B被布置在形成於連接面222中的凹陷部223上。另外，在不存在凹陷部223的其他變型例的情況下，根據連接面222與基座部210構成的角度，掩模100的沉積區域110與盈餘區域120的界面B也可以處於連接面222或基座部210上。

即，在連接面222與基座部210構成的角度實質上為垂直時，沉積區域110與盈餘區域120的界面B可以處於基座部210上，而構成一定角度時，沉積區域110與盈餘區域120的界面B可以處於連接面222上。

通過這種方式使沉積區域110與盈餘區域120的界面B處於連接面222或凹陷部223上、或者處於基座部210上是為了如上所述通過將在之後的盈餘區域120的切割過程中凸出形成在掩模100表面上的毛刺(burr)布置在比掩模100與襯底面對的面低的位置處從而使得毛刺(burr)不與襯底 接觸。

如圖6b中所示，掩模100的盈餘區域120也可以用機械式切割器(mechanical cutter)70切割。與上述的雷射L相同，機械式切割器70也對掩模100的沉積區域110與盈餘區域120的界面B進行切割，此時，沉積區域110與盈餘區域120的界面B可以處於形成於連接面222中的凹陷部223上。在這種情況下，模具部50b可以包括接收機械式切割器70的接收槽55。

另外，在連接面222中未形成有凹陷部223時，上述的雷射照射部60的雷射L和機械式切割器70也能夠對掩模100的沉積區域110與盈餘區域120的界面B進行切割。此外，即使是在連接面222與基座部210構成的角度實質上為垂直的情況下，上述的雷射照射部60的雷射L和機械式切割器70也能夠對掩模100的沉積區域110與盈餘區域120的界面B進行切割。

其結果，當用雷射照射部60的雷射L和機械式切割器70對沉積區域110與盈餘區域120的界面B進行切割時，可以使沉積區域110的外圍區域處於比掩模100與襯底面對的面低的位置處，即，將其沿著連接面222朝著基座部210彎曲的方向定位。由此，可以在之後的沉積工藝中提升掩模100與襯底的緊貼度，其結果，如上所述的那樣，可以通過改善陰影現象來改善顯示器產品的不良，並且可以省略不需要的工藝來減少費用。

如上所述，當通過雷射L或機械式切割器70對用模具部50a/50b變形的掩模100的盈餘區域120進行切割時，將完成作為本發明的實施方式的掩模框架組件10。

圖7是示出根據上述的掩模框架組件10的製造方法製造的掩模框架組件10的示例的視圖。

參照圖7，掩模100的邊角部(即，沉積區域110的外圍區域)可以形成為彎曲至形成於連接面222中的凹陷部223。由此，可以在模具部50a/50b對掩模100施壓的步驟中將沉積區域110與盈餘區域120的界面B定位到連接面222上，具體地，定位到形成於連接面222中的凹陷部223上並進行切割而獲得的掩模100的形狀。

此時，彎曲至基座部210側而布置成接觸到連接面222上的沉積區域110的外圍區域中可能存在有在盈餘區域120的切割工藝中形成的毛刺(burr)。這種毛刺(burr)在沉積工藝中處於比與襯底接觸的掩模100 的高度低的位置，具體地，處於圖1至圖4中所示的掩模100與框架200之間的空空間處，因此，在沉積工藝時將掩模100接觸到襯底的情況下，可以與毛刺(burr)的存在無關地將掩模100緊貼到襯底。

即，根據本發明的實施方式的掩模框架組件10通過最小化與襯底的間距來提升緊貼度，所以能夠執行精密的沉積工藝。

圖8是示出使用圖1中所示的掩模框架組件製造的有機發光顯示裝置的視圖。

參照圖8，有機發光顯示裝置300設置有襯底311。襯底311包括具有柔性的絕緣材料。例如，襯底311可以是玻璃襯底。此外，襯底311可以由聚醯亞胺(polyimide；PI)、聚碳酸酯(polycarbonate；PC)、聚醚碸(polyethersulphone；PES)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephtalate；PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate；PEN)、聚芳酯(polyarylate；PAR)或玻璃纖維增強塑料(fiber glass reinforced plastic；FRP)等的高分子材料構成。襯底311可以是透明的、半透明的或不透明的。

阻擋膜312可以被形成在襯底311上。阻擋膜312可以形成為整體地覆蓋襯底311的上部面。阻擋膜312可以包括無機膜或有機膜。阻擋膜312可以形成為單層膜、或者層疊為多層膜。例如，阻擋膜312可以由選自諸如矽氧化物(SiOx)、矽氮化物(SiNx)、矽氮氧化物(SiON)、鋁氧化物(AlO)、鋁氮氧化物(AlON)等的無機物和諸如丙烯酸樹脂、聚醯亞胺、聚酯等的有機物中的至少一種構成。

阻擋膜312執行阻擋氧氣和水分的功能，防止水分或雜質通過襯底311擴散，並且為襯底311的上部提供平坦的表面。薄膜電晶體(thin film transistor；TFT)可以被形成在阻擋膜312上。雖然圖8中所示的薄膜電晶體示出為頂柵(top gate)型薄膜電晶體，但是應明確，也可以包括底柵(bottom gate)型等的其他結構的薄膜電晶體。

半導體有源層313可以被形成在阻擋膜312上。根據摻雜N型雜質離子或P型雜質離子，半導體有源層313上可以形成源區域314和漏區域315。源區域314與漏區域315之間的區域為不摻雜雜質的溝道區域316。

在半導體有源層313由多晶矽形成的情況下，可以形成非晶矽並且通 過使其結晶化來轉變為多晶矽。此外，半導體有源層313可以由氧化物半導體形成。例如，氧化物半導體可以包括如下物質的氧化物，其中所述物質選自諸如鋅(Zn)、銦(In)、鎵(Ga)、錫(Sn)、鎘(Cd)、鍺(Ge)、鉿(Hf)的4、12、13、14族金屬元素及其組合。

柵極絕緣膜317可以被沉積在半導體有源層313上。柵極絕緣膜317包括諸如矽氧化物、矽氮化物或金屬氧化物的無機膜。柵極絕緣膜317可以是單層或多層結構。

柵電極318可以被形成在柵極絕緣膜317上的一定區域中。柵電極318可以包括Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo、Cr等的單層膜或多層膜，或者可以包括如Al:Nd、Mo:W的合金。

層間絕緣膜319可以被形成在柵電極318上。層間絕緣膜319可以由矽氧化物或矽氮化物等的絕緣材料形成。此外，上述的層間絕緣膜319可以由絕緣有機膜形成。

源電極320和漏電極321可以被形成在層間絕緣膜319上。具體地，接觸孔可以通過去除柵極絕緣膜317和層間絕緣膜319的一部分而形成在柵極絕緣膜317和層間絕緣膜319中，並且源電極320可以通過接觸孔電連接到源區域314，漏電極321可以通過接觸孔電連接到漏區域315。

鈍化膜322可以被形成在源電極320和漏電極321上。鈍化膜322可以由諸如矽氧化物或矽氮化物的無機膜形成或者由有機膜形成。

平坦化膜323可以被形成在鈍化膜322上。平坦化膜323可以包括丙烯酸樹脂(acryl)、聚醯亞胺(polyimide)、苯並環丁烯(Benzocyclobutene；BCB)等的有機膜。

有機發光元件OLED可以被形成在薄膜電晶體TFT上。有機發光元件OLED包括第一電極325、第二電極327和介於第一電極325與第二電極327之間的中間層326。

第一電極325通過接觸孔與源電極320和漏電極321中的任一個電極電連接。第一電極325對應於像素電極。

第一電極325充當陽極，其可以由多種導電材料形成。第一電極325可以形成為透明電極或反射電極。

例如，當第一電極325以透明電極使用時，第一電極325包括ITO、IZO、 ZnO、In2O3等。當第一電極325以反射電極使用時，第一電極325可以在由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及其化合物等形成反射膜後在上述的反射膜上形成ITO、IZO、ZnO、In2O3等。

像素限定膜(pixel define layer；PDL)324可以被形成在平坦化膜323上以覆蓋有機發光元件OLED的第一電極325的邊角位置。像素限定膜324通過圍繞第一電極325的邊角位置來限定各個子像素的發光區域。

像素限定膜324由有機物或無機物形成。例如，上述的像素限定膜324可以由諸如聚醯亞胺、聚醯胺、苯並環丁烯、丙烯酸樹脂、酚醛樹脂等的有機物形成、或者由如SiNx的無機物形成。像素限定膜324可以形成為單層膜，或者可以形成多層膜。

中間層326可以被形成在通過蝕刻像素限定膜324的一部分而暴露的所述第一電極325的區域中。中間層326可以通過沉積工藝形成。

中間層326可以由低分子有機物或高分子有機物構成。中間層326可以包括有機發光層(emissive layer；EML)。作為可選的示例，除了包括有機發光層以外，中間層326還可以包括空穴注入層(hole injection layer；HIL)、空穴傳輸層(hole transport layer；HTL)、電子傳輸層(electron transport layer；ETL)、電子注入層(electron injection layer；EIL)中的任一個。本實施方式並不限於此，中間層326包括有機發光層，並且還可以包括其他多種功能層。

第二電極327可以被形成在中間層326上。第二電極327對應於公共電極。與第一電極325相似，第二電極327可以形成為透明電極或反射電極。

當第一電極325形成為透明電極或反射電極時，其可以形成為與各個子像素的開口對應的形態。相反，第二電極327可以將透明電極或反射電極整面地沉積在顯示部上。可選地，第二電極327也可以由特定圖案形成以替代整面沉積。應明確，第一電極325和第二電極327也可以位置倒置並層疊。

另外，第一電極325與第二電極327通過中間層326彼此絕緣。當向第一電極325和第二電極327施加電壓時，中間層326中發出可見光來實現用戶可識別的圖像。

封裝部(encapsulation)340可以被形成在有機發光元件OLED上。封 裝部340是為了保護中間層326和其他薄膜免受外部水分或氧氣等的影響而形成的。

封裝部340可以是至少各層疊有一個有機膜和無機膜的結構。例如，封裝部340可以是層疊有諸如環氧樹脂、聚醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯，聚乙烯，聚丙烯酸酯等的至少一個有機膜341、342和諸如矽氧化物(SiO2)、矽氮化物(SiNx)、鋁氧化物(Al2O3)、鈦氧化物(TiO2)、鋯氧化物(ZrOx)、鋅氧化物(ZnO)等的至少一個無機膜343、344、345的結構。

封裝部340可以是具有至少一個有機膜341、342和至少兩個無機膜343、344、345的結構。封裝部340中暴露到外部的最上層345可以由無機膜形成以防止水分滲進有機發光元件OLED。

如上所述，雖然參照附圖中所示的實施方式對本發明進行了說明，但這僅僅是示例性的，本領域的普通技術人員應理解，能夠由此進行多種變型和實施方式的變型。因此，本發明真正的技術保護範圍應由所附權利要求書中的技術思想來定義。

符號的說明

10：掩模框架組件 130：焊接部

60：雷射照射部 200：框架

70：機械式切割器 210：基座部

100：掩模 220：支承部

110：沉積區域 221：安置面

111：圖案部 222：連接面

112：主體部 223：凹陷部

120：盈餘區域 230：開口部