內存之路在何方?DDR4代最新技術解讀
2023-10-19 11:18:12
泡泡網內存頻道3月20日 三星電子公司宣布在上個月,已經完成了業界第一個DDR4內存模塊的研發工作,並且使用30nm製程技術完成製作出樣品。新DDR4內存模塊可以在電壓只有1.2伏特的情況下,達到2133MHz的運行速率,而且藉助新的迴路架構,DDR4可以上超3200MHz,三星說最終能達到4G。相較於DDR3,從低電壓版的1.35V到正常電壓的1.5V,在節能方面可以節省40%!
三星表示,這條DDR4內存使用了曾出現在高端顯存顆粒上的「Pseudo Open Drain」(虛擬開漏極)技術,在讀取、寫入數據的時候漏電率只有DDR3內存的一半。
三星繼成功研發出DDR、DDR2、DDR3內存後,現在又搶先推出DDR4,雖然DDR4的標準規格仍未定案,但是三星已經和多家內存廠商連手,幫助JEDEC固態技術協會「制訂」DDR4的標準規格。JEDEC預計在2011年完成DDR4內存規範的制定工作,2012年開始商用,超過DDR3而成為主流規格則可能要等到2015年。