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靜電防護結構及平板x射線圖像探測器的製造方法

2023-10-11 23:28:19

靜電防護結構及平板x射線圖像探測器的製造方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種靜電防護結構,其包括:第一電極線和第二電極線,所述第一電極線包括至少兩個分支,所述第一電極線的所述至少兩個分支與所述第二電極線交疊,形成至少兩個交疊區域;所述第二電極線包括主線和設於所述交疊區域中任意之一的凸出部。所述靜電防護結構能夠使電線交疊位置的電線在靜電擊穿發生時還能正常工作,提升了產品質量和良率。本實用新型還提供了一種平板X射線圖像探測器。
【專利說明】靜電防護結構及平板X射線圖像探測器
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種平板X射線圖像探測器,特別是應用於所述探測器中的靜電防護結構。
【背景技術】
[0002]平板X射線探測器形成於一平整的襯底上,包括具有光敏成像元件的像素陣列。所述像素陣列包括多個TFT開關元件,多條行地址線(數據線)和多條列地址線(掃描線);如大多數微電路裝置一樣,由於基板運送,設備接觸及操作人員接觸等因素會引入靜電,產生靜電電壓。靜電電壓在短時間內會釋放遠遠超過探測器內部器件工作能力的大電流,使得這些陣列中的元件受到靜電放電的破壞,造成擊穿,特別是在行地址線與列地址線的交疊位置,一旦被擊穿便難以修復,從而影響產品質量和良率。
實用新型內容
[0003]有鑑於此,本實用新型提供了一種靜電防護結構以及一種平板X射線圖像探測器,其有效避免了由於現有技術的限制和缺陷導致的一個或更多的問題。
[0004]本實用新型解決上述技術問題所採用的技術方案之一為:一種靜電防護結構,其包括:第一電極線和第二電極線,所述第一電極線包括至少兩個分支,所述第一電極線的所述至少兩個分支與所述第二電極線交疊,形成至少兩個交疊區域;所述第二電極線包括主線和設於所述交疊區域中任意之一的凸出部。
[0005]本實用新型解決上述技術問題所採用的技術方案之二為:一種平板X射線圖像探測器,其包括本實用新型技術方案之一所述的靜電防護結構。
[0006]本實用新型提供了一種靜電防護結構及具有該結構的平板X射線圖像探測器,使得電線交疊位置的電線在靜電擊穿發生時還能正常工作。靜電擊穿發生時,只有部分電線被損壞,隔離損壞的電線,而未被損壞的電線正常使用。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1為本實用新型第一實施例中靜電防護結構的示意圖。
[0008]圖2為本實用新型第二實施例中靜電防護結構的示意圖。
[0009]圖3為本實用新型第三實施例中靜電防護結構的示意圖。
[0010]圖4為本實用新型中平板X射線圖像探測器的示意圖。
[0011]附圖標記說明:
[0012]靜電防護結構_10、10a、10b ;第一電極線-12、12a、12b ;第一電極線第一分支-122、122a、122b ;第一電極線第二分支-122』、122a』、122b』 ;第二電極線 _14、14a、14b ;主線-142、142a、142b ;主線分支-1422b、1422b』 ;凸出部-144、144a、144b ;凸出部子分支-1442a、1442b ;第一交疊區域_16、16a、16b ;第二交疊區域-16』、16a』、16b』 ;第三交疊區域-16a』』、16b』』 ;第四交疊區域_16b』』』 ;平板X射線圖像探測器-100 ;像素陣列-20 ;公共電極線-30 ;數據線外圍電路-40 ;掃描線外圍電路-50 ;靜電導入方向-F。
【具體實施方式】
[0013]實施例1
[0014]請參考圖1的靜電防護結構10。
[0015]靜電防護結構10,包括第一電極線12和第二電極線14。第一電極線12與第二電極線14垂直交叉。
[0016]第一電極線12包括兩個分支,分別為第一分支122和第二分支122』。第一電極線12呈矩形框狀。這兩個分支均與第二電極線14交疊,分別形成第一交疊區域16和第二交疊區域16』。第二電極線14包括主線142和凸出部144。凸出部144為主線142向靜電導入方向F延伸形成,主線142和凸出部144交疊第一電極線12的第一分支122,形成了第一交疊區域16。
[0017]第一交疊區域16形成了保護電容,第二交疊區域16』形成了寄生電容。保護電容與寄生電容並聯設置。兩個電容兩端的電壓是一致的,根據公式:電場強度E=電壓V/兩極間距離D,在電容中介質材料相同的情況下,兩極間距離D越小,電場E越大,電容越容易被擊穿。因此當靜電沿著方向F導入時,由於第二電極線14的凸出部144的距離更靠近靜電導入端,凸起部144將先充電,當發生靜電擊穿時,保護電容在短時間內將承受高電壓,該電壓高於該保護電容所能承受的電壓,使得第一交疊區域16的保護電容被擊穿,從而釋放了靜電,保護了第二交疊區域16』的寄生電容,第一電極線12仍可正常工作。
[0018]本實施例所提供的靜電防護結構10,將第一電極線12分成兩個分支122和122』,從而可有效降低第一電極線被整體靜電擊穿的機率;在第二電極線14上增設了凸出部144,所述凸出部144靠近靜電導入方向F,因此,若發生靜電擊穿,會擊穿第一交疊區域16的保護電容,僅損壞第一電極線12的第一分支122,保護了第一電極線12的第二分支122』,將第一分支122隔離後,並不影響第一電極線12的正常使用。
[0019]實施例2
[0020]請參考圖2中的靜電防護結構10a。
[0021]靜電防護結構IOa包括第一電極線12a和第二電極線14a,其主要結構與實施例1的靜電防護結構10相同,不同之處為,第二電極線14a的凸出部144a包括兩個子分支1442a。因此第一電極線12a在與第二電極線14a形成了三個交疊區域,分別是第一電極線分支122a與第二電極線凸出部144a所形成的第一交疊區域16a、第一電極線分支122a與第二電極線主線142a所形成的第二交疊區域16a』和第一電極線分支122a』與第二電極線主線142a所形成的第三交疊區域16a』』。第一交疊區域16a設有保護電容,當發生靜電擊穿時,由於第一交疊區域16a距離靜電導入端最近,使得第一交疊區域16的保護電容被擊穿,將第二電極線14a的凸出部144a隔離,第一電極線12a和第二電極線14a的主線142a仍可正常工作。
[0022]本實施例所提供的靜電防護結構10a,將第一電極線12a分成兩個分支122a和122a』,,從而可有效降低第一電極線被整體靜電擊穿的機率;在第二電極線14a上增設了凸出部144a,所述凸出部144a不僅靠近靜電導入方向F,並且分成兩個子分支1442a。因此,若發生靜電擊穿,會擊穿第一交疊區域16a的保護電容,僅損壞第二電極線凸出部144a,而不影響第一電極線12a和第二電極線主線142a的正常使用。
[0023]實施例3
[0024]請參考圖3中的靜電防護結構10b。
[0025]靜電防護結構IOb包括第一電極線12b和第二電極線14b,其主要結構與實施例2的靜電防護結構IOa相同,不同之處在於,第二電極線14b的主線142b也包括了兩個分支1422b。因此,第一電極線12b和第二電極線14b彼此交疊,形成了四個交疊區域,分別是16b、16b』、16b』 』和16b』 』 』。其中,第一交疊區域16b定義為第一電極線分支122b與第二電極線凸出部144b的交疊部分;第二交疊區域16b』定義為第一電極線分支122b與第二電極線主線142b的交疊部分;第三交疊區域16b』 』定義為第一電極線分支122b』與第二電極線主線分支1422b的交疊部分;第四交疊區域16b』 』 』定義為第一電極線分支122b』與第二電極線主線分支1422b』的部分。第一交疊區域16b最靠近靜電導入端。當靜電擊穿發生時,第一交疊區域16b的保護電容優先被擊穿,僅損壞第二電極線凸出部144b,而不影響第一電極線12b和第二電極線主線142b的正常使用。
[0026]若發生嚴重靜電擊穿,則會造成第一電極線第一分支122b、第二分支122b』均與第二電極線14b短路,通過隔離1422b、1422b』,就能使第一電極線各分支122b、122b』及第二電極線142b正常工作;若發生更為嚴重的靜電擊穿,有可能產生以下兩種情況之一:1.造成第一電極線第一分支122b、第二分支122b』均與第二電極線14b交疊區域16b、16b』、16b』 』和16b』 』 』斷路,通過隔離122b、122b』,就能使第二電極線14b正常工作;2.造成第一電極線第一分支122b、122b』均與14b交疊區域16b』』和16b』』』斷路,通過隔離1422b、第二分支1422b』,就能使第一電極線各分支122b、122b』和第二電極線14b正常工作。
[0027]本實施例所提供的靜電防護結構10b,將第一電極線12b分成兩個分支122b和122b』,從而可有效降低發生第一電極線12b整體被靜電擊穿的機率;在第二電極線14b上增設了具有兩個子分支1442b的凸出部144b ;將第二電極線主線142b分成兩個分支1422b、1422b』,從而可有效降低發生第二電極線14b整體被靜電擊穿的機率。
[0028]根據相同的原理,可以對靜電防護結構10 (IOaUOb)的結構作如下改變。實施例
1、2和3中,靜電防護結構10 (10a、IOb)的第一電極線12 (12a、12b)不限於設為兩個分支122 (122a、122b),也可以是兩個以上。實施例2和3中,靜電防護結構IOa (IOb)的第二電極線14a (14b)的凸出部144a (144b)也不限於為兩個分支1442a (1442b),可以為兩個以上。實施例3中,靜電防護結構IOb的第二電極線14b的主線142b的分支也可以設為兩個以上。
[0029]圖4繪示了本實用新型中採用了靜電防護結構10 (IOaUOb)的平板X射線探測器100。探測器100還包括像素陣列20、多條公共電極線30、數據線外圍電路40以及掃描線外圍電路50。其中,數據線外圍電路40包括多列數據線。掃描線外圍電路50包括多行掃描線。數據線定義為靜電防護結構10 (10a、IOb)的第一電極線12 (12a、12b),掃描線定義為靜電防護結構10 (IOaUOb)的第二電極線14 (14a、14b)。即,靜電防護結構10 (10a、10b)形成於探測器100中,數據線與掃描線相交的位置。
[0030]當然,靜電防護結構10(10a、10b)也可以設於公共電極線30與數據線40相交處。第一電極線12 (12a、12b)不限於作為數據線,也可以是掃描線或是公共電極線。第二電極線14 (14a、14b)不限於作為掃描線,也可以是數據線或是公共電極線。
[0031]本實用新型提供的平板X射線探測器100,其靜電防護結構10 (IOaUOb)設於數據線和掃描線交疊位置,也可以設於數據線和公共電極線交疊位置,能夠有效保護電線交疊位置,靜電擊穿時,隔離損傷的電線,而未損傷的電線正常使用,易於修復。
[0032]顯然,本領域的技術人員可以對本實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和範圍。這樣,倘若對本實用新型的這些修改和變型屬於本實用新型權利要求及其等同技術的範圍之內,則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內。
【權利要求】
1.一種靜電防護結構,其特徵在於,其包括:第一電極線和第二電極線,所述第一電極線包括至少兩個分支,所述第一電極線的所述至少兩個分支與所述第二電極線交疊,形成至少兩個交疊區域;所述第二電極線包括主線和設於所述交疊區域中任意之一的凸出部。
2.根據權利要求1所述的靜電防護結構,其特徵在於,所述第一電極線具有第一、第二分支,與所述第二電極線分別形成第一、第二交疊區域。
3.根據權利要求2所述的靜電防護結構,其特徵在於,所述第一電極線與所述第二電極線在所述第一交疊區域形成保護電容,在所述第二交疊區域形成寄生電容。
4.根據權利要求2所述的靜電防護結構,其特徵在於,所述第二電極線的凸出部與所述第一電極線的第一分支交疊於所述第一交疊區域。
5.根據權利要求4所述的靜電防護結構,其特徵在於,所述第二電極線的凸出部設有至少兩個分支。
6.根據權利要求4所述的靜電防護結構,其特徵在於,所述第二電極線的主線與所述第一電極線交疊的所述第二交疊區域設有至少兩個分支。
7.根據權利要求1所述的靜電防護結構,其特徵在於,所述第一電極線與第二電極線垂直交疊。
8.根據權利要求1所述的靜電防護結構,其特徵在於,所述第一電極線呈矩形框狀。
9.一種平板X射線圖像探測器,其特徵在於,其包括根據權利要求1至8所述的任一項靜電防護結構。
10.根據權利要求9所述的平板X射線圖像探測器,其特徵在於,所述第一電極線和第二電極線為所述探測器中的數據線、掃描線或者公共電極線。
【文檔編號】H01L23/60GK203707119SQ201320303980
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2013年5月30日 優先權日:2013年5月30日
【發明者】鄭禮朋 申請人:上海天馬微電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司

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