一種改善pecvd製程良率的方法

2023-10-29 19:16:17

一種改善pecvd製程良率的方法
【專利摘要】本發明公開一種改善PECVD製程良率的方法，該PECVD即AS膜沉膜在GE膜21上，其中，GE膜21為設置在玻璃基板20上的金屬膜，AS膜是半導體膜且進一步細分為5層，其中AS膜與GE膜直接接觸的是GH層25，GH膜的厚度記為H，其特徵在於，包括預沉膜、毛刷清洗、再沉膜；預沉膜，選取一定厚度的GH層22對GE膜表面進行沉膜，該厚度記為H1；毛刷清洗，使用毛刷對上述預沉膜後的半成品表面進行清洗，將此時處於表面的異物23清除，表面的異物23被清除後留下凹坑24；再沉膜，再次選取一定厚度的GH層對上述帶有凹坑的表面進行二次沉膜，該厚度記為H2，且H2=H-H1；上述凹坑處的GH層厚度為H與凹坑深度之差。本發明提供一種可有效清除膜下異物的改善PECVD製程良率的方法。
【專利說明】一種改善PECVD製程良率的方法

【技術領域】
[0001]本發明涉及液晶顯示器的研發與製造，特別是關於一種改善PECVD製程良率的方法。

【背景技術】
[0002]在TFT-LCD製程中，膜下異物引起的不良長期佔據著良率損失的第一位。由於PECVD生產的特殊性，在生產過程中不能避免顆粒的產生，只能通過對玻璃基板沉膜前清洗、對機臺預保養時清潔、生產中在沉膜6pcs後執行RPSCclean等手段抑制顆粒的積累而對膜層造成不良。
[0003]PECVD即AS膜沉膜在GE膜上，其中，GE膜為設置在玻璃基板上的金屬膜，AS膜是半導體膜；AS膜進一步細分為5層，自下往上分別是GH層、GL層、AL層、AH層、NP層，各層有各自的功能。GH膜的成分為SiNx,作為與GE膜直接接觸的GH層，主要是對GE膜起絕緣保護作用，但在沉膜後極容易在GH層與GE膜間混入異物，尤其是在金屬膜即GE膜上混入異物，將嚴重影響PECVD薄膜的品質。如圖1為玻璃基板10和GE膜11的側視圖，圖2是現有技術的沉膜方式，GH膜12下存在較多的異物13。


【發明內容】

[0004]有鑑於此，本發明為解決上述技術問題，提供一種可有效清除膜下異物的改善PECVD製程良率的方法。
[0005]本發明的目的通過以下技術方案實現:
一種改善PECVD製程良率的方法，該PECVD即AS膜沉膜在GE膜上，其中，GE膜為設置在玻璃基板上的金屬膜，AS膜是半導體膜且進一步細分為5層，其中AS膜與GE膜直接接觸的是GH層，GH膜的厚度記為H，其特徵在於，包括預沉膜、毛刷清洗、再沉膜；預沉膜，選取一定厚度的GH層對GE膜表面進行沉膜，該厚度記為Hl ;毛刷清洗，使用毛刷對上述預沉膜後的半成品表面進行清洗，將此時處於表面的異物清除，表面的異物被清除後留下凹坑；再沉膜，再次選取一定厚度的GH層對上述帶有凹坑的表面進行二次沉膜，該厚度記為H2，且H2=H-H1 ;上述凹坑處的GH層厚度為H與凹坑深度之差。
[0006]所述厚度Hl小於厚度H。
[0007]所述毛刷為滾軸毛刷，且該滾軸毛刷的數量為一個或一個以上。
[0008]本發明相較於現有技術的有益效果是:
在TFT-LCD製程中，膜下異物引起的不良長期佔據著良率損失的第一位。由於PECVD生產的特殊性，在生產過程中不能避免顆粒的產生，只能通過對玻璃基板沉膜前清洗、對機臺預保養時清潔、生產中在沉膜6pcs後執行RPSCclean等手段抑制顆粒的積累而對膜層造成不良。
[0009]本發明在AS沉膜時採用預沉膜、毛刷清洗、再沉膜的工藝，它能很大程度的改善在AS沉膜時造成的膜下異物引起的不良。由於大部分膜下異物是在AS沉膜初期產生的，此種沉膜工藝能有效地減少AS膜層中與GE層接觸而有可能造成顯示不良的異物，而且，這種工藝還能通過同批次玻璃重複進CVD腔室鍍膜，減少機臺由於產能低等原因而造成的機臺靜置，而靜置就會造成機臺內異物產生的機率加大，這樣該工藝就可以進一步降低particle產生的可能性。
[0010]通常GH層厚度為3500埃，預沉膜時GH層的厚度為1500-2500埃，通過帶毛刷的清洗機臺清洗，沉膜產生的異物被毛刷刷走，留下凹坑，在再沉膜時，將剩餘的2000埃的GH層進行二次沉膜，凹坑即被填滿，然後沉剩餘的AS膜層，即使再有膜下異物，也不會影響AS層的絕緣保護作用，能極大地改善AS膜下異物造成的亮點、漏筆、點帶線等顯示不良。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]利用附圖對本發明作進一步說明，但附圖中的實施例不構成對本發明的任何限制。
[0012]圖1是GE膜的結構圖。
[0013]圖2是現有技術的AS膜下異物的結構狀態圖。
[0014]圖3是本發明實施例的改善PECVD製程良率的方法的預沉膜後的狀態圖。
[0015]圖4是本發明實施例的改善PECVD製程良率的方法的毛刷清洗後的狀態圖。
[0016]圖5是本發明實施例的改善PECVD製程良率的方法的再沉膜後的最終結構狀態圖。

【具體實施方式】
[0017]為了便於本領域技術人員理解，下面將結合附圖以及實施例對本發明作進一步詳細描述。
[0018]請參照圖3-圖5，本發明實施例包括:
一種改善PECVD製程良率的方法，該PECVD即AS膜沉膜在GE膜21上，其中，GE膜21為設置在玻璃基板20上的金屬膜，AS膜是半導體膜且進一步細分為5層，其中AS膜與GE膜直接接觸的是GH層25，GH膜的厚度記為H，其特徵在於，包括預沉膜、毛刷清洗、再沉膜；預沉膜，選取一定厚度的GH層22對GE膜表面進行沉膜，該厚度記為Hl ;毛刷清洗，使用毛刷對上述預沉膜後的半成品表面進行清洗，將此時處於表面的異物23清除，表面的異物23被清除後留下凹坑24 ;再沉膜，再次選取一定厚度的GH層對上述帶有凹坑的表面進行二次沉膜，該厚度記為H2，且H2=H-H1 ;上述凹坑處的GH層厚度為H與凹坑深度之差。
[0019]厚度Hl小於厚度H。在本實施例中，H為3500 ±矣，Hl為1500 ±矣，H2為2000埃。
[0020]毛刷為滾軸毛刷，且在本實施例中，該滾軸毛刷的數量為4個。
[0021]在TFT-LCD製程中，膜下異物引起的不良長期佔據著良率損失的第一位。由於PECVD生產的特殊性，在生產過程中不能避免顆粒的產生，只能通過對玻璃基板沉膜前清洗、對機臺預保養時清潔、生產中在沉膜6pcs後執行RPSCclean等手段抑制顆粒的積累而對膜層造成不良。
[0022]本發明在AS沉膜時採用預沉膜、毛刷清洗、再沉膜的工藝，它能很大程度的改善在AS沉膜時造成的膜下異物引起的不良。由於大部分膜下異物是在AS沉膜初期產生的，此種沉膜工藝能有效地減少AS膜層中與GE層接觸而有可能造成顯示不良的異物，而且，這種工藝還能通過同批次玻璃重複進CVD腔室鍍膜，減少機臺由於產能低等原因而造成的機臺靜置，而靜置就會造成機臺內異物產生的機率加大，這樣該工藝就可以進一步降低particle產生的可能性。
[0023]通常GH層厚度為3500埃，預沉膜時GH層的厚度為1500埃，通過帶毛刷的清洗機臺清洗，沉膜產生的異物被毛刷刷走，留下凹坑，在再沉膜時，將剩餘的2000埃的GH層進行二次沉膜，凹坑即被填滿，然後沉剩餘的AS膜層，即使再有膜下異物，也不會影響AS層的絕緣保護作用，能極大地改善AS膜下異物造成的亮點、漏筆、點帶線等顯示不良。
[0024]最後應當說明的是，以上實施例說明本發明的技術方案，而非對本發明保護範圍的限制，儘管參照較佳實施例對本發明作了詳細地說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本發明的技術方案進行修改或者等同替換，而不脫離本發明技術方案的實質和範圍。
【權利要求】
1.一種改善PECVD製程良率的方法，該PECVD即AS膜沉膜在GE膜上，其中，GE膜為設置在玻璃基板上的金屬膜，AS膜是半導體膜且進一步細分為5層，其中AS膜與GE膜直接接觸的是GH層，GH膜的厚度記為H，其特徵在於，包括 預沉膜，選取一定厚度的GH層對GE膜表面進行沉膜，該厚度記為H1 ； 毛刷清洗，使用毛刷對上述預沉膜後的半成品表面進行清洗，將此時處於表面的異物清除，表面的異物被清除後留下凹坑； 再沉膜，再次選取一定厚度的GH層對上述帶有凹坑的表面進行二次沉膜，該厚度記為H2，且H2=H-H1 ;上述凹坑處的GH層厚度為Η與凹坑深度之差。
2.根據權利要求1所述的改善PECVD製程良率的方法，其特徵在於，所述厚度Η1小於厚度Η。
3.根據權利要求1所述的改善PECVD製程良率的方法，其特徵在於，所述毛刷為滾軸毛刷，且該滾軸毛刷的數量為一個或一個以上。
【文檔編號】C23C16/52GK104498910SQ201410700949
【公開日】2015年4月8日 申請日期:2014年11月28日 優先權日:2014年11月28日
【發明者】謝雄偉, 李建, 任思雨, 蘇君海, 李建華, 黃亞清 申請人:信利（惠州）智能顯示有限公司