使用燒結溫度低的含錫無機材料進行氣密性密封的製作方法

2023-10-21 06:43:27

專利名稱：：使用燒結溫度低的含錫無機材料進行氣密性密封的製作方法
技術領域：
：本發明涉及一種使用含Sn2+無機材料作為薄防滲透層來抑制氧和水分滲入器件的方法以及由此方法製得的器件。器件的例子包括發光器件(如有機發光二極體(0LED)器件)、光電器件、薄膜傳感器、攸逝波導傳感器、食物容器和藥品容器。
背景技術：
：氧和/或水通過層壓或密封材料轉運並接著侵蝕器件內物質是許多器件中多種常見的劣化機制中的兩種，所述器件包括發光器件(如0LED器件)、光電器件、薄膜傳感器、攸逝波導傳感器、食物容器和藥品容器。關於與氧和水滲入0LED和其它器件的內層(陰極和電發光材料)相關的一些問題的詳細討論可參見以下文獻Aziz，H.,P叩ovic'Z.D.,Hu，N.X.，Hor,A.H.和Xu，G.，"基於小分子的有機發光器件的劣化機制"(DegradationMechanismofSmallMolecule-BasedOrganicLight-EmittingDevices)，Science,283,第1900—1902頁，(1999);Burrows,P.E.,Bulovic.，V.，Forrest,S.R.，Sapochak,LS.,McCarty，D.M.，Thompson,M.E.，"有機發光器件的可靠性和劣化"(ReliabilityandDegradationofOrganicLightEmittingDevices)，AppliedPhysicsLetters,65(23),第2922—2924頁；Kolosov,D.等人，"劣化期間有機發光器件中發生的結構變化的直接觀察"(Directobservationofstructuralchangesinorganiclightemittingdevicesduringdegradation)，JournalofAppliedPhysics,2001.90(7);Liew，F.Y.等人，"有機發光器件中黑斑位點的研究"(Investigationofthesitesofdarkspotsinorganiclight-emittingdevices)，AppliedPhysicsLetters,2000.77(17);Chatham,H.，"綜述聚合物基底上透明氧化物的防氧擴散性"(Review:OxygenDiffusionBarrierPropertiesofTransparentOxideCoatingsonPolymericSubstrates)，78，第1—9頁，(1996)。已知除非己採取了某些措施將氧和水對OLED器件的滲入減到最小，否則它們的工作壽命將受到嚴重限制。因此，已付出了很多努力來將氧和水向OLED器件的滲入減到最小，以使OLED器件的工作壽命能達到40000小時，這一工作壽命通常認為是必需的，這樣OLED器件才能超越較老的器件技術如LCD指示器。關於這些內容，可見以下文獻中的討論-Forsythe，Erie,W.，"有機發光器件的操作"(OperationofOrganic-BasedLight-EmittingDevices)，在信息器件(SID)協會第40屆年會研討會的講稿中，第1巻，M5研討會，Hynes會議中心，麻薩諸塞州波士頓，2002年5月20日和24日。迄今為止己釆取的較為突出的延長OLED器件的壽命的努力包括真空技術、包封以及各種密封技術。實際上，目前一種常見的密封OLED器件的方法是施用和熱處理(或UV加熱)不同類型的環氧樹脂、無機材料和/或有機材料，以在OLED器件上形成密封。例如，維特科系統公司(VitexSystems)製造和銷售商品名為Bari^的塗層，這是一種基於複合材料的方法，其中使用無機材料和有機材料的交替層來密封OLED器件。雖然這些類型的密封提供了一定程度的氣密性，但是它們非常昂貴，而且仍然存在隨著時間推移它們無法阻止氧和水擴散進入OLED器件的情況。為了解決這種密封問題，本發明的受讓人開發了幾種不同的低液相線溫度無機材料，這些材料可用來氣密性密封OLED器件(或其它類型的器件)。所述低液相線無機材料比例錫-氟磷酸鹽材料、硫屬元素化物材料、亞碲酸鹽材料、硼酸鹽材料和磷酸鹽材料。關於這些低液相線溫度無機材料以及如何將它們沉積在器件上、然後進行熱處理以氣密性密封該器件的方法的詳細討論可參見2005年8月18日提交的美國專利申請系列號11/207691，發明名稱為"抑制氧和水分劣化器件的方法及由此獲得的器件"(公開號為US2007/004050A1，本文將其全文納入作為參考)。雖然這些低液相線溫度無機材料能很好地氣密性密封OLED器件(或其它類型的器件)，但仍需要開發新的和改進的可用於氣密性密封OLED器件(或其它類型的器件)的密封材料和密封技術。本發明滿足了這些特定的需求和其它需求。
發明內容本發明涉及一種使用含Sn2+的無機材料在0LED器件(或其它類型的器件)上形成氣密性密封的方法。在一個實施方式中，將含Sn2+的無機材料沉積到0LED器件(或其它類型的器件)上，然後在相對較低的溫度(如低於IO(TC)獨立地燒結/熱處理，從而在該OLED器件(或其它類型的器件)上形成氣密性薄膜防滲透層。優選的含Sn"無機材料例如包括SnO、混合的SnO和含P205粉末、以及混合的SnO和BP04粉末(注意沉積的SnO材料並不一定需要被燒結/熱處理以氣密性粉末該器件)。已在85"C、85%相對溼度的環境中通過1000小時鈣斑貼試驗證實了含Sn2+無機材料對水汽和氧侵蝕的氣密性不透過性，這表明這些防滲透層適用於使密封的器件在正常的環境條件下工作至少5年(這意味著該熱處理的含S,無機材料的氧透過性遠遠低於0.01cc/m7atm/天，水透過率低於0.01g/m7天)。結合下文詳細描述以及附圖會對本發明有更完整的理解，其中，所述附圖包括圖1是闡述本發明使用含Sn2+無機材料在器件上形成氣密性密封的方法的步驟的流程圖。在圖1中，各數字編號的含義如下102—一將含Sn2+無機材料沉積在位於器件載體(基底)上的內層上；104—一在不損壞位於器件載體(基底)上的內層的溫度和環境下熱處理該沉積的Sn2+無機材料。圖2是受本發明含Sn2+無機材料保護的器件的橫截面側視圖。圖3是以圖表形式闡述兩種示例性含Sn2+無機材料(即SnO和80Sn0:20P205)(見黑點)和6種示例性低液相線溫度(LLT)材料(見黑方塊)的組成差別的圖表。圖4是85°〇/85%溼度加速老化室/烘箱的圖，提供該圖來幫助解釋各種鈣斑貼試驗的設置和操作，其中實施所述試驗以分析由本發明幾種不同的含Sn2+無機材料製成的薄膜防滲透層的性能。圖5A—5F是兩種Sn0包塗的器件、Sn02包塗的器件(不認為是本發明的一部分)、兩種SnO/PA包塗的器件和SnO/BP04包塗的器件的照片。製備並測試所有這些器件，以確定它們是否能在85°0/85%溼度加速老化室/烘箱中抑制氧和水分滲透。圖6是以圖表形式闡述鈣斑貼測試和市售獲得的MOCOMtm裝置是如何很好地測量(或不測量)OLED器件上密封層的防水分滲透性的圖表。此圖的橫軸是H20滲透速率(g/m7天，在25°C)，6.1是MOCON測量的極限，603是OLED的要求。具體實施方式在本文中，無機材料可以是氧化物、鹽、複合材料以及它們的組合和/或混合物。例如用SnO十P205表示的無機材料可以是通式為SnOx*(P205)^的鹽和/或氧化物，其中x是材料中SnO的摩爾分數。參見圖l一2，它們分別表示抑制氧和水分劣化器件200的方法100的流程圖和本發明被保護的器件200的橫截面側視圖。方法100包括將含Sn"無機材料沉積在載體/基底206頂部上一個或多個層204上的步驟102(見圖2)。可採用下述多種方法中的任一種沉積該含Sn2+無機材料202，所述方法例如包括濺射法、閃蒸法、噴射法、澆注法(pouring)、玻璃料一沉積法、汽相沉澱法、浸塗法、塗染(painting)法、輥塗法(例如，含Sn2+無機材料202的膜)、旋塗法、共蒸發方法、菸灰槍噴霧法(sootgunsprayingprocess)、反應性濺射法、雷射消融法，或其任意組合。方法100還包括步驟104，其中將經沉積的含S,無機材料202包封的器件200退火、強化或熱處理(如在IO(TC下低於3小時)。實施熱處理步驟104是為了消除/最大程度地減少沉積步驟102過程中在含Sn2+無機材料202內可能形成的缺陷(如孔)(注意如果含Sr^無機材料202是SnO，那麼濺射沉積步驟102本身可提供燒結該沉積的無機材料202所需的所有熱量)。如果需要，沉積步驟102和熱處理步驟104可都在惰性氣氛或真空中實施，以確保在整個密封過程中維持無水和無氧的條件。這種類型的加工環境對於幫助確保器件200內有機電子元件104能可靠、長時間地操作是重要的。可由所述含Sn2+無機材料保護的不同器件200的例子包括發光器件(如0LED器件)、光電器件、薄膜傳感器、攸逝波導傳感器、食物容器和藥品容器。如果器件200是0LED器件，那麼內層204包括陰極和電致發光材料，這兩種材料將位於基底206上。例如，如果將陰極和電致發光材料204加熱到100—125'C以上的溫度，則它們可能會被損壞。因此，如果將傳統材料(如鹼石灰玻璃)沉積在OLED器件200上的話，熱處理步驟104在這種特定的情況下是不可能進行的，因為除去傳統材料(如鹼石灰玻璃)中的缺陷所需的溫度(如600°C)太高，且會嚴重損壞OLED器件的內層204。但是，在本發明中，可在此特定應用中實施該熱處理步驟104，因為除去/最大程度地減少沉積的含5:12+無機材料202中缺陷所需的溫度(如IO(TC或更低)相對較低，從而不會損壞OLED器件的內層204。再次，如果該含Sn"無機材料202例如是SnO，則甚至可不需要該熱處理步驟104(見圖5A)。含Sn"無機材料202的使用使這成為可能，因為這種類型的材料在相對低的溫度下固化時能夠形成保護器件200的氣密性包封塗層。含Sn2+無機材料202與氟磷酸錫材料(前述美國專利申請系列號11/207691中公開的LLT材料之一)存在幾個方面的不同。首先，含Sn2+無機材料202可在比氟磷酸錫材料更低的溫度下進行熱處理(注意氟磷酸錫材料已在12(TC的溫度下進行熱處理)。其次，含Sn"無機材料202不含有氟。再次，一些含Sn"無機材料202(如SnO)的熔點超過1000。C，這大於LLT材料的最大熔點IOO(TC。第四，含Sn2+無機材料202的組成與氟磷酸錫材料的不同(例如，見圖3，它以圖表形式闡述兩種示例性含Sn2+無機材料(基SnO和80SnO:20PA)(見黑點)和6種示例性低液相線溫度(LLT)材料(見黑方塊)的組成差別)(注意共同轉讓的美國專利申請11/207691公開和要求保護這6種氟磷酸錫材料以及圖3所示的所有可能的氟磷酸錫材料)。而且，本發明的受讓人已提交了另一美國專利申請系列號11/509445(發明名稱為"磷酸錫防滲透膜、方法及裝置")，該申請公開了如何使用電阻加熱元件將低液相線溫度(LLT)無機材料如含60到約85摩爾百分比的氧化錫的磷酸錫LLT蒸發沉積到器件上、然後熱處理以氣密性密封該器件。共同轉讓的美國專利申請11/509445於2006年8月24日提交，發明名稱為"磷酸錫防滲透膜、方法及裝置"。此文獻的內容納入本文作為參考。本文所述的含Sn2+無機材料202例如包括如下組成Sn0粉末、混合的Sn0/含P力5粉末、和混合的Sn0/BP04粉末。但是，含Sr^無機材料202還可包括已熔融形成適當的濺射耙的混合組成(如80%SnO+20%P205)。在一個實施方式中，含Sn2+的無機材料202含有〉50%的氧化亞錫(更優選〉70%的氧化亞錫，更優選>80%的氧化亞錫)。此外，含Sn2+無機材料202可在〈400。C(優選地<200°C，更優選地〈10(TC，更優選地〈5(TC)的溫度進行熱處理。下文參照表1和圖4一6討論了四種不同類型的含Sn2+無機材料202的測試結果以及由這些實驗得到的結論。表l列出了四種用於測試低溫燒結性能(該性能是本發明的一個重要方面)的代表性含Sn2+無機材料202。表1tableseeoriginaldocumentpage9*該SnO在可見光波長範圍內是不透明的**該SnO+P205和SnO+BP04在可見光波長範圍內都是透明的***壓制的粉末靶被用於沉積多種膜。將壓制粉末(Goldschmidt，PA，USA)拌合在一起，以獲得特定的摩爾比(如100XSnO粉末、或80%SnO+20%P205),加入剛好足量的異丙醇，以促進其壓實到淺的銅盤中(將其機械加工以使其適合3"磁控管濺射槍)。之後，施加壓力，以壓緊並緊緊地將該漿料限制在銅盤的凹口中，然後將銅盤置於乾燥器中保存。****熔化的靶是指80%SnO和20^P205的拌合(batched)粉末混合物，它在600'C加熱形成部分熔體，然後被注入上述淺的銅盤中，該銅盤適合於標準的3"濺射槍。候選的含Sr^無機材料202都進行"鈣斑貼"測試，以確定它們能否很好地抑制氧和水分滲入器件200中。具體而言，在85。C和85%相對溼度環境中進行鈣斑貼測試1000小時，以確定該含Sr^無機材料202是否適合用作用於密封器件200的氣密性防滲透層(如0LED顯示器200應能在正常的環境條件下工作至少5年)。關於如何設置和實施鈣斑貼測試以分析不同含Sn2+無機材料202的詳細討論將在下文結合圖4進行。參見圖4，提供該圖幫助解釋幾種鈣斑貼試驗的設置和操作，其中實施所述試驗以分析由本發明幾種不同的含Sn2+無機材料製成的薄膜防滲透層的性能。鈣斑貼測試涉及使用烘箱402(如85匸/85%加速老化室/烘箱402)，該烘箱含有測試器件200，該器件包括沉積的含Sn"無機材料202、兩層內層204(Al和Ca)以及基底206(康寧公司的1737玻璃基底)。在此實驗中，把四個由不同含Sn2+無機材料202包封的器件200放置在烘箱402中，並在固定溫度85"C和85%的相對溼度("85/85測試")進行環境老化。在各測試器件200中，Ca層204最初是高度反射的金屬鏡。如果水和氧滲入含Sn"無機材料202的頂部包封層，則金屬Ca204將發生反應，並變成不透明的白色薄片外殼，這用光學測量值對其進行定量，以評估包封的器件200理論上可在環境條件下工作的時間(見圖5A—5F)。如下文所述對4種包封了四種不同類型的Sn2+無機材料202的器件200進行鈣斑貼測試(注意也對包塗了Sn02的器件進行鈣斑貼測試，該Sn02是含Sn"的無機材料)。首先，將100nm的Ca膜204蒸發到玻璃(康寧公司的編號為1737的玻璃)基底206上。接著，將150nm的Al層204蒸發到該Ca膜204上。使用該A1層204來模擬陰極條件，該陰極通常用來產生內部(in-house)高分子發光二極體(PLED)。使用"雙船"(dualboat)定製的Cressington蒸發器，在Ca和Al蒸發沉積步驟中將1737玻璃基底206維持在13(TC和大約10—6T0rr。冷卻到室溫後，解除真空，取出鈣斑貼片，並放在真空乾燥器中運輸到RF濺射系統，然後過夜抽真空至lO,orr。然後在相對溫和的RF粉末沉積條件下(30W正向RF功率/lW反射RF功率)和低氬氣壓力(19sccm)下使用ONYX-3濺射槍將測試的含Sn2+無機材料202濺射到Al和Ca層204上(見圖1中的步驟102)。濺射3—6小時，獲得2—3nm的膜厚度(室壓力10—3Torr)。沉積速率估計為l-5A/秒。應注意的是，含Sn2+的無機材料202可根據所選的沉積條件製成所需要的厚度。沉積後，在不同溫度(如90-14(TC)下熱處理所產生的三個器件200，然後將其轉移到固定在真空環境中的加熱塊上，用於固化濺射的含Sn"無機材料202(見圖1的步驟104)。但是，所產生的一個器件200(其被100%SnO包封)不用加熱塊的電阻加熱進行單獨加熱，但它在濺射步驟過程中確實達到了室溫(注意在這種情況下不進行熱處理步驟104，但在濺射步驟102過程中仍產生了少量的熱)。接著，解除真空，然後將熱處理器件200和未進行熱處理的SnO器件200都置於烘箱402中並維持在85。C和85%相對溼度的條件下。在此期間，以固定的時間間隔拍攝圖片，這些圖片之後用來定量水蒸氣和氧轉移過測試器件200的薄膜防滲透層202(如果有的話)的相對速率(見圖5A—5F)(注意關於鈣斑貼測試以及如何將測量的滲透速率轉換成指示器件在正常環境條件下的理論工作壽命的時間的詳細描述，請參見前述美國專利申請系列號11/207691)。參見圖5A—5C，它們分別闡述了未退火的Sn0包塗的器件200a、退火的Sn0包塗的器件200b和退火的Sn02包塗的器件200c(注意此器件不是本發明的一部分，因為Sn02是含Sn"的無機材料)的照片。測試的器件200a、200b和200c通過由Sn0和Sn02壓制粉末靶濺射沉積的Sn0或Sn(^薄膜製得。這些照片表明，在85°〇/85%加速老化室402中，Sn0包塗的器件200a和200b具有氣密性性能，而Sn02包塗的器件200c則不具有氣密性性能。未退火的Sn0包塗的器件200a未被加熱，但濺射沉積步驟102過程中它所粘附的基底的溫度則從最初的6"C的基底溫度開始浮動，到最高到15'C。因此，未退火的SnO包塗的器件200a的局部溫度保守估計將不超過4(TC，它在85卩/85%加速老化室402中仍能存在1000小時以上。退火的Sn0包塗的器件200b在真空中在140'C加熱2小時，它在85'C/85X加速老化室402中仍能存在1000小時以上。此外，退火的Sn02包塗的器件200c在14(TC加熱2小時，但是其照片顯示，儘管使用了與退火的Sn0包塗的器件200b(存在超過1000小時)相同的退火條件，但在不到50小時時間內該防滲透層就出現了損壞。這些結果表明，在含Sn無機材料202中使用二價錫(Sn2+)的重要性。此外，退火的Sn02包塗的器件200c發生了明顯的分層(見到大而清晰的環)，而Sn0包塗的器件200a和200b都沒有發生，這也是Sn02包塗的鈣斑貼片200c缺少持久性的另一指示。參見圖5D—5E，它們分別顯示了第一退火的Sn0/P20s包塗的器件200d、第二退火的SnO/PA包塗的器件200e和退火的SnO/BP04包塗的器件200f的照片。第一退火的Sn0/P20s包塗的器件200d使用80XSn0+20XP205濺射沉積壓制的粉末靶製備，並在14(TC燒結2小時，從圖中可以看出，它在85°C/85%加速老化室402中放置1000小時後仍具有氣密性性能(見表1和圖5D)。第二退火的Sn0/PA包塗的器件200e用80XSn0+20XP205濺射沉積熔融靶製得，並在90。C燒結2小時，從圖中可以看出，它在85°。/85%加速老化室402中放置1000小時後仍具有氣密性性能(見表1和圖5E)。然而，退火的SnO/BP04包塗的器件200e用90XSnO+10XBP04濺射沉積壓制粉末靶製備，並在140°C燒結2小時，從圖中可以看出，它在85"/85%加速老化室402中放置1000小時後仍具有氣密性性能(見表1和圖5F)。這些結果表明，使用本發明的含Sn"無機材料202包塗的器件200具有成功的氣密性性能。l丐斑貼測試已成為業界表徵水蒸氣和氧轉移通過器件的預期防滲透層的相對速率的標準篩選工具。需要這種類型的高敏感性檢測法是因為極低量的溼氣和氧會破壞0LED器件200。此外，使用鈣斑貼測試來測試防滲透層對溼氣和氧的不透過性的重要性在於最近授權的專利，如美國專利6720097B2，稱讚了它們的防滲透塗層的優點。但是，所宣稱的這些氣密性性能都基於採用市售系統如MOCON設備(PE體ATRAN和OXYTRAN系統)所獲得的測量值，這些系統的敏感性不足以支持他們的特定防滲透層所宣稱的氣密性性能，尤其是當將這些防滲透層用於OLED器件時。具體而言，周知OLED防滲透層對溼氣的防滲透性能需要為〈10—6gm水/m7天，這一值遠低於MOCONTM的最小檢測範圍5X10—3g/m2/天(在25-38°C)。這一特定事實圖示在圖6中，並在下述文獻中討論Crawford,G.P.編輯，柔性平板器件(屍2exiiWe屍ht屍s"e7"ew'ces^，2005，WileyPublishingLtd;Graff,G.L.等，柔性平板器件的防滲透層技術(化m'erLs/er7"ec/wciJc^jr/br屍2e;f7'/^ePeK_z'ce&_zV/^e義iZ7e屍Jat屍a"eJ"eK/cesJ，G.P.Crawford編輯，2005，JohnWiley&SonsLtd:Chichester;Burrows,P.E.等，"對聚合物基防滲透塗層的氣體滲透和壽命測試"(GasPermeationandLifetimeTestsonPolymer-BasedBarrierCoatings)，在SPIE年會上，2000，SPIE。本領域技術人員從以上描述應能容易地理解，本發明使用沉積的含Sn2+無機材料202(如氧化亞錫)在器件200上形成氣密性防滲透層。可使用的含Sn2+無機材料202包括但不限於(a)SnO;(b)SnO+硼酸鹽材料；(c)SnO+磷酸鹽材料；和/或(d)SnO+硼磷酸鹽材料。如果需要，可將多層相同或不同類型的含Sn"無機材料202沉積到器件200的上面。如上所討論的，含Sn2+的無機材料202特別適用於抑制氧和/或溼氣劣化(這是各種器件200中的一個常見問題，所述器件包括電子器件、食品和藥品容器)。此外，可使用該含Sn2+無機材料202來減少例如由於化學活性滲透物導致的光化學、水解和氧化損壞。使用所述含Sn"無機材料202的其它一些優點和特徵如下所述A.含S,的無機材料202可用於製備滿足OLED長時間工作所需的最嚴格的不透過性要求(〈10—6gm水/m7天)的氣密性薄膜(2,)防滲透層，且可被快速濺射沉積和退火到器件上(或基底材料上)，且在一些情況下可在非常低的溫度(<40°C)下進行。器件200包括但不限於a.有機電子器件有機發光二極體(OLED)有機光電器件(OPV)，含有或不含有催化劑的有機傳感器用於柔性平板器件的柔軟基底無線射頻識別標籤(RFID)b.半導體電子器件發光二極體(LED)光電器件(PV)，含有或不含有催化劑r有機傳感器用於柔性平板器件的柔軟基底無線射頻識別標籤(RFID)基底材料包括但不限於a.高分子材料用於柔性平板器件的柔軟基底食物包裝藥品包裝B.使用含Sn"無機材料202密封有機電子器件200在進行固化/熱處理時不需要在裝有剛沉積的塗層的室內引入氧氣或空氣。不需要外來氧化源來實施密封事件(尤其可在低溫下實施(<40°C))的事實使得這種密封技術對於有機電子器件的製造而言非常具有吸引力。這是非常真實的，因為已知氧和溼氣是與不利地影響有機電子器件(如0LED)內的沉積的有機層和/或陰極材料的氧化還原作用和光致漂白降解反應相關的主要降解反應物。C.可採用濺射沉積、蒸發、和其它薄膜沉積方法來將含Sn2+無機薄膜沉積到器件200上。例如，在含氧環境中以非常高的速度將金屬錫蒸發到在滾動的基底(如塑料基底)上，可以高速沉積含Sn2+無機氧化物膜202。或者，可在含氧環境中反應性DC濺射金屬錫，可以在器件200上高速沉積含Sn2+無機氧化物膜。事實上，許多不同的薄膜沉積技術可用於將含Sn2+無機氧化物膜沉積到器件200上。D.含Sn"無機材料202(例如SnO粉末)可與不同的粉末/摻雜劑拌合，產生用於在器件200上沉積防滲透層中獲得特定理化性質的組合物。下文是可與含Sr^無機材料202混合以在沉積的防滲透層中獲得所需的理化性質的一些示例性摻雜劑a.光學透明性SnO在可見光波長範圍內是不透明的，但它可摻雜有諸如磷酸鹽之類的組分，以產生透明的膜；b.折射率可使用摻雜物如PA、BP04和PbF2來改變膜的折射率，以幫助優化器件200的光透射性和/或光吸收性(lightextraction)等。例如，當用折射率匹配的氧化物材料替換氣隙時，具有頂部發射的OLED器件200可被優化。c.熱膨脹係數(CTE):可使用摻雜物如SnF2、P205和PbF2來改變膜的CTE，以幫助將通常與"CTE錯配"問題相關的不同形式的分層減到最小。d.敏化作用可加入無機發光材料、量子點(quantumdot)、無機/有機染料和分子來產生可用於器件優化的所需電光特性。例如，可使用摻雜物如炭黑來改變薄的防滲透塗層的電光特性(費米能級/電阻率)，以改善器件效率(注意如果費米能級能發生實質性轉換，則這可能允許人們以類似於典型的銦-錫-氧化物(ITO)系統的方式改變該防滲透膜的導電性)。e.改變溶解度和界面可溼性以利於更好地粘附用諸如SnF2之類的材料摻雜該含Sr^無機材料202允許人們改變具有有機添加劑的沉積的防滲透膜的可混合性。事實上，可基於粘附的目的進一步開拓這一概念，以改變沉積的氧化物表面的可溼性。f.刮擦抗性可使用摻雜物如Sn0、SnF2和PbF2來產生各種器件200所需的硬度。E.形成圖案的能力濺射沉積或其它薄膜沉積方法允許將用來生產具有介電特性的微結構的各種形成圖案技術如網板掩蔽等優化器件的操作(如，有機薄膜電晶體(TFT)器件200可具有形成於其上的絕緣柵，以產生良好的電壓閾值)。雖然已在附圖以及前述詳細描述部分闡述了本發明的幾個實施方式，但是應理解，本發明並不受限於所公開的這些實施方式。在不偏離本發明權利要求所限定的本發明的精神的情況下，可做出各種重新組合、修改和替換。權利要求1.一種抑制氧和溼氣滲透入器件的方法，該方法包括將含Sn2+的無機材料沉積到所述器件的至少一部分上；和熱處理沉積在所述器件的至少一部分上的所述含Sn2+無機材料。2.如權利要求l所述的方法，其特徵在於，所述沉積步驟包括利用選自以下方法中的一種方法或其組合濺射方法；反應性濺射方法；菸灰槍噴霧法；和雷射消融法。3.如權利要求1或2所述的方法，其特徵在於，所述熱處理步驟在〈20(TC的溫度下進行。4.如權利要求1或2所述的方法，其特徵在於，所述熱處理步驟在〈10(TC的溫度下進行。5.如權利要求1或2所述的方法，其特徵在於，所述熱處理步驟在〈4(TC的溫度下進行。6.如前述任一項權利要求所述的方法，其特徵在於，所述含Sn2+無機材料包括氧化亞錫。7.如權利要求1一5中任一項所述的方法，其特徵在於，所述含Sn2+無機材料是下述材料的一種或其任意組合SnO;SnO和硼酸鹽材料；SnO和磷酸鹽材料；SnO和硼磷酸鹽材料。8.如前述任一項權利要求所述的方法，其特徵在於，所述熱處理後的含5112+無機材料的氧透過性低於0.01cc/m7atm/天，水透過性低於0.01g/m7天。9.一種器件，其特徵在於，該器件的至少一部分經含Sn2+無機材料密封。10.如權利要求9所述的器件，其特徵在於，所述含Sn"無機材料包括氧化亞錫。11.如權利要求9或10所述的器件，其特徵在於，所述含Sn2+無機材料是下述材料中的一種SnO;SnO+P205;禾口SnO+BP04。12.如權利要求9一11中任一項所述的器件，其特徵在於，所述含Sn2+無機材料在〈100。C、較佳〈40。C的溫度下進行熱處理。13.如權利要求9一12中任一項所述的器件，其特徵在於，它是包括如下部件的有機電子器件基底板；至少一個有機電子層或有機光電子層；和含Sn2+無機材料，其中所述至少一種電子層或光電子層被氣密性密封在所述含Sn2+無機材料和所述基底板之間。14.如權利要求13所述的器件，其特徵在於，該器件包括基底板；至少一個有機發光二極體；和濺射的和未進行熱處理的Sn0膜，其中，所述至少一個有機發光二極體被氣密性密封在所述濺射的、未進行熱處理的SnO膜和所述基底板之間。15.如權利要求14所述的器件，其特徵在於，所述濺射的、未進行熱處理的SnO膜的氧透過性低於0.01cc/ra7atm/天，水透過性低於0.01g/m7天。全文摘要本文描述了一種抑制氧和溼氣劣化器件(如OLED器件)的方法及由該方法製得的器件。為了抑制氧和溼氣劣化器件，使用含Sn2+無機材料在該器件上形成防滲透層。該含Sn2+無機材料可以是例如SnO、混合的SnO和P2O5粉末，以及混合的SnO和BPO4粉末。文檔編號H01L51/05GK101256970SQ200810081549公開日2008年9月3日申請日期2008年2月28日優先權日2007年2月28日發明者B·G·艾特肯,M·A·奎薩達申請人:康寧股份有限公司