一種靶室片庫充氮裝置的製作方法
2023-09-22 17:53:10
專利名稱：一種靶室片庫充氮裝置的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種靶室充氮裝置，特別地涉及離子注入機，屬於半導體器件製造領域。
背景技術：
在半導體生產工藝的晶片注入過程中，晶片的表面及體內均會增加一些其他粒子，這些粒子的汙染能使器件閥電壓降低、速度下降、成品率下降，而嚴重汙染的晶片甚至無法製成器件，在粒子汙染當中，表層粒子的產生是由於低能離子、低速中性原子對晶片的碰撞及粘附，體內微粒的產生原因是高能離子和高速中性原子對晶片的摻雜。
在半導體製造工藝中，每一批晶片注入後，靶室片庫的充氮系統就會往片庫中送入氮氣，而氮氣是中性原子，屬於低能粒子，在充氣過程中如果正對著晶片的話，這些低能粒子就會沾附在晶片的表面或較淺的位置，從而帶來粒子汙染，降低晶片及器件性能。因而研發一種能夠減少晶片充氮過程中低能粒子汙染的充氮裝置是必要的。
發明內容
本實用新型是針對靶室片庫在充氮過程中低能中性粒子對晶片的汙染，而提出的一種可以降低晶片汙染的靶室片庫充氮裝置。
本實用新型通過以下技術方案實現一種靶室片庫充氮裝置，包括一小法蘭、一光滑放氣板、一粗糙放氣板、三個連接螺柱、一大法蘭、一O型圈，所述的光滑放氣板與大法蘭通過連接螺柱連接；所述的粗糙放氣板固定在小法蘭上，中間設置有O型圈；所述的小法蘭和大法蘭連接；所述的大法蘭固定在片庫上。
所述的粗糙放氣板的表面粗糙度大於12.5μm。
本實用新型的顯著優點為該裝置能夠使氮氣在充入靶室片庫的過程中，不對晶片正面方向，而從晶片四周緩慢地流入，過濾工業氮氣中顆粒比較大的微粒，避免了晶片在充氮的過程中低能粒子的汙染。
圖1為本實用新型一種靶室片庫充氮裝置的結構圖。
具體實施方式
以下結合附圖和具體實施例對本實用新型作進一步的詳細介紹，但不作為對本實用新型的限定。
參考圖1，一種靶室片庫充氮裝置，其包括一小法蘭2、一光滑放氣板3、一粗糙放氣板4、三個連接螺柱5、一大法蘭6、一O型圈7。其中光滑放氣板3與大法蘭6通過連接螺柱5連接，粗糙放氣板4固定在小法蘭2上，中間安裝有O型圈7，小法蘭2和大法蘭6連接，大法蘭6通過掛鈎螺釘固定在片庫1上。片庫1選用鍛鋁材料、小法蘭2選用硬鋁材料、光滑放氣板3選用不鏽鋼材料、粗糙放氣板4選用不鏽鋼材料、連接螺柱5選用不鏽鋼材料、大法蘭6選用不鏽鋼材料。
當靶室片庫1通過氣體入口8充氮時，光滑放氣板3起到阻擋氣流的作用，使氮氣平穩的向四周流動，粗糙放氣板4表面粗糙度選為12.5，類似磨沙結構，它與小法蘭2之間設置一個O型圈7，氮氣流通過光滑放氣板3從四周向下流動到達粗糙放氣板4，經由粗糙放氣板4與O型圈7之間的空隙沿著粗糙放氣板4的圓周充入靶室片庫1。這種結構，不僅有效地阻止了氮氣從上往下直接衝擊晶片，而且粗糙放氣板4的結構也阻止了氮氣中大顆粒雜質的進入，從而避免了低能粒子對晶片的汙染。
本實用新型的特定實施例已對本實用新型的內容做了詳盡說明。對本領域一般技術人員而言，在不背離本實用新型精神的前提下對它所做的任何顯而易見的改動，都構成對本實用新型專利的侵犯，將承擔相應的法律責任。
權利要求1.一種靶室片庫充氮裝置，其包括一小法蘭、一光滑放氣板、一粗糙放氣板、三個連接螺柱、一大法蘭、一O型圈，其特徵在於所述的光滑放氣板與大法蘭通過連接螺柱連接；所述的粗糙放氣板固定在小法蘭上，中間設置有O型圈；所述的小法蘭和大法蘭連接；所述的大法蘭固定在片庫上。
2.如權利要求1所述的一種靶室片庫充氮裝置，其特徵在於所述的粗糙放氣板的表面粗糙度大於12.5μm。
專利摘要本實用新型公開了一種靶室片庫充氮裝置，其包括一小法蘭、一光滑放氣板、一粗糙放氣板、三個連接螺柱、一大法蘭、一O型圈，其中光滑放氣板與大法蘭通過連接螺柱連接，粗糙放氣板固定在小法蘭上，中間設置有O型圈，小法蘭和大法蘭連接，大法蘭通過掛鈎螺釘固定在片庫上。本實用新型能夠使氮氣在充入靶室片庫的過程中，不對晶片正面方向，而從晶片四周緩慢地流入，過濾工業氮氣中顆粒比較大的微粒，避免了晶片在充氮的過程中低能粒子的汙染。
文檔編號H01J37/317GK2788351SQ20052001708
公開日2006年6月14日 申請日期2005年4月22日 優先權日2005年4月22日
發明者郭建輝, 易文杰, 許波濤, 彭立波, 唐景庭 申請人:北京中科信電子裝備有限公司