衛生洗淨裝置的製作方法
2023-09-27 05:46:10 2
專利名稱：衛生洗淨裝置的製作方法
技術領域：
本發明的形態通常涉及一種衝廁裝置。
背景技術：
用洗淨水洗淨大便器或小便器的盆面之後，當殘留在盆面的殘水蒸發而盆面乾燥時，會存在水垢附著在盆面上的情況。當水垢附著在盆面上時，盆面則會髒汙。而且，由於水垢牢固地附著在盆面上，所以除掉水垢比較困難。因此，需要抑制水垢生成的技術或者即使在水垢附著在盆面的情況下也能夠容易地除去該水垢的技術。並且，矽酸成分的水垢比鈣成分、鎂成分等的水垢更牢固地粘著在便器的瓷釉層表面。因此，人們渴望能夠容易地除去矽酸成分的水垢的技術。這裡存在一種預先將成為水垢成分的鈣離子或鎂離子等除去的衛生洗淨裝置(專利文獻I)。但是，專利文獻I記載的衛生洗淨裝置存在裝置規模變大的問題。另外還存在一種殺菌性上水供給式洗淨用住宅設備機器(專利文獻2)，其生成具有pH為4 6的氫離子濃度的殺菌性上水，並將殺菌性上水向被洗淨物體供給。另外，還存在一種水洗式大便器(專利文獻3)，在執行洗淨操作並經過規定時間後向盆部吐出功能水。但是，在專利文獻2及專利文獻3中沒有關於矽酸成分的水垢的記載，在抑制水垢生成方面或者在容易地除去水垢方面還有改善的餘地。
專利文獻1:日本國特開2004-270185號公報專利文獻2:日本國特開平7-136660號公報專利文獻3:日本國特開2004-92278號公報
發明內容
本發明是基於這樣的課題認識而進行的，目的在於提供一種可抑制水垢生成或者可以容易地除去水垢的衝廁裝置。第I個發明是一種衝廁裝置，其特徵在於，具備:洗淨單元，洗淨便器的盆的表面；供水單元，向所述洗淨單元供給洗淨水；矽酸成分聚合抑制單元，向殘留在所述盆的表面的洗淨水中添加矽酸成分聚合抑制劑，抑制在所述盆的洗淨後殘留在所述盆表面的洗淨水中的矽酸成分聚合；及控制部，執行以下控制，在所述盆的表面乾燥之前開始所述矽酸成分聚合抑制單元的動作。牢固地附著在盆表面的水垢是通過殘留在盆表面的殘水中的矽酸成分聚合而形成的。根據本發明，在盆的表面乾燥之前，能夠向殘留在盆表面的洗淨水中添加矽酸成分聚合抑制劑。由此，能夠抑制矽酸成分聚合，能夠抑制水垢生成。而且，由此，通過簡單的清掃便能夠剝離(除去)水垢。另外，第2個發明的衝廁裝置的特徵在於，在第I個發明中，所述矽酸成分聚合抑制劑為酸性水。根據此衝廁裝置，能夠抑制殘水中的矽酸成分的聚合反應進行。即，在矽酸不聚合的狀態下，當殘水蒸發而盆表面乾燥時，在中性區域則產生咖啡環現象。在該過程中會進行矽酸的聚合反應。另一方面，在酸性區域不產生咖啡環現象。於是，形成溶劑向中央方向流動且矽酸不聚合的狀態。由此，能夠抑制殘水中的矽酸成分的聚合反應進行，能夠抑制水垢生成。而且，能夠容易地除去所生成的水垢。另外，第3個發明的衝廁裝置的特徵在於，在第2個發明中，所述酸性水含有金屬離子。根據此衝廁裝置，當金屬離子被添加在酸性水中後，則在所生成的水垢中存在於矽酸(SiO2)分子之間。而且，當因洗淨等而供給水時，金屬離子則被析出。於是使矽酸凝聚物更加脆化，從而可容易地除去水垢。另外，第4個發明的衝廁裝置的特徵在於，在第2或第3個發明中，所述酸性水的酸性度為PH2.5 5.0。根據此衝廁裝置，由於酸性水的酸性度為pH2.5 5.0，所以通過電解水的電解槽可以生成酸性水。因此，不需要進行例如藥劑補充等維護。而且，酸性度為PH2.5 5.0的酸性水可以將殘留在盆表面的殘水的酸性度調整為例如約PH2.5 5.0左右。另外，第5個發明的衝廁裝置的特徵在於，在第I至第4的任意一項發明中，在所述盆的表面形成有光觸媒層。根據此衝廁裝置，由於在盆的表面形成有光觸媒層，所以當向盆表面照射紫外線時，光觸媒被激發從而發生氧·化還原反應。其結果，能夠得到分解雜菌、細菌、臭味物質等有機物的分解作用以及使表面容易被水潤溼的親水作用。由於形成有光觸媒層的盆可抑制汙物附著或可分解汙物，並且可以容易地除去附著的水垢，所以能夠減輕清掃便器的負擔，可保持乾淨的便器。而且，由於通過向殘留在盆表面的洗淨水中添加矽酸成分聚合抑制劑能夠容易地除去水垢，所以能夠抑制出現紫外線照射不到水垢下的光觸媒層的情況。由此，能夠抑制光觸媒的活性降低。根據本發明的形態，提供一種可抑制水垢生成或者可以容易地除去水垢的衝廁裝置。
圖1是表示本發明的實施方式涉及的衝廁裝置的剖視模式圖。圖2是例示本實施方式涉及的衝廁裝置洗淨動作的一個例子的圖表。圖3是表示本實施方式涉及的衝廁裝置的要部構成的框圖。圖4是例示本實施方式的電解槽及金屬離子水生成部的剖視模式圖。圖5是例示本實施方式涉及的衝廁裝置的動作的具體例的時間圖。圖6是例示本實施方式涉及的衝廁裝置的動作的變形例的時間圖。圖7是例示本實施方式涉及的衝廁裝置的動作的其他變形例的時間圖。圖8是表示自來水及酸性電解水的水質分析結果的表。圖9是例示本實驗中水垢除去性的一例評價結果的表。圖10是例示本實驗中水垢除去性的一例評價結果的表。圖11是例示本實驗中水垢除去性的一例評價結果的表。圖12是例示本實驗中水垢除去性的一例評價結果的表。
圖13是在是否有紫外線照射的條件下形成的水垢生成的比較表。圖14是用於說明本實驗條件的模式圖。圖15是用於說明本實驗條件的模式圖。符號說明10-衝廁裝置；23_主流路；25_第I流路；27_第2流路；100_衛生洗淨裝置；200-便座;300_便蓋；400-外殼;401_供水單元;411_控制部;413_閥；415_換熱器單元；417_第I流路切換閥；420-電解槽；424-陽極板；425_陰極板；431_第2流路切換閥；432_噴霧用泵；433_真空調節閥；435-電磁泵；437_流量調節閥；439_臀部洗淨噴嘴；440-金屬離子水生成部；441_水箱；443_鋁；451_入室感應傳感器；453_人體感應傳感器；455-座式感應傳感器；457_便蓋開閉感應傳感器；481-噴霧噴嘴；483_UV光源；501_水源；503_控制部；505-閥；507_洗淨用吐水口 ；509_洗淨水；511_瓷磚；511a_第I瓷磚；511b-第2瓷磚；513-UV光源;800_便器;801_盆；803-彎管;805_積水;811_盆供水口 ；813-彎管供水口。
具體實施例方式下面，參照附圖，對本發明的實施方式進行說明。另外，對各附圖中相同的構成要素標註相同的符號，適當省略詳細說明。圖1是表示本發明的實施方式涉及的衝廁裝置的剖視模式圖。圖2是例示本實施方式涉及的衝廁裝置洗淨動作的一個例子的圖表。圖1所示的衝廁裝置10具有設置在西式座便器(以下為了便於說明，僅稱為「便器」)800上的衛生洗淨裝置100。便器800具有盆801。便器800上設有洗淨盆801表面的洗淨單元。而且，便器800上還設有彎管803、盆供水口 811和彎管供水口 813。衛生洗淨裝置100具有外殼400、便座200和便蓋300。便座200和便蓋300開閉自如地分別被轉軸支撐在外殼400上。另外， 便蓋300並非一定要設置。外殼400的內部設有供給洗淨水的洗淨水供給裝置(供水單元)401。而且，例如在外殼400的下部，設有向便器800的盆801的表面進行上水或矽酸成分聚合抑制劑等的噴霧的噴霧噴嘴(噴霧部)481以及向盆801照射紫外線(UV ultraviolet)的UV光源483。噴霧噴嘴481及UV光源483既可以設置在外殼400的內部，也可以附設在外殼400的外部。另外，在本申請說明書中提到「水」時，不僅指冷水，也包括加熱後的熱水。而且，後面將對矽酸成分聚合抑制劑進行詳細說明。如圖2所示，當使用者進行便器洗淨操作或者因使用者從便座200上站起來並經過規定時間從而自動執行便器洗淨時，從盆供水口 811向盆801供給的洗淨水的瞬間流量增加。例如，盆供水口 811沿著盆801的上緣吐出洗淨水(內緣吐水)。接下來，當經過規定時間時，從盆供水口 811吐出的洗淨水的瞬間流量減少，但是從彎管供水口 813向彎管803供給的洗淨水的瞬間流量增加。例如，彎管供水口 813向彎管803吐出洗淨水(噴射吐水)。通過這樣的內緣吐水及噴射吐水，向盆801吐出的洗淨水在進行盆801的洗淨的同時充滿彎管803。由此產生虹吸。而且，向彎管803吐出的洗淨水將積水805中的汙物等經過彎管803向外排出。接下來，當經過規定時間時，從彎管供水口 813向彎管803供給的洗淨水的瞬間流量減少，但是從盆供水口 811向盆801供給的洗淨水的瞬間流量增加。由此確保了積水805。另外，前述的洗淨動作是本實施方式涉及的衝廁裝置的洗淨動作的一個例子，並不局限於此。在此，當前述的洗淨動作結束後殘留在盆801上的殘水蒸發而盆801的表面乾燥時，有時水垢則附著在盆801上。通常，在殘水中的水分蒸發的過程中，當矽酸濃度增加時則促進矽酸聚合。由此，產生咖啡環現象(由於液滴中的溶劑蒸發而溶質向液滴外圍流動且以環狀沉積的現象)，形成牢固的水垢。當水垢附著在盆801上時，盆801則會髒汙。而且，由於水垢牢固地附著在盆801上，所以除掉水垢比較困難。對此，本實施方式涉及的衝廁裝置10具備矽酸成分聚合抑制單元，其在盆801的表面乾燥之前將矽酸成分聚合抑制劑向盆801的表面進行噴霧。矽酸成分聚合抑制劑例如是含有金屬離子的酸性度高的水溶液(酸性水)。也就是說，本實施方式涉及的衝廁裝置10將殘留在盆801上的殘水置換為含有金屬離子的酸性度高的水溶液。或者，本實施方式涉及的衝廁裝置10向殘留在盆801上的殘水中添加酸性度高的水溶液或含有金屬離子的酸性度高的水溶液。由此，能夠抑制矽酸聚合，能夠抑制水垢生成。而且，能夠容易地除去所生成的水垢。得到上述效果的理由如下所述。但這是根據本發明者們得出的見解所做的假定或假設，本實施方式並不局限於此。使殘水中的酸性度高時則能夠抑制殘水中的矽酸成分的聚合反應進行。於是，在水分蒸發的過程中即使溶質濃度增加也未產生咖啡環現象，而觀察到溶劑向中央方向流動的現象。而且，確認到所生成的水垢與基材的緊貼力小，容易將水垢剝離。另外，水垢的生成得到抑制並且能容易地除去所生成的水垢這一效果除了針對矽酸成分的水垢以外，針對鈣離子成分或鎂離子成分的水垢也能得到同樣的效果。酸性水的酸性度例如·約為pH2.5 5.0左右。如果是具有該範圍的酸性度的酸性水，那麼通過電解水的電解槽(例如參照圖3)則能夠生成酸性水。因此，不需要進行例如藥劑補充等維護。而且，酸性度約為PH2.5 5.0左右的含有金屬離子的酸性水可以將殘水的酸性度調整為例如約PH2.5 5.0 (優選pH2.0 5.0)左右。另外，作為酸性度，能夠在PH1.5 5.5的範圍調整即可。由此，矽酸的聚合得到抑制，其結果，能夠抑制水垢生成，並且還能夠容易地除去所生成的水垢。在高酸性度水中溶解的SiO2由於主要以像單體或二聚體那樣的低聚合度的狀態存在，因此可以認為即使水分蒸發也能夠抑制其聚合。另一方面，在酸性度小於pHl.5的水溶液以及酸性度大於pH5.5的水溶液中，單體或二聚體的存在率低。也就是說，可以認為矽酸已實現高分子化。另外，在酸性水中添加金屬離子時，酸性水所含有的金屬離子例如是鋁離子(Al3+)、銅離子(Cu2+)等。這樣的金屬離子被添加在酸性水中後，則在所生成的水垢中存在於矽酸(SiO2)分子之間。而且，當因洗淨等而供給水時，金屬離子則被析出。於是，可以認為可使矽酸凝聚物更加脆化，從而能夠容易地除去水垢。金屬離子的添加量定為對殘水添加0.1ppm左右,優選1.0 5.0ppm左右。下面，參照附圖，進一步對本實施方式涉及的衝廁裝置10進行說明。圖3是表示本實施方式涉及的衝廁裝置的要部構成的框圖。圖4是例示本實施方式的電解槽及金屬離子水生成部的剖視模式圖。另外，圖3同時表示水路系統和電氣系統的要部構成。圖4 (a)例示本實施方式的電解槽。圖4 (b)例示本實施方式的金屬離子水生成部。如圖3所示，本實施方式涉及的衝廁裝置10所具備的衛生洗淨裝置100具有主流路23，其將從供水單元401供給來的水導向臀部洗淨噴嘴439、噴霧噴嘴481。在主流路23的上遊側，設置有閥413及換熱器單元415。閥413是可開閉的電磁閥，根據來自設置在外殼400內部的控制部411的指令進行供水控制。換熱器單元415具有未圖示的溫水加熱器，對供給來的水進行加熱使其為規定的溫水。在閥413及換熱器單元415的下遊設有第I流路切換閥417。第I流路切換閥417進行向臀部洗淨噴嘴439、噴霧噴嘴481供水的開閉或切換。主流路23通過第I流路切換閥417而分支為第I流路25和第2流路27，其中，第I流路25將洗淨水等導向臀部洗淨噴嘴439，第2流路27將洗淨水、矽酸成分聚合抑制劑等導向噴霧噴嘴481。在第2流路27的上遊側設置有電解槽(矽酸成分聚合抑制單元)420。電解槽420可生成酸性水及鹼性水。在此，參照附圖進一步對電解槽420進行說明。如圖4(a)所示，本實施方式的電解槽420在其內部具有陽極板424及陰極板425，通過由控制部411控制通電，能夠電解流過陽極板424與陰極板425之間的空間(流路)的自來水。此時，在陰極板425上消耗酸(H+)，在陰極板425附近pH上升。S卩，在陰極板425附近生成鹼性水。另一方面，在陽極板424上消耗鹼(0H_)，在陽極板424附近pH下降。即，在陽極板424附近生成酸性水。返回圖3進行說明，電解槽420中生成的酸性水及鹼性水分別被用相互不同的流路導向設置在電解槽420 下遊的第2流路切換閥431。第2流路切換閥431將從電解槽420供給來的酸性水導向設置在第2流路切換閥431下遊的金屬離子水生成部(矽酸成分聚合抑制單元)440。另一方面，第2流路切換閥431將從電解槽420供給來的鹼性水作為排水使其流向下水。或者，第2流路切換閥431也可以是在不妨礙本實施方式的水垢抑制效果的範圍內使從電解槽420供給來的鹼性水流向便器800。另外，作為矽酸成分聚合抑制劑，在只使用酸性水的情況(使用不含金屬離子的酸性水的情況)下，去除後述的金屬(鋁)即可。為了在電解槽420中抑制碳酸鈣等的水垢生成，控制部511有時使極性反轉(polechange (PC))，以轉換陽極板424及陰極板425。於是，在未設第2流路切換閥431的情況下，分別引導酸性水及鹼性水的流路互相替換，鹼性水被導向金屬離子水生成部。因此，在電解槽420中已進行極性反轉的情況下，第2流路切換閥431具有切換流路而將酸性水導向金屬離子水生成部的功能。在此，參照附圖對金屬離子水生成部440進行說明。在本實施方式中，以在金屬離子水生成部440溶解的金屬離子為鋁離子(Al3+)的情況為例進行說明。如圖4 (b)所示，本實施方式的金屬離子水生成部440具有水箱441和設置在水箱441內的鋁443。從電解槽420通過第2流路切換閥431供給的酸性水貯存在水箱441內。而且，設置在水箱441內的鋁443處於被貯存在水箱441內的酸性水浸潰的狀態。於是，浸潰在酸性水中的鋁443例如約花費一至両個小時進行溶解(緩慢溶解)。由此，水箱441內的酸性水成為含有鋁離子的酸性水。也就是說，在金屬離子水生成部440中生成含有金屬離子(在本實施方式中為Al3+)的酸性度高的水溶液。返回圖3進行說明，金屬離子水生成部440中生成的含有鋁離子的酸性水被噴霧用泵(矽酸成分聚合抑制單元)432吸上來並通過真空調節閥(VB)433導向流量調節閥437。流量調節閥437在調節水勢(流量)的同時將酸性水的供給目的地設定為噴霧噴嘴481，並將該酸性水導向噴霧噴嘴481。噴霧噴嘴481將從流量調節閥437供給來的酸性水向盆801進行噴霧。另一方面，在第I流路切換閥417中被導向第I流路25的洗淨水則通過電磁泵435及流量調節閥437被導向臀部洗淨噴嘴439。而且，洗淨水從設置在臀部洗淨噴嘴439上的未圖示的吐水口朝向坐在便座200上的使用者的「臀部」等進行噴射。另外，如圖3所示，本實施方式的衛生洗淨裝置100具有入室感應傳感器(人體感應傳感器A) 451、人體感應傳感器(人體感應傳感器B) 453、座式感應傳感器455及便蓋開閉感應傳感器457。入室感應傳感器451能夠檢測打開衛生間的門剛剛入室後的使用者，還能夠檢測正要進入衛生間而位於門前的使用者。也就是說，入室感應傳感器451不僅能檢測到已進入衛生間的使用者，還能檢測到進入衛生間之前的使用者即位於衛生間外側門前的使用者。作為這樣的入室感應傳感器451，可使用熱電傳感器、都卜勒傳感器等的微波傳感器等。使用利用微波的都卜勒效應的傳感器或使用發射微波並根據反射的微波振幅(強度)而檢測出被檢測體的傳感器等時，可以隔著衛生間的門檢測到使用者的存在。也就是說，能夠檢測到進入衛生間之前的使用者。人體感應傳感器453能夠檢測位於便器800前方的使用者即位於從便座200向前方離開的位置的使用者。也就是說，人體感應傳感器453能夠檢測到進入衛生間後接近便座200的使用者。作為這樣的人體感應 傳感器453，例如可使用紅外線反射式測距傳感器
坐寸ο座式感應傳感器455能夠檢測在使用者快要坐到便座200上之前位於便座200上方的人體或坐在便座200上的使用者。即，座式感應傳感器455不僅能檢測坐在便座200上的使用者，還能檢測位於便座200上方的使用者。作為這樣的座式感應傳感器455，例如可使用紅外線反射式測距傳感器等。便蓋開閉感應傳感器457能夠檢測便蓋300的開閉狀態。作為便蓋開閉感應傳感器457，例如可使用霍爾IC與磁鐵的組合或微動開關等。控制部411能夠根據來自入室感應傳感器451、人體感應傳感器453、座式感應傳感器455或便蓋開閉感應傳感器457等的信號而對電解槽420、噴霧用泵432或流量調節閥437等的動作進行控制。下面，參照附圖，對本實施方式涉及的衝廁裝置10的動作的具體例進行說明。圖5是例示本實施方式涉及的衝廁裝置的動作的具體例的時間圖。首先，在入室感應傳感器(人體感應傳感器A) 451檢測到已進入衛生間的使用者之前，UV光源483定期向盆801照射規定時間的紫外線(時刻tl以前)。這是因為在盆801的表面形成有光觸媒層的情況下為了使光觸媒活性化或者為了保持光觸媒活性。在本申請說明書中，「光觸媒」是指在光的照射下氧化作用及還原作用的至少一種可得到促進的物質。或者，「光觸媒」是指在光的照射下親水性得到提高的物質。
作為「光觸媒」的材料，例如可使用金屬氧化物。作為那樣的氧化物，例如可例舉氧化鈦(TiOx )、氧化鋅(ZnOx )、氧化錫(SnOx )等。其中，尤其是氧化鈦具有優良的光觸媒活性，而且穩定性、安全性等也很優異。光觸媒在紫外線的照射下被激發從而發生氧化還原反應。其結果，能夠得到分解雜菌、細菌、臭味物質等有機物的分解作用以及使表面容易被水潤溼的親水作用。由於形成有光觸媒層的盆801可抑制汙物附著或可分解汙物，並且可以容易地除去附著的水垢，所以能夠減輕清掃便器800的負擔，可保持乾淨的便器800。另外，在本申請說明書中，「紫外線」是指波長比可見光線短且比軟X射線長的光。具體指波長為10納米 400納米的光。接下來，當入室感應傳感器451檢測到已進入衛生間的使用者時，則便蓋300打開，閥413打開，第I流路切換閥417被切換至第2流路27側，第2流路切換閥431被切換至金屬離子水生成部440側(時刻tl)。而且，開始將洗淨水(上水)或酸性水從金屬離子水生成部440的水箱441吸上來的噴霧用泵432的動作(時刻tl)。由此，向盆801的表面進行上水噴霧。如此，在使用者使用便器800之前，能夠通過將盆801的表面潤溼而使附著在盆801表面的汙物減少。另外，如圖5中示出的「電解槽」一欄的虛線所示，在入室感應傳感器451檢測出已進入衛生間的使用者時，也可以是開始向電解槽420通電，生成酸性水(時刻tl)。在此情況下，向盆801的表面進行酸性水(或含有金屬離子的酸性水)噴霧。由此，能夠使附著在盆801表面的汙物或水垢更加減少。接下來，當人體感應傳感器(人體感應傳感器B)453檢測到位於便器800前方的使用者時，則閥413關閉，第I流路切換閥417被切換至第I流路25側，第2流路切換閥431被切換至排水側(時刻t2)。接下來，當座式感應傳感器455檢測到使用者離開便座200(時刻t3)且經過例如約5秒左右時，則開始進行便器洗淨(時刻t5)。便器洗淨的動作例如如關於圖2的前述內容所示。 接下來，當便器洗淨結束(時刻t6)且經過規定時間T時，則閥413打開，第I流路切換閥417被切換至第2流路27側，第2流路切換閥431被切換至金屬離子水生成部440偵儀時刻t7)。而且，開始向電解槽420通電，開始噴霧用泵432的動作(時刻t7)。由此，向盆801的表面進行含有金屬離子的酸性水的噴霧。從便器洗淨結束(時刻t6)至向盆801的表面進行含有金屬離子的酸性水的噴霧(時刻t7)為止的規定時間T是指盆801的表面不乾燥的時間，具體地說例如約為30秒 30分鐘左右。根據本發明者們得到的見解，從便器洗淨結束後約經過30分鐘左右時間的一個例子是表面形成有瓷釉層的便器的盆表面開始乾燥的時間。由此，能夠抑制矽酸聚合併能抑制水垢生成。而且，能夠容易地除去所生成的水垢。如此，在本具體例中，在座式感應傳感器455檢測到使用者離開便座200(時刻t3)且便器洗淨結束(時刻t6)後經過規定時間T時(時刻t7)，向盆801的表面進行含有金屬離子的酸性水的噴霧。由此，能夠避免在使用者坐在便座200上時進行含有金屬離子的酸性水的噴霧從而濺到使用者的臀部。接下來，當人體感應傳感器453檢測不到位於便器800前方的使用者(時刻t4)且經過例如約90秒左右時，則便蓋300關閉，UV光源483定期向盆801照射規定時間的紫外線(時刻t8以後)。如此，在本具體例中，在進行含有金屬離子的酸性水的噴霧開始(時刻t7)之後，開始由UV光源483照射紫外線(時刻t8)。由此，能夠抑制光觸媒的活性降低。S卩，根據本發明者們得到的見解，當水垢形成在光觸媒層的表面時，紫外線則照射不到水垢下的光觸媒層。因此，有時光觸媒的活性顯著降低。而且，在形成有上水水膜的狀態下，當向該水膜照射紫外線時，則促進矽酸聚合。因此，形成與光觸媒層牢固粘著的水垢。對此，後面將進行詳述。由此，該部位的光觸媒活性顯著降低，有時無法復原。對此，在本具體例中，由於是在進行含有金屬離子的酸性水的噴霧開始之後才開始由UV光源483照射紫外線，所以能夠抑制矽酸成分聚合。另外，紫外線照射的時間也可以與含有金屬離子的酸性水的噴霧時間重疊。具體為，也可以是在正進行含有金屬離子的酸性水的噴霧時開始紫外線照射。而且，如果是在可抑制水垢生成的範圍內，則即使在正進行紫外線的照射時開始進行含有金屬離子的酸性水的噴霧也可以。另外，在本具體例中，雖然示出了便器800的盆801的表面形成有光觸媒層的衝廁裝置的例子，但是在盆801的表面未形成光觸媒層的情況下，則不需要紫外線的照射。
下面，參照附圖，對本實施方式涉及的衝廁裝置10的動作的變形例進行說明。圖6是例示本實施方式涉及的衝廁裝置的動作的變形例的時間圖。圖7是例示本實施方式涉及的衝廁裝置的動作的其他變形例的時間圖。圖6所示的時間圖的變形例是使用者排洩大便時的例子。圖7所示的時間圖的變形例是使用者排洩小便或清掃廁所時的例子。因此，在圖6所示的時間圖中，座式感應傳感器455檢測到了坐在便座200上的使用者，而在圖7所示的時間圖中，座式感應傳感器455未檢測到坐在便座200上的使用者。在圖6即圖7所示的變形例中，在入室感應傳感器451檢測不到使用者(時刻tl2)後且在便器洗淨結束(時刻til)後經過規定時間T時，開始水垢抑制單元(電解槽420、噴霧用泵432)的動作(時刻tl3)。規定時間T則如關於圖5的前述內容所示。如此，含有金屬離子的酸性水的噴霧也可以是在使用者或清掃者從衛生間出去之後進行。由此，可以更加確實避免含有金屬離子的酸性水濺到人體。在關於圖5 圖7的前述的具體例中，在便器洗淨結束後經過規定時間T時開始酸性水的噴霧。這是因為即使是在已有的便器800上後裝上衛生洗淨裝置100的類型的衛生洗淨裝置，也可以通過檢測到便器洗淨結束而實現。另外，酸性水的噴霧開始時間並不局限於此。例如，也可以是在經過以下規定時間T時開始酸性水的噴霧，即:座式感應傳感器455檢測到使用者離開便座200後經過規定時間T時；人體感應傳感器453檢測不到位於便器800前方的使用者後經過規定時間T時；入室感應傳感器451檢測不到使用者後經過規定時間T時；便蓋開閉感應傳感器457檢測到便蓋300關閉後經過規定時間T時；閥413關閉後經過規定時間T時；及積水得到確保後經過規定時間T時等。下面，參照附圖對本發明者們所做的實驗進行說明。圖8是表示自來水及酸性電解水的水質分析結果的表。圖9 圖12是例示本實驗中水垢除去性的一例評價結果的表。在以下的實施例中，使用表面形成有瓷釉層的瓷磚(5cmX5cm)以及將下列記載的pH調整水作為實驗液使用，並且作為對照使用酸性電解水進行了評價。而且，以下的實施例中進行的滑動試驗如下所述。向通常的自來水中添加硝酸(試藥特級日本和光純藥工業株式會社制)，將pH調整到I 6的溶液作為pH調整水。圖8表示所使用的自來水的水質分析結果。而且，下列組成的酸性電解水是用電解水生成裝置(TEK511日本TOTO株式會社制)製作的。將硝酸鋁九水合物或硝酸銅六水合物(全部是試藥特級日本和光純藥工業株式會社制)溶解在自來水中，將各金屬離子調整到IOOOppm的溶液作為金屬離子原液。將該金屬離子原液用pH調整水(pHl 6)進行稀釋，將分別調整金屬離子濃度(0.1、0.5、1、5、IOppm)與pH (pHl 6)的溶液作為添加有金屬離子的pH調整水。關於滑動試驗，是使用摩擦測試器(日本太平理化工業株式會社制)按以下方法進行的。將無紡布海綿即思高拭亮魔布(註冊商標SCOTCH-BRITE) (SS 一 72K日本住友3M株式會社制)切成2.24cm方形，使用雙面膠帶以無紡布的部分接觸滑動面的方式粘接在摩擦頭上後，用蒸餾水潤溼。使用數字顯微鏡(VHX — 900日本株式會社Keyence制)在放大100倍的倍數下觀察水垢附著部。接下來，放上250g的錘(負荷條件:4.9kPa)滑動10次，在與上述相同的條件下使用數字顯微鏡進行觀察，判斷水垢是否被除去。另外，在負荷條件:
4.9kPa下的10次滑動相當於通常的便器清掃條件。評價結果如下。〇:在滑動10次以內水垢被除去X:滑動50次水垢仍然殘留用以下方法評價了 pH調整水的水垢除去性。首先，在表面形成有瓷釉層的瓷磚(5cmX 5cm)上滴下20 y L的pH調整水及酸性電解水後，在常溫下靜置48小時使水垢乾燥並附著。然後，進行滑動試驗。其結果如圖9所示。除了將使用硝酸鋁九水合物調製的添加有鋁離子的pH調整水作為試驗液以外，用與關於圖9的前述的實施例相同的方法評價了水垢除去性。其結果如圖10所示。除了將使用硝酸銅六水合物調製的添加有銅離子的pH調整水作為試驗液以外，用與關於圖9的前述的實施例相同的方法評價了水垢除去性。其結果如圖11所示。將使用硝酸鋁九水合物或硝酸銅六水合物(全部是試藥特級日本和光純藥工業株式會社制)調製的各種金屬離子原液適量添加在用市場出售的電解水生成裝置(TEK511日本TOTO株式會社制)生成的酸性電解水中，稀釋到目標金屬離子濃度(0.1、0.5、1、5、IOppm)後將其作為添加有金屬離子的酸性電解水。另外，圖8表示所使用的酸性電解水的水質分析結果。除了將添加有金屬離子的酸性電解水作為試驗液以外，用與關於圖9的前述的實施例相同的方法評價了水垢除去性。其結果如圖12所示。根據以上關於圖8 圖12的前述的實驗結果可知，在pH調整到約2.0 5.0左右的酸性水以及含有金屬離子(在本實施例中為Al3+、Cu2+)的酸性水蒸發而生成的水垢方面，水垢除去性良好。下面，參照附圖對本發明者們進行的實驗進行說明。圖13是在是否有紫外線照射的條件下形成的水垢生成的比較表。圖14及圖 15是用於說明本實驗條件的模式圖。如圖15所示，本發明者們首先準備了表面形成有光觸媒層的瓷磚511並傾斜配置。接著，通過控制部503打開閥505，將水源501供給來的洗淨水509從洗淨用吐水口 507以淋浴狀約吐出5秒鐘左右。由此，在瓷磚511的表面形成水膜。接下來，如圖14 (a)所示，關於表面形成有水膜的多個瓷磚511中的第I瓷磚511a，在常溫下約放置30分鐘左右使表面乾燥。另一方面，如圖14 (b)所示，關於表面形成有水膜的多個瓷磚511中的第2瓷磚511b，則在由UV光源513向第2瓷磚511b的表面照射紫外線的狀態下，在常溫下約放置30分鐘左右使表面乾燥。乾燥後的第I瓷磚511a及第2瓷磚511b的表面狀態(水垢的生成狀態)如圖13所示。圖13所示的「照片」是對圖15所示的範圍Al的瓷磚表面進行拍照的照片。圖13所示的「水垢模式圖」是對圖13所示的「照片」中的瓷磚表面所生成的水垢進行模式性表示的圖。由此可以看出，第2瓷磚511b的表面生成的水垢範圍比第I瓷磚511a的表面生成的水垢範圍大。因此，可知在形成有自來水(上水)水膜的狀態下當向該水膜照射紫外線時，則促進矽酸聚合，即容易生成水垢。以上，對本發明的實施方式進行了說明。但是，本發明並不局限於這些記述內容。只要具備本發明的特徵，本領域技術人員對上述實施方式適當加以設計變更後的技術也包含在本發明的範圍內。例如，衝廁裝置10及衛生洗淨裝置100等所具備的各主要部件的形狀、尺寸、材質、配置等以及噴霧噴嘴481及UV光源483的設置方式等，均不局限於所例示的內容，可進行適當變更。另外，在實施方式中，雖然以便器為西式座便器(大便器)的情況為例進行了說明，但是在本實施方式的便器範圍中也包括小便器。另外，只要技術上可行，前述各實施方式所具備的各主要部件可以進行組合，只要包含本發明的特徵，組合了這些內容的`技術也包含在本發明的範圍內。
權利要求
1.一種衝廁裝置，其特徵在於，具備: 洗淨單元，洗淨便器的盆的表面； 供水單元，向所述洗淨單元供給洗淨水； 矽酸成分聚合抑制單元，向殘留在所述盆的表面的洗淨水中添加矽酸成分聚合抑制齊U，抑制在所述盆的洗淨後殘留在所述盆表面的洗淨水中的矽酸成分聚合； 及控制部，執行以下控制，在所述盆的表面乾燥之前開始所述矽酸成分聚合抑制單元的動作。
2.根據權利要求1所述的衝廁裝置，其特徵在於， 所述矽酸成分聚合抑制劑為酸性水。
3.根據權利要求2所述的衝廁裝置，其特徵在於， 所述酸性水含有金屬離子。
4.根據權利要求2或3所述的衝廁裝置，其特徵在於， 所述酸性水的酸性度為PH2.5 5.0。
5.根據權利要求1至4中任意一項所述的衝廁裝置，其特徵在於， 在所述盆的表面形 成有光觸媒層。
全文摘要
本發明的目的在於提供一種可抑制水垢生成或者可以容易地除去水垢的衝廁裝置。具體為，提供一種衝廁裝置，其特徵在於，具備洗淨單元，洗淨便器的盆的表面；供水單元，向所述洗淨單元供給洗淨水；矽酸成分聚合抑制單元，向殘留在所述盆的表面的洗淨水中添加矽酸成分聚合抑制劑，抑制在所述盆的洗淨後殘留在所述盆表面的洗淨水中的矽酸成分聚合；及控制部，執行以下控制，在所述盆的表面乾燥之前開始所述矽酸成分聚合抑制單元的動作。
文檔編號E03D9/02GK103243791SQ20131003904
公開日2013年8月14日 申請日期2013年1月31日 優先權日2012年2月14日
發明者八木晉一, 一木智康, 雨森博彰, 梅本歩, 諸富洋, 山本政宏, 松本勘 申請人:Toto株式會社