一種套刻偏差檢查標記及其製作方法

2023-10-04 03:54:44

專利名稱：一種套刻偏差檢查標記及其製作方法
技術領域：
本發明涉及半導體製造領域，且具體而言，涉及一種套刻(overlay)偏差檢查標記及其製作方法。
背景技術：
隨著半導體技術遵循摩爾定律繼續發展，關鍵尺寸(CD )越來越小，晶片的集成度越來越高，從而對半導體製造工藝的要求也越來越嚴格。因此，必須在工藝過程中儘可能地減小每一個工藝步驟的誤差，以降低因誤差而造成的器件失效。在半導體製造過程中，光刻工藝作為每一個技術時代的核心技術而不斷發展。在標準CMOS工藝中，需要用到數十次光刻工藝，而影響光刻工藝誤差的因素，除了光刻機的解析度之外，還有套刻對準的精確度。請參照圖1，其中示出了處於製造過程中的晶片100的俯視圖。如圖I所示，晶片100包括多個半導體管芯101以及分隔多個半導體管芯101的劃片槽102。為了能夠達到精確的對準效果，通常會在劃片槽102中製作一組或多組測試圖案103，作為用於工藝人員在製造過程中檢查前後兩道或多道光刻工藝的套刻偏差的標記(以下簡稱為「套刻偏差檢查標記」)，以監控工藝質量。下面，將參照附圖2A-2B對現有技術中通常採用的套刻偏差檢查標記加以說明。請參照圖2A，其中示出了現有技術中採用的套刻偏差檢查標記200的俯視圖。如圖2A所示，從平面看，套刻偏差檢查標記200包括第一子結構201和分布在第一子結構外圍區域的第二子結構202。第一子結構201形成在先前材料層中並且由圍成「口」字形的 四個長條狀標記組成，其中兩個長條狀標記用於檢查垂直方向的套刻偏差，另外兩個長條狀標記用於檢查水平方向的套刻偏差。類似地，第二子結構202形成在當前材料層中並且由圍成「口」字形的四個長條狀標記組成，其中兩個長條狀標記用於檢查垂直方向的套刻偏差，另外兩個長條狀標記用於檢查水平方向的套刻偏差。圖2B中所示為套刻偏差檢查標記200的示意性剖面圖。如圖2B所示，第一子結構201被形成為凹槽狀，且第二子結構202被形成為凸起狀。通常情況下，在實際製造過程中可能會出現四種圖案位置偏差平移、脹縮、旋轉和正交性變化。在《微電子製造技術概論》(嚴利人等編著，清華大學出版社出版)一書第117-118頁記載有對這四種位置偏差的示意圖以及詳細說明。另一方面，後續熱處理工藝(例如，源/漏區離子注入之後的退火處理)會導致先前材料層發生變形，從而導致先前材料層中的套刻偏差檢查標記的第一子結構發生變形，進而對套刻偏差形成原因的判斷造成幹擾。因此，期望在製造過程中通過觀察套刻偏差檢查標記來監控熱處理弓I起的材料層變形，從而對其進行有效控制。然而，遺憾的是，工藝人員並不能通過觀察如圖2A-2B所示的常規套刻偏差檢查標記200來區分由於後續熱處理工藝而引起的變形和由於曝光誤差(例如，像散、晶片的放置位置與片臺的坐標系不平行等)而導致的未對準(misalignment)。
退火處理會導致先前材料層產生變形，並且這樣的扭曲變形會使得最終形成的半導體器件噪聲特性較差。而根據目前所使用的套刻偏差檢查標記，又無法將由於退火處理而導致的扭曲變形與由於曝光工藝而引起的未對準區分開。因此，需要一種改進的套刻偏差檢查標記及其製作方法，以解決上述問題。

發明內容
為了克服現有技術中使用的套刻偏差檢查標記、無法將由於退火處理而導致的扭曲變形與由於曝光工藝而引起的未對準區分開的缺陷以便更好地控制工藝精度，提出了本發明。根據本發明的一個方面，提供一種套刻偏差檢查標記，包括第一子結構，所述第一子結構形成在第一材料層中，並且由圍成「口」字形的四個長條狀標記組成；第二子結構，所述第二子結構形成在所述第一材料層中，且位於所述第一子結構內側；和第三子結構，所述第三子結構形成在位於所述第一材料層上的第二材料層中且由圍成「口」字形的四個長條狀標記組成，且從平面看，與所述第一子結構嵌套構成「回」字形，並且所述第一、第二和 第三子結構彼此不重合。優選地，所述第二子結構可以由方塊狀標記組成。優選地，從平面看，所述第三子結構可以位於所述第一子結構與所述第二子結構之間。優選地，從平面看，所述第一子結構可以位於所述第二子結構與所述第三子結構之間。優選地，所述第二子結構可以由圍成「口」字形的四個長條狀標記組成。優選地，從平面看，所述第二子結構可以位於所述第一子結構與所述第三子結構之間。優選地，從平面看，所述第三子結構可以位於所述第一子結構與所述第二子結構之間。優選地，從平面看，所述第一子結構可以位於所述第一子結構與所述第二子結構之間。優選地，從剖面看，所述第一、第二和第三子結構可以被形成為凹槽狀或凸起狀。根據本發明的另一方面，提供一種用於製作上述套刻偏差檢查標記的方法，所述套刻偏差檢查標記包括第一子結構、第二子結構和第三子結構，所述方法包括提供第一材料層；蝕刻所述第一材料層，以將第一掩模版上的第一子結構圖案和第二子結構圖案轉移到所述第一材料層上，從而在所述第一材料層中形成所述第一子結構和所述第二子結構；在所述第一材料層上形成第二材料層；以及蝕刻所述第二材料層，以將第二掩模版上的第三子結構圖案轉移到所述第二材料層上，從而在所述第二材料層中形成所述第三子結構。根據本發明的套刻偏差檢查標記能夠檢查並區分由於退火處理而引起的變形和由於曝光誤差而導致的未對準。因此，通過本發明，可以對諸如退火處理這樣的熱處理過程中產生的變形偏差進行監控，同時又能檢查由於曝光誤差導致的各種位置偏差。


本發明的下列附圖在此作為本發明的一部分用於理解本發明。附圖中示出了本發明的實施例的示意圖，用來解釋本發明的原理。附圖中
圖I是示出了處於製造過程中的晶片100的俯視 圖2A和2B分別是示出了現有技術中採用的套刻偏差檢查標記200的俯視圖和剖面
圖3A和3B分別是示出了根據本發明示例性實施例的套刻偏差檢查標記300的俯視圖 和剖面 圖4 A-4F是示出了根據現有技術製作套刻偏差檢查標記300的過程中各個工藝步驟的示意性剖面 圖5是示出了根據本發明示例性實施例的用於製作套刻偏差檢查標記的方法的流程
圖6示出了根據本發明示例性實施例的套刻偏差檢查標記，用於說明本發明的有益效果；以及
圖7A-7B示出了本發明的各種變形例。應當注意的是，這些圖旨在示出根據本發明的特定示例性實施例中所使用的方法、結構和/或材料的一般特性，並對下面提供的書面描述進行補充。然而，這些圖並非按比例繪製，因而可能未準確反映任何給出的實施例的精確結構或性能特點，並且這些圖不應當被解釋為限定或限制由根據本發明的示例性實施例所涵蓋的數值或屬性的範圍。例如，為了清楚起見，可以縮小或放大分子、層、區域和/或結構元件的相對厚度和定位。在附圖中，使用相似或相同的附圖標記表示相似或相同的元件或特徵。
具體實施例方式現在，將參照附圖更詳細地描述根據本發明的示例性實施例。然而，這些示例性實施例可以多種不同的形式來實施，並且不應當被解釋為只限於這裡所闡述的實施例。應當理解的是，提供這些實施例是為了使得本發明的公開徹底且完整，並且將這些示例性實施例的構思充分傳達給本領域普通技術人員。在附圖中，為了清楚起見，誇大了層和區域的厚度，並且使用相同的附圖標記表示相同的元件，因而將省略對它們的描述。應當理解的是，當元件被稱作「連接」或「結合」到另一元件時，該元件可以直接連接或結合到另一元件，或者可以存在中間元件。不同的是，當元件被稱作「直接連接」或「直接結合」到另一元件時，不存在中間元件。在全部附圖中，相同的附圖標記始終表示相同的元件。如在這裡所使用的，術語「和/或」包括一個或多個相關所列項目的任意組合和所有組合。應當以相同的方式解釋用於描述元件或層之間的關係的其他詞語(例如，「在……之間」和「直接在……之間」、「與……相鄰」和「與……直接相鄰」、「在……上」和「直接在……上」等)。此外，還應當理解的是，儘管在這裡可以使用術語「第一」、「第二」等來描述不同的元件、組件、區域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區域、層和/或部分不應當受這些術語的限制。這些術語僅是用來將一個元件、組件、區域、層或部分與另一個元件、組件、區域、層或部分區分開來。因此，在不脫離根據本發明的示例性實施例的教導的情況下，以下所討論的第一元件、組件、區域、層或部分也可以被稱作第二元件、組件、區域、層或部分。為了便於描述，在這裡可以使用空間相對術語，如「在……之下」、「在……之上」、「下面的」、「在……上方」、「上面的」等，用來描述如在圖中所示的一個元件或特徵與其他元件或特徵的空間位置關係。應當理解的是，空間相對術語旨在包含除了器件在圖中所描繪的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附圖中的器件被倒置，則描述為「在其他元件或特徵下方」或「在其他元件或特徵之下」的元件之後將被定位為「在其他元件或特徵上方」或「在其他元件或特徵之上」。因而，示例性術語「在……下方」可以包括「在……上方」和「在……下方」兩種方位。該器件也可以其他不同方式定位(旋轉90度或處於其他方位)，並且對這裡所使用的空間相對描述符做出相應解釋。這裡所使用的術語僅是為 了描述具體實施例，而非意圖限制根據本發明的示例性實施例。如在這裡所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數形式也意圖包括複數形式。此外，還應當理解的是，當在本說明書中使用術語「包含」和/或「包括」時，其指明存在所述特徵、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個或多個其他特徵、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。在此，參照作為示例性實施例的優選實施例(和中間結構)的示意性剖面圖來描述根據本發明的示例性實施例。這樣，預計會出現例如由製造技術和/或容差引起的示出的形狀的變化。因此，示例性實施例不應當被解釋為僅限於在此示出的區域的具體形狀，而是還可以包含例如由製造所導致的形狀偏差。例如，示出為矩形的注入區域在其邊緣可以具有倒圓或彎曲的特徵和/或注入濃度的梯度變化，而不僅是從注入區域到非注入區域的二元變化。同樣，通過注入形成的掩埋區會導致在該掩埋區與注入通過的表面之間的區域中也會存在一些注入。因此，圖中所示出的區域實質上是示意性的，它們的形狀並非意圖示出器件中的各區域的實際形狀，而且也並非意圖限制根據本發明的示例性實施例的範圍。除非另有定義，否則這裡所使用的全部術語(包括技術術語和科學術語)都具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的意思相同的意思。還將理解的是，除非這裡明確定義，否則諸如在通用字典中定義的術語這類術語應當被解釋為具有與它們在相關領域的語境中的意思一致的意思，而不以理想的或過於正式的含義來解釋它們。[示例性實施例]
下面，將參照附圖3A-3B以及圖4A-4F來對根據本發明示例性實施例的套刻偏差檢查標記及其製作方法加以說明。請參照圖3A，其中示出了根據本發明示例性實施例的套刻偏差檢查標記300的俯視圖。如圖3A所示，從平面看，套刻偏差檢查標記300包括第一子結構301、設置在第一子結構301中的第二子結構302以及設置在第一子結構301與第二子結構302之間的第三子結構303。作為示例，第一子結構301由圍成「 口」字形的四個長條狀標記301a、301b、301c和301d組成。其中兩個長條狀標記301a和301c用於檢查垂直方向的套刻偏差，另外兩個長條狀標記301b和301d用於檢查水平方向的套刻偏差。作為示例，第二子結構302由一個方塊狀標記組成。當然，第二子結構302也可以具有其他形狀。
作為不例，第三子結構303具有與第一子結構301相似的結構。具體來說,第三子結構303由圍成「 口」字形的四個長條狀標記302a、302b、302c和302d組成。其中兩個長條狀標記302a和302c用於檢查垂直方向的套刻偏差，另外兩個長條狀標記302b和302d用於檢查水平方向的套刻偏差。這四個長條狀標記302a-302d分別平行於第一子結構301的四個長條狀標記301a-301d，並且第三子結構303中的長條狀標記均比第一子結構中的長條狀標記短。從平面看，第一子結構301和第三子結構303嵌套在一起圍成「回」字形。這裡，需予以特別說明的是，在版圖設計階段，可以根據實際的工藝條件來調整方塊狀標記的每條邊的長度以及其與對應的長條狀標記之間的距離；長條狀標記的長度以及相鄰兩長條狀標記之間的間距等會隨半導體工藝技術水平(例如，65nm、30nm等)不同而不同，並且也可以根據實際情況在版圖設計階段對這些距離進行調整。因此，在本申請中，僅對構成套刻偏差檢查標記的各要素及其之間的位置關係做定性描述但不做定量描述。圖3B中所示為套刻偏差檢查標記300的示意性剖面圖。如圖3B所示,從剖面看，第一子結構301和第二子結構302都形成在先前材料層310中，並且作為其組成部分的長 條狀標記301a-301d和方塊狀標記被形成為凹槽狀。第三子結構303形成在當前材料層320中，並且作為其組成部分的長條狀標記302a-302d被形成為凸起狀。這裡，需予以說明的是，雖然圖3A-3B中僅將第一子結構301和第二子結構302示出為凹槽狀且將第三子結構303示出為凸起狀，但是對於本領域技術人員而言應當理解的是，第一子結構301和第二子結構302也可以形成為凸起狀且第三子結構303形成為凹槽狀，或者第一、第二和第三子結構301-303均形成為凸起狀或凹槽狀。接下來，請參照圖4A-4F，其中示出了根據現有技術製作套刻偏差檢查標記300的過程中各個工藝步驟的示意性剖面圖。首先，如圖4A所示，提供第一材料層401。將要在第一材料層401上形成套刻偏差檢查標記的第一子結構和第二子結構。作為一個示例，第一材料層401可以是諸如鋁、銅等金屬構成的用於製作金屬布線的互連金屬層。作為另一示例，第一材料層401可以是由諸如多晶矽、金屬(例如，鋁)等構成的柵極材料層。作為又一示例，第一材料層401可以是由諸如二氧化矽、低介電常數材料(例如，黑鑽石(BD))構成的層間介電層。作為又一示例，第一材料層401可以是半導體襯底。例如，在進行用於定義有源區的光刻工藝步驟的情況下，需要在半導體襯底上形成套刻偏差檢查標記的第一子結構和第二子結構。接著，如圖4B所示，在第一材料層401上旋塗第一光刻膠層402，並且通過曝光和顯影而將第一掩模版(未示出)上的第一子結構圖案(即，圖3A中所示的第一子結構301的圖案)和第二子結構圖案(即，圖3A中所示的第二子結構302的圖案)轉移到第一光刻膠層402上，以定義出第一子結構圖案和第二子結構圖案。其中，所述第一光刻膠層402為正膠。此外，可以採用由諸如氧化矽或氮化矽構成的硬掩膜層來代替第一光刻膠層402作為掩膜層，或者與第一光刻膠層402 —起作為掩膜層。形成硬掩膜層以及光刻膠層的工藝條件和參數是本領域技術人員所熟知的，他們可以根據實際需要來選用，在此不再贅述。然後，如圖4C所不，以第一光刻膠層402為掩膜,蝕刻第一材料層401,以將第一光刻膠層402上的第一子結構圖案和第二子結構圖案轉移到第一材料層401上,從而在第一材料層401中形成第一子結構403a和第二子結構403b。作為示例，在本實施例中，第一子結構403a和第二子結構403b被形成為凹槽狀。形成第一子結構403a和第二子結構403b的方法可以為幹法蝕刻或溼法蝕刻，在蝕刻完成之後可以通過等離子體灰化工藝去除第一光刻膠層402。這裡，需要說明的是，待後續工藝全部完成之後，第一子結構403a和第二子結構403b在電子顯微鏡下觀察時會與周圍區域存在色差，因而能夠被辨認。此外，還需予以說明的是，組成第一子結構403a和第二子結構403b的凹槽的底部可以位於第一材料層401中，或者可以與第一材料層401的底面齊平(即，第一材料層401被刻穿)。接著，如圖4D所示，在第一材料層401、第一子結構403a和第二子結構403b上形成第二材料層405，在第二材料層405中將要形成套刻偏差檢查標記的第三子結構。作為示例，在第一材料層401為半導體襯底的情況下，第二材料層405可以是由多晶矽柵層和柵極絕緣層構成的疊層。這裡，需予以特別說明的是，第一材料層401和第二材料層405可以是整個半導體製造過程中需要通過光刻和蝕刻工藝在其上形成圖案的任意兩層材料層，而並不限於以上所提及的示例。因此，在第一材料層401與第二材料層405之間可以存在中間材料層404， 例如，柵極絕緣層、層間介電層等；並且在形成第一子結構403a之後且在形成第二材料層405之前，也可以執行各種中間工藝步驟，例如，離子注入、退火處理、接觸孔填充等。接著，如圖4E所示，在第二材料層405上旋塗第二光刻膠層406，並且通過曝光和顯影而將第二掩模版(未示出)上的第三子結構圖案(即，圖3A中所示的第三子結構303的圖案)轉移到第二光刻膠層405上，以定義出第三子結構圖案。其中，所述第二光刻膠層406為正膠。需予以注意的是，在第二材料層405與第二光刻膠層406之間，也可以形成一層由諸如氧化矽或氮化矽構成的硬掩膜層，以防止出現由於蝕刻時間過長且光刻膠層厚度不足而可能引發的問題。然後，如圖4F所示，以第二光刻膠層406為掩膜，蝕刻第二材料層405，以將第二光刻膠層406上的第三子結構圖案轉移到第二材料層405上，從而在第二材料層405中形成第三子結構407。作為示例，在本實施例中，第三子結構407被形成為凸起狀。形成第二子結構407的方法可以為幹法蝕刻法或溼法蝕刻法，在蝕刻完成之後可以通過等離子體灰化工藝去除第二光刻膠層406。至此，完成了根據本發明示例性實施例的套刻偏差檢查標記的製作。請參照圖5，其中示出了根據本發明示例性實施例的用於製作套刻偏差檢查標記的方法的流程圖，用於概括性示出整個方法的流程。首先，在步驟S501中，提供第一材料層，在所述第一材料層上將要形成所述套刻偏差檢查標記的第一子結構和第二子結構。接著，在步驟S502中，蝕刻所述第一材料層，以將第一掩模版上的第一子結構圖案和第二子結構圖案轉移到所述第一材料層上，從而在所述第一材料層中形成第一子結構和第二子結構。接著，在步驟S503中，在所述第一材料層、所述第一子結構和所述第二子結構上形成第二材料層，在所述第二材料層中將要形成所述套刻偏差檢查標記的第三子結構。最後，在步驟S504中，蝕刻所述第二材料層，以將第二掩模版上的第三子結構圖案轉移到所述第二材料層上，從而在所述第二材料層中形成第三子結構。[本發明的有益效果]
下面，將參照圖6來說明本發明的有益效果。
如圖6所示，長條狀標記Al和方塊狀標記A2形成在先前的材料層中，構成套刻偏差檢查標記的第一子結構和第二子結構。長條狀標記B形成在當前的材料層中，構成套刻偏差檢查標記的第三子結構。對於長條狀標記，退火處理可能不會使其膨脹和旋轉而會使其平移或者正交性產生變化；而對於方塊狀標記，退火處理可能不會使其平移或者正交性發生變化而會使其膨脹。因此，可以基於以下圖案組合來檢查各種誤差
(I)先前材料層中的長條狀標記Al和方塊狀標記A2之間的偏差A A1-A2，可以用於檢查由於退火處理而引起的變形；
(2 )當前材料層中的長條狀標記B與先前材料層中的長條狀標記AI之間的偏差A B-Al，可以用於檢查由於曝光誤差而導致的脹縮和旋轉套刻偏差；以及 (3)當前材料層中的長條狀標記B與先前材料層中的方塊狀標記A2之間的偏差A B-A2，可以用於檢查由於曝光誤差而導致的平移、旋轉和正交性變化位置套刻偏差。具體來說，由於標記Al與A2之間不存在曝光誤差，所以標記Al與A2之間的誤差能夠真實地反映由於退火處理而導致的先前材料層變形。在實際製造過程中，以上各項偏差均可以由專用的套刻精度檢查機臺進行自動測量，並且可以由該機臺基於測量的結果對偏差進行適當補償。具體的測量和補償方法是本領域所公知的技術，在此不再贅述。圖7A-7B中所示為本發明的幾種變形例。這裡，本領域技術人員應認識到，本發明的變形例不限於圖7中所示的兩種，而是還可以在已示出的示例基礎上再次進行修改，例如，對第一、第二和第三子結構的位置進行調換。但是，需予以注意的是，考慮到成本問題、製作的簡便性以及現有的機臺測試程序，優選使用具有如圖6中所示構成的套刻偏差檢查
I■■己 O綜上所述，根據本發明的套刻偏差檢查標記能夠檢查並區分由於退火處理而引起的變形和由於曝光誤差而導致的未對準。因此，可以對諸如退火處理這樣的熱處理過程中產生的變形偏差進行監控，同時又能檢查由於曝光誤差導致的各種位置偏差。[本發明的工業實用性]
根據如上所述的實施例製造的半導體器件可應用於多種集成電路(IC)中。例如，根據本發明的IC可以是存儲器電路，如隨機存取存儲器(RAM)、動態RAM (DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、靜態RAM (SRAM)、或只讀存儲器(ROM)等。根據本發明的IC還可以是邏輯器件，如可編程邏輯陣列(PLA)、專用集成電路(ASIC)、合併式DRAM邏輯集成電路(掩埋式DRAM)、射頻電路或任意其他電路器件。例如，根據本發明的IC晶片可以用於用戶電子產品中，如個人計算機、可攜式計算機、遊戲機、蜂窩式電話、個人數字助理、攝像機、數位相機、手機等各種電子產品中。本發明已經通過上述實施例進行了說明，但應當理解的是，上述實施例只是用於舉例和說明的目的，而非意在將本發明限制於所描述的實施例範圍內。此外，本領域技術人員可以理解的是，本發明並不局限於上述實施例，根據本發明的教導還可以做出更多種變型和修改，這些變型和修改均落在本發明所要求保護的範圍以內。本發明的保護範圍由附屬的權利要求書及其等效範圍所界定。
權利要求
1.一種套刻偏差檢查標記，包括 第一子結構，所述第一子結構形成在第一材料層中，並且由圍成「 口」字形的四個長條狀標記組成； 第二子結構，所述第二子結構形成在所述第一材料層中，且位於所述第一子結構內側；和 第三子結構，所述第三子結構形成在位於所述第一材料層上的第二材料層中且由圍成「 口」字形的四個長條狀標記組成，且從平面看，與所述第一子結構嵌套構成「回」字形，並且所述第一、第二和第三子結構彼此不重合。
2.根據權利要求I所述的套刻偏差檢查標記，其特徵在於，所述第二子結構由方塊狀標記組成。
3.根據權利要求2所述的套刻偏差檢查標記，其特徵在於，從平面看，所述第三子結構位於所述第一子結構與所述第二子結構之間。
4.根據權利要求2所述的套刻偏差檢查標記，其特徵在於，從平面看，所述第一子結構位於所述第二子結構與所述第三子結構之間。
5.根據權利要求I所述的套刻偏差檢查標記，其特徵在於，所述第二子結構由圍成「 口 」字形的四個長條狀標記組成。
6.根據權利要求5所述的套刻偏差檢查標記，其特徵在於，從平面看，所述第二子結構位於所述第一子結構與所述第三子結構之間。
7.根據權利要求5所述的套刻偏差檢查標記，其特徵在於，從平面看，所述第三子結構位於所述第一子結構與所述第二子結構之間。
8.根據權利要求5所述的套刻偏差檢查標記，其特徵在於，從平面看，所述第一子結構位於所述第一子結構與所述第二子結構之間。
9.根據權利要求I所述的套刻偏差檢查標記，其特徵在於，從剖面看，所述第一、第二和第三子結構被形成為凹槽狀或凸起狀。
10.一種用於製作如權利要求I所述的套刻偏差檢查標記的方法，所述套刻偏差檢查標記包括第一子結構、第二子結構和第三子結構，所述方法包括 提供第一材料層； 蝕刻所述第一材料層，以將第一掩模版上的第一子結構圖案和第二子結構圖案轉移到所述第一材料層上，從而在所述第一材料層中形成所述第一子結構和所述第二子結構； 在所述第一材料層上形成第二材料層；以及 蝕刻所述第二材料層，以將第二掩模版上的第三子結構圖案轉移到所述第二材料層上，從而在所述第二材料層中形成所述第三子結構。
全文摘要
本發明提供一種套刻偏差檢查標記(300)，包括第一子結構(301)，所述第一子結構形成在第一材料層中，並且由圍成「口」字形的四個長條狀標記組成；第二子結構(302)，所述第二子結構形成在所述第一材料層中，且位於所述第一子結構內側；和第三子結構(303)，所述第三子結構形成在位於所述第一材料層上的第二材料層中且由圍成「口」字形的四個長條狀標記組成，且從平面看，與所述第一子結構嵌套構成「回」字形，並且所述第一、第二和第三子結構彼此不重合。通過本發明，可以對諸如退火處理這樣的熱處理過程中產生的變形偏差進行監控，同時又能檢查由於曝光誤差導致的各種位置偏差。
文檔編號H01L21/66GK102738121SQ201110087489
公開日2012年10月17日 申請日期2011年4月8日 優先權日2011年4月8日
發明者安輝, 王輝 申請人:中芯國際集成電路製造(上海)有限公司