將Nandflash的物理塊按無效頁數量進行排序的方法
2023-12-12 00:19:27 1
專利名稱:將Nandflash的物理塊按無效頁數量進行排序的方法
技術領域:
本發明涉及一種將Nandflash(與非型快閃記憶體)的物理塊按無效頁數量進行排序的方法。
背景技術:
Nandflash在最近幾年裡得到了突飛猛進的發展,由SLC(1位/單元)技術發展到了 MLC(多位/單元)技術,同時Nandflash的生產工藝也不斷進步。隨著技術的發展,Nandflash容量不斷增大,單位容量的成本也大幅降低,應用Nandflash的領域也越來越多。Nandflash的擦寫次數是有限的,在擦寫的時候要儘量擦除無效頁數量最多的塊,因此在Nandflash控制器的設計中,選擇無效頁數量最多的塊,是一個非常必要的功能。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種將Nandflash的物理塊按無效頁數量進行排序的方法,可以在較短的時間內完成排序,提高排序的效率。為解決上述技術問題,本發明的將Nandflash的物理塊按無效頁數量進行排序的方法是採用如下技術方案實現的:第一步,將無效頁數相同的物理塊串聯成一個子排序鍊表;第二步,將各子排序鍊表按無效頁數由多到少依次串聯起來,形成一個包含所有物理塊的排序鍊表。所述排序鍊表米用鍊表結構。本發明採用鍊表結構對Nandflash的物理塊進行排序,可以在較短的時間內完成排序。
下面結合附圖與具體實施方式
對本發明作進一步詳細的說明:附圖是將Nandflash的物理塊按無效頁數量進行排序的方法流程圖。
具體實施例方式本發明中各變量的定義見下表1:
權利要求
1.一種將與非型快閃記憶體Nandflash的物理塊按無效頁數量進行排序的方法,其特徵在於: 第一步,將無效頁數相同的物理塊串聯成一個子排序鍊表; 第二步,將各子排序鍊表按無效頁數由多到少依次串聯起來,形成一個包含所有物理塊的排序鍊表。
2.如權利要求1所述的方法,其特徵在於:所述排序鍊表採用鍊表結構。
3.如權利要求1或2所述的方法,其特徵在於:每一物理塊均有對應的鍊表項,每一項包含兩個指針,一個指向當前物理塊 的前一個物理塊,另一個指向當前物理塊的後一個物理塊。
全文摘要
本發明公開了一種將Nandflash的物理塊按無效頁數量進行排序的方法,第一步,將無效頁數相同的物理塊串聯成一個子排序鍊表;第二步,將各子排序鍊表按無效頁數由多到少依次串聯起來,形成一個包含所有物理塊的排序鍊表。本發明可以在較短的時間內完成排序,提高排序的效率。
文檔編號G06F12/06GK103226516SQ201210021830
公開日2013年7月31日 申請日期2012年1月31日 優先權日2012年1月31日
發明者遲志剛 申請人:上海華虹集成電路有限責任公司