用於半導體器件製造的測量工具的校準方法和系統的製作方法
2023-09-13 02:32:25 1
專利名稱：用於半導體器件製造的測量工具的校準方法和系統的製作方法
技術領域：
本發明涉及集成電路及半導體器件的生產工藝。更具體地說，本發明提供了一種用於半導體器件製造的測量工具的校準方法和系統。本發明僅僅是以示例的方式被應用於建立校準標準的跟蹤。但是應當認識到，本發明具有更廣闊的應用範圍。
背景技術：
集成電路已經從製造在單個矽晶片上的少數的互連器件發展到數百萬個器件。傳統集成電路提供的屬性和複雜度已遠遠超過了當初的想像。為了實現複雜度和電路密度(即，能夠被安置到給定晶片面積上的器件的數量)的提高，對於每一代集成電路，最小器件線寬的尺寸(也被稱為器件「幾何」)變得越來越小。半導體器件現在的線寬尺寸已經小於四分之一微米。
不斷增大的電路密度不僅已提高了集成電路的複雜度和屬性，而且也為客戶提供了更低成本的部件。集成電路或者晶片製造工廠可能花費成百上千萬，甚至十幾億美元。每一製造工廠將具有一定的晶片生產量，而每片晶片上將會有一定數量的集成電路。因此，通過製造更小的集成電路個體器件，更多的器件可以被製造在每一個晶片上，這樣就可以增加製造工廠的產量。要使器件更小是很有挑戰性的，因為每一種用於集成製造的工藝都存在限制。這種限制的一個例子就是用於半導體器件製造的校準測量工具。
用晶片代工廠為客戶加工集成電路的業務已發展多年。無加工設備的晶片公司通常設計客戶集成線路。這種客戶集成線路需要生產一套通常稱為「光罩(reticles)」的客戶掩膜版。例如中國上海的中芯國際集成電路製造有限公司(SMIC)就是一家從事代工服務的晶片公司。雖然無加工設備的晶片公司和代工服務已增長多年，但很多的限制仍然存在。例如，在半導體業界，測量工具的校準是非常重要的，測量工具通常需要每天根據高精度標準進行校準，以使得工具能夠準確順利工作。對於校準標準，國際標準組織(International Organization for Standardization，ISO)一般要求這些標準起源於全世界可接受的機構，例如，美國國家標準和技術所(NationalInstitute of標準and Technology，NIST)就是一個全世界可接受的機構。
根據某些傳統的校準技術，一個半導體公司購買一套源自一個全世界可接受的機構如NIST的用做校準標準的晶片，這些晶片通常被稱為金晶片，它們是VLSI晶片的範本，金晶片一般都很昂貴，而校準過程的成本也很高。為了降低校準成本，半導體公司通常不將這些金晶片用於每天的校準。另外，為了模仿實際的工作環境，半導體公司可以選擇一套常用值，並在這些特殊值上對測量工具進行校準，但是以合理成本獲得具有所有這些特殊值的金晶片往往是很困難的。
綜上可見，測量工具的校準需要一種改進技術。
發明內容
本發明涉及集成電路及半導體器件的生產工藝。更具體地說，本發明提供了一種用於半導體器件製造的測量工具的校準方法和系統。本發明僅僅是以示例的方式被應用於建立校準標準的跟蹤。但是應當認識到，本發明具有更廣闊的應用範圍。
在一個具體實施例中，本發明提供了一種對多個測量系統進行校準的方法，該方法包括獲得一個第一組校準標準，該第一組校準標準與多個預定值相關聯。另外，該方法還包括通過多個測量系統對該第一組校準標準進行測量以獲得一個第一組測量值，處理與該第一組測量值相關聯的信息，至少依據與所述第一組測量值相關聯的信息而從所述多個測量系統中選擇一個第一測量系統。另外，該方法還包括通過所述第一組校準標準對第一測量系統進行校準獲得一個第二組校準標準，通過第一測量系統對第二組校準標準進行測量以獲得第二組測量值，該第二組測量值中的每一個都與第二組校準標準之一相關聯。還有，該方法包括通過與第二組測量值相關聯的第二組校準標準對所述多個測量系統中的第二測量系統進行校準。
根據本發明的一個實施例，一種對多個測量系統進行校準的方法包括獲得一個第一組校準標準，該第一組校準標準與多個預定值相關聯，並被至少根據一個第一標準而進行校準，該第一標準與一個第一全世界可接受的機構相關聯。另外，該方法還包括通過多個測量系統對該第一組校準標準進行測量以獲得一個第一組測量值，處理與該第一組測量值相關聯的信息，至少依據與所述第一組測量值相關聯的信息而從所述多個測量系統中選擇一個第一測量系統。另外，該方法還包括通過所述第二組校準標準對第一測量系統進行校準，通過第一測量系統對第二組校準標準進行測量以獲得第二組測量值，該第二組測量值中的每一個都與第二組校準標準之一相關聯。還有，該方法包括通過與第二組測量值相關聯的第二組校準標準對所述多個測量系統中的第二測量系統進行校準。第二組校準標準至少根據一個第二標準進行校準，該第二標準與一個第二全世界可接受的機構相關聯。另外，該方法包括獲得第三組校準標準，通過第一測量系統對第三組校準標準進行測量以獲得第二組測量值。第二組測量值中的每一個都於第三組校準標準中的一個相對應。另外，該方法還包括通過第三組校準標準對多個測量系統的第二測量系統進行校準，第三組校準標準與第二組測量值相關聯。
根據本發明的另一實施例，一種對多個測量系統進行校準的方法，包括獲得一個第一組校準標準，該第一組校準標準與多個預定值相關聯。另外，該方法還包括通過多個測量系統對該第一組校準標準進行測量以獲得一個第一組測量值，處理與該第一組測量值相關聯的信息，依據與所述第一組測量值相關聯的信息而確定對於所述多個測量系統的多個不確定性。另外，該方法還包括至少依據與所述多個不確定性相關聯的信息而從所述多個測量系統中選擇一個第一測量系統，並通過第一組校準標準對該第一測量系統進行校準。還有，該方法包括獲得一個第二組校準標準，通過所述第一測量系統對第二組校準標準進行測量以獲得一個第二組測量值，並通過第二組校準標準對該多個測量系統中的第二測量系統進行校準，該第二組校準標準與所述第二組測量值相關聯。
通過本發明可獲得很多優於傳統技術的優點。一些實施例提供了可靠的測量工具的校準。某些實施例提供了與傳統技術兼容的工藝，無須對傳統設備與工藝進行大的變動。本發明的一些實施例提供了高效測量標準，可用於周期性對測量工具進行校準。例如，一個測量標準源自一個全世界可接受的機構。本明的一些實施例可通過提供精確的測量系統而提高量產的質量，本發明的一些實施例為交叉生產廠家(cross-fabrication-plant)計量工具提供了可跟蹤的測量鏈。本發明的一些實施例採用了統計學方法來識別一個金工具以使校準鏈可被跟蹤。根據實施例，這些優點可部分或全部地獲得。這些及其他優點將通過本說明書尤其是下列段落進行更加詳細的描述。
本發明的各種其他目的、特性、優點將參考以下的詳述及附圖而更加清楚。
圖1是根據本發明的一個實施例對測量工具進行校準的方法；圖2是根據本發明的一個實施例顯示對第二組校準標準進行跟蹤的簡化方框圖。
具體實施例方式
本發明涉及集成電路及半導體器件的生產工藝。更具體地說，本發明提供了一種用於半導體器件製造的測量工具的校準方法和系統。本發明僅僅是以示例的方式被應用於建立校準標準的跟蹤。但是應當認識到，本發明具有更廣闊的應用範圍。
圖1是根據本發明的一個實施例對測量工具進行校準的方法；該圖僅僅為一個示例，不能用於限制本發明的權利範圍。方法100包括以下步驟1.步驟110，獲得第一組校準標準；2.步驟120，選擇測量工具；3.步驟130，對所選的測量工具進行校準；4.步驟140，測量第二組校準標準；5.步驟150，對另一個測量工具進行校準。
上述步驟序列提供了本發明一種實施例的方法。在不偏離本申請的權利要求的範圍的情況下，還可以提供其他可選的方法，其中加入了某些方法、去掉了一個或多個方法、或者採用不同次序的一個或多個方法。本發明的進一步的細節可以在本說明書全文並且更具體地在下文中找到。
在步驟110，獲得了第一組校準標準。在一個實施例中，該第一組校準標準源自一個全世界可接受的機構；例如，美國國家標準和技術所(NIST)就是一個全世界可接受的機構。在另一個實施例中，該第一組校準標準包括晶片，也被稱為金晶片。例如這些金晶片是VLSI晶片。在又一個實施例中，該第一組校準標準對於給定的屬性提供標準；例如，該屬性包括方塊電阻、膜厚度、和/或臨界尺寸。
在步驟120，採用該第一組校準標準選擇一個測量工具。在一個實施例中，所選的測量工具被稱為金測量工具。在另一個實施例中，該測量工具選自多個測量工具之中，例如，該多個測量工具的每一個都包括一個測量系統。在又一個實施例中，這個被選的測量工具是所述多個執行同樣測量功能的工具中最好的工具。在再一個實施例中，有多個工具被用於測量第一組校準標準的給定屬性，進而測量值被處理。測量工具根據第一組校準標準的測量值和實際值進行選擇。例如，所述多個工具包括多個測量系統。
在又一個實施例中，是根據測量偏差、線性屬性(linearperformance)、和/或總不確定性對測量工具進行選擇的。例如，測量偏差等於該第一組校準標準之一的測量值和實際值之間的差。在另一個實施例中，測量偏差根據該第一組校準標準之一的測量值和相應的實際值之間的差而定。在又一個實施例中，測量偏差等於該第一組校準標準的測量值和相應的實際值之間的差的平均值。
在一個實施例中，線性屬性通過測量該第一組校準標準的給定屬性而定，該第一組校準標準對應於給定屬性的不同實際值。在又一個實施例中，測量結果通過表示測量值的縱軸和表示實際值的橫軸進行標繪，所標繪的數據點被連接為線性，且被連接的直線和橫軸之間的角度代表所述線性屬性。例如，該角度等於45度表示了理想的線性屬性。在另一個實施例中，由TS16949控制的測量系統分析(Measurement SystemAnalysis，MSA)能夠提供步驟以確定一個計量工具的線性屬性。
還有一個實施例，總不確定性的計算基於該第一組校準標準的單個實際值的單個不確定性。在一個實施例中，一個單個不確定性是通過對同一個實際值執行多個測量而獲得的。例如，該多個測量能夠對於該第一組校準標準中的同一個和/或該第一組校準標準中的幾個進行。所述的幾個標準對於給定屬性具有相同的實際值。在再一個實施例中，總不確定性由一個概率表示，該概率是關於所測量的實際值包括在某一個範圍內的。例如，總不確定性類似於一個置信區間，如果一個包含有效值的測量方案被確定了，則該置信區間的寬度就由測量步驟的標準誤差而定。
根據本發明的一個實施例，第一組校準標準包括具有不同實際值的N個校準標準，一個測量工具被用於對N個校準標準中的每一個進行M次測量，N和M每一個都是正整數，因此，對於該測量工具執行的測量總和為N×M，這些測量結果由xij(i＝1，2，...，N，j＝1，2，...，M).表示。對於每個實際值，測量平均值xi.由下式確定xi=1Mj=1Mxij]]>(式1)接著，單個不確定性yij等於xij的標準化的不確定性或者比較不確定性，如下式yij=xij-xixi]]>(式2)
總不確定性等於該測量工具的總步驟測量標準誤差，如下式totaluncertainty=1NM-1i=1Nj=1Myij2]]>(式3)根據本發明的另一個實施例，可以確定該多個測量工具中每一個的總不確定性。這些總不確定性被處理，進而根據這些總不確定性從所述的多個測量工具中選擇測量工具。例如，所選的測量工具具有最小的總不確定性。在另一個實施例中，F測試(F-test)被用於確定這些總不確定性之間的差別。
根據本發明的另一個實施例，測量偏差在選擇測量工具中不是一個重要的因素，例如，該多個測量工具中的每一個所附帶的硬體和軟體都被用於使該偏差逼近於0而最小化。
以下是一個示例，表明步驟120的一個實施例。假設在同一個功能作業組中有A，B，C，D四個近似厚度的測量工具，且有六個工作厚度級。相應的，對於第一組校準標準有6個標準晶片。在每一個工作級，對應於相應的標準晶片測量重複100次。因此，對於每一個厚度測量工具都可獲得共600個測量記錄。
對於測量工具A，每個測量記錄表示為xij(i＝1，2，...，6，j＝1，2，...，100).。對每一級i，測量平均值xi.計算為xi=1100j=1100xij]]>(式4)然後，根據式2，單個不確定性yij等於xij的標準化的不確定性或者比較不確定性。如式2所示，除數為xi，所以yij是被標準化的。
yi=1100j=1100yij=0.]]>因此，所有的yij(i＝1，2，...，6，j＝1，2，...，100)為齊次的。
隨之，總不確定性等於測量工具的總步驟測量標準誤差，如下式
1600-1i=16j=1100yij2]]>(式5)類似地，還可得工具B，C，和D的總不確定性。F測試然後被用於確定工具A，B，C，和D的總不確定性之間的差，並由此識別出具有最小的總不確定性的工具。
例如，表1給出工具A，B，C，和D的總不確定性，表2給出了有關工具A的總不確定性和工具B，C，和D的總不確定性之間的差的F測試結果。
表1
表2
如表1和表2所示，工具A與工具B，C，D相比具有統計學上的相當小的總不確定性。另外，衰減測試表明所有的工具A，B，C，和D都有良好的線性屬性R2＝0.99。因此，在步驟120中工具A被選擇為金工具。
回到圖1，在步驟130，所選的測量工具被校準。在一個實施例中，校準採用了源自一個全世界可接受的機構的多個校準標準，例如，美國國家標準和技術所(MIST)就是一個全世界可接受的機構。
在另一個實施例中，該多個校準標準和用於步驟120的第一組校準標準源自同一個全世界可接受的機構或不同的全世界可接受的機構。在又一個實施例中，該多個校準標準是用於步驟120的第一組校準標準。
在步驟140，一個第二組校準標準被所選的測量工具測量。在一個實施例中，步驟140包括獲得該第二組校準標準。在另一個實施例中，該第二組校準標準提供了對於一個給定屬性的標準。例如，該給定的屬性與第一組校準標準提供的標準所相對的屬性是同樣的屬性。在另一個實施例中，該給定的屬性包括方塊電阻、膜厚度、和/或臨界尺寸。還有一個實施例，第二組校準標準所提供的標準是預定要與一套常用的期望值相等或接近的。
在另一個實施例中，步驟140，對於一個給定屬性，第二組校準標準的測量值被用做第二組校準標準的實際值，其中的給定屬性是由第二組校準標準提供標準的。例如，所選測量工具用於測量一套工作標準晶片的膜厚度，該套工作標準晶片具有不同的膜厚度級別。測量結果用做每套相應工作標準晶片的膜厚度的實際值。在另一個實施例中，該套工作標準晶片由造價較低的普通裸晶片製成，每一套都預定與一個常用的工作測量級別相匹配。
在步驟150，另一測量工具通過第二組標準進行校準。例如，另一測量工具是多個測量工具之一，在步驟120中被選的測量工具也出自該多個工具。在另一實施例中，步驟150被重複用於校準所有的除了在步驟120中被選的測量工具以外的該多個工具。
如上討論以及下面將要強調的，圖1是根據本發明的一個實施例的校準測量工具的方法；該圖僅僅為一個示例，不能用於限制本發明的權利範圍。根據本發明的一個實施例，方法100提供了源自一個全世界可接受的機構的第二組校準標準。例如，美國國家標準和技術所(MIST)就是一個全世界可接受的機構。
圖2是根據本發明的一個實施例顯示對第二組校準標準進行跟蹤的簡化方框圖；該圖僅僅為一個示例，不能用於限制本發明的權利範圍。本領域普通技術人員將能看出許多變化、替換和修改。如圖2所示，第二組校準標準的實際值由步驟140中所選的測量工具確定，該測量工具是採用步驟120中的第一組校準標準被選擇的，並根據步驟130中的多個校準標準進行校準。例如，該多個校準標準是第一組校準標準。用於選擇的第一組校準標準和用於校準的多個校準標準都是根據來自全世界可接受的機構的標準進行校準的。例如，美國國家標準和技術所(NIST)就是一個全世界可接受的機構。根據本發明的一個實施例，來自全世界可接受的機構的標準是根據國際重量和測量局(International Bureau of Weights and Measures，BIMP)的標準進行校準的。
如上討論以及下面將要強調的，圖1和圖2僅僅為一個示例，不能用於限制本發明的權利範圍。本領域普通技術人員將能看出許多變化、替換和修改。在一個實施例中，方法100被用做對測量工具進行校準，該工具用於除了半導體製作的其他用途。在另一個實施例中，該被校準的測量工具用於測量各種屬性的參數。例如，該屬性包括方塊電阻、膜厚度、和/或臨界尺寸。在又一個實施例中，一個半導體公司運營著幾家晶片製造廠。對於每一個測量功能，都可能有位於不同晶片生產廠的一個或更多牌子的很多工具。從協調的觀點看，根據方法100，所有這些工具都要按照同一套機構的標準晶片進行校準，這些晶片具有幾個厚度等級。
根據本發明的另一實施例，一種用於對多個測量系統進行校準的方法包括獲得第一組校準標準。該第一組校準標準與多個預定值相關聯。然後，該方法包括通過多個測量系統對該第一組校準標準進行測量以獲得第一組測量值；處理與該第一組測量值相關聯的信息；至少基於與該第一組測量值相關聯的信息，而從多個測量系統中選擇一個第一測量系統。另外，該方法還包括用第一組校準標準對該第一測量系統進行校準，獲得第二組校準標準，通過第一測量系統對第二組校準標準進行測量以獲得第二組測量值，第二組測量值的任意一個都與第二組校準標準之一相對應。還有，該方法包括用與第二組測量值相關聯的第二組校準標準對多個測量系統中的第二測量系統進行校準。例如，該方法是根據方法100進行實施的。
根據本發明的另一個實施例，一種對多個測量系統進行校準的方法包括獲得第一組校準標準，該第一組校準標準與多個預定值相關聯，並至少根據第一個與全世界可接受的機構相關聯的第一標準被校準。另外，該方法包括用多個測量系統對第一組校準標準進行測量，以獲得第一組測量值，處理與該第一組測量值相關聯的信息；至少基於與該第一組測量值相關聯的信息，而從多個測量系統中選擇一個第一測量系統。另外，該方法還包括用第二組校準標準對該第一測量系統進行校準，該第二組校準標準至少根據與第二個全世界可接受的機構相關聯的第二標準進行校準。還有，該方法包括獲得第三組校準標準。用第一測量系統對第三組校準標準進行測量，以獲得第二組測量值，第二組測量值的任意一個都與第三組校準標準之一相對應。還有，該方法還包括用與第二組測量值相關聯的第三組校準標準對多個測量系統中的第二測量系統進行校準。例如，該方法是根據方法100進行實施的。
根據本發明的另一個實施例，一種對多個測量系統進行校準的方法包括獲得第一組校準標準，該第一組校準標準與多個預定值相關聯。另外，該方法包括用多個測量系統對該第一組校準標準進行測量，以獲得第一組測量值，處理與該第一組測量值相關聯的信息；基於與該第一組測量值相關聯的信息，而確定該多個測量系統的多個不確定性。另外，該方法包括至少基於該多個不確定性的信息而從多個測量系統中選擇一個第一測量系統，並用第一組校準標準對該第一測量系統進行校準。另外，該方法還包括獲得第二組校準標準，用第一測量系統對第二組校準標準進行測量以獲得第二組測量值，用第二組校準標準對該組測量系統中的第二測量系統進行校準，該第二組校準標準與第二組測量值相關聯。例如，該方法是根據方法100進行實施的。
本發明有很多優點，一些實施例提供了可靠的關於測量工具的校準。某些實施例提供了一種與傳統給以技術相兼容的工藝，無須對傳統設備和工藝進行大的改動。一些實施例提供了低成本高效率的校準標準，可用於周期性的測量工具的校準。例如，校準標準機構源自一個全世界可接受的機構。一些實施例可通過提供精確的測量系統來改善量產的質量。一些實施例為交叉製造廠家的計量工具提供了一種可跟蹤的校準鏈。本發明的一些實施例採用了統計學方法來識別一個金工具以使校準鏈可被跟蹤。
還應當理解，這裡所描述的示例和實施例只是為了說明的目的，本領域的普通技術人員可以根據上述實施例對本發明進行各種修改和變化。這些修改和變化都在本申請的精神和範圍內，並且也在權利要求的範圍內。
權利要求
1.一種對多個測量系統進行校準的方法，包括獲得一個第一組校準標準，所述第一組校準標準與多個預定值相關聯；通過多個測量系統對所述第一組校準標準進行測量以獲得一個第一組測量值；處理與所述第一組測量值相關聯的信息；至少根據與所述第一組測量值相關聯的信息從所述多個測量系統中選擇一個第一測量系統；通過所述第一組校準標準對所述第一測量系統進行校準；獲得一個第二組校準標準；通過所述第一測量系統對所述第二組校準標準進行測量，以獲得一個第二組測量值，所述第二組測量值的每一個都與所述第二組校準標準中的一個相對應；通過所述第二組校準標準對所述多個測量系統中的一個第二測量系統進行校準，所述第二組校準標準與所述第二組測量值相關聯。
2.如權利要求1所述的方法，其中所述第一組校準標準包括多個晶片。
3.如權利要求2所述的方法，其中所述多個預定值至少與下列之一相關聯方塊電阻、膜厚度、以及臨界尺寸。
4.如權利要求1所述的方法，其中所述第二組校準標準包括多個晶片。
5.如權利要求4所述的方法，其中所述第二組測量值至少與下列之一相關聯方塊電阻、膜厚度、以及臨界尺寸。
6.如權利要求1所述的方法，其中所述多個預定值被用做所述第一組標準的實際值。
7.如權利要求1所述的方法，其中所述第二組測量值被用做所述第二組標準的實際值。
8.如權利要求1所述的方法，其中所述第一測量系統和所述第二測量系統是不同的。
9.如權利要求1所述的方法，其中所述的從多個測量系統中選擇一個第一測量系統的步驟包括至少根據與下列之一相關聯的信息而從所述多個測量系統中選擇所述第一測量系統測量偏差、線性屬性、以及總不確定性；包括測量偏差、線性屬性、以及總不確定性在內的組合至少與所述第一組測量值相關。
10.如權利要求1所述的方法，其中所述的處理與所述第一組測量值相關聯的信息的步驟包括對於所述的多個測量系統確定多個不確定性，每一個所述不確定性都與所述多個測量系統相關聯；所述的從多個測量系統中選擇一個第一測量系統的步驟包括至少根據與所述多個不確定性相關聯的信息而從所述多個測量系統中選擇所述第一測量系統。
11.如權利要求10所述的方法，其中所述多個不確定性為多個總不確定性。
12.如權利要求10所述的方法，其中所述第一測量系統與一個第一不確定性相關聯，所述第一不確定性是所述多個不確定性中最小的一個。
13.如權利要求1所述的方法，其中所述第一組校準標準根據至少一個標準被校準，該標準與一個全世界可接受的機構相關聯。
14.如權利要求13所述的方法，其中所述全世界可接受的機構是國家標準和技術所。
15.一種對多個測量系統進行校準的方法，包括獲得一個第一組校準標準，所述第一組校準標準與多個預定值相關聯，並至少根據一個第一標準而被校準，所述第一標準與一個第一全世界可接受的機構相關聯；通過多個測量系統對所述第一組校準標準進行測量以獲得一個第一組測量值；處理與所述第一組測量值相關聯的信息；至少根據與所述第一組測量值相關聯的信息而從所述多個測量系統中選擇一個第一測量系統；通過一個第二組校準標準對所述第一測量系統進行校準，所述第二組校準標準至少根據一個第二標準而被校準，所述第二標準與一個第二全世界可接受的機構相關聯；獲得一個第三組校準標準；通過所述第一測量系統對所述第三組校準標準進行測量，以獲得一個第二組測量值，所述第二組測量值的每一個都與所述第三組校準標準中的一個相對應；通過所述第三組校準標準對所述多個測量系統中的一個第二測量系統進行校準，所述第三組校準標準與所述第二組測量值相關聯。
16.如權利要求15所述的方法，其中所述第一全世界可接受的機構和所述第二全世界可接受的機構是同一個機構。
17.如權利要求15所述的方法，其中所述第一全世界可接受的機構和所述第二全世界可接受的機構是不同機構。
18.如權利要求15所述的方法，其中所述第一組校準標準和所述第二組校準標準相同。
19.如權利要求15所述的方法，其中所述第一組校準標準和所述第二組校準標準不同。
20.一種對多個測量系統進行校準的方法，包括獲得一個第一組校準標準，所述第一組校準標準與多個預定值相關聯；通過多個測量系統對所述第一組校準標準進行測量以獲得一個第一組測量值；處理與所述第一組測量值相關聯的信息；至少根據與所述第一組測量值相關聯的信息而對於所述多個測量系統確定多個不確定性；至少根據與所述多個不確定性相關聯的信息而從所述多個測量系統中選擇一個第一測量系統；通過所述第一組校準標準對所述第一測量系統進行校準；獲得一個第二組校準標準；通過所述第一測量系統對所述第二組校準標準進行測量，以獲得一個第二組測量值；通過所述第二組校準標準對所述多個測量系統中的一個第二測量系統進行校準，所述第二組校準標準與所述第二組測量值相關聯。
21.如權利要求20所述的方法，其中所述多個不確定性是多個總不確定性。
22.如權利要求20所述的方法，其中所述第一測量系統與一個第一不確定性相關聯，所述第一不確定性是所述多個不確定性中最小的一個。
全文摘要
一種對多個測量系統進行校準的方法，包括獲得一個第一組校準標準，該第一組校準標準與多個預定值相關聯。另外，該方法還包括通過多個測量系統對該第一組校準標準進行測量以獲得一個第一組測量值，處理與該第一組測量值相關聯的信息，至少依據與所述多個不確定性相關聯的信息而從所述多個測量系統中選擇一個第一測量系統，並通過第一組校準標準對該第一測量系統進行校準以獲得第二組校準標準，通過第一測量系統對第二組校準標準進行測量以獲得第二組測量值。
文檔編號G01D18/00GK1897242SQ20051002781
公開日2007年1月17日 申請日期2005年7月14日 優先權日2005年7月14日
發明者王邕保, 陳瑜 申請人:中芯國際集成電路製造(上海)有限公司