液體樹脂組合物、具粘合劑層的半導體晶片、具粘合劑層的半導體元件、封裝件及其製法的製作方法

2023-09-20 09:46:10 2

專利名稱：：液體樹脂組合物、具粘合劑層的半導體晶片、具粘合劑層的半導體元件、封裝件及其製法的製作方法
技術領域：
：本發明涉及液體樹脂組合物、具有粘合劑層的半導體晶片、具有粘合劑層的半導體元件、半導體封裝件以及半導體元件的製造方法和半導體晶片的製造方法。
背景技術：
：近來，諸如手提電話、個人數字助手(PDA)、DVC(數碼攝相機)等設備在其性能、小型化、輕量化方面取得了顯著進展，半導體封裝件的高性能化、小型化、輕量化的呼聲也越來越高。因此，嘗試將多個功能不同的半導體元件或多個功能相同的半導體元件安裝在一個封裝件內，從而提高半導體封裝件的性能；或者使半導體封裝件的尺寸儘可能地接近元件的尺寸，從而實現小型化和輕量化。由此，半導體元件向薄型化不斷發展，半導體元件和支持物(如金屬基板或有機基板等)之間的線焊墊(wire-bondpad)的距離越來越短。在半導體常規裝配方法的晶片粘接(dieattach)歩驟中，將液體晶片粘接材料塗布在支持物上，並在室溫下將半導體元件安裝於所述支持物上，然後通過加熱固化，使半導體元件粘合在支持物上。但是，存在一些潛在問題，例如晶片粘接材料對半導體元件表面或者線焊墊的汙染問題，以及由於晶片粘接材料的滲出(僅晶片粘接材料中液體成分通過毛細管現象移動的現象)導致的汙染。因此，需要使用其它方法，包括用膜型晶片粘接材料代替液體晶片粘接材料，將膜型晶片粘接材料粘接在支持物上後，在加熱下將半導體元件安裝於支持物上的方法；將帶有膜型晶片粘接材料的半導體晶片的背面粘接在切割板(dicingsheet)上，將其切片得到具有晶片粘接材料的半導體元件，然後在加熱下將所述半導體元件安裝在支持物上的方法；以及，將半導體晶片貼合在用作切割板的晶片粘合膜上，接著將其切片從而得到具有晶片粘接材料的半導體元件，然後通過加熱將所述半導體元件安裝在支持物上(例如，參見專利文獻1和2)。同時，半導體元件和支持物向薄型化發展是半導體元件更加多層化和半導體封裝件更加薄型化的趨勢。使用薄型支持物時，由於半導體封裝件組分間熱膨脹係數的差異，導致封裝件的翹曲更加明顯。另外，將低介電常數的絕緣膜用作層間絕緣膜，可以降低由配線間寄生電容引起的信號傳播速度的降低而導致的傳送延遲，從而產生更高速的半導體設備。但是，通常，低介電常數的絕緣膜易碎，且半導體元件的翹曲會導致絕緣層產生裂縫或分層。由於半導體封裝件或半導體元件的翹曲是由組成構件間熱膨脹係數的差異引起的，所以期望在使用膜型晶片粘接材料時，可以在較低的溫度下進行半導體元件的安裝。因此，為了降低半導體元件安裝過程中的溫度，需要使用玻璃化轉變溫度低的熱塑性成分，或者增加作為膜型晶片粘接材料的成分的低分子量成分，但是，這導致即使在接近室溫的溫度下也會具有膠粘性(粘性)。在接近室溫的溫度下的粘性通常會引起將半導體元件從切割板上剝下的步驟中的剝離性(pick-upproperty)降低，和剝下半導體元件在暫時置於其它平臺的步驟中，粘合在平臺上(例如，參見專利文獻3-5)。己經數次嘗試使用在室溫下不膠粘的材料作為晶片級晶片尺寸封裝件的密封材料(例如，專利文獻6-8)。在這些發明中，將樹脂組合物塗布在具有凸起(例如焊劑)的晶片上，並在切片前通過加熱使其不膠粘，但是由於在隨後的步驟中同時進行密封和焊劑結合，所以必須在焊劑的熔點以上進行結合(bond)。如上所述，目前沒有任何樹脂組合物能夠滿足可以在低溫下進行安裝，同時在室溫下不膠粘的要求。專利文獻l:特開第2002-294177號公報；專利文獻2:特開第2003-347321號公報；專利文獻3:特開第1994-132327號公報；專利文獻4:特開第1995-201897號公報；專利文獻5:特開第2000-252303號公報；專利文獻6專利文獻7專利文獻8特開第2000-174044號公報;特開第2001-93940號公報；特開第2003-212964號公報。
發明內容為了解決上述問題，本發明的目的是提供可以在低溫下在支持物上進行安裝，並且加熱後在室溫下不膠粘的液體樹脂組合物；具有由所述液體樹脂組合物形成的粘合劑層的半導體晶片；具有由所述液體樹脂組合物形成的粘合劑層的半導體元件；利用所述液體樹脂組合物製造的半導體封裝件；具有可以在低溫下被安裝在支持物上並且在室溫下不膠粘的粘合劑層的半導體元件的製造方法；以及半導體封裝件的製造方法。可以通過下述[l]-[25]的本發明實現該目的。[l].用於將半導體元件結合在支持物上的液體樹脂組合物，其中在12(TC加熱處理所述液體樹脂組合物IO分鐘後，所述液體樹脂組合物在25。C的粘性為0.05N以下且在80。C的粘性為1N以上。[2].如[l]所述的液體樹脂組合物，其中，在所述加熱處理後，所述液體樹脂組合物中揮發物的含量為1重量％以下。[3].如[l]所述的液體樹脂組合物，其中，在所述加熱處理前通過GPC測定的所述液體樹脂組合物中，分子量為2005000的面積(b)與分子量為200以上的面積(a)的比例(b/a)為0.6以上。[4].如[l]所述的液體樹脂組合物，其中，在所述加熱處理後通過GPC測定的所述液體樹脂組合物中分子量為2005000的面積(b')和分子量為200以上的面積(a')的比例(b'/a')與在所述加熱處理前通過GPC測定的所述液體樹脂組合物中分子量為2005000的面積(b)和分子量為200以上的面積(a)的比例(b/a)的比值[(b，/a，)/(b/a)]為0.7以上。[5].如[l]所述的液體樹脂組合物，其包含具有縮水甘油基的化合物(A)和具有酚羥基的化合物(B)。問.如[5]所述的液體樹脂組合物，其中，所述具有酚羥基的化合物(B)包含分子量為1000以下的化合物(Bl)和分子量為15005000的化合物(B2)。[7].如[6]所述的液體樹脂組合物，其中，所述化合物(B2)為含有羥基苯乙烯作為單體成分的化合物。[8].如[6]所述的液體樹脂組合物，其中，所述化合物(B2)的分散度為1.5以下。[9].如[6]所述的液體樹脂組合物，其中，所述化合物(Bl)與所述化合物(B2)的重量比為0.67。[10].具有粘合劑層的半導體晶片，所述粘合劑層由包含熱固性樹脂和溶劑的液體樹脂組合物形成，其中，所述粘合劑層在25'C的粘性為0.05N以下且在8(TC的粘性1N以上。如[10]所述的具有粘合劑層的半導體晶片，其中，所述粘合劑層中的揮發物含量為1重量％以下。[12].如[10]所述的具有粘合劑層的半導體晶片，其中，所述粘合劑層是通過加熱處理液體樹脂組合物而形成，所述液體樹脂組合物中通過GPC測定的分子量為2005000的面積(b)與分子量為200以上的面積(a)的比例(b/a)為0.6以上。[13].如[10]所述的具有粘合劑層的半導體晶片，其中，所述粘合劑層是通過加熱處理所述液體樹脂組合物而形成，所述粘合劑層通過GPC測定的中分子量為2005000的面積(b')和分子量為200以上的面積(a')的比例(b'/a')與在加熱處理前通過GPC測定的所述液體樹脂組合物中分子量為2005000的面積(b)和分子量為200以上的面積(a)的比例(b/a)的比值[(b，/a，)/(b/a)〗為0.7以上。[14].如[10]所述的具有粘合劑層的半導體晶片，其中，所述粘合劑層的表面粗糙度為士5)im。[15].如[10]所述的具有粘合劑層的半導體晶片，其中，所述切割板與具有粘合劑層的半導體晶片在粘合劑層一面結合。[16].具有粘合劑層的半導體元件，其中，通過切割將[15]所述的具有粘合劑層的半導體晶片切片。[17].半導體封裝件，其中，將[16]所述的具有粘合劑層的半導體元件安裝在支持物上。[18].半導體元件的製造方法，其包括塗布步驟在晶片的一面塗布由包含熱固性樹脂和溶劑的液體樹脂組合物構成的粘合劑；揮發步驟揮發所述溶劑，同時實質上保持所述液體樹脂組合物的分子量，形成粘合劑層；結合步驟將切割板結合至所述晶片的一面；以及切片步驟將所述晶片切片；其中，在所述揮發步驟後粘合劑層在25'C的粘性為0.05N以下，在8(TC的粘性為1N以上。[19].如[18]所述的半導體元件的製造方法，其中，在所述塗布步驟中，通過GPC測定的所述液體樹脂組合物中分子量為200以上的面積(a)與分子量為2005000的面積(b)的比例(b/a)為0.6以上。[20].如[18]所述的半導體元件的製造方法，其中，在所述揮發步驟後通過GPC測定的所述粘合劑層中分子量為2005000的面積(b')和分子量為200以上的面積(a')的比例(bVa')與在所述塗布步驟中通過GPC測定的所述液體樹脂組合物中分子量為2005000的面積(b)和分子量為200以上的面積(a)的比例(b/a)的比值[(b，/a，)/(b/a)]為0.7以上。[21].如[18]所述的半導體元件的製造方法，其中，在所述揮發步驟後所述粘合劑層中揮發物的含量為1重量％以下。[22].如[18]所述的半導體元件的製造方法，其中，在所述塗布步驟中，通過旋轉塗布法將由所述液體樹脂組合物製備的所述粘合劑塗布在所述晶片的一面。[23].如[18]所述的半導體元件的製造方法，其中，在所述塗布步驟中，噴塗所述液體樹脂組合物的噴嘴相對於所述晶片移動，將所述液體樹脂組合物塗布在所述晶片的一面。[24].半導體封裝件的製造方法，其包括以下步驟將通過[18]所述方法製造的半導體元件安裝在支持物上的步驟。[25].如[24]所述的半導體封裝件的製造方法，其中，將所述半導體元件安裝在支持物上的步驟是在200°C以下進行。本發明提供了可以在低溫下在支持物上安裝、且在室溫下不膠粘的液體樹脂組合物；具有利用所述液體樹脂組合物製成的粘合劑層的半導體晶片；具有利用所述液體樹脂組合物製成的粘合劑層的半導體元件；利用所述液體樹脂組合物製造的半導體封裝件；半導體元件的製造方法；以及半導體封裝件的製造方法。參考以下闡述的合適的實施方案和附圖，將更加清楚的理解本發明以上闡述的目的以及其它目的、特徵和優勢。圖1為本發明一個實施方案中所述半導體封裝件的製造方法的示意圖。圖2為本發明一個實施方案中所述液體樹脂組合物的塗布方法的示意圖。最佳實施方式以下對本發明進行闡述。液體樹脂組合物本發明所述液體樹脂組合物作為粘合劑塗布在，例如半導體晶片的背面。將半導體晶片與液體樹脂組合物一起加熱並切割，從而得到具有粘合劑層的半導體元件。可以將所述帶有粘合劑層的半導體元件安裝在支持物上，從而得到半導體封裝件。將液體樹脂組合物以50pm的厚度塗布在晶片的一面，並在12(TC加熱10分鐘後，所述液體樹脂組合物在25"C的粘性為0.05N以下，且在8(TC的粘性為1N以上。特別地，將液體樹脂組合物以50!im的厚度塗布在晶片的一面，並在12(TC加熱處理10分鐘後，所述液體樹脂組合物在25'C的粘性優選為0.02N以下，且在80'C的粘性優選為1.5N以上。將液體樹脂組合物以5(Vm的厚度塗布在晶片的一面，並12(TC加熱處理10分鐘後，所述液體樹脂組合物中揮發物的含量優選為1重量％以下。表面粗糙度(厚度精度)優選為士5]im以內，並且此類液體樹脂組合物優選含有在室溫下固化的熱固性樹脂和溶解該熱固性樹脂的溶劑(稀釋劑)。此類熱固性樹脂的實例可以包括在室溫下固化的環氧樹脂、在室溫下固化的丙烯酸樹脂、在室溫下固化的馬來醯亞胺樹脂以及在室溫下固化的酚醛樹脂。特別優選為，但不限於包含具有縮水甘油基的化合物(A)和具有酚羥基的化合物(B)的組合物，其中，所述具有酚羥基的化合物(B)優選包含分子量為1000以下的化合物(Bl)和分子量為1500-5000的化合物(B2)。本文所使用的分子量為由GPC(凝膠滲透色譜)測定的數均分子量(Mn)。具有縮水甘油基的化合物(A)優選在一個分子內具有兩個以上縮水甘油基且在室溫下為固態的環氧樹脂，更優選軟化點為40-80°C。當軟化點低於所述範圍時，將組合物塗布於晶片的一面並加熱後，其在25"C的粘性為0.05N以上；當軟化點高於所述範圍時，組合物在8(TC的粘性為1N以下。此類環氧樹脂的實例包括，酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、酚醛芳烷基型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂和具有三苯基次甲基骨架的環氧樹脂、具有萘骨架的環氧樹脂以及具有蒽骨架的環氧樹脂，但使用可結晶的樹脂時必須注意，因為此類樹脂會在液體樹脂組合物中析出或者在塗布於晶片的一面並加熱後析出。另外，可以通過，例如JISK7234的環球法測定軟化點。具有酚羥基的化合物(B)優選為例如在25"C為固態的酚醛樹脂，尤其優選地，具有酚羥基的化合物(B)包含分子量為1000以下的化合物(Bl)和分子量為1500-5000的化合物(B2)。當單獨使用分子量為1000以下的化合物(Bl)時，將塗布於晶片一面的所述組合物在12(TC加熱10分鐘後，其在25。C和8(TC時的粘性良好，在25"C時的粘合強度良好，但在13(TC和175'C下的粘合強度極低。因此，當將具有粘合劑層的半導體元件安裝在支持物上，然後在沒有後固化的情況下進行引線接合時，半導體元件在引線接合過程中移動，從而導致一些問題，例如引線接合不良以及密封樹脂的過程中半導體元件發生脫落。因此，通過與分子量為1500-5000的化合物(B2)—起使用，可以改善將具有粘合劑層的半導體元件安裝在支持物上後，在13(TC和175。C的粘合強度。另一方面，當化合物(B2)作為化合物(B)單獨使用時，液體樹脂組合物粘度非常高，加熱處理塗布在晶片一面的所述組合物後，其在8(TC的粘性太低而不能在低溫下進行安裝。化合物(Bl)和化合物(B2)的重量比例，即(Bl)/(B2)，優選為0.1~9，更優選為0.67，進一步優選為0.8~3。對化合物(Bl)沒有特別限定，只要其具有兩個以上酚羥基，並且分子量為1000以下。具體的實例包括，雙酚，例如雙酚-A、雙酚-F和雙酚-S;通過酚或其衍生物與甲醛反應獲得的化合物，例如酚醛清漆和甲酚酚醛清漆;通過酚或其衍生物與苯甲醛反應獲得的化合物；酚芳烷基型酚醛樹脂；雙酚芳烷基型酚醛樹脂；聯苯芳烷基型酚醛樹脂；以及在一個分子中具有兩個以上酚羥基(含有直接與芳環結合的羥基，例如萘酚羥基)並具有萘骨架或蒽骨架的化合物。化合物(Bl)的軟化點高時，可以加入環氧樹脂來降低混合物的軟化點，因此，軟化點為約15(TC的化合物也可以滿足使用要求。對化合物(B2)沒有具體限定，只要其具有兩個以上酚羥基並且分子量為1500-5000，尤其優選含有羥基苯乙烯作為單體成分的化合物，具體地，其為通過羥基苯乙烯單獨進行自由基聚合或離子聚合或者羥基苯乙烯與可與其共聚的化合物進行自由基聚合或離子聚合獲得的分子量為1500-5000的聚羥基苯乙烯或羥基苯乙烯共聚物。更優選分子量為1500-3000的聚羥基苯乙烯或羥基苯乙烯共聚物。上述該類化合物(B2)，尤其優選分散度(通過GPC測定的重均分子量(Mw)與數均分子量(Mn)的比例)為1.5以下的化合物，原因是其有利於在安裝後獲得良好的低溫安裝特性以及130。C和175X:的良好粘合強度。更優選的分散度為1.3以下。當使用分散度為1.5以上的化合物(B2)時，液體樹脂組合物的粘度會太高，在低溫下的安裝特性會降低。化合物(A)和化合物(B)的比例優選能夠使縮水甘油基酚羥基為1:0.7至1丄3。更優選地，縮水甘油基酚羥基為1:0.9至1丄1。可以加入早強劑(hardeningaccelerator)以促進縮水甘油基和酚羥基的反應。可以使用的早強劑的實例包括咪唑和含磷化合物。雖然通常含有通過能量束(例如紫外線)引發反應的光引發劑的樹脂組合物是已知的，但是因為液體樹脂組合物的塗布、加熱、切割和半導體元件安裝的一系列操作通常在螢光燈照明下進行，所以並不期望加入光引發劑。當含有光引發劑時，在通過旋轉塗布法塗布液體樹脂組合物的步驟中，例如，樹脂組合物的粘度會隨時間改變，從而難以獲得具有穩定厚度的粘合劑層。另外，由於液體樹脂組合物是通過絲網印刷、蠟紙印刷或旋轉塗布法被塗布到晶片的一面的，所以優選所使用的稀釋劑能夠溶解熱固性樹脂，並且沸點為100-240°C。如果熱固性樹脂是不可溶的，塗布後表面會不均，從而在隨後的切片過程中出現問題(例如晶片翹起)，並且還會在安裝在支持物的過程中殘留空氣。如果所用的稀釋劑的沸點為IO(TC以下，由於揮發會使塗布過程中的粘度發生顯著變化，從而會引起厚度的不均以及模糊的區域(blurredregion);如果沸點高於24(TC，加熱後會保留太多的揮發物，從而可能導致殘餘粘性。對該類稀釋劑沒有特別限制，只要其能夠充分溶解所使用的熱固性樹脂，但是由於是用於半導體的，所以不使用含滷素的稀釋劑。另外，不使用會降低液體樹脂組合物的貯藏穩定性的稀釋劑(包括諸如伯胺和仲胺的胺稀釋劑)。可以使用的稀釋劑的實例包括可以單獨或組合使用的以下稀釋劑。具體的實例包括，2，2，3-三甲基戊烷、壬垸、2,2，5-三甲基己烷、癸垸、十二烷、l-辛烯、l-壬烯、l-癸烯、甲苯、鄰二甲苯、間二甲苯、對二甲苯、乙苯、異丙苯、均三甲苯、四氫化萘、正丁苯、仲丁苯、叔丁苯、對甲基異丙基苯、鄰二乙基苯、間二乙基苯、對二乙基苯、戊苯、甲基環己烷、乙基環己烷、對薄荷垸(p-menthane)、雙環己烷、a-蒎烯、二戊烯、萘烷、1-丁醇、異丁醇、l-戊醇、2-戊醇、3-戊醇、2-甲基-l-丁醇、異戊醇、叔戊醇、3-甲基-2-丁醇、新戊醇、l-己醇、2-甲基-l-戊醇、4-甲基-2-戊醇、2-乙基-l-丁醇、1-庚醇、2-庚醇、3-庚醇、l-辛醇、2-辛醇、2-乙基-l-己醇、l-壬醇、3,5,5-三甲基-l-己醇、1-癸醇、苯甲醇、環己醇、1-甲基環己醇、2-甲基環己醇、3-甲基環己醇、a-松油醇、1,2-乙二醇、1，2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、2，3-丁二醇、2-丁烯-l,4-二醇、2-甲基-2,4-戊二醇、丁醚、己醚、苯甲醚(anisol)、苯乙醚(phenetol)、苯丁醚、苯戊醚、鄰甲氧基甲苯、m-甲氧基甲苯、對甲氧基甲苯、苯甲基乙基醚、二氧雜環乙垸、1，2-二乙氧基乙垸、1，2-二丁氧基乙烷、二甘醇二甲基醚、二甘醇二乙基醚、1-甲基甘油醚、2-甲基甘油醚、1,2-二甲基甘油醚、1,3-二甲基甘油醚、三甲基甘油醚、1-乙基甘油醚、1,3-二乙基甘油醚、三乙基甘油醚、乙縮醛、2-戊酮、3-戊酮、2-己酮、甲基異丁基酮、2-庚酮、4-庚酮、二異丁基酮、丙酮基丙酮、異亞丙基丙酮、異佛爾酮、環己酮、甲基環己酮、甲酸丁酯、甲酸戊酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、乙酸異丁酯、乙酸仲丁酯、乙酸戊酯、乙酸異戊酯、乙酸3-甲氧基丁酯、乙酸仲己酯、乙酸2-乙基丁酯、乙酸2-乙基己酯、乙酸環己酯、乙酸苯甲酯、丙酸丁酯、丙酸異戊酯、丁酸甲酯、丁酸乙酯、丁酸丁酯、丁酸異戊酯、異丁酸異丁酯、異戊酸乙酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸丙酯、，丁內酯、草酸二乙酯、草酸二戊酯、丙二酸二乙酯、馬來酸二甲酯、馬來酸二乙酯、檸檬酸三丁酯、乙二醇單乙酸酯、乙二醇二乙酸酯、乙二醇單甲酸酯、乙二醇單丁酸酯、二乙二醇單乙酸酯、甘油單乙酸酯、碳酸二乙酯、N，N-二甲基甲醯胺、N,N-二乙基甲醯胺、N，N-二甲基乙醯胺、N,N，N',N'-四甲基脲、N-甲基吡咯垸酮、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、2-(甲氧基乙氧基)乙醇、2-異丙氧基乙醇、2-丁氧基乙醇、2-(異戊氧基)乙醇、2-(己氧基)乙醇、糠醇、四氫糠醇、二甘醇、二甘醇單甲醚、二甘醇單乙醚、二甘醇單丁醚、l-甲氧基-2-丙醇、l-乙氧基-2-丙醇、二丙二醇、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、二丙酮醇、N-乙基嗎啉、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、乙酸2-甲氧基乙酯、乙酸2-乙氧基乙酯、乙酸2-丁氧基乙酯、二甘醇單乙醚乙酸酯、乙醯乙酸甲酯和乙醯乙酸乙酯。其中，尤其優選沸點為150-220。C的稀釋劑，尤其優選地，二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、2-庚酮、二異丁基酮、環已酮、甲基環已酮、乙酸3-甲氧基丁酯、乙酸2-乙基丁酯、丁內酯、乙二醇單乙酸酯、乙二醇二乙酸酯、2-丁氧基乙醇、二甘醇單甲醚、二甘醇單乙醚、二丙二醇單甲醚、二丙酮醇、乙酸2-乙氧基乙酯、乙酸2-丁氧基乙酯以及二甘醇單乙醚乙酸酯。本發明的液體樹脂組合物可包含熱塑性樹脂。熱塑性樹脂的使用可以降低交聯密度以及固化產物的彈性模量。優選的熱塑性樹脂的實例包括苯氧樹脂以及(甲基)丙烯酸酯的聚合物，尤其適合使用通過作為主要成分的(甲基)丙烯酸乙酯或(甲基)丙烯酸丁酯與(甲基)丙烯酸縮水甘油酯和丙烯腈共聚合製備的化會物。然而，當過量使用此類高分子量的熱塑性樹脂時，塗布在晶片一面並加熱後，8(TC的粘性小於1N。另一方面，可以使用低玻璃轉變溫度的熱塑性樹脂，以塗布在晶片一面並加熱後將8(TC的粘性保持在好的水平，但是這會導致塗布在晶片一面並加熱處理後在25'C的粘性大於0.05N，或者安裝在支持物上的具有粘合劑層的半導體元件在13(TC和175°C的粘合力極低。因此，如果使用，相對於化合物(A)、化合物(B)和熱塑性樹脂的總量，熱塑性樹脂的加入量優選為40重量％以下。更優選為30重量％以下，尤其優選為25重量°/。以下。另外，如果需要，本發明的液體樹脂組合物可以包含偶聯劑、均化劑、消泡劑和表面活性劑。本發明的液體樹脂組合物可以例如通過在裝配有加熱單元和攪拌器的攪拌機中混合併加熱溶劑、化合物(A)、化合物(B)和熱塑性樹脂(如果需要則加入熱塑性樹脂)從而產生均質溶液，將其冷卻至25"C，加入添加劑(例如早強劑和偶聯劑等)，並進一步混合該混合物而製得。液體樹脂組合物優選滿足條件在GPC測量中分子量為200-5000的面積(b)與分子量為200以上的面積(a)的比例(b/a)為0.6以上，特別優選為0.7，更優選為0.8以上。如果(b/a)小於0.6，加熱後在8(TC的粘性則不足，從而會使具有粘合劑層的半導體元件的安裝特性受損。在此，利用WatersAlliance(2695分離模塊，2414折光檢測器，TSKGelGMHHR-Lx2+TSK保護柱HHR-Lxl,移動相THF，1.0mL/min)進行GPC測量，測量條件為柱溫40.0°C、示差折光檢測器的內部溫度40.0°C、樣品注射體積lOO)iL、樣品濃度l-5mg/mL。利用ShodexStandardSL-105(ShowaDenkoK.K.)獲得分子量標準曲線。另外，對於液體樹脂組合物，當(b'/a')被定義為，在晶片的一面塗布厚度為5(Hrni的所述組合物並在12(TC加熱10分鐘後，由GPC測定的粘合劑層中分子量為200-5000的面積(b')與分子量為200以上的面積(a')的比例，其與上述b/a的比值[(b，/a，)/(b/a)]優選為0.7以上。比值[(b，/a，)/(b/a)]尤其優選為0.8以上。如果比例[(b，/a，)/(b/a)]小於0.7，加熱處理後在8(TC的粘性不足，從而會降低具有粘合劑層的半導體元件的安裝特性。當通過旋轉塗布法將液體樹脂組合物塗布在晶片的一面時，不期望液體樹脂組合物中存在微米級固體，原因是該固體引起粘合劑層在加熱後表面光滑度的降低，並形成針孔孔穴。因此，必須細心觀察液體樹脂組合物中使用的熱固性樹脂或早強劑的析出。在液體樹脂組合物的製備中，優選通過lOiim的過濾器過濾，更優選通過10pm的過濾器過濾後接著通過3pm的過濾器過濾，尤其優選進一步通過lpm的過濾器過濾。另外，在旋轉塗布中，不能使用填料(filler)。液體樹脂組合物的粘度優選為1Pa，s40Pa，s。當粘度高於或低於此範圍時，在旋轉塗布後不能得到厚度適當的粘合劑層。利用E型粘度計(TokiSangyoCo.,Ltd.,3degreecom)測量在25。C和2.5rpm時的粘度值。粘度範圍更優選為2Pa*s~30Pa*s，進一步優選為2Pa*s~15Pa's。下面，將參考圖1和圖2，說明具有粘合劑層的半導體晶片、具有粘合劑層的半導體元件以及使用上述液體樹脂組合物的半導體封裝件的製造方法。塗布步驟如圖1(A)所示，將上述液體樹脂組合物塗布在具有引線接合用焊墊等的半導體晶片2的背面(電路表面的背面)。在圖1中，附圖標記1表示液體樹脂組合物。此時，半導體晶片2的表面可以不具有電路。通常，為了控制厚度，在切割前對半導體晶片進行背面研磨，並在背面研磨後塗布液體樹脂組合物1。所述液體樹脂組合物的塗布方法可以為，例如絲網印刷、蠟紙印刷或旋轉塗布法，出於塗布厚度的穩定性和表面平滑度的考慮，優選旋轉塗布法。可以按照本領域的公知方法進行旋轉塗布。簡而言之，將粘接有背面研磨膠帶(粘接在電路表面的膠帶，用以在背面研磨過程中保護晶片的電路表面)的晶片固定在旋轉塗布器上，晶片的背面朝上，同時在15-4(TC將液體樹脂組合物塗布在晶片的中心，旋轉晶片均勻地將液體樹脂組合物塗布在晶片的整個背面。優選所使用的背面研磨膠帶足夠耐熱，以耐受隨後的加熱處理步驟，並優選其具有晶片支持功能(防止背面研磨後被薄化的晶片的翹曲或變形)。不期望旋轉塗布的溫度低於15°C，因為此時液體樹脂組合物粘度太高而不能在塗布後產生均勻的厚度；也不期望旋轉塗布的溫度高於4(TC，因為由揮發引起的液體樹脂組合物粘度的變化會引起塗布厚度不均。更優選的溫度範圍是20-30°C，並且為了獲得更加穩定的塗布厚度，優選將塗布環境的溫度控制在土2。C以內。晶片的旋轉速度通常為300-10000rpm，與所使用的液體樹脂組合物的粘度、塗布溫度以及期望的塗布厚度有關。可以通過將液體樹脂組合物塗布在靜止的晶片上，然後漸漸旋轉晶片的方法來塗布液體樹脂組合物；或者通過將液體樹脂組合物塗布在低速(例如300rpm)旋轉的晶片上，然後如果需要則增加旋轉速度的方法來塗布液體樹脂組合物。另外，如圖2所示，可以利用裝置6進行液體樹脂組合物的塗布。此時，當旋轉晶片2時，噴吐液體樹脂組合物的噴嘴61從晶片的中心移動至邊緣(如圖2中箭頭所示的方向)，從而向晶片2的一面塗布液體樹脂組合物。噴嘴61相對於晶片2進行移動。此類方法可以用於降低液體樹脂組合物的塗布損失。另外，對噴嘴61的移動速度和晶片2的旋轉速度沒有特定限制，但是，例如可以以從晶片2的中心至邊緣的移動速度逐漸降低的方式移動噴嘴61。在使用圖2所示的裝置6的方法中，液體樹脂組合物可以含有填料。揮發步驟接著，對塗布有液體樹脂組合物l的半導體晶片2進行加熱。在該揮發步驟中，以不改變液體樹脂組合物1的分子量的程度(g卩，液體樹脂組合物1基本不固化的程度)加熱晶片。此時，揮發步驟後，液體樹脂組合物1成為粘合劑層1'(參見圖1(B))。具體地，當(b'/a')被定義為，揮發步驟後通過GPC測定的粘合劑層中分子量為200-5000的面積(b，)與分子量為200以上的面積(a，)的比例，(b/a)為塗布步驟中通過GPC測定的粘合劑層(液體樹脂組合物)中分子量為200-5000的面積(b)與分子量為200以上的面積(a)的比例，(b'/a')與(b/a)的比值[(b，/a，)/(b/a)]優選為0.7以上，更優選為0.8以上。如上所述，可以通過不改變液體樹脂組合物1的分子量的方式進行加熱，從而防止在將半導體元件安裝於支持物的安裝溫度下粘合劑層l，的粘度出現增加。由此，可以在隨後將半導體元件安裝於支持物的安裝步驟中，提高低溫下的安裝特性。可以在熱板上、烘箱中、回流爐等中進行加熱，加熱溫度優選為200°C以下，更優選為150'C以下。原因是，較低的處理溫度可以減少處理後的翹曲。處理時間優選為30分鐘以下。超過此範圍的處理時間將導致產量降低，並導致處理後的翹曲。特別優選的加熱條件為，15(TC以下加熱15分鐘以下，例如12(T(J加熱IO分鐘。加熱後粘合劑層l'的厚度優選為200imi以下，更優選為5-50)im。可以通過調整塗布條件和液體樹脂組合物1的粘度來控制厚度。例如，低粘度的液體樹脂組合物i可以用於產生較薄的粘合劑層r，當利用旋轉塗布法塗布時，可以增加塗布過程中的旋轉速度以產生較薄的粘合劑層r。雖然當使用膜型晶片粘接材料時必定製得具有期望厚度的膜，但是可以通過調整塗布條件和液體樹脂組合物1的粘度來控制所述厚度。當粘合劑層r在加熱後含有大量的揮發物時，會引起粘合劑層r膠粘，剝離性下降，並在隨後安裝至支持物上時形成孔穴，因此，將液體樹脂組合物l以50pm的厚度塗布在晶片背面，然後在12(TC加熱10分鐘後，揮發物的含量優選為1重量％。此時，塗布後，通過非接觸式厚度計測量液體樹脂組合物的厚度。另外，按照以下闡述進行揮發物含量的測量。將塗布有50±5)im液體樹脂組合物的晶片在被控制在120±5°C的烘箱內加熱10±1分鐘，然後從烘箱中取出，在晶片冷卻前通過抹刀取5-30mg的粘合劑層樣品。接著，以1(TC/分鐘的速率從25。C升高至30(TC的同時，通過熱重分析法(TGA)測定粘合劑層樣品，得到失重曲線。將該失重曲線((通過TGA測定的粘合劑層樣品的重量-20(TC時粘合劑層樣品的重量)/通過TGA測定的粘合劑層樣品的重量)中20(TC的失重率定義為揮發物的含量。失重率更優選為0.5重量％以下，尤其優選為0.1重量％以下。優選地，粘合劑層1'在25'C不具有粘性。如果粘合劑層r膠粘，可在晶片的安裝步驟中(在該步驟中，晶片層壓在切割板上)產生不良移動，並在隨後的剝離步驟中產生問題。因此，如在"液體樹脂組合物"部分的闡述，在將液體樹脂組合物以50pm的厚度塗布在晶片背面，然後在12(TC加熱10分鐘後，粘合劑層在25。C的粘性(粘性指標)為0.05N以下。另外，如在"液體樹脂組合物"部分的闡述，考慮到低溫下半導體元件的安裝特性，將液體樹脂組合物以50pm的厚度塗布在晶片背面，然後在120°C加熱10分鐘後，粘合劑層在80。C的粘性為1N以上。利用粘性檢測儀(tackinesstester,RHESCACompanyLtd.)測量粘性，測量條件為探針下降速度(浸入速度)30mm/min，檢測速度600mm/min，粘合載量(預載量)0.2N，粘合持續時間(按壓時間)1.0秒，探針5.1匪(D(SUS304)。按照以下方法測定上述粘性。將塗布有50±5Mm液體樹脂組合物的晶片在120±5°C的烘箱中加熱處理10士1分鐘，然後冷卻。接著，以粘合劑層朝下的方式將晶片層壓在切割板(SumitomoBakeliteCo.，Ltd.，FSL-N4003)上，並利用切割鋸將晶片切割成6x6mm的切片。手工將一部分以6x6mm切片的具有粘合劑層的半導體元件從切割板上剝下，並在上述粘性測定條件下測定粘合劑層一面在25°C和8(TC的粘性。另夕卜，本發明中，在120。C加熱10分鐘表示在120±5。C加熱10±1分鐘。通過該步驟制斧的具有粘合劑層的晶片5的粘合劑層1，在25'C的粘性為0.05N以下，在80。C的粘性為1N以上。在上述條件下測定粘性。即，禾U用粘性測試儀(RHESCACompanyLtd.)測量粘性，測量條件為探針下降速度(浸入速度)30mm/min，檢測速度600mm/min，粘合載量(預載量)0.2N，粘合持續時間(按壓時間)l.O秒，探針5.1mmO(SUS304)。通過粘合劑層朝下的方式將具有粘合劑層的晶片層壓在切割板(SumitomoBakeliteCo.,Ltd.，FSL-N4003)上，並利用切割鋸將晶片切割成6x6mm的切片。手工將一部分切片為6x6mm的具有粘合劑層的半導體元件從切割板上剝下，並在上述粘性測定條件下測定粘合劑層一面在25。C和8(TC的粘性。粘合劑層l，中揮發物的含量為1重量％以下。揮發物的含量也是通過上述方法測定的；具體地，在揮發後晶片冷卻前，通過抹刀取5-30mg的粘合劑層樣品。以1(TC/分鐘的速率從25"升高至30(TC的同時，通過熱重分析法(TGA)測定粘合劑層樣品，得到失重曲線。將該失重曲線((通過TGA測定的粘合劑層樣品的重量-20(TC時粘合劑層樣品的重量)/通過TGA測定的粘合劑層樣品的重量)中20(TC的失重率定義為揮發物的含量。另外，具有粘合劑層的晶片5中粘合劑層l'的厚度精確度(表面粗糙度)優選在士5pm以內，更優選在士3pm以內。如本文所使用的，術語"厚度精確度"指通過雷射粗糙度測量計從平均表面形貌測定的晶片平面內的不規則性變化差異。如果厚度精確度高於此範圍，則不能獲得穩定的厚度。層壓步驟、切片步驟接著，如圖l(B)所示，將具有粘合劑層的晶片5層壓在切割板3上，然後如圖1(C)所示進行切片。圖1(C)所示的虛線為切割線。在此，具有粘合劑層的晶片5被完全切割，並且切割板3被切割到中間厚度。切割板3可以從商購產品中選擇。通常利用專用裝置(例如切割鋸)進行切片，從19而產生具有粘合劑層的半導體元件4。如上所述，當粘合劑層不夠平滑時，會在粘合劑層和切割板間留存空氣，從而在切割過程導致晶片破裂(晶片邊緣的破裂)、晶片出現裂縫(晶片邊緣形成裂縫)和晶片翹起(晶片在切割過程中從切割板脫離)，並由此降低具有粘合劑層的半導體元件4的產量。另外，切割板3與具有粘合劑層的晶片5的具有粘合劑層的一面結合。通過上述步驟，製備具有粘合劑層的半導體元件4(參見圖l(D))。在圖1(D)，附圖標記2'表示通過切割半導體晶片2製備的半導體元件。半導體封裝件的製造方法將由此製備的具有粘合劑層的半導體元件4和切割板3層壓(切割板3與晶片環層壓)，並固定在晶片粘合機(diebonder)內。然後，將其剝離(從切割板3剝離半導體元件的步驟)，並如圖l(D)所示，在加熱下將其安裝在的支持物W上。在剝離的過程中，必須在其界面將具有粘合劑層的半導體元件4從切割板3上剝下，如果粘合劑層l，在25。C的粘性大於0.05N，將會產生問題，例如，不能剝離半導體元件，具有粘合劑層的半導體元件4在剝離過程中易位使其不能被準確地安裝，以及一部分粘合劑層r保留在切割板3上。安裝本發明的具有粘合劑層的半導體元件4的支持物可以是，例如引線框架或有機基板。圖l(D)中，支持物W為有機基板。另外，當具有粘合劑層的半導體元件4被層壓在另一個半導體元件上時，所述另一個半導體元件稱為支持物。優選將所述另一個半導體元件安裝在引線框架、有機基板等上。半導體元件的安裝溫度優選為20(TC以下，更優選為15(TC以下。高溫下進行半導體元件的安裝常常會引起翹曲。另外，在安裝半導體元件的過程中施加荷重，並且荷重依賴於晶片粘合機的類型。雖然在一些類型的粘合機(LOC粘合機)中，可以對每個半導體元件施加20N的荷重，但是荷重通常為約3-5N。考慮到半導體元件4較薄且半導體元件機械強度較低，優選半導體元件荷重為5N以下，更優選為l-4N。出於生產率的考慮，安裝時間(將半導體元件按壓在支持物上的時間)優選為10秒以下，更優選為3秒以下，尤其優選為l秒以下。因此，為了可以在低溫下安裝具有粘合劑層的半導體元件4，將液體樹脂組合物1以50nm的厚度塗布在晶片的背面，在12(TC加熱10分鐘後，粘合劑層l，在80'C的粘性優選為1N以上。這是基於安裝試驗的結果，在該試驗中，將各種半導體元件(其中的粘合劑層在8(TC時的粘性各不同)安裝在PBGA基板，在多種情況下，8(TC的粘性為1N以上可以確保在安裝後具有90%以上的粘合面積，而1N以下的粘性產生90%以下的粘合面積。安裝後的粘合面積被定義為，安裝在PBGA基板後，當手工將半導體元件剝下時，PBGA基板與半導體元件的粘合面積。在粘合部分，PBGA基板的表面有點兒發白和粗糙，而在非粘合部分，PBGA基板的表面是平滑的且與安裝前的狀態沒有差別，所以可以輕易通過肉眼對兩者進行區分。對具有粘合劑層、切片成6x6mm、手工從切割板上剝下的一部分半導體元件的粘合劑層一面，通過上述粘性測定方法測定其在80。C的粘性，其中，通過在120i5。C的烘箱內對塗布有50士5pm液體樹脂組合物的晶片進行加熱、冷卻、以粘合劑層朝下的方式層壓在切割板上(SumitomoBakeliteCo.,Ltd.,FSL-N4003)、並通過切割鋸以6x6mm進行切片，來製備所述半導體元件。將以6x6mm在晶片粘合機上切片的具有粘合劑層的上述半導體元件從晶片粘合機上剝離，並安裝在PBGA基板(封裝件尺寸35x35mm，核心材料BT(雙馬來醯亞胺-三嗪)樹脂，阻焊劑PSR4000AUS308(TaiyoInkMfg.Co.，Ltd)，厚度0.56mm)上，由此製備的樣品在25°C的粘合強度優選為1N以上，其中所述安裝在PBGA基板上的安裝條件為粘合強度l.ON，支持物加熱溫度130°C，安裝時間8秒(包括將支持物表面加熱至130。C所需的7秒)。利用晶片剪切檢測儀(diesheartester,DageHoldingsLtd.,Series4000)測量粘合力。如果粘合力小於1N，則在運輸過程中半導體元件會脫落。優選粘合力為ION以上，更優選為20N以上，尤其優選為50N以上。將具有粘合劑層的半導體元件4安裝在支持物W上，如果需要，通過加熱處理固化，然後引線接合。對引線接合條件沒有特別限制，可以在一般情況下進行引線接合，但考慮到上述翹曲問題，優選在低溫下進行引線接合。特別優選引線接合溫度為15(TC以下。如果在引線接合過程中粘合劑層的粘合力太低，半導體元件4會脫落，或者引線接合會不夠強。因此，175°C(比引線接合溫度略高)的粘合力優選為100N以上。此時，將以6x6mm在晶片粘合機上切片的具有粘合劑層的上述半導體元件從晶片粘合機剝離，並安裝在PBGA基板(封裝件尺寸35x35mm，核心材料BT(雙馬來醯亞胺-三嗪)樹脂，阻焊劑PSR4000AUS308(TaiyoInkMfg.Co.，Ltd)，厚度0.56mm)上，然後在150。C固化60分鐘，通過晶片剪切檢測儀(DageHoldingsLtd.,Series4000)測量由此製備的樣品在175°C的粘合力，其中，所述安裝在PBGA基板上的安裝條件為粘合載量l.ON，支持物加熱溫度130°C，安裝時間8秒(包括將支持物表面加熱至13(TC所需的7秒)。優選粘合力為200N以上，更優選為500N以上。引線接合後，進行樹脂密封步驟。通常，使用在環氧樹脂中分散有填料的用於傳遞成型的密封劑。對用於傳遞成型的密封劑沒有特定限制，但是考慮到環境因素，優選不含銻化合物和溴化化合物的密封劑。更優選含聯苯芳烷基型環氧樹脂和/或聯苯芳垸基型酚醛樹脂、且不含銻化合物和溴化化合物的密封劑。原因是，不含銻化合物或溴化化合物的含聯苯芳垸基型環氧樹脂和/或聯苯芳烷基型酚醛樹脂的密封劑具有良好的耐火性(UL檢測)和良好的而f回流裂縫性(reflowcrackresistance)。樹脂密封通常在160-18(TC進行。因此，如果引線接合後半導體元件與支持物的粘合強度低，那麼在樹脂密封步驟中，半導體元件會脫落或半導體元件會漂移。因此，用於測量上述粘合強度的樣品(切片為6x6mm、具有粘合劑層、安裝在PBGA基板上的半導體元件，而不對粘合劑層進行固化，由此獲得所述樣品)在175"C(樹脂密封的通常溫度)的粘合強度優選為1N以上，尤其優選為3N以上。因為，粘合強度大於上述值可以防止一些缺陷，例如樹脂密封過程中的脫落。樹脂密封后，如果需要，進行後成型固化，當使用引線框架作為支持物時，如果需要，進行引線修剪和引線成形和/或外部電鍍，以產生半導體封裝件。當使用有機基板作為支持物時，如果需要，進行焊球連接，以產生半導體封裝件。參考以下實施例對本發明進行闡述，可以理解，本發明並不限於以下實施例。鄉M接著，對本發明的實施例進行闡述。實施例l-4和比較例1-9液體樹脂組合物液體樹脂組合物A鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(ortho-cresolnovolactypeepoxyresin，軟化點70°C，環氧當量210):97.6g酚芳烷基樹脂(phenolaralkylresin,軟化點75°C，羥基當量175):81.3gY-丁內酯(沸點204°C):120g在可分離燒瓶中混合上述物質，將混合物在15(TC攪拌1小時，產生淡黃色透明液體。然後，將混合物冷卻至25X:，並加入下述物質，將所得混合物在25"C攪拌30分鐘，通過lpm的篩過濾，從而產生液體樹脂組合物A。3-縮水甘油醚氧丙基三甲氧基矽垸0.81g2-苯基咪唑0.27g所得液體樹脂組合物A的粘度為3Pa，s。利用E型粘度計(TokiSangyoCo.,Ltd.,3degreecorn)測定在25。C、2.5rpm時的粘度(下文中，按照同一方式測定粘度)。液體樹脂組合物B鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(軟化點70°C，環氧當量210):16.5g酚芳烷基樹脂(軟化點75°C，羥基當量175):13.8g丙烯酸聚合物(丙烯酸乙酯/丙烯腈/丙烯酸縮水甘油酯/N，N-二甲基丙烯醯胺=74/20/1/5的共聚物，分子量:490000，Tg:15°C):7.6g，丁內酯(沸點204°C):62g在可分離燒瓶中混合上述物質，將混合物在15(TC攪拌1小時，產生淡黃色透明液體。然後，將混合物冷卻至25。C，並加入下述物質，將所得混合物在25"C攪拌30分鐘，通過lpm的篩過濾，從而產生液體樹脂組合物B。3-縮水甘油醚氧丙基三甲氧基矽烷0.14g2-苯基咪唑0.05g所得液體樹脂組合物B的粘度為8Pa，s。液體樹脂組合物c鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(軟化點70°C，環氧當量210):16.5g酚芳烷基樹脂(軟化點75°C，羥基當量175):13.7g丙烯酸聚合物(丙烯酸乙酯/丙烯腈/丙烯酸縮水甘油酯/N,N-二甲基丙烯醯胺=74/20/1/5的共聚物，分子量490000，Tg:15°C):7.6gY-丁內酯(沸點204°C):62g在可分離燒瓶中混合上述材料，將混合物在15(TC攪拌1小時，產生淡黃色透明液體。然後，將混合物冷卻至25i:,並加入下述物質，將所得混合物在25。C攪拌30分鐘，通過l^m的篩過濾，從而產生液體樹脂組合物C。3-縮水甘油醚氧丙基三甲氧基矽烷0.14g磷化合物催化劑0.09g按以下方法製備磷化合物。將37.5g(0.15mol)4,4'-雙酚國S(NiccaChemicalCo"Ltd"BPS國N)、41.9g(0.1mol)四苯基溴化鱗和lOOmL離子交換水放入裝配有攪拌器的可分離燒瓶中，然後在IO(TC攪拌混合物。然後向上述不溶的混合物中加入50rnL溶解有4.0g(O.lmol)氫氧化鈉的離子交換水。持續攪拌一段時間後，產生白色沉澱。過濾並乾燥所述沉澱，從而產生用作催化劑的白色晶體(68.5g)。所得液體樹脂組合物C的粘度為8Pa*s。液體樹脂組合物D雙酚-A型環氧樹脂(在25。C為液體，環氧當量185):30.6g酚芳垸基樹脂(軟化點75°C，羥基當量175):29.0gY-丁內酯(沸點:204°C):40g在可分離燒瓶中混合上述物質，將混合物在15(TC攪拌1小時，產生淡黃色透明液體。然後，將混合物冷卻至25。C，並加入下述物質，將所得混合物在25t:攪拌30分鐘，通過lpm的篩過濾，從而產生液體樹脂組合物D。3-縮水甘油醚氧丙基三甲氧基矽垸0.27g2-苯基咪唑0.09g.所得液體樹脂組合物D的粘度為2Pa*s.液體樹脂組合物E鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(軟化點90°C，環氧當量210):31.0g酚芳烷基樹脂(軟化點75°C，羥基當量175):25.9gY-丁內酯(沸點:204°C):40g在可分離燒瓶中混合上述物質，將混合物在150'C攪拌1小時，產生淡黃色透明液體。然後，將混合物冷卻至25t:，並加入下述物質，將所得混合物在25"C攪拌30分鐘，通過lpm的篩過濾，從而產生液體樹脂組合物E。3-縮水甘油醚氧丙基三甲氧基矽烷0.26g2-甲基咪唑:2.84g所得液體樹脂組合物E的粘度為5Pa，s。液體樹脂組合物F鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(軟化點90°C，環氧當量210):38.4g聚對乙烯基苯鼢扭f月旨(polypara國vinylphenolresin，MaruzenPetrochemicalCo"Ltd.,MARUKALYNCUR-M)21.2gY-丁內酯(沸點204°C):40g在可分離燒瓶中混合上述物質，將混合物在15(TC攪拌1小時，產生淡黃色透明液體。然後，將混合物冷卻至25'C，並加入下述物質，將所得混合物在25i:攪拌30分鐘，通過lpm的篩過濾，從而產生液體樹脂組合物F。3-縮水甘油醚氧丙基三甲氧基矽烷0.27g2-苯基咪唑0.09g所得液體樹脂組合物F的粘度為6Pa，s。液體樹脂組合物G鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(軟化點70°C，環氧當量210):16.5g酚芳烷基樹脂(軟化點75°C，羥基當量175):13.8g丙烯酸聚合物(丙烯酸乙酯/丙烯腈/丙烯酸縮水甘油酯/N,N-二甲基丙烯醯胺=74/20/1/5的共聚物，分子量490000，Tg:15°C):7.6g二甘醇單丁鵬乙酸酉旨(diethyleneglycolmonobutyletheracetate,》弗點247°C):62g在可分離燒瓶中混合上述物質，將混合物在15(TC攪拌1小時，產生淡黃色透明液體。然後，將混合物冷卻至25'C，並加入下述物質，將所得混合物在25'C攪拌30分鐘，通過lpm的篩過濾，從而產生液體樹脂組合物G。3-縮水甘油醚氧丙基三甲氧基矽烷0.14g2-苯基咪唑0.05g所得液體樹脂組合物G的粘度為9Pa，s。液體樹脂組合物H鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(軟化點70°C，環氧當量210):12.2g苯氧樹脂(InChemCorporation,PKHC):12.2gY-丁內酯(沸點204°C):75g在可分離燒瓶中混合上述物質，將混合物在150'C攪拌1小時，產生淡黃色透明液體。然後，將混合物冷卻至25。C，並加入下述物質，所得混合物在25。C攪拌30分鐘，由於混合物在通過lpm的篩過濾時產生堵塞，所得產物不經過濾即用作樹脂組合物H。3-縮水甘油醚氧丙基三甲氧基矽垸0.11g氰基胍(試劑級):0.49g.所得液體樹脂組合物H的粘度為11Pa-s。將液體樹脂組合物A-H每種20mg各自溶解在6mL四氫呋喃(下文稱為THF)，然後將所得混合物進行GPC測定。利用WatersAlliance(2695SeparationsModule,2414折光檢測器，TSKGelGMHHR-Lx2+TSK保護柱HHR-Lxl，移動相THF,1.0mL/min)進行GPC測定，測定條件為柱溫40.0°C，示差折光檢測器的內部溫度40.0°C，樣品注射體積100uL。利用ShodexStandardSL-105(ShowaDenkoK.K.)獲得分子量標準曲線。在GPC圖表中，計算分子量為200~5000的面積(b)與分子量為200以上的面積(a)的比例(b/a)。通過旋轉塗布法將液體樹脂組合物A-H各自塗布在兩個6英寸的晶片上，塗布後厚度為50士5拜，然後將晶片在120。C的烘箱中加熱10分鐘，得到具有樹脂層的晶片。旋轉塗布是利用旋轉塗布儀(MikasaCo.,Ltd,1H-DX)進行的。旋轉塗布後，通過非接觸式厚度計測量厚度，當厚度不在50±5um的範圍內時，調整旋轉塗布的條件，以獲得在此範圍內的厚度。第一枚晶片加熱處理後，用抹刀立即收集乾燥的樹脂層的一部分，用於測定揮發物含量。10mg粘合劑層樣品以l(TC/分鐘的速率從25T:升高溫度時，通過熱重分析法(TGA)測定的在20(TC的失重率為揮發物的含量。加熱後立即取樣，因為樣品在冷卻至25'C後，樹脂層變成固態，從而難以取樣。取樣後，目測剩餘部分的外觀。檢測針孔、孔穴和異物的數量。當測量樹脂層的厚度時，利用接觸式厚度標尺測量晶片和樹脂層的總厚度，減去最初測量的晶片厚度，從而得到樹脂層的厚度。另外，為了測量的準確性，利用雷射三維測量儀(HitachiTsuchiuraEngineeringCo.,Ltd.)，在長度為150mm的線上進行測量，該線穿過晶片的中心，但不穿過用於揮發物取樣的部分。接著，將具有樹脂層的晶片安裝在切割板(SumitomoBakeliteCo.,Ltd.，FSL-N4003)上，並對其進行切片。手工將一部分切片的半導體元件從切割板上剝下，檢測樹脂層在25'C和8(TC的粘性。利用粘性檢測儀(RHESCACompanyLtd.)測量粘性，測量條件為探針下降速度(浸入速度)30mm/min，檢測速度600mm/min，粘合載量(預載量)0.2N，粘合持續時間(按壓時間)l.O秒，探針5.1mm(D(SUS304)。將三個手工剝離下的具有樹脂層的半導體元件浸入到6mLTHF中，並在25'C浸60分鐘，從而得到用於GPC測量的樣品。利用由上述測量得到的GPC圖表計算分子量為200-5000的面積(b')和分子量為200以上的面積(a')的比例(bVa')，然後用於計算[(b，/a，)/(b/a)]。測量結果如表1所示。實施例1使用具有由上述液體樹脂組合物A製備的樹脂層的半導體元件(第一枚半導體晶片是以6x6mm進行切片的半導體元件)進行以下試驗。第二枚半導體晶片以10xlOmm進行切片。粘合力將以6x6mm切片的具有樹脂層的半導體晶片置於晶片粘合機上，在推針(ejectorpin)高度350pm(切割膜下表面的高度為"0")、剝離時間500ms的條件下剝離半導體晶片，並安裝在PBGA基板(封裝件尺寸35x35mm，核心材料(corematerial):BT(雙馬來醯亞胺-三嗪)樹脂，阻焊劑PSR4000AUS308(TaiyoInkMfg.Co"Ltd),厚度0.56mm)上，然後在150°C固化60分鐘，其中所述安裝在PBGA基板上的安裝條件為，粘合力l.ON，支持物加熱溫度130°C，8秒(包括將支持物表面加熱至13(TC所需的7秒)。測定安裝後(固化前)樣品在25"C的粘合力，以及固化後樣品在175"C的粘合力。利用晶片剪切檢測儀(DageHoldingsLtd.,Series4000)測量粘合力。孔穴和初期分層將以10x10mm切片的具有樹脂層的半導體元件置於晶片粘合機上，在推針高度350pm(切割膜下表面的高度為"O")、剝離時間500ms的條件下剝離半導體晶片，並安裝在PBGA基板(封裝件尺寸35x35mm，核心材料BT(雙馬來醯亞胺-三嗪)樹脂，阻焊劑PSR4000AUS308(TaiyoInkMfg.Co.,Ltd),厚度0.56mm)上，然後在15(TC固化60分鐘，其中所述安裝在PBGA基板上的安裝條件為粘合力2.9N，支持物加熱溫度130°C8秒(包括升溫時間)。然後，利用含苯基芳烷基環氧基的環氧密封樹脂(SumitomoBakditeCo.，Ltd.,EME-G770)密封，並在175"C後成型固化4小時。通過超聲波探傷裝置觀察經後成型固化得到的PBGA封裝件，確定孔穴和初期分層的發生。孔穴和初期分層被確定為超聲不能透過的部分(黑色部分)與晶片面積的百分比(％)。焊料回流試驗(Solderreflowtest)觀察孔穴和初期分層後，以85"C、60%膽浸泡封裝件168小時。然後，使其流過IR回流裝置3次，設定IR回流裝置使其在260°C以上的時間為10秒以上。然後，通過超聲波探傷裝置觀察裂縫的形成。評價每4個封裝件中具有裂縫的封裝件數量。測量結果如表1所示。實施例2利用具有由上述液體樹脂組合物B製備的樹脂層的晶片，按照實施例1進行試驗。實施例3利用具有由上述液體樹脂組合物C製備的樹脂層的晶片，按照實施例1進行試驗。實施例4將液體樹脂組合物A旋轉塗布在兩個6英寸的晶片上，然後在12(TC加熱處理10分鐘，得到具有樹脂層的晶片。在表1所示的條件下進行旋轉塗布，評價結果如表1所示。比較例1-4將液體樹脂組合物A旋轉塗布在兩個6英寸的晶片上，然後加熱，得到具有樹脂層的晶片。旋轉塗布和加熱的條件示於表l中，評價結果如表l所示。在比較例1和2中，當手工將用於測定粘性的、切片為6x6mm、且具有樹脂層的半導體元件從切割板上剝離時，切割板上殘留部分樹脂層。另外，由於製備用於測定粘合力的樣品時，在實施例1的條件下不能進行剝離，所以將剝離條件變為推針高度500,，剝離時間3秒鐘。剝離後，在切割板上觀察到殘留的樹脂層。另外，由於裝配用於焊料回流試驗的PBGA時，在實施例1的條件下不能進行剝離，所以將剝離條件變為推針高度700pm，剝離時間3秒鐘。剝離後，在切割板上觀察到殘留的樹脂層。.在比較例4中，由於製備用於測定粘合強度的樣品時，在實施例l的條件下不能將晶片安裝在PBGA基板上(安裝後當將基板傾斜時，晶片和樹脂層一起脫落)，所以將條件變為粘合力IO.ON，支持物加熱溫度160°C8秒(包括升溫時間)。另外，由於裝配用於焊料回流試驗的PBGA時，在實施例1的條件下不能將晶片安裝在PBGA基板上(安裝後當將基板傾斜時，晶片和樹脂層一起脫落)，所以將條件變為粘合力IO.ON，支持物加熱溫度:160°C8秒(包括升溫時間)，但是由於通過透過型超聲波探傷裝置觀察顯示半導體元件漂移，所以不能對孔穴、初期分層或焊料回流進行評價。比較例5利用具有由所述液體樹脂組合物D製備的樹脂層的晶片，按照實施例l進行試驗。當手工將用於測定粘性的、切片為6x6mm的、具有樹脂層的半導體元件從切割板上剝離時，切割板上殘留部分樹脂層。另外，由於製備用於測定粘合強度的樣品時，在實施例1的條件下不能進行剝離，所以將剝離條件變為推針高度50(Vm，剝離時間3秒鐘。剝離後，在切割板上觀察到殘留的樹脂層。另外，由於裝配用於焊料回流試驗的PBGA時，在實施例1的條件下不能進行剝離，所以將剝離條件變為推針高度700pm，剝離時29間3秒鐘。剝離後，在切割板上觀察到殘留的樹脂層。比較例6和7利用具有由所述液體樹脂組合物E和F製備的樹脂層的晶片，按照實施例1進行試驗。比較例8利用具有由所述液體樹脂組合物G製備的樹脂層的晶片，按照實施例1進行試驗。當手工將用於測定粘性的、切片為6x6mm的、具有樹脂層的半導體元件從切割板上剝離時，切割板上殘留部分樹脂層。另外，由於製備用於測定粘合強度的樣品時，在實施例1的條件下不能進行剝離，所以將剝離條件變為推針高度500pm，剝離時間3秒鐘。剝離後，在切割板上觀察到殘留的樹脂層。另外，由於裝配用於焊料回流試驗的PBGA時，在實施例1的條件下不能進行剝離，所以將剝離條件變為推針高度700pm，剝離時間3秒鐘。剝離後，在切割板上觀察到殘留的樹脂層。比較例9利用具有由所述液體樹脂組合物H製備的樹脂層的晶片，按照實施例1進行試驗。由於製備用於測定粘合強度的樣品時，在實施例1的條件下不能將晶片安裝在PBGA基板上(安裝後當將基板傾斜時，晶片和樹脂層一起脫落)，所以將條件變為粘合力IO.ON，支持物加熱溫度160°C，8秒(包括升溫時間)。另外，由於裝配用於焊料回流試驗的PBGA時，在實施例l的條件下不能將晶片安裝在PBGA基板上(安裝後當將基板傾斜時，晶片和樹脂層一起脫落)，所以將條件變為粘合力IO.ON，支持物加熱溫度160°C，8秒(包括升溫時間)，但是由於通過透過型超聲波探傷裝置(sc薩ingacoustictomography)觀察初期分層和孔穴時顯示半導體元件發生漂移，所以不能對孔穴、初期分層或焊料回流進行評價。在實施例1中，加熱處理後，揮發物的含量少，外觀和厚度精度良好。在25"C和80"C的粘性分別為0.02N和1.8N，剝離性良好，焊料回流後沒有觀察到孔穴和裂縫。在實施例2中，加熱處理後，揮發物的含量少，外觀和厚度精度良好。在25"C和8(TC的粘性分別為0.02N和1.5N，剝離性良好，焊料回流後沒有觀察到孔穴和裂縫。在實施例3中，加熱處理後，揮發物的含量少，外觀和厚度精度良好。在25。C和80。C的粘性分別為0.02N和1.5N，剝離性良好，焊料回流後沒有觀察到孔穴和裂縫。在實施例4中，通過改變旋轉塗布的條件，得到較厚的樹脂層。加熱處理後，揮發物的含量少，外觀和厚度精度良好。在25'C和8(TC的粘性分別為0.02N和2.0N，剝離性良好，焊料回流後沒有觀察到孔穴和裂縫。在比較例1中，加熱處理的條件變為80°C、30分鐘。外觀和厚度精度良好，揮發物的含量為2.3重量。/。。在25。C和8(TC的粘性分別為0.08N和2.0N。但是剝離性差，由於在剝離過程中切割板帶走一部分樹脂層，所以可觀察到孔穴，並在焊料回流後觀察到裂縫。在比較例2中，加熱處理的條件變為IO(TC、IO分鐘。外觀和厚度精度良好，揮發物的含量為1.3重量％。在25'C和80°C的粘性分別為O.ION和2.5N。但是剝離性差，由於在剝離過程中切割板帶走一部分樹脂層，所以可觀察到孔穴，並在焊料回流後觀察到裂縫。在比較例3中，加熱處理的條件變為120°C、60分鐘，加熱處理後揮發物的含量少，在25。C和8(TC的粘性分別為0.02N和0.10N，剝離性良好。但是，產生初期分層(溼潤性差)，並在焊料回流後觀察到裂縫。在比較例4中，加熱處理的條件變為15(TC、IO分鐘，加熱處理後揮發物的含量少，在25。C和80。C的粘性分別為0.02N和0.02N，剝離性良好。但是，在PBGA基板上的安裝特性不足，雖然改變了安裝條件，但是粘合力太弱從而不能抑制半導體元件在成型過程中的漂移。在比較例5中，加熱處理後揮發物的含量少，外觀和厚度精度良好。在25。C和8(TC的粘性分別為0.15N和2.3N。但是剝離性差，由於在剝離過程中切割板帶走一部分樹脂層，所以可觀察到孔穴，並在焊料回流後觀察到裂縫。在比較例6中，加熱處理後揮發物的含量少，外觀和厚度精度良好。在25"C和80'C的粘性分別為0.02N和0.5N，剝離性良好。但是，產生初期分層(溼潤性差)，並在焊料回流後觀察到裂縫。在比較例7中，加熱處理後揮發物的含量少，外觀和厚度精度良好。在25'C和8(TC的粘性分別為0.02N和0.2N，剝離性良好。但是，產生初期分層(溼潤性差)，並在焊料回流後觀察到裂縫。在比較例8中，外觀和厚度精度良好，但加熱處理後揮發物的含量為2.0重量％。在25°。和8(TC的粘性分別為0.08N和2.1N，但是剝離性差，由於在剝離過程中切割板帶走一部分樹脂層以及揮發物的負面效應，所以可觀察到孔穴，並在焊料回流後觀察到裂縫。在比較例9中，由於含有固體，所以在旋轉塗布後在表面觀察到顆粒物部分，並從顆粒物部分到周邊部分觀察到了不均勻。因此，厚度精度差。加熱處理後揮發物的含量少，但在25。C和8(TC的粘性分別為0.02N和O.IN，剝離性良好，但在PBGA基板上的安裝特性不足，雖然改變了安裝條件，但粘合力太弱，不能防止半導體元件在成型過程中的漂移。表ltableseeoriginaldocumentpage33tableseeoriginaldocumentpage34*在厚度測量中，由於粘合劑層變型引起測量值下降**由於在THF中不溶而沒有測量***由於在成型過程中的漂移而沒有評價CO實施例5-11和比較例10以下對實施例5-11和比較例10進行闡述。液體樹脂組合物的製備液體樹脂組合物I鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(軟化點70°C，環氧當量210):37.1g酚芳烷基樹脂(分子量612，軟化點75°C，羥基當量175):12.6g聚羥基苯乙烯(分子量2080，分散度1.26):12.6gy-丁內酯(沸點204°C):37.4g在可分離燒瓶中混合上述物質，將混合物在150。C攪拌1小時，產生淡黃色透明液體。然後，將混合物冷卻至25。C，並加入下述物質，將所得混合物在25。C攪拌30分鐘，通過lpm的篩過濾，從而產生液體樹脂組合物I。3-縮水甘油醚氧丙基三甲氧基矽垸0.28g2-苯基咪唑0.09g.所獲得的液體樹脂組合物I的粘度為4Pa，s。粘度的測量是利用E型粘度計(TokiSangyoCo.,Ltd.,3degreecorn)在25。C禾B2.5rpm下進行的(下文中，以同一方式測定粘度)。液體樹脂組合物J鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(軟化點70°C，環氧當量210):17.4g酚芳垸基樹脂(分子量612，軟化點75°C，羥基當量175):5.9g聚羥基苯乙烯(分子量2080，分散度1.26):5.9g丙烯酸聚合物(丙烯酸乙酯/丙烯腈/丙烯酸縮水甘油酯/N，N-二甲基丙烯醯胺=74/20/1/5的共聚物，分子量490000，Tg:15°C):9.6g丁內酯(沸點204°C):60.9g在可分離燒瓶中混合上述物質，將混合物在15(TC攪拌1小時，產生淡黃色透明液體。然後，將混合物冷卻至25t:，並加入下述物質，將所得混合物在25。C攪拌30分鐘，通過lpm的篩過濾，從而產生液體樹脂組合物J。3-縮水甘油醚氧丙基三甲氧基矽垸0.13g2-苯基咪唑0.04g.由此得到的液體樹脂組合物J的粘度為12Pa，s。液體樹脂組合物K35鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(軟化點70°C，環氧當量210):19.4g二環戊二烯型環氧樹脂(軟化點60°C，環氧當量263):19.4g酚芳垸基樹脂(分子量612，軟化點75°C，羥基當量175):11.8g聚羥基苯乙烯(分子量2080，分散度1.26):11.8gY-丁內酯(沸點204°C):37.2g在可分離燒瓶中混合上述物質，將混合物在15(TC攪拌1小時，產生淡黃色透明液體。然後，將混合物冷卻至25。C，並加入下述物質，將所得混合物在25。C攪拌30分鐘，通過lpm的篩過濾，從而產生液體樹脂組合物K。3-縮水甘油醚氧丙基三甲氧基矽垸0.28g2-苯基咪唑0.09g.由此得到的液體樹脂組合物K的粘度為4Pa，s。液體樹脂組合物L鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(軟化點70°C，環氧當量210):36.9g酚芳烷基樹脂(分子量612，軟化點75°C，羥基當量175):15.6g聚羥基苯乙烯(分子量2080，分散度1.26):10.4gY-丁內酯(沸點204°C):36.7g在可分離燒瓶中混合上述物質，將混合物在150'C攪拌1小時，產生淡黃色透明液體。然後，將混合物冷卻至25。C，並加入下述物質，將所得混合物在25。C攪拌30分鐘，通過lpm的篩過濾，從而產生液體樹脂組合物L。3-縮水甘油醚氧丙基三甲氧基矽垸0.28g2-苯基咪唑0.09g由此得到的液體樹脂組合物L的粘度為5Pa，s。液體樹脂組合物M鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(軟化點70°C，環氧當量210):36.9g酚芳烷基樹脂(分子量612，軟化點75°C，羥基當量175):15.6g聚羥基苯乙烯(分子量2080，分散度1.26):10.4g，丁內酯(沸點204°C):36.6g.在可分離燒瓶中混合上述物質，將混合物在150。C攪拌1小時，產生淡黃色透明液體。然後，將混合物冷卻至25t:，並加入下述物質，將所得混合物在25t:攪拌30分鐘，通過lpm的篩過濾，從而產生液體樹脂組合物M。3-縮水甘油醚氧丙基三甲氧基矽烷.*0.28g含磷催化劑0.19g按以下方法製備含磷催化劑。將37.5g(0.15mol)4,4'-雙酚-S(NiccaChemicalCo"Ltd.,BPS-N)、41.9g(0.1mol)四苯基溴化轔和lOOmL離子交換水放入裝配有攪拌器的可分離燒瓶中，然後在IO(TC攪拌化合物。然後向上述仍然含有不溶物的混合物中加入50rnL溶解有4.0g(O.lmol)氫氧化鈉的離子交換水。持續攪拌一段時間後，產生白色沉澱。過濾並乾燥所述沉澱，從而產生用作催化劑的白色晶體(68.5g)。所得液體樹脂組合物M的粘度為5Pa"。液體樹脂組合物N鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(軟化點70°C，環氧當量210):37.7g聚羥基苯乙烯(分子量1850，分散度2.41):21.5gY-丁內酯(沸點204°C):40.4g在可分離燒瓶中混合上述物質，將混合物在15(TC攪拌1小時，產生淡黃色透明液體。然後，將混合物冷卻至25。C，並加入下述物質，將所得混合物在25'C攪拌30分鐘，通過lpni的篩過濾，從而產生液體樹脂組合物N。3-縮水甘油醚氧丙基三甲氧基矽烷0.27g2-苯基咪唑0.09g所得液體樹脂組合物N的粘度為13Pa，s。實施例5將20mg液體樹脂組合物I溶解在6mL四氫呋喃(下文稱為THF)，然後將所得混合物進行GPC測定。利用WatersAlliance(2695分離單元，2414折光檢測器，TSKGelGMHHR-Lx2+TSK保護柱HHR-Lxl，移動相THF,1.0mL/min)進行GPC測定，測定條件為柱溫40.0°C，示差折光檢測器的內部溫度40.0°C，樣品注射體積lOO]iL。利用ShodexStandardSL-105(ShowaDenkoK.K.)獲得分子量標準曲線。在GPC圖表中，計算分子量為200-5000的面積(b)與分子量為200以上的面積(a)的比例(b/a)。另外，通過旋轉塗布法將液體樹脂組合物I塗布在一個6英寸的晶片(無電路且厚度為625pm的裸矽)和一個8英寸的晶片(具有含5%銅的鋁板，鈍化層為SiN，厚度為35(Hmi)上，塗布後厚度為50士5pm，然後將晶片在120'C的烘箱中加熱10分鐘，得到具有粘合劑層的晶片。旋轉塗布是利用旋轉塗布儀(MikasaCo.，Ltd,1H-DX)進行的。旋轉塗布後，通過非接觸式厚度計測量厚度，當厚度小於50士5um時，調整旋轉塗布的條件，以獲得在此範圍內的厚度。對於6英寸的晶片，加熱處理後立即用抹刀立即收集一部分粘合劑層，用於揮發物含量的測定。10mg粘合劑層樣品以1(TC/分鐘的速率從25'C升高溫度時，通過熱重分析法(TGA)測定的在20(TC的失重率為揮發物的含量。加熱後立即取樣，因為樣品在冷卻至25"後，粘合劑層變成固態，從而難以取樣。取樣後，目測剩餘部分的外觀。檢測針孔、孔穴和異物的數量。當測量粘合劑層的厚度時，利用接觸式厚度標尺測量晶片和粘合劑層的總厚度，減去最初測量的晶片厚度，從而得到粘合劑層的厚度。另外，為了測量的準確性，禾U用、雷射三維領!j量儀(laserthree-dimensionalmeasuringinstrument,HitachiTsuchiuraEngineeringCo.,Ltd.)，在長度為150mm的線上進行測量，該線穿過晶片的中心，但不穿過用於揮發物取樣的部分。接著，將具有粘合劑層的所述6英寸晶片和8英寸晶片結合在切割板(SumitomoBakeliteCo.,Ltd.,FSL-N4003)上，並力、另U以6x6mm禾口10.5x10.5mm進行切片。手工將一部分以6x6mm切片的6英寸晶片從切割板上剝下，檢測粘合劑層在25'C和8(TC的粘性。利用粘性檢測儀(RHESCACompanyLtd.)測量粘性，測量條件為探針下降速度(浸入速度)30mm/min，檢測速度600mm/min，粘合載量(預載量)0.2N，粘合持續時間(按壓時間)l.O秒，探針5.1mmO)(SUS304)。如上所述，將三個手工剝離下的、以6x6mm切片的、具有粘合劑層的半導體元件浸入到6mLTHF中，並在25'C浸60分鐘，從而得到用於GPC測量的樣品。利用由上述測量得到的GPC表計算分子量為200-5000的面積(b')和分子量為200以上的面積(a')的比例(b'/a')，然後用於計算[(b，/a，)/(b/a)]。按照下文闡述評價以下各項。粘合強度將以6x6mm切片的具有粘合劑層的晶片置於晶片粘合機上，在推針高度350,(切割膜下表面的高度為"0")、剝離時間500ms的條件下剝離半導體晶片，並安裝在PBGA基板(封裝件尺寸35x35mm，核心材料BT(雙馬來醯亞胺-三嗪)樹脂，阻焊劑PSR4000AUS308(TaiyoInkMfg.Co.,Ltd)，厚度0.56mm)上，其中所述安裝在PBGA基板上的安裝條件為粘合力l.ON，支持物加熱溫度130°C，8秒(包括將支持物表面加熱至130°C所需的7秒)。測定安裝後(無固化)樣品在25。C、130'C和175。C的粘合力。利用晶片剪切檢測儀(DageHoldingsLtd.,Series4000)測量粘合力。孔穴和初期分層將以10.5x10.5mm切片的具有粘合劑層的晶片置於晶片粘合機上，在推針高度350tim(切割膜下表面的高度為"O")、剝離時間500ms的條件下剝離半導體晶片，並安裝在PBGA基板(封裝尺寸35x35mm，核心材料BT(雙馬來醯亞胺-三嗪)樹脂，阻焊劑PSR4000AUS308(TaiyoInkMfg.Co.,Ltd)，厚度0.56mm)上，其中所述安裝在PBGA基板上的安裝條件為粘合力2.9N，支持物加熱溫度130'C，8秒(包括升溫時間)，然後在以下條件下(無固化)進行引線接合弓!線接合機Eagle60(ASMInternationalN.V,)金線SGS畫H,25(im(SumitomoMetalMiningCo.,Ltd.)引線接合溫度130°C粘合力45g超聲波強度120(128kHz)引線接合後，利用含聯苯基芳垸基環氧基的環氧密封樹脂(SumitomoBakeliteCo.，Ltd.,EME-G770)密封，並在175。C後成型固化4小時。通過超聲波探傷裝置觀察經後成型固化得到的PBGA封裝件，確定孔穴和初期分層的發生。孔穴和初期分層被確定為超聲不能透過的部分(黑色部分)與晶片面積的百分比(％)。焊料回流試驗觀察孔穴和初期分層後，以85"C、60。/。RH浸泡封裝件168小時。然後，使其流過IR回流裝置3次，設定IR回流裝置使其在260°C以上的時間為10秒以上。然後，通過超聲波探傷裝置觀察裂縫的形成。評價每4個封裝件中39具有裂縫的封裝件數量。檢測結果如表1所示。實施例6除了使用上述液體樹脂組合物J外，根據實施例5的闡述檢測評價。實施例7除了使用上述液體樹脂組合物K外，根據實施例5的闡述檢測評價。實施例8除了使用上述液體樹脂組合物L外，根據實施例5的闡述檢測評價。實施例9除了使用上述液體樹脂組合物M外，根據實施例5的闡述檢測評價。比較例10使用上述液體樹脂組合物N，根據實施例5的闡述檢測評價。在比較例10中，由於製備用於測定粘合力的樣品時，在實施例1的條件下不能將晶片安裝在PBGA基板上(安裝後當將基板傾斜時，晶片和樹脂層一起脫落)，所以將條件變為粘合力20.0N，支持物加熱溫度200°C，17秒(包括升溫時間)。另外，由於裝配用於焊料回流試驗的PBGA時，在實施例1的條件下不能將晶片安裝在PBGA基板上(安裝後當將基板傾斜時，晶片和樹脂層一起脫落)，所以將條件變為粘合力20.0N，支持物加熱溫度:200°C，17秒(包括升溫時間)。評價結果見表2。在實施例5中，旋轉塗布/加熱處理後，揮發物的含量少，並且外觀和厚度精度良好。在25。C和80。C的粘性分別為0.02N和1.8N，剝離性良好，並且在半導體元件安裝後不進行固化就可以進行引線接合。密封后在封裝件內沒有觀察到孔穴或分層，在焊料回流後沒有觀察到裂縫。在實施例6中，旋轉塗布/加熱處理後，揮發物的含量少，並且外觀和厚度精度良好。在25。C和8(TC的粘性分別為0.02N和3.0N，剝離性良好，並且在半導體元件安裝後不進行固化就可以進行引線接合。密封后在封裝件內沒有觀察到孔穴或分層，在焊料回流後沒有觀察到裂縫。在實施例7中，旋轉塗布/加熱處理後，揮發物的含量少，並且外觀和厚度精度良好。在25i:和8(TC的粘性分別為0.02N和1.5N，剝離性良好，並40且在半導體元件安裝後不進行固化就可以進行引線接合。密封后在封裝內沒有觀察到孔穴或分層，在焊料回流後沒有觀察到裂縫。在實施例8中，旋轉塗布/加熱處理後，揮發物的含量少，並且外觀和厚度精度良好。在25。C和8(TC的粘性分別為0.02N和2.3N，剝離性良好，並且在半導體元件安裝後不進行固化就可以進行引線接合。密封后在封裝件內沒有觀察到孔穴或分層，在焊料回流後沒有觀察到裂縫。在實施例9中，旋轉塗布/加熱處理後，揮發物的含量少，並且外觀和厚度精度良好。在25t:和8(TC的粘性分別為0.02N和2.5N，剝離性良好，並且在半導體元件安裝後不進行固化就可以進行引線接合。密封后在封裝件內沒有觀察到孔穴或分層，在焊料回流後沒有觀察到裂縫。在比較例10中，旋轉塗布/加熱處理後，揮發物的含量少，並且外觀和厚度精度良好。在25t:的粘性為0.02N，剝離性良好，但是由於其不含化合物(Bl)(含有酚羥基的分子量為1000以下的化合物)，而單含化合物(B2)(含有酚羥基的分子量為1500-5000的化合物)，所以在8(TC的粘性為O.IN，並且在實施例1所述的條件下，半導體元件不能安裝在支持物上。改變安裝條件後，繼續評價，但是密封后在封裝件內觀察到半導體元件內有分層，在焊料回流後在所有封裝件都觀察到裂縫。tableseeoriginaldocumentpage42tableseeoriginaldocumentpage43*由於粘合力太低而不能讀取數值**由於成型過程中晶片的漂移而沒有評價實施例10除了使用上述液體樹脂組合物M外，其餘按照實施例5的闡述進行檢測評價。利用圖2所示的塗布裝置6將液體樹脂組合物M塗布在6英寸的晶片上，塗布條件為平均塗布量0.45cc/min，晶片旋轉速度25rpm，噴嘴移動速度0.5mm/sec，噴嘴61的末端與6英寸晶片表面的距離(間距)100pm。塗布後厚度為54,，外觀良好。然後，將產品在12(TC的烘箱中加熱處理10分鐘。乾燥後，粘合劑層的厚度為32,(厚度精度為士3,)。此時，粘合劑層中揮發物的含量為0.1重量％，在25。C和80。C的粘性分別為0.02N和2.4N，GPC面積(bVa')為0.78，GPC面積(bVa')/(b/a)為0.81，並且在25°C、130。C和175。C的粘合力分別為180N、120N和10N。在由上述獲得的半導體裝置中，沒有觀察到諸如孔穴和初期分層的缺陷，並且焊料回流良好。另外，與通過旋轉塗布法的塗布相比，減少了廢棄的液體樹脂組合物M的量。權利要求1.將半導體元件結合在支持物上的液體樹脂組合物，在120℃加熱處理所述液體樹脂組合物10分鐘後，所述樹脂組合物在25℃的粘性為0.05N以下，在80℃的粘性為1N以上。2.如權利要求1所述的液體樹脂組合物，其中，在所述加熱處理後，所述液體樹脂組合物中揮發物的含量為1重量％以下。3.如權利要求1所述的液體樹脂組合物，其中，在加熱處理前通過GPC測定的所述液體樹脂組合物中，分子量為2005000的面積(b)與分子量為200以上的面積(a)的比例(b/a)為0.6以上。4.如權利要求1所述的液體樹脂組合物，其中，在加熱處理後通過GPC測定的所述液體樹脂組合物中分子量為2005000的面積(b')和分子量為200以上的面積(a')的比例(b'/a')，與在加熱處理前通過GPC測定的所述液體樹脂組合物中分子量為2005000的面積(b)和分子量為200以上的面積(a)的比例(b/a)的比值[(bVa，)/(b/a)]為0.7以上。5.如權利要求1所述的液體樹脂組合物，其包含具有縮水甘油基的化合物(A)和具有酚羥基的化合物(B)。6.如權利要求5所述的液體樹脂組合物，其中，所述具有酚羥基的化合物(B)包含分子量為1000以下的化合物(Bl)和分子量為15005000的化合物(B2)。7.如權利要求6所述的液體樹脂組合物，其中，所述化合物(B2)為含有羥基苯乙烯作為單體成分的化合物。8.如權利要求6所述的液體樹脂組合物，其中，所述化合物(B2)的分散度為1.5以下。9.如權利要求6所述的液體樹脂組合物，其中，所述化合物(Bl)與所述化合物(B2)的重量比為0.67。10.具有粘合劑層的半導體晶片，所述粘合劑層由包含熱固性樹脂和溶劑的液體樹脂組合物形成，其中，所述粘合劑層在25'C的粘性為0.05N以下，在80。C的粘性1N以上。11.如權利要求10所述的具有粘合劑層的半導體晶片，其中，所述粘合劑層中的揮發物含量為1重量％以下。12.如權利要求10所述的具有粘合劑層的半導體晶片，其中，所述粘合劑層是通過加熱處理液體樹脂組合物而形成，液體樹脂組合物中通過GPC測定的分子量為2005000的面積(b)與分子量為200以上的面積(a)的比例(b/a)為0.6以上。13.如權利要求10所述的具有粘合劑層的半導體晶片，其中，所述粘合劑層是通過加熱處理所述液體樹脂組合物而形成，並且所述粘合劑層中通過GPC測定的分子量為2005000的面積(b')和分子量為200以上的面積(a')的比例(b'/a')與在加熱處理前通過GPC測定的所述液體樹脂組合物中分子量為2005000的面積(b)和分子量為200以上的面積(a)的比例(b/a)的比f直[(b，/a，)/(b/a)]為0.7以上。14.如權利要求10所述的具有粘合劑層的半導體晶片，其中，所述粘合劑層的表面粗糙度為士5pm。15.如權利要求10所述的具有粘合劑層的半導體晶片，其中，切割板結合在所述具有粘合劑層的所述半導體晶片的粘合劑層一面。16.具有粘合劑層的半導體元件，其中，通過切割將權利要求15所述的具有粘合劑層的半導體晶片切片。17.半導體封裝件，其中，將權利要求16所述的具有粘合劑層的半導體元件安裝在支持物上。18.半導體元件的製造方法，其包括塗布步驟在晶片的一面塗布由包含熱固性樹脂和溶劑的液體樹脂組合物構成的粘合劑；揮發步驟揮發所述溶劑，同時實質上保持所述液體樹脂組合物的分子量，形成粘合劑層；結合步驟將切割板結合至所述晶片的一面；以及切片步驟將所述晶片切片；其中，在所述揮發步驟後粘合劑層在25X:的粘性為0.05N以下，在8(TC的粘性為1N以上。19.如權利要求18所述的半導體元件的製造方法，其中，在所述塗布步驟中，通過GPC測定的所述液體樹脂組合物中分子量為2005000的面積(b)與分子量為200以上的面積(a)的比例(b/a)為0.6以上。20.如權利要求18所述的半導體元件的製造方法，其中，在所述揮發步驟後通過GPC測定的所述粘合劑層中分子量為2005000的面積(b')和分子量為200以上的面積(a')的比例(b'/a')與在所述塗布步驟中通過GPC測定的所述液體樹脂組合物中分子量為2005000的面積(b)和分子量為200以上的面積(a)的比例(b/a)的比值[(bVa')/(b/a)]為0.7以上。21.如權利要求18所述的半導體元件的製造方法，其中，在所述揮發步驟後所述粘合劑層中揮發物的含量為1重量％以下。22.如權利要求18所述的半導體元件的製造方法，其中，在所述塗布步驟中，由所述液體樹脂組合物製備的所述粘合劑通過旋轉塗布法塗布在所述晶片的一面。23.如權利要求18所述的半導體元件的製造方法，其中，在所述塗布步驟中，噴吐所述液體樹脂組合物的噴嘴相對於所述晶片移動，將所述液體樹脂組合物塗布在所述晶片的一面。24.半導體封裝件的製造方法，其包括以下步驟將通過權利要求18所述的方法製造的半導體元件安裝在支持物上。25.如權利要求24所述的半導體封裝件的製造方法，其中，將所述半導體元件安裝在支持物上的步驟在200°C以下進行。全文摘要本發明提供了用於在支持物上結合半導體元件的液體樹脂組合物。在120℃加熱處理10分鐘後，所述液體樹脂組合物在25℃的粘性為0.05N以下，在80℃的粘性為1N以上。另外，本發明還提供了具有由所述液體樹脂組合物形成的粘合劑層的半導體晶片。本發明還提供了半導體元件的製造方法，該方法包括塗布步驟，在晶片的一面塗布由包含熱固性樹脂和溶劑的液體樹脂組合物形成的粘合劑；揮發步驟，在基本上保持所述液體樹脂組合物的分子量的同時，揮發溶劑形成粘合層；結合步驟，將切割板結合在晶片的所述面上；和切片步驟，將所述晶片切片。文檔編號H01L21/52GK101536172SQ20078004064公開日2009年9月16日申請日期2007年10月30日優先權日2006年10月30日發明者增田剛,大久保光申請人:住友電木株式會社