一種防漏藍晶片的製作方法
2023-09-20 22:46:40 3
一種防漏藍晶片的製作方法
【專利摘要】一種防漏藍晶片，具有第一通孔，且在第一通孔側壁具有高反射性能的金屬反射層，這樣能較好的把晶片側面的光反射回晶片內部，減少晶片側面出光而導致的漏藍問題，同時，把晶片側面的光反射回內部能增加晶片軸相出光，提高晶片的亮度和改善晶片的光型分布。
【專利說明】
一種防漏藍晶片
技術領域
[0001]本實用新型涉及半導體光電器件以及半導體照明製造領域，尤其是涉及一種LED晶片。
【背景技術】
[0002]LED作為新一代的固體冷光源，具有低能耗、壽命長、易控制、安全環保等特點，是理想的節能環保產品，適用各種照明場所。
[0003]現有封裝過程中，直接在LED晶片上噴塗一層螢光粉，然後用模具進行透鏡封裝。傳統的LED晶片具有五面出光的特點，因此除了正面噴塗螢光粉能正常出光外，其他四面側壁容易出現漏藍、發黃等的問題，存在較嚴重不同角度顏色差異。
【發明內容】
[0004]有鑑於此，本實用新型提供了一種防漏藍晶片，以解決現有技術中LED晶片漏藍、發黃等的問題。
[0005]為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案:
[0006]—種防漏藍晶片，包括:
[0007]襯底；
[0008]發光結構，所述發光結構位於所述襯底表面包括:位於所述襯底表面的N型氮化鎵層，位於所述N型氮化鎵層背離所述襯底一側的有源層，位於所述有源層背離所述N型氮化鎵層一側的P型氮化鎵層；
[0009]第一通孔，所述第一通孔完全貫穿所述發光結構，延伸至所述襯底表面；
[0010]絕緣層，所述絕緣層位於所述第一通孔的側壁；
[0011]金屬反射層，所述金屬反射層位於所述第一通孔的側壁；
[0012]電極結構，所述電極結構包括:位於所述N型氮化鎵層表面的N型電極和位於所述P型氮化鎵層表面的P型電極。
[0013I優選的，所述金屬反射層的材料為Au、Ag、Al、Pt、Zn中的一種或多種。
[0014]優選的，所述P型電極和N型電極的材料為Ag、Al、Pd、Pt、Au、W、N1、Ti中的一種或幾種合金。
[0015]與現有技術相比，本實用新型所提供的技術方案具有以下優點:
[0016]本實用新型提供的一種防漏藍晶片，具有第一通孔，把LED晶圓分成多個LED晶片，並且，第一通孔側壁具有高反射性能的金屬反射層，這樣能較好的把晶片側面的光反射回晶片內部，減少晶片側面出光而導致的漏藍問題，同時，把晶片側面的光反射回內部能增加晶片軸相出光，提高晶片的亮度和改善晶片的光型分布。
【附圖說明】
[0017]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0018]圖1為本實用新型實施例提供的一種防漏藍晶片的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0019]正如【背景技術】所述，現有技術中的LED晶片在封裝過程中容易出現漏藍等的問題。
[0020]基於此，本實用新型提供了一種防漏藍晶片，以克服現有技術存在的上述問題，包括:
[0021]襯底；
[0022]發光結構，所述發光結構位於所述襯底表面包括:位於所述襯底表面的N型氮化鎵層，位於所述N型氮化鎵層背離所述襯底一側的有源層，位於所述有源層背離所述N型氮化鎵層一側的P型氮化鎵層；
[0023]第一通孔，所述第一通孔完全貫穿所述發光結構，延伸至所述襯底表面；
[0024]絕緣層，所述絕緣層位於所述第一通孔的側壁；
[0025]金屬反射層，所述金屬反射層位於所述第一通孔的側壁；
[0026]電極結構，所述電極結構包括:位於所述N型氮化鎵層表面的N型電極和位於所述P型氮化鎵層表面的P型電極。
[0027]與現有技術相比，本實用新型所提供的技術方案具有以下優點:
[0028]本實用新型提供的一種防漏藍晶片，具有第一通孔，把LED晶圓分成多個LED晶片，並且，第一通孔側壁具有高反射性能的金屬反射層，這樣能較好的把晶片側面的光反射回晶片內部，減少晶片側面出光而導致的漏藍問題，同時，把晶片側面的光反射回內部能增加晶片軸相出光，提高晶片的亮度和改善晶片的光型分布。
[0029]以上是本實用新型的核心思想，為使本實用新型的上述目的、特徵和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本實用新型的【具體實施方式】做詳細的說明。
[0030]在下面的描述中闡述了很多具體細節以便於充分理解本實用新型，但是本實用新型還可以採用其他不同於在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本實用新型內涵的情況下做類似推廣，因此本實用新型不受下面公開的具體實施例的限制。
[0031]其次，本實用新型結合示意圖進行詳細描述，在詳述本實用新型實施例時，為便於說明，表示器件結構的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應限制本實用新型保護的範圍。此外，在實際製作中應包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。
[0032]下面通過具體實施例詳細描述。
[0033]實施例一
[0034]本實施例提供了一種防漏藍晶片，如圖1所示，包括:
[0035]襯底10;
[0036]發光結構20，發光結構20位於襯底1表面包括:位於襯底1表面的N型氮化鎵層21，位於N型氮化鎵層21背離襯底10—側的有源層22，位於有源層22背離N型氮化鎵層21 —側的P型氮化鎵層23;
[0037]第一通孔30，第一通孔30完全貫穿發光結構20，並延伸至襯底10表面；
[0038]絕緣層31，絕緣層31位於第一通孔30側壁；
[0039]金屬反射層32，金屬反射層32位於第一通孔30側壁；
[0040]電極結構，電極結構包括:位於N型氮化鎵層21表面的N型電極41和位於P型氮化鎵層21表面的P型電極42。
[0041 ]其中，本實施例中的襯底1可以為本領域技術人員常用的襯底，如，襯底1可以為藍寶石襯底、氮化鎵襯底、碳化矽襯底、矽襯底等，優選採用藍寶石襯底。
[0042 ]本實施例中的P型電極61和N型電極6 2可以採用本領域熟知的電極材料，例如Ag、Al、Pd、Pt、Au、W、N1、Ti中的一種或幾種合金。
[0043]進一步地，本實施例中的金屬反射層40採用Au、Ag、Al、Pt、Zn中的一種或多種製成。本實施例優選使用Ag作為金屬反射層，可以提高LED晶片的抗熱性、抗腐蝕性，使LED晶片更具穩定性。此外，本實施例中的絕緣層能將後續形成的金屬反射層、P/N電極進行絕緣，防止晶片出現短路。
[0044]本實施例提供的一種防漏藍晶片，具有第一通孔，把LED晶圓分成多個LED晶片，並且，第一通孔側壁具有高反射性能的金屬反射層，這樣能較好的把晶片側面的光反射回晶片內部，減少晶片側面出光而導致的漏藍問題，同時，把晶片側面的光反射回內部能增加晶片軸相出光，提高晶片的亮度和改善晶片的光型分布。
[0045]對所公開的實施例的上述說明，使本領域專業技術人員能夠實現或使用本實用新型。對這些實施例的多種修改對本領域的專業技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實用新型的精神或範圍的情況下，在其它實施例中實現。因此，本實用新型將不會被限制於本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的範圍。
【主權項】
1.一種防漏藍晶片，包括: 襯底； 發光結構，所述發光結構位於所述襯底表面包括:位於所述襯底表面的N型氮化鎵層，位於所述N型氮化鎵層背離所述襯底一側的有源層，位於所述有源層背離所述N型氮化鎵層一側的P型氮化鎵層； 第一通孔，所述第一通孔完全貫穿所述發光結構，延伸至所述襯底表面； 絕緣層，所述絕緣層位於所述第一通孔的側壁； 金屬反射層，所述金屬反射層位於所述第一通孔的側壁； 電極結構，所述電極結構包括:位於所述N型氮化鎵層表面的N型電極和位於所述P型氮化鎵層表面的P型電極。
【文檔編號】H01L33/62GK205723629SQ201620569292
【公開日】2016年11月23日
【申請日】2016年6月15日
【發明人】何鍵雲
【申請人】佛山市國星半導體技術有限公司