顯示裝置的製造方法

2023-09-20 06:47:30 1

專利名稱：：顯示裝置的製造方法
技術領域：
：本發明涉及顯示裝置的製造方法，特別是涉及在使用有機電場發光元件的顯示裝置的製造中，即使在發光層的形成時適用熱轉遞法的情況下，也能充分把發光效率和亮度半衰壽命維持高的顯示裝置的製造方法。
背景技術：
：利用有才幾材料場致發光(Electroluminescence)的有才幾電場發光元件在上部電極與下部電極之間設置有層合空穴輸送層和發光層的有機層，能使由低壓直流驅動的高亮度發光作為發光元件而被關注。使用這種有機電場發光元件的全彩色顯示裝置把R(紅)、G(綠)、B(蘭)各色的有機電場發光元件配列形成在基板上。在這種顯示裝置的製件上圖形形成。發光層的圖形形成是例如通過在薄板上設置有開口圖形的掩模並利用蒸鍍或塗布發光材料的孔板屏蔽法和噴墨法來進行。但由孔板屏蔽法進行的圖形形成，由於對在掩模上形成的開口圖形的進一步微細加工困難，且由於掩模的撓曲和伸展而向發光元件區域形成位置精度高的圖形困難等，所以難於進一步把有機電場發光元件微細化和高集成化。且由形成有開口圖形的掩模接觸而容易使把先前形成的有機層作為主體的功能層產生破壞，成為製造合格品率低下的主要原因。噴墨法進行的圖形形成其形成圖案的精度有限，因此，發光元件的微細化和高集成化以及基板的大型化困難。於是，作為由有機材料構成的發光層或其他功能層的新圖形形成方法，有提案使用能源(熱源)的轉遞法(即熱轉遞法)。使用熱轉遞法的顯示裝置的製造例如如下進行。首先，在顯示裝置的基板(以下叫做裝置基板)上預先形成下部電極。另一方面在其他基板(以下叫做複製用基板)上預先經由光熱變換層把發光層成膜。然後以使發光層與下部電極相對的狀態來配置裝置基板和複製用基板，通過從複製用基板側照射雷射而把發光層熱複製在裝置基板的下部電極上。這時，通過把點照射的雷射進行掃描而僅在下部電極上的規定區域位置精度良好地熱複製發光層(以上參照下面的專利文獻l)。但這種熱轉遞法的適用儘管對發光元件的微細化有利，但與由孔板屏蔽法製造的發光元件相比則有發光效率和亮度半衰壽命低下的問題。於是在適用以上熱轉遞法的顯示裝置的製造方法中，在熱複製發光層之前通過把裝置基板和複製用基板(施主單元)進行加熱處理來改善發光效率和亮度半衰壽命的方法被提案(參照下面的專利文獻2)。而且，在熱複製後通過把顯示基板進行加熱處理來防止由氧氣和水蒸氣引起的發光層惡化並改善發光效率或亮度半衰壽命的方法也被提案(參照下面的專利文獻3)。專利文獻1:(日本國)特開2002-110350號公報專利文獻2:(日本國)特開2003-229259號公報專利文獻3:(日本國)特開2006-66375號公才艮但對於由熱複製所引起的特性惡化的改善處理，需要符合所複製的發光材料特性地進行選擇，並不是所有的發光元件通過上述次序的加熱處理就提高發光效率。
發明內容本發明的目的在於提供一種顯示裝置的製造方法，在把具備不同材料特性的多個發光元件配列在基板上的顯示裝置中，能把這些發光元件的發光效率和亮度半衰壽命維持高。為了達到該目的，本發明顯示裝置的製造方法首先把供給第一電荷的下部電極形成在基板上的各像素上。然後在一部分像素下部電極的上方通過轉遞法形成第一電荷輸送性的第一發光層圖形，之後把基板進行加熱處理。在進行以上之後，在多個像素中的其他像素的下部電極上方被加熱處理過的面上形成第二電荷輸送性的第二發光層圖形。之後，在與下部電極之間，在把第一發光層和第二發光層夾持的狀態下，形成供給第二電荷的第二陰極。這種製造方法中第一電荷輸送性的第一發光層，其上面側即是供給第二電荷的上部電極側的面，成為第一發光層發光區域側的面是^皮熱處理的平坦面。另一方面，第二輸送性的第二發光層，其下面側即是供給第一電荷的下部電極側的面，成為第二發光層發光區域側的面是被熱處理了的與基底面上相接而形成的平坦面。因此，與發光層的電荷輸送性無關地能把各發光層的發光區域側的面變成平坦面。根據以上說明的本發明，能與電荷輸送性無關地而把各發光層的發光區域側的面平坦化，這樣，在把具備不同材料特性的多個發光元件配列在基板上的顯示裝置中，能符合這些發光元件特性地把發光效率和亮度半衰壽命維持高。其結果是例如即使在通過位置精度良好而發光特性不好的熱轉遞法來形成發光層時，也能把各發光元件的發光效率和亮度半衰壽命維持高，能使用更微細的有機電場發光元件來謀求顯示裝置顯示特性的提高。圖l(1-3)是表示實施例製造方法的剖面工序圖(之一)；圖2(1-2)是表示實施例製造方法的剖面工序圖(之二)；圖3(1-2)是表示實施例製造方法的剖面工序圖(之三)。符號說明1基板3下部電極(陽極)像素llr紅色發光層(第一發光層)9空穴輸送層(第一電荷輸送層)llg綠色發光層(第二發光層)lib蘭色發光層(第二發光層)上部電極(陰極)13電子輸送層(第二電荷輸送層)23顯示裝置具體實施方式以下根據本發明實施例。以下的實施例是把R(紅)、G(綠)、B(蘭)各色的有機電場發光元件配列在基板上的全彩色顯示的顯示裝置製造適用本發明的實施例，根據圖1~圖3的剖面工序圖進行說明。首先如圖1(1)所示，準備配列形成有有機電場發光元件的基板1。該基板l由玻璃、矽、塑料基板、且由形成有TFT(thinfilmtransistor)的TFT基板等所構成。特別是在此製作的顯示裝置是從基板1側取出發光的透射型時，該基板1被設定成是由具有光透射性的材料所構成。接著在該基板1上的各像素上形成供給第一電荷的下部電極3，把下部電極3圖形形成。在此，在第一電荷是正電荷的情況下，下部電極3是作為陽極形成。另一方面，在第一電荷是負電荷的情況下，下部電極3是作為陰極形成。該下部電極3根據在此製作的顯示裝置的驅動方式而以適當的形狀形成圖案。例如，該顯示裝置的驅動方式是單純矩陣方式時，該下部電極3例如以多個像素形成連續的條紋狀。當顯示裝置的驅動方式是在每個像素上具備TFT的有源矩陣方式時，下部電極3與多個配列的各像素對應而圖形形成，同樣地與各像素上設置的TFT相對，以經由把這些TFT覆蓋的層間絕緣膜上形成的接觸孔(圖示省略)而與各自連接的狀態形成。該下部電極3根據在此製作的顯示裝置的光取出方式來分別選擇合適的材質使用。即，該顯示裝置是從與基板1的相反側取出發出的光的上面發光型時，則以高反射材料構成下部電極3。另一方面，在該顯示裝置是從基板1側取出發出的光的透射型或兩面發光型時，則以光透明材料構成下部電極3。例如在此設定顯示裝置是上面發光型，第一電荷是正電荷，把下部電極3作為陽極使用。這時，下部電極10由銀(Ag)、鋁(A1)、鉻(Cr)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鉭(Ta)、鴒(W)、白金(Pt)和金(Au)那樣反射率高的導電性材料及其合金構成。在顯示裝置雖然是上面發光型，但下部電極3作為陰極使用(即把第一電荷設定為是負電荷)時，下部電極3使用功函數小的導電性材料構成。作為這種導電性材料例如能使用Li、Mg、Ca等活性金屬與Ag、Al、In等金屬的合金，或是把它們層合的結構。在與功能層4之間例如也可以是把Li、Mg、Ca等活性金屬與氟、溴等卣素或氧等的化合物層薄薄地插入的結構。相對地，當顯示裝置是透射型或是兩面發光型，且把下部電極3作為陽極使用時，則像ITO(Indium-Tin-Oxide)或IZO(Indium-Zinc-Oxide)那樣，透射率高的導電性材料構成下部電極3。當在此作為製作的顯示裝置的驅動方式是採用有源矩陣方式時，為了確保有機電場發光元件的開口率，最好把顯示裝置設定成是上面發光型。接著，在把以上的下部電極3(在此是陽極)形成後，在把這些下部電極3的周邊覆蓋的狀態下把絕緣膜5圖形形成。這樣，就把從該絕緣膜5上形成的窗露出了下部電極3的部分設定為設置各有機電場發光元件的像素區域。該絕緣膜5例如能使用聚醯胺或感光膠等有機絕緣材料和氧化矽那樣的無機絕緣材料來構成。然後，作為覆蓋下部電極3和絕緣膜5的共通層而形成第一電荷注入層(即在此的空穴注入層)7。該空穴注入層7—般使用空穴注入材料構成，作為一例是4巴m-MTDATA[4，4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine]以10nm的膜厚蒸鍍成膜。然後，作為覆蓋空穴注入層7的共通層而形成第一電荷輸送層(即，在此的空穴輸送層)9。該空穴輸送層9一般是使用空穴輸送材料構成。作為一例是4巴oc陽NPD[4,4-bis(N-l畫naphthyl隱N-phenylamino)biphenyl]以35nm的膜厚蒸鍍成膜。作為構成空穴輸送層9的一般空穴輸送材料例如有聯苯胺衍生物、苯乙烯胺衍生物、三苯曱烷衍生物、腙衍生物等。以上的空穴注入層7和空穴輸送層9也可以是分別作為由多層構成的層合結構來形成。接著如圖1(2)所示，在一部分像素的下部電極3的上方把紅色發光層llr圖形形成以作為空穴(第一電荷)輸送性的第一發光層。該紅色發光層llr通過轉遞法如下形成。這時首先準備複製用基板30r。該複製用基板30r是在與製作顯示裝置用的基板1大致相同形狀的玻璃基板31的整個面上經由光熱變換層33和氧化保護膜34而設置用於形成紅色發光層的複製層(紅色複製層)35r。其中，作為構成光熱變換層33的材料，最好4吏用在接著進行的熱複製工序中對於作為熱源使用的雷射波長範圍具有低反射率的材料。例如在使用來自固體雷射光源的波長800nm左右的雷射時，4各(Cr)或鉬(Mo)等作為具有低反射率、高熔點的材料是理想的，但並不限定於此。在此例如就是通過噴濺法把Mo以200nm的膜厚成膜而形成光熱變換層33。作為構成氧化保護膜34的材料，能舉出SiNx或Si02等。在此例如就是使用CVD(chemicalvapordeposition)法來形成氧化保護膜34。在此，紅色複製層35r主要是由具有空穴輸送性的主材料和紅色發光性的客材料所構成。其中客材料以螢光性的和磷光性為好，但從發光特性的控制容易度來看最好是螢光性的。這種紅色複製層35r例如主材料是使用空穴輸送性材料的a-NPD(a-naphtylphenildiamine),作為紅色發光性的客材料是把2,6-雙[(4-曱氧基二苯基氨基)苯乙烯]-l，5-二氰基萘(BSN)混合30%重量，而構成膜厚45nm程度。把以上這樣構成的複製用基板30r與形成有空穴輸送層9的基板1相對配置。這時，使紅色複製層35r與空穴輸送層9面對面地來配置複製用基板30r和基板l。且使基板1與複製用基板30r貼緊。即使在這時，紅色複製層35b也是被支承在基板1側絕緣膜5上的狀態，複製用基板30b並沒有與下部電極3上的空穴輸送層9部分接觸。然後在這種狀態下，從與基板1相對配置的複製用基板30r側照射例如波長800nm的雷射hr。這時，向與紅色發光元件形成像素對應的部分有選擇地點照射雷射hr。這樣，使光熱變換層33吸收雷射hr,利用其熱而把紅色複製層35r熱複製在基板1側。然後在基板1上成膜的空穴輸送層9上把紅色複製層35r位置精度良好地進行熱複製，並把空穴輸送性的紅色發光層llr圖形形成。在這種熱複製中例如通過雷射hr的照射能量還能調整構成複製用基板30r側紅色複製層35r的各種材料的濃度梯度。具體說就是通過把照射能量設定高，就把構成紅色複製層35r的各材料大致均勻相互混合而作為混合層形成紅色發光層llr。在此，在紅色發光元件形成部分(像素區域)中從絕緣膜5露出的下部電極3上使被紅色發光層llr完全覆蓋地來進行雷射hr照射是重要的。接著如圖1(3)所示，對形成紅色發光層llr的基板1進行加熱處理。這時，是在以比基板1上形成的有機材料層，即空穴注入層7、空穴輸送層9和構成紅色發光層llr的各有機材料的熔點低的範圍，且是以構成空穴輸送層9和紅色發光層1lr的各有機材料的玻璃轉移點附近的溫度進行加熱處理。這樣，來把空穴輸送層9和紅色發光層llr的露出表面平坦化。在此所說的玻璃轉移點附近的溫度只要是能使構成空穴輸送層9的和紅色發光層llr的有機材料能移動的溫度便可，被設定為是支配性構成空穴輸送層9的有機材料的玻璃轉移點與支配性構成紅色發光層llr的有機材料的玻璃轉移點的中間溫度±30°C以內的溫度。在例如本實施例中，作為構成空穴輸送層9和紅色發光層llr的主材料使用了oc-NPD,其玻璃轉移點是96。C。因此，加熱處理以96士30。C的範圍進行，例如以IO(TC進行30分鐘左右。且該加熱處理是在惰性環境中或是真空中進行。接著如圖2(1)和圖2(2)所示，在沒形成紅色發光層llr的其他像素中的下部電極3的上方被熱處理了的面上把綠色發光層llg和蘭色發光層lib順次圖形形成以作為電子(第二電荷)輸送性的第二發光層。這些轉遞法順次形成。這時，首先例如如圖2(1)所示，準備用於形成綠色發光層llg的複製用基板30g。該複製用基板30g在與製作顯示裝置用的基板1大致相同形狀的玻璃基板31的整個面上經由光熱變換層33和氧化保護膜34而設置了用於形成綠色發光層llg的複製層(綠色複製層)35g。其中，綠色複製層35g以外層的結構與使用圖1(2)說明過的複製用基板30r是同樣的便可。在此，綠色複製層35g主要是由具有電子輸送性的主材料和綠色發光性的客材料所構成。其中主材料與構成空穴輸送層9的材料相比只要電子輸送性高便可。具體說就是，與構成空穴輸送層9的cx-NPD的最高佔有軌道能級(以下筒略叫做HOMO)比較綠色材料層使用的主材料的HOMO是低能級，更具體說就是，兩者的差在0.2eV以上便可。且客材料以螢光性的和磷光性為好，但從發光特性的控制容易度來看最好是螢光性的。這種發光複製層35g例如由在電子輸送性的主材料即ADN(anthracenedinaphtyl)中把綠色發光性的客材料即香豆素6以5%重量混合的材料所構成，並且以30nm左右的膜厚蒸《度成膜。把該複製用基板30g與形成有空穴輸送層9和紅色發光層1lr的基板1相對配置，從複製用基板30g側向與綠色發光元件形成像素對應的部分有選擇地點照射雷射hr。這樣，在基板1上成膜的空穴輸送層9上有選擇地把綠色複製層35g進行熱複製，並把綠色發光層llg圖形形成。該熱複製與使用圖1(3)說明過的紅色發光層1lr的圖形形成相同，是把構成綠色複製層35g的各材料以大致相互均勻混合的狀態形成綠色發光層llg來進行。然後如圖2(2)所示，準備用於形成蘭色發光層11b的複製用基板30b。該複製用基板30b是在與製作顯示裝置用的基板1大致相同形狀的玻璃基板31的整個面上經由光熱變換層33和氧化保護膜34而設置用於形成蘭色發光層的複製層(蘭色複製層)35b。其中，蘭色複製層35b以外層的結構與使用圖1(2)說明過的複製用基板30r是同樣的便可。在此，蘭色複製層35b主要是由具有電子輸送性的主材料和蘭色發光性的客材料所構成。其中主材料與上述綠色複製層(35g)同樣地是與構成空穴輸送層9的材料相比只要電子輸送性高便可，且客材料以螢光性的和磷光性為好，但從發光特性的控制容易度來看最好是螢光性的。這種蘭色複製層35b例如是由在電子輸送性的主材料即AND(anthracenedinaphtyl)中把蘭色發光性的客材料即4，4'隱雙[2-(4-(N，N-二苯基氨基)苯基}乙烯基]聯苯(DPAVBi)以2.5%重量混合的材料所構成，並且以30nm程度的膜厚蒸鍍成膜。把該複製用基板30b與形成有空穴輸送層9、紅色發光層llr和綠色發光層llg的基板1相對配置，從複製用基板30b側向與蘭色發光元件形成像素對應的部分有選擇地點照射雷射hr。由此，在基板1上成膜的空穴輸送層9上有選擇地把蘭色複製層35b進行熱複製，並把蘭色發光層lib圖形形成。該熱複製與使用圖1(3)說明的紅色發光層llr的圖形形成相同，把構成蘭色複製層35b的各材料以大致相互均勻混合的狀態形成蘭色發光層lib來進行。以上這樣反覆進行的熱複製工序即使在大氣壓中也能進行，但最好是在真空中進行。通過在真空中進行熱複製，能使用更低能量的雷射來進行複製，能減輕對複製的發光層所給予的熱的不好影響。且通過把熱複製在真空中進行而能提高基板之間的貼緊性，使複製的圖形精度良好，是理想的。且通過把所有處理連續地在真空中進行，能防止元件的惡化。在以上之後如圖3(1)所示，在把形成有各發光層llr、llg、lib的基板1上整個面覆蓋的狀態下，把第二電荷輸送層(在此即電子輸送層)13成膜。該電子輸送層13在基板1上的整個面上作為共通層被蒸鍍成膜。該電子輸送層13—般是使用電子輸送材料構成，作為一例是把8-羥基喹啉鋁(Alq3)以20nm左右的膜厚蒸鍍而成。到以上為止，通過成膜的空穴注入層7、空穴輸送層9、各發光層llr、llg、llb和電子輸送層13而構成了有機層15。然後如圖3(2)所示，在電子輸送層13上把第一電荷注入層(在此即電子注入層)17成膜。該電子注入層17在基板1上的整個面上作為共通層被蒸鍍成膜。該電子注入層17—般是使用電子注入材料構成，作為一例是把LiF通過真空蒸鍍法以約0.3nm(蒸鍍速度0.01nm/sec)的膜厚形成。然後，在電子注入層17上形成上部電極19。該上部電極19在下部電極3是陽極的情況下作為陰極使用，在下部電極3是陰極的情況下作為陽極使用，在此是作為陰極形成的。在此所製作的顯示裝置是單純矩陣方式時，例如把上部電極19形成為與下部電極3的條紋交叉的條紋狀。另一方面，在該顯示裝置是有源矩陣方式時，把該上部電極19形成為以把基板1上的一個面覆蓋的狀態進行成膜的完整(《夕)的膜狀，作為與各像素共通的電極使用。這時，在下部電極3的同一層形成輔助電極(圖示省略),通過相對該輔助電極來連接上部電極19則能成為防止上部電極19電壓下降的結構。在下部電極3與上部電極19的交叉部中，在夾持有分別含有各色發光層llr、llg、11b的有機層15等的各部分上，分別形成紅色發光元件21r、綠色發光元件21g和蘭色發光元件21b。該上部電極19根據在此製作的顯示裝置的光取出方式來分別選擇合適的材質使用。即，該顯示裝置是從與基板1的相反側取出由各色發光層llr、llg、lib發出的光的上面發光型或兩面發光型時，則以光透射性材料或半透射性材料來構成上部電極19。另一方面，在該顯示裝置是從基板1側取出發出的光的透射型時，則以高反射材料構成上部電極19。在此，由於顯示裝置是上面發光型，且下部電極3作為陽極電極使用，所以上部電極19作為陰極電極使用。這時，上部電極19為了能對於有機層15有效地把電子注入，而從下部電極3的形成工序中所例示的功函數小的材料中使用的光透射性良好的材料形成。因此，例如作為通過真空蒸鍍法以10nm的膜厚形成的由MgAg構成的共通陰極來形成上部電極19。這時，是對於基底沒有影響程度地通過成膜粒子能量小的成膜方法例如通過蒸鍍法或CVD(chemicalvapordeposition)法來進行上部電極19的成膜。在顯示裝置是上面發光型時，最好把上部電極19作為半透射性來構成，通過在上部電極19與下部電極3之間構成諧振器結構來進行設計，以提高取出光的強度。在顯示裝置是透射型且是把上部電極19作為陰極電極使用時，由功函數小且反射率高的導電性材料來構成上部電極19。在顯示裝置是透射型且是把上部電極19作為陽極電極使用時，由反射率高的導電性材料來構成上部電極19。如以上那樣在形成各色的有機電場發光元件21r、21g、21b後，在覆蓋上部電極19的狀態下，把在此圖示省略了的保護膜進行成膜。該保護膜以防止水分到達有機層15為目的，使用透水性和吸水性低的材料以足夠的膜厚形成。在此製作的顯示裝置是上面發光型時，該保護膜由透射各色發光層llr、llg、llb發出的光的材料構成，例如設定為是確保80%程度的透射率。該保護膜由絕緣性材料構成便可。在把保護膜由絕緣性材料構成時，能恰當地使用無機非晶性絕緣性材料，例如非晶矽(oc-Si)、非晶炭化矽(a-SiC)、非晶氮化矽(a-Sil-xNx)和非晶碳(ot-C)等。這種無機非晶性絕緣性材料由於不構成晶粒，所以透水性低而成為良好的保護膜。例如，在形成由非晶氮化矽構成的保護膜時，通過CVD法形成23iam的膜厚。但這時為了防止由有機層15的惡化而引起的亮度降低，把成膜溫度設定成是常溫，且為了防止保護膜的脫落，最好是以使膜的應力成為最小為條件來成膜。在此製作的顯示裝置是有源矩陣方式，且是作為覆蓋基板1上的一個面的共通電極來設置上部電極19時，保護膜也可以使用導電性材料來構成。在把保護膜由導電性材料構成時，能使用ITO或IXO那樣的透明導電性材料。如以上那樣覆蓋各色發光層llr、llg、llb的各層，能不使用掩模而形成完整的膜狀。這些各層的形成最好是不暴露在大氣中而在同一個成膜裝置內連續進行，這樣能防止由大氣中的水分而引起的有機層15的惡化。對於以上這樣形成有保護膜的基板1,經由粘接用樹脂材料把保護基板粘貼在保護膜側。作為粘接用樹脂材料例如能使用紫外線固化樹脂。作為保護基板例如使用玻璃基板。但在此製作的顯示裝置是上面發光型時，則粘接用樹脂材料和保護基板必須是由具有光透射性的材料所構成。通過上述的工序完成了把各色發光元件21r、21g、21b配列形成在基板1上的全彩色顯示裝置23。在以上說明的製造方法中是把各色發光層剛剛進行複製後，就對被複製基板進行加熱。如下面實施例所示那樣與現有不使用基板加熱工序就形成有機電場發光元件的情況相比，能得到高的發光效率，而且驅動電壓低且能確認亮度半衰壽命長。因此，根據以上說明的實施例，通過熱轉遞法能位置精度良好地把各色發光層llr、llg、llb圖形形成。在此，空穴輸送性的紅色發光層llr內從下部電極(陽極)3注入的空穴是在紅色發光層llr內進行輸送。該空穴在紅色發光層llr內的上部電極(陰極)19側區域與從上部電極(陰極)19注入的電子再結合。因此，空穴輸送性的紅色發光層llr中接近上部電極(陰極)19側的上面側成為發光區域。特別是上述實施例中如圖1(3)所說明的那樣，通過在空穴輸送層9上形成有空穴輸送性的紅色發光層llr的狀態下進行熱處理，則能把紅色發光層llr的上面側即成為發光區域的面變成平坦面。另一方面，在電子輸送性的綠色發光層llg和蘭色發光層lib內，從上部電極(陰極)19注入的電子是在發光層llg、llb內進行輸送。該電子在發光層llg、llb內的下部電極(陽極)3側區域與從下部電極(陽極)3注入的空穴再結合。因此，電子輸送性的發光層llg、llb中接近下部電極(陽極)3側的下面側成為發光區域。特別是上述實施例中如圖2(1)所說明的那樣，是把電子輸送性的綠色發光層llg和蘭色發光層lib形成在通過加熱處理而被平坦化了的空穴輸送層9上。這樣，這些綠色發光層llg和蘭色發光層llb就能把其下面側即成為發光區域的面變成平坦面。如以上這樣能把空穴輸送性的紅色發光層llr和電子輸送性的發光層llg、lib的各發光區域側的面進行平坦化，由此，在把具備不同材料特性的多個發光元件21r、21g、21b配列在基板l上而成為顯示裝置23中，能與這些發光元件21r、21g、21b的特性相符並且把發光效率和亮度半衰壽命維持高。其結果例如即使是在通過位置精度良好而發光特性不好的熱轉遞法來形成發光層的情況下，也能把各發光元件的發光效率和亮度半衰壽命維持高，能使用更微細的有機電場發光元件來謀求提高顯示裝置的顯示特性。在以上的實施例中是以第一電荷是正電荷、第二電荷是負電荷、下部電極3是陽極、上部電極19是陰極的情況進行的說明。但本發明在第一電荷是負電荷、第二電荷是正電荷、下部電極3是陰極、上部電極19是陽極的情況也能適用。這時，只要把下部電極3上部電極19之間的各層7~17變成相反的層合次序，把其間的形成次序也相反進行便可。即，把下部電極作為陰極形成在基板1上後，根據需要把電子注入層和電子輸送層按該順序形成。然後在其上部把電子輸送性的綠色發光層和蘭色發光層通過轉遞法順次圖形形成。然後進行加熱處理。在該加熱處理中，首先是以比基板1上形成的有機材料層即構成電子輸送層、蘭色發光層和綠色發光層的各有機材料熔點低的範圍，且是以構成這些層的各有機材料玻璃轉移點附近的溫度進行加熱處理。由此來把電子輸送層、蘭色發光層和綠色發光層的露出表面平坦化。例如作為構成電子輸送層、蘭色發光層和綠色發光層的主材料使用ADN(anthracenedinaphtyl)時，其玻璃轉移點是106°C。因此，例如是進行11(TC、30分鐘程度的加熱處理。在以上之後，把空穴輸送性的紅色發光層通過轉遞法在電子輸送層上圖形形成，然後形成上部電極以作為空穴輸送層、空穴注入層和陽極。根據以上實施例說明的本發明，即使對把上述共通層分離了的元件，且即使對例如如特開2003-272960所示那樣4巴具有發光層的有機層單元(發光單元)層合而成的縱列型有機EL元件，也是有效的，也能得到同樣的效果。下面對本發明的具體實施例以及作為相對實施例的比較例，來說明構成全彩色顯示裝置的各色發光有機電場發光元件的製造順序，然後說明它們的評價結果。《實施例》根據本發明如下地個別製作構成顯示裝置的各色發光元件21r、21g、21b(參照圖1~圖3)。〈紅色發光元件21r的製作〉(a)首先在元件製作用基板的玻璃基板1上把銀合金層APC(Ag-Pd-Cu)層(膜厚120nm)和由ITO構成的透明導電層(膜厚10nm)按該順序形成，並把這樣形成的兩層結構的下部電極3作為陽極圖形形成。然後在把下部電極3的周邊覆蓋的狀態下通過噴濺法把氧化矽絕緣膜5以約2jam的厚度成膜，通過光刻法使下部電極3露出並作為像素區域。在其表面上把m-MTDATA蒸鍍成10nm的膜厚以作為空穴注入層7。然後把ot-NPD蒸鍍成35nm的膜厚以作為空穴輸送層9。(b)另一方面如下地製作複製用基板30r。首先在玻璃基板31上通過通常的噴賊法把由厚度200nm的鉬所構成的光熱變換層33進行成膜。然後在光熱變換層33上通過CVD法把由氮化矽SiNx構成的氧化保護膜34以100nm的膜厚進行成膜。然後在氧化保護層上把主材料是使用空穴輸送性材料的a-NPD(oc-naphtylphenildiamine)，作為紅色發光性的客材料把2,6-雙[(4-曱氧基二苯基氨基)苯乙烯]-l，5-二氰基萘(BSN)混合300/0重量的紅色複製層35r通過真空蒸鍍進行成膜。(c)然後，在使成膜的有機層之間面對面的狀態下，把在(b)中製作的複製用基板30r配置在元件製作用的基板l上，在真空中使貼緊。兩基板通過絕緣膜5的厚度而維持有約2jum的小間隙。在該狀態下，與元件製作用基板1的蘭色像素區域相對的配置中，從複製用基板30r的背側照射波長800nm的雷射，從複製用基板30r把紅色複製層35r進行熱複製而形成空穴輸送性的紅色發光層llr。雷射光線點的尺寸是300jamx10|im。雷射光線在與該光線的長度尺寸正交的方向上進行掃描。能量密度是1.8J/cm2。(d)在複製完空穴輸送性的紅色發光層llr之後，把被複製基板整體進行30分鐘期間的加熱工序。這時，空穴輸送層9的a-NPD玻璃轉移點是96。C,主材料ADN的玻璃轉移點是109°C,因此，採用IO(TC的設定溫度。(e)在進行了加熱工序後把電子輸送層13進行成膜。作為電子輸送層13把8^羥基喹啉鋁(Alq3)以20nm程度的膜厚蒸鍍成膜。接著作為電子注入層17把LiF以約0.3nm(蒸鍍速度0.01nm/sec)的膜厚蒸鍍成膜。然後作為成為上部電極19的陰極而把MgAg以10nm的膜厚蒸鍍成膜，得到紅色發光元件21r。〈綠色發光元件21g的製作〉作為在上述(b)中準備的複製用基板39g，準備把空穴輸送性的紅色複製層35r更換成電子輸送性的綠色複製層35g的。即，在(b)複製用基板30g的製作中，在玻璃基板31上成膜的光熱變換層33上把氧化保護膜34成膜，並在其上^巴在由ADN構成的主材料中以5%重量比例混合進由香豆素6構成的綠色發光性客材料的電子輸送性的綠色複製層35g通過真空蒸鍍法成膜。然後在進行到上述(a)的形成空穴輸送層9後，進行(d)的加熱處理，然後進行(b)和(c)的電子輸送性綠色發光層llg的複製，然後進行(e)的電子輸送層13以後的形成工序，得到綠色發光元件21g。〈蘭色發光元件21b的製作〉作為在上述(b)中準備的複製用基板39b，準備把空穴輸送性的紅色複製層35r更換成電子輸送性的蘭色複製層35b。即，在(b)複製用基板30b的製作中，在玻璃基板31上成膜的光熱變換層33上把氧化保護膜34成膜，並在其上把在由ADN構成的主材料中以2.5%重量比例混合進由DPAVBi構成的蘭色發光性客材料的電子輸送性的蘭色複製層35b通過真空蒸鍍法成膜。然後在進行到上述(a)的形成空穴輸送層9後，進行(d)的加熱處理，然後進行(b)和(c)的電子輸送性蘭色發光層llb的複製，然後進行(e)的電子輸送層131以後的形成工序，得到蘭色發光元件21b。《比較例》僅改變上述實施例中加熱處理的順序來個別製作構成顯示裝置的各色發光元件。即在紅色發光元件的製作中設定成在把空穴輸送層的成膜和空穴輸送性的紅色發光層複製形成後，實施加熱處理的順序。且在綠色發光元件和蘭色發光元件的製作中，在實施了加熱處理後進行電子輸送性的綠色發光層和蘭色發光層的複製形成的順序。《評價結果》對於如上製作的實施例的各色發光元件和比較例的各色發光元件，在施加了10mA/cm2定電流密度的狀態下使用分光放射亮度計來測定色度(CIE-x,CIE-y)和發光效率。且在i殳定施加的電流以4吏實施例和比4交例的同色發光元件以同亮度發光的狀態下進行壽命試驗，測定經過100小時後亮度的減少率。把這些結果表示在下面的表l中。[表l]tableseeoriginaldocumentpage16tableseeoriginaldocumentpage17根據該表1能確認，在色發光元件中，實施例製作的發光元件相對比較例製作的發光元件，不僅發光效率大幅度提高了約40%，而且從亮度減少率看的發光壽命也有大幅度的提高。且在色發光元件和蘭色發光元件中，能確認實施例製作的發光元件相對比較例製作的發光元件發光效率提高了。且還能確認在亮度減少率上與比較例保持了同程度。根據以上結果能確認，通過適用本發明的方法製作顯示裝置，則能在使用了特性不同材料的所有紅色發光元件、綠色發光元件和蘭色發光元件中，能在把亮度半衰壽命維持高的狀態下謀求提高發光效率，能提高全彩色顯示裝置的顯示性能。權利要求1、一種顯示裝置的製造方法，其特徵在於，其進行下面的工序把供給第一電荷的下部電極形成在基板上的各像素上的工序、在所述像素中的一部分像素的所述下部電極的上方，形成第一電荷輸送性的第一發光層圖形的工序、把形成有所述第一發光層的所述基板進行加熱處理的工序、在所述各像素中的其他像素的所述下部電極上方的被加熱處理的面上，形成第二電荷輸送性的第二發光層圖形的工序、在與所述下部電極之間，在把所述第一發光層和第二發光層夾持的狀態下，形成供給第二電荷的上部電極的工序。2、如權利要求1所述的顯示裝置的製造方法，其特徵在於，所述第一發光層的圖形形成和第二發光層的圖形形成通過轉遞法進行。3、如權利要求1所述的顯示裝置的製造方法，其特徵在於，所述加熱處理以比構成所述第一發光層的有機材料熔點低的玻璃轉移點附近的溫度進行。4、如權利要求1所述的顯示裝置的製造方法，其特徵在於，在形成所述下部電極後，並且在把所述第一發光層圖形形成前，進行在所述下部電極上形成第一電荷輸送層的工序，且所述加熱處理以比構成所述第一電荷輸送層的有機材料熔點低的溫度進行。5、如權利要求1所述的顯示裝置的製造方法，其特徵在於，在形成所述第二發光層後，並且在形成所述上部電極前，進行在所述第一發光層和該第二發光層上形成第二電荷輸送層的工序。6、如權利要求1所述的顯示裝置的製造方法，其特徵在於，所述第一電荷是正電荷且把所述下部電極作為陽極，所述第二電荷是負電荷且把所述上部電極作為陰極。全文摘要提供一種顯示裝置的製造方法，在把具備不同材料特性的多個發光元件配列在基板上的顯示裝置中，能把這些發光元件的發光效率和亮度半衰壽命維持高。把成為陽極的下部電極(3)形成在基板(1)上的各像素上。然後在各像素中的一部分像素的下部電極(3)的上方通過轉遞法把空穴輸送性的紅色發光層(11r)圖形形成。之後把基板1進行加熱處理。然後，在各像素中其他像素的下部電極(3)的上方被加熱處理過的面上把電子輸送性的綠色發光層和藍色發光層通過轉遞法順次圖形形成。在與下部電極(3)之間，在把紅色發光層、綠色發光層和藍色發光層夾持的狀態下，形成成為陰極的上部電極。文檔編號H05B33/10GK101118874SQ20071013718公開日2008年2月6日申請日期2007年7月30日優先權日2006年7月31日發明者松田英介,鏡慶一申請人:索尼株式會社