用於半導體器件的成品率相似性的方法和系統的製作方法
2023-09-18 22:55:20
專利名稱：用於半導體器件的成品率相似性的方法和系統的製作方法
技術領域：
本發明涉及集成電路和其用於製造半導體器件的處理。更具體地，本發明提供了用於處理集成電路製造的相似性的方法和系統。本發明已經被應用於半導體器件的成品率，這僅僅是為了示例。但是，應該認識到本發明具有更加廣泛的可應用性。
背景技術：
集成電路或「IC」已經從製造在單個矽晶片上的少數的互連器件發展到數百萬個器件。當前的IC所提供的性能和複雜度已遠遠超過了當初的想像。為了實現複雜度和電路密度(即，能夠被安裝到給定晶片面積上的器件的數量)的提高，對於每一代IC，最小器件線寬的尺寸(也被稱為器件「幾何」)變得越來越小。現在正在製造具有線寬小於四分之一微米的半導體器件。
不斷增大的電路密度已不僅提高了IC的複雜度和性能，而且也為客戶提供了更低成本的部件。IC製造設備常常可能花費成百上千萬，甚至十幾億美元。每一套製造設備具有一定的晶片生產量，每片晶片上將會有一定數量的IC。因此，通過製造越來越小的個體IC器件，在每一個晶片上可以製造更多的器件，這樣就可以增加製造設備的產量。要使器件更小總是很有挑戰性的，因為每一種用於IC製造的工藝都存在限制。那也就是說，一種給定的工藝通常只能加工到某一特定的線寬尺寸，於是不是工藝就是器件布局需要被改變。這樣的限制的一個示例是不同生產線或者不同生產現場之間的成品率相似性。
在這些年中利用晶片代工廠服務進行定製集成電路的製造得到了發展。無工廠化晶片公司通常設計定製的集成電路。這樣的定製集成電路需要製造通常被稱為「光罩(reticle)」的一組定製掩模。中國上海的名為中芯國際(SMIC)的晶片代工廠公司是進行代工廠服務的晶片公司的一個示例。雖然在這些年中，無工廠化晶片公司和代工廠服務得到了增長，但是仍然存在很多的限制。例如，晶片公司常常使用若干獨立的製造現場。為了靈活使用各個現場處的容量，公司可以將單個的大訂單分配到數個現場，其中所述數個現場可以同時製造相同種類的產品。此外，為了避免由在製造過程中的意外事故所引起的任何供應中斷，客戶可能要求它們的產品是合格的，並且要求在數個生產線或者在數個現場製造它們的產品。如果一個現場遇到某些問題，則生產任務可以被立即轉移到其他的現場。因此，明顯地降低了客戶在供應線上的風險。雖然各種生產現場通常建於不同的時期，並且所裝備的設備可能彼此不同，但是來自不同現場的最終產品應該具有相似的成品率。在本說明書中，更具體地將在下文中描述這些和其他的限制。
從上面可以看出，用於加工半導體器件的改進的技術是人們所希望的。
發明內容
本發明涉及集成電路和其用於製造半導體器件的處理。更具體地，本發明提供了用於處理集成電路製造的相似性的方法和系統。本發明已經被應用於半導體器件的成品率，這僅僅是為了示例。但是，應該認識到本發明具有更加廣泛的可應用性。
在具體的實施例中，本發明提供了一種用於半導體器件的成品率相似性的方法。該方法包括提供第一批多個半導體器件；提供第二批多個半導體器件；獲取第一批多個成品率，所述第一批多個成品率與和所述第一批多個半導體器件有關的第一成品率相關聯；以及獲取第二批多個成品率，所述第二批多個成品率與和所述第二批多個半導體器件相關的第二成品率相關聯。此外，本方法包括對所述第一批多個成品率執行第一統計分析；至少基於與所述第一統計分析相關聯的信息確定第一統計分布；對所述第二批多個成品率執行第二統計分析；以及至少基於與所述第二統計分析相關聯的信息確定第二統計分布。此外，本方法包括處理與所述第一統計分布和所述第二統計分布相關聯的信息；以及至少基於與所述第一統計分布和所述第二統計分布相關聯的信息確定指示量。所述指示量與所述第一統計分布和所述第二統計分布之間的重疊面積相關聯。並且，本方法包括處理與所述指示量相關聯的信息；至少基於與所述指示量相關聯的信息確定置信度水平；處理與所述置信度水平相關聯的信息；以及至少基於與所述置信度水平相關聯的信息確定所述第一成品率和所述第二成品率是否相似。所述置信度水平與所述指示量的二次冪以及所述指示量的一次冪相關聯。所述確定所述第一成品率和所述第二成品率是否相似的步驟包括如果所述置信度水平等於或者高於95％，則確定所述第一成品率和所述第二成品率是相似的；以及如果所述置信度水平低於95％，則確定所述第一成品率和第二成品率是不相似的。
根據本發明的另一個實施例，提供了包括用於半導體器件的成品率相似性的指令的計算機可讀介質。所述計算機可讀介質包括一個或者多個指令，用於接收第一批多個成品率，所述第一批多個成品率與和第一批多個半導體器件有關的第一成品率相關聯；一個或者多個指令，用於接收第二批多個成品率，所述第二批多個成品率與和第二批多個半導體器件有關的第二成品率相關聯；一個或者多個指令，用於對所述第一批多個成品率執行第一統計分析；以及一個或者多個指令，用於至少基於與所述第一統計分析相關聯的信息確定第一統計分布。此外，所述計算機可讀介質包括一個或者多個指令，用於對所述第二批多個成品率執行第二統計分析；一個或者多個指令，用於至少基於與所述第二統計分析相關聯的信息確定第二統計分布；一個或者多個指令，用於處理與所述第一統計分布和所述第二統計分布相關聯的信息；以及一個或者多個指令，用於至少基於與所述第一統計分布和所述第二統計分布相關聯的信息確定指示量。所述指示量與所述第一統計分布和所述第二統計分布之間的重疊面積相關聯。此外，所述計算機可讀介質包括一個或者多個指令，用於處理與所述指示量相關聯的信息；一個或者多個指令，用於至少基於與所述指示量相關聯的信息確定置信度水平；一個或者多個指令，用於處理與所述置信度水平相關聯的信息；以及一個或者多個指令，用於至少基於與所述置信度水平相關聯的信息確定所述第一成品率和所述第二成品率是否相似。所述置信度水平與所述指示量的二次冪以及所述指示量的一次冪相關聯。所述用於確定所述第一成品率和所述第二成品率是否相似的一個或者多個指令包括一個或者多個指令，如果所述置信度水平等於或者高於95％，則所述一個或者多個指令確定所述第一成品率和所述第二成品率是相似的；以及一個或者多個指令，如果所述置信度水平低於95％，則所述一個或者多個指令確定所述第一成品率和所述第二成品率是不相似的。
例如，置信度水平等於一個百分數，所述百分數與乘以了-0.56的所述指示量的二次冪和乘以了1.56的所述指示量的一次冪的加和相關聯。用於確定所述第一成品率和所述第二成品率是否相似的一個或者多個指令還包括一個或者多個指令，其中如果所述置信度水平等於或者高於99％，則所述指令確定所述第一成品率和所述第二成品率是高度相似的。在另一個示例中，指示量僅僅依賴於第一統計參數和第二統計參數。用於確定置信度水平的一個或者多個指令包括用於從表中獲取所述置信度水平的一個或者多個指令。所述表提供了作為所述第一統計參數和所述第二統計參數的函數的所述置信度水平。在另一個示例中，第一統計分布與和第一平均成品率和第一數量有關的第一二項式分布相關聯，第二統計分布與和第二平均成品率和第二數量有關的第二二項式分布相關聯。所述第一二項式分布近似等於與第一均值和第一標準差相關聯的第一正態分布，所述第二二項式分布近似等於與第二均值和第二標準差相關聯的第二正態分布。所述指示量僅僅依賴於第一統計參數和第二統計參數。所述第一統計參數與所述第一均值和所述第二均值之間的差成比例，所述第二統計參數與所述第一標準差和所述第二標準差之間的比值相關聯。在另一個示例中，第一批多個半導體器件與第一生產現場相關聯，第二批多個半導體器件與第二生產現場相關聯。
通過本發明獲得了較傳統技術的很多優點。例如，本技術提供一種使用依賴於傳統技術的工藝的簡單方法。在一些實施例中，本方法提供了對不同生產線或者不同生產現場之間的成品率相似性的可靠的確定。例如，在基線工藝和非基線工藝之間對成品相似性進行評估。此外，本方法提供了與傳統工藝技術兼容而不用對傳統設備和工藝進行實質修改的工藝。依據實施例，可以獲得這些優點中的一個或多個。這些優點或其他優點將在本說明書中並且更具體地在下文中，進行更多的描述。
參考隨後的詳細描述和附圖，本發明的各種另外的目的、特徵和優點可以被更加充分地理解。
圖1是根據本發明的一個實施例的用於半導體製造的成品率相似性的簡化的方法。
圖2是作為兩個統計參數的函數的簡化的調和置信度(harmonizationconfidence)。
具體實施例方式
本發明涉及集成電路和其用於製造半導體器件的處理。更具體地，本發明提供了用於處理集成電路製造的相似性的方法和系統。本發明已經被應用於半導體器件的成品率，這僅僅是為了示例。但是，應該認識到本發明具有更加廣泛的可應用性。
圖1是根據本發明的一個實施例的用於半導體製造的成品率相似性的簡化的方法。此圖僅作為示例，在這裡其不應不適當地限制權利要求的範圍。方法100包括下面的步驟1.步驟110，製造第一批多個半導體器件；2.步驟115，製造第二批多個半導體器件；3.步驟120，表徵第一批多個半導體器件；4.步驟125，表徵第二批多個半導體器件；5.步驟130，分析第一批多個半導體器件的成品率；6.步驟135，分析第二批多個半導體器件的成品率；7.步驟140，比較成品率；8.步驟150，確定調和置信度；9.步驟160，確定成品率相似性。
上述順序的步驟提供了根據本發明的一個實施例的方法。還可以提供其他的可供選擇的方法，其中在不背離這裡的權利要求的範圍的情況下，加入某些步驟，移除一個或多個步驟，或者一個或多個步驟按照不同的順序進行。本發明進一步的詳細說明在本說明書中可以找到，在下文中將作更詳細的描述。
在步驟110，第一批多個半導體器件被製造。所述半導體器件可以包括各種類型的電晶體、二極體、電阻器、感應器或者其他。此外，半導體器件可以包括電晶體、二極體、感應器或者其他的起始產品或者中間產品。在一個實施例中，電晶體的製造開始於起始產品，並且包括各種處理步驟。例如，起始產品包括半導體襯底。半導體可以是矽、鍺、砷化鎵或者其他的材料。處理步驟可以包括沉積、退火、離子注入、刻蝕或者其他。在每一個處理步驟之後，所得的結構是中間產品。
在步驟115，第二批多個半導體器件被製造。通過設計，第二批多個半導體器件具有至少一個與第一批的多個半導體器件相同的特性。在一個實施例中，該特性是在線工藝參數。例如，所述特性是多晶矽層的寬度、沉積厚度或者金屬關鍵尺寸。在另一個實施例中，所述特性是器件或者晶片的驗收參數(acceptance parameter)。例如，所述特性是方塊電阻或者擊穿電壓。在另一個實施例中，第二批多個半導體器件具有與第一批多個半導體器件相同的結構和功能規格。例如，通過設計，利用與用於第一批多個半導體器件的相同的起始結構和製造工藝來製造第二批多個半導體器件。
此外，在第一生產線上或者在第一生產現場製造第一批多個半導體器件，在第二生產線上或者在第二生產現場製造第二批多個半導體器件。例如，第一生產線與第二生產線在相同的生產現場，或者屬於不同的生產現場。在一個實施例中，第一生產線和第二生產線至少共享部分的製造設備。在另一個實施例中，第一生產線和第二生產線不共享任何的製造設備。在另一個實施例中，第一生產現場和第二生產現場都使用某些類型的製造設備。例如，在第一生產現場所使用的退火室具有與第二生產現場所使用的相同的型號。在另一個實施例中，第一生產現場和第二生產現場不使用任何相同類型製造設備。例如，在第一生產現場所使用的退火室是由與在第二生產現場所使用的退火室不同的製造商所製造的。
此外，根據本發明的一個實施例，第一生產線或者第一生產現場提供基線製造工藝。例如，某個公司可以在其研發中心設計並驗定新產品，然後將新產品分散到數個製造現場以進行大規模生產。研發中心處的性能記錄作為基線。在另一個實施例中，公司在數個生產現場中選擇具有最佳性能的基線現場。
並且，在另一個實施例中，公司協調不同的製造現場。例如，建立控制臺，用於領導作業。當製造相同的特定產品時，從統一命名規則開始，所有的現場使用共同的工藝流程。在實施方法100之前、之後和之中，分析和減少不同現場處的設備中的差異。
在步驟120，第一批多個半導體器件被表徵。在一個實施例中，測量第一批多個半導體器件中的一些或者全部的一個結構和功能參數。例如，結構參數是諸如多晶矽層的寬度之類的被沉積層的尺寸、沉積厚度或者金屬關鍵尺寸。在另一個示例中，結構參數是摻雜分布圖(profile)、遷移率分布圖、應力分布圖或其他。在另一個實施例中，功能參數是方塊電阻、導通電壓、擊穿電壓、漏電流或其他。在另一個實施例中，測量了第一批多個半導體器件中的一些或者全部的不止一個的結構和功能參數。在另一個實施例中，對於第一批多個半導體器件中的一些或者全部，測量了包括一個或者多個結構和功能參數的與第一批多個半導體器件相關的一個或者多個參數，或者測量了除一個或者多個結構和功能之外的與第一批多個半導體器件相關的其他一個或者多個參數。
此外，如上面所討論的，表徵第一批多個半導體器件中的一些或者全部。在一個實施例中，第一批多個半導體器件被製造在第一批多個半導體晶片上。多個半導體晶片中的每一個包括n個半導體器件，其中n是正整數。例如，每一個半導體器件對應於半導體晶片上的一個管芯。從第一批多個半導體晶片中選擇mA個晶片進行表徵。mA是正整數。對mA個晶片的選擇是隨機的，或者是基於一個第一預定條件。
在一個實施例中，對第一批多個半導體器件中的一些或者全部所測量的一個或者多個參數與第一要求進行比較。如果滿足要求，則半導體器件被認為是合格的。如果不滿足要求，則半導體器件被認為是不合格的。對於每一個晶片，成品率(即合格器件與被測試的所有器件的比值)是pAi，其中i＝1，2，...mA。對於相應的生產線或者生產現場的平均成品率為pA=1mAi=1mApAi.]]>在步驟125，第二批多個半導體器件被表徵。對於第二批多個半導體器件中的一些或者全部，同樣測量對於第一批多個半導體器件所確定的一個或者多個參數。根據一個實施例，第二批多個半導體器件中的一些或者全部被表徵。在一個實施例中，第二批多個半導體器件被製造在第二批多個半導體晶片上。多個半導體晶片中的每一個包括n個半導體器件，其中n是正整數。例如，每一個半導體器件對應於半導體晶片上的一個管芯。從第二批多個半導體晶片中選擇mB個晶片進行表徵。mB是正整數。對mB個晶片的選擇是隨機的，或者是基於一個第二預定條件。例如，第二預定條件可以與第一預定條件相同或者不同。
在一個實施例中，對第二批多個半導體器件中的一些或者全部所測量的一個或者多個參數與第二要求進行比較。如果滿足要求，則半導體器件被認為是合格的。如果不滿足要求，則半導體器件被認為是不合格的。對於每一個晶片，成品率(即合格器件與被測試的所有器件的比值)是pBi，其中i＝1，2，...mA。對於相應的生產線或者生產現場的平均成品率為pB=1mBi=1mBpBi.]]>在一個實施例中，第一要求和第二要求是相同的。在另一個實施例中，第一要求和第二要求是不同的。
在步驟130，第一批多個半導體器件的成品率被分析。例如，mA個晶片的成品率pAi可以至少由Binomial分布(二項式分布)進行統計建模。Binomial(n；pA)分布的均值是npA。Binomial(n；pA)分布的方差是npA(1-pA)。例如，npA≥5並且n(1-pA)≥5。Binomial(n；pA)分布可以被近似為正態分布N(npA，npA(1-pA))，其中μ1＝npA且1=npA(1-pA).]]>μ1是均值參數，σ1是標準差參數。在另一個實施例中，利用二項式分布或者正態分布以外的其他統計模型分析成品率。
在步驟135，第二批多個半導體器件的成品率被分析。例如，mB個晶片的成品率pBi可以至少由Binomial分布進行統計建模。Binomial(n；pB)分布的均值是npB。Binomial(n；pB)分布的方差是npB(1-pB)。例如，npB≥5且n(1-pB)≥5。Binomial(n；pB)分布可以被近似為正態分布N(npB，npB(1-pB))，其中μ2＝npB且2=npB(1-pB).]]>μ2是均值參數，σ1是標準差參數。在另一個實施例中，利用二項式分布或者正態分布以外的其他統計模型分析成品率。
在步驟140，比較第一批多個半導體器件和第二批多個半導體器件的成品率。在一個實施例中，對第一批多個半導體器件的成品率用至少N(μ1，σ12)進行建模，並且對第二批多個半導體器件的成品率用至少N(μ2，σ22)進行建模。通過數學變換，用於第一批多個半導體器件的正態分布被轉換成標準正態分布N(0，1)。標準正態分布的均值為0，標準差參數為1。同樣的數學變換將第二批多個半導體器件的正態分布轉換為另一個正態分布N(μ3，σ32)，其中3=11(2-1)=n(pB-pA)pA(1-pA)]]>式13=21=pB(1-pB)pA(1-pA)]]>式2根據本發明的一個實施例，第一批多個半導體器件和第二批多個半導體器件的成品率之間的比較由標準正態分布N(0，1)和N(μ3，σ32)在置信區間(interested interval)CD之間的重疊面積來度量。具體的，重疊面積被確定如下A(3,3)=(12CD[e-y22+13e-(y-3)2232]dy)-33e-y22dy]]>式3C＝max(-3，μ3-3σ3)式4D＝min(3，μ3+3σ3) 式5在步驟150，調和置信度被確定。例如，調和置信度被定義如下HC1Y＝(-0.56A2+1.56A)×100％式6其中，HC1Y是百分數的調和置信度。例如，如果A為0.8，則HC1Y將等於88.96％。根據本發明的一個實施例，HC1Y與來自第一生產線或者第一生產現場和來自第二生產線或者第二生產現場的成品率的相似性程度相關聯。如式6所示，調和置信度是μ3和σ3的二元函數。圖2是作為μ3和σ3的函數的簡化的調和置信度。此圖僅作為示例，在這裡其不應不適當地限制權利要求的範圍。本領域的普通技術人員可以發現很多變化、修改和替代。如圖2所示，在行中μ3從0變化至6，並且在列中σ3從0.1變化至6。調和置信度對於μ3關於0對稱，因此該表也覆蓋了範圍為0至-6的μ3值。步驟150可以通過使用圖2中的表來實施。
在步驟160，基於調和置信度確定成品率的相似性。例如，如果調和置信度大於或者等於95％，則認為成品率在不同的產品生產線或者不同的生產現場之間是相似的。在另一個示例中，如果調和置信度大於或者等於99％，則認為成品率在不同的產品生產線或者不同的生產現場之間是高度相似的。
在半導體工業中，成品率是可靠性的一個重要因素。例如，具有低成品率的晶片意味著可靠性存在高風險。在一個實施例中，如果認為成品率不相似，則成品率可能在一個生產線到另一個生產線或者從一個生產現場到另一個生產現場發生明顯的波動。這樣的波動可以對系統集成產生不利的影響，並且限制了這樣的產品在關鍵應用中的使用。在另一個實施例中，如果認為成品率是高度相似的，則成品率在不同的生產線或者不同的生產現場之中保持基本相同。這樣的產品可以優選地用於關鍵應用。
如上面所討論並在此被進一步強調的，圖1僅僅是示例，在這裡其不應不適當地限制權利要求的範圍。本領域的普通技術人員可以發現很多變化、修改和替代。在一個實施例中，由方法100所測量和分析的產品參數可以是任何的性質特性。例如，產品參數是物理特性，例如長度、重量、壓力、電壓、電流或者粘度。在另一個示例中，產品參數是感覺特性，例如味道、顏色或者使用的容易程度。在另一個示例中，產品參數是具有時間依賴性的特性，例如可靠性或者持久性。在另一個實施例中，方法100被應用於任何產品，而不限於半導體器件。
在本發明的一個實施例中，可以通過計算機系統執行方法100的一些或者全部步驟。例如，電腦程式產品包括計算機可讀介質，所述計算機可讀介質包括用於處理半導體器件的成品率相似性的指令。計算機可讀介質包括用於接收第一批多個成品率的一個或者多個指令，所述第一批多個成品率與和第一批多個半導體器件有關的第一成品率相關聯；用於接收第二批多個成品率的一個或者多個指令，所述第二批多個成品率與和第二批多個半導體器件有關的第二成品率相關聯；用於對第一批多個成品率執行第一統計分析的一個或者多個指令；以及用於至少基於與第一統計分析相關聯的信息確定第一統計分布的一個或者多個指令。此外，所述計算機可讀介質包括用於對第二批多個成品率執行第二統計分析的一個或者多個指令；用於至少基於與第二統計分析相關聯的信息確定第二統計分布的一個或者多個指令；用於處理與第一統計分布和第二統計分布相關聯的信息的一個或者多個指令；以及用於至少基於與第一統計分布和第二統計分布相關聯的信息確定指示量的一個或者多個指令。指示量與第一統計分布和第二統計分布之間的重疊面積相關聯。此外，所述計算機可讀介質包括用於處理與指示量相關聯的信息的一個或者多個指令；用於至少基於與指示量相關聯的信息確定置信度水平的一個或者多個指令；用於處理與置信度水平相關聯的信息的一個或者多個指令；以及用於至少基於與置信度水平相關聯的信息確定第一成品率和第二成品率是否相似的一個或者多個指令。置信度水平與指示量的二次冪以及指示量的一次冪相關聯。用於確定第一成品率和第二成品率是否相似的一個或者多個指令包括這樣的一個或者多個指令，即如果置信度水平等於或者高於95％，則所述指令確定第一成品率和第二成品率是相似的；以及這樣的一個或者多個指令，即如果置信度水平低於95％，則所述指令確定第一成品率和第二成品率是不相似的。
還應當理解，這裡所描述的示例和實施例只是為了說明的目的，本領域的普通技術人員可以根據上述實施例想到各種修改和變化，並且這些修改和變化都在本申請的精神和範圍內，並且也在所附權利要求的範圍內。
權利要求
1.一種用於半導體器件的成品率相似性的方法，所述方法包括提供第一批多個半導體器件；提供第二批多個半導體器件；獲取第一批多個成品率，所述第一批多個成品率與和所述第一批多個半導體器件有關的第一成品率相關聯；獲取第二批多個成品率，所述第二批多個成品率與和所述第二批多個半導體器件有關的第二成品率相關聯；對所述第一批多個成品率執行一個第一統計分析；至少基於與所述第一統計分析相關聯的信息確定一個第一統計分布；對所述第二批多個成品率執行一個第二統計分析；至少基於與所述第二統計分析相關聯的信息確定一個第二統計分布；處理與所述第一統計分布和所述第二統計分布相關聯的信息；至少基於與所述第一統計分布和所述第二統計分布相關聯的信息確定一個指示量，所述指示量與所述第一統計分布和所述第二統計分布之間的重疊面積相關聯；處理與所述指示量相關聯的信息；至少基於與所述指示量相關聯的信息確定一個置信度水平；處理與所述置信度水平相關聯的信息；至少基於與所述置信度水平相關聯的信息確定所述第一成品率和所述第二成品率是否相似；其中，所述置信度水平與所述指示量的二次冪以及所述指示量的一次冪相關聯；其中，所述確定所述第一成品率和所述第二成品率是否相似的步驟包括如果所述置信度水平等於或者高於95％，則確定所述第一成品率和所述第二成品率是相似的；如果所述置信度水平低於95％，則確定所述第一成品率和所述第二成品率是不相似的。
2.如權利要求1所述的方法，其中所述置信度水平等於一個百分數，所述百分數與乘以了-0.56的所述指示量的二次冪和乘以了1.56的所述指示量的一次冪的加和相關聯。
3.如權利要求2所述的方法，其中所述確定所述第一成品率和所述第二成品率是否相似的步驟還包括如果所述置信度水平等於或者高於99％，則確定所述第一成品率和所述第二成品率是高度相似的。
4.如權利要求1所述的方法，其中所述指示量僅僅依賴於一個第一統計參數和一個第二統計參數。
5.如權利要求4所述的方法，其中所述確定置信度水平的步驟包括從一個表中獲取所述置信度水平；其中所述表提供了作為所述第一統計參數和所述第二統計參數的函數的所述置信度水平。
6.如權利要求1所述的方法，其中所述第一統計分布與和一個第一平均成品率和一個第一數量有關的一個第一二項式分布相關聯，所述第二統計分布與和一個第二平均成品率和一個第二數量有關的一個第二二項式分布相關聯。
7.如權利要求6所述的方法，其中所述第一二項式分布近似等於與一個第一均值和一個第一標準差相關聯的一個第一正態分布，所述第二二項式分布近似等於與一個第二均值和一個第二標準差相關聯的一個第二正態分布。
8.如權利要求7所述的方法，其中所述第一均值與所述第一平均成品率和所述第一數量相關聯，所述第一標準差與所述第一平均產率和所述第一數量相關聯。
9.如權利要求7所述的方法，其中所述指示量僅僅依賴於一個第一統計參數和一個第二統計參數，所述第一統計參數與所述第一均值和所述第二均值之間的差成比例，所述第二統計參數與所述第一標準差和所述第二標準差之間的比值相關聯。
10.如權利要求6所述的方法，其中所述第一批多個成品率分別對應於第一批多個晶片，所述第一批多個晶片中的每一個包括所述第一數量的半導體器件。
11.如權利要求1所述的方法，其中所述第一批多個半導體器件與第一生產現場相關聯，所述第二批多個半導體器件與第二生產現場相關聯。
12.一種包括用於半導體器件的成品率的相似性的指令的計算機可讀介質，所述計算機可讀介質包括一個或者多個指令，用於接收第一批多個成品率，所述第一批多個成品率與和第一批多個半導體器件有關的第一成品率相關聯；一個或者多個指令，用於接收第二批多個成品率，所述第二批多個成品率與和第二批多個半導體器件有關的第二成品率相關聯；一個或者多個指令，用於對所述第一批多個成品率執行一個第一統計分析；一個或者多個指令，用於至少基於與所述第一統計分析相關聯的信息確定一個第一統計分布；一個或者多個指令，用於對所述第二批多個成品率執行一個第二統計分析；一個或者多個指令，用於至少基於與所述第二統計分析相關聯的信息確定一個第二統計分布；一個或者多個指令，用於處理與所述第一統計分布和所述第二統計分布相關聯的信息；一個或者多個指令，用於至少基於與所述第一統計分布和所述第二統計分布相關聯的信息確定一個指示量，所述指示量與所述第一統計分布和所述第二統計分布之間的重疊面積相關聯；一個或者多個指令，用於處理與所述指示量相關聯的信息；一個或者多個指令，用於至少基於與所述指示量相關聯的信息確定一個置信度水平；一個或者多個指令，用於處理與所述置信度水平相關聯的信息；一個或者多個指令，用於至少基於與所述置信度水平相關聯的信息確定所述第一成品率和所述第二成品率是否相似；其中，所述置信度水平與所述指示量的二次冪以及所述指示量的一次冪相關聯；其中，所述用於確定所述第一成品率和所述第二成品率是否相似的一個或者多個指令包括一個或者多個指令，如果所述置信度水平等於或者高於95％，則確定所述第一成品率和所述第二成品率是相似的；一個或者多個指令，如果所述置信度水平低於95％，則確定所述第一成品率和所述第二成品率是不相似的。
13.如權利要求12所述的計算機可讀介質，其中所述置信度水平等於一個百分數，所述百分數與乘以了-0.56的所述指示量二次冪和乘以了1.56的所述指示量一次冪的加和相關聯。
14.如權利要求13所述的計算機可讀介質，其中所述用於確定所述第一成品率和所述第二成品率是否相似的一個或者多個指令還包括這樣的一個或者多個指令，如果所述置信度水平等於或者高於99％，則確定所述第一成品率和所述第二成品率是高度相似的。
15.如權利要求12所述的計算機可讀介質，其中所述指示量僅僅依賴於一個第一統計參數和一個第二統計參數。
16.如權利要求15所述的計算機可讀介質，其中所述用於確定置信度水平的一個或者多個指令包括用於從一個表中獲取所述置信度水平的一個或者多個指令；其中所述表提供作為所述第一統計參數和所述第二統計參數的函數的所述置信度水平。
17.如權利要求12所述的計算機可讀介質，其中所述第一統計分布與和一個第一平均成品率和一個第一數量有關的一個第一二項式分布相關聯，所述第二統計分布與和一個第二平均成品率和一個第二數量有關的一個第二二項式分布相關聯。
18.如權利要求17所述的計算機可讀介質，其中所述第一二項式分布近似等於與一個第一均值和一個第一標準差相關聯的一個第一正態分布，所述第二二項式分布近似等於與一個第二均值和一個第二標準差相關聯的一個第二正態分布。
19.如權利要求18所述的計算機可讀介質，其中所述指示量僅僅依賴於一個第一統計參數和一個第二統計參數，所述第一統計參數與所述第一均值和所述第二均值之間的差成比例，所述第二統計參數與所述第一標準差和所述第二標準差之間的比值相關聯。
20.如權利要求12所述的計算機可讀介質，其中所述第一批多個半導體器件與第一生產現場相關聯，所述第二批多個半導體器件與第二生產現場相關聯。
全文摘要
本發明公開了一種用於半導體器件的成品率相似性的方法和系統。該方法包括提供第一批多個半導體器件；提供第二批多個半導體器件；獲取與第一成品率相關聯的第一批多個成品率；以及獲取與第二成品率相關聯的第二批多個成品率。此外，本方法包括對第一批多個成品率執行第一統計分析；確定第一統計分布；對第二批多個成品率執行第二統計分析；以及確定第二統計分布。此外，本方法包括處理與第一和第二統計分布相關聯的信息；以及確定指示量。並且，本方法包括處理與指示量相關聯的信息；確定置信度水平；處理與置信度水平相關聯的信息；以及確定第一成品率和第二成品率是否相似。
文檔編號G06Q90/00GK1716519SQ20041002541
公開日2006年1月4日 申請日期2004年6月14日 優先權日2004年6月14日
發明者王邕保 申請人:中芯國際集成電路製造(上海)有限公司