具有可動質量塊的微結構的製作方法
2023-09-18 17:35:00 2
專利名稱：具有可動質量塊的微結構的製作方法
技術領域：
本發明一般地涉及具有可動質量塊(或活動質量塊)的微結構。更具體地，本發明涉及檢測質量塊物理運動的加速度計。
背景技術：
有多種類型的傳感器使用可動質量塊(活動質量塊)。舉例來說，有諸如加速度計和角加速度計(震動陀螺儀)的慣性傳感器。
檢測運載工具加速度的加速度計一般利用壓敏電阻效應。舉例來說，按照這樣的傳感器，在矽基底構件(固定框架)的腔中裝有盒狀的震動質量塊(即活動質量塊)。可動質量塊由其上形成了壓敏電阻的梁來懸掛，以便隨質量塊的運動而向壓敏電阻施加應力。用電阻的變化來檢測施加給壓敏電阻的應力變化。這種技術可以用於運載工具的巡航控制。
上面所描述的質量塊需要自由地運動，但是，如果質量塊過度地運動，則傳感器可能被破壞或損壞。根據日本專利特開H5-71448中示出的發明，玻璃限動器被用來抑制質量塊的過度運動。
但是，玻璃限動器布置在質量塊之上，所以傳感器的厚度增加了。此外，製造步驟被複雜化，並且提高了製造成本。另外，在玻璃和矽構件之間所產生的應力可能對傳感器的性能產生負面的影響。
發明內容
因而，本發明的一個目的是提供一種微結構，其中可以抑制質量塊的過度運動，而不顯著地增加厚度。本發明的另一個目的是提供一種微結構，其中實現了過度運動抑制機構，而沒有對其性能的負面影響以及製造的複雜化或成本的提高。
本發明另外的目的、優點和新穎的特徵一部分將在下面的說明中給出，一部分對本領域技術人員將在檢驗下面內容時變得明顯，或者可通過實現本發明而學習到。
根據本發明的第一個方面，一種微結構包括質量塊；在其中可動地容納了所述質量塊的基底構件。所述質量塊包括暴露於所述基底構件之外的表面和限動線，所述限動線布置在所述質量塊的所述表面上方，以抑制所述質量塊的過度運動。與使用玻璃限動器的傳統技術相比，本發明的微結構可以被製造成更小的厚度。當固定限動線時，沒有應力施加於基底構件和質量塊。因而，對例如加速度計的微結構的性能不產生負面影響。此外，可以在導線接合工藝中固定限動線，以防止製造工藝複雜化；並且，製造成本可以因此而最小。尤其對於加速度計，當傳感器晶片的電極焊盤和封裝的引腳焊盤為了電連接而導線接合的時候，可以同時形成限動線。
根據本發明的第二個方面，一種容納上述微結構的封裝結構，包括至少一個用於與所述微結構電連接的引腳焊盤。所述限動線的至少一端被連接到所述引腳焊盤。限動線可以自由布置並在設計上容易改變。當限動線的一端被連接到基底構件的電極焊盤，而另一端被連接到封裝的引腳焊盤時，限動線不僅可以用於機械保護，還可以用於電連接。
根據本發明的第三個方面，所述限動線包括要固定到水平面比所述質量塊的所述表面相對低的位置處的末端。布置具有高度或者間隙的接合線是困難的。如果接合線的間隙小於100μm，則間隙會做得不一致。根據本發明，質量塊的上表面和限動線之間的距離或者間隙可以被減小而不增加導線的末端和頂部之間在垂直方向上的距離。因而，微結構的厚度可以被減小而不增加限動線的間隙或高度的不一致性。
根據本發明的第四個方面，加速度計包括質量塊；在其中可動地容納了所述質量塊的矽基底構件，其中所述質量塊包括暴露於所述基底構件之外的表面；限動線，布置在所述質量塊的所述表面上方，以抑制所述質量塊的過度運動；和封裝，容納具有所述質量塊的所述基底構件。
圖1是舉例說明根據本發明第一優選實施例的加速度計的透視圖。
圖2是示出圖1中所示的加速度計的平面圖，其中省略了例如金屬互連的小元件。
圖3是沿圖1中的線I-I所取的橫截面圖。
圖4是示出圖1中的加速度計的一部分的橫截面5是示出用於根據第一優選實施例的加速度計的限動線另一種布置的平面圖。
圖6是示出用於根據第一優選實施例的加速度計的限動線另一種布置的平面圖。
圖7是示出容納了本發明第二優選實施例的加速度計的封裝結構的橫截面圖。
圖8是示出用於根據第二優選實施例的加速度計的限動線布置的平面圖。
圖9～圖12是示出用於圖7中所示的第二優選實施例的限動線其他布置的平面圖。
圖13是示出容納了本發明第三優選實施例的加速度計的封裝結構的橫截面圖。
圖14是示出用於根據第三優選實施例的加速度計的限動線布置的平面圖。
圖15是示出用於根據第三優選實施例的加速度計的限動線另一種布置的平面圖。
圖16是示出根據本發明第四優選實施例的加速度計的橫截面圖。
圖17是舉例說明根據本發明第五優選實施例的加速度計的透視圖。
圖18示出用於根據第五優選實施例的加速度計的限動線布置的平面圖。
圖19是舉例說明根據本發明第六優選實施例的加速度計的橫截面圖。
圖20A～圖20D是示出根據圖19中所示的第六優選實施例的加速度計的製造步驟示例的橫截面圖。
圖21A～圖21G是示出根據圖19中所示的第六優選實施例的加速度計的另一個製造步驟示例的橫截面圖。
圖22A～圖22F是示出根據圖19中所示的第六優選實施例的加速度計的另一個製造步驟示例的橫截面圖。
圖23是舉例說明根據本發明第七優選實施例的加速度計的橫截面圖。
圖24A～圖24E是示出根據圖23中所示的第七優選實施例的加速度計的製造步驟示例的橫截面圖。
圖25是舉例說明根據本發明第八優選實施例的加速度計的透視圖。
圖26是舉例說明根據圖25中所示的第八優選實施例的加速度計的橫截面圖。
具體實施例方式
在下面對優選實施例的詳細說明中，參考了形成為本文一部分的附圖，附圖中以舉例說明的方式示出可以在其中實現本發明的特定優選實施例。這些優選實施例被充分詳細地描述，以便使本領域的技術人員能夠實現本發明，還應當理解也可以利用其他優選實施例，也可以在邏輯、機械和電的方面作出變化，而不脫離本發明的精神和範圍。因此，下面的詳細說明不應被認為是限定性的，本發明的範圍只由所附權利要求所定義。
現在描述本發明。本發明適用於各種類型的慣性傳感器，例如加速度計和角加速度計(震動陀螺儀)。本發明還適用於具有例如驅動器的可動構件的任何種類的微結構(MEMS)。
圖1和圖2示出根據本發明第一優選實施例的加速度計10。在圖2中，為了更好的理解加速度計10的總體，例如金屬互連的小部件沒有被示出。圖3示出了加速度計10的內部結構。加速度計10包括矽基底構件12和容納在矽基底構件12腔內的可動質量塊14。質量塊14被提供為能夠上下和左右運動，即在三維方向中運動。矽基底構件12在其中央設有容納質量塊14的方形腔。可動質量塊14成形為具有四個方形區域的四葉交叉形(cloverleaf)，這些方形區域在其中心連接以增加慣性力。可動質量塊14的上表面和基底構件12的上表面布置在相同水平面上。
加速度計10還包括連接質量塊14和基底構件12的四個梁16；以及八個壓敏電阻元件18。壓敏電阻元件18布置在質量塊14和梁16之間以及基底構件12和梁16之間的邊界處。各個梁16布置在質量塊14的兩個相鄰的方形塊之間所形成的空隙處。矽基底構件12在上表面設有用金屬連線(沒有示出)連接到壓敏電阻元件18的電極焊盤。
沒有被連接到壓敏電阻元件18的電極焊盤20被連接到限動線22的末端。四條導線22布置在質量塊14的所有角之上。每條導線22被布置為伸展跨過質量塊14的一個角。導線22的末端通過傳統的導線接合工藝而固定到電極焊盤20。
如圖3所示，矽基底構件12固定到管芯接合表面24上。可動質量塊14向下的過度運動被管芯接合表面24抑制。質量塊14水平的過度運動被矽基底構件12的內壁抑制。質量塊14向上的過度運動被導線22抑制。質量塊14和導線22之間的間隙可以通過控制導線接合設備來調整。「過度運動」是指導致加速度計10不能工作的運動。舉例來說，如果質量塊14過度運動，則加速度計10會被破壞或者會輸出大小超過其最大額定值的信號。
圖4示出被連接到焊盤20的導線22末端周圍的結構。根據本發明，在導線22和電極焊盤20之間的連接區域可以用樹脂28覆蓋。從而提高了導線22和焊盤20之間的連接可靠性。
在上述加速度計10的製造中，由矽層(Si)、填埋氧化層(SiO2)和Si襯底形成矽絕緣體(SOI)晶片。使用半導體技術形成壓敏電阻元件18、金屬電路圖案和電極焊盤20而在SOI晶片上形成橋電路。其後，用例如氮化矽層的鈍化膜覆蓋除了電極焊盤20之外的表面。然後，在Si深度RIE(反應離子刻蝕)工藝中形成梁16。其後，在從Si襯底進行的Si深度RIE工藝中形成可動質量塊14。然後，在對填埋氧化層的刻蝕工藝中從襯底釋放可動質量塊14。其後，在劃片(dicing)工藝中切割襯底以形成單個的傳感器晶片。然後，傳感器晶片被接合到封裝中，接著，傳感器晶片10的電極焊盤20和封裝的引腳焊盤(lead pad)為了電連接而被導線接合。同時，在傳感器晶片10上方形成導線22。
圖5和圖6示出限動線(22)的布置的示例。根據圖5，兩條導線122與矽基底構件12的側邊平行布置。這兩條導線122具有相同的長度。根據圖6，三條導線222a和222b與矽基底構件12的對角線平行布置。較長的導線222a沿著矽基底構件12的對角線伸展。較短的導線222b以與圖1中所示相同的方式伸展跨過可動質量塊14的角。在圖6中，在良好的水平平衡狀態下可以省略較短的導線222b，因為較長的導線222a將能夠抑制質量塊14的過度運動。
圖7是示出容納了根據本發明第二優選實施例的加速度計10的封裝結構的橫截面圖。在圖7中，與第一優選實施例中相同或者相應的元件用相同的標號表示，並且在本實施例中相同的描述此處不再重複。根據第二優選實施例，限動線22的兩端都固定到封裝30的引腳焊盤上。與第一優選實施例相比較，導線22可以高度自由地布置。
圖8～圖12是示出用於圖7中所示的第二優選實施例的限動線22布置的示例的平面圖。根據圖8中所示的情況，布置了平行於加速度計10側邊而伸展的兩條導線22。根據圖9中所示的情況，布置了跨過加速度計10的拐角而伸展的四條導線22，其中沒有導線互相交叉。根據圖10中所示的情況，在加速度計10上方布置了形成「#」形的四條導線22。根據圖11中所示的情況，布置了平行於加速度計10的對角線而伸展的兩條較短的導線22和兩條較長的導線22。根據圖12中所示的情況，布置了形成菱形的四條導線22，其中各條導線22伸展跨過加速度計10的一個角。
圖13是示出容納了根據本發明第三優選實施例的加速度計的封裝結構的橫截面圖。在圖13中，與第一和第二優選實施例中相同或者相應的元件用相同的標號表示，並且在本實施例中相同的描述此處不再重複。
根據第三優選實施例，限動線22的一端接合到封裝30的引腳焊盤32上，另一端接合到加速度計10的電極焊盤20上。限動線22可以用於封裝30和傳感器10之間的電連接。引腳焊盤32和電極焊盤20可以形成來專用於限動線22，以使限動線22可與傳感器10電隔離。因而，可以不考慮傳感器10的布線設計來布置限動線22。
圖14和圖15是示出用於根據第三優選實施例的加速度計10的限動線22布置示例的平面圖。在圖14中所示的實際示例中，在加速度計10上方布置了形成「#」形的四條導線22。在圖1 5中所示的可行的示例中，布置了形成菱形的四條導線22，其中各條導線22伸展跨過加速度計10的一個角。
圖16是示出根據本發明第四優選實施例的加速度計的橫截面圖。在圖16中，與第一至第三優選實施例中相同或者相應的元件用相同的標號表示，並且在本實施例中相同的描述此處不再重複。本實施例的一個特徵是限動線22設為具有與SOI晶片50相同的電位，以使導線22不起天線的作用而對加速度計10的性能產生負面影響。
在上述加速度計10的製造中，由矽層(Si)、填埋氧化層(SiO2)和Si襯底形成SOI晶片。在形成壓敏電阻元件18的離子注入或者熱擴散工藝中在矽層上形成橋電路。其後，在熱氧化工藝中形成絕緣層52。然後，形成接觸孔以使與導線22連接的電極焊盤20的電位變成和矽層(Si)相同。其後，形成金屬電路圖案和電極焊盤20，並用例如氮化矽層的鈍化膜54覆蓋除了電極焊盤20之外的表面。
然後，在Si深度RIE(反應離子刻蝕)工藝中形成梁16。其後，在從Si襯底進行的Si深度RIE工藝中形成可動質量塊14。然後，在對填埋氧化層的刻蝕工藝中從襯底釋放可動質量塊14。其後，在劃片工藝中切割襯底以形成單個的傳感器晶片。然後，傳感器晶片被接合到封裝中，接著，傳感器晶片10的電極焊盤20和封裝的引腳焊盤為了電連接而被導線接合。同時，在傳感器晶片10上方形成導線22。
圖17和圖18示出根據本發明第五優選實施例的加速度計10。在圖18中，為了更好的理解加速度計10的總體，例如金屬互連的小部件沒有被示出。圖19示出加速度計10的內部結構。加速度計10包括矽基底構件12和容納在矽基底構件12腔內的可動質量塊14。質量塊14被提供為能夠上下和左右運動，即在三維方向中運動。矽基底構件12在其中央設有容納質量塊14的方形腔。可動質量塊14成形為具有四個方形區域的四葉交叉形，這些方形區域在其中心連接以增加慣性力。
在質量塊14的四個方形區域的每一個上形成凸出構件14a，以使凸出構件14a的上表面比矽基底構件12的上表面高出「Δh」。
加速度計10還包括連接質量塊14和基底構件12的四個梁16；以及八個壓敏電阻元件18。壓敏電阻元件18布置在質量塊14和梁16之間以及基底構件12和梁16之間的邊界處。各個梁16布置在質量塊14的兩個相鄰的方形塊之間所形成的空隙處。矽基底構件12在上表面設有用金屬連線(沒有示出)連接到壓敏電阻元件18的電極焊盤。
沒有被連接到壓敏電阻元件18的電極焊盤20被連接到限動線22的末端。四條導線22布置在質量塊14的所有角之上。每條導線22被布置為伸展跨過質量塊14的一個角。導線22的末端通過傳統的導線接合工藝而固定到電極焊盤20。
如圖19所示，矽基底構件12固定到管芯接合表面24上。可動質量塊14向下的過度運動被管芯接合表面24抑制。質量塊14水平的過度運動被矽基底構件12的內壁抑制。質量塊14向上的過度運動被導線22抑制。質量塊14和導線22之間的間隙可以通過控制導線接合設備來調整。
凸出構件14a的上表面和限動線22之間的距離「H」可以通過導線接合設備(沒有示出)和高度差「Δh」來調整。根據本實施例，距離「H」可以被減小而不增加距離「H+Δh」。因而，加速度計10的厚度可以被減小而不增加限動線22的間隙「H」的不一致。即使距離「H」確定為大約80μm，限動線22的間隙「H」的不一致也不會顯著增加。
圖20A～圖20D是示出根據圖19中所示的第六優選實施例的加速度計的一個製造步驟示例的橫截面圖。在上述加速度計10的製造中，由矽層(Si)、填埋氧化層(SiO2)和Si襯底形成SOI晶片31。用半導體工藝形成壓敏電阻元件18、金屬電路圖案和電極焊盤20而在矽襯底上形成橋電路。如圖20A所示，形成傳感器電路33。
然後，使用旋塗工藝在傳感器電路33上形成光敏聚醯亞胺或者光刻膠(resist)，並且曝光、顯影和烘乾，以形成凸出構件34(14a)，如圖20B所示。
接著，在Si深度RIE(反應離子刻蝕)工藝中形成梁16。其後，在從Si襯底進行的Si深度RIE工藝中形成可動質量塊14。然後，在對填埋氧化層的刻蝕工藝中從襯底31釋放可動質量塊14，如圖20C所示。其後，在劃片工藝中切割襯底31以形成單個的傳感器晶片。然後，傳感器晶片被接合到封裝中，接著，傳感器晶片10的電極焊盤20和封裝引腳焊盤為了電連接而被導線接合。同時，在傳感器晶片10上方形成導線22。
圖21A～圖21G是示出根據圖19中所示的第六優選實施例的加速度計10的另一個製造步驟示例的橫截面圖。在上述加速度計10的製造中，由矽層(Si)、填埋氧化層(SiO2)和Si襯底形成SOI晶片31。用半導體工藝形成壓敏電阻元件18、金屬電路圖案和電極焊盤20而在矽襯底上形成橋電路。如圖21A所示，形成傳感器電路33。
然後，在濺射工藝中在SOI晶片31上形成種晶層(seed layer)40，如圖21B所示。種晶層40可以是鎳、銅、金、鈀、銀、錫、鈷等等。其後，在旋塗工藝中在種晶層40上形成光敏聚醯亞胺或者光刻膠，並且曝光、顯影和烘乾，以形成光刻膠圖案42，如圖21C所示。然後，從種晶層40生成電鍍層(plating layer)40a，如圖21D所示。其後，去除光刻膠圖案42，並且在離子銑削(ion-milling)工藝、溼法刻蝕工藝或者RIE(反應離子刻蝕)工藝中去除種晶層40，以形成凸出構件44，如圖21E所示。
接著，在Si深度RIE(反應離子刻蝕)工藝中形成梁16。其後，在從Si襯底31進行的Si深度RIE工藝中形成可動質量塊14。然後，在對填埋氧化層的刻蝕工藝中從襯底31釋放可動質量塊14，如圖21F所示。其後，在劃片工藝中切割襯底31以形成單個的傳感器晶片。然後，傳感器晶片被接合到封裝中，接著，傳感器晶片10的電極焊盤20和封裝的引腳焊盤為了電連接而被導線接合。同時，在傳感器晶片10上方形成導線22，如圖21G所示。
圖22A～圖22F是示出根據圖19中所示的第六優選實施例的加速度計10的另一個製造步驟示例的橫截面圖。在上述加速度計10的製造中，由矽層(Si)、填埋氧化層(SiO2)和Si襯底形成SOI晶片31。然後，在SOI晶片31上形成多晶矽層48，如圖22A所示。接著，在旋塗工藝中在多晶矽層48上形成光敏聚醯亞胺或者光刻膠，並且曝光、顯影和烘乾，以形成光刻膠圖案51，如圖22B所示。
然後，在RIE工藝中刻蝕多晶矽層48來形成凸出構件53，如圖22C所示。接著，在半導體工藝中形成壓敏電阻元件18、金屬電路圖案和電極焊盤20而形成橋電路。如圖22D所示，在凸出構件53上形成傳感器電路33。其後，用例如氮化矽層的鈍化膜覆蓋除了電極焊盤20之外的表面。
接著，在Si深度RIE(反應離子刻蝕)工藝中形成梁16。其後，在從Si襯底31進行的Si深度RIE工藝中形成可動質量塊14。然後，在對填埋氧化層的刻蝕工藝中從襯底31釋放可動質量塊14，如圖22E所示。其後，在劃片工藝中切割襯底31以形成單個的傳感器晶片。然後，傳感器晶片被接合到封裝中，接著，傳感器晶片10的電極焊盤20和封裝的引腳焊盤為了電連接而被導線接合。同時，在傳感器晶片10上方形成導線22，如圖22F所示。
圖23是舉例說明根據本發明第七優選實施例的加速度計的橫截面圖。圖24A～圖24E是示出根據圖23中所示的第七優選實施例的加速度計的製造步驟示例的橫截面圖。在圖23和圖24A～圖24E中，與上述第六優選實施例中相同或者相應的元件用相同的標號表示，並且在本實施例中相同的描述此處不再重複。與第六優選實施例的不同在於可動質量塊14和矽基底構件58的結構。在本實施例中，質量塊14未設置任何凸出構件(14a)，而是切掉了矽基底構件58的上表面以便形成基底構件58的上表面和質量塊14的上表面之間的水平差「Δh」。
在上述加速度計的製造中，由矽層(Si)、填埋氧化層(SiO2)和Si襯底形成SOI晶片31。然後，在旋塗工藝中在SOI晶片31上形成光刻膠，並且曝光、顯影和烘乾，以形成光刻膠圖案60，如圖24A所示。其後，在RIE工藝中刻蝕SOI晶片以形成被用作電極焊盤的凹入部分31a，如圖24B所示。
然後，在半導體工藝中形成壓敏電阻元件18、金屬電路圖案和電極焊盤20而形成橋電路。如圖24C所示，在SOI晶片31上形成傳感器電路33。其後，用例如氮化矽層的鈍化膜覆蓋除了電極焊盤31a之外的表面。
接著，在Si深度RIE(反應離子刻蝕)工藝中形成梁16。其後，在從Si襯底31進行的Si深度RIE工藝中形成可動質量塊14。然後，在對填埋氧化層的刻蝕工藝中從襯底31釋放可動質量塊14，如圖24D所示。其後，在劃片工藝中切割襯底31以形成單個的傳感器晶片。然後，傳感器晶片被接合到封裝中，接著，傳感器晶片10的電極焊盤31a和封裝的引腳焊盤為了電連接而被導線接合。同時，在傳感器晶片10上方形成導線22，如圖24E所示。
圖25是舉例說明根據本發明第八優選實施例的加速度計74的透視圖。圖26是舉例說明圖25中所示的加速度計74的橫截面圖。在圖25和圖26中，與上述實施例中相同或者相應的元件用相同的標號表示，並且在本實施例中相同的描述此處不再重複。
加速度計74包括矽基底構件12和容納在矽基底構件12腔內的可動質量塊14。質量塊14被提供為能夠上下和左右運動，即在三維方向中運動。矽基底構件12在其中央具有容納質量塊14的方形腔。可動質量塊14成形為具有四個方形區域的四葉交叉形，這些方形區域在其中心連接以增加慣性力。可動質量塊14的上表面和基底構件12的上表面被布置在相同水平面上。
加速度計74還包括連接質量塊14和基底構件12的四個梁16；以及八個壓敏電阻元件18。壓敏電阻元件18布置在質量塊14和梁16之間以及基底構件12和梁16之間的邊界處。各個梁16布置在質量塊14的兩個相鄰的方形塊之間所形成的空隙處。矽基底構件12在上表面設有用金屬連線(沒有示出)連接到壓敏電阻元件18的電極焊盤20。
加速度計74容納在封裝70中，如圖26所示。封裝70包括凹入部分75和在凹入部分75上形成的引腳焊盤76。凹入部分75和引腳焊盤76被設計成使得引腳焊盤76的上表面比加速度計(傳感器)74的上表面低「Δh」。布置在加速度計74相對側的兩個引腳焊盤通過限動線22連接。根據第八優選實施例，可以得到與上述第六和第七優選實施例相同的優點。
根據第六至第八優選實施例，限動線22包括要固定到水平面比質量塊14的表面相對低的位置處的末端。質量塊14的上表面與限動線22之間的距離「H」可以減小，而不增加導線22的末端和頂部之間沿垂直方向的距離「H+Δh」。因而，可以減小微結構的厚度而不增加限動線22的間隙或高度的不一致性。
權利要求
1.一種具有可動質量塊的微結構，包括質量塊；在其中可動地容納了所述質量塊的基底構件，其中，所述質量塊包括暴露於所述基底構件之外的表面，和限動線，布置在所述質量塊的所述表面上方，以抑制所述質量塊的過度運動。
2.根據權利要求1所述的微結構，其中所述限動線僅連接到所述基底構件，而不連接到所述質量塊。
3.根據權利要求1所述的微結構，其中在導線接合工藝中固定所述限動線。
4.根據權利要求3所述的微結構，其中用樹脂覆蓋連接到所述基底構件的所述限動線末端。
5.根據權利要求2所述的微結構，其中所述基底構件包括專用於與所述限動線連接的焊盤。
6.根據權利要求2所述的微結構，其中控制所述基底構件和所述限動線以具有互相相等的電位。
7.一種容納根據權利要求1所述的微結構的封裝結構，包括至少一個用於與所述微結構電連接的引腳焊盤，其中所述限動線的至少一端被連接到所述引腳焊盤。
8.根據權利要求7所述的封裝結構，其中所述限動線的兩端都被連接到所述引腳焊盤。
9.根據權利要求7所述的封裝結構，其中所述限動線的一端被連接到所述引腳焊盤，另一端被連接到所述基底構件的電極焊盤。
10.根據權利要求7所述的封裝結構，其中所述引腳焊盤被專用於與所述限動線連接。
11.根據權利要求1所述的微結構，其中所述限動線包括要固定到水平面比所述質量塊的所述表面相對較低的位置處的末端。
12.根據權利要求11所述的微結構，其中在所述質量塊的所述表面上形成了凸出部分。
13.根據權利要求12所述的微結構，其中所述凸出部分是在所述質量塊的所述表面上形成的樹脂層。
14.根據權利要求12所述的微結構，其中所述凸出部分是在所述質量塊的所述表面上形成的電鍍層。
15.根據權利要求12所述的微結構，其中所述凸出部分是在所述質量塊的所述表面上形成的多晶矽層。
16.根據權利要求11所述的微結構，其中所述基底構件具有與所述限動線的末端連接的導線固定區域，形成所述導線固定區域以具有水平面比所述質量塊的所述表面低的表面。
17.根據權利要求16所述的微結構，其中形成所述導線固定區域以將所述基底構件成形為臺階狀結構。
18.一種根據質量塊的運動提供輸出信號的加速度計，包括質量塊；在其中可動地容納了所述質量塊的矽基底構件，其中所述質量塊包括暴露於所述基底構件之外的表面；限動線，所述限動線布置在所述質量塊的所述表面上方，以抑制所述質量塊的過度運動；和封裝，容納具有所述質量塊的所述基底構件。
19.根據權利要求18所述的加速度計，其中所述封裝包括至少一個用於與所述微結構電連接的引腳焊盤，其中所述限動線的至少一端被連接到所述引腳焊盤。
20.根據權利要求19所述的加速度計，其中所述限動線的兩端都被連接到所述引腳焊盤。
21.根據權利要求19所述的加速度計，其中所述限動線的一端被連接到所述引腳焊盤，另一端被連接到所述基底構件的電極焊盤。
22.根據權利要求18所述的加速度計，其中所述限動線包括要固定到水平面比所述質量塊的所述表面相對低的位置處的末端。
全文摘要
一種微結構，包括質量塊；在其中可動地容納了質量塊的基底構件。質量塊包括暴露於基底構件之外的表面以及限動線，所述限動線布置在質量塊的所述表面上方，以抑制質量塊的過度運動。
文檔編號G01C19/56GK1551985SQ0281735
公開日2004年12月1日 申請日期2002年9月2日 優先權日2001年9月4日
發明者橋本浩幸, 大麻隆彥, 彥, 樹, 池內直樹, 原田宗生, 生 申請人:住友金屬工業株式會社