半導體器件及電子設備的製作方法

2023-09-10 17:13:50 1

專利名稱：半導體器件及電子設備的製作方法
技術領域：
本發明涉及具有光電轉換元件的半導體器件。
技術背景一般已知各種用於檢測電磁波的光電轉換裝置，例如對從紫外線到紅外線有感知功能的裝置被總稱為光傳感器。其中對波長為400nm 至700nm的可見光區域有感知功能的裝置特別被稱為可見光傳感器， 並且各種可見光傳感器被使用於根據人類的生活環境需要調節照度 或控制開/關等的設備。尤其是，在顯示裝置中，光傳感器檢測出顯示裝置周圍的明亮度 以調節其顯示亮度。這是因為通過檢測出周圍的明亮度而獲得合適的 顯示亮度可以減少不必要的電力的緣故。例如，這種亮度調節用光傳 感器被使用於可攜式電話或個人計算機。此外，利用光傳感器不僅檢測出周圍的明亮度，還檢測出顯示裝 置、尤其是液晶顯示裝置的背光燈的亮度，以調節顯示屏的亮度。在這種光傳感器中，光電二極體被使用於檢測部分，並且該光電 二極體的輸出電流在放大器電路中被放大。例如，使用電流鏡電路作 為這种放大器電路(例如參照專利文件l)。此外，在半導體集成電路中有如下問題由於製造時或使用時發 生的靜電，使電極、半導體元件遭到破壞；並使半導體元件的可靠性 降低。為了防止半導體元件和電極被靜電破壞，與半導體元件一起制 造連接到端子的保護電路，而由保護電路來防止在端子上發生的高電 位施加於半導體元件。專利文件1專利3444093號〃>淨艮

發明內容
但是，現有的光傳感器沒有防靜電破壞的功能。此外，當設置保 護電路時還有會影響到光傳感器的輸出，並且會使光傳感器本身的尺 寸變大等的問題。
鑑於上述問題，本發明的目的在於防止用作光傳感器的半導體器 件的靜電破壞。此外，本發明的目的還在於不使半導體器件的尺寸變 大地防止靜電破壞。
本發明是可以用作光傳感器的半導體器件，包括光電轉換元件； 以及被輸入光電轉換元件的輸出的電路。本發明提供比實際作為光傳 感器工作的部分更容易產生靜電破壞的部分，以免在光傳感器部分產生靜電破壞。
本發明的半導體器件之一包括光電轉換元件；電連接到所述光 電轉換元件的電路；電連接到所述光電轉換元件的第一端子；電連接 到所述電路的第二端子；形成為與所述第一端子以及所述第二端子鄰 接，且不電連接到所述光電轉換元件以及所述電路的導電膜，其中所 述導電膜的面積大於所述第一端子及所述第二端子的面積。此外，所 述導電膜的面積優選比所述第一端子或所述第二端子中的大的一方 的面積大2倍以上。在本說明書中的"面積，，意味著"上表面的面積。
通過與端子鄰接地形成其面積大於電連接到光電轉換元件或電 路的端子的面積的導電膜，使與端子相比在導電膜中產生靜電破壞的 概率高。這樣即使在該導電膜中產生靜電破壞，因為該導電膜不電連 接到端子、光電轉換元件以及電路中的任何部件，因而端子、光電轉 換元件以及電路等不發生靜電破壞。當上述導電膜(假電極)處於浮 動狀態時，可以在導電膜中存儲電荷。此外，當將上述導電膜電連接 到印刷線路板(Printed Circuit Board: PCB)等的襯底時，可以存儲電 荷或4吏電荷移動到該襯底。
通過中間夾著絕緣膜且重疊於電路地設置導電膜，可以防止靜電 破壞而不使半導體器件的尺寸增大。
此外，可以使用反射性的膜且與光電轉換元件的光電轉換層重疊
地形成導電膜。在此情況下，導電膜用作反射板。因此，由導電膜可 以反射透過光電轉換層的光，這樣可以提高光電轉換元件的光電轉換 效率，在本發明中，可以通過利用導電膜這樣的簡單結構的方法來防止 包括光電轉換元件的半導體器件的靜電破壞。


圖l是示出本發明的半導體器件的結構例的電路圖； 圖2是示出對應於圖l的電路圖的本發明的半導體器件的布局例 的平面圖；圖3是說明本發明的半導體器件的截面結構的圖； 圖4是示出對應於圖l的電路圖的本發明的半導體器件的布局例 的平面圖；圖5A至5C是說明本發明的半導體器件的製造方法的截面圖； 圖6A和6B是說明本發明的半導體器件的製造方法的截面圖； 圖7是說明本發明的半導體器件的製造方法的截面圖； 圖8是示出本發明的半導體器件的結構例的截面圖； 圖9是示出對應於圖8的截面圖的本發明的半導體器件的布局例 的平面圖；圖10A至10C是說明本發明的半導體器件的製造方法的截面圖； 圖ll是示出本發明的半導體器件的結構例的截面圖； 圖12是示出本發明的半導體器件的結構例的截面圖； 圖13是示出對應於圖12的截面圖的本發明的半導體器件的布局 例的平面圖；圖14是示出本發明的半導體器件的結構例的截面圖；圖15A和15B是說明本發明的半導體器件的製造方法的截面圖；圖16是示出本發明的半導體器件的結構例的截面圖；圖17是示出本發明的半導體器件的結構例的截面圖；圖18是安裝有本發明的半導體器件的可攜式電話的分解圖19A和19B是安裝有本發明的半導體器件的可攜式電話的外觀圖；圖20A是示出安裝有本發明的半導體器件的計算機的圖；圖20B 是示出安裝有本發明的半導體器件的顯示裝置的圖； 圖21是圖20B的顯示裝置的分解圖；圖22A和22B是示出安裝有本發明的半導體器件的影像拍攝裝 置的圖。本發明的選擇圖為2。
具體實施例方式
下面，參照

本發明的實施方式。但是，本發明可以通過 多種不同方式來實施，所屬技術領域的普通人員可以很容易地理解一 個事實，就是其方式及詳細內容在不脫離本發明的宗旨及其範圍下可 以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在 本發明的實施方式所記載的內容中。注意，在說明本發明的實施方式 的所有附圖中，對同一部分或具有同樣功能的部分附加同一附圖標 記，並且省略重複說明。
實施方式1
使用圖l說明本發明的半導體器件。圖l是示出本發明的半導體 器件的結構例的電路圖。在本實施方式中，說明包括用作光電轉換元 件的光電二極體、以及用作光電轉換元件的電流鏡電路的半導體器件 的例子'如圖1所示，本實施方式的半導體器件100包括光電二極體103、 電連接到光電二極體103的電流鏡電路IOI。電流鏡電路101是用於 放大光電二極體103的輸出的電路，且由參照一側的電晶體104和輸 出一側的電晶體105構成。在圖1中電晶體104以及電晶體105是n 溝道型電晶體。電流鏡電路101的輸出一側的電晶體以及參照一側的 電晶體也可以都由p溝道型電晶體構成。此外，半導體器件100包括連接到電源(偏壓電源)的兩個端子(第一端子111、第二端子112)。第一端子111是連接到電源的高 電壓電位的高電壓電位(VDD)連接用電極，並且第二端子112是連 接到電源的低電壓電位的低電壓電位(Vss)連接用電極。說明圖1所示的半導體器件的工作方法。第一端子111連接到電 源的高電壓電位VDD，第二端子112連接到電源的低電壓電位Vss。 通過對電流鏡電路101的參照一側的電晶體104和輸出一側的電晶體 105的柵極施加相同的電壓Vgate,來以流過參照一側的電晶體104 的電流I為標準地控制流過輸出一側的電晶體105的電流。流過晶體 管104的電流I對應於由光電二極體103檢測出的電流，因此通過檢 測流過電晶體105的電流，而可以檢測出光電二極體103的輸出電流。注意，在圖1中由一個電晶體來表示輸出一側的電晶體105，但 也可以由多個電晶體構成輸出一側的電晶體105，多個輸出一側的晶 體管105的柵極連接到參照一側的電晶體104的柵極。根據輸出一側 的電晶體的個數，放大光電二極體103的輸出電流(光電流)。例如， 當要將光電二極體103的輸出放大IOO倍時，對一個電晶體104，並 聯連接一百個電晶體105即可。此外，在圖1中由一個電晶體來表示參照一側的電晶體104，但 也可以由多個電晶體構成參照一側的電晶體104，多個參照一側的晶 體管104的柵極連接到輸出一側的電晶體105的柵極。根據參照一側 的電晶體的個數，減弱光電二極體103的輸出電流(光電流)。例如， 當要將光電二極體103的輸出減弱至1/100時，對一個電晶體105， 並聯連接一百個電晶體105即可。圖2示出在圖1中示出的半導體器件100的布局例的平面圖。在 圖3中示出說明半導體器件100的截面結構的圖。在圖2和圖3中， 與圖1相同的附圖標記表示相同的結構要素。在圖3中的虛線A-A' 對應於沿圖2中的虛線A-A'的截面圖。如圖2所示，在矩形區域中布置電流鏡電路101、光電二極體103、 第一端子111以及第二端子112。電流鏡電路101包括一個參照一側 的電晶體104以及多個輸出一側的電晶體105。
如圖2所示，在半導體器件100中設有用於電連接電流鏡電路 101和第一端子111的布線121、用於電連接電流鏡電路101和第二 端子112的布線122、以及用於電連接光電二極體103和電流鏡電路 101的布線133。在半導體器件100中，與第一端子111以及第二端子112鄰接且 由導電膜形成的假電極110布置為重疊於電流鏡電路101、光電二極 管103。並且假電極110形成為與第一端子111以及笫二端子112鄰 接，且假電極110的面積大於第一端子111以及第二端子112的面積。 假電極110是由導電膜形成，且不電連接到電流鏡電晶體101以及光 電二極體103的電極。換言之，假電極110是不連接到圖l所示的電 路，並且其電位處於浮動狀態的導電膜。使用該假電極110來防止半 導體器件IOO被靜電破壞。圖3是表示當由頂柵型的n溝道型薄膜電晶體(TFT)來構成電 流鏡電路IOI時半導體器件100的結構例的截面圖。在圖3中表示晶 體管104以及105是包括一個溝道形成區域的結構(在本說明書中稱 為單柵結構)的TFT的例子，但是也可以採用電晶體104和電晶體 105的其中一方具有多個溝道形成區域的結構(多溝道結構)。通過 釆用多溝道結構，可以減低導通電流值的不均勻。此外，為了減小截止電流值，也可以在電晶體104或電晶體105 中提供輕摻雜漏電極(LDD)區域。LDD區域是指在溝道形成區域 和源區或漏區之間以低濃度添加了雜質元素的區域，該源區或漏區通 過以高濃度添加雜質元素形成。通過提供LDD區域，可以減弱漏區 附近的電場而具有防止由於熱栽流子注入引起的電晶體退化的效果。此外，為了防止由於熱栽流子引起的導通電流值的降低，也可以 使電晶體104或電晶體105採用LDD區域和柵電極夾著柵極絕緣膜 彼此重疊配置的結構(在本說明書中，稱為GOLD(柵-漏重疊的LDD) 結構)。通過使電晶體104或電晶體105採用GOLD結構，減弱漏區附 近的電場集中，從而與柵電極不重疊於LDD區域的結構的電晶體相 比，防止由於熱栽流子注入引起的電晶體退化的效果高。此外，形成電流鏡電路101的電晶體104以及電晶體105除了可 以是頂柵型TFT之外，還可以採用底柵型TFT，如反交錯TFT。如圖3所示，電流鏡電路101的電晶體104以及電晶體105中間 夾著用作基底膜的絕緣層201，形成在襯底200上。玻璃襯底、塑料 襯底等可以用作襯底200。襯底200可以是與當製造電晶體104、 105 時不同的襯底，這將在下文中說明。在絕緣層201上形成有用於電連接電流鏡電路101和第一端子 111的布線121、用於電連接電流鏡電路101和第二端子112的布線 122、以及用於電連接光電二極體103和電流鏡電路101的布線123。 由與電晶體104、 105的柵電極或柵布線相同的導電膜且同樣的處理 形成這些布線121至123。覆蓋電晶體104和105的柵電極、布線121至123地形成絕緣層 207。絕緣層207用作層間絕緣膜。在絕緣層207上形成有電晶體104、 105的源極以及漏極、用於 電連接電流鏡電路101和第一端子111的布線131、用於電連接電流 鏡電路101和第二端子112的布線132、以及用於電連接光電二極體 103和電流鏡電路101的布線133。由相同的導電膜且同樣的處理形 成這些布線131至133。再者，在絕緣層207上形成有用作光電二極體103的光電轉換層 140。光電轉換層140由具有PIN接合的半導體層構成。圖3所示的 光電轉換層140是從絕緣層207 —側按順序層疊p型半導體層140p、 i型半導體層140i、 n型半導體層140n的半導體層。光電轉換層140 的p型半導體層140p形成為與布線133接觸。根據該結構，通過布 線133以及布線123,光電二極體103和電流鏡電路101電連接。覆蓋布線131至133以及光電轉換層140 (光電二極體103 )地 形成絕緣層208。絕緣層208是密封光電二極體103以及電流鏡電路 101的表面的密封層。在絕緣層208上形成有假電極110、第一端子lll、以及第二端 子112。在圖3所示的半導體器件100中，假電極110、第一端子111 以及第二端子112以外的導電層為被構成半導體器件100的絕緣層 (絕緣層201、 207、 208)覆蓋的不暴露於表面的結構。由相同的導 電膜且同樣的處理形成假電極110、笫一端子111以及第二端子112。通過布線131、布線121,第一端子111電連接到電流鏡電路101。 通過布線132、布線122，第二端子112電連接到電流鏡電路101。假 電極110形成為與第一端子111以及第二端子112鄰接，且假電極110 的面積大於笫一端子111以及第二端子112的面積。此外，假電極110 不電連接到半導體器件100中的任何布線或電極。如此，通過將假電極110形成為與第一端子111以及第二端子 112鄰接，且使假電極110的面積大於第一端子111以及第二端子112 的面積，可以使在假電極110中發生靜電破壞的概率高於在第一端子 111以及第二端子112中發生靜電破壞的概率。此外，所述導電膜的 面積優選比所述第一端子或所述第二端子中的大的一方的面積大2倍 以上。假設即使在假電極110中發生靜電破壞，因為假電極110不電 連接到電流鏡電路101、光電二極體103、第一端子111以及第二端 子112中的任何部件，所以可以防止半導體器件IOO被靜電破壞。在圖2所示的布局例中，因為與光電轉換層140(光電二極體103) 重疊地形成假電極110，所以通過由反射光的導電膜來形成假電極 110,光電轉換層140可以用作透過的光反射的反射板。通過設置反 射板，可以使在假電極110上的反射光返回到光電轉換層140,因此 提高光電轉換層140的轉換效率。注意，當將假電極110用作反射板時，有入射到光電轉化層140 的入射光和在假電極110上的反射光彼此幹涉，而降低光電轉換效率 的情況，在此情況下，優選將假電極110形成為不重疊於光電轉換層 140。在圖4中示出此情況的半導體器件100的布局例。除了假電極的形狀不同之外，圖4和圖2的布局例的結構是相同 的。不覆蓋光電二極體103地形成圖4所示的假電極150,由假電極 150防止反射透過光電二極體103 (光電轉換層140 )的光。
接下來，使用圖3、圖5A至圖7說明具有圖2及圖4所示的布 局的半導體器件100的製造方法。首先，在襯底200上形成電流鏡電路101。例如，作為襯底200, 可以4吏用玻璃襯底之一的ANIOO。如圖5A所示，在襯底200上面形成作為基底絕緣膜的絕緣層201 (厚度50nm至200nm )。作為絕緣層201形成包含氮的氧化矽膜(厚 度50nm至150nm)。例如通過CVD方法形成層疊厚度為50nm 的氮氧化矽膜；與該氮氧化矽膜相比，氮濃度低且氧濃度高，並且厚 度為100nm的氧氮化矽膜。注意，絕緣層201可以為單層或兩層以上 的疊層膜。氮濃度高的氮氧化矽膜或氮化矽膜用作防止來自玻璃襯底 的鹼金屬等雜質擴散的阻擋層。接下來，在絕緣層201上形成電晶體104以及電晶體105的半導 體層。在本實施方式中，作為絕緣層201形成氧化矽膜之後，不使襯 底200接觸大氣，且形成非晶矽膜(厚度10nm至60nm)。其次， 使非晶矽膜晶化，而形成結晶矽膜。作為結晶方法，可以使用固相生 長方法、雷射晶化方法、使用催化劑金屬的晶化方法等。例如，發射 連續振蕩的YV04雷射的二次諧波，而由雷射束使非晶矽膜完全溶化 來橫向生長。在獲得了的結晶矽膜的表面上用臭氧水處理而形成薄的氧化膜 之後，使用光掩模形成由抗蝕劑構成的掩模，而將結晶矽膜蝕刻處理 為所希望的形狀，以形成分離成島狀的半導體層151以及半導體層152 (參照圖5A)。形成半導體層151以及半導體層152之後，除去由 抗蝕劑構成的掩模。接下來，為了控制電晶體104、電晶體105的閾值，對半導體層 151以及半導體層152摻雜微量的雜質元素(硼或磷)。注意，根據 需要進行該摻雜步驟即可。接下來，使用包含氫氟酸的蝕刻劑除去氧化膜，同時洗淨半導體 層151以及半導體層152的表面，然後形成絕緣層203。絕緣層203 用作柵極絕緣膜。例如，作為絕緣層203，通過等離子體CVD法，以 115nm的厚度形成氧氮化矽膜(組成比Si二32。/。， 0=59%, N=7%，以 及H-20/。)。接著，在絕緣層203上形成導電膜，在該導電膜上形成由抗飾劑 構成的掩摸，並且使用該掩摸將導電膜蝕刻處理為所希望的形狀，來形成柵電極154以及柵電極155、布線121至123(參照圖5B ), 作為構成柵電極154、 155以及布線121及123的導電膜，可以 使用由從如下元素中選擇的金屬、或者以選自這些的金屬為主要成分 的合金材料或金屬化合物材料構成的膜，這些金屬為鈦(Ti)、鴒 (W )、鉭(Ta )、鉬(Mo )、釹(Nd )、鈷(Co )、鋯(Zr )、 鋅(Zn )、扭(Ru )、銠(Rh )、鈀(Pd )、鋨(Os )、銥(Ir )、 柏(Pt)、鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)、以及銅(Cu)。導電 膜既可以為單層結構，又可以為疊層結構。例如，作為導電膜，可以 使用由厚度為30nm的氮化鉭和在氮化鉭上層疊厚度為370nm的鎢而 形成的膜。其次，為了形成源區以及漏區，在半導體層151以及半導體層 152中形成n型的雜質區域156、 157。通過形成n型雜質區域156、 157，在半導體層151、 152中確定溝道形成區域158、 159 (參照圖 5C)。其次，如圖6A所示，形成絕緣層207。在本實施方式中，絕緣 層207為三層結構。首先，通過CVD法，形成厚度為50nm的氧化 矽膜。接下來，對摻雜到半導體層151、 152中的雜質進行激活處理。 這種激活工序通過以下方法執行使用燈光源的快速熱退火方法 (RTA方法)；從背面照射YAG雷射或準分子雷射的方法；使用熔 爐的熱處理。作為第二層，形成與第一層相比氮濃度高且厚度為10nm的氮氧 化矽膜。作為第三層，形成厚度為900nm的氧化矽膜。此外，作為絕 緣層207中的笫三層的膜，可以形成以矽氧烷為原料的絕緣膜。根據 需要形成絕緣層207的第三層即可。接下來，形成由抗飾劑構成的掩模，而選擇性地蝕刻絕緣層207
以及絕緣層203，以形成接觸孔。然後，除去由抗飾劑構成的掩模。 其次，通過賊射法在絕緣層207上形成導電膜，在導電膜上形成由抗 飾劑構成的掩模。使用該掩模蝕刻導電膜，來將該導電膜加工為所希 望的形狀，而如圖6A所示那樣形成布線131至133、以及電晶體104、 105的電極134。電極134用作電晶體的源電極或漏電極。構成布線131至133、以及電極134的導電膜可以為單層結構也 可以為疊層結構。作為導電膜，從耐熱性及導電率等方面來看，優選 使用鈦膜(Ti膜)。此外，除了使用鈦膜，還可以使用選自鴒(W)、 鉭(Ta )、鉬(Mo )、釹(Nd )、鈷(Co )、鋯(Zr)、鋅(Zn )、 銀(Ru )、銠(Rh )、把(Pd )、鋨(Os )、銥(Ir )、以及柏(Pt) 的金屬膜、或者以這些金屬中至少一種為主要成分的合金膜或金屬化 合物膜。此外，作為導電膜可以使用鋁膜或鋁合金膜。此外，覆蓋布線131至133、以及電極134地形成保護導電層。 參照圖6B說明保護導電層的形成方法。在形成布線131至133、以 及電極134之後形成構成保護導電層的導電膜。通過蝕刻處理，將該 導電膜加工為所希望的形狀，以如圖6B所示那樣，形成覆蓋布線131 至133、以及電極134的保護導電層137。保護導電層137的材料優選為相對於蝕刻光電轉換層140的氣體 (或蝕刻劑)，蝕刻速度比光電轉換層140慢的導電材料。而且，保 護導電層137的材料優選為不與光電轉換層140產生反應而成為合金 的導電材料。例如，作為保護導電層137，可以使用不易與光電轉換層140(典 型為非晶矽)產生反應而成為合金的鈦(Ti)或鉬(Mo)等。因為鋁 膜或鋁合金膜為低電阻，所以優選用作構成布線133的膜，但是這些 膜會與構成光電轉換層140的非晶矽產生反應。因此，通過形成保護 導電層137，可以使用低電阻的鋁膜或鋁合金膜形成布線133。在形成布線131至133以及電極134之後，如圖7所示，在絕緣 層207上形成具有PIN接合的光電轉換層140。在本實施方式中，形 成p型半導體層140p、 i型半導體層140i、以及n型半導體層140n
的疊層結構的光電轉換層140。在圖7中，光電轉換層140的最下層 (p型半導體層140p)形成為與布線133接觸。注意，當形成保護導 電層137時，保護導電層137與光電轉換層140的最下層接觸。以三層層疊地形成構成每個層的半導體層，三層的半導體層通過 蝕刻被加工為所希望的形狀，以形成光電轉換層140。 p型半導體層 140p可以通過等離子體CVD方法使用包含屬於元素周期表13族的 雜質元素，例如硼(B)的非晶矽膜形成。作為i型半導體層140i通 過等離子體CVD方法形成非晶矽膜。此外，作為n型半導體層140n, 既可形成包含屬於元素周期表15族的雜質元素，例如磷(P)的非晶 矽膜，又可在形成非晶矽膜之後，引入屬於元素周期表15族的雜質 元素。接下來，如圖7所示，作為密封層形成絕緣層208。例如，形成 厚度為lnm的氧氮化矽膜。通過使用由CVD法形成的絕緣膜，來提 高密封性。接下來，蝕刻絕緣層208以形成接觸孔。其次，在絕緣層208 上形成導電膜。該導電膜通過蝕刻被加工為所希望的形狀，而如圖3 所示那樣形成假電極110、第一端子111以及第二端子112。例如， 使用鈦膜(Ti膜)(100nm)、鎳膜(Ni膜)(300nm )、以及金膜 (Au膜)(50nm)的疊層膜作為第一端子111以及第二端子112。 以該疊層膜形成的第一端子111以及第二端子112具有大於5N的粘 著強度，這是作為端子電極足夠的粘著強度。通過上述步驟，用作光傳感器的半導體器件100形成在襯底200 上。注意，在襯底200上形成有多個半導體器件100，因此將半導體 器件100分成為每個來用作為多個光傳感器晶片。光傳感器晶片的尺 寸大約為2mmxl.5mm。通過使用本發明的假電極110，不需要將該 晶片做得很大，而可以防止半導體器件100的靜電破壞。通過在第一 端子lll、第二端子112上形成焊料、導電性骨、凸塊等，可以將獲 得了的光傳感器晶片(半導體器件IOO)電連接到其他電路、電源等。此外，為了將光電傳感器製作得薄，優選通過研磨處理、磨削處
理等使襯底200變薄。在此情況下，使襯底200變薄之後，切斷襯底 200。此外，也可以從絕緣層201剝離當製造半導體器件100時使用的 襯底200，而將半導體器件100轉置在薄於玻璃襯底且具有柔性的塑 料襯底上。在此情況下，在襯底200和絕緣層201之間形成容易產生 剝離的剝離層。通過在形成假電極IIO、第一端子lll、第二端子112 之後，在剝離層產生剝離，而使襯底200從光電二極體103、電流鏡 電路IOI分離。在將襯底200和基底的絕緣層201分離之後，通過粘合層將絕緣 層201貼合到襯底。作為該襯底，可以使用塑料襯底等具有柔性的襯 底。剝離層例如可以使用金屬膜或合金膜而形成。金屬膜是鵠(W )、 鉬(Mo )、鈥(Ti)、鉭(Ta )、鈮(Nb )、鎳(Ni)、鈷(Co )、 鋯(Zr )、鋅(Zn )、釕(Ru )、銠(Rh )、鈀(Pd )、鋨(Os )、 或者銥(Ir)等的膜。作為合金膜可以使用選自這些金屬元素的多個 金屬元素的合金構成的膜，如鎢和鉬的合金等。這種金屬膜和合金膜 可以通過濺射法形成。此外，成為剝離層的金屬膜或合金膜的厚度優 選在20賺以上IOO腿以下。此外，使作為剝離層而形成的金屬膜或合金膜的表面氧化，以使 在絕緣層201和剝離層之間優先地產生剝離。作為使剝離層氧化的方 法，有如下方法熱氧化方法；使用氧氣或N20等離子體處理表面的 方法；以及使用氧化力強的溶液如臭氧水等處理表面的方法等。另外， 作為其他方法，有如下方法當形成絕緣層201時，在絕緣層201和 剝離層的界面形成氧化物。例如，通過賊射法形成矽氧化物的膜，可 以當在金屬膜或合金膜表面澱積矽氧化物時，使其表面氧化。注意， 也可以通過等離子體處理或熱處理來實現氮化，而代替使金屬膜或合 金膜氧化。實施方式2在本實施方式中說明如圖1所示的半導體器件100的其他結構例
子。圖8是說明半導體器件100的截面結構的圖，圖9是說明半導體 器件100的布局例的平面圖。
與圖3同樣，圖8是當由頂柵型的n溝道型TFT構成電流鏡電 路IOI時的半導體器件100的結構例的截面圖。在圖8中，作為電流 鏡電路IOI的截面結構，示出電流鏡電路IOI包含的兩個電晶體104 以及105。
如圖8所示，電流鏡電路IOI的電晶體104、 105夾著用作基底 膜的絕緣層201，形成在襯底200上。在本實施方式中，絕緣層201 為第一絕緣層201-1和第二絕緣層201-2的兩層結構。
覆蓋電晶體104和105的半導體層、柵電極地形成絕緣層300。 絕緣層300用作層間絕緣膜。
在絕緣層300上形成有用於電連接電流鏡電路101和第一端子 111的布線301、用於電連接電流鏡電路101和第二端子112的布線 302、以及用於電連接光電二極體103和電流鏡電路101的布線303、 以及電晶體104、 105的電極304。
再者，在絕緣層300上形成有用作光電二極體103的光電轉換層 140。光電轉換層140由具有PIN接合的半導體層構成。圖8的光電 轉換層140是從絕緣層300 —側按順序層疊p型半導體層140p、 i型 半導體層140i、 n型半導體層140n的半導體層。光電轉換層140的p 型半導體層140p形成為與布線303接觸。
覆蓋光電轉換層140、布線301至303、以及電極304地形成絕 緣層306。在光電轉換層140以及絕緣層306上形成有絕緣層307， 在絕緣層307上形成有電極308。電極308中介在絕緣層307上形成 的接觸孔電連接到光電轉換層140。
在絕緣層307以及電極308上形成有絕緣層309。在絕緣層309 上形成有第一端子311、第二端子312、以及假電極313。第一端子 311、第二端子312、以及假電極313分別由導電膜314、以及導電膜 315形成。導電膜314、315為單層結構或者兩層以上的疊層結構的膜。 由相同的導電膜且同樣的處理形成第一端子311、第二端子312、以及假電極313。在圖8所示的半導體器件100中，由構成半導體器件100的絕緣 層(絕緣層201、絕緣層300、絕緣層309)覆蓋第一端子311、第二 端子312、以及假電極313以外的導電層的表面，以使該部分不露出 於外部。通過布線301,第一端子311電連接到電流鏡電路IOI。通過布 線302，第二端子312電連接到電流鏡電路101 (參照圖9)。如圖9 所示，假電極313形成為與第一端子111以及第二端子112鄰接，且 假電極313的面積大於第一端子311以及第二端子312的面積。此外， 假電極313不電連接到半導體器件100中的任何布線或電極。如此，通過使假電極313形成為與第一端子313以及第二端子 312鄰接，且假電極313的面積大於第一端子311以及第二端子312 的面積，可以使在假電極313中發生靜電破壞的概率高於在第一端子 311以及第二端子312中發生靜電破壞的概率。假設即使在假電極313 中發生靜電破壞，因為假電極313不電連接到電流鏡電路101、光電 二極體103、第一端子311以及第二端子312中的任何部件，所以可 以防止半導體器件100被靜電破壞。接下來，參照圖IOA至IOC說明圖8所示的半導體器件100的 製造方法。首先，進行實施方式2的圖5A至5C的步驟，而獲得圖 IOA的結構。注意，在本實施方式中，構成絕緣層201的第一絕緣層 201-1由厚度為50nm至150nm的氮氧化矽膜形成，作為第二絕緣層 201-2，形成與第一絕緣層201-1相比氮濃度低且氧濃度高的厚度為 100nm的氧氮化矽膜。此外，在絕緣層201上不形成布線122和布線 123。其次，如圖IOB所示，形成絕緣層300。絕緣層300可以與圖 6A所示的絕緣層207同樣地形成。其次，形成由抗飾劑構成的掩膜，選擇性地蝕刻絕緣層300以及 絕緣層203,來形成接觸孔。如圖10B所示那樣，通過該蝕刻，將絕 緣層300的端部加工為錐形形狀。通過該蝕刻，絕緣層203以及第二 絕緣層201-2也被蝕刻。在蝕刻處理之後除去由抗飾劑構成的掩膜。
接下來，通過濺射法在絕緣層300上形成導電膜。該導電膜可以 與構成布線131至134的導電膜同樣地形成。在導電膜上形成由抗飾 劑構成的掩膜。使用該掩膜蝕刻導電膜，而將該導電膜加工為所希望 的形狀，如圖10B所示那樣，形成布線301至303、以及電晶體104 和105的電極304。電極304用作電晶體的源電極或漏電極。其次，如圖10B所示那樣，在絕緣層300上形成具有PIN接合 的光電轉換層140。其次，將絕緣層306形成在襯底200的整個表面 上。絕緣層306優選用作光電轉換層140、電晶體104、 105的鈍化膜。 例如，作為絕緣層306，可以通過等離子體CVD法形成厚度為80nm 至150nm的氮化珪膜。其次，如圖IOC所示，為了形成電連接到光電轉換層240的電 極308,形成絕緣層307。絕緣層307優選通過印刷法來形成，例如 通過絲網印刷法等塗敷樹脂骨材料且焙燒，以可以形成具有所希望的 形狀的絕緣層307。例如，可以由環氧樹脂形成絕緣層307。其次， 在絕緣層306上形成接觸孔之後在絕緣層307上形成電極308。例如， 通過印刷法在所希望的位置上塗敷鎳骨且焙燒，來可以形成電極308。其次，如圖8所示那樣，形成覆蓋襯底200表面的絕緣層309。 因為也被用作平坦化膜，所以絕緣層309優選使用樹脂膜。此外，絕 緣層309優選通過絲網印刷法或噴墨法來形成。通過使用這些方法， 可以不使用蝕刻工序而在絕緣層309上形成接觸孔。例如，可以通過 絲網印刷法，由環氧樹脂形成絕緣層309。其次，如圖8所示，形成構成第一端子311、第二端子312、以 及假電極313的導電膜314。該導電膜314可以與電極308同樣地形 成。其次，形成構成第一端子311、第二端子312、以及假電極313 的導電膜315。在此，通過濺射法形成三層的導電膜，通過蝕刻該三 層結構的導電膜，來形成導電膜315。導電膜315可以由如下膜的疊 層膜構成，厚度為100nm至200nm的鈥膜、厚度為700nm至800nm 的鎳膜、厚度為40nm至60nm的金膜。注意，假電極313也可以僅 由導電膜314形成。
通過上述步驟，可以形成圖8以及圖9所示的半導體器件100。 注意，也可以與電極308 —起形成另外的假電極。圖ll示出具 有這種假電極的半導體器件100的截面圖。與圖8的不同之處是如下 為了與電極308 —起形成假電極333,形成比絕緣層307的面積大的 絕緣層337;在該絕緣層337的表面形成假電極333。與假電極313 同樣，假電極333不電連接到半導體器件100中的任何布線或電極。 將假電極333形成為其面積大於第一端子311以及第二端子312。注 意，當形成假電極333時，也可以不形成假電極313。 實施方式3在本實施方式中說明圖1所示的半導體器件100的其他結構例。 圖12是說明半導體器件100的截面結構的圖。圖13是說明圖11的 半導體器件IOO的布局例的平面圖。與圖3同樣，圖12是當由頂柵型的n溝道型TFT構成電流鏡電 路101時的半導體器件100的結構例的截面圖。在圖12中，作為電 流鏡電路IOI的截面結構，示出電流鏡電路IOI包含的兩個電晶體104 以及105。如圖12所示，電流鏡電路IOI的電晶體104、 105中間夾著用作 基底膜的絕緣層201，形成在襯底200上。在本實施方式中，絕緣層 201為第一絕緣層201-1和第二絕緣層201-2的兩層結構。覆蓋晶體 管104和105的半導體層、以及柵電極地形成絕緣層300。絕緣層300 用作層間絕緣膜。在絕緣層300上形成有用於電連接電流鏡電路101和第一端子 111的布線301、用於電連接電流鏡電路101和第二端子112的布線 302、以及用於電連接光電二極體103和電流鏡電路101的布線303、 以及電晶體104、 105的電極304。再者，在絕緣層300上形成有用作光電二極體103的光電轉換層 140。光電轉換層140由具有PIN接合的半導體層構成。在圖12的光 電轉換層140是從絕緣層300 —側按順序層疊p型半導體層140p、 i 型半導體層140i、 n型半導體層140n的半導體層。光電轉換層140 的p型半導體層140p形成為與布線303接觸。覆蓋電流鏡電路101以及光電轉換層140地形成絕緣層400。在 絕緣層400上形成電極401、 402。電極401電連接到布線302，電極 402使布線301和光電轉換層140電連接。覆蓋絕緣層400、電極401、 402地形成絕緣層406。在絕緣層406上形成絕緣層407,在絕緣層 407上形成第一端子411、第二端子412、以及假電極413。第一端子 411、第二端子412、以及假電極413分別由導電膜314、以及導電膜 315形成。導電膜314、315為單層結構或者兩層以上的疊層結構的膜。 由相同的導電膜且同樣的處理形成第一端子411、第二端子412、以 及假電極413。在圖12所示的半導體器件100中，由構成半導體器件100的絕 緣層(絕緣層201、絕緣層300、絕緣層309)覆蓋第一端子411、第 二端子412、以及假電極413以外的導電層的表面，以使該部分不露 出於外部。通過電極401以及布線301，第一端子411電連接到電流鏡電路 101。通過電極402以及布線302，第二端子412電連接到電流鏡電路 101 (參照圖12)。如圖13所示，使假電極413形成為與第一端子 411以及第二端子412鄰接，且假電極413的面積大於第一端子411 以及第二端子412的面積。此外，假電極413不電連接到半導體器件 100中的任何布線或電極。如此，通過使假電極413形成為與第一端子411以及第二端子 412鄰接，且假電極413的面積大於第一端子411以及第二端子412 的面積，可以使在假電極413中發生靜電破壞的概率高於在第一端子 411以及第二端子412中發生靜電破壞的概率。假設即使在假電極413 中發生靜電破壞，因為假電極413不電連接到電流鏡電路101、光電 二極體103、第一端子411以及第二端子412中的任何部件，所以可 以防止半導體器件100被靜電破壞。接下來，說明圖12所示的半導體器件100的製造方法。首先， 使用實施方式3的製造方法，獲得圖10B的結構。其次，形成絕緣層 400。因為也被用作平坦化膜，所以絕緣層400優選使用樹脂膜。此 外，絕緣層400優選通過絲網印刷法或噴墨法來形成。通過使用這些 方法，可以不使用蝕刻工序而在絕緣層400上形成到達布線301 、302、 以及光電轉換層140的接觸孔。例如，可以通過絲網印刷法，由環氧 樹脂形成絕緣層400。其次，如圖12所示，蝕刻絕緣層306,來形成到達布線301、 302、 以及光電轉換層140的接觸孔。接著在絕緣層400上形成電極401以 及電極402。這些電極401、 402可以與電極308同樣地形成。接下來，形成覆蓋電極401以及電極402的絕緣層406。絕緣層 406可以與絕緣層306同樣地形成。在絕緣層406上形成到達電極401 、 電極402的接觸孔之後，形成絕緣層407。絕緣層407可以與絕緣層 309同樣地形成。其次，形成由導電膜314以及導電膜315構成的第 一端子411、第二端子412、以及假電極413。第一端子411、第二端 子412以及假電極413可以與第一端子311、第二端子312、以及假 電極313同樣地形成。通過上述步驟，可以形成圖12以及13所示的半導體器件100。注意，也可以與電極401—起形成另外的假電極。圖14示出具 有這種假電極的半導體器件100的截面圖。與圖12不同之處是如下 與電極401—起形成假電極433;因為形成有假電極433，而改變了 電極402的形狀。與假電極413同樣，假電極433不電連接到半導體 器件100中的任何布線或電極。假電極433形成為其面積大於第一端 子411以及第二端子412。注意，當形成有假電極433時，也可以不 形成假電極413。實施方式4此外，也可以從絕緣層201剝離當製造半導體器件100時使用的 襯底200並將半導體器件100轉置在薄於玻璃襯底且具有柔性的塑料 襯底上。在本實施方式中說明這種製造方法。首先，如圖15A所示，在襯底200上形成絕緣層501。作為絕緣 層501，通過濺射法或等離子體CVD法形成由氧化矽、包含氮的氧化
矽、氮化矽、包含氧的氮化矽、金屬氧化材料構成的膜。在絕緣層501上形成剝離層502。由金屬膜或合金膜可以形成剝 離層502。作為金屬膜，可以使用由如下元素構成的膜，如鴒(W)、 鉬(Mo )、鈥(Ti)、鉭(Ta )、鈮(Nb )、鎳(Ni)、鈷(Co )、 鋯(Zr )、鋅(Zn )、釕(Ru )、銠(Rh )、鈀(Pd )、鋨(Os )、 或者銥(Ir)等。作為合金膜可以使用由選自這些金屬元素的多個金 屬元素的合金構成的膜如鎢和鉬的合金等。這種金屬膜和合金膜可以 通過濺射法形成。此外，成為剝離層502的金屬膜或合金膜的厚度優 選在20nm以上100nm以下。其次，使作為剝離層502而形成的金屬膜或合金膜的表面氧化， 以使在絕緣層201和剝離層502之間優先地產生剝離。作為使剝離層 氧化的方法，有如下方法熱氧化方法；使用氧氣或N20等離子體處 理表面的方法；以及使用氧化力強的溶液如臭氧水等處理表面的方法 等。另外，作為其他方法，有如下方法當形成絕緣層201時，在絕 緣層201和剝離層的界面形成氧化物。例如，通過濺射法形成以矽氧 化物為主要成分的膜，當在金屬膜或合金膜表面澱積矽氧化物時，可 以使其表面氧化。注意，也可以通過等離子體處理或熱處理來實現氮 化，而代替使金屬膜或合金膜氧化。其次，如圖15B所示在絕緣層201上形成用作光傳感器的半導 體器件100。在本實施方式中製造圖11示出的半導體器件100。其次，如圖16所示，由粘合劑505將支撐襯底506貼合到半導 體器件IOO。注意，作為支撐襯底506優選使用比襯底200的剛度高 的襯底。典型地，作為支撐襯底506可以適宜使用玻璃襯底、石英襯 底、金屬襯底、陶瓷襯底、塑料襯底。此外，作為粘合劑505使用由有機材料構成的粘合劑即可。此時， 也可以在粘合劑的一部分形成平坦化層。在本實施方式中，也可以在 由有機材料構成的粘合劑中塗敷水溶性樹脂505-1作為平坦化層，並 且在其上固定有被反應剝離型粘合劑覆蓋兩面的構件505-2 (以下， 記為兩面薄膜)，然後在兩面薄膜505-2上固定支撐襯底506。 通過利用該粘結方法，可以利用較小的外力進行以後的剝離工 序。作為由有機材料構成的粘合劑，可以舉出各種剝離型粘合劑，如 反應剝離型粘合劑、熱剝離型粘合劑、紫外線剝離型粘合劑等的光剝 離型粘合劑、厭氧剝離型粘合劑等。接下來，使在襯底200上形成了的剝離層502和絕緣層201之間 產生剝離，來將襯底200從半導體器件100分離。可以通過利用物理 方法將半導體器件100和襯底200分離。例如通過利用使用了楔子等 具有銳利端部的部件而獲得的負荷、人的手、從噴嘴噴出的氣體的風 壓等可以將半導體器件100從襯底200分離。接著，如圖17所示那樣，使用粘合劑508將可撓性襯底509粘 合到絕緣層201。作為粘合劑508，可以使用各種固化型粘合劑，如 反應固化型粘合劑、熱固化型粘合劑、紫外線固化型粘合劑等的光固 化型粘合劑、厭氧固化型粘合劑等。在本實施方式中，可以使用環氧 樹脂作為粘合劑508。此外，作為可撓性襯底509,可以使用由聚醯 亞胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯 (PET)等構成的膜。接下來，從半導體器件IOO分離粘合劑505以及支撐襯底506。 通過對由有機材料構成的粘合劑505執行熱反應、光反應、利用溼度 的反應、或者化學反應，使其粘結性降低，來將粘合劑505與支撐襯 底506 —起從半導體器件100剝離。通過上述步驟可以形成固定於可撓性襯底509的半導體器件 100。通過本實施方式製造的半導體器件100重量輕、厚度薄、且可 具有柔性。實施方式5本發明的半導體器件因為用作光傳感器，所以可以被組合到各種 各樣的電子設備中。在本實施方式中，說明安裝了本發明的半導體器 件的電子設備。作為這種電子設備，可以舉出計算機、顯示器、便攜 式電話、電視機等。這些電子設備的具體例子示於圖18、圖19A、圖 19B、圖20A、圖20B、圖21以及圖22。
圖18是可攜式電話，並且包括主體701、主體702、框體703、 操作鍵704、聲音輸入部705、聲音輸出部706、電路襯底707、顯示 面板708、顯示面板709、鉸鏈710、透光性材料部711、以及光傳感 器712。本發明可以適用於光傳感器712。光傳感器712檢測透過透光性材料部711的光，並且既根據檢測 了的外部光的照度控制顯示面板708及顯示面板709的亮度，又根據 光傳感器712所獲得的照度控制操作鍵704的照明。由此可以抑制便 攜式電話的耗電量。圖19A和19B示出可攜式電話的另一個例子。在圖19A和19B 中，附圖標記721表示主體，722表示框體，723表示顯示面板，724 表示操作鍵，725表示聲音輸出部，726表示聲音輸入部，727及728 表示光傳感器。在圖19A所示的可攜式電話中，通過由設置在主體721的光傳 感器727檢測外部的光，可以控制顯示面板723及操作鍵724的亮度。此外，圖19B所示的可攜式電話除了具有圖19A的結構之外， 在主體721的內部還設置有光電轉換元件728。可以由光電轉換元件 728檢測設置在顯示面板723中的背光的亮度。圖20A是計算機，並且包括主體731、框體732、顯示部733、 鍵盤734、外部連接埠 735、定位設備736等。此外，圖20B是顯示裝置，並且相當於電視接收機等。本顯示 裝置包括框體741、支撐體742、顯示部743等。圖21示出使用液晶面板作為設置在圖20A的計算機中的顯示部 733、以及圖20B所示的顯示裝置的顯示部743時的詳細結構。圖21所示的液晶面板762嵌入在框體761中，並且包括襯底751a 及751b、夾在襯底751a及751b之間的液晶層752、偏振濾波片755a 及755b、以及背光753等。此外，在框體761形成有具有光傳感器的 光傳感器形成區域754。通過將由使用本發明而製作的光傳感器形成區域754感知來自 背光753的光量的信息反饋於背光753，液晶面板762的亮度得以調 整。圖22A和22B是表示將本發明的光傳感器組合在影像拍攝裝置 例如數位相機中的例子的圖。圖22A是從數位相機正面看到的立體 圖，圖22B是從其後面看到的立體圖。在圖22A中，該數位相機具備 釋放按鈕801、主開關802、取景器803、閃光804、鏡頭805、鏡頭 筒806、以及機殼807。此外，在圖22B中，具備目鏡取景器811、監視器812、以及操 作按鈕813。當釋放按鈕801被按到一半位置時，聚焦調整機制和膝光調整機 制工作，當釋放按鈕被按到最底位置時，快門開啟。通過按下或旋轉主開關802，打開或關閉數位相機的電源。取景器803配置於數位相機正面的鏡頭805的上部，用於從圖 22B所示的目鏡取景器811確認拍攝範圍和焦點位置。閃光804配置於數位相機的正面的上部，並且當拍攝目標亮度不 夠強時，在釋放按鈕被按下，且快門被開啟的同時，發射輔助光。鏡頭805配置於數位相機的正面，由聚焦鏡頭、變焦鏡頭等構成， 並且鏡頭805、未圖示的快門及光圏構成照相光學系統。此外，在鏡 頭的後面設置有成4象元件如CCD ( Charge Coupled Device;電荷耦合 裝置)等。鏡頭筒806移動鏡頭805的位置，以調整聚焦鏡頭、變焦鏡頭等 的焦點，並且當拍攝時，通過推出鏡透筒806，使鏡頭805向前移動。 此外，在攜帶時，使鏡頭805向後移動成緊縮狀態。注意，在本實施 方式中，採用通過推出鏡頭筒806來縮放拍攝目標的結構，然而，不 局限於該結構，可以為通過利用框體807內的照相光學系統的結構即 使不推出鏡頭筒806也能夠進行縮放拍攝的數位相機。目鏡取景器811設在數位相機的背面上部，是為了當確認拍攝的 範圍或焦點位置時用眼看而設置的窗口。操作按鈕813是設在數位相機的背面的各種功能的按鈕，並且由 設定按鈕、菜單按鈕、顯示按鈕、功能按鈕、選擇按鈕等構成。
通過將本發明的光傳感器組合在圖22A和22B所示的照相機中， 光傳感器能夠感知是否有光存在以及光的強度，由此可以進行照相機 的膝光調節等，此外，本發明的光傳感器可以應用於其它電子設備，例如投影電 視機和導航系統等。本申請基於2006年12月27日在日本專利局提交的日本專利申 請序列號2006-351877，在此引用其全部內容作為參考。
權利要求
1.一種半導體器件，包括光電轉換元件；電連接到所述光電轉換元件的電路；電連接到所述光電轉換元件的第一端子；電連接到所述電路的第二端子；以及與所述第一端子以及所述第二端子鄰接的導電膜，其中，所述導電膜不電連接到所述光電轉換元件也不電連接到所述電路，並且，所述導電膜的上表面的面積大於所述第一端子的上表面的面積，並且，所述導電膜的上表面的面積大於所述第二端子的上表面的面積。
2. —種半導體器件，包括 光電轉換元件；電連接到所述光電轉換元件的電路；電連接到所述光電轉換元件的第一端子；電連接到所述電路的第二端子；與所述第 一端子以及所述第二端子鄰接，且不電連接到所述光電轉換元件以及所述電路的導電膜；以及覆蓋所述光電轉換元件以及所述電路的絕緣膜，其中，所述第一端子、所述第二端子、以及所述導電膜形成在所述絕緣膜上，並且，所述導電膜的上表面的面積大於所述第一端子的上表面的面積，並且，所述導電膜的上表面的面積大於所述第二端子的上表面的面積。
3. 根據權利要求l所述的半導體器件，其中，所述光電轉換元件具有光電轉換層，並且，所述導電膜為反射光的膜，且重疊於所述光電轉換層。
4. 根據權利要求2所述的半導體器件， 其中，所述光電轉換元件具有光電轉換層，並且，所述導電膜為反射光的膜，且重疊於所述光電轉換層。
5. 根據權利要求l所述的半導體器件， 其中，所述光電轉換元件具有光電轉換層，並且，所述導電膜為反射光的膜，且不重疊於所述光電轉換層。
6. 根據權利要求2所述的半導體器件， 其中，所述光電轉換元件具有光電轉換層，並且，所述導電膜為反射光的膜，且不重疊於所述光電轉換層。
7. 根據權利要求l所述的半導體器件，其中，所述導電膜的上表面的面積比所述第一端子以及所述第二 端子中大的一方的上表面的面積大至少兩倍。
8. 根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述導電膜的上表面的面積比所述第一端子以及所述第二 端子中大的一方的上表面的面積大至少兩倍。
9. 一種半導體器件，包括 在襯底上的薄膜電晶體和布線； 在所述薄膜電晶體和所述布線上的第一絕緣膜； 在所述第一絕緣膜上並在所述薄膜電晶體上方的光電轉換元件； 在所述第一絕緣膜和所述光電轉換元件上的第二絕緣膜； 在所述第二絕緣膜和所述薄膜電晶體上的導電膜； 在所述第二絕緣膜中且在所述光電轉換元件上形成的第一接觸孔中形成的第一端子；以及在所述第二絕緣膜中且在所述布線上形成的第二接觸孔中形成 的第二端子，其中，所述薄膜電晶體電連接到所述光電轉換元件， 並且，所述第一端子電連接到所述光電轉換元件，並且，所述第二端子電連接到所述薄膜電晶體，並且，所述導電膜不電連接到所述光電轉換元件也不電連接到所 述薄膜電晶體，並且，所述導電膜的上表面的面積大於所述第一端子的上表面的面積，並且，所述導電膜的上表面的面積大於所述第二端子的上表面的面積。
10. —種半導體器件，包括 光電轉換元件；電連接到所述光電轉換元件的電路；電連接到所述光電轉換元件的第 一端子；電連接到所述電路的第二端子；與所述第一端子以及所述第二端子鄰接的第一導電膜；在所述第一導電膜上的絕緣層；以及在所述絕緣層上的第二導電膜，其中，所述第 一導電膜以及所述第二導電膜不電連接到所述光電 轉換元件也不電連接到所述電路，並且，所述第二導電膜的上表面的面積大於所述第一端子的上表 面的面積，並且，所述第二導電膜的上表面的面積大於所述第二端子的上表 面的面積《
11. 一種具有根據權利要求l所述的半導體器件的電子設備，其 中，所述電子設備選自可攜式電話機、計算機、顯示裝置、以及數碼 影像拍攝裝置等之類。
12. —種具有根據權利要求2所述的半導體器件的電子設備，其 中，所述電子設備選自可攜式電話機、計算機、顯示裝置、以及數碼 影像拍攝裝置等之類。
13. —種具有根據權利要求9所述的半導體器件的電子設備，其 中，所述電子設備選自可攜式電話機、計算機、顯示裝置、以及數碼 影像拍攝裝置等之類。
14. 一種具有根據權利要求10所述的半導體器件的電子設備，其 中，所述電子設備選自可攜式電話機、計算機、顯示裝置、以及數碼 影像拍攝裝置等之類。
全文摘要
本發明包括光電二極體以及放大光電二極體的輸出的電路。在光電二極體以及電路上中間夾著絕緣層且與兩個端子一起形成假電極，該假電極與兩個端子鄰接，且該假電極的面積大於兩個端子的面積。假電極不連接到半導體器件的光電二極體也不連接到電路。通過將假電極的面積設定為大，使在假電極中比在兩個端子中更容易產生靜電破壞，來防止半導體器件被靜電破壞。
文檔編號H01L27/144GK101211931SQ200710160849
公開日2008年7月2日 申請日期2007年12月27日 優先權日2006年12月27日
發明者廣瀨篤志, 肉戶英明 申請人:株式會社半導體能源研究所