一種屏蔽電磁脈衝的軟體複合材料及其製作方法
2023-09-16 15:30:00 4
專利名稱：一種屏蔽電磁脈衝的軟體複合材料及其製作方法
技術領域：
本發明涉及一種屏蔽防護材料，特別是關於一種對核爆炸後產生的強電磁脈衝具有防護作用的軟體複合屏蔽材料及其製作方法。
背景技術：
核爆炸產生的γ線與大氣作用後發生強大的電磁脈衝，這種強電磁脈衝具有很大的穿透破壞性。現有的電磁波軟體屏蔽材料，是以棉滌織物為基料，經化學鍍銅、鎳等方法製成的。該類電磁波軟體屏蔽材料的技術特點，反映在由本發明人申請的00103011.6號專利《一種屏蔽電磁波的織物及其製作方法》中。該類屏蔽電磁波的棉滌織物為單層結構，在保留棉滌織物原有的輕、薄、軟、透氣、可洗、可染等特點外，還具有屏蔽電磁波的功能，它是以化學還原方式在棉滌織物的結構內附著了銅、鎳分子，使其具有了在10KHz～6.5GHz(赫茲)頻段的屏蔽值為30dB～90dB的屏蔽效能，其屏蔽原理是對電磁波的反射。此類屏蔽電磁波的棉滌織物，開創了以棉滌織物為基料的軟體屏蔽和軟體透明屏蔽材料的技術，其應用可代替金屬板、塊材料，同時還解決了在軍標B級和C級所用屏蔽材料、軍用屏蔽帳篷、仿真兵器模型和電磁波防護用品及服裝等方面，不能用金屬板、塊、網等材料的難題。但是，雖然如此，此類屏蔽電磁波的棉滌織物，卻只能應用於一般屏蔽室或其他大型屏蔽環境，對於核爆炸後由γ線與大氣作用後產生的強大的10～20萬伏/m2極大場強的電磁脈衝的屏蔽問題，根本起不到任何的作用。因此，進一步研製新型的具有更高屏蔽值的軟體屏蔽材料，解決針對10～20萬伏/m2極大場強的電磁波脈衝的屏蔽問題，具有極為重要的意義。
發明內容
針對上述問題，本發明的目的是提供一種可以屏蔽10～20萬伏/m2極大場強的屏蔽電磁脈衝的軟體複合材料及其製作方法。
為實現上述目的，本發明採取以下技術方案一種屏蔽電磁脈衝的軟體複合材料，它的結構層由表層依次向裡包括第一層為吸波材料，第二、六層為丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層，第三、五、七、九層為粘合劑層，第四、八層為黑洞層，第十層為雙化鍍屏蔽層；所述各結構層粘結複合成一整體。
所述吸波材料的成分按以下重量份數比組成PVC(聚氯乙烯)∶DOP(磷苯二甲酸二鋅酯)∶Znow(氧化鋅晶須)＝100∶100∶80；厚度為0.6～1mm(毫米)，優選為0.6～0.8mm。
所述丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層由屏蔽布和屏蔽布上的丙烯酸樹脂組成；所述屏蔽布用180～250目棉滌布經化學鍍銅而成；所述丙烯酸樹脂的成分由以下重量份數比的物質組成丙烯酸樹脂溶液∶矽酸乙酯∶癸醇＝10.6～10.8∶0.6～0.8∶30～40；所述屏蔽布上的丙烯酸樹脂厚度為0.5mm；所述丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層厚度為0.8～1mm。
所述粘合劑層的成分由以下重量份數比的物質組成PVC∶DOP∶800目金屬銅粉＝100∶100∶50。
所述黑洞層由10mm厚、泡室腔直徑為2.5mm～3mm的發泡塑料基材和基材上的nm(納米)雷射濺射銅鎳合金組成。
所述雙化鍍屏蔽層由屏蔽布和屏蔽布上的銅、鎳鍍層組成；其中銅和鎳的重量份數比為1∶1；所述屏蔽布為180～250目棉滌布，厚度為0.4～0.5mm。
一種製作屏蔽電磁脈衝的軟體複合材料的方法，包括以下步驟1、製備吸波材料將PVC、DOP和Znow按照PVC∶DOP∶Znow＝100∶100∶80的重量份數比混合、攪拌成為膠狀的吸波材料；製備丙烯酸樹脂將丙烯酸樹脂溶液、矽酸乙酯和癸醇按照丙烯酸樹脂溶液∶矽酸乙酯∶癸醇＝10.6～10.8∶0.6～0.8∶30～40的重量份數比混合，經攪拌成為膠狀的丙烯酸樹脂；丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層基材的處理①將滲透劑(JFC)、209洗滌劑和水混合成洗滌液，其中滲透劑的含量為0.2％～0.3％，然後將180～250目棉滌布放入到洗滌液中清洗，②將40克氯化亞錫(SnCl2H2O)、25ml濃度為37％的鹽酸(HCl)放入到1000ml水中混合溶解，配製成原液甲，③將3.7克硝酸銀(AgNO3)、5ml氨水溶液放入到20ml水中混合溶解，配製成原液乙，④將0.1克氯化鈀(PdCl2)放入到25ml水中混合溶解，配製成原液丙，⑤將10ml濃度為37％的甲醛(HCHO)放入到25ml水中混合溶解，配製成原液丁，⑥將1克～3克次磷酸鈉(NaH2Po2·H2O)放入到25ml水中混合溶解，配製成原液戊，⑦將步驟①清洗後的棉滌布放入到濃度為0.5％的原液甲中浸泡，進行敏化，⑧再將敏化後的棉滌布放入到濃度為0.5％的原液甲或原液丙中浸泡，進行活化，⑨再將活化後的棉滌布放入到濃度為1％～3％的原液丁或原液戊中浸泡，進行強化；鍍銅將100克硫酸銅(CuSo4·5H2O)、100克酒石酸甲鈉(KNaC4H4O6·4H2O)、150克乙二銨四乙酸鈉(EDTANaA)、0.001克雙聯吡啶(C10H8N)、0.01～0.03克甲醛、2～5ml滲透劑(JFC)、50克氫氧化鈉(NaOH)、0.001～0.002克亞鐵氰化鉀[K4Ee(CN)6·3H2O]，放入到1000ml水中混合溶解，配製成鍍銅液；將強化處理後的棉滌布，放入到濃度為50％的鍍銅液中進行鍍銅，鍍銅液溫度為38℃～42℃，棉滌布在鍍銅液中浸泡30分鐘後取出，成為鍍銅屏蔽布，檢測鍍銅後屏蔽布的電阻值，在1m2屏蔽布範圍內的對角線距離的電阻值檢測達到0.2～0.6Ω(歐姆)之間即可；製作丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層將以上製成的膠狀丙烯酸樹脂，拌均後塗刮在鍍銅後的屏蔽布上，丙烯酸樹脂塗刮厚度0.5mm，然後在180℃～200℃條件下烘乾，製成為丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層；鍍鎳將3.6克氯化鎳(NiCl26H2O)、6.1克氯化銨(NH4Cl)、1克酒石酸甲鈉(KNaC4H4O6·4H2O)、3.6克氯化鈉(NaCl)、5.6克次磷酸鈉(NaH2PO2·H2O)、3.6克氯化鋅(ZnCl2)，放入到1000ml水中混合溶解，配製成鍍鎳液；對鍍銅後的屏蔽布再進行預處理將滲透劑與水以重量份數比為0.5∶100混合成洗滌液，將屏蔽布放入洗滌液中清洗；將40克氯化亞錫及25ml濃度為37％的鹽酸放入到1000ml水中，混合為原液A；將3.7克硝酸銀和5ml氨水放入到20ml水中，混合成原液B；將0.01克氯化鈀放入到25ml水中，混合成原液C；將1ml濃度為37％的甲醛放入到25ml水中，混合成原液D；將3克次磷酸鈉放入到25ml水中，混合成原液E；將鍍銅後的屏蔽布依次放入到原液中A、B、C中浸泡3分鐘，進行敏化；將敏化後的屏蔽布，再依次放入到原液D、E中浸泡3分鐘，進行活化；將活化處理後的鍍銅屏蔽布放入到鍍鎳液中進行鍍鎳，鍍鎳液溫度為40℃～50℃，鍍銅屏蔽布在鍍鎳液中浸泡20分鐘後取出，製成雙化鍍屏蔽層；配製PVC粘合劑將PVC、DOP和800目金屬銅粉按照PVC∶DOP∶800目金屬銅粉＝100∶100∶50的重量份數比混合，攪拌後成為膠狀的PVC粘合劑；製作黑洞層取10mm厚、泡室腔直徑為2.5mm～3mm的發泡塑料基材，在其表面和泡室腔內壁上nm雷射濺射銅鎳合金，合金厚度為0.004～0.005mm，製成為黑洞層；2、粘結複合將膠狀吸波材料作為軟體屏蔽材料的第一層，刮附在作為軟體屏蔽材料第二層的丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層上，吸波材料刮附在丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層上的厚度為0.6mm～1mm；在第二層丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層與第四層黑洞層之間、在第四層黑洞層與第六層丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層之間、在第六層丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層與第八層黑洞層之間、在第八層黑洞層與第十層雙化鍍屏蔽層之間，分別通過刮復PVC粘合劑的方法，將其粘結複合在一起，刮復PVC粘合劑厚度0.25mm～0.40mm，每次刮復PVC粘合劑，粘結複合後在250℃下烘乾。
本發明屏蔽電磁脈衝的軟體複合材料，由於採取以上技術方案，其具有以下優點1、它採取了多層複合結構的方式，可對由核爆炸產生的極大場強的電磁脈衝實施逐層吸收、反射、絕緣、分解及導流入地，最終實現對電磁波的屏蔽，屏蔽值可達300dB；2、重量輕。在10～20萬伏/m2極大場強下，如用常規鋼板方法屏蔽電磁波，則需要200mm厚的鋼板，重量達3000Kg/m2以上，這在施工時是非常困難的。如採用本發明的軟體複合屏蔽材料，重量僅為0.5～0.6Kg/m2，厚度僅為28mm～30mm；3、本發明提供的製作屏蔽電磁脈衝的軟體複合材料的方法，在工藝上除採用化學還原法外，還採用了納米雷射濺射法和分層絕緣，提高了產品的加工技術水平；4、本發明軟體複合屏蔽材料，在屏蔽極大場強的電磁脈衝時，實現了對電磁波吸收、反射、絕緣、分解及導流入地的原理，因而達到屏蔽值300dB的目的。本發明因具有上述優點，所以在應用上具有極為重要的意義。
圖1是本發明的一種屏蔽核爆炸強電磁脈衝的軟體複合材料的結構層示意圖具體實施方式
現結合圖1所示的內容，詳細描述本發明的一種屏蔽核爆炸強電磁脈衝的軟體複合材料的各個具體結構及其製作方法。
如圖1所示，本發明屏蔽核爆炸強電磁脈衝的軟體複合材料的表層為吸波材料1，依次向裡的第二層和第六層為丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層2和6，第三、五、七、九層為PVC粘合劑層3、5、7、9，第四層和第八層為黑洞層4和8，第十層為雙化鍍屏蔽層10。
實施例1、屏蔽核爆炸強電磁脈衝的軟體複合材料的製作。
1、吸波材料1的製備取100克PVC、100克DOP和80克Znow，將它們混合在一起，經攪拌後成為膠狀的吸波材料，備用。
2、丙烯酸樹脂的製備取10.8克丙烯酸樹脂溶液、0.6克矽酸乙酯和30克癸醇，將它們混合在一起，經攪拌後成為膠狀物質，配製成丙烯酸樹脂；3、丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層基材的處理①將滲透劑、209洗滌劑和水混合成洗滌液，控制其中的滲透劑含量在0.2％～0.3％之間，然後將180目的棉滌布放入到洗滌液中清洗。②將40克氯化亞錫、25ml濃度為37％的鹽酸放入到1000ml水中混合溶解，配製成原液甲。③將3.7克硝酸銀、5ml氨水溶液放入到20ml水中混合溶解，配製成原液乙。④將0.1克氯化鈀放入到25ml水中混合溶解，配製成原液丙。⑤將10ml濃度為37％的甲醛放入到25ml水中混合溶解，配製成原液丁。⑥將1克次磷酸鈉放入到25ml水中混合溶解，配製成原液戊。⑦將步驟①清洗後的棉滌布放入到濃度為0.5％的原液甲中浸泡，進行敏化。⑧然後再將敏化後的棉滌布放入到濃度為0.5％的原液甲中浸泡，進行活化，⑨再將活化後的棉滌布放入到濃度為1％的原液丁中浸泡，進行強化；4、配製鍍銅液將100克硫酸銅、100克酒石酸甲鈉、150克乙二銨四乙酸鈉、0.001克雙聯吡啶、0.01克甲醛、2ml滲透劑、50克氫氧化鈉、0.001克亞鐵氰化鉀，放入到1000ml水中混合溶解，配製成鍍銅液；5、鍍銅將步驟3強化處理後的棉滌布，放入到濃度為50％的鍍銅液中進行鍍銅，控制鍍銅液溫度為38℃～42℃，棉滌布在鍍銅液中浸泡30分鐘後取出，成為鍍銅屏蔽布，然後檢測鍍銅屏蔽布的電阻值，在1m2屏蔽布範圍內的對角線距離的電阻值檢測達到0.2～0.6Ω之間即可；6、丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層2和6的製作將步驟2製成的丙烯酸樹脂，拌均後塗刮在步驟5製成的鍍銅屏蔽布上，丙烯酸樹脂塗刮厚度0.5mm，然後在180℃～200℃條件下烘乾，製成丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層2和6；7、配製鍍鎳液將3.6克氯化鎳、6.1克氯化銨、1克酒石酸甲鈉、3.6克氯化鈉、5.6克次磷酸鈉、3.6克氯化鋅，放入到1000ml水中混合溶解，配製成鍍鎳液；8、對鍍銅後的屏蔽布再進行預處理將滲透劑與水以重量份數比為0.5∶100混合成洗滌液，將屏蔽布放入洗滌液中清洗；將40克氯化亞錫及25ml濃度為37％的鹽酸放入到1000ml水中，混合為原液A；將3.7克硝酸銀和5ml氨水放入到20ml水中，混合成原液B；將0.01克氯化鈀放入到25ml水中，混合成原液C；將1ml濃度為37％的甲醛放入到25ml水中，混合成原液D；將3克次磷酸鈉放入到25ml水中，混合成原液E；將鍍銅後的屏蔽布依次放入到原液A、B、C中浸泡3分鐘，進行敏化；將敏化後的屏蔽布，再依次放入到原液D、E中浸泡3分鐘，進行活化。
9、鍍鎳將步驟8活化處理後的鍍銅屏蔽布放入到鍍鎳液中進行鍍鎳，控制鍍鎳液溫度為40℃～50℃，鍍銅屏蔽布在鍍鎳液中浸泡20分鐘後取出，製成雙化鍍屏蔽層；控制雙化鍍屏蔽層的電阻值在0.2～0.6Ω之間。
10、PVC粘合劑的配製將100克PVC、100克DOP和50克800目金屬銅粉混合在一起，經攪拌後成為膠狀物質，配製成PVC粘合劑；11、黑洞層4和8的製作取10mm厚、泡室腔直徑為2.5mm～3mm的發泡塑料作為基材，以nm雷射濺射的方法在發泡塑料基材的表面和泡室腔內壁上濺射銅鎳合金，控制銅鎳合金濺射厚度為0.004～0.005mm，製成為黑洞層；12、屏蔽核爆炸強電磁脈衝的軟體複合材料的粘結複合按照圖1所示的各結構層順序，將膠狀吸波材料1刮附在丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層2上，刮附厚度為0.6mm～1mm；再將PVC粘合劑3刮復在丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層2的另一面上，刮復厚度控制在0.25mm～0.40mm之間，然後與黑洞層4粘結複合，在250℃下烘乾；將PVC粘合劑5刮復在丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層6上，刮復厚度控制在0.25mm～0.40mm之間，再將丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層6與黑洞層4粘結複合，烘乾；將PVC粘合劑9刮復在雙化鍍屏蔽層10上，刮復厚度控制在0.25mm～0.40mm之間，再與黑洞層8粘結複合，然後烘乾；將PVC粘合劑7刮復在黑洞層8上，刮復厚度控制在0.25mm～0.40mm之間，然後與丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層6粘結複合，烘乾，至此完成屏蔽核爆炸強電磁脈衝的軟體複合材料各結構層之間的全部粘結複合過程，從而使各結構層複合成一整體。
實施例2、屏蔽核爆炸強電磁脈衝的軟體複合材料的製作。
1、吸波材料1的製備取200克PVC、200克DOP和160克Znow，將它們混合在一起，經攪拌後成為膠狀吸波材料，備用。
2、丙烯酸樹脂的製備取21.2克丙烯酸樹脂溶液、1.6克矽酸乙酯和80克癸醇，將它們混合在一起，經攪拌後成為膠狀物質，配製成丙烯酸樹脂，備用；3、丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層基材的處理取250目的棉滌布作為丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層的基材進行處理，其中將3克次磷酸鈉放入到25ml水中混合溶解，配製成原液戊；在棉滌布強化步驟中，原液丁的濃度為3％；其餘原液的配製方法和對250目棉滌布的處理方法與實施1相同。
4、配製鍍銅液將100克硫酸銅、100克酒石酸甲鈉、150克乙二銨四乙酸鈉、0.001克雙聯吡啶、0.03克甲醛、5ml滲透劑、50克氫氧化鈉、0.002克亞鐵氰化鉀，放入到1000ml水中混合溶解，配製成鍍銅液。
步驟5、6、7、8、9的方法與實施1相同。
10、PVC粘合劑的配製將200克PVC、200克DOP和100克800目金屬銅粉混合在一起，經攪拌後成為膠狀物質，配製成PVC粘合劑。
步驟11、12的方法與實施1相同，製成屏蔽核爆炸強電磁脈衝的軟體複合材料。
實施例3、屏蔽核爆炸強電磁脈衝的軟體複合材料的製作。
1、吸波材料1的製備取150克PVC、150克DOP和120克Znow，將它們混合在一起，經攪拌後成為膠狀吸波材料，備用。
2、丙烯酸樹脂的製備取10.7克丙烯酸樹脂溶液、0.7克矽酸乙酯和35克癸醇，將它們混合在一起，經攪拌後成為膠狀物質，配製成丙烯酸樹脂，備用。
3、丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層基材的處理取220目的棉滌布作為丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層的基材進行處理，其中將2克次磷酸鈉放入到25ml水中混合溶解，配製成原液戊；在棉滌布強化步驟中，原液丁的濃度為2％；其餘原液的配製方法和對220目的棉滌布的處理過程與實施1相同。
4、配製鍍銅液將100克硫酸銅、100克酒石酸甲鈉、150克乙二銨四乙酸鈉、0.001克雙聯吡啶、0.02克甲醛、3.5ml滲透劑、50克氫氧化鈉、0.0015克亞鐵氰化鉀，放入到1000ml水中混合溶解，配製成鍍銅液。
步驟5、6、7、8、9的方法與實施1相同。
10、PVC粘合劑的配製將50克PVC、50克DOP和25克800目金屬銅粉混合在一起，經攪拌後成為膠狀物質，配製成PVC粘合劑。
步驟11、12的方法與實施1相同，製成屏蔽核爆炸強電磁脈衝的軟體複合材料。
本發明屏蔽電磁脈衝的軟體複合材料，其吸波層1可以阻隔和吸收一部分電磁波；丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層2和6可對一部分電磁波起到絕緣、反射和導流入地的作用；PVC粘合劑層3、5、7和9也具有對電磁波絕緣和反射的作用；nm級銅、鎳雙化鍍屏蔽層10，可將被多次吸收、轉化、反射，衰減後的電磁波導流入地。通過屏蔽電磁脈衝的軟體複合材料逐層的吸收、反射、絕緣、導流等衰減後，核爆炸產生的10～20萬伏/m2的電磁脈衝能被逐層轉化和屏蔽導流，使其衰減值達到300dB，可達到屏蔽核爆炸強電磁脈衝的效果。
權利要求
1.一種屏蔽電磁脈衝的軟體複合材料，其特徵在於它的結構層由表層依次向裡包括第一層為吸波材料，第二、六層為丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層，第三、五、七、九層為粘合劑層，第四、八層為黑洞層，第十層為雙化鍍屏蔽層；所述各結構層粘結複合成一整體。
2.如權利要求1所述的屏蔽電磁脈衝的軟體複合材料，其特徵在於所述吸波材料的成分按以下重量份數比組成PVC∶DOP∶Znow＝100∶100∶80；厚度為0.6～1mm，優選為0.6～0.8mm。
3.如權利要求1所述的屏蔽電磁脈衝的軟體複合材料，其特徵在於所述丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層由屏蔽布和屏蔽布上的丙烯酸樹脂組成；所述屏蔽布用180～250目棉滌布經化學鍍銅而成；所述丙烯酸樹脂的成分由以下重量份數比的物質組成丙烯酸樹脂溶液∶矽酸乙酯∶癸醇＝10.6～10.8∶0.6～0.8∶30～40；所述屏蔽布上的丙烯酸樹脂厚度為0.5mm；所述丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層厚度為0.8～1mm。
4.如權利要求1所述的屏蔽電磁脈衝的軟體複合材料，其特徵在於所述粘合劑層的成分由以下重量份數比的物質組成PVC∶DOP∶800目金屬銅粉＝100∶100∶50。
5.如權利要求1所述的屏蔽電磁脈衝的軟體複合材料，其特徵在於所述黑洞層由10mm厚、泡室腔直徑為2.5mm～3mm的發泡塑料基材和基材上的nm雷射濺射銅鎳合金組成。
6.如權利要求1所述的屏蔽電磁脈衝的軟體複合材料，其特徵在於所述雙化鍍屏蔽層由屏蔽布和屏蔽布上的銅、鎳鍍層組成；其中銅和鎳的重量份數比為1∶1；所述屏蔽布為180～250目棉滌布，厚度為0.4～0.5mm。
7.一種製作屏蔽電磁脈衝的軟體複合材料的方法，包括以下步驟1)製備吸波材料將PVC、DOP和Znow按照PVC∶DOP∶Znow＝100∶100∶80的重量份數比混合、攪拌成為膠狀的吸波材料；製備丙烯酸樹脂∶將丙烯酸樹脂溶液、矽酸乙酯和癸醇按照丙烯酸樹脂溶液∶矽酸乙酯∶癸醇＝10.6～10.8∶0.6～0.8∶30～40的重量份數比混合，經攪拌成為膠狀的丙烯酸樹脂；丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層基材的處理①將滲透劑、209洗滌劑和水混合成洗滌液，其中滲透劑的含量為0.2％～0.3％，然後將180～250目棉滌布放入到洗滌液中清洗，②將40克氯化亞錫、25ml濃度為37％的鹽酸放入到1000ml水中混合溶解，配製成原液甲，③將3.7克硝酸銀、5ml氨水溶液放入到20ml水中混合溶解，配製成原液乙，④將0.1克氯化鈀放入到25ml水中混合溶解，配製成原液丙，⑤將10ml濃度為37％的甲醛放入到25ml水中混合溶解，配製成原液丁，⑥將1克～3克次磷酸鈉放入到25ml水中混合溶解，配製成原液戊，⑦將步驟①清洗後的棉滌布放入到濃度為0.5％的原液甲中浸泡，進行敏化，⑧再將敏化後的棉滌布放入到濃度為0.5％的原液甲或原液丙中浸泡，進行活化，⑨再將活化後的棉滌布放入到濃度為1％～3％的原液丁或原液戊中浸泡，進行強化；鍍銅將100克硫酸銅、100克酒石酸甲鈉、150克乙二銨四乙酸鈉、0.001克雙聯吡啶、0.01～0.03克甲醛、2～5ml滲透劑、50克氫氧化鈉、0.001～0.002克亞鐵氰化鉀，放入到1000ml水中混合溶解，配製成鍍銅液；將強化處理後的棉滌布，放入到濃度為50％的鍍銅液中進行鍍銅，鍍銅液溫度為38℃～42℃，棉滌布在鍍銅液中浸泡30分鐘後取出，成為鍍銅屏蔽布，檢測鍍銅後屏蔽布的電阻值，在1m2屏蔽布範圍內的對角線距離的電阻值檢測達到0.2～0.6Ω之間即可；製作丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層將以上製成的膠狀丙烯酸樹脂，拌均後塗刮在鍍銅後的屏蔽布上，丙烯酸樹脂塗刮厚度0.5mm，然後在180℃～200℃條件下烘乾，製成為丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層；鍍鎳將3.6克氯化鎳、6.1克氯化銨、1克酒石酸甲鈉、3.6克氯化鈉、5.6克次磷酸鈉、3.6克氯化鋅，放入到1000ml水中混合溶解，配製成鍍鎳液；對鍍銅後的屏蔽布再進行預處理將滲透劑與水以重量份數比為0.5∶100混合成洗滌液，將屏蔽布放入洗滌液中清洗；將40克氯化亞錫及25ml濃度為37％的鹽酸放入到1000ml水中，混合為原液A；將3.7克硝酸銀和5ml氨水放入到20ml水中，混合成原液B；將0.01克氯化鈀放入到25ml水中，混合成原液C；將1ml濃度為37％的甲醛放入到25ml水中，混合成原液D；將3克次磷酸鈉放入到25ml水中，混合成原液E；將鍍銅後的屏蔽布依次放入到原液中A、B、C中浸泡3分鐘，進行敏化；將敏化後的屏蔽布，再依次放入到原液D、E中浸泡3分鐘，進行活化；將活化處理後的鍍銅屏蔽布放入到鍍鎳液中進行鍍鎳，鍍鎳液溫度為40℃～50℃，鍍銅屏蔽布在鍍鎳液中浸泡20分鐘後取出，製成雙化鍍屏蔽層；配製PVC粘合劑將PVC、DOP和800目金屬銅粉按照PVC∶DOP∶800目金屬銅粉＝100∶100∶50的重量份數比混合，攪拌後成為膠狀的PVC粘合劑；製作黑洞層取10mm厚、泡室腔直徑為2.5mm～3mm的發泡塑料基材，在其表面和泡室腔內壁上nm雷射濺射銅鎳合金，合金厚度為0.004～0.005mm，製成為黑洞層；2)粘結複合將膠狀吸波材料作為軟體屏蔽材料的第一層，刮附在作為軟體屏蔽材料第二層的丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層的上，吸波材料刮附在丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層上的厚度為0.6mm～1mm；在第二層丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層與第四層黑洞層之間、在第四層黑洞層與第六層丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層之間、在第六層丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層與第八層黑洞層之間、在第八層黑洞層與第十層雙化鍍屏蔽層之間，分別通過刮復PVC粘合劑的方法，將其粘結複合在一起，刮復PVC粘合劑厚度0.25mm～0.40mm，每次刮復PVC粘合劑，粘結複合後在250℃下烘乾。
全文摘要
本發明涉及一種屏蔽電磁脈衝的軟體複合材料，其特徵在於它的結構層由表層依次向裡包括第一層為吸波材料，第二、六層為丙烯酸樹脂絕緣屏蔽層，第三、五、七、九層為粘合劑層，第四、八層為黑洞層，第十層為雙化鍍屏蔽層；所述各結構層粘結複合成一整體。本發明可對核爆炸強電磁脈衝起到逐層的吸收、反射、絕緣、導流的作用，使核爆炸產生的10～20多萬伏/m
文檔編號G21F1/00GK1617266SQ20041007839
公開日2005年5月18日 申請日期2004年9月27日 優先權日2004年9月27日
發明者劉紹芝 申請人:劉紹芝