一種發光二極體的封裝結構和封裝方法
2023-09-21 16:42:30
專利名稱：一種發光二極體的封裝結構和封裝方法
技術領域：
本發明涉及發光二極體(LED,Light Emitting Diode)封裝技術領域,尤其是涉及一種面向高解析度顯示應用的LED封裝結構和封裝方法。
背景技術：
LED顯示屏幕的解析度指LED顯示屏幕像素的行列數。解析度是LED顯示屏幕的像素總量，它決定了一臺顯示屏的一次性顯示的信息容量。目前，隨著LED顯示屏幕解析度的提高，同一發光面積下燈的數量大幅上升，且燈與燈之間的距離也越來越小，這將導致燈與驅動晶片間的布線越發困難。現有的一種常用的LED封裝結構，首先把LED晶片(即紅綠藍RGB (RedGreen
Blue)三種發光二極體晶片)封裝在一元器件中，再把該元器件與電源相連通；驅動晶片(IC, Integrated Circuit)位於燈板背面,通過複雜的布線,將驅動IC與其相對應控制的LED晶片連接起來；另外根據需要可以通過在元器件與驅動IC間設置電阻，從而控制流經LED晶片的電流；有時為了增加可以布線的密度，傳統高解析度LED顯示屏幕的印刷電路板(PCB, PrintedCircuit Board)用上了更多層的PCB板,可以用一塊雙面作內層、兩塊單面作外層或兩塊雙面作內層、兩塊單面作外層的印刷線路板，通過定位系統及絕緣粘結材料交替在一起且導電圖形按設計要求進行互連的印刷線路板，即成為四層、六層印刷電路板，也稱為多層印刷線路板。多層PCB板的問題在於製作工藝複雜良率較差，且成本較高，而且隨著顯示密度的增高，PCB板在精度、層數等製造工藝要求也更加苛刻。
發明內容
本發明實施例提供了一種發光二極體的封裝結構和封裝方法，用於高解析度顯示應用時降低布線難度，同時降低了對PCB板層數和精度的要求。有鑑於此，本發明分別提供一種發光二極體的封裝結構，可包括封裝元器件、給所述封裝結構提供電能的供電模塊、地線和傳送數據信息的數據總線；其中，所述封裝元器件包括N個發光二極體晶片組和對所述N個發光二極體晶片組進行控制的驅動晶片，所述N個發光二極體晶片組與所述驅動晶片相連接，所述N為正整數。進一步地，所述發光二極體晶片組中包括R、G、B三種發光二極體晶片，所述R、G、B發光二極體晶片的陰極分別與驅動晶片相連接，陽極相連在一起，並與所述供電模塊相連。更進一步地，所述R發光二極體晶片的陰極與所述驅動晶片之間設置有用於控制流經R發光二極體晶片的電流的第一電阻，所述G發光二極體晶片的陰極與所述驅動晶片之間設置有用於控制流經G發光二極體晶片的電流的第二電阻，所述B發光二極體晶片的陰極與所述驅動晶片之間設置有用於控制流經B發光二極體晶片的電流的第三電阻。 進一步地，所述發光二極體晶片組中包括R、G、B三種發光二極體晶片，
所述R、G、B發光二極體晶片的陽極分別與驅動晶片相連接，陰極相連在一起，並與所述地線相連。更進一步地，所述供電模塊包括第一輸入電壓、第二輸入電壓和第三輸入電壓，所述第一輸入電壓為所述R發光二極體晶片供電，所述第二輸入電壓為所述G發光二極體晶片供電，所述第三輸入電壓為所述B發光二極體晶片供電。更進一步地，若所述封裝結構包括三個驅動晶片，則所述第一輸入電壓、第二輸入電壓和第三輸入電壓分別與所述三個驅動晶片對應相連，所述R、G、B發光二極體晶片的陽極分別與所述三個驅動晶片對應相連。本發明實施例還提供一種發光二極體的封裝方法,應用於如上所述的發光二極體的封裝結構，包括 將驅動晶片與由所述驅動晶片控制的N個發光二極體晶片組封裝在一封裝元器件中，所述N為正整數；利用導線將所述封裝元器件與供電模塊、數據總線和地線連接在一起。從以上技術方案可以看出，本發明實施例提供的發光二極體的封裝結構和封裝方法，將N個發光二極體晶片組與驅動晶片封裝在同一元器件內，兩者間的連接在封裝元器件內已完成，減少了傳統發光二極體晶片與驅動晶片間的連接導線，而且兩者位於同一平面，封裝元器件內部的導線連接更為簡單，從而在高解析度顯示應用時降低布線難度，並降低了對PCB板層數和精度的要求。
為了更清楚地說明本發明實施例的技術方案，下面將對實施例描述所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發明實施例提供的一種發光二極體的封裝結構示意圖；圖2為本發明實施例提供的發光二極體的另一封裝結構示意圖；圖3為本發明實施例提供的發光二極體的另一封裝結構示意圖；圖4為本發明實施例提供的發光二極體的另一封裝結構示意圖；圖5為本發明實施例提供的發光二極體的另一封裝結構示意圖；圖6為本發明實施例提供的發光二極體的另一封裝結構示意圖；圖7為本發明實施例提供的發光二極體的另一封裝結構示意圖；圖8為本發明實施例提供的發光二極體的另一封裝結構示意圖；圖9為本發明實施例提供的發光二極體的另一封裝結構示意圖；圖10為本發明實施例提供的發光二極體的封裝方法流程示意圖。
具體實施例方式本發明實施例提供了一種發光二極體的封裝結構和封裝方法，用於高解析度顯示應用時降低布線難度，同時降低了對PCB板層數和精度的要求。下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬於本發明保護的範圍。以下分別進行詳細說明。請參考圖1，圖1為本發明實施例提供的一種發光二極體的封裝結構示意圖；其中，所述封裝結構包括封裝元器件9、給所述封裝結構提供電能的供電模塊I (即電源)、地線4和傳送數據信息的數據總線3 ;其中，所述封裝元器件9包括N個發光二極體晶片組和對所述N個發光二極體晶片組進行控制的驅動晶片2，所述N個發光二極體晶片組與所述驅動晶片2相連接，所述N為正整數。進一步地，所述發光二極體晶片組中可以包括R、G、B三種發光二極體晶片；為方便理解，R、G、B三種發光二極體晶片在圖1中可以分別標註為5、6、7，以下對本發明提供的 封裝結構進行具體分析在本實施例第一方面，所述R、G、B發光二極體晶片(5、6、7)的陰極分別與驅動晶片2相連接，陽極相連在一起，並與所述供電模塊I (即電源)相連，即R、G、B三種發光二極體晶片(5、6、7)共陽極連接；在第一方面的第一種實施方式中，如圖1所示，所述N為1，即所述封裝結構包括一個發光二極體晶片組；其中，驅動晶片2和R、G、B三個發光二極體晶片(5、6、7)封裝在一起，形成封裝元器件9。即驅動晶片2控制3個發光二極體晶片，封裝元器件9通過導線與供電模塊I (即電源)、數據總線3和地線4連接在一起。在原來傳統LED封裝結構中，R、G、B發光二極體晶片需要通過3條導線與驅動晶片相連接，而且由於驅動晶片與R、G、B發光二極體晶片的位置不處在同一平面上，導線連接難度大；而本實施方式中，R、G、B發光二極體晶片(5、6、7)與驅動晶片2封裝在同一元器件內，兩者間的連接在封裝元器件9內已完成，減少了傳統發光二極體晶片與驅動晶片間的連接導線，而且兩者位於同一平面，封裝元器件9內部的導線連接更為簡單。可以理解的是，所述R發光二極體晶片5的陰極與所述驅動晶片2之間設置有用於控制流經R發光二極體晶片5的電流的第一電阻81，所述G發光二極體晶片6的陰極與所述驅動晶片2之間設置有用於控制流經G發光二極體晶片6的電流的第二電阻82，所述B發光二極體晶片7的陰極與所述驅動晶片2之間設置有用於控制流經B發光二極體晶片7的電流的第三電阻83 ;另容易想到的是，第一電阻81、第二電阻82和第三電阻83的具體阻值可以根據實際應用需要設置，也可以不設置，本實施例對此不作具體限定。在第一方面的第二種實施方式中，如圖2所示，圖2為本發明實施例提供的發光二極體的另一封裝結構示意圖，在該實施方式中，所述N為2，即所述封裝結構包括兩個發光二極體晶片組，驅動晶片2控制6個發光二極體晶片；在第一方面的第三種實施方式中，如圖3所示，圖3為本發明實施例提供的發光二極體的另一封裝結構示意圖，在該實施方式中，所述N為4，即所述封裝結構包括四個發光二極體晶片組，驅動晶片2控制12個發光二極體晶片，可以理解的是，所述第一方面的第二種實施方式和第一方面的第三種實施方式中，發光二極體的封裝結構及原理控制可根據第一方面第一種實施方式進行具體實現，此處不再具體闡述。
綜上第一方面的第一種實施方式、第二種實施方式和第三種實施方式所述，若N組發光二極體晶片組中的R、G、B三種發光二極體晶片共陽極連接，則驅動晶片2控制3*N個發光二極體晶片，在原來傳統發光二極體封裝結構中，R、G、B發光二極體晶片需要通過3*N條導線與驅動晶片相連接，而且由於驅動晶片與R、G、B發光二極體晶片的位置不處在同一平面上，導線連接難度大；而在本發明第一方面的實施方式中，R、G、B發光二極體晶片(即N組發光二極體晶片組)與驅動晶片2封裝在同一元器件內，兩者間的連接在封裝元器件9內已完成，減少了傳統發光二極體晶片與驅動晶片間的連接導線，而且兩者位於同一平面，封裝元器件9內部的導線連接更為簡單，從而在高解析度顯示應用時降低布線難度，並降低了對PCB板層數和精度的要求。另外，經過實踐可知，該發光二極體封裝結構在發光二極體晶片的共陽極連接實施方式下，優先選用於12及27個發光二極體晶片及以下數量的封裝技術改良。在本實施例第二方面，所述R、G、B發光二極體晶片(5、6、7)的陽極分別與驅動芯 片2相連接，陰極相連在一起，並與所述地線4相連，即R、G、B三種發光二極體晶片(5、6、7)共陰極連接；可以理解的是，在第二方面實施方式中，驅動晶片2可以採用具有特殊分壓功能驅動晶片，可以為發光二極體晶片組中的各個發光二極體晶片提供最優電壓，使得各個發光二極體晶片達到節能的目的。需要說明的是，一般工作情況下，R發光二極體晶片的最優電壓可以為2. 0至2. 8伏，G發光二極體晶片和B發光二極體晶片的最優電壓可以為3. 0至3. 5伏；另容易想到的是，不同品牌、型號的發光二極體晶片在不同的應用場景下，其具體的最優電壓會有所不相同，例如億光1010封裝晶片，其R發光二極體晶片最優電壓為2. 0伏，G發光二極體晶片和B發光二極體晶片最適電壓為3. 3伏，但並不能作為對本發明的限定。在第二方面的第一種實施方式中，如圖4所示，圖4為本發明實施例提供的發光二極體的另一封裝結構示意圖，所述N為1，即所述封裝結構包括一個發光二極體晶片組；其中，驅動晶片2和R、G、B三個發光二極體晶片(5、6、7)封裝在一起，形成封裝元器件9。即驅動晶片2控制3個發光二極體晶片，封裝元器件9通過導線與供電模塊I (即電源)、數據總線3和地線4連接在一起。在原來傳統發光二極體封裝結構中，R、G、B發光二極體晶片需要通過3條導線與驅動晶片相連接，而且由於驅動晶片與R、G、B發光二極體晶片的位置不處在同一平面上，導線連接難度大；而本實施方式中，R、G、B發光二極體晶片(5、6、7)與驅動晶片2封裝在同一元器件內，兩者間的連接在封裝元器件9內已完成，減少了傳統發光二極體晶片與驅動晶片間的連接導線，而且兩者位於同一平面，封裝元器件9內部的導線連接更為簡單；且同時可以採用具備分壓功能驅動晶片和發光二極體晶片共陰極連接的方式，為各發光二極體晶片提供最優電壓，讓該方案更加節能。在第二方面的第二種實施方式中，如圖5所示，圖5為本發明實施例提供的發光二極體的另一封裝結構示意圖，該實施方式中，所述N為2，即所述封裝結構包括兩個發光二極體晶片組，驅動晶片2控制6個發光二極體晶片；在第二方面的第三種實施方式中，如圖6所示，圖6為本發明實施例提供的發光二極體的另一封裝結構示意圖，該實施方式中，所述N為4，即所述封裝結構包括四個發光二極體晶片組，驅動晶片2控制12個發光二極體晶片，可以理解的是，所述第二方面的第二種實施方式和第二方面的第三種實施方式中，發光二極體的封裝結構及原理控制可根據第二方面第一種實施方式進行具體實現，此處不再具體闡述。綜上第二方面的第一種實施方式、第二種實施方式和第三種實施方式所述，若N組發光二極體晶片組中的R、G、B三種發光二極體晶片共陰極連接，則驅動晶片2控制3*N個發光二極體晶片，在原來傳統發光二極體封裝結構中，R、G、B發光二極體晶片需要通過3*N條導線與驅動晶片相連接，而且由於驅動晶片與R、G、B發光二極體晶片的位置不處在同一平面上，導線連接難度大；而在本發明第二方面的實施方式中，R、G、B發光二極體晶片(即N組發光二極體晶片組)與驅動晶片2封裝在同一元器件內，兩者間的連接在封裝元器件9內已完成，減少了傳統發光二極體晶片與驅動晶片間的連接導線，而且兩者位於同一平面，封裝元器件9內部的導線連接更為簡單，從而在高解析度顯示應用時降低布線難度，並降低了對PCB板層數和精度的要求；且同時可以採用具備分壓功能驅動晶片和發光二極體晶片共陰極連接的方式，為各發光二極體晶片提供最優電壓，讓該方案更加節能。另外，經過實踐可知，該發光二極體封裝結構在發光二極體晶片的共陰極連接實施方式下，優先選用於12及27個發光二極體晶片及以下數量的封裝技術改良。
在本實施例第三方面，所述R、G、B發光二極體晶片(5、6、7)的陽極分別與驅動晶片2相連接，陰極相連在一起，並與所述地線4相連，即R、G、B三種發光二極體晶片(5、6、7)共陰極連接；可以理解的是，在第三方面實施方式中，驅動晶片2為不具有特殊分壓功能驅動
-H-* I I
心片；在第三方面的第一種實施方式中，如圖7所示，為本發明實施例提供的發光二極體的另一封裝結構示意圖，所述N為1，即所述封裝結構包括一個發光二極體晶片組；其中，所述供電模塊I (即電源)包括第一輸入電壓Vk(即圖中標註10)、第二輸入電壓\(即圖中標註11)和第三輸入電壓Vb(即圖中標註12)，所述第一輸入電壓Vk為所述R發光二極體晶片5供電,所述第二輸入電壓為所述G發光二極體晶片6供電,所述第三輸入電壓VbS所述B發光二極體晶片7供電；其中，第一輸入電壓Vk是R發光二極體晶片5的最優電壓，第二輸入電壓Ve是G發光二極體晶片6的最優電壓,第三輸入電壓Vb是B發光二極體晶片7的最優電壓；需要說明的是，一般工作情況下，R發光二極體晶片的最優電壓可以為2. 0至2. 8伏，G發光二極體晶片和B發光二極體晶片的最優電壓可以為3. 0至3. 5伏；另容易想到的是，不同品牌、型號的發光二極體晶片在不同的應用場景下，其具體的最優電壓會有所不相同，例如億光1010封裝晶片，其R發光二極體晶片最優電壓為2. 0伏，G發光二極體晶片和B發光二極體晶片最適電壓為3. 3伏，但並不能作為對本發明的限定。如圖7所示，該實施方式下，發光二極體封裝結構包括三個驅動晶片2，則所述第一輸入電壓VK、第二輸入電壓Ve和第三輸入電壓Vb分別與所述三個驅動晶片2對應相連，所述R、G、B發光二極體晶片(5、6、7)的陽極分別與所述三個驅動晶片2對應相連。三個驅動晶片2和R、G、B三個發光二極體晶片(5、6、7)封裝在一起，形成封裝元器件9，且三個驅動晶片2各自控制與其相連的一個發光二極體晶片，封裝元器件9通過導線與供電模塊
I(即電源)、對應的三條數據總線3和地線4連接在一起。在原來傳統發光二極體封裝結構中，R、G、B發光二極體晶片需要通過3條導線與驅動晶片相連接，而且由於驅動晶片與R、G、B發光二極體晶片的位置不處在同一平面上，導線連接難度大；而本實施方式中，R、G、B發光二極體晶片(5、6、7)與驅動晶片2封裝在同一元器件內，兩者間的連接在封裝元器件9內已完成，減少了傳統發光二極體晶片與驅動晶片間的連接導線，而且兩者位於同一平面，封裝元器件9內部的導線連接更為簡單；且同時可以採用獨立輸入電壓和發光二極體晶片共陰極連接的方式，分別為各發光二極體晶片提供最優電壓，讓該方案更加節能。在第三方面的第二種實施方式中，如圖8所示，圖8為本發明實施例提供的發光二極體的另一封裝結構示意圖，該實施方式中，所述N為2，即所述封裝結構包括兩個發光二極體晶片組，三個驅動晶片2各自控制與其相連的兩個發光二極體晶片；在第三方面的第三種實施方式中，如圖9所示，圖9為本發明實施例提供的發光二極體的另一封裝結構示意圖，該實施方式中，所述N為4，即所述封裝結構包括四個發光二極體晶片組，三個驅動晶片 2各自控制與其相連的四個發光二極體晶片，可以理解的是，所述第三方面的第二種實施方式和第三方面的第三種實施方式中，發光二極體的封裝結構及原理控制可根據第三方面第一種實施方式進行具體實現，此處不再具體闡述。綜上第三方面的第一種實施方式、第二種實施方式和第三種實施方式所述，若N組發光二極體晶片組中的R、G、B三種發光二極體晶片共陰極連接，三個驅動晶片2各自控制與其相連的3*N個發光二極體晶片，在原來傳統發光二極體封裝結構中，N組發光二極體晶片組需要通過3*N條導線與驅動晶片相連接，而且由於驅動晶片與R、G、B發光二極體晶片的位置不處在同一平面上，導線連接難度大；而在本發明第三方面的實施方式中，R、G、B發光二極體晶片(即N組發光二極體晶片組)與驅動晶片2封裝在同一元器件內，兩者間的連接在封裝元器件9內已完成，減少了傳統發光二極體晶片與驅動晶片間的連接導線，而且兩者位於同一平面，封裝元器件9內部的導線連接更為簡單，從而在高解析度顯示應用時降低布線難度，並降低了對PCB板層數和精度的要求；且同時可以採用獨立輸入電壓和發光二極體晶片共陰極連接的方式，分別為各發光二極體晶片提供最優電壓，讓該方案更加節能。另外，經過實踐可知，該發光二極體封裝結構在發光二極體晶片的共陰極連接實施方式下，優先選用於12及27個發光二極體晶片及以下數量的封裝技術改良。為便於更好的實施本發明實施例提供的發光二極體的封裝結構，本發明實施例還提供一種基於上述發光二極體的封裝結構的發光二極體的封裝方法。其中名詞的含義與上述封裝結構中相同，具體實現細節可以參考封裝結構實施例中的說明。本發明實施例還提供一種發光二極體的封裝方法,應用於上述實施例所述的發光二極體的封裝結構，用於高解析度顯示應用時降低布線難度，同時降低了對PCB板層數和精度的要求。請參考圖10，圖10為該發光二極體的封裝方法的流程示意圖，該方法包括步驟101、將驅動晶片與由所述驅動晶片控制的N個發光二極體晶片組封裝在一封裝元器件中，所述N為正整數；步驟102、利用導線將所述封裝元器件與供電模塊、數據總線和地線連接在一起。其中，所述發光二極體晶片組中可以包括R、G、B三種發光二極體晶片；在某些實施方式中，所述R、G、B發光二極體晶片的陰極分別與驅動晶片相連接，陽極相連在一起，並與所述供電模塊相連，即R、G、B三種發光二極體晶片共陽極連接，可以在發光二極體晶片的陰極與所述驅動晶片之間設置有用於控制流經該發光二極體晶片的電流的電阻，電阻的具體阻值可以根據實際應用需要設置，也可以不設置，本實施例對此不作具體限定。在某些實施方式中，所述R、G、B發光二極體晶片的陽極分別與驅動晶片相連接，陰極相連在一起，並與所述地線相連，即R、G、B三種發光二極體晶片共陰極連接；其中，驅動晶片可以採用具有特殊分壓功能驅動晶片，可以為發光二極體晶片組中的各個發光二極體晶片提供最優電壓，使得各個發光二極體晶片達到節能的目的。在某些實施方式中，所述R、G、B發光二極體晶片的陽極分別與驅動晶片相連接，陰極相連在一起，並與所述地線相連，即R、G、B三種發光二極體晶片共陰極連接；其中，驅動晶片為不具有特殊分壓功能驅動晶片，供電模塊包括分別對應為R、G、B發光二極體晶片進行供電的三個輸入電壓，且所述三個輸入電壓可以為R、G、B發光二極體晶片的最優電壓，使得各個發光二極體晶片達到節能的目的。需要說明的是，一般工作情況下，R發光二極體晶片的最優電壓可以為2. 0至2. 8 伏，G發光二極體晶片和B發光二極體晶片的最優電壓可以為3. 0至3. 5伏；另容易想到的是，不同品牌、型號的發光二極體晶片在不同的應用場景下，其具體的最優電壓會有所不相同，例如億光1010封裝晶片，其R發光二極體晶片最優電壓為2. 0伏，G發光二極體晶片和B發光二極體晶片最適電壓為3. 3伏，但並不能作為對本發明的限定。本發明實施例提供的發光二極體的封裝方法，將N個發光二極體晶片組與驅動晶片封裝在同一元器件內，兩者間的連接在封裝元器件內已完成，減少了傳統發光二極體晶片與驅動晶片間的連接導線，而且兩者位於同一平面，封裝元器件內部的導線連接更為簡單，從而在高解析度顯示應用時降低布線難度，並降低了對PCB板層數和精度的要求；且同時可以採用共陰極連接的方式為各發光二極體晶片提供最優電壓，讓該方案更加節能。所屬領域的技術人員可以清楚地了解到，為描述的方便和簡潔，上述描述的封裝方法步驟中的具體工作過程和具體實施方式
，可以參考前述封裝結構實施例中的對應過程，在此不再贅述。本領域普通技術人員可以理解實現上述方法實施例的全部或部分步驟可以通過程序指令相關的硬體來完成，前述的程序可以存儲於一計算機可讀取存儲介質中，包括若干指令用以使得一臺計算機設備(可以是個人計算機，伺服器，或者網絡設備等)執行本發明各個實施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲介質包括U盤、移動硬碟、只讀存儲器(ROM, Read-OnlyMemory)、隨機存取存儲器(RAM, Random Access Memory)、磁碟或者光碟等各種可以存儲程序代碼的介質。以上對本發明所提供的一種發光二極體的封裝結構和封裝方法進行了詳細介紹，對於本領域的一般技術人員，依據本發明實施例的思想，在具體實施方式
及應用範圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內容不應理解為對本發明的限制。
權利要求
1.一種發光二極體的封裝結構，其特徵在於，包括封裝元器件、給所述封裝結構提供電能的供電模塊、地線和傳送數據信息的數據總線； 其中，所述封裝元器件包括N個發光二極體晶片組和對所述N個發光二極體晶片組進行控制的驅動晶片，所述N個發光二極體晶片組與所述驅動晶片相連接，所述N為正整數。
2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特徵在於，包括所述發光二極體晶片組中包括R、G、B三種發光二極體晶片，所述R、G、B發光二極體晶片的陰極分別與驅動晶片相連接，陽極相連在一起，並與所述供電模塊相連。
3.根據權利要求2所述的封裝結構，其特徵在於，包括所述R發光二極體晶片的陰極與所述驅動晶片之間設置有用於控制流經R發光二極體晶片的電流的第一電阻，所述G發光二極體晶片的陰極與所述驅動晶片之間設置有用於控制流經G發光二極體晶片的電流的第二電阻，所述B發光二極體晶片的陰極與所述驅動晶片之間設置有用於控制流經B發光二極體晶片的電流的第三電阻。
4.根據權利要求1所述的封裝結構，其特徵在於，包括所述發光二極體晶片組中包括R、G、B三種發光二極體晶片，所述R、G、B發光二極體晶片的陽極分別與驅動晶片相連接，陰極相連在一起，並與所述地線相連。
5.根據權利要求4所述的封裝結構，其特徵在於，包括所述供電模塊包括第一輸入電壓、第二輸入電壓和第三輸入電壓，所述第一輸入電壓為所述R發光二極體晶片供電，所述第二輸入電壓為所述G發光二極體晶片供電，所述第三輸入電壓為所述B發光二極體晶片供電。
6.根據權利要求5所述的封裝結構，其特徵在於，包括若所述封裝結構包括三個驅動晶片，則所述第一輸入電壓、第二輸入電壓和第三輸入電壓分別與所述三個驅動晶片對應相連，所述R、G、B發光二極體晶片的陽極分別與所述三個驅動晶片對應相連。
7.一種發光二極體的封裝方法，應用於權利要求1至6任一項所述的發光二極體的封裝結構，其特徵在於，包括將驅動晶片與由所述驅動晶片控制的N個發光二極體晶片組封裝在一封裝元器件中， 所述N為正整數；利用導線將所述封裝元器件與供電模塊、數據總線和地線連接在一起。
全文摘要
本發明實施例公開了一種發光二極體的封裝結構和封裝方法，用於高解析度顯示應用時降低布線難度，同時降低了對PCB板層數和精度的要求。本發明實施例包括封裝元器件、給封裝結構提供電能的供電模塊、地線和傳送數據信息的數據總線；其中，封裝元器件包括N個發光二極體晶片組和對N個發光二極體晶片組進行控制的驅動晶片，N個發光二極體晶片組與驅動晶片相連接，N為正整數。
文檔編號H01L25/16GK103000622SQ20121053318
公開日2013年3月27日 申請日期2012年12月11日 優先權日2012年12月11日
發明者彭曉林, 黃荇茜 申請人:廣東威創視訊科技股份有限公司