鍍鉻方法

2023-09-12 08:52:35 3

專利名稱：鍍鉻方法
技術領域：
本發明涉及一種混合使用3價鉻化合物和6價鉻化合物的鍍鉻方法。
背景技術：
目前，關於鉻鍍浴，已知有以鉻酸(6價鉻化合物)為主體的鍍浴、包含3價鉻化合物的鍍浴。其中，雖然通用以鉻酸為主體的鍍浴，但最近由於環境原因，開始使用包含3價鉻化合物的鍍浴。但是，現有的包含3價鉻化合物的鍍浴存在當其中混入6價鉻(Cr6+)時產生鍍敷不良這樣的問題。對此，也已知有並用3價鉻化合物和6價鉻化合物的鉻鍍浴(下面，將其稱為組合鉻鍍浴)(專利文獻I 4、非專利文獻I 8)。 但是，使用這種組合鉻鍍浴的鍍敷方法目前處於工業上基本未實施的狀況。這是因為在使用現有的組合鉻鍍浴的鍍鉻方法中，雖然在較初期的階段進行良好的鍍敷，但是在較短時間的使用後，會產生鍍敷不良，不能實現穩定的鍍鉻操作。現有技術文獻專利文獻專利文獻I:特公昭46-40761號公報專利文獻2:特開昭52-125427號公報專利文獻3:特開昭59-185794號公報專利文獻4:特開昭59-223143號公報專利文獻5:特開平3-260097號公報專利文獻6:特許第3188361號公報專利文獻7:特許第3810043號公報非專利文獻非專利文獻I:江口清一郎，「鉻酸-飽和二羧酸浴中的光亮鍍鉻的生成」(夕口Λ酸-飽和力 > 術 > 酸浴(二杉^光沢"D生成)，金屬表面技術，Vol. 19，No. 11，p.451-456，1968非專利文獻2:陣屋久、見崎吉成、田邊良美，「利用電沉積法的非晶質Cr及非晶質Cr 二元合金的製作」(電析法1二 J 3非晶質Cr杉上K非晶質Cr 二元合金O作製)，金屬表面技術，Vol. 32，No. 12，ρ· 631-636，1981非專利文獻3:江口清一郎、吉田徹，「由草酸浴得到光亮鍍鉻用的組成及條件」('>工々酸浴力4光沢夕口 得A Θ組成杉J t/條件)，金屬表面技術，Vol. 33，No. 6，ρ·272-277，1982非專利文獻4:江口清一郎、森河努、橫井昌幸，「草酸浴中的鍍鉻的浴電壓及遮蓋力，，C夕二々酸浴(二杉(少Q浴電圧杉J t/被覆力)，金屬表面技術，Vol. 35，No. 2，p.104-108，1984非專利文獻5:森河努、江口清一郎，「來自草酸浴的鍍鉻的硬度」( '> 工々酸浴力、夕口硬 $)，金屬表面技術，Vol. 37，No. 7，ρ· 341-345，1986非專利文獻6:森河努、橫井昌幸、江口清一郎、福本幸男，「來自硫酸鉻(III) 一羧酸鹽浴的Cr-C合金鍍膜的製作」(硫酸々口 ^ (III)-力 >酸塩浴分6 O Cr-C合金的。務皮膜 O 作製)，表面技術，Vol. 42，No. I, p. 95 — 99，1991非專利文獻7:森河努、橫井昌幸、江口清一郎、福本幸男，「來自硫酸鉻(III)-草酸銨浴的非晶質Cr-C合金鍍敷」(硫酸夕n A (III)- '> 二》酸r 二》Λ浴分Q非晶質 Cr-C 合金務)，表面技術，Vol. 42，No. I, p. 100-104，1991非專利文獻8:渡邊和夫，「裝飾3價鉻鍍敷技術」(裝飾3価夕技術)，表面技術，Vo I. 56，No. 6，p. 320-324，200
發明內容
發明所要解決的課題 本發明是改善上述狀況的發明，其目的在於提供一種可以使用上述組合鉻鍍浴，長期進行良好的鍍鉻，有利於工業操作的鍍鉻方法。用於解決課題的方法本發明人為了實現上述目的，進行了銳意研究，結果發現作為組合鉻鍍浴，使用以使3價鉻和6價鉻的合計鉻濃度為60 140g/L、6價鉻濃度為5 40g/L、並且6價鉻濃度的比例為合計鉻濃度的5 35質量％的比例的方式，含有3價鉻化合物和6價鉻化合物，且含有50 400g/L的有機羧酸根離子的酸性的鉻電鍍浴、優選進一步含有20 200g/L的硫酸根離子，pH為I. 8 2. 6的鉻電鍍浴，在得到良好的鍍膜方面是有利的。然而，在現有的組合鉻鍍浴中，作為陽極使用鉛、鉛合金、碳、鈦、塗布鉬的鈦等的不溶性陽極，但在使用這些陽極時，在陽極上產生氧，由於這些氧，3價鉻(Cr3+)容易地被氧化成為6價鉻(Cr6+)，鍍浴中的6價鉻濃度增大，在較短期間超過上述6價鉻濃度的限界，產生鍍敷不良。若更加詳細地敘述，作為鉛陽極的缺點，存在如下問題由於3價鉻離子氧化成6價鉻離子，所以需要將6價鉻離子還原，回到新液的濃度，在浴管理上需耗費時間，鉛或錫在鍍浴中溶解，其溶解離子對鍍敷帶來不良影響，產生環境上不希望的鉛渣等。另外，作為碳陽極的缺點，由於3價鉻離子氧化成6價鉻離子，因此需要將6價鉻離子還原，回到新液的濃度，同樣在浴管理上需耗費時間。而且，碳被氧化和被侵蝕，細小的固態物浮遊，附著到鍍敷物上，或必須濾除等，會給鍍敷管理帶來不便。進一步，作為Pt/Ti陽極的缺點，由於3價鉻離子氧化成6價鉻離子，所以需要將6價鉻離子還原，回到新液的濃度，在浴管理上耗費時間。而且價格昂貴，也存在Pt腐蝕損失的問題。因此，進行研究的結果發現作為陽極，在使用至少在表面上具有含氧化銥的膜的陽極的情況下，雖然同樣地在陽極產生氧，但3價鉻到6價鉻的氧化得到抑制。此外，一直以來已知有至少在表面上具有這樣的含氧化銥的膜的陽極，提出了對於以鉻酸為主體的鍍浴(專利文獻5:特開平3-260097號公報)和對於包含3價鉻化合物的鍍浴(專利文獻6，7 :特許第3188361號公報、特許第3810043號公報)，使用具有上述含氧化銥的膜的陽極。但是，作為上述組合鉻鍍浴中的陽極，並未實現使用具有這樣的含氧化銥的膜的陽極。如上所述，當對於組合鉻鍍浴使用具有含氧化銥的膜的陽極時，可抑制3價鉻向6價鉻的氧化，由此點發現，該陽極對組合鉻鍍浴有效，但是，繼續電解不久，意外地確認6價的鉻離子增多，出現超出上述6價鉻濃度範圍的情況。因此，關於這一點進一步進行研究的結果判明，與使用上述具有含氧化銥的膜的陽極無關，6價鉻濃度增大的原因並非由於該陽極自身，而是由鍍浴中的鉛離子濃度造成的。即，可以認為，有可能發生下述情況，在鍍浴中含有來自於鍍浴原料等的從外部混入的鉛離子，由於藥品補給等，鍍浴中的鉛離子濃度增加，當鉛離子超過2mg/L時，其在陽極被氧化，作為氧化鉛附著於陽極，該氧化鉛作為電極催化劑起作用，將3價鉻離子電解氧化成6價鉻尚子。因此，推測由此阻礙了發揮氧化銥本來的性能。因此，進一步繼續研究發現，如果鉛離子濃度在浴中為2mg/L以下，則實質上不存在鉛離子產生的上述不良影響，由此，能夠 將6價鉻濃度長期維持在上述最適合的濃度，能夠實現長期穩定的鍍鉻。因此，本發明提供以下鍍鉻方法。[I]、一種鍍鉻方法，其特徵在於，在酸性的鉻電鍍浴中浸潰被鍍敷物，使用至少在表面具有含氧化銥的膜的陽極作為陽極進行電解，其中，酸性的鉻電鍍浴以3價鉻和6價鉻的合計鉻濃度為60 140g/L、6價鉻濃度為5 40g/L、並且6價鉻濃度的比例為合計鉻濃度的5 35質量％的比例包含3價鉻化合物和6價鉻化合物，且包含50 400g/L的有機羧酸根離子，鉛離子濃度為2mg/L以下。[2]、如[I]所述的鍍鉻方法，其中，3價鉻化合物為有機羧酸鉻、或者硫酸鉻和有機羧酸鉻絡合物的混合物，該混合物中的有機羧酸鉻絡合物的比例以3價鉻濃度計為全部3價鉻濃度的50質量％以上。[3]、如[I]或[2]中所述的鍍鉻方法，其中，鉻鍍浴還含有20 200g/L的硫酸根離子，pH為I. 8 2. 6。[4]、如[I] [3]中任一項所述的鍍鉻方法，其中，鉻鍍浴不含有滷素。[5]、如[I] [4]中任一項所述的鍍鉻方法，其中，在被鍍敷物和陽極不通過隔膜相互隔離並浸潰於同一鍍槽內的鍍浴中的狀態下進行鍍敷。發明效果根據本發明，可長期穩定地得到良好的鉻鍍膜，鍍浴的管理也非常容易。
具體實施例方式在本發明的鍍鉻方法中使用的鉻鍍浴為以3價鉻化合物和6價鉻化合物為鉻源，還含有羧酸根離子，優選其中作為穩定劑或者導電鹽含有硫酸根離子的酸性的組合鉻鍍浴。在此，作為3價鉻化合物，優選使用有機羧酸的鉻絡合物。作為有機羧酸，使用草酸、檸檬酸、蟻酸、醋酸、丙二酸、琥珀酸、乳酸等，優選草酸、檸檬酸、蟻酸、醋酸，尤其優選使用草酸的鉻絡合物。另外，作為上述有機羧酸的鉻絡合物，如特願2008-294007中所記載的那樣，例如優選將鉻酸(CrO3)和上述有機羧酸在包含它們的水溶液中混合，通過上述有機羧酸將鉻酸還原，形成不包含6價鉻離子的上述有機羧酸的(3價的)鉻絡合物。另外，作為3價鉻化合物，也可使用3價的無機鉻鹽，尤其優選使用硫酸鉻，在3價鉻源僅為硫酸鉻等無機鉻鹽的情況下，在鍍敷時，由於通過水的電解分解產生氫，從而陰極界面成為強鹼性，硫酸鉻被水解，生成氫氧化鉻和鹼性硫酸鉻，有可能不能進行實用上耐用的鍍敷。另一方面，有機羧酸將3價鉻離子絡合，防止、緩衝了 3價鉻離子的水解，進一步，由於有機羧酸作為鍍浴PH的緩衝劑起作用，因此，在使用硫酸鉻等無機鉻鹽的情況下，優選並用有機羧酸的鉻絡合物。在此，優選全部3價鉻濃度為55 135g/L，特別優選為72 112g/L，另外，關於有機羧酸的鉻絡合物的比例，3價鉻金屬部分相對於全部3價鉻金屬部分以質量比計優選為O. 5 I，特別優選為O. 6 I，餘量為上述無機鉻鹽。該情況下，通過並用有機羧酸鉻絡合物和硫酸鉻作為3價鉻源，剛建浴後的鍍膜厚度與僅為有機羧酸鉻絡合物的情況相比，厚20%左右，因此，優選並用有機羧酸鉻絡合物和硫酸鉻，在這樣並用的情況下，優選有機羧酸鉻絡合物的3價鉻金屬部分與硫酸鉻的3價鉻金屬部分的比為5 :5 10 :0，特別優選為6 :4 10 :0 (質量比)。
另一方面，作為6價鉻化合物，可優選使用鉻酸(Cr03)、重鉻酸等或它們的鹽。關於6價鉻化合物的配合量，以6價鉻濃度計為5 40g/L，優選為7 20g/L，在該範圍可得到良好的鉻鍍膜。比6價鉻濃度的上述範圍少或多，都會產生鍍敷外觀不良和外觀不均勻。在此，全部鉻濃度(3價鉻濃度和6價鉻濃度的合計)為60 140g/L，優選為80 120g/L。在該範圍內可得到良好的鉻鍍膜，在上述範圍以外時，會產生鍍敷外觀不良和外觀不均勻。另外，該情況下，6價鉻濃度的比例為全鉻濃度的5 35質量％，優選為10 25
質量％。在該比例的範圍內，可實現良好的鍍鉻，但比上述範圍少或多都可能產生鍍敷外觀不良。本發明的鉻鍍浴含有50 400g/L、尤其是含有100 300g/L的有機羧酸根離子。作為有機羧酸源，可列舉出草酸、檸檬酸、蟻酸、醋酸、丙二酸、琥珀酸、乳酸等，尤其優選草酸、檸檬酸、蟻酸、醋酸根離子。上述有機羧酸根離子形成上述3價鉻的有機羧酸絡合物，當其量不足50g/L的情況下，有機羧酸的鉻絡合物不足，會產生鍍敷外觀不良和外觀不均勻。另一方面，超過400g/L的情況下，由於將3價鉻過多絡合，因此3價的鉻離子不易游離，產生鍍敷燒傷等外觀不良。另外，在鍍浴中，3價鉻離子被陽極氧化，生成6價鉻離子，在超過6價鉻濃度的合適範圍的情況下，通過添加上述有機羧酸，將6價鉻離子還原，能夠回到合適的範圍。優選在本發明的鉻鍍浴中，作為穩定劑或者導電鹽還含有硫酸根離子20 200g/L，尤其是含有30 150g/L。該情況下，作為硫酸根離子源，可列舉出硫酸鈉、硫酸鉀、硫酸銨、硫酸鎂等，優選硫酸鈉、硫酸銨，上述硫酸根離子濃度過少時，鍍敷電壓有可能上升，過多時，可能產生鍍膜厚度輕微降低的情況。在本發明的鉻鍍浴中，根據需要，還可以添加用於除去附著在鍍膜表面的氣泡的抗凹劑。另外，優選本發明的鉻鍍浴不含有作為雜質的滷素以外的滷素，不含有滷化物。當含有滷化物時，有可能發生以下問題產生的滷素氣體的臭氣強烈，不實用；產生鍍敷外觀不良；由於滷素氣體溶解而生成的化合物，產生鉻鍍層和鍍敷基材的腐蝕；產生由於滷素離子引起的鍍敷基材的腐蝕等。另外，本發明的鉻鍍浴需要基本上無鉛。在該情況下，作為鉛離子，可允許為2mg/L以下，但越少越好。即，如上所述，在鍍浴中雖然包含來自於鍍浴原料及從外部混入的鉛離子，但當其超過2mg/L時，在陽極被氧化，成為氧化鉛而附著於陽極，作為電極催化劑起作用，有可能將3價鉻離子電解氧化成6價鉻離子，使得不能發揮後述的含有氧化銥的陽極本來的性能。對此，通過使鉛離子為2mg/L以下，利用向金屬的置換反應或電解將鉛離子降低，能夠發揮含有氧化銥的電極的本來的性能(100 %為氧生成反應)。另外，作為這樣地將鉛離子抑制為2mg/L以下的方法，優選儘量地將來自於鍍浴原料的鉛離子排除，使用高純度的原料，或在該方法較困難的情況下，可採用公知的鉛除去法，例如使用離子交換樹脂或螯合樹脂除去鉛的方法、通過電解除去鉛的方法、將鐵、鎳、鈷、銅金屬等浸潰於鍍浴，通過置換析出而除去鉛的方法等。
優選本發明的鉻鍍浴為酸性，pH為I. 8 2. 6，特別優選為2. O 2. 3。另外，作 為PH調節劑，在提高pH的情況下，可使用氨或氫氧化物(NaOH、Κ0Η、氫氧化鉻等)，在降低PH的情況下，可使用硫酸。使用本發明的上述鉻鍍浴的鍍鉻方法雖然採用將被鍍敷物(陰極)和陽極浸潰在鉻鍍浴中，以所用的電流密度進行電解的通常的方法，但在本發明中，使用至少在表面具有含氧化銥的膜的陽極。該情況下，作為涉及的電極，優選使用在與鈦、鉭、鋯、鈮或者它們的合金等所用陽極的形狀對應的基板的表面上塗布氧化銥單獨膜、或者塗布混合有氧化銥和Ta、Si、Mo、Ti、Zr、W等的氧化物、其他的以提高氧化銥的抗腐蝕性為目的的氧化物的複合膜而形成的電極。該情況下，不使用氧化錫、氧化鉛等在6價鉻鍍浴中以3價鉻的陽極氧化為目的的物質。另外，在上述複合膜的情況下，從發揮氧化銥的性能的觀點看，優選氧化銥的含有量為20 95質量％，特別優選為30 90質量％。另外，優選上述氧化銥單獨膜或者含有氧化銥的複合膜的塗布量換算成銥金屬為O. 2 lg/dm2，特別優選為O. 2 O. 6g/dm2。這樣，通過使用含有氧化銥的陽極，可在陽極實現大致100%的氧生成，不會引起鍍浴成分的陽極氧化和陽極反應。這是因為，含有氧化銥的陽極由於氧生成過電壓低，因此會帶來如下效果氧生成的催化作用大，作為陽極反應，氧生成基本為100%、且在陽極基本不會發生3價鉻離子向6價鉻離子的氧化，在陽極也難以發生有機酸的氧化分解。另外，在鉛陽極、碳陽極、鍍鉬陽極上，氧生成、3價鉻離子的氧化、有機酸的氧化分解都會發生。在這些陽極上，3價鉻離子的陽極氧化與電解量成比例地發生。最終，3價鉻離子全部成為6價鉻離子。另外，通過使用上述含有氧化銥的陽極，能夠帶來如下效果6價鉻難以產生，有機酸的氧化分解難以進行，延長了鍍液的壽命(長期穩定)、鍍敷管理容易、在將氧化銥作為陽極使用時，基本沒有6價鉻的生成，保持在該組合浴中的6價鉻的合適範圍內，因為是6價和3價的組合鍍浴，所以6價鉻的濃度範圍也大，因此鍍敷管理容易。作為使用上述鉻鍍浴及含有氧化銥的陽極的鍍鉻的條件，優選鍍敷溫度為35 60°C，特別優選為40 50°C，優選陰極電流密度為5 15A/dm2，特別優選為6 12A/dm2。另外，作為鍍敷的種類，除掛鍍以外，還可以適用於有電流中斷的滾鍍。另外，陽極電流密度優選為3 20A/dm2，特別優選為5 14A/dm2。優選浴攪拌、浴過濾兼備防止浴溫偏差的鍍浴的緩慢攪拌並進行連續浴過濾。根據要求的鍍膜厚度選定鍍敷時間，加長鍍敷時間可以實現較厚附著。另外，陰極電流效率通常為5 20%。在本發明的鍍敷方法中，無需離子交換膜等隔膜。如果使用隔膜，在鍍敷操作和管理上就變得麻煩，因此在實用的鍍敷中不希望如此。通過使用含有氧化銥的陽極，抑制6價鉻的生成和有機酸的陽極分解，鍍浴管理變得容易，可以不使用隔膜。實施例下面，示出實施例及比較例，具體地說明本發明，但本發明並不限定於以下的實施例。實施例I調製下述鉻鍍浴。 (鉻鍍浴組成)
草酸鉻以Cr3+計為78g/L
疏酸銨120g/L
鉻酸20g/L
pH2.1上述鉻鍍浴中的3價鉻離子、6價鉻離子、草酸根離子、硫酸根離子如下所示。另夕卜，Pb部分為lmg/L。
3價鉻離子78g/L
6價鉻離子10g/L
草酸根離子248g/L (換算成草酸2水)
硫酸根離子87g/L作為陽極使用氧化銥複合陽極，該複合陽極是將氧化銥以換算成銥金屬為O. 5g/dm2的比例塗布在鈦板上而得到的，在塗布的氧化銥中混合有以金屬換算為30摩爾％的比例的氧化鉭，作為被鍍敷物(陰極)使用直至施加了電鍍鎳的樹脂鍍件，用安裝了鍍浴聚丙烯制過濾器件的過濾器，一邊過濾循環，一邊在陰極電流密度ΙΟΑ/dm2、陽極電流密度6A/dm2的條件下進行10分鐘的鍍鉻。其結果可得到具有良好的外觀，耐腐蝕性優異的鉻鍍膜。此外，其平均膜厚為O. 5 μ m0另外，關於陽極性能，進行電解至100AH/L，得到表I中所示的陽極電流效果的結果。該情況下，由於直至100AH/L的電解，6價鉻濃度上升，其電流效率為7%，草酸的陽極分解的效率為1%。剩餘部分為氧生成的效率，得到92%的氧生成電流效率。比較例I在實施例I中，取代氧化銥複合陽極，使用鉛陽極作為陽極，除此之外，與實施例I同樣地進行鍍鉻。得到的鉻鍍膜同樣地具有良好的外觀。與實施例I同樣操作進行陽極性能評價的結果示於表I中，6價鉻生成效率為40%，草酸分解效率為10%。氧生成效率為50%。與實施例I相比較，除6價鉻生成效率高以外，草酸的分解效率也大，為了降低6價鉻濃度需要較多的草酸，鍍液管理變得頻繁且
夢辦
系 7Τ< ο另外，即使代替鉛陽極而使用Pt-Ti陽極或碳陽極，也為大致相同的陽極電流效率。
實施例2在實施例2中，除使6價鉻為20g/L，Pb濃度為2mg/L以外，與實施例I同樣地進行鍍鉻。得到的鉻鍍膜與實施例I同樣地具有良好的外觀。實施例3除將實施例I的複合陽極替換為單體的氧化銥陽極以外，與實施例I同樣地進行鍍鉻。得到的鉻鍍膜的外觀良好。實施例4除代替實施例I的草酸鉻而使用檸檬酸鉻以外，與實施例I同樣地進行鍍鉻。得到的鉻鍍膜的外觀與實施例I同樣地良好。實施例5除在實施例I的鍍浴中以Cr3+濃度5g/L添加硫酸鉻以外，與實施例I同樣地進行鍍鉻。得到的鉻鍍膜的外觀與實施例I同樣地良好。另外，與實施例I相比較，鍍膜的平均膜厚為I. 2倍。比較例2除在實施例I中使Pb離子為10mg/L以外，與實施例I同樣地進行鍍鉻。得到的鍍膜可看到認為是來自於Pb離子的外觀不良。比較例3除在實施例I中使6價鉻為2g/L以外，與實施例I同樣地進行鍍鉻。6價鉻濃度為管理範圍下限以下，發生鍍敷不良。比較例4除在實施例I中使6價鉻為50g/L以外，與實施例I同樣地進行鍍鉻。6價鉻濃度為管理範圍上限以上，產生鍍敷不良。另外，將與實施例I同樣地評價上述實施例2 5、比較例2 4的陽極性能的結果不於表I中。表I陽極電流率比較
權利要求
1.一種鍍鉻方法，其特徵在於，在酸性的鉻電鍍浴中浸潰被鍍敷物，使用至少在表面具有含氧化銥的膜的陽極作為陽極進行電解，其中，所述酸性的鉻電鍍浴以3價鉻和6價鉻的合計鉻濃度為60 140g/L、6價鉻濃度為5 40g/L、且6價鉻濃度的比例為合計鉻濃度的5 35質量％的比例包含3價鉻化合物和6價鉻化合物，且包含50 400g/L的有機羧酸根離子，鉛離子濃度為2mg/L以下。
2.權利要求I所述的鍍鉻方法，其中，3價鉻化合物為有機羧酸鉻、或者硫酸鉻和有機羧酸鉻絡合物的混合物，該混合物中的有機羧酸鉻絡合物的比例以3價鉻濃度計為全部3價鉻濃度的50質量％以上。
3.權利要求I或2所述的鍍鉻方法，其中，鉻鍍浴進一步含有20 200g/L的硫酸根離子，pH 為 I. 8 2. 6。
4.權利要求I 3任一項所述的鍍鉻方法，其中，鉻鍍浴不含滷素。
5.權利要求I 4任一項所述的鍍鉻方法，其中，在被鍍敷物和陽極不通過隔膜相互隔離並浸潰於同一鍍槽內的鍍浴中的狀態下進行鍍敷。
全文摘要
本發明涉及一種鍍鉻方法，在酸性的鉻電鍍浴中浸漬被鍍敷物，使用至少在表面具有含氧化銥的膜的陽極作為陽極進行電解，其中，所述酸性的鉻電鍍浴以3價鉻和6價鉻的合計鉻濃度為60～140g/L、6價鉻濃度為5～40g/L、並且6價鉻濃度的比例為合計鉻濃度的5～35質量％的比例包含3價鉻化合物和6價鉻化合物，且包含50～400g/L的有機羧酸根離子，鉛離子濃度為2mg/L以下。根據本發明的方法，可長期穩定地得到良好的鉻鍍膜，鍍浴的管理也非常容易。
文檔編號C25D3/04GK102782192SQ201080064469
公開日2012年11月14日 申請日期2010年12月24日 優先權日2010年1月8日
發明者前田亮, 努魯艾迪拉, 川拜美, 村上透, 莫哈德穆魯希德 申請人:上村工業株式會社