具有用於自測試的片上噪聲源的射頻集成電路及其製造方法

2023-09-14 17:41:35

專利名稱：具有用於自測試的片上噪聲源的射頻集成電路及其製造方法
技術領域：
本發明涉及射頻集成電路，更具體而言，涉及用於對這樣的射頻集成 電路進行測試的4支術。
背景技術：
通常通過施加兩個不同電平(level)的輸入噪聲並測試輸出功率的改 變來測試無線電接收器集成電路(IC)的噪聲係數(NF)和插入增益，例 如，參見2006年10月12日的安捷倫公司應用報告57-l中的"Fundamentals of RF and Microwave Noise Figure Measurements" ， 2004年3月19日的 安捷倫乂^司應用淨艮告57-2中的"Noise Measurement Accuracy — The Y-Factor Method"，和2000年11月21日的安捷倫公司應用報告57-3中 的"10 Hints for Making Successful Noise Figure Measurements"，在此並 入其公開的內容作為參考。
通過噪聲源提供兩個不同電平的噪聲，該噪聲源通常由反向偏置為雪 崩擊穿的低電容二極體構成。然而，在毫米(mm)波頻率(約大於30千 兆赫或GHz)處，噪聲源很昂貴而且難以製造。此外，噪聲源通常具有難 以連接到要被測試的射頻集成電路(RFIC)的波導連接器。用於在測試中 與RFIC形成電接觸的晶片探針本身是昂貴和易碎的，而且它們需要精確 的機械操作以提供可重現的結果。
具有多個RF輸入的RFIC存在特定的問題，因為任何可用於將一個 噪聲源切換到多個RFIC輸入的任何開關都具有幹擾測試精度的插入損 耗，而對於將噪聲源切換到多個RFIC輸入的開關的需要同樣會使測試變 慢，這在製造環境中是非常不希望的。例如，用於4x4相控天線陣列的接 收器具有16個輸入，從成本的角度考慮，不允許提供16個噪聲源，而從測試時間和測試精度的角度考慮，將一個噪聲源切換到16個RFIC輸入是 不可接受的。因此，用於對微波頻率的RFIC進行製造測試的技術在mm 波頻率是不可接受的。
很多電子系統和IC都結合了自測試的特徵，例如，參見Roeder等人 的美國專利No. 6，834，991; Shrinkle的美國專利No.5，585，974; Darabi等 人的美國專利No. 7,233,772; Wu等人的美國專利No. 7，139，540; Moloudi 等人的美國專利No. 6,917,789; Ziperovich的美國專利No. 5,737,342; Rofougaran等人的美國專利No. 7，082，293; G. Evans等人在2005年IEEE 電子器件與固態電路^i義(EDSSC )第669-672頁發表的"On-Chip Built-in Self-Test of Video-Rate ADCs Using a 1.5V CMOS Gaussian Noise Generator" ; Tagawa等人的美國專利No. 4,772,945;和Hayashi等人的 美國專利No. 6,779,144，在此併入其公開的內容作為參考。
在上面引用的Shrinkle、 Ziperovich、 G. Evans等人的文獻中描述了 具有自測試或校準特徵並使用片上噪聲的IC， Shrinkle和Ziperovich描述 了用數字噪聲發生器測試的IC。這些數字噪聲發生器使用按偽隨機序列切 換的數字邏輯電路產生白高斯(Gaussian)噪聲。然而，這樣的數字噪聲 發生器對於測試RFIC的噪聲係數(figure)和插入增益是無用的，這是因 為噪聲發生器不能產生足夠高的匹配RFIC的輸入頻率的噪聲。G. Evans 等人使用噪聲互補金屬氧化物半導體(CMOS)運算放大器產生白噪聲， 因為噪聲頻率不夠高，因此這樣的噪聲源同樣不能用於測試RFIC的噪聲 係數和插入增益。
Roeder等人描述了用高頻RF噪聲源自測試的系統。然而，該系統和 噪聲源並未包含在RFIC上。在此併入其公開的內容作為參考的Seabaugh 的美國專利No. 5,554,860描述了使用共振隧穿電晶體的噪聲發生器。然而， 該噪聲源不能用於RFIC或系統的自測試，並且該噪聲源也未包含在RFIC 上。

發明內容
6聲源的射頻集成電路。
例如，在本發明的第一方面， 一種射頻集成電路包括位於所述射頻 集成電路上的至少一個噪聲源，所述噪聲源由數字輸入控制；以及射頻電 路，其位於所述射頻集成電路上並被耦合到所述噪聲源，其中所述射頻電 路的至少一個屬性(attribute)可通過所述數字輸入控制所述噪聲源來確 定。
所述噪聲源可以被集成在所述射頻電路中。例如，所述噪聲源可以是 所述射頻電路的低噪聲放大器的一部分。
可通過所述數字輸入控制所述噪聲源來確定的所述射頻電路的所述屬 性可以是噪聲係數值和/或插入增益值。在一個實施例中，控制所述噪聲源 以向所述射頻電路施加兩個不同電平的輸入噪聲和測量所述射頻電路的輸 出功率改變。
位於所述射頻集成電路上的所述射頻電路優選工作在約毫米波頻率的 範圍內。所述射頻集成電路可以操作為無線電接收器。
在本發明的第二方面， 一種射頻集成電路包括兩個或更多的噪聲源， 其位於所述射頻集成電路上，所述兩個或更多的噪聲源由兩個或更多的數 字輸入控制；以及射頻電路，其具有兩個或更多的射頻輸入，所述射頻電 路位於所述射頻集成電路上並被耦合到所述兩個或更多的噪聲源，其中所
的對應的射頻輸入相關聯，而且其中所述射頻電路的至少一個屬性可通過 由所述兩個或更多的數字輸入控制所述兩個或更多的噪聲源來確定。 所述射頻集成電路可以操作為相控陣或定向束系統的一部分。 在本發明的第三方面， 一種噪聲放大器包括噪聲源，用於產生多個 電平的噪聲，所述噪聲源包括以雪崩擊穿模式操作的雙極電晶體，所述噪 聲源由數字輸入控制；以瓦故大器，被耦合到所述噪聲源，用於放大所述 噪聲源產生的所述輸入噪聲。
所述雙極電晶體可以是矽鍺負正負雙極電晶體，其中所述雙極電晶體
7被偏置為集電極到發射極電壓大於基極開路時的集電極到發射極擊穿電 壓。而且，在另一實施例中，所述噪聲放大器電路還包括由另一數字輸入 控制的開關，所述開關用於選擇輸入阻抗值。
在本發明的第四方面中，一種製造射頻集成電路的方法包括以下步驟 在所述射頻集成電路上形成至少一個噪聲源，所述噪聲源由數字輸入控制 並根據矽製造工藝形成；以及在所述射頻集成電路上形成耦合到所述噪聲 源的射頻電路，其中所述射頻電路的至少一個屬性可通過所述數字輸入控 制所述噪聲源來確定。
本發明的這些和其它目的、特徵和優點將通過下列其示例性實施例的 詳細描述而變得顯而易見，可以結合附圖來閱讀下列描述。


圖1示出了根據本發明的實施例的在輸入低噪聲放大器中併入了片 上噪聲源的無線電接收器集成電路。
圖2A示出了根據本發明的實施例的併入了用於在進行片上測試時使 用的片上噪聲源的輸入低噪聲放大器的第一級。
圖2B示出了根據本發明的另一實施例的併入了用於在進行片上測試 時使用的片上噪聲源的輸入低噪聲放大器的第一級。
圖3示出了根據本發明的實施例的在輸入低噪聲放大器中併入了片 上噪聲源的具有多個射頻輸入的無線電接收器集成電路。
圖4A和圖4B示出了根據本發明的實施例的通過在雪崩擊穿(碰撞電 離)條件下操作的NPN SiGe雙極電晶體產生的噪聲電流。
圖5示出了根據本發明的實施例的例如在半導體設計、製造、和/或測 試中使用的示例性設計流程。
具體實施例方式
下面將以毫米(mm)波集成電路(IC)為背景解釋本發明。然而， 應該理解，本發明並不局限於特定類型的IC或晶片。相反，本發明通常可應用於其中希望通過將一個或多個片上噪聲源併入到IC例如IC的RF 前端來簡化RFIC的製造測試的任何射頻IC (RFIC)。本發明的技術對 於操作在mm波頻率下的RFIC特別有用，因為在mm波頻率，較常規的 製造測試方法是困難、耗時和高成本的。本技術同樣特別適用於希望在相 控陣或定向束系統中使用的RFIC，其可以具有許多RT輸入而且不能以 任4可其它方式測試。
根據本發明，在被測試的RFIC的每個RF輸入處的輸入電路(典型 地，低噪聲放大器或LNA)併入了在RFIC上的噪聲源，該噪聲源可用於 測試RFIC的NF和插入增益而不用形成到RFIC的RF輸入的任何電接 觸。在一個特定的實施例中，該噪聲源包括鍺矽(SiGe )負正負(NPN) 雙極電晶體，該雙極電晶體被偏置為集電極到發射極電壓(VCE)大於基 極開路時的器件的集電極到發射極的擊穿電壓(BVceo)。在這樣的條件 下，器件操作在雪崩擊穿模式，這與大多數的噪聲源二極體一樣。該操作 模式特別有利，這是因為在集電極-基極結處產生的噪聲被NPN電晶體的 電流增益放大，對於給定的電流水平和器件面積產生了大的噪聲輸出。典 型地在Si CMOS工藝中發現的使用PN結二極體的可選的實現是可能的。
圖1描述了根據本發明的實施例的在輸入LNA中併入了片上噪聲源 的無線電接收器IC的框圖。如所示，接收器100包括LNA 102、第一混 頻器104、中頻(IF)可變增益放大器106、第二混頻器108、基帶可變增 益》文大器110、自動增益控制(AGC) 112、和數字控制電路114。應該理 解，圖1不必示出無線電接收器IC包括的所有部件，而只需示出與理解 本發明的原理相關的主要部件。
在該特定的實施例中，將用於自測試目的的噪聲源併入到LNA 102。 IF混頻器/放大器組合(104/106 )與基帶混頻器/放大器組合(108/110 )以 常規方式操作。
AGC 112作為在接收器基帶輸出處的信號電平傳感器("AGC電平 傳感器")向數字控制電路114提供輸出信號電平信息。數字控制電路提 供數字輸出以外部地控制增益、帶寬、和接收器的調諧，以及控制LNA中的噪聲源的狀態。這樣的外部控制可以由外部源(系統或人)提供，並 未明確示出。通過測量接收器的輸出功率在噪聲源開啟或關斷時的改變，
可以響應外部數字控制信號測量接收器的噪聲係數(NF)和插入增益。外 部控制器或測試儀不需要提供或接收mm波RF或模擬信號。
圖2A為根據本發明的實施例的接收器100中的LNA 102的第一級 (200)的示意圖。在LNA內，由Q2、負反饋(degenerated)共發射極 放大器提供放大的第一級。負反饋電感由短長度的傳輸線TL4提供，而傳 輸線TL5提供負載電感。用於Q2的電源電壓標記為"VccA"並被選擇為 小於Q2的BVceo。在用於該RFIC的特定的SiGe BiCMOS技術中，用於 高性能NPN Q2的BVceo為1.75V，而VccA為1.35V。傳輸線TL1-TL3 包括輸入阻抗匹配網絡，其提供接近最優化的阻抗以最小化Q2的NF而 同時將RF輸入"RF—IN"匹配到50Q。通過Q1實現噪聲源；Ql的基極 端未連接。
這樣設置FET Pl、 P2、 N1和N2，以便當數字輸入"SW—IN"為邏 輯高電平時將負載電阻R1拉到標記為"VccN"的供電軌(supply rail)。 VccN為2.7V，'絲高於Ql的BVceo，由此Ql被偏置為具有受Rl限制 的電流的雪崩擊穿，而噪聲通過電容器C1耦合到Q2的輸入。另一方面， 當數字輸入"SW一IN"為邏輯低電平時，負載電阻R1拉向地而Ql關斷。 當噪聲源處於關斷狀態時，對電路的唯一影響是R1的分流電阻和Ql的分 流電容。Rl的電阻要選得足夠大，以不影響電路的輸入阻抗。Ql的面積 要選為最小化寄生電容，而此電容可以通過調整傳輸線TL3的長度調出。 假"i殳在圖2A中示出但在上面未明確描述的其它部件以常規方式操作。應 該理解，優選由數字控制114提供數字輸入"SWJN"。
包括在測試NF時在LNA的輸入處提供已知的輸入阻抗(典型地，50 Q)的電路是有利的，本發明的原理同樣可以實現這一點。該已知輸入阻 抗可由外部電,供，或通過將已知值的電阻經過電晶體開關從LNA的 RF輸入連接到地來提供。
圖2B示出了這樣的LNA電路的一個可能的實施例，該電路可在測試
10NF期間提供已知的輸入阻抗。應該理解，儘管圖2B的電路(250)包括 與圖2A的電路相同的部件(和功能)，但是圖2B包括可以由數字輸入 "LOAD—SW—IN"開啟的n溝道MOSFETN3。選擇開啟狀態的N3的電 導以提供(典型地)從LNA輸入到地的50Q阻抗。應該理解，優選由數 字控制114提供數字輸入"LOAD—SW—IN"。
應該理解，圖2A和圖2B不是本發明唯一可能的實現。包括可切換的 片上噪聲源的其它電路同樣會滿足要求。
圖3示出了可以如何容易地擴展本發明的原理以允許測試具有多個輸 入的RFIC。每個LNA中所需的用以實現噪聲源的附加電路非常小，使得 可以以最小的費用將該測試方法用於相控陣或定向束RFIC。
如所示，類似圖1中的接收器100，接收器300包括第一混頻器104、 中頻(IF)可變增益放大器106、第二混頻器108、基帶可變增益放大器 110、自動增益控制(AGC) 112、和數字控制電路114。然而，根據相控 陣配置，現在存在多個RF前端(0到n)，每個具有LNA 102、移相器 116、和RF可變增益放大器118。所有RF前端的輸出在加法器120中相 加，如所7>知的，將加法器輸出提供到接收器的IF級。移相器和RF放大 器才艮據數字控制114實現常規功能。應該理解，根據本發明的原理，每個 LNA包括用於在實施片上測試時使用的噪聲源。作為實例，每個LNA可 以包括圖2A或圖2B中所示電路中的一種。
公知雙極電晶體當操作在集電極-發射極雪崩擊穿模式時會產生過量
噪聲(即，噪聲超過由集電極電流散粒噪聲所單獨產生的噪聲)。圖4A 和4B示出了由操作在雪崩擊穿(碰撞電離)條件下的NPN SiGe雙極晶 體管產生的噪聲電流，其是圖l的電路中的情況。
圖4A示出了由作為偏置電流Ic和施加的集電極到基極電壓(VcB) 的函數的由電晶體產生的總噪聲電流。總噪聲的一部分歸因於正常集電極 電流誘導的散粒噪聲(其被計算為2qlc)，而總噪聲的另一部分歸因於雪 崩電流誘導的噪聲。
圖4B給出了經過重新計算以示出雪崩噪聲與散粒噪聲的比率的相同的測量數據。對於10毫安或mA的集電極偏置電流Ic (通過20微米(|J m )發射極寬度的器件)和1.5V的VCB，雪崩噪聲電流約為散粒噪聲電流 的3倍，對於噪聲功率而言，雪崩噪聲約比散粒噪聲高9.5分貝(dB)。 開啟狀態下的該高噪聲功率是非常有利的，因為其可以產生用於測量NF 和插入增益的兩種噪聲電平的高比率，由此得到更精確和可重複的測量。 同樣有利的是，因為對於給定的器件尺寸和偏置電流，增加的噪聲輸出允 許使用較小面積的器件，導致較小的不希望的寄生電容和電阻被增加到 LNA，所以增加噪聲源不會削弱LNA的性能。
有利地，如在此所描述的，本發明的原理提供了 RFIC的增益和噪聲 係數的製造測試，該製造測試不需要形成任何到RFIC的RF輸入的電接 觸。只需要接觸IC的數字控制和電源管腳。這是有利的，因為RF輸入需 要限定的阻抗、高頻率、低損耗的晶片探針，而數字和電源管腳僅僅需要 不昂貴的標準探針管腳。作為其它優點，本發明的原理引入了使用標準Si 製造工藝完全在RFIC上實現的用於製造測試或系統校準的噪聲源的概 念。而且，本發明的原理提供了使用操作在雪崩擊穿模式的標準雙極晶體 管作為噪聲源。
可將根據本發明的多個方面的電路實現為集成電路；因此，在此描述 的本發明的一個或多個方面或實施例的技術的至少一部分可以在集成電路 中實現。在形成集成電路時，典型地在半導體晶片的表面上以重複的圖形 製造多個相同的管芯。每個管芯可以包括在此描述的一個或多個電路，而 且可以包括其它結構或電路、或其它類型的單元。從晶片切下或切塊(dice ) 單獨的管芯，然後將管芯封裝為集成電路。本領域內的技術人員將了解如 何切塊晶片和封裝管芯以生產集成電路。如此製造的集成電路被認為是本 發明的一部分。
如上所述的電路可以是用於集成電路晶片的設計的一部分。例如，可 以通過圖形計算機程式語言產生晶片設計並將其存儲在計算機存儲介質 (例如光碟、磁帶、物理硬碟、或例如存儲訪問網絡中的虛擬硬碟)中。 如果設計者沒有製造晶片或用於製造晶片的光刻掩模，那麼設計者可以通過物理方式(例如，通過提供存儲設計的存儲介質的副本)或電子方式(例 如，通過網絡)將產生的設計直接或間接地傳送到這樣的實體。然後，可
以將存儲的設計轉換為適宜的格式例如圖形設計系統II (GDSII)以用於 製造光刻掩模，其包括要在晶片上形成的所述晶片設計的多個副本。利用 光刻掩模限定要被蝕刻或處理的晶片(和/或其上的層)的區域。
製造者可以以原材料晶片(即，作為具有多個未封裝的晶片的單個晶 片)、以棵管芯或以封裝的形式來分配產生的集成電路晶片。在後一種情 況中，晶片可以裝配在單個晶片封裝(例如，具有附著到主板或其它較高 級載體的引線的塑料栽體)中或多晶片封裝(例如，具有單面或雙面表面 互連或掩埋互連的陶瓷載體)中。在任何情況下，晶片可以隨後與其它芯 片、分立電路元件和/或其它信號處理器件集成，作為例如主板的中間產品 的一部分或最終產品。最終產品可以是包括集成電路晶片的任何產品。
圖5示出了在例如半導體設計、製造、和/或測試中使用的示例性設計 流程500的框圖。設計流程500可以依賴於設計的IC的類型而變化。例 如，用於構建專用IC (ASIC)的設計流程500可以與用於設計標準部件 的i殳計流程500不同。設計結構520優選為到設計處理510的輸入並可以 來自IC供應者、核開發者、或其它設計公司或者可以由設計流程的操作 者產生，或來自其它源。設計結構520包括原理圖或HDL、硬體描述語言 (例如，Verilog、 VHDL、 C等)形式的圖1-3中所示的本發明的實施例 中的至少一個。i殳計結構520可以,皮包含在一個或多個才幾器可讀的存儲介 質上。例如，設計結構520可以為圖1-3中所示的本發明的實施例中的至 少一個的文本文件或圖形表示。設計處理510優選將圖1-3中所示的本發 明的至少一個實施例優選地綜合(或翻譯)為網表580，網表580為例如 連線、電晶體、邏輯門、控制電路、I/O、模型等的列表，網表580描述了 到集成電路設計中的其它元件或電路的連接並被記錄在至少一個機器可讀 的存儲介質上。這可以是重複的處理，其中依賴於電路的設計規範和參數 網表580要被重新綜合一次或多次。
設計處理510包括4吏用各種輸入；例如，來自可以包羅常用的元件、電路、和器件並包括模型、版圖、和符號圖的庫單元530的輸入，用於給 定的製造技術、設計規範540、特徵數據550、驗證數據560、設計規則570、 和測試數據文件585 (其可以包括測試圖形和其它測試信息)。例如，設 計處理510還可以包括標準電路設計處理例如時序分析、發汪、設計規則 檢查、布局和布線操作等。集成電路設計領域內的一般技術人員應該理解， 可以擴展在設計處理510中使用的可能的電子設計自動化工具和應用而不 脫離本發明的範圍和精神。本發明的設計結構並不局限於任何特定的設計 流程。
設計處理510優選將圖1-3中所示的本發明的實施例中的至少一個連 同附加的集成電路設計或數據(如果可應用)轉化為第二設計結構590。 設計結構590以用於交換集成電路的版圖數據的數據格式和/或符號數據 格式位於存儲介質上(例如，以GDSII (GDS2) 、 GL1、 OASIS、映射 文件、或任何其它用於存儲這樣的設計結構的適合的格式所存儲的信息)。 設計結構590可以包括如下信息，例如，符號數據、映射文件、測試數據 文件、設計內容文件、製造數據、版圖參數、布線、金屬層、過孔、形狀、 用於通過製造線路定線的數據、和半導體製造商所需的任何其它數據，以 製造圖1-3中所示的本發明的實施例中的至少一個。然後，設計結構5卯 進入階段595，在其中，例如，對設計結構5卯進行流片(tape-out)， 將其用於製造、發布到掩模廠、發送到另一個設計廠、發送回用戶等等。
雖然在此結合附圖描述了本發明的示例性實施例，但是應該理解，本 發明並不局限於那些精確的實施例，而是在不脫離本發明的範圍和精神的 情況下，本領域內的技術人員可以進行各種其它改變和修改。
1權利要求
1.一種射頻集成電路，包括至少一個噪聲源，位於所述射頻集成電路上，所述噪聲源由數字輸入控制；以及射頻電路，位於所述射頻集成電路上並被耦合到所述噪聲源，其中所述射頻電路的至少一個屬性可通過所述數字輸入控制所述噪聲源來確定。
2. 根據權利要求1的射頻集成電路，其中所述噪聲源被集成在所述射 頻電路中。
3. 根據權利要求1的射頻集成電路，其中所述噪聲源為所述射頻電路 的低噪聲放大器的一部分。
4. 根據權利要求1的射頻集成電路，其中可通過所述數字輸入控制所 述噪聲源來確定的所述射頻電路的所述屬性為噪聲係數值。
5. 根據權利要求1的射頻集成電路，其中可通過所述數字輸入控制所 述噪聲源來確定的所述射頻電路的所述屬性為插入增益值。
6. 根據權利要求1的射頻集成電路，其中通過所述數字輸入控制所述 噪聲源以向所述射頻電路施加兩個不同電平的輸入噪聲和測量所述射頻電 路的輸出功率改變。
7. 根據權利要求1的射頻集成電路，其中位於所述射頻集成電路上的 所述射頻電,作在約毫米波頻率的範圍內。
8. 根據權利要求1的射頻集成電路，其中所述射頻集成電路操作為無 線電接收器。
9. 一種射頻集成電路，包括兩個或更多的噪聲源，位於所述射頻集成電路上，所述兩個或更多的 噪聲源由兩個或更多的數字輸入控制；以及射頻電路，具有兩個或更多的射頻輸入，所述射頻電路位於所述射頻 集成電路上並被耦合到所述兩個或更多的噪聲源，其中所述兩個或更多的 噪聲源中的對應的噪聲源與所述兩個或更多的射頻輸入中的對應的射頻輸入相關聯，而且其中所述射頻電路的至少一個屬性可通過所述兩個或更多 的數字輸入控制所述兩個或更多的噪聲源來確定。
10. 根據權利要求9的射頻集成電路，其中所述兩個或更多的噪聲源 被集成在所述射頻電路中。
11. 根據權利要求9的射頻集成電路，其中所述兩個或更多的噪聲源 分別為所述射頻電路的兩個或更多的低噪聲放大器的一部分。
12. 根據權利要求9的射頻集成電路，其中可通過所述兩個或更多的 數字輸入控制所述兩個或更多的噪聲源來確定的所述射頻電路的所述屬性 為噪聲係數值。
13. 根據權利要求9的射頻集成電路，其中可通過所述兩個或更多的 數字輸入控制所述兩個或更多的噪聲源來確定的所述射頻電路的所述屬性 為插入增益值。
14. 根據權利要求9的射頻集成電路，其中位於所述射頻集成電路上 的所述射頻電路操作在約毫米波頻率的範圍內。
15. 根據權利要求9的射頻集成電路，其中所述射頻集成電,作為 無線電接收器。
16. 根據權利要求9的射頻集成電路，其中所述射頻集成電路操作為 相控陣或定向束系統的一部分。
17. —種噪聲放大器電路，包括噪聲源，用於產生多個電平的輸入噪聲，所述噪聲源包括以雪崩擊穿 模式操作的雙極電晶體，所述噪聲源由數字輸入控制；以及放大器，被耦合到所述噪聲源，用於放大所述噪聲源產生的輸入噪聲。
18. 根據權利要求17的噪聲放大器電路，其中所述雙極電晶體包括被 偏置為集電極到發射極電壓大於基極開路時的集電極到發射極擊穿電壓的 矽鍺負正負雙極電晶體。
19. 根據權利要求17的噪聲放大器電路，還包括由另一數字輸入控制 的開關，所述開關用於選擇輸入阻抗值。
20. —種製造射頻集成電路的方法，包括以下步驟在所述射頻集成電路上形成至少一個噪聲源，所述噪聲源由數字輸入控制並根據矽製造工藝形成；以及在所述射頻集成電路上形成耦合到所述噪聲源的射頻電路，其中所述 射頻電路的至少 一個屬性可通過所述數字輸入控制所述噪聲源來確定。
全文摘要
本發明涉及具有用於自測試的片上噪聲源的射頻集成電路及其製造方法。具有用於在進行測試和/或校準時使用的片上噪聲源的射頻集成電路。例如，一種射頻集成電路包括至少一個噪聲源，其位於所述射頻集成電路上，所述噪聲源由數字輸入控制；以及射頻電路，其位於所述射頻集成電路上並被耦合到所述噪聲源，其中所述射頻電路的至少一個屬性可通過所述數字輸入控制所述噪聲源來確定。
文檔編號G01R31/28GK101493498SQ20091000130
公開日2009年7月29日 申請日期2009年1月4日 優先權日2008年1月25日
發明者B·A·厄納, B·A·弗洛伊德, D·R·格林伯格, R·M·馬拉迪, S·K·雷諾茲 申請人:國際商業機器公司