用於加工載體的方法和用於製作電荷儲存存儲基元的方法

2023-09-17 17:11:55 1

用於加工載體的方法和用於製作電荷儲存存儲基元的方法
【專利摘要】本發明涉及用於加工載體的方法和用於製作電荷儲存存儲基元的方法。一種根據各種實施例的用於加工載體的方法可包括：在載體上方形成結構，該結構包括至少兩個相鄰的結構元件，所述至少兩個相鄰的結構元件按照它們之間的第一距離布置；在該結構上方沉積分隔器層，其中分隔器層可被沉積為具有大於第一距離的一半的厚度，其中分隔器層可包括導電分隔器材料；去除分隔器層的一部分，其中分隔器層的分隔器材料可保留在所述至少兩個相鄰的結構元件之間的區域中；以及以電氣方式接觸剩餘分隔器材料。
【專利說明】用於加工載體的方法和用於製作電荷儲存存儲基元的方法
【技術領域】
[0001]各種實施例一般地涉及一種用於加工載體的方法、用於製作電荷儲存存儲基兀的方法、用於加工晶片的方法和用於以電氣方式接觸分隔器結構的方法。
【背景技術】
[0002]製作集成電路(也稱為1C、晶片或微晶片)通常包括多個過程。半導體加工的一項發展是集成電路的縮放以實現最小的實用的特徵尺寸。半導體工業的另一驅動因素是降低生產成本。降低成本的一種方法可直接與需要的過程的數量相關，其中通常希望僅使用儘可能少的數量的過程。由於可能因為未對準、有限的覆蓋準確性、產生於沉積過程和蝕刻過程的不均勻性而由各過程引入相對於最佳設計的配置的誤差或偏差，所以減小的數量的過程不僅可降低成本，它還可增加產量，增加總體過程的可再現性，使有缺陷的結構元件的數量最小化，並且可減少用於電子部件的生產的時間。
[0003]在這個方面，如果電氣接觸器的尺寸同樣是小的，則以電氣方式接觸小的結構元件(小意味著結構元件的橫向尺寸可處於平面加工的相應特徵尺寸的範圍中)可引起問題，並且所包括的圖案化過程的覆蓋準確性可變得相關。因此，對於結構元件的橫向尺寸並不顯著大於電氣接觸器自身的結構，結構元件的電氣接觸可能不可靠。根據這一點，通常包括產生較大接觸平臺區域的另外的過程，包括一個或多個沉積過程、光刻過程、蝕刻過程(等)，如上所述可能不希望這些過程，因為過程的數量可能增加。

【發明內容】

[0004]根據各種實施例的用於加工載體的方法可包括:在載體上方形成結構，該結構包括至少兩個相鄰的結構元件，所述至少兩個相鄰的結構元件按照它們之間的第一距離布置；在該結構上方沉積分隔器層，其中分隔器層可被沉積為具有大於第一距離的一半的厚度，其中分隔器層可包括導電分隔器材料；去除分隔器層的一部分，其中分隔器層的分隔器材料可保留在所述至少兩個相鄰的結構元件之間的區域中；以及以電氣方式接觸剩餘的分隔器材料。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0005]在附圖中，相同標號通常在不同示圖中始終表示相同部分。附圖未必按比例繪製，而是通常把重點放在表示本發明的原理上。在下面的描述中，參照下面的附圖描述本發明的各種實施例，其中:
圖1以根據各種實施例的流程圖顯示用於加工載體的方法；
圖2A示意性地顯示根據各種實施例的在初始加工階段的載體的橫截面；
圖2B示意性地顯示根據各種實施例的在第一加工階段的載體和形成在載體上方的對應結構的橫截面；
圖2C示意性地顯示根據各種實施例的在第二加工階段的載體和對應結構的橫截面，其中分隔器層形成在載體和對應結構上方；
圖2D示意性地顯示根據各種實施例的在第三加工階段的載體和對應結構的橫截面，其中分隔器層的一部分被去除；
圖2E示意性地顯示根據各種實施例的在第四加工階段的載體和對應結構的橫截面，其中以電氣方式接觸剩餘的分隔器；
圖2F示意性地顯示根據各種實施例的載體和對應結構的橫截面；
圖3A示意性地顯示根據各種實施例的在中間加工階段的載體和形成在載體上方的對應結構的橫截面；
圖3B示意性地顯示根據各種實施例的在中間加工階段的載體和形成在載體上方的對應結構的橫截面；
圖3C示意性地顯示根據各種實施例的在加工階段的載體和對應結構的橫截面，其中分隔器層形成在載體和對應結構上方；
圖3D示意性地顯示根據各種實施例的在加工階段的載體和對應結構的橫截面，其中分隔器層的一部分被去除；
圖3E示意性地顯示根據各種實施例的在加工階段的載體和對應結構的橫截面，其中以電氣方式接觸剩餘的分隔器; 圖4示意性地顯示根據各種實施例的載體和對應結構的俯視圖，其中分隔器材料保留在結構元件的側壁的兩個部分之間；
圖5示意性地顯示根據各種實施例的包括多個結構元件的載體的俯視圖，其中結構元件形成為U形並且分隔器材料分別保留在結構元件的側壁的至少兩個部分之間；
圖6示意性地顯示根據各種實施例的包括多個結構元件的載體的俯視圖，其中結構元件形成為U形並且分隔器材料分別保留在兩個相鄰的結構元件的兩個側壁之間；
圖7示意性地顯示根據各種實施例的包括多個結構元件的載體的俯視圖，其中結構元件形成為U形並且分隔器材料分別保留在結構元件的側壁的至少兩個部分之間並且也保留在結構元件和另外的虛擬結構元件之間，其中虛擬結構元件具有橢圓形形狀；
圖8示意性地顯示根據各種實施例的包括多個結構元件的載體的俯視圖，其中結構元件形成為U形並且分隔器材料分別保留在結構元件的側壁的至少兩個部分之間並且也保留在結構元件和另外的虛擬結構元件之間，其中虛擬結構元件具有矩形形狀。
【具體實施方式】
[0006]下面的詳細描述參照作為說明而顯示可實施本發明的特定細節和實施例的附圖。
[0007]詞語「示例性」在這裡用於表示「用作例子、實例或說明」。在這裡描述為「示例性」的任何實施例或設計不必解釋為優選或者優於其它實施例或設計。
[0008]針對形成在側面或表面「上方」的沉積的材料或者在載體「上方」沉積層使用的詞語「在…上方」可在這裡用於表示沉積的材料可「直接」形成在指示的側面、表面或載體「上方」，例如直接與指示的側面、表面或載體接觸。針對形成在側面或表面「上方」的沉積的材料或者在載體「上方」沉積層使用的詞語「在…上方」可在這裡用於表示沉積的材料可「間接」形成在指示的側面、表面或載體「上方」，一個或多個另外的層布置在指示的側面、表面或載體和沉積的材料之間。[0009]根據各種實施例，如這裡所述形成層(例如沉積層，例如沉積材料，例如分層過程)也可包括形成層，其中層可包括各種子層，其中不同子層可分別包括不同材料。換句話說，各種不同子層可被包括在層中，或者各種不同區域可被包括在沉積的層中或沉積的材料中。
[0010]由於可存在在半導體加工(例如，微晶片製作)中通常順序地使用的許多的個別過程，所以幾種基本製造技術可在總體過程中被使用至少一次。下面對基本技術的描述應該被理解為說明例子，這些技術可被包括在下面描述的過程中。這裡示例性地描述的基本方法可不必解釋為優選或者優於其它技術或方法，因為它們僅用於表示如何可實施本發明。為了簡潔起見，這裡示例性地描述的基本技術的說明僅是簡短概述，而不應該被視為詳盡說明。
[0011]根據各種實施例，下面的基本技術可被包括在用於加工載體的方法、用於製作電荷儲存存儲基元的方法、用於加工晶片的方法和用於以電氣方式接觸分隔器結構的方法中。
[0012]分層是半導體加工中的技術之一。根據各種實施例，在分層過程中，層(也稱為膜或薄膜)可使用沉積技術而被沉積在表面上方(例如載體上方，晶片上方，基底上方，另一層上方，等)，沉積技術可包括化學汽相沉積(CVD或CVD過程)和物理汽相沉積(PVD或PVD過程)。根據各種實施例，沉積的層的厚度可根據其特定功能而處於幾納米直至幾微米的範圍中。另外，根據各種實施例，根據層的各自特定功能，層可包括電絕緣材料、半導電材料和導電材料中的至少一種。根據各種實施例，作為例如鋁、鋁矽合金、鋁銅合金、鎳鉻合金(鎳、鉻和/或鐵的合金)、鎢、鈦、鑰或金(等)的導電材料可使用CVD或PVD而被沉積。根據各種實施例，作為例如矽、鍺的半導電材料、半導體複合材料(諸如，砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)或砷化銦鎵(InGaAs))可使用CVD而被沉積(例如，外延生長的矽或多晶體矽(也稱為多晶矽))。作為例如氧化矽或氮化矽(等)的絕緣材料可使用CVD或PVD而被沉積。根據各種實施例，可如下面所述使用這些過程的變型。
[0013]根據各種實施例，化學汽相沉積過程(CVD過程)可包括各種變型作為例如大氣壓CVD (APCVD)、低壓CVD (LPCVD)、超高真空CVD (UHVCVD)、等離子體增強CVD (PECVD)、高密度等離子體CVD(HDPCVD)、遠程等離子體增強CVD(RPECVD)、原子層CVD(ALCVD)、汽相外延(VPE)、金屬有機CVD(MOCVD)、混合物理CVD(HPCVD)等。根據各種實施例，多晶矽、二氧化矽、氮化矽等可使用LPCVD而被沉積，鑰、鉭、鈦、鎳、鎢等也可使用LPCVD而被沉積。
[0014]根據各種實施例，物理汽相沉積可包括各種變型作為例如磁控濺射、離子束濺射(IBS)、反應濺射、高功率脈衝磁控濺射(HIPMS)、真空蒸發、分子束外延(MBE)等。
[0015]根據各種實施例，分層過程也可包括熱氧化(也稱為熱氧化過程)。根據各種實施例，熱氧化可被用於例如在從大約800°C到大約1200°C的範圍中的溫度在矽表面上生長高質量氧化矽層(所謂的高溫氧化層(HTO))。可在大氣壓或在高壓並且作為進一步發展而作為快速熱氧化過程(RTO)執行熱氧化。根據各種實施例，熱氮化也可被用於例如使用快速熱氮化(例如，在高達大約130(TC的溫度)產生高質量氮化層或氮氧化層(例如，氮化矽層或氮氧化矽層)。
[0016]另外，根據各種實施例，可被用於產生薄金屬層的過程可以是鍍覆，例如電鍍或非電鍍。[0017]應該注意的是，根據各種實施例，可在分層過程內使用材料和過程的各種組合。根據各種實施例，根據特定方面，作為例如晶體質量、表面粗糙度、邊緣覆蓋行為、生長速度和產量，最合適的過程可被用於各材料。
[0018]根據各種實施例，一些過程可需要保形沉積的薄膜或保形沉積的材料的層(分隔器層)，這意味著膜或層可沿著與另一物體的分界面僅表現出小的厚度變化，例如，膜或層可沿著邊緣、階梯或分界面的形態的其它元件僅表現出小的厚度變化。根據各種實施例，分層過程(諸如，鍍覆或幾種CVD過程(例如，LPCVD))可適合於產生保形薄膜或保形沉積的材料的層。換句話說，保形沉積過程可表現出高邊緣覆蓋。
[0019]圖案化是半導體加工中的另一技術。根據各種實施例，圖案化過程可包括:去除表面層或材料的選擇的部分。在表面層可被部分地去除之後，圖案(或圖案化的層或圖案化的表面層)可保留在基礎結構上方(例如，圖案可保留在晶片上)。由於根據各種實施例可包括多個過程，所以存在執行圖案化過程的各種可能性，其中各方面可以是:例如使用至少一個光刻過程選擇將要被去除的表面層(或材料)的至少一部分；以及例如使用至少一個蝕刻過程去除表面層的選擇的部分。
[0020]根據各種實施例，可應用產生光刻掩模(所謂的光掩模)的各種光刻過程作為例如光刻法、微米光刻法或納米光刻法、電子束光刻法、X射線光刻法、遠紫外光刻法(EUV或EUVL)、幹涉光刻法等。根據各種實施例，光刻過程可包括初始清潔過程、準備過程、塗敷抗蝕劑(例如，光致抗蝕劑)、使抗蝕劑曝光(例如，使光致抗蝕劑暴露於光的圖案)、使抗蝕劑顯影(例如，使用化學光致抗蝕劑顯影劑使光致抗蝕劑顯影)中的至少一個。
[0021]根據各種實施例，可被包括在光刻過程中(或者可被包括在半導體加工中的一般過程中)的初始清潔過程或清潔過程可被用於通過例如溼法化學處理從表面(例如，從表面層、從載體、從晶片等)去除有機或無機汙染(或材料)。根據各種實施例，初始清潔過程或清潔過程可包括下面的過程中的至少一個:RCA (Radio Corporation of America)清潔(也稱為有機清潔(SCl)和離子清潔(SC2)) ;SCR0D (反覆使用臭氧水和稀釋的HF的單晶片旋轉清潔)；MEC晶片清潔；後化學機械拋光(後CMP)清潔過程；經去離子水(DIW)、食人魚蝕液和/或金屬蝕液的清潔；(等等)。根據各種實施例，清潔過程也可被用於從表面(例如，從表面層、從載體或從晶片等)去除薄氧化層(例如，薄氧化矽層)。
[0022]根據各種實施例，可被包括在光刻過程中的準備過程可被用於促進光致抗蝕劑粘合到表面(例如，粘合到表面層、粘合到載體或粘合到晶片等)。根據各種實施例，準備過程可包括塗敷液體或氣體粘合促進劑(例如，雙(三甲基矽基)胺(HMDS))。
[0023]根據各種實施例，可被包括在光刻過程中的抗蝕劑可被塗敷以均勻地覆蓋表面(例如，表面層、載體或晶片等)。根據各種實施例，塗敷抗蝕劑可包括旋轉塗覆以產生薄的均勻的抗蝕劑層。然後，根據各種實施例，抗蝕劑可被預烘烤以排除過多的抗蝕劑溶劑。根據各種實施例，可使用適應於使抗蝕劑曝光以實現所希望結果的過程的幾種類型的抗蝕劑(例如，光致抗蝕劑)。根據各種實施例，可使用正性光致抗蝕劑(例如，DNQ-Novolac、PMMA、PMIPK、PBS等)，由此已暴露於光的抗蝕劑變為可溶解於光致抗蝕劑顯影劑，和/或可使用負性光致抗蝕劑(例如，SU-8、聚異戊二烯、COP等)，由此已暴露於光的抗蝕劑變為不可溶解於光致抗蝕劑顯影劑。
[0024]根據各種實施例，可使可被包括在光刻過程中的抗蝕劑曝光(例如，使光致抗蝕劑暴露於光的圖案)以例如使用光或電子將所希望的圖案轉印到抗蝕劑，其中所希望的圖案可由圖案化的掩模(例如，具有圖案化的鉻層的玻璃載體)定義。根據各種實施例，可應用無掩模光刻法，其中精確的射束(例如，電子束或雷射束)可在不使用掩模的情況下被直接投射到包括抗蝕劑的表面上。根據各種實施例，暴露於光可在抗蝕劑中引起反應，該反應可允許:一些抗蝕劑可被特殊溶液(所謂的顯影劑，例如光致抗蝕劑顯影劑)去除。根據各種實施例，由於光學成像過程的解析度受到使用的波長的限制，所以使用的光的波長可處於從可見光的波長到紫外範圍中的較小波長的範圍中。根據各種實施例，可使用具有甚至比紫外光更短的波長的X射線或電子執行曝光。根據各種實施例，可使用將掩模多次投影到包括抗蝕劑的表面上以創建完整的曝光圖案的投影曝光系統(步進器或掃描器)。
[0025]根據各種實施例，可使抗蝕劑顯影(例如，使用光致抗蝕劑顯影劑使光致抗蝕劑顯影)以部分地去除抗蝕劑從而產生保留在表面上(例如，表面層上或載體上、晶片上等)的圖案化的抗蝕劑層，這可被包括在光刻過程中。根據各種實施例，使抗蝕劑顯影可包括在可執行實際的顯影過程之前的後曝光烘烤(熱處理，例如快速熱處理)。根據各種實施例，顯影過程可包括特殊化學溶液(所謂的顯影劑)作為例如氫氧化鈉或羥化四甲銨(TMAH，一種無金屬離子的顯影劑)。根據各種實施例，剩餘的圖案化的抗蝕劑可在硬烘烤過程(熱處理，例如快速熱處理)中凝固，實現用於作為例如離子注入、溼法化學蝕刻或等離子體蝕刻(等)的稍後過程的更耐用的保護層。
[0026]獨立於所描述的光刻過程，抗蝕劑可在所謂的抗蝕劑剝離過程中在所希望的加工階段(例如，在已執行蝕刻過程、離子注入過程和沉積過程中的至少一個之後)被完全去除。根據各種實施例，可按照化學方式和/或通過使用氧等離子體來去除抗蝕劑。
[0027]應該注意的是，根據各種實施例的包括塗敷抗蝕劑、使抗蝕劑曝光和使抗蝕劑顯影的光刻過程也可被視為圖案化過程，其中可通過光刻過程來產生圖案化的抗蝕劑層(軟掩模或抗蝕劑掩模)。另外，根據各種實施例，隨後使用蝕刻過程，圖案能夠被從圖案化的抗蝕劑層轉印到以前沉積或生長的層(或載體，等)，其中以前沉積或生長的層可包括硬掩模材料作為例如創建所謂的硬掩模的氧化物或氮化物(例如氧化矽，例如氮化矽)。
[0028]根據各種實施例，可被包括在圖案化過程中的蝕刻過程可被用於從以前沉積的層、生長的表面層、載體(或基底或晶片)等去除材料。根據各種實施例，可根據對這個過程的特定要求而執行蝕刻過程。根據各種實施例，蝕刻過程可針對特定材料是選擇性的或者非選擇性的。根據各種實施例，蝕刻過程可以是各向同性的或各向異性的，其中各向異性的蝕刻過程(例如，溼法蝕刻過程)可沿著特定材料的各結晶方向顯示出不同的蝕刻速度，或者其中各向異性的蝕刻過程(例如，幹法蝕刻過程)可對於具有特定幾何調準的表面顯示出不同的蝕刻速度。
[0029]根據各種實施例，可應用幹法蝕刻過程作為例如等離子體蝕刻、離子束銑削或反應離子蝕刻(RIE)。
[0030]等離子體蝕刻產生帶電離子、中性原子和/或原子團。在等離子體蝕刻過程期間，被蝕刻的材料的元素和由等離子體產生的反應核素之間的化學反應可產生易揮發的蝕刻產物(例如，蝕刻產物在室溫易揮發)。因此，根據各種實施例，根據使用的氣體等離子體蝕刻劑和涉及的材料，等離子體蝕刻過程可以是各向同性的並且可以是高度選擇性的、部分選擇性的或者非選擇性的。根據各種實施例，可使用比如cf4、sf6、nf3*ci2的等離子體蝕刻劑對矽進行蝕刻，並且可使用比如cf4、SF6, NF3的等離子體蝕刻劑對二氧化矽進行蝕刻，並且作為示例性的結果，等離子體蝕刻過程可對於矽是選擇性的(例如，使用Cl2作為等離子體蝕刻劑)，並且等離子體蝕刻過程可對於矽和二氧化矽是非選擇性的(例如，使用cf4、SF6, NF3作為等離子體蝕刻劑)。根據各種實施例，等離子體蝕刻過程可對於二氧化矽是選擇性的。根據各種實施例，等離子體蝕刻過程可對於矽是選擇性的。
[0031]根據各種實施例，可應用物理蝕刻過程(例如，離子束銑削或濺射蝕刻)，其中利用惰性氣體的高能離子(例如，氬離子)轟擊材料，其中通過傳遞的動量從被轟擊的材料去除原子。根據各種實施例，離子可近似地從一個方向接近材料，因此，離子束銑削可以是高度各向異性的，並且因為可能不存在化學反應，所以涉及的離子銑削常常是非選擇性的。
[0032]根據各種實施例，可應用反應離子蝕刻(RIE)過程。根據各種實施例，離子可按照化學方式與材料反應，但也能夠通過傳遞的動量(濺射)從材料的表面去除原子。根據離子體蝕刻劑和涉及的材料，RIE可被配置為針對特定材料是選擇性的或者非選擇性的。根據各種實施例，由於反應離子的通常的垂直傳送，反應離子蝕刻可被配置為各向異性的蝕刻過程。RIE系統中的蝕刻條件可取決於過程參數，比如壓力、氣流和射頻(RF)功率。另外，根據各種實施例，為了在材料中(例如，在晶片中、在基底中、在沉積或生長的層中等)創建深度滲透、陡側孔和溝槽，可應用深度反應離子蝕刻(DRIE)。深度反應離子蝕刻是各向異性的蝕刻過程，通常具有高的寬高比。根據各種實施例，可應用脈衝蝕刻(時間復用的蝕刻)。脈衝蝕刻是各向異性的蝕刻過程，它可被用於創建具有高的寬高比的結構元件。
[0033]應該注意的是，幹法蝕刻過程中的各向異性可產生於離子(或原子或分子)的各向異性的動量。因此，與溼法蝕刻過程相比，晶體結構可對使用幹法蝕刻過程獲得的蝕刻結構具有較小的影響。另外，與溼法蝕刻過程相比，以隨機取向的微晶為特徵的多晶材料(例如，多晶矽)也能夠被各向異性地蝕刻，創建具有高的寬高比(結構元件的寬度和高度之比)的結構，例如1:10或甚至更大，例如1:50或甚至更大。
[0034]根據各種實施例，圖案化的層也可用作用於其它過程(比如，蝕刻、離子注入或分層)的掩模(所謂的硬掩模)。另外，根據各種實施例，圖案化的光致抗蝕劑也可用作掩模(所謂的軟掩模)。根據各種實施例，軟掩模可被用於剝離過程。可通常針對作為例如化學穩定性的特定需要而選擇掩模材料以便例如執行不影響掩模材料的選擇性蝕刻過程(例如，將掩模材料完全蝕刻掉)，或者針對作為機械穩定性的特定需要而選擇掩模材料以便例如保護區域免於被離子滲透或在分層過程期間定義產生的結構元件的形狀，等等。
[0035]由於可在圖案化過程期間以其準確尺寸(特徵尺寸)產生所希望的形狀和結構元件，所以圖案化可以是關於特徵尺寸的減小的最關鍵的過程。在圖案化過程期間的誤差可能引起歪曲的圖案或錯放的圖案，因此可能改變裝置或集成電路的電氣運行。例如由於覆蓋誤差導致的各結構元件或結構元件的一部分的錯放可對結構元件的功能具有消極影響。因此，圖案化過程可定義關鍵特徵尺寸。根據各種實施例，可存在例如通過使用多次圖案化、多次曝光或使用分隔器結構使關鍵特徵尺寸最小化來減小特徵尺寸的幾種可能性。
[0036]根據各種實施例，摻雜過程可被用於通過添加摻雜物材料來改變材料的物理性質，其中關鍵方面可以是摻雜的材料的電子性質(例如，比導電率)。根據各種實施例，各種技術可被用於或適應於執行摻雜過程作為例如熱擴散和/或離子注入。可在半導體加工中執行的摻雜可用於在載體中(在晶片中，在基底中，在層中，等)產生電子豐富的區域(電子摻雜)或空穴豐富的區域(空穴摻雜)，其中電子和空穴可相應地有助於電荷傳輸。可通過注入具有比固態材料多的價電子的離子(例如，通過將磷或砷注入到矽中)來執行電子摻雜，並且可通過注入具有比固態材料少的價電子的離子(例如，通過將硼注入到矽中)來執行空穴摻雜。載體或基底(等等)中的摻雜的區域也可被稱為口袋。另外，電子摻雜的材料可被稱為η型(負型)，並且空穴摻雜的材料可被稱為P型(正型)。根據各種實施例，熱擴散和離子注入可被用於摻雜材料。
[0037]根據各種實施例，在熱擴散過程中，可提供摻雜物材料以擴散到材料中(例如，可在材料的表面上方或附近提供氣態摻雜材料)，其中根據各種實施例，材料可被加熱(例如，加熱至大約1000°c )以支持擴散過程。
[0038]根據各種實施例，在離子注入過程中，注入的離子的滲透深度和分布可取決於停止機制(離子與固態材料的相互作用)，並且可通過改變離子的動能而被改變。能夠改變的其它關鍵參數可以是劑量(或摻雜材料濃度)以及在注入過程期間固態材料的表面和離子的傳播方向之間的角度。根據各種實施例，在注入離子之後，可執行熱退火過程(例如，快速熱退火)以創建均勻摻雜區域和/或從離子損傷恢復晶體結構。
[0039]根據各種實施例，可例如結合圖案化過程在各種點包括熱處理，如例如在離子注入過程之後，在塗敷光致抗蝕劑以排除溶劑之後，或者在沉積電氣接觸器以將導電材料(例如，金屬)與載體(例如，晶片等)鑄合在一起或為CVD過程提供最佳沉積條件之後(等等)。根據各種實施例，可利用直接接觸(例如，熱板)或者通過輻射(例如，使用雷射或燈)來執行載體(晶片、基底等)的加熱。根據各種實施例，可應用快速熱處理(RTP)，可在真空條件下使用雷射加熱器或燈加熱器執行RTP，其中材料(例如，晶片、基底、載體等)可在短時間段內(例如，在幾秒(例如，大約I s到大約10 s)內)被加熱至幾百攝氏度或加熱至大約1000°C或甚至更高的溫度。快速熱處理的子集是快速熱退火(RTA)和快速熱氧化(RTA) ο
[0040]根據各種實施例，可應用接觸器金屬化過程。其中金屬化與布置在載體上(或基底上、晶片上等)的至少一個結構元件直接接觸的接觸器金屬化過程可實現需要的針對布置在載體上(或基底上、晶片上等)的結構元件的電氣連接(或互連)。根據各種實施例，接觸器金屬化過程可包括至少一個分層過程和/或至少一個圖案化過程。根據各種實施例，接觸器金屬化過程可包括:沉積一層介電材料(例如低k介電材料,例如無摻雜娃酸鹽玻璃等)，在所希望的位置形成接觸孔(例如，使用圖案化過程)，並且使用分層過程利用至少一種導電材料(例如，金屬(例如，鋁、銅、鎢、鈦、鑰、金等)、金屬材料(氮化鈦、矽化鉬、矽化鈦、矽化鎢、矽化鑰等)、導電矽(例如，導電多晶矽)和金屬合金(例如，鋁矽合金、鋁銅合金、鋁矽銅合金、鎳鉻合金、鈦鎢合金等)中的至少一種)填充這些孔。另外，根據各種實施例，接觸器金屬化過程(或金屬化過程)可包括:形成另外的層例如作為阻擋層(例如，包括鑰、矽化鉬、矽化鈦、矽化鎢、矽化鑰、硼化物等中的至少一種)或作為粘合促進劑(例如，包括矽化鉬、矽化鈦、矽化鎢、矽化鑰等中的至少一種)。另外，根據各種實施例，矽化物的形成可以自調準。
[0041]另外，根據各種實施例，在可提供接觸器金屬化之後，金屬化過程可被用於產生具有一個金屬層的單級金屬化或包括多個金屬層的多級金屬化。根據各種實施例，金屬化過程可包括至少一個分層過程並且可包括至少一個圖案化過程。根據各種實施例，金屬化過程或接觸器金屬化過程可包括:在已將導電材料沉積在軟掩模上方之後的剝離過程，其中軟掩模可被去除，由此沉積在軟掩模上方的導電材料也可被去除。
[0042]根據各種實施例，應用金屬化過程可還包括載體表面(晶片表面、基底表面等)的平面化和/或多級金屬化過程中所包括的中間層的平面化(例如，使用化學機械拋光)。
[0043]根據各種實施例，平面化過程可被用於例如減小表面粗糙度或減小包括具有不同高度的結構元件的載體或晶片表面的深度剖面的變化，因為一些過程可能需要平表面(平坦表面)(例如，高解析度光刻法)。根據各種實施例，當執行的分層過程和圖案化過程的數量增加時並且當可能需要平坦表面時，可能需要平面化過程。根據各種實施例，可執行化學機械拋光過程(CMP或CMP過程)，其中這個過程可針對載體(晶片、基底、表面層等)的表面上的特定材料是選擇性的。根據各種實施例，可執行化學機械拋光過程(CMP)，其中這個過程可針對載體(晶片、基底、表面層等)的表面上的特定材料是非選擇性的。根據各種實施例，平面化過程可被另外包括在幾個過程中(例如，被另外包括在分層過程中，被另外包括在圖案化過程中，等等)。
[0044]根據各種實施例，可形成分隔器結構，所謂的側壁分隔器或分隔器。通過使用至少一個保形沉積過程並且隨後使用至少一個各向異性的蝕刻過程，分隔器結構(這裡也稱為側壁分隔器或分隔器)可被形成在布置在載體上方(晶片上方、基底上方等)的至少一個結構元件的至少一個側壁上。根據各種實施例，各結構元件的側壁(側壁分隔器應該被形成在該側壁上)可至少近似垂直於載體(晶片、基底、表面層等)的表面。根據各種實施例，可通過在包括至少一個結構元件的至少一個側壁的結構元件的至少一部分上方沉積一層保形的分隔器材料來形成分隔器結構。結果，可在涉及的結構的所有表面形成具有相同厚度的一層分隔器材料，其中涉及的結構可以是載體的表面的至少一部分、至少一個結構元件的至少一個側壁和所述至少一個結構元件的上表面的至少一部分。然後，根據各種實施例，可執行各向異性的蝕刻過程，部分地去除分隔器材料。由於各向異性的蝕刻過程，位於至少近似平行於載體的表面調準的表面上的分隔器材料以及直接位於載體上的分隔器材料(更準確地講，直接位於不與結構元件相鄰的載體上的分隔器材料)可被完全去除，而分隔器材料可保留在所述至少一個結構元件的至少一個側壁上。保留在結構元件的側壁上的分隔器材料可被稱為側壁分隔器。
[0045]根據各種實施例，形成分隔器結構可包括下面的另外的過程中的至少一個:另外的分層過程、另外的圖案化過程、另外的清潔過程和另外的平面化過程。根據各種實施例，分隔器材料可以是導電的，並且可包括下面的一組材料中的至少一種材料:矽(例如導電矽，例如摻雜的多晶矽)、金屬(例如，鋁、銅、鎢、鈦、鑰、金等)、金屬材料(例如，氮化鈦)和金屬合金(例如，鋁矽合金、鋁銅合金、鎳鉻合金等)。
[0046]根據各種實施例，載體(例如,基底、晶片等)可由各種類型的半導體材料製成,包括娃、鍺、III到V組或其它類型，包括例如聚合物，但在另一實施例中，也能夠使用其它合適的材料。在實施例中，晶片基底由矽(摻雜的或無摻雜的)製成，在替代實施例中，晶片基底是絕緣體上矽(SOI)晶片。作為替代方案，任何其它合適的半導體材料能夠被用於晶片基底，例如半導體複合材料，諸如砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)，但也能夠使用任何合適的三元半導體複合材料或四元半導體複合材料,諸如砷化銦鎵(InGaAs)。
[0047]根據各種實施例，圖1以流程圖顯示用於加工載體的方法100，其中用於加工載體的方法可包括:在110中，在載體上方形成結構，其中該結構可包括至少兩個相鄰的結構元件，所述至少兩個相鄰的結構元件按照它們之間的第一距離布置；在120中，在該結構上方沉積分隔器層，其中分隔器層可被沉積為具有大於第一距離的一半的厚度，其中分隔器層可包括導電分隔器材料；在130中，去除分隔器層的一部分，其中分隔器層的分隔器材料可保留在所述至少兩個相鄰的結構元件之間的區域中；以及在140中，以電氣方式接觸剩餘的分隔器材料。
[0048]圖2A示意性地顯示根據各種實施例的在初始加工階段的載體202的橫截面。
[0049]如以上參照方法100所述，根據各種實施例，可在第一過程110中在載體202上方形成結構，其中該結構可包括至少兩個相鄰的結構元件，所述至少兩個相鄰的結構元件按照它們之間的第一距離布置。圖2B示意性地顯示根據各種實施例的在第一加工階段的載體202和對應結構204的橫截面，其中結構204可形成在載體202上方。如圖2B中所示，結構204可形成在載體202上方，結構204包括兩個相鄰的結構元件206、208，在所述兩個相鄰的結構元件206、208之間具有第一距離207。如圖2B中所示的結構204顯示第一側壁210、第二側壁212、第三側壁214和第四側壁216，其中由於對稱性，這些側壁可以是相同的。另外，結構204顯示第一表面218和第二表面220。可任意選擇第一側壁、第二側壁、第三側壁和第四側壁以及第一表面和第二表面的分配。
[0050]根據各種實施例，第一側壁214、第二側壁212、第三側壁214和第四側壁216可彼此平行，或者可相對於平行具有小的偏差，並且可被調準為垂直於載體202的表面，或者可相對於垂直於載體202的表面具有小的偏差。根據各種實施例，如圖2B中所示，所述兩個相鄰的結構元件206、208的橫截面可具有矩形形狀，或者可相對於處於矩形形狀具有小的偏差，由此結構元件206的第一表面218和結構元件208的第二表面220可平行於載體202的表面延伸，或者可相對於平行於載體202的表面具有小的偏差。如前所述的小的偏差可以是例如處於從零度到五度的角度範圍中的偏差(例如，1°到5°，例如0.1°到2°，或者處於類似範圍中)。根據各種實施例，結構元件的底部區域可具有圓形、矩形、方形、橢圓形或三角形或任何其它合適的形狀。根據各種實施例，參照結構元件的底部區域的形狀和橫截面的形狀，除了一些小的差異之外，結構元件可以是例如直稜柱、直圓柱體、直橢圓柱體或具有任意形狀的底部區域的直柱體。根據各種實施例，形成結構204的所有結構元件可具有相同的形狀。根據各種實施例，形成結構204的結構元件可具有各種形狀。根據各種實施例，至少一個選擇的結構元件可具有與其它結構元件不同的形狀。
[0051]根據各種實施例，可使用半導體加工中的上述技術中的一種或多種(如例如，分層和圖案化)形成結構元件。
[0052]如以上參照方法100所述，分隔器層可在過程120中被沉積在載體202上方，分隔器層具有大於第一距離207的一半的厚度，其中根據各種實施例，分隔器層可包括導電分隔器材料。圖2C示意性地顯示在第二加工階段的載體202和對應結構204的橫截面，其中形成分隔器層222。如圖2C中所示，分隔器層222可形成在(例如，沉積在)載體上方，覆蓋第一側壁210、第二側壁212、第三側壁214和第四側壁216以及結構元件206的第一表面218和結構元件208的第二表面220。根據各種實施例，由於分隔器層222的厚度224大於第一距離207的一半，所以具有第一距離207的結構元件206、208之間的區域可被利用分隔器材料完全填充，如圖2C中所示。[0053]根據各種實施例，如已經所述，分隔器層222可以是通過保形沉積過程(例如，LPCVD等)形成的保形沉積的層。根據各種實施例，分隔器層222可被形成為包括導電材料。另外，分隔器層222可被形成為包括下面的一組材料中的至少一種材料:矽(例如導電矽，例如導電多晶矽)、金屬(例如，鋁、銅、鎢、鈦、鑰、金等)、金屬材料(例如，氮化鈦)和金屬合金(例如，鋁矽合金、鋁銅合金、鎳鉻合金等)。
[0054]如以上參照方法100所述，根據各種實施例，可在第三過程130中去除分隔器層的一部分，其中分隔器層的分隔器材料可保留在所述至少兩個相鄰的結構元件之間的區域中。圖2D示意性地顯示在第三加工階段的載體202和對應結構204的橫截面，其中分隔器層222的一部分可被去除。根據各種實施例，如已經所述，可使用各向異性的蝕刻過程(例如，RIE)部分地去除分隔器層222。根據各種實施例，各向異性的蝕刻過程可針對分隔器材料是選擇性的以露出結構元件的至少一個表面，例如結構元件206的第一表面218和結構元件208的第二表面220，如圖2D中所示。另外，如圖2D中所述，在部分地去除分隔器材料之後，分隔器材料的一部分可保留在第一側壁210和第四側壁216，分別形成側壁分隔器226，並且剩餘分隔器228可保留在結構元件206和結構元件208之間。剩餘分隔器228的寬度與第一距離207相關，如圖2D中所示，而側壁分隔器226的寬度可以更小。
[0055]如以上參照方法100所述，可在第四過程140中以電氣方式接觸剩餘分隔器228。根據各種實施例，以電氣方式接觸剩餘分隔器228可包括接觸器金屬化過程。
[0056]圖2E示意性地顯示在第四加工階段的載體202和對應結構204的橫截面，其中可形成以電氣方式接觸剩餘分隔器228的電氣接觸器232。根據各種實施例，以電氣方式接觸剩餘分隔器228可包括:在剩餘分隔器228上方形成電氣接觸器232。根據各種實施例，形成電氣接觸器232可包括:在載體202和對應結構204上方沉積硬掩模材料(例如，氧化物或氮化物，例如氧化矽，例如氮化矽，例如無摻雜矽酸鹽玻璃)，並且隨後例如使用光刻過程(例如，包括塗敷抗蝕劑，使抗蝕劑曝光，並且使抗蝕劑顯影)和蝕刻過程(例如，選擇性蝕刻過程，例如RIE)對硬掩模材料進行圖案化以便隨後在沉積形成電氣接觸器232的導電材料並且對該導電材料進行圖案化之前提供圖案化的硬掩模材料層(硬掩模)，如圖2F中所示，其中層234可以是硬掩模(硬掩模材料層)。
[0057]根據各種實施例，形成電氣接觸器232可包括至少一個光刻過程(例如，包括塗敷抗蝕劑，使抗蝕劑曝光，並且使抗蝕劑顯影)以在沉積形成電氣接觸器232的導電材料並且對該導電材料進行圖案化之前提供圖案化的抗蝕劑層(抗蝕劑掩模或軟掩模)，如圖2F中示例性所示，其中層234可以是軟掩模。根據各種實施例，形成電氣接觸器232可包括:在已在軟掩模上方沉積導電材料之後的剝離過程(例如，去除軟掩模)。
[0058]根據各種實施例，形成電氣接觸器232可包括包含各種材料的多個層(例如用於提高導電材料和剩餘分隔器228之間的粘合的至少一個層，例如作為擴散阻擋層的至少一個層，等等)。另外，根據各種實施例，如圖2E中所示的電氣接觸器232可包括下面的一組材料中的至少一種材料:金屬(例如，鋁、銅、鎢、鈦、鑰、金等)、金屬材料(例如，氮化鈦、過渡金屬碳化物)、導電矽(例如，導電多晶矽)、金屬合金(例如，鋁矽合金、鋁銅合金、鎳鉻合金)、矽化物(矽化鈦、矽化鉬、矽化鎢、矽化鈷、矽化鎳)、碳化物等。另外，根據各種實施例，可使用CVD或PVD沉積電氣接觸器232的導電材料。
[0059]根據各種實施例，剩餘分隔器228以及側壁分隔器226可與結構元件206、208電氣隔離(例如通過另外的隔離層，例如通過另外的氧化物層，例如通過另外的氧化矽層)。另外，根據各種實施例，剩餘分隔器228以及側壁分隔器226可與載體202電氣隔離(例如通過另外的隔離層，例如通過另外的氧化物層，例如通過另外的氧化矽層)。
[0060]根據各種實施例，在下面顯示參照如圖1中所示並且在圖2A至圖2F和附圖中舉例說明的所描述的方法100的變型、擴展和細節。參照方法100，在各種實施例中，可在載體上方(例如，在載體202上方)形成結構，其中該結構(例如，如圖2B中所示的結構204)可包括至少兩個相鄰的結構元件(例如,如圖2B中所示的結構元件206和208)，所述至少兩個相鄰的結構元件按照它們之間的第一距離(例如，第一距離207)布置。根據各種實施例,所述至少兩個相鄰的結構元件(例如,如圖2B中所示的結構元件206和208)中的至少一個結構元件可形成層堆疊，其中層堆疊可以是場效應電晶體的一部分(例如，金屬-氧化物-半導體場效應電晶體的至少一部分)。換句話說，該結構(例如，如圖2B中所示的結構204)中所包括的至少一個結構元件可形成場效應電晶體的一部分(例如，MOSFET的一部分)。根據各種實施例，所述至少兩個相鄰的結構元件(例如，如圖2B中所示的結構元件206和208)中的至少一個結構元件可形成層堆疊，其中層堆疊可以是電荷儲存存儲基元的至少一部分(例如，包括電荷儲存層的場效應電晶體的至少一部分)。根據各種實施例，層堆疊可包括至少一個電氣隔離層和至少一個導電層。根據各種實施例，包括層堆疊的結構元件也被稱為電荷儲存存儲基元結構元件，其中層堆疊可以是電荷儲存存儲基元的至少一部分(例如，包括電荷儲存層的場效應電晶體的至少一部分)。
[0061]如圖3A中所示，至少一個結構元件(例如，結構元件206和208)可包括層堆疊，並且層堆疊可通過第一絕緣(電氣隔離)層302而與載體202電氣隔離。根據各種實施例，第一絕緣層302可使用例如載體202的熱氧化通過分層過程而被形成在載體202上方(例如，矽晶片的熱氧化導致矽晶片上方的氧化矽層)。根據各種實施例，第一絕緣層302可在分層過程中完全形成在載體202的表面上方或者形成在載體202的一部分上方。另外，根據各種實施例，形成第一絕緣層302的材料可包括下面的材料中的至少一種或者包括多個子層的子層堆疊中的每個子層具有下面的材料中的至少一種:電氣隔離物，如例如絕緣氧化物(例如，氧化矽或氧化鋁)、絕緣氮化物(例如，氮化矽)、絕緣氮氧化物(氮氧化矽、氮氧化鋁)等。根據各種實施例，層堆疊可以是電荷儲存存儲基元的一部分(例如，包括電荷儲存層的場效應電晶體的至少一部分)。根據各種實施例，如圖3A中所示，層堆疊可包括:形成在第一絕緣層302上方的電荷儲存層304 (例如，浮柵或電荷俘獲層)、形成在電荷儲存層304上方的第二絕緣層306、形成在第二絕緣層306上方的控制柵層308 (例如，控制柵)和完全覆蓋基礎結構的第三絕緣層310。
[0062]另外，根據各種實施例，可如上所述使用分層過程和可選的圖案化過程形成布置在第一絕緣層302上方的電荷儲存層304。根據各種實施例，例如通過在第一絕緣層302上方沉積一層摻雜的娃(例如，摻雜的多晶娃)，電荷儲存層304可被配置為浮柵層。根據替代實施例，例如通過在第一絕緣層302上方沉積氮化物層，電荷儲存層304可被配置為電荷俘獲層，該氮化物層可以是氧化物-氮化物-氧化物(ONO)層堆疊的一部分。根據各種實施例，電荷儲存層304可以是一層納米晶體材料，例如納米晶體矽。
[0063]根據各種實施例，可如前所述使用分層過程和可選的圖案化過程形成布置在電荷儲存層304上方的第二絕緣層306。另外，形成第二絕緣層306的材料可包括下面的一組材料中的至少一種材料或者包括多個子層的子層堆疊中的每個子層具有下面的一組材料中的至少一種材料:電氣隔離物，例如絕緣氧化物(例如，氧化矽或氧化鋁)、絕緣氮化物(例如，氮化矽)、絕緣氮氧化物(氮氧化矽、氮氧化鋁)等。
[0064]根據各種實施例，控制柵層308可隨後如前所述使用分層過程和可選的圖案化過程形成在第二絕緣層306上方。根據各種實施例，控制柵層308可包括導電材料(例如，摻雜的矽(例如，摻雜的多晶矽)等)。
[0065]另外，根據各種實施例，電荷儲存層304和控制柵層308以及第二絕緣層306可被覆蓋有形成第三絕緣層310的絕緣材料(例如，使用提供足夠高的邊緣覆蓋的分層過程(例如，ALD、LPCVD)和可選的圖案化過程)，導致層堆疊(例如,如圖3A中所示的結構元件206和208或者如圖3B中所示的結構元件208a)。另外，根據各種實施例，形成第三絕緣層310的材料可包括下面的材料中的至少一種:電氣隔離物，例如絕緣氧化物(例如，氧化矽或氧化鋁)、絕緣氮化物(例如，氮化矽)、絕緣氮氧化物(氮氧化矽、氮氧化鋁)等。
[0066]根據各種實施例，第三絕緣層310(例如，氧化物層)可用於使將在稍後形成的選擇結構(選擇柵、側壁分隔器)(參照圖3C)與層堆疊絕緣。根據各種實施例，第三絕緣層310也可至少部分地覆蓋基底202的與層堆疊相鄰的表面，或者可至少部分地覆蓋載體202，並且也相應地至少部分地覆蓋第一絕緣層302 (圖中未示出)。
[0067]根據各種實施例，形成電荷儲存層304、控制柵層308和絕緣層302、306、310並且因此也形成層堆疊可非限制性地包括圖案化過程和分層過程。根據各種實施例，層堆疊可使用至少一個分層過程而被形成在載體202的區域上方，並且可隨後被圖案化，產生如例如圖2B和圖3A中所示的結構元件。
[0068]根據各種實施例,第一絕緣層302可例如具有處於從大約5 nm到大約15 nm的範圍中的厚度，例如處於從大約7 nm到大約13 nm的範圍中的厚度，在一個實施例中，例如大約 10 nm。
[0069]根據各種實施例，電荷儲存層304可例如具有處於從大約50 nm到大約150 nm的範圍中的厚度，例如處於從大約75 nm到大約125 nm的範圍中的厚度，例如大約80 nm。
[0070]根據各種實施例，第二絕緣層306可例如具有處於從大約10 nm到大約20 nm的範圍中的厚度，例如從大約12 nm到大約18 nm,例如大約14 nm。
[0071]根據各種實施例,控制柵層308可例如具有處於從大約50 nm到大約150 nm的範圍中的厚度，例如從大約75 nm到大約125 nm,例如大約100 nm。
[0072]根據各種實施例,第三絕緣層310可例如具有處於從大約15 nm到大約25 nm的範圍中的厚度，例如處於從大約17 nm到大約21 nm的範圍中的厚度，在一個實施例中，例如大約19 nm。
[0073]根據各種實施例，可由矽(例如，導電多晶矽)層提供電荷儲存層304(浮柵層)和控制柵層308，這導致所謂的雙多晶矽堆疊。
[0074]根據各種實施例，至少一個結構元件可以是不具有電氣功能的虛擬結構，如圖3B中示例性所示，其中結構元件206a可用作虛擬結構並且結構元件208a可提供具有電氣功能的集成電路的一部分(例如，結構元件208a可提供電晶體的至少一部分或者提供電荷儲存存儲基元的至少一部分)。根據這一點，虛擬結構(例如，結構元件206a)的結構或設計可以是任意的，因為虛擬結構可不具有電氣功能，但根據各種實施例，關鍵的先決條件可以是:虛擬結構元件和相應的相鄰結構元件可在這些結構元件的對應相鄰側壁之間(例如，在虛擬結構元件206a的側壁212和結構元件208a的側壁214之間，如圖3B中所示)具有第一距離207。
[0075]應該注意的是，根據各種實施例，可用作虛擬結構的結構元件(例如，結構元件206a)可與具有電氣功能的結構元件(例如，結構元件208a)相同。
[0076]參照方法100，在各種實施例中，在已在載體上方形成結構(例如，如圖3A或圖3B中所示的結構204)之後，其中該結構可包括至少兩個相鄰的結構元件，所述至少兩個相鄰的結構元件按照它們之間的第一距離207布置，其中至少一個結構元件可形成層堆疊(例如，208a)，其中層堆疊可以是電荷儲存存儲基元的至少一部分，分隔器層可被沉積在該結構上方，其中分隔器層可被沉積為具有大於第一距離207的一半的厚度。如圖3C中所示，分隔器層312可被形成在結構元件206a和208a上方，其中至少一個結構元件可包括層堆疊(例如，雙多晶矽堆疊)。根據各種實施例，如已經所述，可使用至少一個分層過程形成分隔器層312。根據各種實施例，如已經所述，可使用至少一個分層過程和至少一個圖案化過程形成分隔器層312。另外，根據各種實施例，分隔器層312可包括包含下面的材料中的至少一種材料的至少一種導電分隔器材料:娃(導電娃(例如，摻雜的多晶娃))、金屬(例如，鋁、銅、鎢、鈦、鑰、金等)、金屬材料(例如，氮化鈦)和金屬合金(例如，鋁矽合金、鋁銅合金、鎳鉻合金)。
[0077]參照方法100，在各種實施例中，在已在載體上方形成結構(例如，如圖3A或圖3B中所示的結構204)之後，其中該結構可包括至少兩個相鄰的結構元件，所述至少兩個相鄰的結構元件按照它們之間的第一距離207布置，其中至少一個結構元件可形成層堆疊(例如，208a)，其中層堆疊可以是電荷儲存存儲基元的至少一部分，並且在已在該結構上方形成分隔器層312之後，其中分隔器層可具有大於第一距離207的一半的厚度，分隔器層312的一部分可被去除，其中分隔器層312的分隔器材料可保留在所述至少兩個相鄰的結構元件之間(例如，206a和208a之間)的區域中。根據各種實施例，如已經所述，可使用各向異性的蝕刻過程(例如，RIE等)部分地去除分隔器層312。根據各種實施例，各向異性的蝕刻過程可針對分隔器材料是選擇性的。根據各種實施例，可執行蝕刻過程，露出至少一個結構元件的表面，例如結構元件206a的第一表面218和/或結構元件208a的第二表面220，如圖3D中所示。另外，根據各種實施例，如圖3D中所述，在已部分地去除分隔器層312之後，分隔器材料可保留在第一側壁210和第四側壁216，分別形成側壁分隔器314，並且剩餘分隔器316可保留在結構元件206a和結構元件208a之間。剩餘分隔器316的寬度與第一距離207相關，如圖3D中所示，而側壁分隔器314的寬度可以顯著更小。根據各種實施例，與虛擬結構(例如，如圖3D中所示的結構元件206a)接觸的側壁分隔器可不具有與集成電路相關的電氣功能，而與結構元件(例如，如圖3D中所示的結構元件208a)接觸的側壁分隔器可具有與集成電路相關的電氣功能。根據各種實施例，與具有電氣功能的結構元件(例如，如圖3D中所示的結構元件208a)接觸的側壁分隔器可被配置為用於具有電氣功能的結構元件的選擇柵，例如電荷儲存存儲基元中所包括的選擇柵或場效應電晶體中所包括的選擇柵。
[0078]根據各種實施例，具有第一距離207的所述至少兩個相鄰的結構元件之間的剩餘分隔器(例如，如圖3D中所示的結構元件206a和結構元件208a之間的剩餘分隔器316)可提供用於至少一個結構元件(例如，結構元件208a)的控制線。根據各種實施例，如果結構元件(例如，結構元件208a)是場效應電晶體的至少一部分，則具有第一距離207的所述至少兩個相鄰的結構元件之間的剩餘分隔器(例如，如圖3D中所示的結構元件206a和結構元件208a之間的剩餘分隔器316)可提供用於至少一個場效應電晶體的控制線。根據各種實施例，如果結構元件(例如，結構元件208a)是場效應電晶體的至少一部分(其中場效應電晶體的至少一部分可包括電荷儲存層，例如電荷儲存層314)，則具有第一距離207的所述至少兩個相鄰的結構元件之間的剩餘分隔器(例如，如圖3D中所示的結構元件206a和結構元件208a之間的剩餘分隔器316)可提供用於包括電荷儲存層的至少一個場效應電晶體(例如，包括浮柵或電荷俘獲層的場效應電晶體)的控制線。根據各種實施例，用於場效應電晶體的控制線(其中場效應電晶體可包括電荷儲存層)可被配置為用於對場效應電晶體進行尋址的字線，其中剩餘分隔器(例如，結構元件206a和結構元件208a之間的剩餘分隔器316)可被配置為用於至少一個場效應電晶體的選擇柵。根據各種實施例，選擇柵也可被配置為擦除柵。
[0079]參照方法100，在各種實施例中，在已在載體上方形成結構(例如，如圖3A或圖3B中所示的結構204)之後，其中該結構可包括至少兩個相鄰的結構元件(例如，如圖3A或圖3B中所示的結構元件206和208或者206a和208a)，所述至少兩個相鄰的結構元件按照它們之間的第一距離(例如，第一距離207)布置，其中至少一個結構元件可形成層堆疊(例如，如圖3A或圖3B中所示的結構元件206、208、208a)，其中層堆疊可以是電荷儲存存儲基元的至少一部分，並且在已在該結構上方形成分隔器層(例如，如圖3A或圖3B中所示的分隔器層312)之後，其中分隔器層可具有大於第一距離的一半的厚度，並且在已去除分隔器層的一部分之後，其中分隔器層的分隔器材料可保留在所述至少兩個相鄰的結構元件之間的區域中，可按照電氣方式接觸剩餘分隔器材料。根據各種實施例，可如前所述使用接觸器金屬化過程以電氣方式接觸剩餘分隔器材料。如圖3E中所示，類似於已經關於方法100描述的過程140，電氣接觸器322可被形成在剩餘分隔器316上方。
[0080]根據各種實施例，分隔器層(例如，如圖2C和圖3C中所示的分隔器層222和312)可使用至少一個分層過程和至少一個圖案化過程而至少部分地形成在該結構(例如，如圖2B和圖3A中所示的結構204)上方。
[0081]根據各種實施例，結構元件(例如，如圖2B和圖3A中所示的結構元件206和208)可如前所述使用至少一個分層過程和至少一個圖案化過程而至少部分地形成在載體(例如，如圖2B和圖3A中所示的載體202)上方。
[0082]根據各種實施例，剩餘分隔器(例如，如圖3D中所示的剩餘分隔器316)可提供場效應電晶體的控制線(例如，其中場效應電晶體可部分地表示為層堆疊，如參照方法100所述)。
[0083]根據各種實施例，側壁分隔器(例如，如圖3D中所示的接觸結構元件208a的側壁分隔器314)可提供場效應電晶體的控制線(例如，其中場效應電晶體可部分地表示為層堆疊，如參照方法100所述)。
[0084]根據各種實施例，剩餘分隔器(例如，如圖3D中所示的剩餘分隔器316)可提供電荷儲存存儲基元的控制線(例如，其中電荷儲存存儲基元可部分地表示為層堆疊，如圖3A和圖3B以及參照方法100的伴隨的描述中所示及所述)。[0085]根據各種實施例，側壁分隔器(例如，如圖3D中所示的接觸結構元件208a的側壁分隔器314)可提供電荷儲存存儲基元的控制線(例如，其中電荷儲存存儲基元可部分地表示為層堆疊，如圖3A和圖3B以及參照方法100的伴隨的描述中所示及所述)。
[0086]根據各種實施例，控制線可被配置為字線。
[0087]根據各種實施例，控制線可被配置為對至少一個電荷儲存存儲結構的擦除柵進行尋址。
[0088]根據各種實施例，可執行摻雜過程以在載體(例如，載體202)中提供至少一個摻雜的區域。根據各種實施例，所述至少一個摻雜的區域可例如提供至少一個源極區域和/或至少一個漏極區域和/或至少一個場效應電晶體或至少一個電荷儲存存儲基元的摻雜的溝道。
[0089]根據各種實施例，形成結構(例如，結構204)的所有結構元件可具有相同的形狀。根據各種實施例，形成結構(例如，結構204)的結構元件可具有各種形狀。根據各種實施例，至少一個選擇的結構元件(例如，結構元件206a)可具有與其它結構元件(例如，結構元件208a)不同的形狀。根據各種實施例，至少一個結構元件(例如，結構元件206a)可具有不同的形狀並且可被配置為虛擬結構，其中其它結構元件(例如，結構元件208a)可被配置為電荷儲存存儲基元的一部分。
[0090]根據各種實施例，導電材料(例如,形成接觸器232的材料)可包括包含各種材料的多個層(例如用於提高導電材料和剩餘分隔器之間的粘合的至少一個層，例如作為擴散阻擋層的至少一個層)。根據各種實施例，導電材料(例如，形成分隔器層222或312)可包括包含各種材料的多個層。另外，根據各種實施例，導電材料(例如，形成如圖2E中所示的電氣接觸器232)可包括下面的一組材料中的至少一種材料:金屬(例如，鋁、銅、鎢、鈦、鑰、金等)、金屬材料(例如，氮化鈦、過渡金屬碳化物)、導電矽(例如，摻雜的多晶矽)、金屬合金(例如，鋁矽合金、鋁銅合金、鎳鉻合金)、矽化物(矽化鈦、矽化鉬、矽化鎢、矽化鈷、矽化鎳)、碳化物等。另外，根據各種實施例，可使用CVD或PVD沉積導電材料(例如，形成電氣接觸器232)。
[0091]如上所述使用方法100可導致可有益於產生電氣接觸器的分隔器結構。由於具有第一距離的所述至少兩個相鄰的結構元件之間的剩餘分隔器(例如具有第一距離207的結構元件206、208之間的剩餘分隔器228(參照圖2E)，例如具有第一距離207的結構元件206a、208a之間的剩餘分隔器314(參照圖3D))具有比側壁分隔器(例如側壁分隔器226(參照圖2E)，例如側壁分隔器314(參照圖3D))大的寬度，所以形成電氣接觸器可不受在產生電氣接觸器期間發生的覆蓋誤差影響。關於這一點，可不需要另外的過程來產生可形成電氣接觸器的更大的接觸平臺區域。換句話說，如果側壁分隔器(例如，側壁分隔器226)的接觸平臺區域可能未大到足以能夠實現可靠的電氣接觸器(例如，因為側壁分隔器的區域可能並不顯著大於接觸區域自身，從而對於產生電氣接觸器和電氣接觸器的可靠性，覆蓋誤差可能起到主要作用)，則可在沒有另外的過程(例如，另外的圖案化過程或另外的分層過程)的情況下使用方法100形成更大的接觸平臺區域。更大的接觸平臺區域可導致更可靠的結構，而沒有另外的消極影響比如增加涉及的過程的數量並且由此不會增加成本，降低產量，降低可再現性，或增加用於電子裝置的製作的時間。根據各種實施例，如這裡所述的方法100可被用於向分隔器結構提供電氣接觸器。換句話說，如這裡所述的方法100可被用於提供能夠實現結構元件的直接電氣接觸的更大的接觸平臺區域。通過使用如這裡所述的方法100產生的平臺區域與兩個相鄰的結構元件(例如，如圖2B中所示的結構元件206、208或如圖3B中所示的結構元件206a、208a)的兩個相鄰的側壁之間的距離相關。
[0092]根據各種實施例，至少一個結構元件(例如，如圖3B中所示的結構元件206a)可以是虛擬結構，這意味著虛擬結構可不具有集成電路內的電氣功能。換句話說，根據各種實施例,至少一個結構元件(例如,如圖3B中所示的結構元件206a)可僅用於創建所述至少兩個相鄰的結構元件(例如，如圖3D中所示的結構元件206a、208a)之間的剩餘分隔器(例如，如圖3D中所示的剩餘分隔器316)。
[0093]根據各種實施例，所述至少一個虛擬結構(例如，如圖3B中所示的結構元件206a)可具有與用於集成電路的電氣功能的其它結構元件不同的形狀。
[0094]根據各種實施例，所述至少一個虛擬結構(例如，如圖3B中所示的結構元件206a)可與基礎結構(例如，與載體202)電氣隔離。
[0095]根據各種實施例，至少一個結構元件可包括形成電荷儲存存儲基元的至少一部分的層堆疊(例如，如圖3B中所示的結構元件208a)。
[0096]根據各種實施例，至少一個結構元件可包括形成場效應電晶體的至少一部分的層堆疊。
[0097]根據各種實施例，至少一個分隔器結構可被配置為選擇柵。
[0098]根據各種實施例，形成結構元件可非限制性包括以任意順序的圖案化過程和分層過程。根據各種實施例，結構可使用分層過程而被形成在載體的區域上方，並且可隨後被圖案化，產生個別結構元件。
[0099]根據各種實施例，可用作虛擬結構的結構元件可與具有電氣功能的結構元件相同。因此，能夠在形成具有所希望的集成電路中的電氣功能的結構元件的過程內形成虛擬結構。由此，虛擬結構可以能夠在沒有另外的過程的情況下實現用於電氣接觸器的合適的平臺區域的製造。
[0100]根據各種實施例，在兩個相鄰的結構元件的兩個相鄰的側壁(或一個結構元件的兩個相鄰的側壁)可能不彼此平行延伸(但兩個側壁可能都近似垂直於載體的平面)的情況下，根據考慮的各側壁上的各部分，所述兩個相鄰的結構元件可在彼此之間具有幾種距離。然而,在這種情況下,應用方法100 (例如，如前所述的過程120和130)可導致剩餘分隔器結構，其中分隔器材料保留在第一側壁的第一部分和第二側壁的第二部分之間的距離小於沉積在結構元件上方(在如已經參照方法100所述的過程120中)的分隔器層厚度的兩倍的區域中。
[0101]根據各種實施例，也可在下面如圖4中示例性所示的變型中執行方法100，圖4表不載體202的俯視圖,其中至少一個結構兀件406布置在載體202上方。根據各種實施例，所述至少一個結構元件406可被設計為這種形狀:所述至少一個結構元件406的側壁的部分412、413可具有第一距離407，類似於如前所述的第一距離207。在圖4中能夠看出，根據實施例，從俯視圖觀察，所述至少一個結構元件的形狀可類似於U形。根據各種實施例，其它形狀也可以是合適的。根據各種實施例，應用包括至少一個結構元件(例如，結構元件406)(其中所述至少一個結構元件的至少兩個部分(例如，結構元件406的側壁的部分412,413)具有第一距離407)的方法100可導致所述至少一個結構元件的所述至少兩個部分之間的剩餘分隔器416和側壁分隔器414的形成，類似於如已經所述的方法100。
[0102]類似於圖4中示出的示例性實施例(以俯視圖表示)，能夠做出關於結構元件的形狀和結構元件的調準的修改。根據各種實施例，可按照這種方式設計電子結構的布局(例如，載體上的電荷儲存存儲基元裝置的布局):應用方法100可導致至少一個結構元件的至少兩個側壁之間的剩餘分隔器的形成，類似於如已經所述的方法100。
[0103]根據實施例，圖5表不類似於如前所述的圖4的布局的一部分(例如，載體上的電荷儲存存儲基元裝置的布局的一部分)的俯視圖。如圖5中所示，多個結構元件(例如，結構元件506和508)布置在載體202上方，分別包括分隔器結構(例如，側壁分隔器514和剩餘分隔器516)。根據各種實施例，可通過結構元件自身的U形(例如結構元件506的U形512，例如結構元件508的U形513)來擴大接觸平臺區域(例如，可在結構元件的兩個相鄰的側壁之間(例如在具有距離507的結構元件506的兩個相鄰的側壁之間，例如在具有距離507的結構元件508的兩個相鄰的側壁之間)形成剩餘分隔器516的區域)。根據各種實施例，電氣接觸器520可被形成在接觸平臺區域上方(例如，在由剩餘分隔器516形成的區域上方)。根據各種實施例，結構元件(例如，結構元件506和508)可以是多晶矽雙堆疊。
[0104]根據實施例，圖6表不類似於圖4和圖5和伴隨的描述的俯視圖中的布局的一部分(例如，載體上的電荷儲存存儲基元裝置的布局的一部分)。如圖6中所示，多個結構元件(例如，結構元件606和608)布置在載體202上方，分別包括分隔器結構(例如，側壁分隔器614和剩餘分隔器616)。根據各種實施例,可通過結構兀件606和608自身的U形(例如U形612，例如U形613)(例如，通過如圖6中的俯視圖中所示的設計為U形的多晶矽雙堆疊)來擴大接觸平臺區域(例如，可在兩個相鄰的結構元件的兩個相鄰的側壁之間(例如，在結構元件606的側壁611和結構元件608的側壁610之間)形成剩餘分隔器616的區域)。根據各種實施例，結構元件可布置為在兩個相鄰的結構元件的兩個相鄰的側壁之間(例如，在結構元件606的側壁611和結構元件608的側壁610之間)具有距離607。根據各種實施例，在類似於如已經所述的方法100應用各過程之後，分隔器材料可保留在兩個相鄰的結構元件的兩個相鄰的側壁之間(例如，在結構元件606的側壁611和結構元件608的側壁610之間)。根據各種實施例，剩餘分隔器616可形成擴大的接觸平臺區域。根據各種實施例，如已經所述，電氣接觸器620可被形成在擴大的接觸平臺區域上方。在圖6中能夠看出，根據各種實施例，兩個相鄰的結構元件(例如，提供兩個相鄰的選擇柵的結構元件606和608)可按照電氣方式接觸在一起。在這種情況下，結構元件的工作參數(例如，用於操作電荷儲存存儲基元的偏置方案)可不同於所述兩個相鄰的結構元件單獨以電氣方式接觸的情況。
[0105]根據實施例，圖7表不類似於圖4、圖5和圖6和伴隨的描述的俯視圖中的布局的一部分(例如，載體上的電荷儲存存儲基元裝置的布局的一部分)。如圖7中所示，多個結構元件(例如，結構元件706和708)布置在載體202上方，分別包括分隔器結構(例如，側壁分隔器714和剩餘分隔器716)。根據各種實施例，可通過由另外的虛擬結構元件(例如，虛擬結構元件710)支撐的結構元件(例如結構元件706，例如結構元件708)的U形(例如U形712，例如U形713)來擴大接觸平臺區域(例如，在兩個相鄰的結構元件(例如，結構元件706和虛擬結構元件710以及結構元件708和虛擬結構元件710)的多個相鄰的側壁之間形成剩餘分隔器716的區域)。根據各種實施例，根據考慮的各側壁上的各部分，兩個相鄰的側壁(例如結構元件706的側壁和虛擬結構元件710的側壁，例如結構元件708的側壁和虛擬結構元件710的側壁)可在彼此之間具有幾種距離(例如，結構元件708的側壁的兩個部分之間的距離707以及結構元件708的側壁和虛擬結構元件710之間的距離707a)。根據各種實施例，應用方法100 (例如，如前所述的過程120和130)可導致結構元件之間的剩餘分隔器結構。根據各種實施例，剩餘分隔器716可形成擴大的接觸平臺區域。根據各種實施例，電氣接觸器720可被形成在擴大的接觸平臺區域上方。
[0106]根據實施例，圖8表不類似於圖4、圖5、圖6和圖7和伴隨的描述的俯視圖中的布局的一部分(例如，載體上的電荷儲存存儲基元裝置的布局的一部分)。如圖8中所示，多個結構元件(例如，結構元件806和808)布置在載體202上方，分別包括分隔器結構(例如，側壁分隔器814和剩餘分隔器816)。根據各種實施例，可通過由另外的虛擬結構元件(例如，虛擬結構元件810)支撐的結構元件的U形(例如結構元件806的U形812，例如結構元件808的U形813)來擴大接觸平臺區域(例如，在兩個相鄰的結構元件(例如結構元件806和虛擬結構元件810，例如結構元件808和虛擬結構元件810)的多個相鄰的側壁之間形成剩餘分隔器816的區域)。根據各種實施例，根據考慮的各側壁上的各部分，兩個相鄰的側壁(例如結構元件806的側壁和虛擬結構元件810的側壁，例如結構元件808的側壁和虛擬結構元件810的側壁)可在彼此之間具有幾種距離(例如，結構元件808的側壁的兩個部分之間的距離807以及結構元件808的側壁和虛擬結構元件810之間的距離807a)。根據各種實施例，應用方法100 (例如，如前所述的過程120和130)可導致結構元件之間的剩餘分隔器結構。根據各種實施例，剩餘分隔器816可形成擴大的接觸平臺區域。根據各種實施例，電氣接觸器820可被形成在擴大的接觸平臺區域上方。
[0107]根據各種實施例，如圖7中所示的俯視圖中的虛擬結構元件(例如，虛擬結構元件710)的形狀可以是橢圓形形狀,或者如圖8中所示,虛擬結構元件(例如,虛擬結構元件810)的形狀可具有矩形形狀。根據各種實施例，其它形狀也可以是合適的(例如，圓形形狀或方形形狀)。
[0108]根據各種實施例，如圖5、圖6和圖7中所示的俯視圖中的電氣接觸器(例如，電氣接觸器520、620、720)的形狀可以是圓形形狀，或者如圖8中所示，電氣接觸器(例如，電氣接觸器820)的形狀可具有方形形狀。根據各種實施例，其它形狀也可以是合適的(例如，橢圓形形狀或矩形形狀)。
[0109]根據各種實施例，結構元件(例如，結構元件506、508、606、608、706、708、806、808)可以是電荷儲存存儲基元裝置的一部分。根據各種實施例，結構元件(例如，結構元件506、508、606、608、706、708、806、808)可形成電荷儲存存儲基元裝置的至少一部分(例如，雙多晶矽堆疊，如例如作為熱源三多晶矽基元的一部分)。根據各種實施例，包括側壁分隔器和剩餘分隔器(例如，側壁分隔器414、514、614、714、814和剩餘分隔器416、516、616、716,816)的分隔器結構可用作選擇柵結構的至少一部分。
[0110]根據各種實施例，虛擬結構元件可以是電絕緣的(例如如圖7中所示的虛擬結構元件710，例如如圖8中所示的虛擬結構元件810)。
[0111]根據各種實施例，一種用於加工載體的方法可包括:在載體上方形成結構，該結構包括至少兩個相鄰的結構元件，所述至少兩個相鄰的結構元件按照它們之間的第一距離布置；在該結構上方沉積分隔器層，其中分隔器層可被沉積為具有大於第一距離的一半的厚度，其中分隔器層可包括導電分隔器材料；去除分隔器層的一部分，其中分隔器層的分隔器材料可保留在所述至少兩個相鄰的結構元件之間的區域中；以及以電氣方式接觸剩餘的分隔器材料。
[0112]另外，根據各種實施例，結構元件中的至少一個結構元件可形成金屬-氧化物-半導體場效應電晶體的一部分。
[0113]另外，根據各種實施例，結構元件中的至少一個結構元件可形成金屬-氧化物-半導體場效應電晶體的柵極的一部分。
[0114]另外，根據各種實施例，結構元件中的至少一個結構元件可形成金屬-氧化物-半導體場效應電晶體的浮柵的一部分。
[0115]另外，根據各種實施例，結構元件中的至少一個結構元件可形成浮柵金屬-氧化物-半導體場效應電晶體的浮柵和控制柵中的至少一個。
[0116]另外，根據各種實施例，結構元件中的至少一個結構元件可以是虛擬結構元件。
[0117]另外，根據各種實施例，分隔器材料可包括矽(例如，多晶矽)。
[0118]另外，根據各種實施例，分隔器材料可沉積為具有小於或等於大約200 nm的厚度，例如小於或等於大約150 nm,例如小於或等於大約100 nm,例如小於或等於大約50 nm,例如小於或等於大約20 nm,例如小於或等於大約10 nm,例如處於大約10 nm到大約200 nm的範圍中，例如處於大約20 nm到大約200 nm的範圍中，例如處於大約50 nm到大約175nm的範圍中,例如處於大約125 nm到大約175 nm的範圍中,例如大約150 nm的厚度。
[0119]另外，根據各種實施例，去除分隔器層的一部分可包括:露出結構元件的表面，同時分隔器材料可至少部分地保留在結構元件的側壁。
[0120]另外，根據各種實施例，在結構元件的側壁的剩餘分隔器材料可提供場效應電晶體的控制線。
[0121]另外，根據各種實施例，以電氣方式接觸剩餘分隔器材料可包括:在分隔器層上方沉積掩模材料；去除掩模材料以部分地露出結構元件之間的剩餘分隔器材料；以及沉積接觸結構元件之間的剩餘分隔器材料的導電材料。
[0122]根據各種實施例，一種用於製作電荷儲存存儲基元的方法可包括:在晶片上方形成電荷儲存存儲基元結構，其中電荷儲存存儲基元結構可包括至少兩個相鄰的電荷儲存存儲基元結構元件，所述至少兩個相鄰的電荷儲存存儲基元結構元件按照它們之間的第一距離布置；在電荷儲存存儲基元結構上方沉積分隔器層，其中分隔器層可被沉積為具有大於第一距離的一半的分隔器層厚度，其中分隔器層可包括導電分隔器材料；部分地去除分隔器層，其中分隔器層的分隔器材料可保留在所述至少兩個相鄰的電荷儲存存儲基元結構元件之間的至少一個區域中；以及以電氣方式接觸剩餘的分隔器材料。
[0123]另外，根據各種實施例，電荷儲存存儲基元結構元件中的至少一個電荷儲存存儲基元結構元件可形成金屬-氧化物-半導體場效應電晶體的一部分。
[0124]另外，根據各種實施例，結構元件中的至少一個電荷儲存存儲基元結構元件可形成金屬-氧化物-半導體場效應電晶體的柵極的一部分。
[0125]另外，根據各種實施例，電荷儲存存儲基元結構元件中的至少一個電荷儲存存儲基元結構元件可形成金屬-氧化物-半導體場效應電晶體的浮柵的一部分。
[0126]另外，根據各種實施例，電荷儲存存儲基元結構元件中的至少一個電荷儲存存儲基元結構元件可形成浮柵金屬-氧化物-半導體場效應電晶體的浮柵和控制柵中的至少一個。
[0127]另外，根據各種實施例，電荷儲存存儲基元結構元件中的至少一個電荷儲存存儲基元結構元件可以是虛擬結構元件。
[0128]另外，根據各種實施例，分隔器材料可包括矽(例如，多晶矽)。
[0129]另外，根據各種實施例，所述至少兩個相鄰的電荷儲存存儲基元結構元件之間的第一距離可小於或等於大約400 nm，例如小於或等於大約300 nm，例如小於或等於大約200nm,例如小於或等於大約100 nm,例如小於或等於大約50 nm,例如小於或等於大約20 nm,例如處於大約20 nm到大約400 nm的範圍中，例如處於大約50 nm到大約300 nm的範圍中，例如處於大約100 nm到大約250 nm的範圍中，例如所述至少兩個相鄰的電荷儲存存儲基元結構元件之間的第一距離可以是大約250 nm。
[0130]另外，根據各種實施例，分隔器層可沉積為具有小於或等於大約200 nm的厚度，例如小於或等於大約150 nm,例如小於或等於大約100 nm,例如小於或等於大約50 nm,例如小於或等於大約20 nm，例如小於或等於大約10 nm，例如處於大約10 nm到大約200 nm的範圍中，例如處於大約20 nm到大約200 nm的範圍中，例如處於大約50 nm到大約175 nm的範圍中，例如處於大約125 nm到大約175 nm的範圍中，例如分隔器層可沉積為具有大約150 nm的厚度。
[0131]另外，根據各種實施例，去除分隔器層的一部分可包括:露出電荷儲存存儲基元結構元件的表面，同時分隔器材料可至少部分地保留在電荷儲存存儲基元結構元件的至少一個側壁。
[0132]另外，根據各種實施例，在電荷儲存存儲基元結構元件的至少一個側壁的剩餘分隔器材料可提供場效應電晶體的控制線。
[0133]另外，根據各種實施例，以電氣方式接觸剩餘分隔器材料可包括:在分隔器層的至少一部分上方沉積掩模材料；去除掩模材料以部分地露出電荷儲存存儲基元結構元件之間的剩餘分隔器材料；以及沉積接觸所述至少兩個相鄰的電荷儲存存儲基元結構元件之間的剩餘分隔器材料的導電材料。
[0134]根據各種實施例，一種用於加工晶片的方法可包括:在基底上方形成結構，其中該結構包括至少一個結構元件，其中結構元件可包括面對彼此的至少兩個相鄰的側壁，所述至少兩個相鄰的側壁按照彼此之間的第一距離布置；在該結構上方沉積分隔器層，分隔器層覆蓋所述至少一個結構元件，其中分隔器層可被沉積為具有大於所述至少兩個相鄰的側壁之間的第一距離的一半的分隔器層厚度；部分地去除分隔器層，其中分隔器層的分隔器材料可保留在所述至少一個結構元件的所述至少兩個相鄰的側壁之間的至少一個區域中；以及以電氣方式接觸剩餘分隔器材料。
[0135]另外，根據各種實施例，以電氣方式接觸剩餘分隔器材料可包括:在分隔器層的至少一部分上方沉積掩模材料；去除掩模材料以部分地露出所述至少一個結構元件的所述至少兩個相鄰的側壁之間的剩餘分隔器材料；以及沉積接觸所述至少一個結構元件的所述至少兩個相鄰的側壁之間的剩餘分隔器材料的導電材料。[0136]根據各種實施例，一種用於以電氣方式接觸分隔器結構的方法可包括:在載體上方形成結構，該結構可包括至少兩個相鄰的結構元件，所述至少兩個相鄰的結構元件按照所述至少兩個相鄰的結構元件之間的第一距離布置；在該結構上方沉積分隔器層，分隔器層覆蓋所述至少兩個相鄰的結構元件，其中分隔器層可被沉積為具有大於第一距離的一半的分隔器層厚度，其中分隔器層包含導電分隔器材料；部分地去除分隔器層，其中分隔器層的分隔器材料保留在所述至少兩個相鄰的結構元件之間的至少一個區域中，由此形成分隔器結構；以及以電氣方式接觸分隔器結構。
[0137]儘管已參照特定實施例具體地顯示並描述了本發明，但本領域技術人員應該理解，在不脫離由所附權利要求定義的本發明的精神和範圍的情況下可對其做出各種形式和細節上的改變。本發明的範圍因此由所附權利要求指示並且因此旨在包括落在權利要求的等同物的含義和範圍內的所有變化。
【權利要求】
1.一種用於加工載體的方法，所述方法包括: 在載體上方形成結構，該結構包括至少兩個相鄰的結構元件，所述至少兩個相鄰的結構元件按照它們之間的第一距離布置； 在該結構上方沉積分隔器層，其中分隔器層被沉積為具有大於第一距離的一半的厚度，其中分隔器層包括導電分隔器材料； 去除分隔器層的一部分，其中分隔器層的分隔器材料保留在所述至少兩個相鄰的結構元件之間的區域中；以及 以電氣方式接觸剩餘分隔器材料。
2.根據權利要求1所述的方法，其中所述結構元件中的至少一個結構元件形成金屬-氧化物-半導體場效應電晶體的至少一部分。
3.根據權利要求2所述的方法，其中所述結構元件中的至少一個結構元件形成金屬-氧化物-半導體場效應電晶體的柵極的一部分。
4.根據權利要求3所述的方法，其中所述結構元件中的至少一個結構元件包括金屬-氧化物-半導體場效應電晶體的浮柵。
5.根據權利要求1所述的方法，其中所述結構元件中的至少一個結構元件包括浮柵金屬-氧化物-半導體場效應電晶體的浮柵和控制柵中的至少一個。
6.根據權利要求1所述的方法，其中所述結構元件中的至少一個結構元件是虛擬結構元件。
7.根據權利要求1所述的方法，其中所述分隔器材料包括多晶矽。
8.根據權利要求1所述的方法，其中所述分隔器層沉積為具有小於或等於大約200nm的厚度。
9.根據權利要求1所述的方法，其中去除分隔器層的一部分包括:露出結構元件的表面，同時分隔器材料至少部分地保留在結構元件的側壁。
10.根據權利要求9所述的方法，其中在結構元件的側壁的剩餘分隔器材料提供場效應電晶體的控制線。
11.根據權利要求1所述的方法，其中以電氣方式接觸剩餘分隔器材料包括: 在分隔器層上方沉積掩模材料； 去除掩模材料以部分地露出結構元件之間的剩餘分隔器材料；以及 沉積所述接觸結構元件之間的剩餘分隔器材料的導電材料。
12.一種用於製作電荷儲存存儲基元的方法，所述方法包括: 在晶片上方形成電荷儲存存儲基元結構，電荷儲存存儲基元結構包括至少兩個相鄰的電荷儲存存儲基元結構元件，所述至少兩個相鄰的電荷儲存存儲基元結構元件按照它們之間的第一距離布置； 在電荷儲存存儲基元結構上方沉積分隔器層，其中分隔器層被沉積為具有大於第一距離的一半的分隔器層厚度，其中分隔器層包括導電分隔器材料； 部分地去除分隔器層，其中分隔器層的分隔器材料保留在所述至少兩個相鄰的電荷儲存存儲基元結構元件之間的至少一個區域中；以及以電氣方式接觸剩餘分隔器材料。
13.根據權利要求12所述的方法，其中所述電荷儲存存儲基元結構元件中的至少一個電荷儲存存儲基元結構元件形成金屬-氧化物-半導體場效應電晶體的至少一部分。
14.根據權利要求13所述的方法，其中所述電荷儲存存儲基元結構元件中的至少一個電荷儲存存儲基元結構元件包括金屬-氧化物-半導體場效應電晶體的柵極的至少一部分。
15.根據權利要求14所述的方法，其中所述電荷儲存存儲基元結構元件中的至少一個電荷儲存存儲基元結構元件包括金屬-氧化物-半導體場效應電晶體的浮柵的至少一部分。
16.根據權利要求12所述的方法，其中所述電荷儲存存儲基元結構元件中的至少一個電荷儲存存儲基元結構元件包括浮柵金屬-氧化物-半導體場效應電晶體的浮柵和控制柵中的至少一個。
17.根據權利要求12所述的方法，其中所述電荷儲存存儲基元結構元件中的至少一個電荷儲存存儲基元結構元件是虛擬結構元件。
18.根據權利要求12所述的方法，其中所述分隔器材料包括多晶矽。
19.根據權利要求12所述的方法，其中所述至少兩個相鄰的電荷儲存存儲基元結構元件之間的第一距離小於或等於大約400 nm。
20.根據權利要求19所述的方法，其中所述分隔器層沉積為具有小於或等於大約200nm的厚度。
21.根據權利要求12所述的方法，其中去除分隔器層的一部分包括:露出電荷儲存存儲基元結構元件的表面，同時分隔器材料至少部分地保留在電荷儲存存儲基元結構元件的至少一個側壁。
22.根據權利要求21所述的方法，其中在電荷儲存存儲基元結構元件的所述至少一個側壁的剩餘分隔器材料提供場效應電晶體的控制線。
23.根據權利要求12所述的方法，其中以電氣方式接觸剩餘分隔器材料包括: 在分隔器層的至少一部分上方沉積掩模材料； 去除掩模材料以部分地露出電荷儲存存儲基元結構元件之間的剩餘分隔器材料；以及 沉積接觸所述至少兩個相鄰的電荷儲存存儲基元結構元件之間的剩餘分隔器材料的導電材料。
24.一種用於加工晶片的方法，所述方法包括: 在基底上方形成結構，其中該結構包括至少一個結構元件，其中所述至少一個結構元件包括面對彼此的至少兩個相鄰的側壁，所述至少兩個相鄰的側壁按照所述至少兩個相鄰的側壁之間的第一距離布置； 在該結構上方沉積分隔器層，分隔器層覆蓋所述至少一個結構元件，其中分隔器層被沉積為具有大於所述至少兩個相鄰的側壁之間的第一距離的一半的分隔器層厚度； 部分地去除分隔器層，其中分隔器層的分隔器材料保留在所述至少一個結構元件的所述至少兩個相鄰的側壁之間的至少一個區域中；以及 以電氣方式接觸剩餘分隔器材料。
25.根據權利要求24所述的方法，其中以電氣方式接觸剩餘分隔器材料包括: 在分隔器層的至少一部分上方沉積掩模材料； 去除掩模材料以部分地露出所述至少一個結構元件的所述至少兩個相鄰的側壁之間的剩餘分隔器材料；以及 沉積接觸所述至少一個結構元件的所述至少兩個相鄰的側壁之間的剩餘分隔器材料的導電材料。
26.一種用於以電氣方式接觸分隔器結構的方法，所述方法包括: 在載體上方形成結構，該結構包括至少兩個相鄰的結構元件，所述至少兩個相鄰的結構元件按照所述至少兩個相鄰的結構元件之間的第一距離布置； 在該結構上方沉積分隔器層，分隔器層覆蓋所述至少兩個相鄰的結構元件，其中分隔器層被沉積為具有大於第一距離的一半的分隔器層厚度，其中分隔器層包括導電分隔器材料； 部分地去除分隔器層，其中分隔器層的分隔器材料保留在所述至少兩個相鄰的結構元件之間的至少一個區域中，由此形成分隔 器結構；以及以電氣方式接觸分隔器結構。
【文檔編號】H01L21/762GK103972178SQ201410041554
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年1月28日 優先權日:2013年1月28日
【發明者】W.朗海因裡希, J.鮑威爾, M.勒裡希, 岑栢湛, M.施蒂夫廷格, R.施特倫茨 申請人:英飛凌科技德勒斯登有限責任公司