用於集成電路中的雙向esd保護的設備和方法
2023-12-02 16:53:36
用於集成電路中的雙向esd保護的設備和方法
【專利摘要】一種集成電路包括雙向ESD保護裝置(400)，其具有多個並聯開關支線(402)。每個開關支線包括背對背配置的第一電流開關(404)和第二電流開關(406)。每個第一電流開關的第一電流供給節點(408)耦合至第一端子。每個第二電流開關的第二電流供給節點(414)耦合至第二端子。每個第一電流開關的第一電流集取節點(410)耦合至對應的第二電流開關的第二電流集取節點(416)。每個第一電流開關的第一電流集取節點與任何其他第一電流集取節點不耦合，並且類似地，每個實例第二電流開關的第二電流集取節點與任何其他第二電流集取節點不耦合。
【專利說明】用於集成電路中的雙向ESD保護的設備和方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及集成電路；更具體地，涉及包括靜電放電(ESD)保護的集成電路。
【背景技術】
[0002]集成電路中的靜電放電(ESD)保護裝置可以提供正電壓事件和負電壓事件。可以期望ESD保護裝置能夠在ESD事件中分流大的電流，還能夠在持續的ESD事件中提供保護而沒有電流聚集。提供這些能力並維持期望的ESD保護裝置的尺寸是懸而未決的。
【發明內容】
[0003]一種集成電路包括具有多個並聯開關支線的雙向ESD保護裝置。每個開關支線包括背對背配置的串聯耦合的第一電流開關和第二電流開關。在第一極性ESD事件中，第一電流開關為第二電流開關提供鎮流器功能，並且在第二相反極性ESD事件中，第二電流開關為第一電流開關提供鎮流器功能。第一電流開關的每個實例的第一電流供給節點耦合至ESD保護裝置的第一端子。第二電流開關的每個實例的第二電流供給節點耦合至ESD保護裝置的第二端子。第一電流開關的每個實例的第一電流集取節點耦合至第二電流開關的每個對應實例的第二電流集取節點。第一電流開關的每個實例的第一電流集取節點與第一電流開關的其他實例的第一電流集取節點沒有任何電耦合，並且類似地，第二電流開關的每個實例的第二電流集取節點與第二電流開關的其他實例的第二電流集取節點沒有任何電耦合。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0004]圖1-3是包含在集成電路中的示例雙向靜電放電(ESD)保護裝置的電路原理圖。
[0005]圖4A-4C是在製造的連續階段中描述的包含示例雙向ESD保護裝置的集成電路的透視圖。
[0006]圖5是含有示例雙向ESD保護裝置的集成電路的截面圖，其中第一電流開關和第二電流開關是可控矽整流器(SCR)。
[0007]圖6是含有示例雙向ESD保護裝置的集成電路的截面圖，其中第一電流開關和第二電流開關是η-溝道漏極擴展MOS電晶體。
[0008]圖7是含有示例雙向ESD保護裝置的集成電路的截面圖，其中第一電流開關和第二電流開關是NPN雙極電晶體。
【具體實施方式】
[0009]一種集成電路包括具有多個並聯開關支線的雙向ESD保護裝置。每個開關支線包括背對背配置、串聯耦合的第一電流開關和第二電流開關。在第一極性ESD事件中，第一電流開關為第二電流開關提供鎮流器功能，並且在第二相反極性ESD事件中，第二電流開關為第一電流開關提供鎮流器功能。第一電流開關的每個實例的第一電流供給節點耦合至ESD保護裝置的第一端子。第二電流開關的每個實例的第二電流供給節點耦合至ESD保護裝置的第二端子。第一電流開關的每個實例的第一電流集取節點耦合至第二電流開關的每個對應實例的第二電流集取節點。第一電流開關的每個實例的第一電流集取節點與第一電流開關的其他實例的第一電流集取節點沒有任何電耦合，並且類似地，第二電流開關的每個實例的第二電流集取節點與第二電流開關的其他實例的第二電流集取節點沒有任何電耦合。
[0010]第一電流開關和/或第二電流開關可以是，例如，可控矽整流器(SCR)、金屬氧化物半導體(MOS)電晶體和/或雙極電晶體的實例。第一電流開關可以單獨由每個開關支線中的單獨的觸發器組件觸發，或者可以由連接到每個第一電流開關的公共觸發器組件觸發。類似地，第二電流開關可以由每個開關支線中的單獨的觸發器組件觸發，或者由公共觸發器組件觸發。第二電流開關可被配置為當第一端子上的電勢相對於第二端子升高到高於30伏時觸發。類似地，第一電流開關可以被配置為當第一端子上的電勢相對於第二端子降低到低於30伏時觸發。第一電流開關和第二電流開關可被配置為在彼此的電壓幅值在5伏內時觸發。術語「電壓幅值」應當理解為指代電壓的絕對值，因此電壓幅值總是正數。可替代地，第一電流開關和第二電流開關可被配置為在彼此的電壓幅值相差至少10伏時觸發；例如，第一電流開關可被配置為在電壓幅值為50伏時觸發，而第二電流開關可被配置為在電壓幅值為35伏時觸發。
[0011]圖1-3示出集成電路中的示例雙向ESD保護結構。
[0012]圖1示出包括多個並聯開關支線102的雙向ESD保護電路100。每個開關支線102包括第一電流開關，在此實例型例子中為SCR 104。每個開關支線102還包括第二電流開關106，在此示例性例子中為SCR 106，其以背對背配置串聯連接到相應的第一電流開關104。
[0013]每個第一電流開關104具有第一電流供給節點108，其為SCR 104的陽極108，和第一電流集取節點110，其為SCR 104的陰極110。第一電流開關104的每個第一電流供給節點108耦合至雙向ESD保護裝置100的第一端子112。
[0014]類似地，每個第二電流開關106具有第二電流供給節點114，其為SCR 106的陽極114，和第二電流集取節點116，其為SCR 106的陰極116。第二電流開關106的每個第二電流供給節點114耦合至雙向ESD保護裝置100的第二端子118。
[0015]第一電流開關104的每個第一電流集取節點110耦合至同一個並聯開關支線102中的第二電流開關106的相應的第二電流集取節點116，提供背對背配置。第一電流開關104的每個第一電流集取節點110與第一電流開關104的任何其他第一電流集取節點110沒有電耦合，並且第二電流開關106的每個第二電流集取節點116與第二電流開關106的任何其他第二電流集取節點116沒有電耦合。
[0016]第一電流開關104和第二電流開關106可以通過一個或更多個觸發器組件開啟。如圖1所示，第一電流開關104和第二電流開關106的每個實例可以具有單獨的觸發器組件120。其他觸發器配置在本例子的範圍內。第一端子112可以連接到包括電路系統100的集成電路的輸入/輸出端子。第二端子118可以連接到集成電路的接地節點。
[0017]在集成電路操作期間，在正極性ESD事件時，結構100在第一端子112處提供電壓瞬變，其相對於第二端子118為正。第二電流開關106中的其中一個可被觸發並開始傳導電流。同一開關支線102中對應的第一電流開關104為導通的第二電流開關106提供鎮流器。隨著導通的第二電流開關106傳導電流，與沒有導通的第二電流開關106的實例兩端的壓降相比，導通的第二電流開關106兩端的壓降下降。因為第二電流開關106的每個第二電流集取節點116與第二電流開關106的任何其他第二電流集取節點116沒有電耦合，導通的第二電流開關106兩端下降的壓降不會降低沒有導通的第二電流開關106兩端的壓降，因此沒有導通的第二電流開關106的實例可被觸發並獨立開始傳導電流。
[0018]類似地，在負極性ESD事件時，裝置100在第一端子112處提供電壓瞬變，其相對於第二端子118為負。第一電流開關104中的其中一個可被觸發並開始傳導電流。同一開關支線102中的對應的第二電流開關106為導通的第一電流開關104提供鎮流器。因為第一電流開關104的每個第一電流集取節點110與第一電流開關104的任何其他第一電流集取節點110沒有電耦合，因此，沒有導通的第一電流開關104的實例可以被觸發並獨立地開始傳導電流。
[0019]這種操作模式有利地提供第二電流開關106的更均衡傳導，並通過第二電流開關106的任意單個實例阻止電流聚集。因此，裝置100提供高電流容量，並提供免受持續ESD事件的影響。
[0020]圖2示出另一個示例雙向ESD保護方法，該方法使用MOS電晶體作為電流開關。保護裝置200包括多個並聯開關支線202。每個開關支線202包括第一電流開關204，在此例子中是η-溝道MOS電晶體204。每個開關支線202還包括第二電流開關206，在此例子中是η-溝道MOS電晶體206，其以背對背配置串聯連接到相應的第一電流開關204。
[0021 ] 每個第一電流開關204具有第一電流供給節點208,該電流供給節點208是η_溝道MOS電晶體204的源極節點208，和第一電流集取節點210，其是η-溝道MOS電晶體204的漏極節點210。第一電流開關204的每個第一電流供給節點208耦合至裝置200的第一端子212。類似地，每個第二電流開關206具有第二電流供給節點214，該電流供給節點214是η-溝道MOS電晶體206的源極節點214，和第二電流集取節點216，其為η-溝道MOS電晶體206的漏極節點216。第二電流開關206的每個第二電流供給節點214耦合至裝置200的第二端子218，第二端子218在此例子中是包括裝置200的集成電路的接地節點。
[0022]第一電流開關204的每個第一電流集取節點210耦合至在同一併聯開關支線202中的第二電流開關206的相應的第二電流集取節點216，提供背對背配置。第一電流開關204的每個第一電流集取節點210與第一電流開關204的任何其他第一電流集取節點210沒有電耦合，並且第二電流開關206的每個第二電流集取節點216與第二電流開關206的任何其他第二電流集取節點216沒有電耦合。在此例子中，第一電流開關204由第一觸發器組件220觸發，該組件220連接到第一電流開關204的η-溝道MOS電晶體204的柵極節點的所有實例。如圖2所示，第一觸發器組件220可以包括穩壓二極體和一個或更多個前向偏置以及反向偏置信號二極體，以向第一電流開關204的柵極節點提供期望的觸發電平。類似地，在此例子中，第二電流開關206由第二觸發器組件222觸發，該組件222連接到第二電流開關206的η-溝道MOS電晶體206的柵極節點的所有實例。第二觸發器組件222可以具有類似於第一觸發器組件220的結構，並且可以被配置為在與第一觸發器組件220不同的電壓上觸發。其他觸發配置(例如電阻器網絡)在目前所述例子的範圍內。
[0023]在集成電路操作期間，在正極性ESD事件時，裝置200使得第二觸發器組件222向第二電流開關206的η-溝道MOS電晶體206的柵極節點施加導通狀態偏置。第二電流開關206中的其中一個首先開啟並開始傳導電流。同一開關支線202中的相應的第一電流開關204給導通的第二電流開關206提供鎮流器。隨著導通的第二電流開關206傳導電流，與沒有導通的第二電流開關206的實例兩端的壓降相比，導通的第二電流開關206兩端的壓降下降。因為第二電流開關206的每個第二電流集取節點216與第二電流開關206的任何其他第二電流集取節點216沒有電耦合，導通的第二電流開關206兩端下降的壓降不會降低沒有導通的第二電流開關206兩端的壓降，因此沒有導通的第二電流開關206的實例可以開啟並獨立地開始傳導電流。類似地，在負極性ESD事件時，運用雙向ESD保護裝置300，細節上經過必要的修改，其具備和正極性ESD事件時相同的優點，提供高電流容量並提供免受持續ESD事件的影響。
[0024]圖3描述另一個示例性雙向ESD保護裝置300，其具有雙極型電晶體作為電流開關。裝置300包括多個並聯開關支線302。每個開關支線包括第一電流開關304，在目前所述例子中，電流開關304是NPN雙極電晶體304。每個開關支線302還包括第二電流開關306，在目前所述的例子中，是NPN雙極電晶體306，其以背對背配置串聯連接到對應的第一電流開關304。
[0025]每個第一電流開關304具有第一電流供給節點308，該電流供給節點308是NPN雙極電晶體304的發射極節點308，和第一電流集取節點310，其為NPN雙極電晶體304的集電極節點310。第一電流開關304的每個第一電流供給節點308耦合至裝置300的第一端子312。類似地，每個第二電流開關306具有第二電流供給節點314，該電流供給節點314是NPN雙極電晶體306的發射極節點314，和第二電流集取節點316，其為NPN雙極電晶體306的集電極節點316。第二電流開關306的每個第二電流供給節點314耦合至裝置300的第二端子318，所述第二端子318可以是包含結構300的集成電路的接地節點。
[0026]第一電流開關304的每個第一電流集取節點310耦合至同一併聯開關支線302中的第二電流開關306的相應的第二電流集取節點316，提供背對背配置。第一電流開關304的每個第一電流集取節點310與第一電流開關304的任何其他第一電流集取節點310沒有電耦合，並且第二電流開關306的每個第二電流集取節點316與第二電流開關306的任何其他第二電流集取節點316沒有電耦合。第一電流開關304和第二電流開關306可以由一個或更多個觸發器組件開啟。如圖3所述，第一電流開關304和第二電流開關306的每個實例可以具有單獨的觸發器組件320。其他觸發器配置在目前所述例子的範圍內。
[0027]在集成電路操作期間，在正極性ESD事件和負極性ESD事件時，保護裝置300被運用(細節上經過必要的修改)，具有參照圖1和2所述的相同優點，提供高電流容量並提供免受持續ESD事件的影響。
[0028]圖4A-4C示出含有示例雙向ESD保護電路的集成電路的製造步驟。圖4A示出在包括半導體材料的襯底426上形成集成電路424。雙向ESD保護裝置400與包括多個並聯開關支線402的集成電路合併。每個開關支線402包括第一電流開關404和第二電流開關406。
[0029]每個第一電流開關404具有第一電流供給節點408和第一電流集取節點410。類似地，每個第二電流開關406具有第二電流供給節點414和第二電流集取節點416。
[0030]圖4B示出在集成電路424上形成觸點428。觸點428與第一電流開關404的第一電流供給節點408和第一電流集取節點410電連接，以及與第二電流開關406的第二電流供給節點414和第二電流集取節點416電連接。
[0031]觸點428可以通過介電層(例如二氧化矽和氮化矽的預金屬電介質(PMD)層)形成。觸點428可以通過以下步驟形成:使用反應離子刻蝕(RIE)工藝刻蝕通過PMD層的接觸孔、分別使用濺射工藝和原子層沉積(ALD)工藝形成鈦和氮化鈦襯墊、使用化學氣相沉積(CVD)工藝在襯墊上形成鎢層以填充接觸孔以及使用回蝕或化學機械拋光(CMP)工藝去除PMD層的頂表面上的鎢和襯墊。
[0032]圖4C示出在觸點428上形成的金屬互連件。金屬互連件的第一互連件430通過觸點428與第一電流開關404的第一電流供給節點408電接觸。第一互連件430電耦合至ESD保護裝置400的第一端子。
[0033]金屬互連件的第二互連件432通過觸點428與第二電流開關406的第二電流供給節點414電接觸。第二互連件432電耦合至裝置400的第二端子。
[0034]金屬互連件的多個電流集取互連件434電連接到第一電流開關404的第一電流集取節點410和第二電流開關406的第二電流集取節點416，以便每個開關支線402中的第一電流開關404的第一電流集取節點410電耦合至同一開關支線402中的第二電流開關406的第二電流集取節點416。每個電流集取互連件434與不同開關支線402中的電流集取互連件434的實例沒有電連接。
[0035]金屬互連件可以使用鋁金屬化工藝形成，通過:在觸點和PMD層上形成粘附金屬層(例如鈦鎢或氮化鈦)、在粘附金屬層上形成濺射鋁層(例如具有小量百分比的鈦、銅和/或矽的鋁)、以及在濺射鋁層上形成防反射金屬層(如氮化鈦)。蝕刻掩模在防反射金屬層上方形成，以覆蓋金屬互連件的區域；蝕刻掩模可以包括光刻工藝形成的光刻膠，或者可包括無機硬掩模材料。RIE工藝去除防反射金屬層，濺射鋁層和粘附金屬層由蝕刻掩模暴露，留下金屬互連件。
[0036]可替代地，金屬互連件可使用銅鑲嵌金屬化工藝(通過在接觸428和PMD層上方形成層間電介質(ILD)層)形成。溝槽在ILD層中蝕刻，通常在50至150納米深，在針對金屬互連件限定的區域中。襯墊金屬層(例如氧化鈦)在溝槽的底部和側面形成，通常通過物理氣相沉積、原子層沉積或化學氣相沉積形成。銅籽晶層通常通過濺射法形成在襯墊金屬上。溝槽隨後用銅填充，通常通過電鍍。銅和襯墊金屬通過CMP及蝕刻工藝從ILD層的頂表面上去除，留下金屬互連件。
[0037]金屬互連件的附加層可以形成在第一互連件430、第二互連件432和/或電流集取互連件434上方，以減小雙向ESD保護裝置400的電阻，從而第一電流開關404的每個第一電流集取節點410與第一電流開關404的任何其他第一電流集取節點410沒有電耦合，以及第二電流開關406的每個第二電流集取節點416與第二電流開關406的任何其他第二電流集取節點416沒有電耦合。
[0038]圖5示出包含示例雙向ESD保護裝置的集成電路，其中，第一電流開關和第二電流開關是SCR。集成電路524形成在包括半導體材料的襯底526上。圖5通過開關支線502中的第一電流開關504(為SCR 504)示出裝置500的剖面圖。所述開關支線502的第二電流開關以類似工藝順序形成。
[0039]η-型掩埋層536在襯底中526形成，例如，通過注入η_型摻雜物到襯底526的現有頂部區域中，接著通過熱驅動和外延生長工藝在掩埋層536上方形成半導體材料的外延層538 ;掩埋層536延伸到外延層538中。襯底526包括掩埋層536和外延層。深η-型阱540形成在掩埋層536上方的襯底中，例如通過離子注入η-型摻雜物並隨後執行熱驅動操作。
[0040]第一電流開關504的第一電流供給節點508，是SCR 504的陽極，包括形成在深η-型阱540中的淺η-型阱542、形成在淺η-型阱542中的η-型本體接觸區域544和形成在淺η-型阱542中、與η-型本體接觸區域544相鄰的ρ-型陽極接觸區域546。
[0041]第一電流開關504的第一電流集取節點510 (是SCR 504的陰極510)包括形成在深η-型阱540中的淺ρ-型阱548、淺ρ-型阱548中形成的η-型陰極接觸區域550和形成在淺P-型阱548中、與η-型陰極接觸區域550相鄰的ρ-型本體接觸區域552。
[0042]場氧化物554可形成在襯底526的頂表面處，以抑制從陽極508到柵極510的洩漏路徑。柵極556形成在襯底526上方，與深η-型阱540和淺ρ-型阱548重疊；可以偏置柵極556以觸發SCR 504。
[0043]觸點528和金屬互連件形成在襯底526上方。金屬互連件的第一互連件530通過觸點528與SCR 504的陽極508電接觸。第一互連件530電耦合至雙向ESD保護裝置500的第一端子。金屬互連件的電流集取互連件534與SCR 504的陰極510電連接並與相同開關支線502中的第二電流開關的第二電流集取節點電連接。集取互連件534與不同開關支線中的電流集取互連件的其他實例沒有電連接。
[0044]圖6示出含有示例雙向ESD保護裝置的集成電路，其中，第一電流開關和第二電流開關是η-溝道漏極擴展MOS電晶體。在包含半導體材料的襯底中和上形成集成電路624。圖6示出截取通過第一電流開關604 (在開關支線602中，為漏極擴展MOS電晶體604)形成的裝置600的橫截面。開關支線602的第二電流開關可以通過類似工藝順序形成。
[0045]例如，參考圖5的描述，η-型掩埋層636形成在襯底626中，以及深η_型阱640形成在掩埋層636上方的襯底上中。第一電流開關604的第一電流供給節點608 (是MOS電晶體604的源極節點608)包括形成在深η-型阱640中的淺ρ-型阱648和形成在淺ρ-型阱648中的η-型源極區域650。
[0046]第一電流開關604的第一電流集取節點610 (是MOS電晶體604的漏極節點610)包括形成在深η-型阱640中的淺η-型阱642、淺η-型阱642和淺ρ-型阱648之間的深η-型阱640的一部分以及淺η-型阱642中的η-型漏極接觸區域652。
[0047]場氧化物654可形成在襯底626的頂表面處以抑制從η_型漏極接觸區域652到η-型源極區域650的洩漏路徑。柵極656形成在襯底626上方，與深η-型阱640和淺ρ-型阱648重疊；可以偏置柵極656以觸發MOS電晶體604。
[0048]觸點628和金屬互連件形成在襯底626上方。金屬互連件的第一互連件630通過觸點628與MOS電晶體604的源極節點608電接觸。第一互連件630電耦合到雙向ESD保護裝置600的第一端子。金屬互連件的電流集取互連件634與MOS電晶體604的漏極節點610電連接並與同一開關支線602中的第二電流開關的第二電流集取節點電連接。電流集取互連件634與不同開關支線中的電流集取互連件的其他實例沒有電連接。
[0049]圖7示出含有示例雙向ESD保護裝置的集成電路，其中，第一電流開關和第二電流開關是NPN雙極電晶體。在包含半導體材料的襯底中和上形成集成電路724。圖7示出通過截取第一電流開關704 (其為開關支線702中的NPN雙極型電晶體704)形成的橫截面。開關支線702的第二電流開關可以通過類似工藝順序形成。
[0050]例如，參考圖5所描述的，η-型掩埋層736形成在襯底726中。深η_型沉陷槽(sinker) 758形成在襯底726中，從而電連接到掩埋層736 ;深η-型沉陷槽758可以通過，例如，向襯底726的頂部區域中注入η-型摻雜物之後熱驅動來形成。例如參照圖5所描述的，深η-型阱740形成在掩埋層736上方的襯底中。淺ρ_型阱748 (其提供雙極型電晶體704的基極區域)形成在深η-型阱740中。
[0051]第一電流開關704的第一電流供給節點708 (其為雙極電晶體704的發射極節點708)包括形成在淺P-型阱748中的η-型發射極區域750。
[0052]第一電流開關704的第一電流集取節點710 (其為雙極電晶體704的集電極節點710)包括形成在深η-型沉陷槽758上方的淺η-型阱742和形成在淺η-型阱742中的η-型集電極接觸區域752。
[0053]場氧化物754可形成在襯底726的頂表面處，以抑制從η_型漏極集電極區域752到η-型發射極區域750的洩露路徑。觸點728和金屬互連件形成在襯底726上方。金屬互連件的第一互連件730通過觸點728與雙極型電晶體704的發射極節點708電連接。第一互連件730電耦合到雙向ESD保護裝置700的第一端子。金屬互連件的電流集取互連件734與雙極型電晶體704的集電極節點710電連接並與同一開關支線702中的第二電流開關的第二電流集取節點電連接。集取互連件734與不同開關支線中的其他電流集取互連件的實例沒有電連接。
[0054]本領域技術人員應當理解，對所描述的示例性實施例所做的修改，以及很多其他可能的實施例，都在本發明的保護範圍之內。
【權利要求】
1.一種集成電路，包括: 襯底； 靜電放電保護電路，即ESD保護電路，其包括: 第一端子； 第二端子；以及 多個並聯開關支線，每個所述開關支線包括: 第一電流開關，其包括第一電流供給節點和第一電流集取節點，所述第一電流供給節點電耦合至所述第一端子，所述第一電流集取節點與所述開關支線的其他實例中的所述第一電流集取節點的任何其他實例沒有電耦合；和 第二電流開關，其包括第二電流供給節點和第二電流集取節點，所述第二電流供給節點電耦合至所述第二端子，並且所述第二電流集取節點耦合至所述開關支線的相同實例的所述第一電流第一電流集取節點，所述第二電流集取節點與所述開關支線的其他實例中的所述第二電流集取節點的任何其他實例沒有電耦合。
2.根據權利要求1所述的電路，其中所述第一和第二電流開關是第一和第二可控矽整流器，即SCR ;所述第一和第二電流供給節點是所述第一和第二 SCR的陽極；以及所述第一和第二電流集取節點是所述第一和第二 SCR的陰極。
3.根據權利要求2所述的電路，其中所述第一和第二電流開關是第一和第二金屬氧化物半導體電晶體，即MOS電晶體；所述第一和第二電流供給節點是所述第一和第二MOS電晶體的源極節點；以及所述第一和第二電流集取節點是所述第一和第二 MOS電晶體的漏極節點。
4.根據權利要求1所述的電路，其中所述第一和第二電流開關是第一和第二雙極電晶體；所述第一和第二電流供給節點是所述第一和第二雙極電晶體的發射極節點；並且所述第一和第二電流集取節點是所述第一和第二雙極電晶體的集電極節點。
5.根據權利要求1所述的電路，其中所述第二端子電耦合至所述集成電路的接地節點。
6.根據權利要求1所述的電路，其中所述第二電流開關被配置為當所述第一端子上的電勢相對於所述第二端子升高到高於30伏時觸發；以及所述第一電流開關被配置為當所述第一端子上的所述電勢相對於所述第二端子降低到低於30伏時觸發。
7.根據權利要求1所述的電路，其中所述第二電流開關被配置為當所述第一端子上的電勢相對於所述第二端子升高到高於第一電壓幅值時觸發；並且所述第一電流開關被配置為當所述第一端子上的電勢相對於所述第二端子降低到低於第二電壓幅值時觸發，所述第二電壓幅值在所述第一電壓幅值的5伏內。
8.根據權利要求1所述的電路，其中所述第二電流開關被配置為當所述第一端子上的電勢相對於所述第二端子升高到高於第一電壓幅值時觸發；以及所述第一電流開關被配置為當所述第一端子上的電勢相對於所述第二端子降低到低於第二電壓幅值時觸發，以使所述第二電壓幅值與所述第一電壓幅值相差至少10伏。
9.根據權利要求1所述的電路，其中所述第一電流開關被配置為單獨由每個所述開關支線中的單個觸發器組件觸發。
10.根據權利要求1所述的電路，其中所述第一電流開關被配置為由連接到每個所述第一電流開關的公共觸發器組件觸發。
11.一種形成集成電路的方法，包括以下步驟: 提供包括半導體材料的襯底； 通過包括如下步驟的工藝同時形成ESD保護組件的多個開關支線: 形成每個所述開關支線的第一電流開關的第一電流供給節點； 形成每個所述開關支線的所述第一電流開關的第一電流集取節點； 形成每個所述開關支線的第二電流開關的第二電流供給節點； 形成每個所述開關支線的所述第二電流開關的第二電流集取節點； 形成第一互連件，所述第一互連件將所述第一電流供給節點電耦合至所述ESD保護組件的第一端子； 形成第二互連件，所述第二互連件將所述第二電流供給節點電耦合至所述ESD保護組件的第二端子； 形成多個電流集取互連件，所述電流集取互連件將所述第一電流集取節點的每個實例電耦合至所述開關支線的相同實例的第二電流第一電流集取節點的實例，所述第二電流集取節點的每個實例與所述開關支線的其他實例中的所述第二電流集取節點的任何其他實例沒有電耦合，以及所述第一電流集取節點的每個實例與所述開關支線的其他實例中的第一電流集取節點的任何其他實例沒有電耦合。
【文檔編號】H01L21/77GK104335348SQ201380028342
【公開日】2015年2月4日 申請日期:2013年5月30日 優先權日:2012年5月30日
【發明者】A·A·薩爾曼, F·法比茲, A·M·康坎農, G·博塞利 申請人:德克薩斯儀器股份有限公司