線路板的製造方法及用該製造方法製造的線路板與流程
2023-12-02 17:40:56
本發明涉及一種線路板(wiringboard)的製造方法及用該製造方法製造出線路板，特別涉及一種能夠防止鍍層金屬析出到溝道外的線路板的製造方法及線路板。
背景技術：
：伴隨著電子產業的飛速發展，對線路板的高密度化、高性能化的要求越來越高，對線路板的需求在不斷增加。特別是，伴隨著手機、筆記本電腦、相機等最新數字設備的小型化和薄型化，而越來越需要線路板上的導電圖形高密度化和細微化。而且，越來越需要以較高的頻率連接安裝在線路板上的部件，越來越需要有利於處理高速信號的高可靠性線路板。現在，安裝技術中有半加成法(semiadditivemethod)和全加成法(fully-additivemethod)。一般情況下，積層(buildup)製法中的半加成法是這樣的一種方法：例如，對絕緣基材進行化學鍍銅處理後而形成底層，用抗蝕劑形成電路圖形以後，再通過電解鍍銅形成銅電路。但是，半加成法存在以下三個問題：第一、進行電鍍處理時電流的流動狀態會受已形成的銅電路的疏密度、基板形狀等的影響而發生變化，因此缺點是鍍銅層的厚度(銅電路的高度)會出現差異；第二、伴隨著電路的細微化(使線路本身更窄，使線路間的空間更窄)，在形成抗蝕劑之際就容易產生位置偏離、顯影不良等，其結果是存在容易發生斷線、電路短路等問題；第三、電解鍍銅處理結束以後，需要進行蝕刻來將化學鍍處理所產生的金屬銅且形成為電解鍍銅的通電用底層除去，故存在必要的電路部分由於該蝕刻工序而斷線或者電路由於蝕刻不足而短路等問題。在全加成法下，在將催化劑供給已形成有盲孔(blindvia)的基材以後，用抗蝕劑形成電路圖形，僅利用化學鍍銅處理形成銅電路。但是，該現有的全加成法存在以下問題：第一、伴隨著電路的細微化，在形成抗蝕劑之際容易發生位置偏移、顯影不良等問題，因此而容易產生斷線、電路短路等問題；第二、雖然在該全加成法下催化劑會殘留於抗蝕劑下面，但是伴隨著電路的細微化，電路間的絕緣性會下降，有時候甚至會出現短路。於是，為解決上述現有技術中的問題而提出了利用雷射等在基板表面上形成溝道和導通孔，再對該溝道和導通孔進行化學鍍銅的方法。更具體而言，例如專利文獻1中公開了一種線路板的製造方法，即：使用含有銅離子及其絡合劑、還原劑的化學鍍銅液，對具有細微圖形的基板表面進行鍍覆處理，讓含氧氣體的氣泡分散到鍍液中，而且在該方法下，能夠控制該鍍覆反應何時停止，並且還能夠防止鍍層金屬的異常析出。例如專利文獻2中公開了以下內容：從鍍槽內部空間的下方將由很多氣泡形成的氣泡流供向鍍槽內的印製線路板，利用設在鍍槽內的溢流壩(overflowdam)讓鍍液沿外部循環流路循環，將空氣吹進供鍍液從外部循環流路返回鍍槽的返回循環流路內，產生微小的氣泡，增加化學鍍槽內的鍍液中的溶解氧量。在該方法下，形成在印製線路板上的鍍膜的伸展率良好，也很少會產生結瘤(nodules)等，因此能夠進行良好的化學鍍銅。現有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本公開特許公報特開平7-154056號公報專利文獻2：日本公開特許公報特開平6-97632號公報技術實現要素：發明所要解決的問題但是，在上述專利文獻1所公開的方法中，鍍液中的氣泡朝著循環系噴出口集中，而且，氣泡直徑較大，10mm。氣泡在鍍液中上升之際，氣泡會彼此結合而增大，結果是不能均勻分散。因此，氣泡不會遍布基板表面，結果會出現以下問題：鍍銅析出在形成到印製線路板上的溝道外或導通孔外而導致電路短路。在上述專利文獻2所公開的方法中，因為所產生的氣泡的直徑較大(0.5mm)，而且鍍槽內鍍液的流動較弱，所以氣泡會在鍍槽的上方彼此接觸，而不會均勻地分布在基板表面上。結果會出現以下問題：鍍銅析出在形成在印製線路板上的溝道外或導通孔外而導致電路短路。因此，本發明正是為解決上述問題而完成的。其目的在於：提供一種能夠防止鍍銅析出在溝道外或導通孔外的線路板的製造方法以及用該製造方法製造出的線路板。用於解決問題的方案為達成上述目的，本發明是一種線路板的製造方法，在將形成有導通孔和溝道二者中至少一方的被處理基板浸漬在以下化學鍍液中的狀態下，對被處理基板進行化學鍍，由此將金屬埋入導通孔和溝道二者中至少一方內。該線路板的製造方法至少包括以下工序：將化學鍍液供向被處理基板的下方的工序、讓含氧氣體往已供到被處理基板下方的化學鍍液內擴散的工序以及讓鍍液從被處理基板的上方溢出來的工序。化學鍍液：至少含有水溶性金屬鹽、還原劑和絡合劑，並且含有整平劑(leveler)，該整平劑由用以下通式(I)到(V)中之任一個通式表示的至少一種硫系有機化合物構成，R1－(S)n－R2(I)R1－L1－(S)n－R2(II)R1－L1－(S)n－L2－R2(III)R1－(S)n－L3(IV)R1－L1－(S)n－L3(V)其中，在通式(I)到(V)中，n表示1以上的整數；R1、R2表示脂族環狀基或芳香族環狀基，其含有任意數量的碳原子、氧原子、磷原子、硫原子、氮原子，且所述碳原子、氧原子、磷原子、硫原子、氮原子彼此獨立，R1、R2或者表示任意一種以上的取代基有一個以上與該環狀基鍵合而形成的環狀基；L1、L2表示由分別獨立的直鏈或支鏈烷基、烷基氨基、亞烷基、烷氧基組成的基團組中的任一種基團；L3表示烷基、亞烷基、氨基、烷基氨基、亞烷基氨基、羥基、烷基羥基、亞烷基羥基、羧基、烷基羧基、亞烷基羧基、烷基氨基羧基、亞烷基氨基羧基、硝基、烷基硝基、腈基、烷基腈基、醯胺基、烷基醯胺基、羰基、烷基羰基、磺酸基、烷基磺酸基、膦酸基、烷基膦酸基、硫烷基、亞磺醯基、硫代羰基組成的基團組中的任一種基團。根據該構成方式，因為在鍍浴中鍍液產生更強的上升液流，所以鍍液中的氣泡會遍布被處理基板的整個表面，被處理基板表面的溶解氧量會增多。其結果是，鍍浴內變成氧化環境，從而能夠防止鍍銅異常地析出在被處理基板的溝道外或導通孔外。其結果是，能夠防止發生以下不良現象：鍍銅的異常析出引起斷線或形成在線路板上的導體電路短路等。發明效果根據本發明，能夠防止發生以下不良現象：鍍銅的異常析出引起斷線或形成在線路板上的導體電路短路等。附圖說明圖1是剖視圖,示出本發明的第一實施方式所涉及的印製線路板(printedwiringboard)。圖2示出本發明的第一實施方式所涉及的化學鍍裝置。圖3是剖視圖，用於說明本發明的第一實施方式所涉及的印製線路板的製造方法。圖4是剖視圖，用於說明本發明的第一實施方式所涉及的印製線路板的製造方法。圖5示出本發明的第二實施方式所涉及的化學鍍裝置。圖6是實施例1中的聚合物微粒的金屬顯微鏡照片。圖7是比較例2中的聚合物微粒的金屬顯微鏡照片。具體實施方式下面,參照附圖詳細地說明本發明的實施方式。需要說明的是,本發明並不限於以下實施方式。(第一實施方式)圖1是剖視圖,示出本發明的第一實施方式所涉及的印製線路板。如圖1所示,本實施方式的印製線路板1包括第一樹脂層2、導體電路3、第二樹脂層4、導通孔5和溝道6、以及金屬層7。其中，該導體電路3形成在第一樹脂層2上；該第二樹脂層4形成在第一樹脂層2上，覆蓋導體電路3；該導通孔5和溝道6形成在第二樹脂層4上；該金屬層7形成在導通孔5和溝道6中。第一樹脂層2發揮著印製線路板1的底基板(basesubstrate)的作用，由具有電絕緣性的樹脂材料形成。形成第一樹脂層2的材料例如有：環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、雙馬來醯亞胺三嗪樹脂、聚苯醚樹脂、液晶聚合物、聚醚醚酮樹脂、聚醚亞醯胺樹脂、聚醚磺樹脂等。第一樹脂層2還可以使用由以下樹脂複合材料製成的板材等，讓環氧樹脂等熱固化性樹脂浸漬於連續多孔聚四氟乙烯樹脂等呈三維網眼狀的氟系樹脂基材中，即形成該樹脂複合材料。導體電路3是形成印製線路板1的導電圖形的金屬電路，貼在第一樹脂層2上而導體電路3，或者通過對第一樹脂層2施加鍍覆處理而形成導體電路3。導體電路3由例如銅、鋁、鐵、鎳、鉻、鉬等金屬的金屬箔或者這些金屬的合金的合金箔(例如鋁青銅合金、磷青銅合金、黃銅合金等銅合金；不鏽鋼、因瓦合金、鎳合金、錫合金等)形成。需要說明的是，既能夠用這些金屬箔等的一個單層作導體電路3，又能夠用將這些金屬箔等層疊多層後而形成的疊層體作導體電路3。特別是，從提高鍍覆結合力和導電性，降低成本的觀點出發，優選使用銅或銅合金。第二樹脂層4具有保護形成在第一樹脂層2的表面上的導體電路3的作用。能夠使用與形成上述第一樹脂層2一樣的材料作形成該第二樹脂層4的材料。從以下觀點出發，優選使用環氧樹脂形成第一、第二樹脂層2、4。該觀點是：如果使用環氧樹脂，那麼，例如在進行化學鍍處理時，不會溶解出對鍍液有害的有害物質，也不會產生界面剝離等，環氧樹脂對鍍覆處理工序有耐性。而且，如果使用環氧樹脂，還能夠提高第一、第二樹脂層2、4與導體電路3之間的結合力，從而能夠避免在冷熱循環等試驗中產生剝離、龜裂等。利用鍍覆處理(化學鍍處理)將鍍層金屬埋入導通孔5內和溝道6內來形成金屬層7。形成該金屬層7的金屬例如有：銅或鎳等。接著，參照附圖說明本實施方式的化學鍍裝置。圖2示出本發明第一實施方式所涉及的化學鍍裝置。化學鍍裝置10是這樣的一種裝置，通過對基板進行鍍覆處理(化學鍍處理)來將鍍層金屬埋入導通孔5內和溝道6內，由此形成構成印製線路板1的電路的金屬層7。該化學鍍裝置10包括：填充有鍍液20的鍍槽11；將鍍液20供向鍍槽11內的供液部件12；讓含氧氣體(即氣泡)在鍍槽11內往位於被處理基板30下方的鍍液20內擴散的擴散部件13；以及貯存從鍍槽11中溢出來的鍍液20的溢流槽14。鍍槽11是呈近似長方體的容器，在該容器的上表面具有近似矩形的開口11a，在該鍍槽11的內部填充有鍍液20。圖2所示的結構保證做到：在進行鍍覆處理時，整個被處理基板30浸漬於填充到鍍槽11內部的鍍液20中。需要說明的是，圖2所示的結構保證做到：被處理基板30在被設置在鍍槽11上方的夾具21夾住的狀態下整體浸漬在鍍液20中。該夾具21具有框架和夾緊件。該框架比被處理基板30的外形大，該夾緊件設置在框架的上邊和下邊上，用於將被處理基板30的端部夾住，並且連接在能夠沿上下方向和水平方向移動的輸送裝置(未圖示)上。被處理基板30以近似垂直的狀態浸漬在鍍液20中，被處理基板30被夾住而使得被處理基板30的表面和鍍槽11的壁面大致平行。供液部件12設置在鍍槽11內被處理基板30的下方。該供液部件12例如由以下兩根管狀部件構成，該兩根管狀部件中的每根管狀部件上都具有多個噴液孔，每根管狀部件的全長都比被處理基板30在水平方向上的寬度長，將該兩根管狀部件布置在與被處理基板30之間的距離彼此相等的位置處，而且,該兩根管狀部件位於同一高度的水平面上且彼此平行。因此，無論是在被處理基板30的表面還是背面，兩根管狀部件都能夠提高液流的效果。擴散部件13設置在鍍槽11內被處理基板30的下方。如圖2所示，該擴散部件13與上述供液部件12相鄰且連接在用於將含氧氣體供向擴散部件13的氣泵15上。該擴散部件13由例如由多孔陶瓷材料形成的兩根管狀部件構成。將該兩根管狀部件布置在與被處理基板30之間的距離彼此相等的位置處，該兩根管狀部件位於同一高度的水平面上且彼此平行。該兩根管狀部件構成為：能夠將足夠的含氧氣體供到被處理基板30的表面。該構成方式保證做到：當從上述氣泵15往擴散部件13的內部供給含氧氣體時，該含氧氣體會通過由多孔陶瓷材料形成的多孔體往鍍液20內擴散。需要說明的是，擴散部件13長時間承受氣體的壓力，如果用例如氟樹脂等樹脂形成擴散部件，就會存在擴散部件13在鍍液中破損的情況。在本實施方式中，用硬度和耐磨損性比氟樹脂優良的多孔陶瓷材料形成擴散部件13，因此能夠防止擴散部件13在鍍液20中破損。在塵埃等附著在多孔體的孔內的情況下，清洗掉塵埃等，就能夠重複使用擴散部件13。從防止氣泡進入溝道6、導通孔5的內部，並且增加鍍液20中的溶解氧量的觀點出發，優選含氧氣體的氣泡直徑為5-50μm。在本實施方式中，從防止鍍液20伴隨著還原反應的進行而分解，並且在溝道6和導通孔5內可靠地開始進行鍍覆處理的析出反應的觀點出發，優選在開始化學鍍(即，被處理基板30已全部浸漬於鍍液20中)以前的規定時間(例如1到2分鐘)內，擴散部件13不進行擴散處理。既要避免由於鍍液20中的溶解氧量的增加而抑制了鍍層金屬析出在溝道6的內部和導通孔5的內部這樣的不良現象，還要可靠地防止由於鍍液20中的溶解氧量下降，鍍層金屬析出在溝道6外、導通孔5外這樣的不良現象，從以上兩個觀點出發，優選，一分鐘內將0.1-1.0L的含氧氣體供向一立升的鍍液20，即，針對一立升的鍍液20將含氧氣體供向鍍液20的供給速率為0.1-1.0L/分。溢流槽14與鍍槽11相鄰而設。更詳細而言，溢流槽14是夾著鍍槽11上端的開口11a布置在彼此相對的兩側部分(即，俯視時呈近似矩形的鍍槽11的四個側壁中彼此相對的兩個側壁的上端部)。以上構成方式保證做到：填充在鍍槽11內的鍍液20通過形成在鍍槽11上的流出口11b朝著溢流槽14溢出而貯存在溢流槽14內。如圖2所示，化學鍍裝置10包括循環通路16和設置在循環通路16上的泵17、調溫部件18和過濾器19。其中，循環通路16連接在鍍槽11和溢流槽14上，將貯存在溢流槽14內的鍍液引入鍍槽11中。貯存在溢流槽14內的鍍液20通過泵17引向循環通路16，由調溫部件18調節溫度且由過濾器19除去異物等以後，由循環通路16使鍍液20循環而將鍍液20引入鍍槽11內。根據該構成方式，就會在鍍槽11的內部形成鍍液20的強上升液流(即，從鍍槽11的下部朝上部流動的強液流)。需要說明的是，在鍍槽11的下部形成有排出口24，從排出口24排出的鍍液20經連接在上述循環通路16上的排出通路23引導到循環通路16內。與貯存在上述溢流槽14內的鍍液20一樣，該鍍液20由調溫部件18調節了溫度，由過濾器19除去了異物等以後，由循環通路16使該鍍液20循環而被引入鍍槽11內。按照該構成方式，能夠除去累積在鍍槽11底部的異物。舉一例說明本實施方式中的印製線路板的製造方法。圖3、圖4是剖視圖，用以說明本發明第一實施方式的印製線路板的製造方法。需要說明的是，本實施方式的製造方法包括:導體電路形成工序、第二樹脂層形成工序、保護層形成工序、導通孔和溝道形成工序、鍍覆前處理工序、催化劑供給工序、保護層剝離工序以及鍍覆處理工序。首先，例如將例如銅箔(厚度：幾μm到25μm)貼在由環氧樹脂形成的第一樹脂層2的表面上，而在第一樹脂層2的表面上形成銅箔疊層板。接著，利用光刻、絲網印刷等方法將該銅箔疊層板圖形化，而在第一樹脂層2的表面上形成導體電路3，如圖3(a)所示。需要說明的是，上述銅箔疊層板還可以通過對第一樹脂層2進行鍍銅箔處理來形成。接著，例如將環氧樹脂(厚度：20μm-100μm)塗布在第一樹脂層2上以覆蓋導體電路3，再對該環氧樹脂進行加熱、加壓處理(例如溫度：100-300℃、壓力：5-60kg/cm2)，由此而在第一樹脂層2上形成由環氧樹脂形成的第二樹脂層4以覆蓋導體電路3，如圖3(b)所示。需要說明的是，還可以夾著黏合劑層(未圖示)將第二樹脂層4貼在第一樹脂層2上，這樣來層疊上第二樹脂層4。接著，例如將聚醯亞胺樹脂(厚度：0.1μm到10μm)塗布在第二樹脂層4上，之後對該聚醯亞胺樹脂進行加熱處理，由此而在第二樹脂層4上形成由聚醯亞胺樹脂形成的保護層8，如圖3(c)所示。需要說明的是，當將保護層8層疊在第二樹脂層4上之際，可以首先將黏合劑層(未圖示)層疊在第二樹脂層4上，之後再隔著該黏合劑層將保護層8層疊在第二樹脂層4上。在該情況下，黏合劑層可以使用例如由聚醯胺樹脂、聚酯樹脂、聚烯烴樹脂、聚氨酯樹脂等形成的耐熱性黏合薄片等形成，通過加熱該黏合薄片並使其熔化來形成黏合劑層。黏合劑層的熔化條件並無特別的限定，能夠根據形成黏合薄片等的樹脂適當地改變黏合劑層的熔化條件。例如，在30秒到2分鐘這段時間內將黏合薄片加熱到100到190℃左右，就能夠使黏合薄片熔化而形成黏合劑層。在後述的催化劑供給工序中，該保護層8用於使催化劑僅附著在形成在第二樹脂層4上的導通孔5和溝道6內，並防止催化劑附著在第二樹脂層4的表面4a上(參照圖1、圖3(c))。該保護層8由樹脂形成，該樹脂具有絕緣性和彈水性且溶解於在後述的保護層剝離工序中使用的剝離液。形成保護層8的樹脂例如有：聚醯亞胺樹脂、矽樹脂、酚醛樹脂、二甲苯樹脂、不飽和聚酯樹脂、間苯二酸二烯丙酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂等鹼溶性樹脂、丙烯酸樹脂、酚醛樹脂、ABS樹脂、聚異丁烯樹脂等醇溶性樹脂等。優選，保護層8的厚度為0.1μm-10μm。這是因為:如果保護層8的厚度小於0.1μm，在後述的催化劑供給工序中，就會出現以下功能下降的情況，該功能是：使催化劑僅附著在導通孔5和溝道6內，並防止催化劑附著在第二樹脂層4的表面4a上。如果保護層8的厚度大於10μm，形成在保護層8上的溝道6的深度就會變深，因此而會出現難以在溝道寬度較窄的印製線路板1上形成溝道6這樣的情況。接著，如圖3(d)所示，在形成在第二樹脂層4上的保護層8上形成通孔9，並且經該通孔9在層疊有保護層8的第二樹脂層4上形成導通孔5和溝道6。形成該導通孔5、溝道6以及通孔9的方法並無特別的限定，該方法例如有蝕刻處理法、雷射處理法等。從以下三個觀點出發，優選利用雷射處理法形成導通孔5等。以上三個觀點是：要迅速地形成具有細微形狀的導通孔5等；要防止在蝕刻處理中出現曝光、顯影導致位置偏移，顯影不良等這些不良現象；為滿足線路板的小型化與薄型化以及細微化的要求而要形成高可靠性的導電圖形。在利用該雷射處理法形成導通孔5等的情況下，可以使用的雷射例如有：CO2雷射、YAG雷射、準分子雷射等普通雷射。還可以使用氬雷射、氦氖雷射等氣體雷射；藍寶石雷射等固體雷射；染料雷射；半導體雷射；自由電子雷射等。其中，特別是從形成具有更細微的形狀(更細微)的導通孔5等觀點出發，優選使用YAG雷射、準分子雷射等。導通孔5或溝道6的縱橫比、直徑的大小以及深度等都可以根據印製線路板1的種類等進行適當的改變。例如導通孔5的直徑為10μm-200μm；導通孔5的深度為2μm-20μm；溝道6的寬度為1μm-500μm；溝道6的深度為2μm-20μm。接著，對已形成有上述導通孔5和溝道6的基板進行規定的鍍覆前處理。更具體而言，例如在65℃的溫度下將基板浸漬在清洗溶液(酸性溶液或中性溶液)中5分鐘，除去基板表面、導通孔5和溝道6內的塵埃等。通過該清洗處理對導通孔5、溝道6的內部進行清洗，而使在後工序中形成的鍍層膜的結合力等提高。需要說明的是，可以對在導通孔5的底部露出來的導體電路3的表面進行活化處理。使用由例如硫酸、鹽酸濃度為10％的硫酸、鹽酸溶液形成的酸性溶液等，將基板浸漬在該酸性溶液中5到10秒鐘，這樣來進行該活化處理。通過這樣將基板浸漬在該酸性溶液中，就能夠對殘留在活化區域即導體電路3表面的鹼性物質進行中和，而使較薄的氧化膜溶解。接著，如圖4(a)所示，將催化劑22供向第二樹脂層4，並使催化劑22附著在形成在第二樹脂層4上的導通孔5和溝道6內。本工序能夠使用例如含二價鈀離子(Pd2+)的催化劑溶液進行。此時的催化劑溶液，可以使用例如含Pd濃度為100-300mg/l的氯化鈀(PdCl2·2H2O)、Sn濃度為10-20g/l的二氯化錫(SnCl2·2H2O)以及150-250ml/l的鹽酸(HCl)的混合液。按以下所述供給催化劑22。首先，例如在30-40℃的溫度條件下將圖3(d)所示的基板浸漬在催化劑溶液中1到3分鐘，讓基板的表面吸附Pd-Sn膠體。接著，在常溫條件下讓基板浸漬在由50-100ml/l的硫酸或鹽酸形成的促進劑中來將催化劑活化。通過該活化處理，除去絡合物中的錫，Pd-Sn膠體變成鈀吸附微粒，最終作為鈀催化劑來促進化學鍍處理的鍍層金屬析出。需要說明的是，催化劑22可以使用含銅離子(Cu2+)的催化劑溶液。而且，催化劑22還可以使用不含錫的酸性膠體型或鹼性離子型催化劑溶液。上述促進劑可以使用氫氧化鈉溶液、氨水溶液。還可以使用調和液、預浸液進行前處理來強化第二樹脂層4與金屬層7導通孔5和溝道6的結合力。例如還可以採用噴霧方式朝著基板噴射催化劑溶液並讓該催化劑溶液與基板接觸而將催化劑供向基板。接著，如圖4(b)所示，使用剝離液對形成在第二樹脂層4的表面4a上的保護層8進行剝離。更具體而言，將圖4(a)所示的已得到了催化劑22的基板浸漬在剝離液中，讓保護層8溶解於剝離液，由此對形成在第二樹脂層4的表面4a上的保護層8進行剝離。所使用的剝離液能夠根據形成被剝離的保護層8的樹脂種類做適當的改變。例如，在用可溶於上述聚醯亞胺樹脂、矽樹脂等鹼性水溶液的樹脂形成保護層8的情況下，能夠使用氫氧化鈉水溶液、氫氧化鉀水溶液等鹼金屬氫氧化物水溶液作剝離液；在用上述丙烯酸樹脂、酚醛樹脂等可溶於醇溶液的樹脂形成保護層8的情況下，能夠使用異丙醇等醇溶液作剝離液。從防止將附著在導通孔5和溝道6上的催化劑22除去，從而防止在後述鍍覆處理中不析出鍍層金屬的觀點出發，在本工序中採用讓基板(即保護層8)浸漬在剝離液中來對保護層8進行剝離的方法。需要說明的是，保護層8在剝離液中的浸漬時間能夠根據形成保護層8的樹脂、剝離液的濃度等做適當的改變。例如，在使用濃度為0.4mol/l的氫氧化鈉水溶液對由聚醯亞胺樹脂形成的保護層8進行剝離的情況下，能夠將浸漬時間設定在30秒以上120秒以下。就這樣通過根據所使用的剝離液的濃度設定浸漬時間，便能夠可靠地防止將附著在導通孔5和溝道6上的催化劑22除去，並對保護層8進行剝離。需要說明的是，為了使催化劑22僅附著在導通孔5和溝道6內，並防止催化劑22附著在導通孔5外和溝道6外，還可以採用以下方法來取代形成保護層8。即：將遮蔽膠帶(maskingtape)貼在第二樹脂層4上，在催化劑供給工序之後再對該遮蔽膠帶進行剝離。接著，對圖4(b)所示的已得到了催化劑22的基板(即被處理基板30)進行鍍覆處理(化學鍍處理)，將鍍層金屬埋入已附著有催化劑22的導通孔5內和已附著有催化劑22的溝道6內，由此來形成構成印製線路板1的電路的金屬層7。這裡，本工序中使用的化學鍍液以水溶性二價銅(合金)鹽、水溶性鎳(合金)鹽等水溶性金屬鹽為主要成分，還含有一種以上的以下還原劑、以下絡合劑以及作為整平劑的至少一種硫系有機化合物。上述還原劑為甲醛、多聚甲醛、乙醛酸或乙醛酸鹽、次磷酸或次磷酸鹽、二甲胺硼烷等；上述絡合劑為乙二胺四乙酸四鈉、酒石酸鉀鈉等。該化學鍍液含有作為主要成分的水溶性二價銅鹽或水溶性鎳鹽等水溶性金屬鹽。使該化學鍍液含有水溶性二價銅鹽來生成化學鍍銅溶液；使該化學鍍液含有水溶性鎳鹽來生成化學鍍鎳溶液。水溶性二價銅鹽，例如可以使用硫酸銅、氯化銅、硝酸銅、醋酸銅、EDTA銅等。既可以在該化學鍍液中含有至少一種上述水溶性二價銅鹽，還可以在該化學鍍液中以任意的比例含有兩種以上的上述水溶性二價銅鹽。優選，該水溶性二價銅的濃度為0.001mol/L-0.2mol/L。需要說明的是，在作為金屬離子源而含有銅的情況下，便不限於含有水溶性二價銅鹽，可以含有其他金屬鹽來生成化學鍍銅合金的鍍液。水溶性鎳鹽，例如可以使用氯化鎳、硫酸鎳、硝酸鎳、酢酸鎳、次磷酸鎳等有機鎳鹽等。既可以在該化學鍍液中含有至少一種上述水溶性鎳鹽，還可以在該化學鍍液中以任意的比例含有兩種以上的上述水溶性鎳鹽。優選該水溶性鎳鹽的濃度為0.001mol/L-0.2mol/L。需要說明的是，在作為金屬離子源而含有鎳的情況下，便不限於含有水溶性鎳鹽，可以含有其他金屬鹽來生成化學鍍鎳合金的鍍液。還原劑，可以使用甲醛、多聚甲醛、乙醛酸或乙醛酸鹽、次磷酸或次磷酸鹽、二甲胺硼烷等公知還原劑。既可以在該化學鍍液中含有至少一種上述還原劑，還可以在該化學鍍液中以任意的比例含有兩種以上的上述還原劑。優選，該還原劑的濃度為0.01mol/L-0.5mol/L。絡合劑可以使用多胺、多烷醇胺、多氨基多羧酸或多氨基多羧酸鹽、羧酸或羧酸鹽、羥基羧酸或羥基羧酸鹽、胺基酸或胺基酸鹽等。既可以在該化學鍍液中含有至少一種上述絡合物，還可以在該化學鍍液中以任意的比例含有兩種以上的上述絡合物。通過讓化學鍍液中含有該絡合劑，即使是鹼性鍍液，也能夠使上述銅離子、鎳離子等金屬離子穩定地存在於該鹼性鍍液中。更具體而言，多胺例如有：乙二胺、三亞乙基四胺、六亞甲基四胺、五亞乙基六胺等。多烷醇胺例如有：三乙醇胺、二乙醇胺、三異丙醇等。多氨基多羧酸例如有：乙二胺四乙酸(EDTA)、三乙酸乙基三胺五乙酸等或它們的鹽。羧酸例如有：檸檬酸、酒石酸、葡糖酸、蘋果酸等或它們的鹽。胺基酸例如有：甘氨酸、穀氨酸等或它們的鹽。非常適合作本實施方式所涉及的化學鍍液中所含有的絡合劑用的有：乙二胺四乙酸四鈉(EDTA-4Na)、酒石酸鈉鉀(羅謝爾鹽)、羥乙基亞乙基二胺三乙酸三鈉(HEDTA)。優選讓所含有的該絡合劑的濃度為0.01mol/L-1mol/L；優選讓所含有的絡合劑的合計濃度達到水溶性金屬鹽的摩爾量的1-5倍。本實施方式所涉及的化學鍍液的特徵在於：整平劑至少含有一種硫系有機化合物。本實施方式所涉及的化學鍍液中所含有的硫系有機化合物是至少含有以下基團中的一種基團的化合物，該基團為脂族環狀基或芳香族環狀基，其含有任意個數的碳原子、氧原子、磷原子、硫原子、氮原子，所述碳原子、氧原子、磷原子、硫原子、氮原子彼此獨立。該基團或者為任意一種以上的取代基有一個以上與該環狀基鍵合而形成的環狀基。具體而言，本實施方式中含有的硫系有機化合物，是用以下通式(I)到(V)中的任一個通式表示的至少一種化合物。R1－(S)n－R2(I)R1－L1－(S)n－R2(II)R1－L1－(S)n－L2－R2(III)R1－(S)n－L3(IV)R1－L1－(S)n－L3(V)這裡，在通式(I)到(V)中，n表示1以上的整數；R1、R2表示脂族環狀基或芳香族環狀基，其含有任意個數的碳原子、氧原子、磷原子、硫原子、氮原子，且所述碳原子、氧原子、磷原子、硫原子、氮原子互相獨立，R1、R2或者表示任意一種以上的取代基有一個以上與該環狀基鍵合而形成的環狀基；L1、L2表示由分別獨立的直鏈或支鏈烷基、烷基氨基、亞烷基、烷氧基組成的基團組中的任一種基團；L3表示烷基、亞烷基、氨基、烷基氨基、亞烷基氨基、羥基、烷基羥基、亞烷基羥基、羧基、烷基羧基、亞烷基羧基、烷基氨基羧基、亞烷基氨基羧基、硝基、烷基硝基、腈基、烷基腈基、醯胺基、烷基醯胺基、羰基、烷基羰基、磺酸基、烷基磺酸基、膦酸基、烷基膦酸基、硫烷基、亞磺醯基、硫代羰基組成的基團組中的任一種基團。通式(I)到(V)中的R1、R2的取代基例如有：烷基、亞烷基、氨基、烷基氨基、亞烷基、羥基、烷基羥基、烷基羥基、羧基、烷基羧基、亞烷基羧基、烷基羧基、亞烷基氨基羧基、硝基、烷基硝基、腈基、烷基腈基、醯胺基、烷基醯胺基、羰基、烷基羰基、磺酸基、烷基磺酸基、膦酸基、烷基膦酸基、硫烷基、亞磺醯基、硫代羰基等。上述環狀基例如有：苯基、萘基、糠基、吡啶基、噻唑基、苯並噻唑基、嘧啶基、咪唑基、噻吩基等。上述硫系有機化合物並沒有特別的限定，但例如有：2,2』-二吡啶二硫化物、二硫化2,2』-二苯並噻唑基二硫化物、3,3』，5,5』-四氯二硫醚、2,2』-二硫代雙(5-硝基吡啶)、2,2』-二硫代二苯甲酸、2,2』-二硫代雙苯胺、5,5』-二硫代雙(2-硝基苯甲酸)、4,4』-雙(2-氨基-6-甲基嘧啶基)二硫化物、4,4』-二吡啶基硫醚、6,6』-二硫代二煙酸、2,2』-二硫代二水楊酸、二糠基硫醚、雙(6-羥基-2-萘基)二硫化物、糠基甲基二硫化物、雙(2-苯甲醯胺基苯基)二硫化物、雙(3-羥基苯基)二硫化物、二乙基二硫代氨基甲酸2-苯並噻唑、5,5』-硫代二水楊酸、5,5』-二硫代二水楊酸、(4-吡啶基硫代)乙酸、3-(2-苯並噻唑基硫基)丙酸、以及4-(2-苯並噻唑硫基)嗎啉等。特別是，從能夠更好地將金屬埋入溝道或導通孔等內，可使用的濃度範圍寬，難以隨時間的變化，分解物的影響較小等觀點出發，非常合適的硫系有機化合物是其中的2,2』-二吡啶二硫化物、6,6』-二硫化二煙酸、2,2』-二硫代二水楊酸以及雙(6-羥基-2-萘基)二硫化物,。優選，所含有的該硫系有機化合物的濃度範圍為0.001mg/L-500mg/L；更優選為0.05mg/-50mg/L。如果濃度較低，就不能作為整平劑充分地發揮作用；如果濃度過高，則作為整平劑顯現出來的效果就會過強，而會阻止鍍層金屬的析出，而且無論是在基板表面上，還是在溝道或導通孔內，鍍膜的厚度都會非常薄，而無法將足夠的鍍層金屬埋入溝道或導通孔內。其結果是，所形成的印製線路板的缺陷就多。因此，在本實施方式所涉及的化學鍍液中，所含有的硫系有機化合物的優選濃度範圍為0.05mg/L-50mg/L，通過使其所含有硫系有機化合物在該範圍內，就能夠充分地發揮整平劑的效果，並且能夠將鍍層金屬良好地埋入溝道或導通孔內。上述硫系有機化合物中的硫分子與金屬之間具有較強的相互作用，而具有以下性質：如果硫分子與金屬表面接觸，金屬表面就會強烈地吸附硫分子。該硫系有機化合物與金屬離子一起在鍍液中擴散並被供向催化劑中，但是，供向鍍液流動較弱的溝道或導通孔等內的硫系有機化合物的量比供向該基板表面的硫系有機化合物的量少。因此，因為越靠近溝道等的底部，硫系有機化合物的供給量就越少，所以對化學鍍反應的抑制作用變小。其結果是，會有鍍層金屬不斷地沉積在底部(底部強化沉積：bottomupdeposition)，能夠埋入鍍層金屬，且在溝道等的內部不會產生孔隙等缺陷。根據本實施方式所涉及的含有具有環狀基的硫系有機化合物的化學鍍液，能夠長時間地抑制孔隙、接縫等缺陷的產生，能夠良好地將鍍層金屬埋入溝道等內。具體說明的話，例如，在進行化學鍍銅等的過程中，鍍液中所含的還原劑的還原能力隨著pH值上升而升高，故優選將所使用的化學鍍液的pH值設定得較高，pH值為10-14，以使該化學鍍液具有較強的鹼性。如果使用強鹼性鍍液時，硫系有機化合物是現有化學鍍液中所使用的硫系有機化合物，碸基、羧基等電子吸引基會被吸入，故硫醇陰離子穩定，二硫鍵容易被切斷而變成不穩定狀態，產生自我分解，不能長時間地維持穩定狀態。其結果是，長時間都不能抑制孔隙、接縫等缺陷的產生。另一方面，根據本實施方式所涉及的化學鍍液，因為使該化學鍍液含有具有電子供給基即環狀基的硫系有機化合物，所以二硫鍵難以被切斷，在強鹼性條件下也能夠對自我分解反應進行抑制。其結果是，能夠長時間地維持穩定的狀態和性能，並且能夠在不發生孔隙、接縫等缺陷的情況下形成良好的鍍膜。通過讓化學鍍液含有具有吸附性較高的環狀基的硫系有機化合物，鍍液的流速很大程度地取決於整平劑對金屬的析出速率的影響程度，能夠提高作為整平劑的效果。其結果是，就是針對較大的溝道或導通孔，也能夠良好地埋入鍍層金屬，並且不會產生缺陷；還有，就是針對較大的溝道或導通孔，也能夠在不產生缺陷的情況下形成具有無凹凸的平滑表面的鍍膜。在本實施方式所涉及的化學鍍液中，除了能夠含有上述水溶性二價銅鹽或水溶性鎳鹽等金屬離子源、該金屬離子的還原劑、穩定地維持著金屬離子源存在的絡合劑、作為整平劑使用的硫系有機化合物以外，還能夠含有表面活性劑、促進鍍層金屬析出的促進劑等，又能夠含有穩定劑、鍍膜物性改善劑等添加劑。下面，對上述化合物做詳細的說明，本實施方式所涉及的化學鍍液中所含有的化合物並不限於下述列舉出的化合物。表面活性劑可以使用聚氧化烯二醇、烷基醚、聚氧化烯二醇共聚物、聚氧化烯二醇烷基醚共聚物等。需要說明的是，既可以含有至少一種上述表面活性劑，又可以以任意的比例含有兩種以上的上述表面活性劑。優選該表面活性劑的濃度為0.1mg/L-10000mg/L。表面活性劑不僅具有使反應產生的氫氣易於脫離溝道或導通孔的效果，還具有以下效果。也就是說，本實施方式所涉及的化學鍍液中所含有的硫系有機化合物在鍍液中具有分子彼此集聚的傾向，在通過鍍覆處理形成的鍍膜的表面上會產生凹凸等不均勻現象，會在溝道或導通孔等內形成孔隙等空隙，而會導致埋入不良。於是，通過讓鍍液中含有上述列舉出的表面活性劑等，就能夠促進硫系有機化合物分子的分散，從而能夠抑制在溝道等的內部產生孔隙、接縫等缺陷。促進鍍層金屬析出的促進劑，可以使用多胺、多烷醇胺、聚氨基多羧酸或聚氨基多羧酸鹽、氯化物離子、硝酸離子、8-羥基-7-碘-5-喹啉磺酸等。既可以在化學鍍液中含有一種上述促進劑，又可以在化學鍍液中以任意的比例含有兩種以上的上述促進劑。更具體而言，多胺例如有：乙二胺、三亞乙基四胺、六亞甲基四胺、五亞乙基六胺等。多烷醇胺例如有：三乙醇胺、二乙醇胺、三異丙醇等。多氨基多羧酸例如有：乙二胺四乙酸(EDTA)、三乙酸乙基三胺五乙酸等。通過在鍍液中含有上述促進鍍層金屬析出的促進劑，就能夠促進從溝道或導通孔等的底部開始往上好好地沉積鍍層金屬的鍍層金屬生長效果(底部強化沉積效果)，從而能夠以足夠的鍍覆速率有效地形成不存在孔隙、接縫等缺陷的鍍膜。在進行本實施方式所涉及的化學鍍時，能夠讓鍍液20含有穩定劑、鍍膜物性改善劑等添加劑。該穩定劑、鍍膜物性改善劑，既能夠至少含有2,2'-聯吡啶、1,10-菲咯啉等公知化合物中的一種，又能夠以任意的比例含有2,2』-雙吡啶基-1,10-菲咯啉等公知化合物中的兩種以上。可以根據需要讓鍍液20含有表面活化劑、促進鍍層金屬析出的促進劑等；還可以讓鍍液20中含有2,2'-聯吡啶、1,10-菲咯啉等公知穩定劑、鍍膜物性改善劑等添加劑。對鍍覆處理時間並沒有特別的限定，鍍覆處理時間能夠根據導通孔5和溝道6的大小等做適當的改變。例如，讓已得到了催化劑的基板浸漬在鍍液20中30-600分鐘。鍍覆處理溫度只要能夠保證銅離子等金屬離子發生還原反應即可，並無特別的限定。但從效率良好地發生還原反應的觀點出發，優選將鍍液20的溫度設定在20-90℃，更優選設定在50-70℃。鍍液20的pH並無特別的限定，優選將pH設定為10-14。通過這樣將鍍液20的pH設定在高鹼性條件的範圍內，銅離子等金屬離子的還原反應就會有效地進行下去，金屬鍍膜的析出速率就會提高。需要說明的是，為將pH維持在10-14這一範圍內，能夠讓鍍液中含有氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化四甲基銨等pH調節劑。這些pH調節劑用水稀釋後適當地添加在鍍液20中。在進行化學鍍處理之際，優選充分地對鍍液20進行攪拌，將離子充分地供嚮導通孔5和溝道6。鍍液20能夠採用空氣攪拌、泵循環攪拌等攪拌方法。在本實施方式中，通過使用上述化學鍍裝置10進行上述化學鍍處理，形成在導通孔5內的金屬層7就會經該導通孔5與導體電路3連接，並且由形成在溝道6內的金屬層7形成導電圖形，而製造出圖1所示的印製線路板1。此時，在本實施方式中，如上所述，從結構上保證做到：用供液部件12將鍍液20供向被處理基板30的下方，用擴散部件13讓含氧氣體往已供到被處理基板30的下方的鍍液20內擴散；將溢流槽14設置在鍍槽11的上端部，讓鍍槽11內的鍍液20從被處理基板30的上方溢出來。因此，在鍍槽11的內部會產生鍍液20的更強的上升液流，故鍍液20中的氣泡(即含氧氣體)會遍布被處理基板30的整個表面，被處理基板30表面上的溶解氧量會增多。其結果是，因為鍍槽11內部(即鍍浴)變成氧化環境，所以能夠防止鍍層金屬異常地析出在被處理基板30上的溝道6外和導通孔5外。結果是，能夠防止由於鍍層金屬的異常析出而引起的斷線或導體電路3短路等不良現象。因為氣泡難以進入溝道6內和導通孔5內，所以氣泡量少(即，溶解氧量少)，鍍槽11內部(即鍍浴)根據上端就會變成還原環境。因此，因為促進了鍍覆反應，所以將鍍層金屬埋入溝道6內和導通孔5內的鍍層金屬埋入性良好。(第二實施方式)接下來，說明本發明的第二實施方式。需要說明的是，用同一符號表示與上述第一實施方式一樣的構成部分，省略說明。因為線路板的製造方法與上述第一實施方式相同，所以這裡省略詳細說明。圖5示出本發明的第二實施方式所涉及的化學鍍裝置。如圖5所示，本實施方式中的化學鍍裝置40的特徵在於：設置有用於對鍍槽11內的鍍液20的流動情況進行調節的整流部件41。如圖5所示，該整流部件41設置在鍍槽11內擴散部件13和供液部件12之間，該擴散部件13設置在被處理基板30的下方；該供液部件12設置在鍍槽11的底部。即，在本實施方式中，按從鍍槽11的下方朝向上方的順序依次布置有供液部件12、整流部件41、擴散部件13以及被處理基板30。而且，供液部件12由水平布置的一根管狀部件構成。該整流部件41例如可以使用形成有供鍍液20通過的很多孔的板狀體。在本實施方式中，設定整流部件41的水平面41a的大小，以保證利用該整流部件41就能夠毫無間隙地將鍍槽11的內部空間隔開。在本實施方式中，通過設置上述整流部件41，能夠使鍍槽11內部各處鍍液20的流量、流速一致。因此，鍍液20中的氣泡會更好地遍布被處理基板30的整個表面，被處理基板30表面的溶解氧量會進一步增多。其結果是，能夠可靠地防止鍍層金屬異常地析出在被處理基板30的溝道6外和導通孔5外。通過設置整流部件41就能夠使鍍槽11內部各處鍍液20的流量、流速都一致，故能夠使鍍液20的壓力均勻化。結果是，能夠防止被處理基板30在鍍液20的壓力較高的區域擺動而損壞。需要說明的是，在本實施方式中，與鍍槽11一樣，溢流槽14是近似長方體的容器，在其上表面具有近似矩形的開口14a，整個鍍槽11裝在溢流槽14的內部。而且，在本實施方式中，在鍍槽11上未形成有在上述第一實施方式中說明的流出口11b，鍍液20經鍍槽11的開口朝著溢流槽14溢出來，並貯存在溢流槽14內。如圖5所示，擴散部件13由四根管狀部件構成。其中，每根管狀部件都由多孔陶瓷材料形成。該四根管狀部件位於同一高度的水平面上且彼此平行，能夠將足夠的含氧氣體供到多個被處理基板30的表面。在本實施方式中，設置有支承部件42來取代上述夾具21，多個被處理基板30以被該支承部件42支承著的狀態裝在該支承部件42內。如圖5所示，例如該支承部件42是近似長方體的容器，其具有內部空間，能夠將五個被處理基板30以近似垂直的狀態裝在該內部空間內。該支承部件42具有供各被處理基板30插入其中的導槽(未圖示)。各被處理基板30以彼此大致平行的狀態由支承部件42支承。需要說明的是，支承部件42連接在運送裝置(未圖示)上，在鍍槽11內外能夠沿上下方向和水平方向移動。實施例下面，根據實施例說明本發明。需要說明的是，本發明並不限於下述實施例，能夠根據本發明的主旨讓下述實施例變形或者改變下述實施例，這些變形和改變都落在本發明的保護範圍內。(實施例1)將普通的絕緣樹脂(AjinomotoFine-TechnoCo.,Inc.製造，商品名：ABF－GX13)層疊在基板上，並用抗蝕劑(保護層)覆蓋已層疊有該絕緣樹脂的基板的表面，之後用形成導通孔時使用的雷射加工機(HitachiViaMechanics,Ltd.製造，商品名：LC－L)連同抗蝕劑一起加工，而形成了寬度10μm、深度10μm的溝道(電路)。接下來，利用催化劑供給工序(Uyemura&Co.,Ltd.製造，through-cupprocess用清潔劑調節器ACL-009、預浸漬PED-104、催化劑AT-105、加速器AL-106)供給催化劑(種子層)，用氫氧化鈉水溶液將抗蝕劑剝離了下來。之後，用第一實施方式中的化學鍍裝置和調製好的具有以下組分的化學鍍銅液，用供液部件供給鍍液，並且邊讓含氧氣體擴散邊在70℃的溫度條件下進行了2小時的化學鍍處理。需要說明的是，一分鐘內將0.2L的含氧氣體供向一立升的鍍液，即讓含氧氣體以0.2L/分的供給速率進行了擴散。在開始化學鍍以前的2分鐘內，讓含氧氣體停止了擴散。進行完鍍覆處理後，用金屬顯微鏡觀察了溝道的斷面，觀察了鍍層金屬有沒有析出在溝道外，還觀察了金屬層在溝道內的填充性(埋入性)。需要說明的是，針對金屬層在溝道內的填充性而言，將在所觀察的斷面上沒有確認到孔隙、接縫的情況定為良好。以上結果示於表1，並且所得到的金屬顯微鏡照片示於圖6。＜化學鍍銅液組成(實施例1)＞硫酸銅：0.04mol/LEDTA：0.1mol/L氫氧化鈉：4g/L甲醛：4g/L2,2』-聯吡啶：2mg/l聚乙二醇(分子量1000)：1000mg/l2,2』-二吡啶基二硫化物：5mg/l(實施例2)將普通的絕緣樹脂(AjinomotoFine-TechnoCo.,Inc.製造，商品名：ABF－GX13)層疊在基板上，並將遮蔽膠帶(保護層)貼在該基板上，之後用形成導通孔時使用的雷射加工機(HitachiViaMechanics,Ltd.製造，商品名：LC－L)連同遮蔽膠帶一起加工，而形成了寬度10μm、深度10μm的溝道(電路)。接下來，利用催化劑供給工序(Uyemura&Co.,Ltd.製造，through-cupprocess用清潔劑調節器ACL-009、預浸漬PED-104、催化劑AT-105、加速器AL-106)供給催化劑(種子層)，將遮蔽膠帶剝離了下來。之後，用第二實施方式中的化學鍍裝置和在實施例1中使用的化學鍍銅液，用供液部件供給鍍液，並且邊讓含氧氣體擴散邊在70℃的溫度條件下進行了2小時的化學鍍處理。需要說明的是，需要說明的是，一分鐘內將0.6L的含氧氣體供向一立升的鍍液，即，讓含氧氣體以0.6/分的供給速率進行了擴散。在開始化學鍍以前的2分鐘內，讓含氧氣體停止了擴散。進行完鍍覆處理後，用金屬顯微鏡觀察溝道的斷面，觀察了鍍層金屬有沒有析出在溝道外，還觀察了金屬層在溝道內的填充性(埋入性)。以上結果示於表1。(實施例3)除了在一分鐘內將0.9L的含氧氣體供向一立升的鍍液，即讓含氧氣體以0.9L/分的供給速率進行了擴散以外，其它方面都與上述實施例1一樣，在這樣的條件下進行了化學鍍處理。並且，與實施例1一樣，觀察了鍍層金屬有沒有析出在溝道外，還觀察了金屬層在溝道內的填充性(埋入性)。以上結果示於表1。(比較例1)進行化學鍍處理之際，除了沒有讓含氧氣體擴散以外，其它方面都與上述實施例1一樣，在這樣的條件下進行了化學鍍處理。並且，與實施例1一樣，觀察了鍍層金屬有沒有析出在溝道外，還觀察了金屬層在溝道內的填充性(埋入性)。以上結果示於表1。(比較例2)除了使用調製好的具有以下組分的化學鍍銅液，且在一分鐘內將0.2L的含氧氣體供向一立升的鍍液，即讓含氧氣體以0.2L/分的供給速率進行了擴散以外，其它方面都和上述實施例2一樣，在這樣的條件下進行了化學鍍處理。並且，與實施例1一樣，觀察了鍍層金屬有沒有析出在溝道外，還觀察了金屬層在溝道內的填充性(埋入性)。以上結果示於表1，所得到的金屬顯微鏡照片示於圖7。＜化學鍍銅液組成(比較例2)＞硫酸銅：0.04mol/LEDTA：0.1mol/L氫氧化鈉：4g/L甲醛：4g/L聚乙二醇(分子量1000)：1000mg/l[表1]埋入性鍍層金屬有沒有析出在溝道外實施例1良好無實施例2良好無實施例3良好無比較例1良好有比較例2不良無由表1可知：與比較例1-2不同，在實施例1-實施例3中，鍍層金屬沒有析出在溝道外的表面上，金屬層良好地填充在溝道內。由以上結果可以做出以下判斷：利用實施例1-實施例3中的方法能夠可靠地防止鍍層金屬析出在溝道外的表面上。產業上的可利用性綜上所述，本發明對於進行鍍覆處理的線路板的製造方法以及用該製造方法製造出的線路板很適用附圖標記說明1印製線路板2第一樹脂層3導體電路4第二樹脂層4a第二樹脂層的表面5導通孔6溝道7金屬層8保護層9通孔10化學鍍裝置11鍍槽12供液部件13擴散部件14溢流槽18調溫部件20鍍液23排出通路24排出口30被處理基板40化學鍍裝置41整流部件42支承部件當前第1頁1 2 3