有機矽氧烷嵌段共聚物的製作方法

2023-12-06 05:38:51

專利名稱：有機矽氧烷嵌段共聚物的製作方法
技術領域：
本發明整體涉及有機矽氧烷嵌段共聚物，該有機矽氧烷嵌段共聚物包含特定摩爾％的直鏈二有機矽氧烷單元和特定摩爾％的非直鏈矽氧烷單元。更具體地講，該有機矽氧烷嵌段共聚物具有至少95%的透光率。
背景技術：
光電半導體與包含此類半導體的電子製品是本領域中為人熟知的。常見的光電半導體包括光伏(太陽能)電池和二極體。光伏電池將多種不同波長的光轉化為電。相反，二極體(例如發光二極體(LED))由電生成多種不同波長的光。LED總體上包括一個或多個受到激發時會發光的二極體，並且通常利用連接到二極體的倒裝晶片或線焊晶片來提供電能。如下文所詳述的，許多LED採用與封裝光伏電池所用類似的組件和方法進行封裝，從而提高了生產成本和複雜程度。存在兩種一般形式的光伏電池，即矽片型和薄膜型。矽片為通常由機械切割單晶或多晶錠矽片製成的 半導體材質薄片。或者，矽片能夠由澆鑄形成。薄膜型光伏電池通常包括使用濺射或化學氣相沉積加工技術沉積在基板上的半導電材料的連續層。通常，光伏電池包括在光伏電池模塊中，所述光伏電池模塊還包括粘結層、基板、覆板和/或提供強度和穩定性的附加材料。在多個應用中，對光伏電池進行封裝以提供額外的保護，使其免受環境因素(例如風雨)的侵害。然而，迄今為止，本領域中已知的封裝材料和封裝方法相當昂貴且耗時，並且在許多情況下不起作用。一些模塊包括粘合到玻璃覆板上以封裝光伏電池的玻璃基板。這些類型的模塊非常沉重且麻煩，易於發生破損、劃傷和蝕刻，並且通常採用又慢又低效的工藝進行製造。這導致最終買家所支付的費用增加。其他模塊包含乙烯醋酸乙烯酯(EVA)來封裝光伏電池。採用EVA是因為它能夠為光伏電池捕獲光線。然而，EVA在波長小於400nm的光線照射下會降解。因此，當前含有EVA的光伏電池僅限於捕獲波長大於400nm的光線。更具體地講，EVA的抗紫外線性能較差、有褪色的趨勢，並且在暴露於光線時有發生化學和物理降解的趨勢。還已知的是EVA相對於玻璃基板的粘附性質較差，並且具有高模量。這些較差的粘附性質和高模量往往使得光伏電池周圍的應力狀態增強，從而導致封裝材料逐漸從基板上剝離。這種剝離現象對電池效率具有諸多負面影響，包括水分在封裝材料中積聚最終導致光伏電池發生腐蝕。要解決這些問題，業界在光伏電池內使用數量增大的EVA以減少其剝離和褪色。然而，這減少了衝擊到光伏電池上的可用光線的總量，從而降低了電池效率。另外，已將摻雜有鈰和銻的玻璃用作光伏電池的基板或覆板以保護EVA免受紫外線損害。另外，已將包含紫外線吸收劑和/或受阻胺光穩定劑的紫外線穩定包添加到EVA中。使用摻雜玻璃或紫外線吸收劑通常導致光伏電池的效率損耗1%至5%。通常，EVA作為夾在基板與覆板之間，且經受加熱、真空和壓力的一個或多個熱固性片材施用。這些條件引起EVA流動，從而潤溼基板和覆板，並將光伏電池封裝起來。以這種方式生產光伏電池相對昂貴且耗時。或者，EVA可以通過使用過氧化物引發自由基固化而固化。然而，該方法往往促使副反應發生，從而降低總體耐久性。如果使用過氧化物，則固化溫度通常在150°C至160°C的範圍內。這樣的溫度可能造成光伏電池內部應力過大，並導致機械斷裂和/或需要更長的生產時間和更多的步驟來加強光伏電池。因此，現有技術仍有改善的餘地。

發明內容
本發明提供了包含65至90摩爾％的式為R12SiOy2(I)的二有機矽氧烷單元的有機矽氧烷嵌段共聚物。這些二有機矽氧烷單元以直鏈嵌段的形式排列，每個所述直鏈嵌段具有平均10至400個二有機矽氧烷單元。有機矽氧烷嵌段共聚物還包含10至35摩爾％的平均式為R2x(0R3)ySi0(4_x_y)/2(II)的矽氧烷單元。所述矽氧烷單元以非直鏈嵌段的形式排列，每個所述非直鏈嵌段具有至少2個矽氧烷單元，其中0.5 < X < 1.5並且O < y < I。此外，每個R1獨立地為C1至Cltl烴基，每個R2獨立地為芳基或C4至Cltl烴基，至少50摩爾％的R2為芳基，並且每個R3獨立地為R1或H。此外，所述有機矽氧烷嵌段共聚物的透光率為至少95 %。本發明還提供了用於形成有機矽氧烷嵌段共聚物以及包含所述有機矽氧烷嵌段共聚物的電子製品的方法的多種實施例。式(I)的直鏈二有機矽氧烷單元與式(II)的非直鏈矽氧烷單元的組合使得有機矽氧烷嵌段共聚物能夠具有較高的透光率，並可用於許多應用。這些直鏈和非直鏈單元還往往使得有機矽氧烷嵌段共聚物能夠在受熱的情況下發生流動和固化，而在室溫下則保持穩定，並且使有機矽氧烷嵌段共聚物能夠用層壓技術進行加工。此外，這些直鏈和非直鏈單元有助於改善有機矽氧烷嵌段共聚物的物理特性，並使得形成的電子製品能夠耐受天氣條件、能夠以較低的成本和較低的工序複雜程度進行製造，並且更節能。



將易於認識到本發明的其他優點，因為結合附圖考慮時，通過參考以下具體實施方式
可更好地理解相同內容，其中:圖1A為本發明的電子製品的一個實施例的側視圖，其包括設置在光電半導體和基板上的封裝材料；圖1B為電子製品的另一個實施例的側視圖，其包括兩層封裝材料和光電半導體；圖1C為電子製品的又一個實施例的側視圖，其包括覆板、封裝材料和光電半導體；圖1D為還包括覆板的圖1A的電子製品的側視圖；圖1E為還包括覆板的圖1B的電子製品的側視圖；圖1F為電子製品的另一個實施例的側視圖，其包括覆板、封裝材料、光電半導體、粘結層和基板；圖1G為電子製品的另一個實施例的側視圖，其包括覆板、封裝材料、抗反射塗層、光電半導體和基板；圖2A為與圖1A相關的光伏電池模塊的一個實施例的剖視圖2B為與圖1B相關的光伏電池模塊的一個實施例的剖視圖；圖2C為與圖1C相關的光伏電池模塊的一個實施例的剖視圖；圖2D為與圖1C相關的光伏電池模塊的一個實施例的剖視圖；圖2E為與圖1E相關的光伏電池模塊的一個實施例的剖視圖；圖2F為與圖1F相關的光伏電池模塊的一個實施例的剖視圖；圖2G為與圖1G相關的光伏電池模塊的一個實施例的剖視圖；圖3A為電氣連接的且排列為光伏陣列的一系列圖2D的光伏電池模塊的剖視圖；圖3B為電氣連接的且排列為光伏陣列的一系列圖2D的光伏電池模塊的放大剖視
圖4為實例2的有機矽氧烷嵌段共聚物的矽核磁共振光譜；圖5是從左到右分別示出了由比較例1、實例1-3、比較例8、比較例2和比較例3形成的澆注片材的透明度的照片。圖6為由比較例1、2和8以及實例1-3形成的澆注片材的透射率％與波長的關係的光譜圖；圖7為實例2的澆注片材的粘彈性曲線；圖8為示出實例I和2的封裝的單個光伏電池的電池效率與溼冷凍測試天數的關係的線圖；並且圖9為示出實例I和2的封裝的單個光伏電池的電池效率與熱循環測試天數的關係的線圖。
具體實施例方式本發明提供了電子製品(10)以及形成該製品的方法。該製品包括光電半導體(12)以及設置在光電半導體(12)上的封裝材料(14)。光電半導體:光電半導體(12)通常是發出和/或檢測並控制光線(例如可見光、Y射線、X射線、紫外射線和紅外射線)的裝置。因此，本發明的電子製品(10)還可以定義為本領域已知的和/或下文詳述的包括光電半導體(12)的任何製品。光電半導體(12)通常起電-光變換器或光-電變換器的作用。典型但非限制性的光電半導體(12)包括光電二極體，具體包括太陽能電池、光電電晶體、光電倍增器、集成光路(IOC)元件、光敏電阻器、光導式攝像管、電荷耦合成像器件、注入式雷射二極體、量子級聯雷射器、發光二極體、光電發射攝像管等。在一個實施例中，光電半導體(12)還被定義為太陽能電池。在另一個實施例中，光電半導體(12)還被定義為發光二極體。光電半導體(12)不受具體限制，其可以是本領域中任何已知的器件。通常，光電半導體(12)的電導率為約103S/cm至約10_8S/cm。在一個實施例中，光電半導體(12)包含矽。在其他實施例中，光電半導體(12)包含砷、硒、碲、鍺、砷化鎵、碳化矽和/或來自第IV、II1-V、I1-VI, 1-VII, IV-V1、V-VI和I1-V族的元素並且可以為P型或η型。可以設想，光電半導體(12)可以如下文詳述的那樣使用化學氣相沉積法(CVD)設置在基板(26)上。光電半導體(12)具有第一側面和第二側面。通常，第一側面與第二側面相對。然而，第一側面和第二側面可以彼此相鄰。在多個實施例中，一條或多條電引線附接到第一側面和/或第二側面，用於將一系列光電半導體(12)連接在一起。電引線可以為任何尺寸和形狀，並且通常為矩形形狀。在一個實施例中，電引線具有大約0.005至0.080英寸尺寸的長度和/或寬度。在其他實施例中，電引線具有0.005至0.015英寸、0.005至0.010英寸或0.007至0.010英寸的厚度。電引線可以為本領域中已知的任何類型，並且可以設置在光電半導體(12)的任何部分上。通常，一條電引線充當陽極，而另一條電引線充當陰極。在多個實施例中，光電半導體(12)包括一條或多條設置在其上的電引線，如，第一、第二、第三和第四電引線。這些電引線可以相同也可以彼此不同(即，由相同材料或不同材料製成)，並且可以包含金屬、導電聚合物以及它們的組合。在一個實施例中，一條或多條電引線包含由錫-銀焊料包被的銅。在另一個實施例中，一條或多條電引線包含由錫-鉛焊料包被的銅。光電半導體(12)自身的尺寸或形狀不受限制，並且可以為本領域已知的任何尺寸或形狀。封裝材料:參見前文，電 子製品(10)還包含設置在光電半導體(12)上的封裝材料(14)。術語「設置在...上」包括封裝材料(14)設置在光電半導體(12)上方並與光電半導體(12)直接接觸。該術語還包括封裝材料(14)與光電半導體(12)間隔開但仍設置在光電半導體(12)上方。封裝材料(14)可以設置在光電半導體(12)上，使得光電半導體(12)僅有一面被覆蓋。或者，封裝材料(14)可以部分或完全封裝光電半導體(12)或本文所述的任何其他組件。在多個實施例中，封裝材料(14)為片材、凝膠、薄膜、糊劑或液體。最通常的情況下，封裝材料(14)為片材或薄膜。封裝材料(14)可以包含有機矽氧烷嵌段共聚物、基本上由有機矽氧烷嵌段共聚物組成或由有機矽氧烷嵌段共聚物組成。在一個實施例中，封裝材料(14)基本上由有機矽氧烷嵌段共聚物組成，並且不包含其他聚合物。有機矽氧烷嵌段共聚物包含65至90摩爾％的式為R12SiC^2 (I)的二有機矽氧烷單元。在多個實施例中，有機矽氧烷嵌段共聚物包含65至70摩爾％、70至75摩爾％、75至80摩爾％、80至85摩爾％、85至90摩爾％、70至90摩爾％、75至85摩爾％等的式為R12SiO2Z2 (I)的二有機矽氧烷單元。式為R12SiO2Z2⑴的二有機矽氧烷單元的摩爾％可以為上述那些範圍和值內的任何值或值的範圍(包括整數和小數)，和/或可以與上述值和/或值的範圍相差±5%、±10%、±15%、±20%、±25%、±30% 等。這些二有機矽氧烷單元以直鏈嵌段的形式排列，每個所述直鏈嵌段具有平均10至400個二有機矽氧烷單元。在多個實施例中，這些單元以直鏈嵌段的形式排列，每個所述直鏈嵌段具有平均20至390個、30至380個、40至370個、50至360個、60至350個、70至340 個、80 至 330 個、90 至 320 個、100 至 310 個、200 至 300 個、210 至 290 個、220 至 280個、230至270個、240至260個或約250個二有機矽氧烷單元。當然，平均值可以為上述那些範圍和值內的任何值或值的範圍(包括整數和小數)，和/或可以與上述值和/或值的範圍相差 ±5%、±10%、±15%、±20%、±25%、±30%等。有機矽氧烷嵌段共聚物還包含10至35摩爾％的平均式為R2x (OR3) ySiO(4_x_y)/2 (II)的矽氧烷單元。在多個實施例中，有機矽氧烷嵌段共聚物包含10至15摩爾％、15至20摩爾％、20至25摩爾％、25至30摩爾％、30至35摩爾％、20至30摩爾％、15至30摩爾％等的平均式為R2x(0R3)ySi0(4_x_y)/2(II)的矽氧烷單元。平均式為R2x(0R3)ySi0(4_x_y)/2(II)的矽氧烷單元的摩爾％可以為上述那些範圍和值內的任何值或值的範圍(包括整數和小數)，和/或可以與上述值和/或值的範圍相差±5%、±10%、±15%、±20%、±25%、±30%
坐寸O所述矽氧烷單元以非直鏈嵌段的形式排列，每個所述非直鏈嵌段具有至少2個矽氧烷單元，其中0.5 Sx彡1.5並且I。並且，x和y的值可以獨立地為上述那些範圍和值內的任何值或值的範圍(包括整數和小數)。此外，相對於上述式(I)和(II)兩者而言，每個R1獨立地為C1至Cltl烴基，每個R2獨立地為芳基或C4至Cltl烴基，至少50摩爾％的R2為芳基，並且每個R3獨立地為R1或H。應當理解，R\R2和/或R3中的一者或多者可以獨立地為上述具有介於I至10之間的任意碳原子數(如2、3或4個碳原子等)的烴基。在一個實施例中，式為R12SiO272⑴的二有機矽氧烷單元以79至89摩爾％的量存在。在另一個實施例中，平均式為R2x(OR3)ySiO(4_x_y)/2 (II)的矽氧烷單元以11至21摩爾％的量存在。在又一個實施例中，對於式(II)的直鏈嵌段,每個所述直鏈嵌段具有平均50至400個二有機矽氧烷單元。在再一個實施例中，0.8< X < 1.2並且O < y < 0.2。在還有一個實施例中，R1為甲基，每個R2為芳基，並且每個R3為H。在本發明的另外的非限制性實施例中，有機矽氧烷嵌段共聚物可以進行熱加工並且是可固化的，且其包含直鏈的二甲基矽氧烷軟嵌段和樹脂倍半矽氧烷硬嵌段(包括芳族(如苯基)部分)。在一個實施例中 ,有機娃氧燒嵌段共聚物為分段的,並且包含少量未反應的倍半矽氧烷樹脂和直鏈的二甲基矽氧烷均聚物。在還有一個實施例中，有機矽氧烷嵌段共聚物固化或部分固化，從而形成不僅堅韌還具有彈性的光學透明薄膜或片材。該薄膜或片材可以用作前封裝材料、後封裝材料和/或背板替換件，其中「前封裝材料」、「後封裝材料」和「背板替換件」是本領域已知的術語。在還有一個實施例中，有機矽氧烷嵌段共聚物被設計為在受熱時流動並固化，但在室溫下保持穩定。在還有一個實施例中，有機矽氧烷嵌段共聚物包含與直鏈矽氧烷鏈不相容的倍半矽氧烷樹脂。直鏈矽氧烷鏈的末端基團通常不同於倍半矽氧烷樹脂上的官能團，且還會與後者發生反應。僅舉一個例子，直鏈矽氧烷鏈可以使用矽烷(如肟基矽烷和乙醯氧基矽烷)封端，並進一步與包含苯基部分的矽烷醇官能化樹脂發生反應，如下述方法的多個實施例中所述。在另外的實施例中，採用肟基矽烷封端的PDMS與苯基倍半矽氧烷(苯基-T)反應，形成彈性體。在其他實施例中，式(II)的矽氧烷中的苯基部分促成有機矽氧烷嵌段共聚物的「熱熔融」行為。無意受到任何特定理論的約束，據信，熱熔融行為和苯基部分使得有機矽氧烷嵌段共聚物能夠在存儲過程中和施用前(如，在低於式(II)的矽氧烷的玻璃化轉變溫度的溫度下)幾乎不具有粘性，而在施用(如，在高於式(II)的矽氧烷的玻璃化轉變溫度的溫度下層壓)後可以流動。此外，有機矽氧烷嵌段共聚物可以在不存在填料的情況下形成，所述填料包括(但不限於)補強填料、半補強填料和/或非補強填料，這些填料要麼獨立地使用、要麼以其中一者或多者的組合進行使用。此外，有機矽氧烷嵌段共聚物的透光率為至少95%。在其他實施例中，有機矽氧烷嵌段共聚物的透光率為至少96 %、97 %、98 %、或99 %或約100 %。透光率通常採用ASTME-903-96或ASTM D1003的改良版本進行測定，其中ASTM D1003規定了如何使用C類光源測量透光率。在改良版本中，將C類光源替換為產生太陽光譜(即，AM1.5G光譜)的光源。相比於ASTM D1003方法，在改良版的方法中光譜透射率值還與反射損失無關。採用VarianCary5000在200_1700nm之間採集測量結果。電子製品(10)可以包含多種封裝材料，如，第二和/或第三封裝材料和/或一層或多層封裝材料(14)、第二封裝材料、第三封裝材料等。任何第二、第三或附加封裝材料可以與上述(第一)封裝材料(14)相同或不同，並且可以獨立地包含在電子製品(10)中或作為與(第一)封裝材料(14)的混合物包含在電子製品(10)中。在一個實施例中，電子製品(10)包含上述(第一)封裝材料(14)和第二封裝材料。另外，封裝材料(14)對於紫外線和/或可見光可以是透明的，並且第二(或附加)封裝材料對於紫外線和/或可見光可以是透明的、可以是不透光的或不透明的。基板/覆板:電子製品(10)還可以包括基板(26)和/或覆板(28)。通常，基板(26)為電子製品(10)的後表面(32)提供保護，而覆板(28)通常為電子製品(10)的前表面(30)提供保護。基板(26)和覆板(28)可以相同也可以不同，並且各自可以獨立地包含本領域中已知的任何合適的材料。基板(26)和/或覆板(28)可以為柔軟且柔韌的，或者可以為堅硬且剛性的。或者，基板(26)和/或覆板(28)可以包括堅硬且剛性的部分並同時包括柔軟且柔韌的部分。基板(26)和/或覆板(28)可能對光線透明、可能是不透明的或者可能無法透射光線(即，可能是不透光的)。通常，覆板是透光的。在一個實施例中，基板(26)和/或覆板(28)包括玻璃。在另一個實施例中，基板(26)和/或覆板(28)包括金屬箔、聚醯亞胺、乙烯-醋酸乙烯共聚物、和/或有機含氟聚合物(包括但不限於乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)) UaA聚酯/ Tedlar*, Tedlar1V聚酯/Tediare、單獨的或塗覆有矽和氧化物質(SiOx)的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)，以及它們的組合。在一個實施例中，基板
(26)還可定義為PET/SiOx-PET/Al基板(26)，其中x的值為I至4。基板(26)和/或覆板(28)可以是能夠承重的或不能夠承重的，並且可以包含在電子製品(10)的任何部分中。通常，基板(26)是能夠承重的。基板(26)可以為電子製品(10)的「底層」，其通常設置在光電半導體(12)的背後並起機械支持的作用。或者，電子製品(10)可以包括第二或附加的基板(26)和/或覆板(28)。基板(26)可以為電子製品
(10)的底層，而第二基板(26)可以為頂層並用作覆板(28)。通常，第二基板(26)(如用作覆板(28)的第二基板(26))對於太陽光譜(如可見光)是透明的並且設置在基板(26)頂部。第二基板(26)可以設置在光源的前方。第二基板(26)可以用於保護電子製品(10)免受環境條件(例如雨、雪和高溫)的影響。最通常的情況下，第二基板(26)用作覆板(28)，並且為對於太陽光透明的剛性玻璃面板，且被用於保護電子製品(10)的前表面(30)。在一個實施例中，有機矽氧烷嵌段共聚物可以用作基板(26)和/或覆板(28)。在另一個實施例中，基板(26)和/或覆板(28)如PCT專利申請N0.PCT/US2009/062513中所述，該專利申請明確地以引用方式併入本文中。在該實施例中，基板(26)和/或覆板(28)可以包括多根被塗覆的纖 維。所述多根纖維可以如PCT/US2009/062513中所述進行塗覆，和/或用本發明的有機矽氧烷嵌段共聚物進行塗覆。基板(26)和/或覆板(28)通常具有50至500微米、100至225微米或175至225微米的厚度。基板(26)和/或覆板(28)可以具有各自為125mm的長度和寬度或各自為156mm的長度和寬度。當然，本發明不限於這些厚度或其範圍，並且基板(26)和/或覆板(28)的厚度可以為上述那些範圍和值內的任何值或值的範圍(包括整數和小數)或與它們不同。還可以設想，基板(26)和/或覆板(28)的厚度、長度和/或寬度可以與上述值和 / 或值的範圍相差 ±5%、±10%、±15%、±20%、±25%、±30%等。粘結層: 此外，電子製品(10)還可包括一個或多個粘結層(18)。所述一個或多個粘結層
(18)可以設置在基板(26)上，用於將光電半導體(12)粘附到基板(26)上。在一個實施例中，電子製品(10)不包括基板(26)並且不包括粘結層(18)。在另一個實施例中，電子製品(10)不包括基板(26)(如上所述)，但包括粘結層(18)作為電子製品(10)的最外層。在該實施例中，粘結層(18)可以充當基板(26)。在多個其他實施例中，電子製品(10)包括多個粘結層，如第二和/或第三粘結層。任何第二、第三或附加粘結層(18)可以與(第一)粘結層(18)相同或不同。因此，任何第二、第三或附加粘結層可以由與(第一)粘結層(18)相同或不同的材料形成。第二粘結層可以設置在(第一)粘結層(18)上，和/或可以設置在光電半導體(12)上。一個或多個粘結層(18)中的每一個通常對於紫外線和/或可見光是透明的。然而，粘結層(18)中的一個或多個可以是不透光的或不透明的。在一個實施例中，粘結層(18)在整個可見光波長範圍內具有高透射率、對紫外線具有長期穩定性並且為光電半導體(12)提供長期保護。在該實施例中，由於粘結層(18)具有紫外穩定性，因此無需在基板(26)中摻雜鈰。在多個其他實施例中，粘結層(18)為如PCT專利申請N0.PCT/US09/01623中所述的那樣，該專利申請明確地以引用方式併入本文中。粘結層(18)通常具有粘性，並且可以是凝膠、黏膠、液體、糊劑、樹脂或固體。在一個實施例中，粘結層(18)為薄膜。在另一個實施例中，粘結層(18)為凝膠。在另一個實施例中，粘結層(18)為經固化(如，預固化)以形成凝膠的液體。或者，粘結層(18)可以包括多個部分，其中每個部分包括不同的組成和/或不同的形態(如，凝膠和液體)。適合用作粘結層(18)的凝膠的例子在美國專利N0.5，145，933,N0.4，340，709和N0.6，020，409中有所描述，這些專利中的每一者均由於涉及這些凝膠而明確地以引用方式併入本文中。粘結層(18)通常還具有7X IO2至6X IO5達因/平方釐米的彈性模量(固化時的G』)。或者，粘結層(18)可以具有與上述封裝材料(14)相同的組成。粘結層(18)的厚度不受具體限制，但該厚度通常為I至50密耳，更通常地為3至30密耳，並且最通常地為4至15密耳。在多個實施例中，粘結層(18)具有I至30密耳、I至25密耳、I至20密耳、3至17密耳、5至10密耳、5至25密耳、10至15密耳、10至17密耳、12至15密耳、10至30密耳或5至20密耳的厚度。當然，本發明並不限於這些厚度或其範圍，並且粘結層(18)的厚度可以為上述那些範圍和值內的任何值或值的範圍(包括整數和小數)。還可以設想，粘結層(18)的厚度可以與上述值和/或值的範圍相差±5%、±10%、±15%、±20%、±25%、±30%等。抗反射塗層:電子製品(10)還可以包括抗反射塗層(ARC) (16)和/或梯度折射率塗層(GRIC)。在一個實施例中，GRIC設置在光電半導體(12)上。合適的GRIC的例子在2010年9月22日提交的名稱為「ELECTRONIC ARTICLE AND METHOD OF FORMING」(電子製品及其形成方法)的美國臨時專利申請N0.61/385，446中有所描述，該專利申請明確地以引用方式併入本文中。形成有機矽氧烷嵌段共聚物的方法:肟基化學過程關注:本發明的有機矽氧烷嵌段共聚物可以由任何方法形成。在一個實施例中，所述方法專注於肟基化學，並且包括使(a)式為RHZ = N-0)^iO(R12SiO272)nSi (0-N = Z)^1(III)的直鏈有機矽氧烷與(b)平均單元式為R2x(0R3)ySi0(4_x_y)/2(II)的有機矽氧烷樹脂在(c)有機溶劑中反應以形成有機矽氧烷嵌段共聚物的步驟。在這些式中，Z為=CR12或=CR4，R4為亞烴基，η的平均值為100至400，0.5彡X彡1.5並且O彡y彡I。應當理解，每個R1、! 2和R3如上所述並且獨立選擇。在多個實施例中，η的平均值為20至390、30至380、40至370、50 至 360,60 至 350,70 至 340,80 至 330,90 至 320,100 至 310,200 至 300,210 至 290,220至280、230至270、240至260或約250。η的平均值可以為上述那些範圍和值內的任何值或值的範圍(包括整數和小數)，和/或可以與上述值和/或值的範圍相差±5%、± 10%、±15%、±20%、±25%、±30%等。適用於本文的有機矽氧烷樹脂的平均單元式可以為R2x(0R3)ySi0(4_x_y)/2。(b)有機矽氧烷樹脂的分子量(Mw)不受限制，但通常在1000至10，000、或1500至5000g/mol的範圍內。在一個實施例中，(b)有機娃氧燒樹脂為倍半娃氧燒。適用於本發明方法的(b)有機矽氧烷樹脂通常具有至少5摩爾％、或者至少10摩爾％、或者25摩爾％、或者40摩爾％、或者50摩爾％的矽烷醇含量。合適的(b)有機矽氧烷樹脂可以通過在矽原子上具有三個可水解基團(如滷素或烷氧基基團)的有機矽烷在有機溶劑中水解而製備。製備倍半矽氧烷樹脂的代表性例子可以在US5，075，103中找到，該文獻明確地以引用方式併入本文中。此外，多種合適的(b)有機矽氧烷樹脂可以商購獲得，並且 要麼以固體(薄片或粉末)形式、要麼以溶解於有機溶劑中的形式進行銷售。合適的非限制性的市售(b)有機矽氧烷樹脂包括:Dow Coming 217薄片樹脂、233薄片、220薄片、249薄片、255薄片、Z-6018薄片(美國密西根州米德蘭市道康寧公司(Dow Corning Company (Midland, MI))。本領域的技術人員還認識到含有如此高含量的[R2SiOv2]甲矽烷氧基單元和矽烷醇的(b)有機矽氧烷樹脂還可以保留水分子，在高溼度條件下尤其是這樣。因此，在將(b)有機矽氧烷樹脂用於本發明的方法之前將其通過「乾燥」以除去樹脂中存在的過量的水通常是有益的。這可以通過將(b)有機矽氧烷樹脂溶解在有機溶劑中、加熱至回流並通過分離技術(例如Dean Stark捕集器或等效的方法)除去水而實現。在一個實施例中，所述方法還包括除去(C)有機溶劑的步驟。在另一個實施例中，所述方法包括使有機矽氧烷嵌段共聚物與含有I至10個碳原子的醇反應以形成烷氧基封端的有機矽氧烷嵌段共聚物的步驟。在該實施例中，醇不受具體限制，並且可以包括本領域中已知的任何醇。在一個實施例中，醇具有I至10個碳原子。在另一個實施例中，醇進一步被定義為丁醇。應當理解，醇可以具有介於I至10之間的任意碳原子數，並且可以具有任何結構或其同分異構結構。在一個實施例中，65至90摩爾％的量的(a)直鏈有機矽氧烷與10至35摩爾％的量的(b)有機矽氧烷樹脂反應。在另一個實施例中，79至89摩爾％的量的(a)直鏈有機矽氧烷與11至21摩爾％的量的(b)有機矽氧烷樹脂反應。在又一個實施例中，75至89摩爾％的量的(a)直鏈有機矽氧烷與15至21摩爾％的量的(b)有機矽氧烷樹脂反應。當然，本發明不限於這些量或範圍，並且(a)直鏈有機矽氧烷可以以上述那些範圍和量內的任意量或量的範圍(包括整數和小數部分)與(b)有機矽氧烷樹脂反應。還可以設想，與(b)有機矽氧烷樹脂進行反應的(a)直鏈有機矽氧烷的量可以與上述量和/或量的範圍相差 ±5%、±10%、±15%、±20%、±25%、±30%等。使上述(a)直鏈有機矽氧烷與(b)有機矽氧烷樹脂反應的反應條件不受具體限制。多個非限制性實施例和反應條件在下面的實例中進行描述。在一些實施例中，(a)直鏈有機矽氧烷與(b)有機矽氧烷樹脂在室溫下反應。在其他實施例中，(a)與(b)在超過室溫的溫度下反應，並且該溫度範圍高達約35°C、40°C、45°C、50°C，或甚至高達100°C。或者，(a)與(b)可以一起回流或分別回流。在其他實施例中，(a)與(b)在低於室溫5°C、10°C或甚至超過10°C的溫度下反應。在其他實施例中，(a)與(b)的反應時間為1、5、10、
30、60、120或180分鐘，或甚至更長。通常，(a)與(b)在惰性氣氛(例如氮氣或稀有氣體)下反應。或者，(a)與(b)可以在含有一些水蒸氣和/或氧氣的氣氛下反應。此外，(a)與(b)可以在任何尺寸的容器內並採用任何設備(包括混合器、旋渦振蕩器、攪拌器、加熱器等)進行反應。在其他實施例中，(a)與(b)在一種或多種有機溶劑(可以為極性或非極性的)中反應。通常，利用諸如甲苯、苯等溶劑。應當理解，上述反應條件不受限制，並且上述或實例中所述的反應條件中的任意一種或多種可以為上述那些範圍和值內的任何值或值的範圍(包括整數和小數部分)，和/或可以與上述值和/或值的範圍相差±5%、± 10%、±15%、±20%、±25%、±30%等。乙醯氧基化學過程關注:在另一個實施例中，所述方法專注於乙醯氧基化學，並且包括使式為#[#(:(=O) O]^Si(R12SiO272)nSi [O(O = WR1LR1的(d)直鏈有機矽氧烷與平均單元式為R2x(ORs)ySiO(4_x_y)/2(II，如上所述)的(b)有機矽氧烷樹脂在(c)有機溶劑中反應以生成第一反應產物的步驟。在該實施例中，所述方法還包括使第一反應產物與式為R5qSiXh的矽烷反應以形成有機矽氧烷嵌段共聚物的步驟，其中R5為C1至C8烴基或C1至C8滷素取代的烴基，X為可水解基團，並且q為0、1或2。在另一個實施例中，所述方法包括除去(C)有機溶劑的步驟。在又一個實施例中，所述方法還包括使有機矽氧烷嵌段共聚物與醇(如上所述)反應以形成烷氧基封端的有機矽氧烷嵌段共聚物的步驟。應當理解，烴基或滷素取代的烴基可以具有介於I與8之間的任意碳原子數，並且所述基團不受具體限制。在一個實施例中，65至90摩爾％的量的(d)直鏈有機矽氧烷與10至35摩爾％的量的(b)有機娃氧燒樹脂反應生成第一反應產物。在另一個實施例中，79至89摩爾％的量的(d)直鏈有機娃氧燒與11至21摩爾％的量的(b)有機娃氧燒樹脂反應生成第一反應產物。在又一個實施例中，79至85摩爾量的(d)直鏈有機矽氧烷與15至21摩爾％的量的
(b)有機矽氧烷樹脂反應生成第一反應產物。本發明不限於這些量或範圍，並且(d)直鏈有機矽氧烷可以以上述那些範圍和量內的任意量或量的範圍(包括整數和小數部分)與(b)有機矽氧烷樹脂反應。還可以設想，與(b)有機矽氧烷樹脂進行反應的(d)直鏈有機矽氧燒的量可以與上述量和/或量的範圍相差±5%、±10%、±15%、±20%、±25%、±30%等。
在再一個實施例中，90至99.9摩爾％的量的第一反應產物與0.1至10摩爾％的量的矽烷反應。或者，第一反應產物可以以95至99.5摩爾％、96至98摩爾％、或95至98摩爾%的量與0.5至5摩爾％、2至5摩爾％、或2至4摩爾V0的量的矽烷反應。正如上所述，本發明不限於這些量或範圍，並且第一反應產物可以以上述那些範圍和量內的任意量或量的範圍(包括整數和小數部分)與矽烷反應。還可以設想，與矽烷進行反應的第一反應產物的量可以與上述量和/或量的範圍相差±5%、±10%, ±15%、±20%、±25%、±30% 等。乙醯氧基化學過程關注的反應條件可以與上述的那些反應條件相同或不同。此夕卜，反應條件的多個非限制性例子在下文的實例中示出。正如上所述，應當理解，上述反應條件不受限制，並且上述或實例中所述的反應條件中的任意一種或多種可以為上述那些範圍和值內的任何值或值的範圍(包括整數和小數部分)，和/或以與上述值和/或值的範圍相差 ±5%、±10%、±15%、±20%、±25%、±30%等。電子製品:重新提及製品(10)本身，製品(10)不受具體限制，並且在一個實施例中還被定義為光伏電池模塊(34)。在可供選擇的實施例中，製品(10)還被定義為固態光源或固態照明設備。這些實施例中的每一個及其非限制性變型形式將在下文中立即進行更詳細的描述。光伏電池模塊:正如本領域中所知，光伏電池模塊(下文將其稱為「模塊」(34))由於光伏效應將光能轉變為電能。更具體地講，模塊(34)執行兩項主要功能。第一項功能是在光電半導體
(12)(例如下文將更加詳細描述的光伏電池(36))中光學生成載流子(例如電子)和空穴。第二項功能是將載流子導向到導電觸點以輸 送電流。在一個實施例中，電子製品(10)還被定義為包括作為光電半導體(12)的光伏電池(36)並且還包括封裝材料(14)的模塊(34)。模塊(34)還可以包括基板(26)、覆板(28)或上述其他組件中的一者或多者。在一個實施例中，光伏電池(36)通過化學氣相沉積或濺射設置在基板(26)上。通常，在該實施例中，光伏電池(36)與基板(26)之間無需粘結層(18)。該實施例通常被稱為「薄膜」應用。在利用濺射或化學氣相沉積處理技術將光伏電池(36)設置在基板(26)上以後，可以將一條或多條電引線(圖中未示出)附接到光伏電池(36)上。然後可以將封裝材料(14)施加在電引線上。光伏電池(36)的厚度通常為50至250微米，更通常地為100至225微米，並且最通常地為175至225微米。光伏電池(36)的長度和寬度(圖中未示出)通常為100 X IOOcm至200X 200cm。在一個實施例中，光伏電池(36)的長度和寬度各自為125cm。在另一個實施例中，光伏電池(36)的長度和寬度各自為156cm。當然，本發明並不限於這些厚度或其範圍，並且光伏電池(36)的厚度可以為上述那些範圍和值內的任何值或值的範圍(包括整數和小數)。還可以設想，光伏電池(36)的厚度可以與上述值和/或值的範圍相差±5%、±10%、±15%、±20%、±25%、±30%等。光伏電池(36)可以包括大面積的單晶型單層p-n結二極體。這些光伏電池(36)通常採用矽片的擴散工藝進行製備。或者，光伏電池(36)可以包括晶格匹配矽片上的(矽)半導體的薄外延沉積物。在該實施例中，夕卜延光伏發電可以分為空間光伏發電或地面光伏發電，並且通常具有7至40%的AMO效率。另外，光伏電池(36)可以包括量子阱裝置(例如量子點、量子繩(quantum rope)等)，並且還可以包括碳納米管。無意於受任何特定理論的限制，據信，這些類型的光伏電池(36)能夠具有最多至45%的AMO生產效率。光伏電池(36)可以在錠、帶、薄膜和/或矽片中包含非晶矽、單晶矽、多晶矽、微晶矽、納米結晶二氧化矽、碲化鎘、銅銦/鎵硒化物/硫化物、砷化鎵、聚對苯乙炔、銅酞菁、碳富勒烯以及它們的組合。光伏電池(36)還可以包含吸光染料，例如釕有機金屬染料。最通常的情況下，光伏電池(36)包含單晶和多晶矽。還可以設想，該實施例中對於光伏電池
(36)的描述的任何部分還可適用於上述電子製品(10)中的任何一種或多種。本發明的模塊(34)可以用於任何行業，包括(但不限於)汽車、小型電子器件、偏遠地區的電力系統、衛星、空間探測器、無線電話、水泵、併網電氣系統、電池、電池充電器、光電化學應用、聚合物太陽能電池應用、納米晶體太陽能電池應用以及染料敏化的太陽能電池應用。在一個實施例中，一系列模塊(34)為電氣連接的，並形成光伏陣列(38),如在圖3A和3B中示出。本發明還提供了光伏陣列(38)本身。光伏陣列(38)包括至少兩個模塊(34)。光伏陣列(38)通常在屋頂上使用、在農村地區中與備用電池相連使用，以及在DC泵、信號浮標等中使用。本發明的光伏陣列(38)可以為平面的或非平面的，並且通常用作單個發電單元，其中模塊(34)以產生電壓的方式互連。通常模塊(34)為電氣連接的(如上所述)以提供合適的電壓。光伏陣列(38)可以為任何尺寸和形狀，並且可用於任何行業中。固態照明設備:如上文首先介紹的，電子製品(10)或者還可以被定義為固態光源或固態照明設備，例如發光二極體(LED)。如本領域已知的，LED通常在電子與光電半導體(12)中形成的空穴複合時的正向偏壓狀態下發光。當電子複合時，它們在通常被稱為電致發光的過程中釋放出光子。固態照明設備可用於任何應用中，包括(但不限於)儀器面板和開關、禮貌燈、轉向和停車信號、家用電器、VCR/DVD/立體聲/聲頻/視頻設備、玩具/遊戲儀表、安全設備、開關、建築照明 、標牌(信道字母)、機器視覺、零售展示用照明、應急燈、霓虹燈及燈泡替換件、手電筒、重點照明全彩視頻、單色留言板，交通、鐵路和航空應用，行動電話、PDA、數字攝像機、筆記本電腦、醫療器械、條形碼掃描器、色彩與金錢傳感器、編碼器、光學開關、光纖通信以及它們的組合。實魁根據本發明形成一系列有機矽氧烷嵌段共聚物(共聚物)。還形成了一系列比較用共聚物(比較用共聚物)作為對照例，但這些比較用共聚物不代表本發明。通用反應方案-對末端為肓鏈矽烷醇的PDMS進行肟基封端:形成甲苯和末端為矽烷醇的PDMS的溶液，並且在手套箱內在氮氣氣氛下採用以下方式使用甲基三(丁酮肟基)矽烷(MTO)對末端為矽烷醇的PDMS進行封端:向末端為矽烷醇的PDMS中加入ΜΤ0，然後在室溫下混合2小時以形成肟基封端的PDMS。通用反應方案-對末端為肓鏈矽烷醇的PDMS進行乙醯氧基封端:形成甲苯和末端為矽烷醇的PDMS的溶液，並且在手套箱內在氮氣氣氛下採用以下方式使用燒基二乙酸氧基娃燒對末端為娃燒醇的PDMS進行封端:向末端為娃燒醇的PDMS中加入烷基三乙醯氧基矽烷，然後在室溫下混合2小時以形成乙醯氧基封端的PDMS。實例1:使用肟基封端的PDMS形成有機矽氧烷嵌段共聚物:
在第一實例中，使用肟基封端的PDMS形成有機矽氧烷嵌段共聚物，並且該有機矽氧烷嵌段共聚物具有大約11摩爾％的苯基-T單元(其對應於約20重量％的苯基-T單元)。更具體地講，向IL的三頸圓底燒瓶中裝入苯基倍半矽氧烷水解產物(Dow Corning217薄片，24g,0.175摩爾Si)和甲苯(飛世爾科技公司(Fisher Scientific),80g),形成混合物。燒瓶裝配有溫度計、特氟隆攪拌槳和預先填充有甲苯並附接到水冷式冷凝器的DeanStark裝置。然後施加氮氣層。使用油浴加熱。將混合物回流加熱30min，隨後將其冷卻至100°C。此時，加入採用上述方法形成的肟基封端的PDMS溶液。更具體地講，使用200g甲苯、96g以矽烷醇為末端的PDMS (GelestDMS-S27，184dp)以及4.46g MTO(得自蓋勒斯特公司(Gelest))形成肟基封端的PDMS。在100°C下，將肟基PDMS迅速加入苯基倍半矽氧烷水解產物中，回流加熱2.5小時，然後加入正丁醇(12g,飛世爾科技公司(Fisher Scientific))並再回流加熱3小時。這時,通過蒸餾將一些揮發物除去，從而將固體含量增加至約40重量％。隨後，將混合物冷卻至室溫。本文形成的有機矽氧烷嵌段共聚物為光學透明且無色的。然後將有機矽氧烷嵌段共聚物傾倒在平坦表面上並在室溫下蒸發溶劑過夜，從而形成澆注片材。澆注片材看起來為光學模糊/渾濁的。本實例的有機矽氧烷嵌段共聚物形成後，通過29Si核磁共振對其進行分析，確認其結構為具有 4.19 摩爾 ％ OR3 的(Me2Si02/2)Q.88Q (MeSiOv2) Ciciici(PhSiOv2)anci,其中 R3 如上文所述。實例2:使用肟基封端的PDMS形成有機矽氧烷嵌段共聚物:在第二實例中，使用肟基封端的PDMS形成有機矽氧烷嵌段共聚物，並且該有機矽氧烷嵌段共聚物具有大約17摩爾％的苯基-T單元(其對應於約28重量％的苯基-T單元)。更具體地講，向500mL的三頸圓底燒瓶中裝入苯基倍半矽氧烷水解產物(DowCorning217 薄片 ，16.93g, 0.124 摩爾 Si)和甲苯(飛世爾科技公司(Fisher Scientific)，51.4g)，形成混合物。燒瓶裝配有溫度計、特氟隆攪拌槳和預先填充有甲苯並附接到水冷式冷凝器的Dean Stark裝置。然後施加氮氣層。使用油浴加熱。將混合物回流加熱30min，隨後將其冷卻至100°C。此時，加入採用上述方法形成的肟基封端的PDMS溶液。更具體地講，使用60g甲苯、43.07g以矽烷醇為末端的PDMS (Gelest DMS-S27，184dp)以及2.0OgMTO (得自蓋勒斯特公司(Gelest))形成肟基封端的PDMS。在100°C下，將肟基PDMS迅速加入苯基倍半矽氧烷水解產物中，回流加熱1.75小時，然後加入正丁醇(12g,飛世爾科技公司(Fisher Scientific))並再回流加熱3小時。這時，通過蒸餾將一些揮發物除去，從而將固體含量增加至約40重量％。隨後，將混合物冷卻至室溫。本文形成的有機矽氧烷嵌段共聚物為光學透明且無色的。然後將有機矽氧烷嵌段共聚物傾倒在平坦表面上並在室溫下蒸發溶劑過夜，從而形成澆注片材。澆注片材看起來也是光學透明的。本實例的有機矽氧烷嵌段共聚物形成後，通過29Si核磁共振對其進行分析，確認其結構為具有 6.89 摩爾 ％ OR3 的(Me2Si02/2) Cl82ci(MeSiO3Z2)acici9(PhSiOv2)am，其中R3如上文所述。實例3:使 用肟基封端的PDMS形成有機矽氧烷嵌段共聚物:在第三實例中，使用肟基封端的PDMS形成有機矽氧烷嵌段共聚物，並且該有機矽氧烷嵌段共聚物具有大約21摩爾％的苯基-T單元(其對應於約34重量％的苯基-T單元)。更具體地講，向500mL的三頸圓底燒瓶中裝入苯基倍半矽氧烷水解產物(DowCorning217 薄片，20.4g, 0.149 摩爾 Si)和甲苯(飛世爾科技公司(Fisher Scientific),61.2g)，形成混合物。燒瓶裝配有溫度計、特氟隆攪拌槳和預先填充有甲苯並附接到水冷式冷凝器的Dean Stark裝置。然後施加氮氣層。使用油浴加熱。將混合物回流加熱30min，隨後將其冷卻至100°C。此時，加入採用上述方法形成的肟基封端的PDMS溶液。更具體地講，使用78.8g甲苯、39.6g以矽烷醇為末端的PDMS (Gelest DMS-S27，184dp)以及1.84gMT0 (得自蓋勒斯特公司(Gelest))形成肟基封端的PDMS。在100°C下，將肟基PDMS迅速加入苯基倍半矽氧烷水解產物中，回流加熱2.5小時，然後加入正丁醇(6g,飛世爾科技公司(Fisher Scientific))並再回流加熱3小時。這時，通過蒸餾將一些揮發物除去，從而將固體含量增加至約40重量％。隨後，將混合物冷卻至室溫。本文形成的有機矽氧烷嵌段共聚物為光學透明且無色的。然後將有機矽氧烷嵌段共聚物傾倒在平坦表面上並在室溫下蒸發溶劑過夜，從而形成澆注片材。澆注片材看起來也是光學透明的。本實例的有機矽氧烷嵌段共聚物形成後，通過29Si核磁共振對其進行分析，確認其結構為具有 7.52 摩爾 ％ OR3 的(Me2Si(V2)a 783 (MeSiOv2)acici9(PhSiOv2)a2ci8,其中R3如上文所述。實例4:使用肟基封端的PDMS形成有機矽氧烷嵌段共聚物:在第四實例中，使用肟基封端的PDMS形成有機矽氧烷嵌段共聚物，並且該有機矽氧烷嵌段共聚物具有大約34摩爾％的苯基-T單元(其對應於約48重量％的苯基-T單元)。更具體地講，向IL的三頸圓底燒瓶中裝入苯基倍半矽氧烷水解產物(Dow Corning217薄片，57.6g, 0.420摩爾Si)和甲苯(飛世爾科技公司(Fisher Scientific), 175.0g),形成混合物。燒瓶裝配有溫度計、特氟隆攪拌槳和預先填充有甲苯並附接到水冷式冷凝器的Dean Stark裝置 。然後施加氮氣層。使用油浴加熱。將混合物回流加熱30min，隨後將其冷卻至100°C。此時，加入採用上述方法形成的肟基封端的PDMS溶液。更具體地講，使用105.0g甲苯、62.4g以矽烷醇為末端的PDMS (Gelest DMS-S21，45dp)以及11.7g MTO(得自蓋勒斯特公司(Gelest))形成肟基封端的PDMS。在100°C下，將肟基PDMS迅速加入苯基倍半矽氧烷水解產物中，回流加熱I小時，然後加入正丁醇(12.0g,飛世爾科技公司(Fisher Scientific))並再回流加熱3小時。隨後，將混合物冷卻至室溫。本文形成的有機矽氧烷嵌段共聚物為光學透明的。然後將有機矽氧烷嵌段共聚物傾倒在平坦表面上並在室溫下蒸發溶劑過夜，從而形成澆注片材。澆注片材看起來為光學透明的。本實例的有機矽氧烷嵌段共聚物形成後，通過29Si核磁共振對其進行分析，確認其結構為具有 16.0 摩爾 ％ OR3 的(Me2SiO2Z2)a 633 (MeSiOv2)atl29(PhSiOv2)a 338,其中R3如上文所述。實例5:使用肟基封端的PDMS形成有機矽氧烷嵌段共聚物:在第五實例中，使用肟基封端的PDMS形成有機矽氧烷嵌段共聚物，並且該有機矽氧烷嵌段共聚物具有大約18摩爾％的苯基-T單元(其對應於約28重量％的苯基-T單元)。更具體地講，向500mL的三頸圓底燒瓶中裝入苯基倍半矽氧烷水解產物(DowCorning217 薄片，16.8g,0.123 摩爾 Si)和甲苯(飛世爾科技公司(Fisher Scientific)，51.4g)，形成混合物。燒瓶裝配有溫度計、特氟隆攪拌槳和預先填充有甲苯並附接到水冷式冷凝器的Dean Stark裝置。然後施加氮氣層。使用油浴加熱。將混合物回流加熱30min，隨後將其冷卻至100°C。此時，加入採用上述方法形成的肟基封端的PDMS溶液。更具體地講，使用60.0g甲苯、43.2g以矽烷醇為末端的PDMS (Gelest DMS-S21，45dp)以及8.1Og MTO(得自蓋勒斯特公司(Gelest))形成肟基封端的PDMS。在100°C下，將肟基PDMS迅速加入苯基倍半矽氧烷水解產物中，回流加熱30分鐘，然後加入正丁醇(6.0g,飛世爾科技公司(Fisher Scientific))並再回流加熱3小時。這時，通過蒸餾將一些揮發物除去，從而將固體含量增加至約40重量％。隨後，將混合物冷卻至室溫。本文形成的有機矽氧烷嵌段共聚物為光學透明的。然後將有機矽氧烷嵌段共聚物傾倒在平坦表面上並在室溫下蒸發溶劑過夜，從而形成澆注片材。澆注片材看起來為光學透明的。本實例的有機矽氧烷嵌段共聚物具有大約為(Me2Si02/2) ο.82 (PhSiO372) 0.18的結構。實例6:使用乙醯氧基封端的PDMS形成有機矽氧烷嵌段共聚物:在第六實例中，使用肟基封端的PDMS形成有機矽氧烷嵌段共聚物，並且該有機矽氧烷嵌段共聚物具有大約17摩爾％的苯基-T單元(其對應於約28重量％的苯基-T單元)。更具體地講，在其他實例中，向500mL的三頸圓底燒瓶中裝入苯基倍半矽氧烷水解產物(Dow Corning217薄片，16.8g，0.123摩爾Si)和甲苯(飛世爾科技公司(FisherScientific), 60.0g)，形成混合物。燒瓶裝配有溫度計、特氟隆攪拌槳和預先填充有甲苯並附接到水冷式冷凝器的Dean Stark裝置。然後施加氮氣層。使用油浴加熱。將混合物回流加熱30min，隨後將其冷卻至108°C。此時，加入採用上述方法形成的乙醯氧基封端的PDMS溶液。更具體地講，使用80.0g甲苯、43.20g以矽烷醇為末端的PDMS (Dow Corning SFD750,184dp)以及1.54g烷基三乙醯氧基矽烷(ETS-900，得自道康寧公司(Dow Corning))形成乙醯氧基封端的PDMS。在108°C下,將乙醯氧基封端的PDMS迅速加入苯基倍半矽氧烷水解產物中，回流加熱2小時。在這一階段，加入2.5gETS-900,並使混合物回流I小時。然後加入40mL去離子水，通過共沸蒸餾除去揮發物。然後將有機矽氧烷嵌段共聚物傾倒在平坦表面上並在室溫下蒸發溶劑過夜，從而形成澆注片材。澆注片材看起來為光學透明的。本實例的有機娃氧燒嵌段共聚物具有大約為(Me2Si02/2) ο.82 (PhSiO372) 0.17的結構。

比較例比較例1:6摩爾％ (10重量％ )的苯某-T單元:在第一比較例中，使用肟基封端的PDMS形成有機矽氧烷嵌段共聚物，並且該有機矽氧烷嵌段共聚物具有大約6摩爾％的苯基-T單元(其對應於約10重量％的苯基-T單元)。更具體地講，向IL的三頸圓底燒瓶中裝入苯基倍半矽氧烷水解產物(Dow Corning217薄片，12g, 0.0876摩爾Si)和甲苯(飛世爾科技公司(Fisher Scientif ic), 280g),形成混合物。燒瓶裝配有溫度計、特氟隆攪拌槳和預先填充有甲苯並附接到水冷式冷凝器的DeanStark裝置。然後施加氮氣層。使用油浴加熱。將混合物回流加熱30min，隨後將其冷卻至100°C。此時，加入採用上述方法形成的肟基封端的PDMS溶液。更具體地講，使用200g甲苯、108g以矽烷醇為末端的PDMS (GelestDMS-S27，184dp)以及5g MTO(得自蓋勒斯特公司(Gelest))形成肟基封端的PDMS。在100°C下，將肟基PDMS迅速加入苯基倍半矽氧烷水解產物中，回流加熱3.5小時，然後加入正丁醇(12g，飛世爾科技公司(Fisher Scientific))並再回流加熱3小時，隨後將其冷卻至室溫。本文形成的有機矽氧烷嵌段共聚物為光學透明且無色的。然後將有機矽氧烷嵌段共聚物傾倒在平坦表面上並在室溫下蒸發溶劑過夜，從而形成澆注片材。澆注片材看起來為光學模糊/渾濁的。本實例的有機矽氧烷嵌段共聚物形成後，通過29Si核磁共振對其進行分析，確認其結構為具有0.49摩爾％ OR3的(Me2Si(V2)a 945 (PhSiOv2)aci44，其中R3如上文所述。
比較例2:41摩爾％ (55重量％ )的苯某-T單元:在另一個比較例中，使用肟基封端的PDMS形成有機矽氧烷嵌段共聚物，並且該有機矽氧烷嵌段共聚物具有大約41摩爾％的苯基-T單元(其對應於約55重量％的苯基-T單元)。更具體地講，向500mL的三頸圓底燒瓶中加入苯基倍半矽氧烷水解產物(DowCorning217 薄片，33.0g, 0.241 摩爾 Si)和甲苯(飛世爾科技公司(Fisher Scientific),70.0g)，形成混合物。燒瓶裝配有溫度計、特氟隆攪拌槳和預先填充有甲苯並附接到水冷式冷凝器的Dean Stark裝置。然後施加氮氣層。使用油浴加熱。將混合物回流加熱30min，隨後將其冷卻至100°C。此時，加入採用上述方法形成的肟基封端的PDMS溶液。更具體地講，使用70.0g甲苯、27.0g以矽烷醇為末端的PDMS (Gelest DMS-S27，184dp)以及1.25gMT0 (得自蓋勒斯特公司(Gelest))形成肟基封端的PDMS。在100°C下，將肟基PDMS迅速加入苯基倍半矽氧烷水解產物中，回流加熱5小時，然後加入正丁醇(6g,飛世爾科技公司(Fisher Scientific))並再回流加熱3小時。這時，通過蒸餾將一些揮發物除去，從而將固體含量增加至約40重量％。隨後，將混合物冷卻至室溫。本文形成的有機矽氧烷嵌段共聚物呈近藍色。然後將有機矽氧烷嵌段共聚物傾倒在平坦表面上並在室溫下蒸發溶劑過夜,從而形成澆注片材。澆注片材看起來為模糊/渾濁的。本實例的有機矽氧烷嵌段共聚物形成後，通過29Si核磁共振對其進行分析，確認其結構為具有 16.3 摩爾％ OR3 的(Me2Si(V2)ci 583 (MeSiOv2)acici7(PhSiOv2)a4ici，其中 R3 如上文所述。比較例3:64摩爾％ (75重量％ )的苯某-T單元:在又一個比較例中，使用肟基封端的PDMS形成有機矽氧烷嵌段共聚物，並且該有機矽氧烷嵌段共聚物具有大約64摩爾％的苯基-T單元(其對應於約75重量％的苯基-T單元)。更具體地講，向500mL的三頸圓底燒瓶中裝入苯基倍半矽氧烷水解產物(DowCorning217 薄片,45.0g,0.328 摩爾 Si)和甲苯(飛世爾科技公司(Fisher Scientific),100.0g)，形成混合物。燒瓶裝配有溫度計、特氟隆攪拌槳和預先填充有甲苯並附接到水冷式冷凝器的Dean Stark裝置。然後施加氮氣層。使用油浴加熱。將混合物回流加熱30min，隨後將其冷卻至100°C。此時，加入採用上述方法形成的肟基封端的PDMS溶液。更具體地講，使用40.0g甲苯、15.0g以矽烷醇為末端的PDMS (Gelest DMS-S27，184dp)以及0.697gMT0 (得自蓋勒斯特公司(Gelest))形成肟基封端的PDMS。在100°C下，將肟基PDMS迅速加入苯基倍半矽氧烷水解產物中，然後回流加熱
5.25小時。這時，通過蒸餾將一些揮發物除去，從而將固體含量增加至約40重量％。隨後，將混合物冷卻至室溫。本文形成的有機矽氧烷嵌段共聚物為模糊/渾濁的。然後將有機矽氧烷嵌段共聚物傾倒在平坦表面上並在室溫下蒸發溶劑過夜，從而形成澆注片材。澆注片材是易碎的，並且看起來呈輕微模糊/渾濁狀。本實例的有機矽氧烷嵌段共聚物形成後，通過29Si核磁共振對其進行分析，確認其結構為具有25.8摩爾％ OR3的(Me2Si02/2)a 353 (PhMeSi(V2)aciCl3(MeSiOv2) Wtl4(PhSiOv2)a64tl,其中 R3 如上文所述。比較例4 ;在共聚物形成後不再加入額外的烷基三乙醯氧基矽烷交聯劑:在再一個比較例中，向500mL的三頸圓底燒瓶中裝入苯基倍半矽氧烷水解產物(Dow Corning217薄片，16.8g，0.123摩爾Si)和甲苯(飛世爾科技公司(FisherScientific), 60.0g)，形成混合物。燒瓶裝配有溫度計、特氟隆攪拌槳和預先填充有甲苯並附接到水冷式冷凝器的Dean Stark裝置。然後施加氮氣層。使用油浴加熱。將混合物回流加熱I小時，隨後將其冷卻至108°C。此時，加入採用上述方法形成的乙醯氧基封端的PDMS溶液。更具體地講，使用80.0g甲苯、43.20g以矽烷醇為末端的PDMS (Dow Corning SFD750,184dp)以及1.54g烷基三乙醯氧基矽烷(ETS-900，得自道康寧公司(Dow Corning))形成乙醯氧基封端的PDMS。在100°C下,將乙醯氧基封端的PDMS迅速加入苯基倍半矽氧烷水解產物中，然後回流加熱總共11個小時。要注意的是，本比較例不包括加入ETS-900以及隨後回流的步驟。然後將有機矽氧烷嵌段共聚物傾倒在平坦表面上並在室溫下蒸發溶劑過夜，從而形成澆注片材。澆注片材看起來不透明。本實例的有機矽氧烷嵌段共聚物具有大約為(Me2Si02/2)a82(PhSi03/2)ai7(28重量％的苯基-T)的結構。比較例5:Κ0Η增稠摶術:在還有一個比較例中，向500mL的三頸圓底燒瓶中裝入苯基倍半矽氧烷水解產物(Dow Corning217 薄片，16.8g, 0.123 摩爾 Si)、184dp 以矽烷醇為末端的 PDMS (45.0g, 0.606摩爾Si)和甲苯(189.6g)。燒瓶裝配有溫度計、特氟隆攪拌槳和預先填充有甲苯並附接到水冷式冷凝器的Dean Stark裝置。然後在室溫下一邊攪拌一邊加入45.7重量％氫氧化鉀(0.553g)的水溶液，形成反應混合物。將反應混合物回流加熱總共7.5小時，然後用乾冰中和，並通過1.2 μ m過濾器進行過濾。低溶劑產物為模糊/渾濁的粘滯液體，如通過29Si核磁共振所確認，其組成為採用KOH增稠的(Me2SiCV2)a82(PhSiOv2)ai8^重量％的苯基-T，R/L 比為 4/1)。比較例6 ;氯矽烷共聚技術:在另一個比較例中，向2L的三頸圓底燒瓶中裝入184dp以矽烷醇為末端的PDMS(500.0g，6.74摩爾Si)和甲苯(519.0g，1.42摩爾)。燒瓶裝配有溫度計、特氟隆攪拌槳和預先填充有甲苯並附接到水冷式冷凝器的Dean Stark裝置。將苯基三氯矽烷(300.0g)迅速加入到以矽烷醇為末端的PDMS和甲苯中。隨後，向12L的三頸圓底燒瓶中裝入去離子水(1766.6g)和甲苯(1211.0g)。該燒瓶也裝配有溫度計、特氟隆攪拌槳和水冷式冷凝器。將苯基三氯矽烷、以矽烷醇為末端的PDMS和甲苯的混合物加入到去離子水和甲苯中，同時充分混合約25分鐘，然後將整個混合物轉移至6L的分液漏鬥中。然後移除水相，並使用1200mL去離子水的等分試樣清洗有機相4次。然後將有機相轉移回圓底燒瓶中並加熱至回流。通過共沸蒸餾除去殘餘的水。然後使用旋轉蒸發器在150°C的油浴溫度和約Imm Hg的真空下除去溶劑。產物為乳白色液體，其在25°C下測得的粘度為約8400cP，並且其組成對應於(Me2SiO272) 0.82 (PhSiO372 ) 0.18 ( 28 重量％苯基-T，R/L 比為 4/1)。比較例7:乙氣某封端的PDMS摶術:在又一個比較例中，形成了三乙氧基封端的PDMS。更具體地講，向500mL的三頸圓底燒瓶中裝入以矽烷醇為末端的184dp PDMS (Gelest DMS-S27，175.0g，2.36摩爾Si)、四乙氧基矽烷(TEOS) (Gelest，53.5g，0.257摩爾)和乙酸鉀(飛世爾科技公司(FisherScientific)，0.229g)。燒瓶裝配有溫度計、特氟隆攪拌槳和預先填充有甲苯並附接到水冷式冷凝器的Dean Stark裝置。然後施加氮氣層。使用油浴加熱。然後在150°C下將以矽烷醇為末端的184dp PDMS、四乙氧基矽烷和乙酸鉀的混合物加熱20小時。此時，29Si核磁共振表明約44%的SiOH基團仍未反應。因此，加入額外的乙酸鉀(0.916g)，並將混合物在150°C下再加熱33小時。隨後，使混合物壓濾通過1.2μπι過濾器，並採用旋轉蒸發儀在100°C的油浴和真空下將其汽提至乾燥。29Si核磁共振表明不存在SiOH基團，並且不存在TEOS。然後，使前一步中形成的三乙氧基封端的PDMS與苯基倍半矽氧烷水解產物反應。更具體地講，向500mL的三頸圓底燒瓶中裝入苯基倍半矽氧烷水解產物(Dow Corning217薄片，16.8g,0.123摩爾Si)和甲苯(飛世爾科技公司(Fisher Scientific),60.0g)。燒瓶裝配有溫度計、特氟隆攪拌槳和預先填充有甲苯並附接到水冷式冷凝器的Dean Stark裝置。然後施加氮氣層。使用油浴加熱。將混合物回流加熱30分鐘。隨後，將混合物冷卻至100°C，並加入三乙氧基封端的PDMS溶液(43.2g)和甲苯(80.0g)。混合物變為不透明，並再加入甲苯(44.1g)以使混合物轉變為透明。然後加入1.22g四正丁氧基鈦酸酯(DuPontTyzor TnBT)，混合物恢復為不透明顏色。再加入甲苯(52.8g)，然後使混合物回流總共15個小時。形成後，將混合物傾倒在平坦表面上並在室溫下蒸發溶劑過夜，從而形成澆注片材。澆注片材看起來不透明。比較例8 ;使用肟 基封端的PDMS形成有機矽氧烷嵌段共聚物:在第八比較例中，使用肟基封端的PDMS形成有機矽氧烷嵌段共聚物，並且該有機矽氧烷嵌段共聚物具有大約30摩爾％的苯基-T單元(其對應於約44重量％的苯基-T單元)。更具體地講，向500mL的三頸圓底燒瓶中裝入苯基倍半矽氧烷水解產物(DowCorning217 薄片，26.4g, 0.193 摩爾 Si)和甲苯(飛世爾科技公司(Fisher Scientific),80.0g)，形成混合物。燒瓶裝配有溫度計、特氟隆攪拌槳和預先填充有甲苯並附接到水冷式冷凝器的Dean Stark裝置。然後施加氮氣層。使用油浴加熱。將混合物回流加熱30min，隨後將其冷卻至100°C。此時，加入採用上述方法形成的肟基封端的PDMS溶液。更具體地講，使用60.0g甲苯、33.6g以矽烷醇為末端的PDMS (Gelest DMS-S27，184dp)以及1.56gMT0 (得自蓋勒斯特公司(Gelest))形成肟基封端的PDMS。在100°C下，將肟基PDMS迅速加入苯基倍半矽氧烷水解產物中，回流加熱3小時，然後加入正丁醇(6g,飛世爾科技公司(Fisher Scientific))並再回流加熱3小時。這時，通過蒸餾將一些揮發物除去，從而將固體含量增加至約40重量％。隨後，將混合物冷卻至室溫。本文形成的有機矽氧烷嵌段共聚物為光學透明且無色的。然後將有機矽氧烷嵌段共聚物傾倒在平坦表面上並在室溫下蒸發溶劑過夜，從而形成澆注片材。澆注片材看起來略為模糊/渾濁。本實例的有機矽氧烷嵌段共聚物形成後，通過29Si核磁共振對其進行分析，確認其結構為具有 10.5 摩爾％ OR3 的(Me2Si(V2)a 695 (MeSiOv2)acici8(PhSiOv2)a 297，其中 R3 如上文所述。比較例9:使用肟基封端的PDMS形成有機矽氧烷嵌段共聚物:在第九比較例中，使用肟基封端的PDMS形成有機矽氧烷嵌段共聚物，並且該有機矽氧烷嵌段共聚物具有大約10摩爾％的苯基-T單元(其對應於約15重量％的苯基-T單元)。更具體地講，向500mL的三頸圓底燒瓶中裝入苯基倍半矽氧烷水解產物(DowCorning217 薄片，9.00g, 0.0657 摩爾 Si)和甲苯(飛世爾科技公司(Fisher Scientific)，60.0g)，形成混合物。燒瓶裝配有溫度計、特氟隆攪拌槳和預先填充有甲苯並附接到水冷式冷凝器的Dean Stark裝置。然後施加氮氣層。使用油浴加熱。
將混合物回流加熱30min，隨後將其冷卻至100°C。此時，加入採用上述方法形成的肟基封端的PDMS溶液。更具體地講，使用80.0g甲苯、51.0g以矽烷醇為末端的PDMS (DowCorning3-0213,400dp)以及1.09gMT0(得自蓋勒斯特公司(Gelest))形成廂基封端的PDMS。在100°C下，將肟基PDMS迅速加入苯基倍半矽氧烷水解產物中，回流加熱6小時，然後加入正丁醇(6g,飛世爾科技公司(Fisher Scientific))並再回流加熱I小時。這時，通過蒸餾將一些揮發物除去，從而將固體含量增加至約40重量％。隨後，將混合物冷卻至室溫。本文形成的有機矽氧烷嵌段共聚物為透明的。然後將有機矽氧烷嵌段共聚物傾倒在平坦表面上並在室溫下蒸發溶劑過夜，從而形成澆注片材。澆注片材看起來不透明。本實例的有機矽氧烷嵌段共聚物形成後，通過29Si核磁共振對其進行分析，確認其結構為具有
1.78 摩爾％ OR3 的(Me2Si(V2)a 899 (MeSiOv2)acici5(PhSiOv2)aci96，其中 R3 如上文所述。比較例10:使用肟基封端的PDMS形成有機矽氧烷嵌段共聚物:在第十比較例中，使用肟基封端的PDMS形成有機矽氧烷嵌段共聚物，並且該有機矽氧烷嵌段共聚物具有大約 18摩爾％的苯基-T單元(其對應於約28重量％的苯基-T單元)。更具體地講，向500mL的三頸圓底燒瓶中裝入苯基倍半矽氧烷水解產物(DowCorning217 薄片，16.93g, 0.124摩爾 Si)和甲苯(飛世爾科技公司(Fisher Scientific)，80.0g)，形成混合物。燒瓶裝配有溫度計、特氟隆攪拌槳和預先填充有甲苯並附接到水冷式冷凝器的Dean Stark裝置。然後施加氮氣層。使用油浴加熱。將混合物回流加熱30min，隨後將其冷卻至100°C。此時，加入採用上述方法形成的肟基封端的PDMS溶液。更具體地講，使用60.0g甲苯、43.07g以矽烷醇為末端的PDMS (DowCorning3-0213,400dp)以及0.918g MTO(得自蓋勒斯特公司(Gelest))形成肟基封端的PDMS。在100°C下，將肟基PDMS迅速加入苯基倍半矽氧烷水解產物中，回流加熱6小時，然後加入正丁醇(6g,飛世爾科技公司(Fisher Scientific))並再回流加熱3小時。這時，通過蒸餾將一些揮發物除去，從而將固體含量增加至約40重量％。隨後，將混合物冷卻至室溫。本文形成的有機矽氧烷嵌段共聚物為模糊/渾濁的。然後將有機矽氧烷嵌段共聚物傾倒在平坦表面上並在室溫下蒸發溶劑過夜，從而形成澆注片材。澆注片材看起來不透明。本實例的有機矽氧烷嵌段共聚物形成後，採用29Si核磁共振對其進行分析，確認其結構為具有 5.49 摩爾 ％ OR3 的(Me2Si(V2)ci814(MeSiOv2)acici4(PhSiOv2)ai82，其中 R3 如上文所述。評價澆注片材的光學透明度:對實例1-3與比較例1-3和8的澆注片材進行評估，確定光學透明度。更具體地講，測量波長為約350至1000納米的光透過Imm厚樣品的透射率％。透射率％的值在下面示出。圖5從左到右分別示出了比較例1、實例1-3、比較例8、比較例2和比較例3的澆注片材的圖片。此外，圖6為比較例1、2和8以及實例1-3的澆注片材的透射率％對波長的關係的光譜圖；圖5和6中示出的數據表明，本發明的特定重量百分比的直鏈二有機矽氧烷單元和特定重量百分比的非直鏈矽氧烷單元製備出的澆注片材對在寬光譜內的光具有高的難以置信的透射率百分比。這些圖中示出的數據還表明，某些重量百分比的直鏈二有機矽氧烷單元和特定重量百分比的非直鏈矽氧烷單元(如比較例所示的那些)未產生此類結果。評價澆注片材的物理特性:還分別依據麼5了] 方法0412、0412、02240、0624和0542對實例1_3和6以及比較例1、2、4、8、9和10的澆注片材進行評估，確定拉伸強度、伸長率、肖氏硬度A、撕裂強度(直角形(Die C))和折射率這些物理特性。將這些實例的澆注片材各自在約160°C的溫度下固化約3小時。這些評價的結果在下表中示出:
權利要求
1.一種有機娃氧燒嵌段共聚物,包含: A.65至90摩爾％的式為R12SiO2Z2 (I)的二有機矽氧烷單元，其中所述二有機矽氧烷單元以直鏈嵌段排布，每個所述直鏈嵌段具有平均10至400個二有機矽氧烷單元；以及 B.10至35摩爾％的平均式為R2x (OR3) ySiO(4_x_y)/2 (II)的矽氧烷單元，其中所述矽氧烷單元以非直鏈嵌段排布，每個所述非直鏈嵌段具有至少2個矽氧烷單元，0.5 < X < 1.5，並且O彡y彡I ; 其中每個R1獨立地為C1至Cltl烴基，每個R2獨立地為芳基或C4至Cltl烴基，至少50摩爾％的R2為芳基，每個R3獨立地為R1或H ;並且 其中所述有機矽氧烷嵌段共聚物的透光率為至少95%。
2.根據權利要求1所述的有機矽氧烷嵌段共聚物，其中所述式為R12SiOy2(I)的二有機矽氧烷單元以79至89摩爾0A的量存在。
3.根據權利要求2所述的有機矽氧烷嵌段共聚物，其中所述平均式為R2x(0R3)ySiO(4_x_y)/2(II)的矽氧烷單元以11至21摩爾％的量存在。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的有機矽氧烷嵌段共聚物，其中所述直鏈嵌段具有平均50至400個二有機矽氧烷單元每個直連嵌段。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的有機矽氧烷嵌段共聚物，其中0.8 < X < 1.2並且O彡y彡0.2。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的有機矽氧烷嵌段共聚物，其中R1為甲基，每個R2為芳基，並且每個R3為H。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的有機矽氧烷嵌段共聚物，基本上由所述式為R12SiO272 (I)的二有機矽氧烷單元和平均式為R2x(0R3)ySi0(4_x_y)/2(II)的矽氧烷單元組成。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的有機矽氧烷嵌段共聚物的固化產物。
9.一種形成有機矽氧烷嵌段共聚物的方法，所述有機矽氧烷嵌段共聚物包含65至90摩爾％的式為R12SiC^2 (I)的二有機矽氧烷單元，其中所述二有機矽氧烷單元以直鏈嵌段排布，每個所述直鏈嵌段具有平均10至400個二有機矽氧烷單元以及10至35摩爾％的平均式為R2x (OR3)ySiO(4_x_y)/2 (II)的矽氧烷單元，其中所述矽氧烷單元以非直鏈嵌段排布，每個所述非直鏈嵌段具有至少2個矽氧烷單元，其中0.5 < X < 1.5，O < y < I，每個R1獨立地為C1至Cltl烴基，每個R2獨立地為芳基或C4至Cltl烴基，至少50摩爾％的R2為芳基，每個R3獨立地為R1或H，並且其中所述有機矽氧烷嵌段共聚物的測得的透光率為至少95%，所述方法包括使(a)式為R1 (Z = N-0)20Si (R12SiO272)nSi (0-N = Z) J1(III)的直鏈有機矽氧烷；與 (b)平均單元式為R2x(0R3)ySi0(4_x_y)/2(II)的有機矽氧烷樹脂，在 (c)有機溶劑中反應以形成所述有機矽氧烷嵌段共聚物的步驟，其中Z為=CR12或=CR4，其中R4為亞烴基，並且η的平均值為100至400。
10.根據權利要求9所述的方法，其中所述(a)直鏈有機矽氧烷以65至90摩爾％的量與10至35摩爾％的量的所述(b)有機矽氧烷樹脂進行反應。
11.根據權利要求9至10中任一項所述的方法，其中所述(a)直鏈有機矽氧烷以79至89摩爾％的量與11至21摩爾％的量的所述(b)進行反應。
12.根據權利要求9至11中任一項所述的方法，還包括除去所述有機溶劑的步驟。
13.根據權利要求9至12中任一項所述的方法，其中所述有機矽氧烷嵌段共聚物為片材。
14.根據權利要求9至13中任一項所述的方法，還包括使所述有機矽氧烷嵌段共聚物與具有I至10個碳原子的醇反應以形成烷氧基封端的有機矽氧烷嵌段共聚物的步驟。
15.根據權利要求9至14中任一項所述的方法形成的有機聚矽氧烷嵌段共聚物。
16.—種形成有機娃氧燒嵌段共聚物的方法,所述有機娃氧燒嵌段共聚物包含65至90摩爾％的式為R12SiC^2 (I)的二有機矽氧烷單元，其中所述二有機矽氧烷單元以直鏈嵌段排布，每個所述直鏈嵌段具有平均10至400個二有機矽氧烷單元以及10至35摩爾％的平均式為R2x (OR3)ySiO(4_x_y)/2 (II)的矽氧烷單元，其中所述矽氧烷單元以非直鏈嵌段排布，每個所述非直鏈嵌段具有至少2個矽氧烷單元，其中0.5 < X < 1.5，O < y < I，每個R1獨立地為C1至Cltl烴基，每個R2獨立地為芳基或C4至Cltl烴基，至少50摩爾％的R2為芳基，每個R3獨立地為R1或H，並且其中所述有機矽氧烷嵌段共聚物的測得的透光率為至少95%，所述方法包括以下步驟: 使⑷式為 R1 [R1C( = 0)0]20Si (R12SiO272)nSi
的直鏈有機矽氧烷與(b)平均單元式為R2x(0R3)ySi0(4_x_y)/2(II)的有機矽氧烷樹脂在(c)有機溶劑中反應以生成第一反應產物；以及 使所述第一反應產物與式為R5qSiX4-,的矽烷反應以形成所述有機矽氧烷嵌段共聚物，其中R5為C1至C8烴基或C1至C8滷素取代的烴基，X為可水解基團，並且q為O、I或2。
17.根據權利要求16所述的方法，其中所述(d)直鏈有機矽氧烷以65至90摩爾％的量與10至35摩爾％的量的所述(b)有機矽氧烷樹脂反應生成所述第一反應產物。
18.根據權利要求16或17中任一項所述的方法，其中所述第一反應產物以90至99.9摩爾％的量與0.1至10摩爾 ％的量的所述娃燒進行反應。
19.根據權利要求16至18中任一項所述的方法，還包括除去所述(c)有機溶劑的步驟。
20.根據權利要求16至19中任一項所述的方法，其中所述有機矽氧烷嵌段共聚物為片材。
21.根據權利要求16至20中任一項所述的方法，還包括使所述有機矽氧烷嵌段共聚物與具有I至10個碳原子的醇反應以形成烷氧基封端的有機矽氧烷嵌段共聚物的步驟。
22.根據權利要求16至21中任一項所述的方法形成的有機聚矽氧烷嵌段共聚物。
23.一種電子製品，包括: A.光電半導體；以及 B.封裝材料，其設置在所述光電半導體上並包含有機矽氧烷嵌段共聚物，所述有機矽氧烷嵌段共聚物包含: (1)65至89摩爾％的式為R12SiO2Z2⑴的二有機矽氧烷單元，其中所述二有機矽氧烷單元以直鏈嵌段排布，每個所述直鏈嵌段具有平均10至400個二有機矽氧烷單元，和 (2)10至35摩爾％的平均式為R2x (OR3) ySiO(4_x_y)/2 (II)的矽氧烷單元，其中所述矽氧烷單元以非直鏈嵌段排布，每個所述非直鏈嵌段具有至少2個矽氧烷單元，0.5 < X < 1.5，並且O彡y彡1， 其中每個R1獨立地為C1至Cltl烴基，每個R2獨立地為芳基或C4至Cltl烴基，至少50摩爾％的R2為芳基，每個R3獨立地為R1或H ;並且 其中所述有機矽氧烷嵌段共聚物的透光率為至少95%。
24.根據權利要求23所述的電子製品，其中所述封裝材料為固化的。
25.根據權利 要求23或24中任一項所述的電子製品，還包括基板。
26.根據權利要求25所述的電子製品，其中所述基板包括根據權利要求23所述的有機矽氧烷嵌段共聚物。
27.根據權利要求25所述的電子製品，其中所述光電半導體直接設置在所述基板上，並且所述封裝材料設置在所述光電半導體上並將所述光電半導體包封住。
28.根據權利要求23至27中任一項所述的電子製品，還被定義為光伏電池模塊。
29.根據權利要求23至28中任一項所述的電子製品，還被定義為包括兩個或更多個光伏電池模塊的光伏陣列。
30.根據權利要求23至27中任一項所述的電子製品，還被定義為發光二極體。
31.一種製備根據權利要求23至30中任一項所述的電子製品的方法。
全文摘要
本發明公開了一種有機矽氧烷嵌段共聚物，其包含65至90摩爾％的式為R12SiO2/2(I)的二有機矽氧烷單元。這些二有機矽氧烷單元以直鏈嵌段排布，每個所述直鏈嵌段具有平均10至400個二有機矽氧烷單元。所述有機矽氧烷嵌段共聚物還包含10至35摩爾％的平均式為R2x(OR3)ySiO(4-x-y)/2(II)的矽氧烷單元。所述矽氧烷單元以非直鏈嵌段排布，每個所述非直鏈嵌段具有至少2個矽氧烷單元，其中0.5≤x≤1.5並且0≤y≤1。此外，每個R1獨立地為C1至C10烴基，每個R2獨立地為芳基或C4至C10烴基，至少50摩爾％的R2為芳基，並且每個R3獨立地為R1或H。並且，所述有機矽氧烷嵌段共聚物的透光率為至少95％。
文檔編號C08G77/54GK103189421SQ201180053369
公開日2013年7月3日 申請日期2011年9月21日 優先權日2010年9月22日
發明者J·霍斯特曼, A·諾裡斯, S·斯維爾 申請人:道康寧公司