陰極射線管發光屏組件的製造方法

2023-10-05 20:50:44

專利名稱：陰極射線管發光屏組件的製造方法
技術領域：
本發明涉及陰極射線管(CRT)的包括光吸收矩陣的發光屏組件的製造方法，特別涉及使用其開口寬度基本大於製得的矩陣開口寬度的選色極製備矩陣的方法。


圖1表示其上具有屏組件22的常規CRT的蔭罩2和觀看面極18。蔭罩2包括多個矩形開口4，圖中僅示出一個開口。屏組件22包括具有矩形開口的光吸收矩陣23，在矩形開口中分別設置發射藍、綠和紅光的螢光線B、G和R。三種發光顏色的螢光體和它們之間的矩陣線或保護帶(guardband)包括具有大約0.84mm(33密耳)的寬度或屏節距P的三元組。以下用RB表示發射紅和藍光的螢光線之間的保護帶，用RG表示發射紅和綠光的螢光線之間的保護帶，用BG表示發射藍和綠光的螢光線之間的保護帶。對於常規蔭罩2來說，蔭罩開口4的寬度a不大於三元組寬度P的三分之一。在對角線尺寸為51cm(20英寸)的CRT中，蔭罩開口4的寬度a在約0.23mm(9密耳)的數量級，形成於矩陣中的開口的最終寬度b約為0.18mm(7密耳)。矩陣23在相鄰螢光線之間的保護帶寬度c約為0.1mm(4密耳)。最好採用1971年1月26日授予Mayaud的美國專利3558310中所述的工藝方法將矩陣23形成在觀看面板18上。簡要地說，在觀看面板上配置其溶解度可因光而改變的適當光致抗蝕劑膜。通過蔭罩2中的開口4使光致抗蝕劑對來自普通三合一(three-in-one)曝光臺(未示出)的紫外光曝光。在每次曝光之後，將燈移動到曝光臺中的不同位置，以再現來自CRT電子槍的電子束入射角。典型地，如圖2所示，用6、7和8表示的三束電子束的位置間隔大約5.38mm(212密耳)的距離Xo。要求從三個不同的燈位置進行三次曝光，以完成矩陣曝光處理。然後，用水衝洗被曝光的膜，去除具有較高溶解度的膜區域，從而露出面板盤(faceplate panel)的裸露區域。接著，用現有技術中公知的那種黑色矩陣漿料塗敷面板盤內表面，當乾燥時，該漿料粘附到面板盤的露出區域上。最後，去除覆蓋被保留膜的矩陣材料以及保留膜區域，留下面板盤的前述露出區域上的矩陣層。再參照圖1，在蔭罩開口的寬度a與矩陣開口的寬度b之間的差被稱為「印刷減小(print down)」。這樣，在圖1的常規蔭罩型CRT中，蔭罩開口的寬度約為0.23mm，矩陣開口的寬度約為0.18mm，典型的「印刷減小」約為0.05mm(2密耳)。蔭罩型CRT的缺點是在屏幕中心，蔭罩幾乎截取電子束電流的約18-22％；即，據說蔭罩僅具有大約18-22％的透過率。這樣，蔭罩2中開口4的面積約為罩面積的18-22％。因為沒有與蔭罩2有關的聚焦場，所以屏組件22的相應部分被電子束激勵。
為了增加選色極的透過率而不增加屏幕被激勵部分的尺寸，需要偏轉後聚焦選色結構。這種結構的聚焦特性允許較大孔徑的開口，用以獲得比普通蔭罩大的電子束透過率。這種結構中的一種，即單軸張力聚焦罩，披露於1997年7月8日授予R.W.Nosker等人的美國專利5646478中。使用例如張力聚焦罩之類的偏轉後聚焦選色極的缺點是不能採用形成矩陣的常規方法，因為現有方法僅提供大約0.05mm(2密耳)的「印刷減小」。對於美國專利5646478的張力聚焦罩來說，屏組件的三元組間隔P與具有常規蔭罩的CRT的相同，因而矩陣開口寬度約為0.18mm。可是，如後所述，對於張力聚焦罩型CRT來說，需要大約0.37mm(14.5密耳)的「印刷減小」。用上述常規矩陣處理方法不能實現「印刷減小」的這種高程度。此外，對於張力聚焦罩型CRT來說，利用例如上述美國專利3558310所教導的常規三合一曝光臺工藝方法形成的任何矩陣開口圖形都將導致因「Q」間隔誤差使轟擊在發射藍和紅光的螢光體上的電子束誤著屏。尺寸「Q」是選色極與面板內表面之間的距離。典型的「Q」間隔誤差在+/-5％的數量級，即由面板厚度或曲率與理想尺寸的偏差引起的蔭罩-屏幕間隔上的變化。因此，需要一種新的製備矩陣的方法，該方法對於非常大的「印刷減小」也能處理同時沒有電子束的誤著屏。
本發明涉及陰極射線管面板盤內表面上具有光吸收矩陣的發光屏組件的製造方法，在光吸收矩陣中有多個尺寸大體相等的開口。該管具有與面板盤內表面相距距離Q的選色極。該方法包括在面板盤內表面上提供其溶解度在曝光時可改變的第一光致抗蝕劑層的步驟。使第一光致抗蝕劑層對來自相對於中心光源位置0設置於兩個對稱光源位置的燈的光曝光。曝光選擇地改變第一光致抗蝕劑層被照區域的溶解度，產生較高溶解度的區域和較低溶解度的區域。去除較高溶解度的區域，露出面板盤內表面的區域，同時保留較低溶解度區域。用光吸收材料的組合物覆蓋面板盤內表面和第一光致抗蝕劑層的保留區域。去除第一光致抗蝕劑層的保留區域和其上的光吸收材料，從而露出面板盤內表面的部分同時保留粘附於面板盤內表面的光吸收材料的第一保護帶。利用第二和第三光致抗蝕劑層重複該工藝方法。用相對於中心光源位置0設置於另外的非對稱光源位置的燈，通過選色極進行第二和第三光致抗蝕劑層的曝光。隨後塗敷光吸收材料並去除被選擇的區域，露出面板盤內表面的部分同時保留粘附於面板盤內表面的光吸收材料的第二和第三保護帶。然後，在面板盤內表面的露出部分上澱積螢光材料，完成屏組件。
附圖中圖1是展示「印刷減小」的CRT常規蔭罩和屏組件的一部分的放大剖面圖；圖2表示CRT內三束電子束的位置B、G和R；圖3是按照本發明製備的彩色CRT的局部軸向剖切的平面圖；圖4是圖3的CRT的張力聚焦罩和屏組件的一部分的放大剖面圖；圖5是用於圖3的CRT中的張力聚焦罩和框架的平面圖；圖6表示製造工藝方法的第一步驟，其中一部分CRT面板盤具有設置於其內表面的第一光致抗蝕劑層；圖7表示來自第一燈位置+G和第二燈位置-G的光通過張力聚焦罩照射第一光致抗蝕劑層的區域；圖8是圖7中圓8內區域的放大圖，表示本工藝方法的第二步驟，其中在第一光致抗蝕劑層中產生較高溶解度和較低溶解度的區域；圖9表示該工藝方法的第三步驟，其中去除第一光致抗蝕劑層的較高溶解度的區域並留下保留的較低溶解度的區域；圖10表示該工藝方法的第四步驟，其中在面板盤內表面和第一光致抗蝕劑層的較低溶解度的保留區域上塗敷光吸收材料的組合物；圖11表示該工藝方法的第五步驟，其中去除較低溶解度的保留區域和其上的光吸收材料，從而露出面板盤內表面的部分同時保留粘附於面板盤內表面的光吸收材料的第一保護帶；圖12表示該製造工藝方法的第六步驟，其中在CRT面板盤內表面的露出部分和第一保護帶上設置第二光致抗蝕劑層；圖13表示來自第三燈位置+B和第四燈位置-B的光通過張力聚焦罩照射第二光致抗蝕劑層的區域；圖14是圖13的圓14內區域的放大圖，表示該工藝方法的第七步驟，其中在第二光致抗蝕劑層中產生較高溶解度和較低溶解度的區域；圖15表示該工藝方法的第八步驟，其中去除第二光致抗蝕劑層的較可溶的區域，露出所述面板盤的所述內表面的區域，同時留下所述第二光致抗蝕劑層的較低溶解度的保留區域；圖16表示該工藝方法的第九步驟，其中在面板盤內表面和第二光致抗蝕劑層的較低溶解度的保留區域上塗敷光吸收材料的組合物；圖17表示該工藝方法的第十步驟，其中去除較低溶解度的保留區域和其上的光吸收材料，露出面板盤內表面的部分，同時保留粘附於面板盤內表面的光吸收材料的第二保護帶；圖18表示該工藝方法的第十一步驟，其中在CRT面板盤內表面的露出部分和第一以及第二保護帶上設置第三光致抗蝕劑層；圖19表示來自第五燈位置+R和第六燈位置-R的光通過張力聚焦罩然照射第三光致抗蝕劑層的區域；圖20是圖19的圓20內區域的放大圖，表示本工藝方法的第十二步驟，其中在第三光致抗蝕劑層中產生較高溶解度和較低溶解度的區域；圖21表示本工藝方法的第十三步驟，其中去除第三光致抗蝕劑層的更可溶的區域，露出所述面板盤的所述內表面的區域同時留下較低溶解度的保留區域；圖22表示該工藝方法的第十四步驟，其中在面板盤內表面和第三光致抗蝕劑層的較低溶解度的保留區域上塗敷光吸收材料的組合物；圖23表示該工藝方法的第十五步驟，其中去除較低溶解度的保留區域和其上的光吸收材料，露出面板盤內表面的部分和粘附於面板盤內表面的光吸收材料的第三保護帶；圖24表示保護帶和螢光體開口如何隨「Q」間距改變而改變；和圖25是作為Q誤差的函數的保護帶寬度、螢光體開口寬度和螢光屏誤著屏的曲線。
圖3表示具有玻殼11的陰極射線管10，玻殼11包括用矩形錐體15連接的矩形面板盤12和管頸14。錐體具有從陽極鈕16延伸到管頸14的內導電塗層(未示出)。面板盤12包括圓柱形觀看面板18和利用玻璃熔料密封到錐體15上的周邊凸緣或側壁20。三色螢光屏組件22裝於觀看面板18的內表面上。屏組件22是線性屏，如圖4所示，具有按三個一組(三元組)排列的發射藍、綠和紅光的螢光體，各三元組包括由光吸收矩陣23的保護帶分開的三種顏色中的每一種顏色的螢光線。按相對於屏組件22的預定間距，將例如張力聚焦罩之類的多孔選色極24可拆卸地安裝在面板盤12內。該距離被稱為「Q」間距。用圖3中虛線所示意表示的電子槍26同軸地裝入管頸14內，產生和引導三束一字形電子束(示於圖2中)沿會聚路徑通過張力聚焦罩24到達屏組件22。電子槍是常規的，可以是現有技術中公知的任何適當的槍。
CRT 10被設計與外部磁偏轉線圈，例如在錐體-管頸結合處附近所示的線圈30一起使用。當被激勵時，線圈30使三束電子束受到磁場的作用，使電子束在屏組件22上掃描出水平和垂直矩形光柵。
正如現有技術中所知的，鋁層(未示出)覆蓋屏組件22，提供對其的電接觸以及反射表面，該反射表面將從螢光體發射的光通過觀看面極18射向外部。如圖5所示，最好由厚約為0.05mm(2密耳)且包括兩條長邊和兩條短邊的低碳鋼矩形薄板形成張力聚焦罩24。張力聚焦罩的兩條長邊平行於罩的中心長軸X，兩條短邊平行於罩的中心短軸Y。參見圖4和5，張力聚焦罩24包括有孔部分，有孔部分包含被平行於罩短軸Y的狹縫(slot)33隔開的大量第一細長線束(strand)32。
在本發明第一實施例中，例如，在對角線尺寸為68cm(27英寸)的CRT中，被定義為第一線束32和相鄰狹縫33的橫向尺寸的罩節距約為0.85mm(33.5密耳)。如圖4所示，各第一線束32的橫向尺寸或寬度d約為0.36mm(14密耳)，各狹縫33的寬度a′約為0.49mm(19.5密耳)。狹縫33從張力聚焦罩的相鄰一個長邊延伸到其相鄰的另一長邊。分別具有約為0.025mm(1密耳)的直徑的多個第二線束34大體垂直於第一線束32取向並在它們之間間隔絕緣器36。用於張力聚焦罩24的框架38包括圖5中所示的四個主構件、兩個抗扭力構件(torsion members)40和41、以及兩個側邊構件42和43。兩個抗扭力構件40和41平行於長軸X並且彼此平行。張力聚焦罩24的長邊焊接在對罩24提供所需張力的兩個抗扭力構件40和41之間。返回到圖4，形成於觀看面板18上的屏22包括光吸收矩陣23，光吸收矩陣23具有其中設置發射B、G和R光的螢光線的矩陣開口。相應的矩陣開口具有約為0.173mm(6.8密耳)的最佳或理想寬度b。各矩陣線或保護帶的最佳寬度c約為0.127mm(5密耳)，各螢光體三元組的寬度或屏節距P約為0.91mm(35.8密耳)。對於本實施例，張力聚焦罩24與面板盤12內表面的中心相隔距離Q約為15.1mm(593.3密耳)。
圖6-23示出用於製造矩陣23的新工藝方法，其中使用其罩狹縫33寬於罩線束24的張力聚焦罩24。在清洗面板盤12之後，利用常規裝置，在其內表面上配置負作用(negative acting)光致抗蝕劑材料，形成第一光致抗蝕劑層50。如圖7和8所示，在曝光臺(未示出)內，來自至少兩個光源位置+G和-G的光通過張力聚焦罩24對第一光致抗蝕劑層50曝光。第一光源位置+G相對於中心光源位置0位於約為1.78mm(70mm)的距離ΔX處。第二光源位置-G對稱地位於距中心光源位置0約為-1.78mm(-70mm)的距離-ΔX處。光源位置+G和-G距第一光致抗蝕劑層50的縱向間距約為280.86mm(11.0573英寸)。如圖8所示，在張力聚焦罩24與其上配置第一光致抗蝕劑層50的面板內表面之間的Q間距約為15.1mm(593.3密耳)。從光源位置+G和-G發射的光選擇地改變第一光致抗蝕劑層50的被照區域的溶解度，從而產生較低溶解度的區域52。由罩線束32屏蔽的第一光致抗蝕劑層50的區域沒有改變並且構成較高溶解度的區域54。如圖9所示，用水顯影光致抗蝕劑，於是去除較高溶解度的區域和露出較高溶解度區域下面的面板盤12內表面的區域56，同時保留具有較低溶解度的第一光致抗蝕劑層50的那些區域52。
如圖10所示，用光吸收材料58的組合物覆蓋露出的區域56和保留的較低溶解度的區域52。光吸收材料58粘附於露出區域56中的面板盤12的內表面上。最好，光吸收材料是可從Acheson ColloidsCo.,Port Huron,MI購買的石墨組合物。然後，利用現有技術中公知的化學消化劑水溶液，去除第一光致抗蝕劑層的保留區域52和其上的光吸收材料。如圖11所示，第一保護帶60和光吸收材料的邊界62粘附於面板盤12的內表面。
參照圖12，通過在面板盤12的內表面上提供負作用光致抗蝕劑材料，再次重複該工藝方法，形成第二光致抗蝕劑層70。如圖13和14所示，在曝光臺(未示出)內，第二光致抗蝕劑70通過張力聚焦罩24對來自至少兩個光源位置+B和-B的光曝光。第三光源位置+B相對於中心光源位置0非對稱地位於設置於大約8.99mm(354密耳)的距離2X1-ΔX處。第四光源位置-B非對稱地位於距中心光源位置0大約為-3.61mm(-142密耳)的距離-X1+ΔX處。光源位置+B和-B距第二光致抗蝕劑70的縱向間距保持約為280.86mm(11.0573英寸)的距第一光致抗蝕劑50的縱向間距。如圖14所示，在張力聚焦罩24與其上設置第二光致抗蝕劑層70的面板內表面之間的Q間距保持在大約15.1mm(593.3密耳)。從光源位置+B和-B發射的光選擇地改變第二光致抗蝕劑層70被照區域的溶解度，從而產生較低溶解度的區域72。由罩線束32屏蔽的第二光致抗蝕劑層70的區域沒有改變並且構成較高溶解度的區域74。如圖15所示，用水顯影光致抗蝕劑，於是去除較高溶解度的區域和露出較高溶解度區域下面的面板盤12內表面的區域76，同時保留具有較低溶解度的第二光致抗蝕劑層70的那些區域72。
如圖16所示，用光吸收材料78的組合物覆蓋在先形成的露出的區域76和保留的較低溶解度的區域72。光吸收材料78粘附於在先形成的露出區域76中的面板盤12內表面上。然後，利用現有技術中公知的化學消化劑水溶液，去除第二光致抗蝕劑層的保留區域72和其上的光吸收材料。如圖17所示，新形成的第二保護帶80和先前形成的第一保護帶60保留在面板盤12的內表面上。
參照圖18，通過在面板盤12內表面上提供負作用光致抗蝕劑材料，第三次重複該工藝方法，形成第三光致抗蝕劑層90。如圖19和20所示，在曝光臺(未示出)內，第三光致抗蝕劑90通過張力聚焦罩24對來自至少兩個光源位置+R和-R的光曝光。第五光源位置+R相對於中心光源位置0非對稱地設置於大約為3.61mm(142密耳)的距離X2-ΔX處。第六光源位置-R非對稱地設置於距中心光源位置0大約為-8.99mm(-354密耳)的距離-2X2+ΔX處。光源位置+R和-R距第三光致抗蝕劑層90的縱向間距保持在大約280.86mm(11.0573英寸)。如圖20所示，在張力聚焦罩24與其上設置第三光致抗蝕劑層90的面板內表面之間的Q間距保持在大約15.1mm(593.3密耳)。如圖20所示，從光源位置+R和-R發射的光選擇性地改變第三光致抗蝕劑層90的被照區域的溶解度，於是產生較低溶解度的區域92。由罩線束32屏蔽的第三光致抗蝕劑層90的區域沒有改變並且構成較高溶解度的區域94。如圖21所示，用水顯影光致抗蝕劑，從而去除較高溶解度的區域和露出較高溶解度區域下面的面板盤12內表面的區域96，同時保留具有較低溶解度的第三光致抗蝕劑層90的那些區域92。
如圖22所示，用光吸收材料98的組合物覆蓋在先形成的露出的區域96和在面板盤12內表面上的較低溶解度的保留區域92。光吸收材料98粘附於在先形成的露出區域96中的面板盤12內表面上。然後，利用現有技術中公知的化學消化劑水溶液，去除第三光致抗蝕劑層的保留區域92和其上的光吸收材料。如圖23所示，新形成的第三保護帶100和先前形成的第一保護帶60和第二保護帶80保持在面板盤12的內表面上。
圖24中示出本工藝方法的優點。如果Q間距改變，例如因從張力聚焦罩到面板盤內表面的距離改變，那麼R、B和B矩陣開口也改變，但尺寸保持相等。如果因前述「Q誤差」，Q間距改變-5％，那麼各矩陣開口的寬度從0.173mm(6.8密耳)的理想尺寸增加到大約0.189mm(7.46密耳)，保護帶改變如下保護帶60的寬度從0.127mm(5密耳)的理想尺寸增加到大約0.139mm(5.49密耳)，而保護帶80和100的寬度從0.127mm(5密耳)的理想尺寸減小到大約0.0945mm(3.72密耳)。可是，如果Q間距改變+5％，那麼各矩陣開口的寬度減小到大約0.156mm(6.14密耳)，但保護帶尺寸改變如下保護帶60的寬度減小到0.115mm(4.51密耳)，同時保護帶80和100的寬度增加到0.160mm(6.28密耳)。這些結果圖示於圖25中。
在形成矩陣之後，用適當方法澱積螢光屏元，該方法例如披露於1996年10月3日授予Gorog等人的美國專利5455133中。本方法調節矩陣開口和保護帶的尺寸，以考慮Q間距的改變。可是，如圖25所示，作為本方法的結果，轟擊紅、藍和綠螢光體的電子束沒有誤著屏。
本發明還可應用於較細節距的張力聚焦罩。例如，其中張力聚焦罩的罩節距為0.65mm(25.6密耳)和第一線束寬度為0.3mm(11.8密耳)，相應的屏節距為0.68mm(25.8密耳)。各矩陣開口的最佳寬度b約為0.132mm(5.2密耳)，矩陣線寬度c約為0.094mm(3.7密耳)。對於本實施例的張力聚焦罩24，中心Q間距約為11.14mm(449密耳)。
此外，如果張力聚焦罩24的罩節距為0.41mm(16.1密耳)且第一線束寬度為0.2mm(7.8密耳)，相應的屏節距為0.42mm(16.5密耳)。各矩陣開口的寬度b約為0.066mm(2.6密耳)，矩陣線寬度c約為0.074mm(2.9密耳)。在本實施例的張力聚焦罩24中，中心Q間距約為7.4mm(291.5密耳)。
權利要求
1．一種CRT面板盤12內表面上具有光吸收矩陣23的發光屏組件22的製造方法，在光吸收矩陣23中有多個尺寸大體相等的開口，該CRT帶有與所述面板盤的所述內表面相距距離Q的選色極24，所述方法包括下列步驟a)在面板盤12內表面上提供其溶解度在曝光時可改變的第一光致抗蝕劑層50；b)使所述第一光致抗蝕劑層50對來自相對於中心光源位置0對稱設置的至少兩個光源位置+G和-G的光曝光，以選擇地改變所述第一光致抗蝕劑層50被照區域的溶解度，從而產生具有較高溶解度的區域54和具有較低溶解度的區域52，c)去除具有較高溶解度的所述第一光致抗蝕劑層50的區域54，於是露出所述面板盤12的所述內表面的區域56，同時保留較低溶解度的所述區域52；d)用光吸收材料58的組合物覆蓋所述區域56和所述保留的區域52；e)去除所述保留區域52和其上的光吸收材料，從而露出所述面板盤12的所述內表面的部分同時保留粘附於所述面板盤的所述內表面上的所述光吸收材料的第一保護帶60；f)分別利用第二和第三光致抗蝕劑層70和90和另外非對稱設置的光源位置+B、-B和+R、-R，再重複步驟a)至e)兩次以上，露出所述面板盤的所述內表面的部分，產生所述光吸收材料的第二和第三保護帶80和100；和g)在面板盤內表面的露出部分上澱積螢光材料。
2．一種CRT面板盤12內表面上具有光吸收矩陣23的發光屏組件22的製造方法，在光吸收矩陣23中有多個尺寸大體相等的開口，該CRT帶有與所述面板盤的所述內表面相距距離Q的選色極24，所述方法包括下列步驟在所述面板盤12的所述內表面上提供其溶解度在曝光時可改變的第一光致抗蝕劑層50；使所述第一光致抗蝕劑層50通過所述選色極24對來自相對於中心光源位置0對稱設置的至少兩個光源位置+G和-G的光曝光，以選擇地改變所述第一光致抗蝕劑層50的被照區域的溶解度，從而產生具有較高溶解度的區域54和具有較低溶解度的區域52，去除具有較高溶解度的所述第一光致抗蝕劑層50的區域54，從而露出在所述較高溶解度的所述區域54下面的所述面板盤12的所述內表面的區域56，同時保留較低溶解度的所述第一光致抗蝕劑層50的那些區域52；用光吸收材料58的組合物覆蓋所述面板盤12的所述內表面和所述第一光致抗蝕劑層50的所述保留區域52，該光吸收材料58粘附於所述面板盤12的所述內表面上；去除所述第一光致抗蝕劑層50的所述保留區域52和其上的光吸收材料58，從而露出所述面板盤12的所述內表面的部分同時保留粘附於所述面板盤的所述內表面上的所述光吸收材料的第一保護帶60；在所述面板盤12的所述內表面的所述露出部分和粘附於所述面板盤的所述內表面上的所述光吸收材料的保留的第一保護帶60上提供其溶解度在曝光時可改變的第二光致抗蝕劑層70；使所述第二光致抗蝕劑70通過所述選色電極24對來自至少兩個非對稱設置的源位置+B和-B的光曝光，以選擇地改變所述第二光致抗蝕劑層70被照區域的溶解度，從而在所述第二光致抗蝕劑層中產生較高溶解度的區域74和較低溶解度的區域72；去除所述第二光致抗蝕劑層70的較高溶解度的區域74，從而露出所述較高溶解度區域74下面的所述面板盤12的所述內表面的區域76，同時保留所述第二光致抗蝕劑層70的較低溶解度的區域72；用光吸收材料78的組合物塗敷所述面板盤12的所述內表面和所述第二光致抗蝕劑層70的保留區域72，該光吸收材料78粘附於所述面板盤12的所述內表面上；去除所述第二光致抗蝕劑層70的所述保留區域72和其上的光吸收材料78，從而露出所述面板盤12的所述內表面的部分，同時保留粘附於所述面板盤12的所述內表面上的所述光吸收材料的第二保護帶80；在所述面板盤的所述內表面的所述露出部分和粘附於所述面板盤12的所述內表面的所述光吸收材料的保留的第一和第二保護帶60、80上，提供其溶解度在曝光時可改變的第三光致抗蝕劑層90；使所述第三光致抗蝕劑層90通過所述選色電極24對來自至少兩個不同的非對稱設置的源位置+R和-R的光曝光，以選擇地改變所述第三光致抗蝕劑層90被照區域的溶解度，從而在所述第三光致抗蝕劑層90中產生較高溶解度的區域94和較低溶解度的區域92；去除所述第三光致抗蝕劑層90的具有較高溶解度的區域94，從而露出較高溶解度的所述區域94之下的所述面板盤12的所述內表面的區域96，同時保留所述第三光致抗蝕劑層90的較低溶解度的那些區域92；用光吸收材料98的組合物塗敷所述面板盤12的所述內表面和所述第三光致抗蝕劑層90的保留區域92，該光吸收材料98粘附於所述面板盤12的所述內表面；去除所述第三光致抗蝕劑層90的所述保留區域92和其上的光吸收材料98，從而露出所述面板盤12的所述內表面的部分，同時保留粘附於所述面板盤12的所述內表面上的所述光吸收材料的第三保護帶100；和然後，在所述面板盤12的所述內表面的露出部分上澱積螢光材料G、B和R。
3．一種CRT面板盤12內表面上具有光吸收矩陣23的發光屏組件22的製造方法，光吸收矩陣23具有在其間有尺寸大體相等的開口的多個保護帶60、80和100，該CRT帶有其開口33基本上大於所述矩陣中的開口的張力罩24，所述張力罩24與所述面板盤12的所述內表面相距距離Q，所述方法包括下列步驟在面板盤12內表面上提供其溶解度在曝光時可改變的第一光致抗蝕劑層50；使所述第一光致抗蝕劑層50通過所述張力罩24對來自相對於中心光源位置0對稱設置的至少兩個光源位置+G和-G的光曝光，其中所述光源位置被設置在第一位置ΔX和第二燈位置-ΔX，以選擇地改變所述第一光致抗蝕劑層50被照區域的溶解度，從而在所述第一光致抗蝕劑層50中產生具有較高溶解度的區域54和具有較低溶解度的區域52，去除具有較高溶解度的所述第一光致抗蝕劑層50的區域54，從而露出在所述較高溶解度的所述區域54下面的所述面板盤12的所述內表面的區域56，同時保留較低溶解度的所述第一光致抗蝕劑層50的那些區域52；用光吸收材料58的組合物覆蓋所述面板盤12的所述內表面和所述第一光致抗蝕劑層50的所述保留區域52，該光吸收材料58粘附於所述面板盤12的所述內表面上；去除所述第一光致抗蝕劑層50的所述保留區域52和其上的光吸收材料58，從而露出所述面板盤12的所述內表面的部分同時保留粘附於所述面板盤的所述內表面上的所述光吸收材料的第一保護帶60；在所述面板盤12的所述內表面的所述露出部分和粘附於所述面板盤的所述內表面上的所述光吸收材料的保留的第一保護帶60上提供其溶解度在曝光時可改變的第二光致抗蝕劑層70；使所述第二光致抗蝕劑70通過所述張力罩24對至少兩個來自相對於所述中心光源位置0非對稱設置的光源位置+B和-B的光曝光，其中所述光源設置於第三位置-X1+ΔX和第四位置2X1-ΔX，以選擇地改變所述第二光致抗蝕劑層70的被照區域的溶解度，從而在所述第二光致抗蝕劑層70中產生較高溶解度的區域74和較低溶解度的區域72；去除所述第二光致抗蝕劑層70的較高溶解度的區域74，從而露出所述較高溶解度區域74下面的所述面板盤12的所述內表面的區域76，同時保留所述第二光致抗蝕劑層70的較低溶解度的區域72；用光吸收材料78的組合物塗敷所述面板盤12的所述內表面和所述第二光致抗蝕劑層70的保留區域72，該光吸收材料78粘附於所述面板盤12的所述內表面上；去除所述第二光致抗蝕劑層70的所述保留區域72和其上的光吸收材料78，從而露出所述面板盤12的所述內表面的部分，同時保留粘附於所述面板盤12的所述內表面上的所述光吸收材料的第二保護帶80；在所述面板盤的所述內表面的所述露出部分和粘附於所述面板盤12的所述內表面的所述光吸收材料的保留的第一和第二保護帶60、80上，提供其溶解度在曝光時可改變的第三光致抗蝕劑層90；使所述第三光致抗蝕劑90通過所述張力罩24對來自至少兩個相對於所述中心光源位置0非對稱地設置的源位置+R和-R的光曝光，其中該光源位置設置於第五燈位置X2-ΔX和第六燈位置-2X2+ΔX，以選擇地改變所述第三光致抗蝕劑層90被照區域的溶解度，從而在所述第三光致抗蝕劑層90中產生較高溶解度的區域94和較低溶解度的區域92；去除所述第三光致抗蝕劑層90的具有較高溶解度的區域94，從而露出較高溶解度的所述區域94之下的所述面板盤12的所述內表面的區域96，同時保留所述第三光致抗蝕劑層90的較低溶解度的那些區域92；用光吸收材料98的組合物塗敷所述面板盤12的所述內表面和所述第三光致抗蝕劑層90的保留區域92，該光吸收材料98粘附於所述面板盤12的所述內表面；去除所述第三光致抗蝕劑層90的所述保留區域92和其上的光吸收材料98，從而露出所述面板盤12的所述內表面的部分，同時保留粘附於所述面板盤12的所述內表面上的所述光吸收材料的第三保護帶100；和然後，在所述面板盤12的所述內表面的露出部分上澱積螢光材料發藍、綠和紅光的螢光體。
全文摘要
本發明涉及CRT面板盤(12)內表面上具有光吸收矩陣(23)的發光屏組件(22)的製造方法,在光吸收矩陣(23)中有多個尺寸大體相等的開口。選色極24與內表面相距距離Q。該方法包括在面板盤內表面上提供其溶解度在曝光時可改變的第一光致抗蝕劑層(50)的步驟。使第一光致抗蝕劑層對來自相對於中心光源位置0對稱設置的兩個光源位置+G和－G的光曝光。然後,去除光致抗蝕劑層的更可溶的區域(54),用光吸收材料(58)進行塗敷和顯影,去除其上有光吸收材料的第一光致抗蝕劑層的不太可溶的區域(52)。光吸收材料的第一保護帶(60)保留在面板盤內表面上。分別使用第二和第三光致抗蝕劑層(70和90)以及兩個非對稱設置的光源位置+B、－B和+R、－R,重複兩次以上該工藝方法,產生第二和第三保護帶(80和100)。
文檔編號H01J29/18GK1296633SQ99804937
公開日2001年5月23日 申請日期1999年1月21日 優先權日1998年2月9日
發明者R·拉佩盧塔, I·戈洛格 申請人:湯姆森許可公司