包括襯底臺的光刻設備的製作方法

2023-12-11 15:00:47 6

專利名稱：包括襯底臺的光刻設備的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種包括構造用以保持襯底的襯底臺的光刻設備。
背景技術：
光刻設備是一種將所需圖案應用到襯底上、通常是襯底的目標部分上的機器。例如，可以將光刻設備用在集成電路(ICs)的製造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置用於生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案。可以將該圖案轉移到襯底(例如，矽晶片)上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。通常，圖案的轉移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進行的。通常，單個的襯底將包含被連續形成圖案的相鄰目標部分的網絡。公知的光刻設備包括所謂的步進機，在步進機中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一個 目標部分；和所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(「掃描」方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向同步地掃描所述襯底來輻射每一個目標部分。也可以通過將圖案壓印(imprinting)到襯底上的方式從圖案形成裝置將圖案轉移到襯底上。在光刻技術中，傾向於具有越來越大的直徑的襯底，這要求襯底臺具有大的直徑。同時，傾向于越來越高的掃描速度和掃描加速度，這要求襯底臺質量輕。為了能夠實現想要的加速度，期望相對輕量的襯底臺結構。在經受給定高的加速度的情況下這種輕量結構傾向於呈現彎曲模式激發、扭轉模式激發或其他效果。結果，當在襯底上投影圖案時產生聚焦誤差。

發明內容
期望提供一種光刻設備，其允許焦點對準的精確的襯底定位。根據本發明的一個實施例，提供一種光刻設備，包括照射系統，配置成調節輻射束；支撐結構，構造用以支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束以形成圖案化的輻射束；襯底臺，構造成保持襯底；定位裝置,構造成定位襯底臺；和投影系統，配置成將圖案化輻射束投影到襯底的目標部分上，襯底表面致動器，襯底表面致動器配置成接合襯底表面的面對投影系統的部分以施加力到襯底表面的部分上,和控制器，配置成控制襯底臺的位置，所述控制器可操作地連接至定位裝置和襯底表面致動器以驅動定位裝置和襯底表面致動器。


現在參照隨附的示意性附圖，僅以舉例的方式，描述本發明的實施例，其中，在附圖中相應的附圖標記表示相應的部件，且其中圖I示出本發明一個實施例提供的光刻設備；圖2示出根據本發明一個實施例的光刻設備的一部分的示意側視圖；圖3示出圖2中的光刻設備可以作用其上的襯底的表面部分的 俯視圖；圖4示出根據本發明一個實施例的光刻設備的一部分的示意側視圖；圖5A和5B不出根據本發明一個實施例的襯底表面致動器的空氣軸承的側視圖和底視圖；和圖6示出解釋控制根據本發明一個實施例的襯底表面致動器的控制方案。
具體實施例方式圖I示意地示出了根據本發明的一個實施例的光刻設備。所述光刻設備包括照射系統(照射器)IL，其配置用於調節輻射束B (例如，紫外(UV)輻射或任何其他合適的輻射)；圖案形成裝置支撐結構或掩模支撐結構(例如掩模臺)MT，其構造用於支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，並與配置用於根據確定的參數精確地定位圖案形成裝置MA的第一定位裝置PM相連。所述設備還包括襯底臺(例如晶片臺)WT或「襯底支撐結構」，其構造用於保持襯底(例如塗覆有抗蝕劑的晶片)W，並與配置用於根據確定的參數精確地定位襯底W的第二定位裝置PW相連。所述設備還包括投影系統(例如折射式投影透鏡系統)PS，其配置用於將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標部分C (例如包括一根或多根管芯)上。照射系統IL可以包括各種類型的光學構件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學構件、或其任意組合，以引導、成形、或控制輻射。所述圖案形成裝置支撐結構以依賴於圖案形成裝置MA的方向、光刻設備的設計以及諸如圖案形成裝置MA是否保持在真空環境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置MA。所述圖案形成裝置支撐結構可以採用機械的、真空的、靜電的或其它夾持技術保持圖案形成裝置MA。所述圖案形成裝置支撐結構可以是框架或臺，例如，其可以根據需要成為固定的或可移動的。所述圖案形成裝置支撐結構可以確保圖案形成裝置MA位於所需的位置上(例如相對於投影系統PS)。在這裡任何使用的術語「掩模版」或「掩模」都可以認為與更上位的術語「圖案形成裝置」同義。這裡所使用的術語「圖案形成裝置」應該被廣義地理解為表示能夠用於將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標部分上形成圖案的任何裝置。應當注意，被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標部分上形成的器件中的特定的功能層相對應，例如集成電路。圖案形成裝置MA可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術中是公知的，並且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型。可編程反射鏡陣列的示例採用小反射鏡的矩陣布置，每一個小反射鏡可以獨立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。這裡使用的術語「投影系統」應該廣義地解釋為包括任意類型的投影系統，投影系統的類型可以包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學系統、或其任意組合，如對於所使用的曝光輻射所適合的、或對於諸如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這裡使用的術語「投影透鏡」可以認為是與更上位的術語「投影系統」同義。如這裡所示的，所述設備是透射型的(例如，採用透射式掩模)。替代地，所述設備可以是反射型的(例如，採用如上所述類型的可編程反射鏡陣列，或採用反射式掩模)。光刻設備可以是具有兩個(雙臺)或更多襯底臺或「襯底支撐結構」(和/或兩個或更多的掩模臺或「掩模支撐結構」)的類型。在這種「多臺」機器中，可以並行地使用附加的臺或支撐結構，或可以在一個或更多個臺或支撐結構上執行預備步驟的同時，將一個或更多個其它臺或支撐結構用於曝光。
光刻設備也可以是這種類型，其中襯底的至少部分可以被具有相對高的折射率的液體(例如水)覆蓋，以便充滿投影系統和襯底之間的空間。浸沒液體還可以被提供至光刻設備內的其他空間，例如掩模和投影系統之間。浸沒技術用於提高投影系統的數值孔徑。這裡所用的術語「浸沒」並不意味著結構，例如襯底必須浸入液體內，而僅意味著在曝光期間液體位於投影系統和襯底之間。參照圖1，所述照射器IL接收從輻射源SO發出的輻射束。該源SO和所述光刻設備可以是分立的實體(例如當該源SO為準分子雷射器時)。在這種情況下，不會將該源SO看成形成光刻設備的一部分，並且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴束器的束傳遞系統BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源SO可以是所述光刻設備的組成部分(例如當所述源SO是汞燈時)。可以將所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要時設置的所述束傳遞系統BD —起稱作輻射系統。所述照射器IL可以包括用於調整所述輻射束的角強度分布的調整器AD。通常，可以對所述照射器IL的光瞳平面中的強度分布的至少所述外部和/或內部徑向範圍(一般分別稱為O-外部和O-內部)進行調整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它構件，例如積分器IN和聚光器CO。可以將所述照射器IL用於調節所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強度分布。所述輻射束B入射到保持在圖案形成裝置支撐結構(例如，掩模臺)MT上的所述圖案形成裝置(例如，掩模)MA上，並且通過所述圖案形成裝置MA來形成圖案。已經穿過圖案形成裝置(例如掩模)MA之後，所述輻射束B通過投影系統PS，所述投影系統將輻射束聚焦到所述襯底W的目標部分C上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF (例如，幹涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標部分C定位於所述輻射束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機械獲取之後，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置或定位器PM和另一個位置傳感器(圖I中未明確示出)用於相對於所述輻射束B的路徑精確地定位圖案形成裝置(例如掩模)MA。通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實現圖案形成裝置支撐結構(例如襯底臺)MT的移動。類似地，可以採用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實現所述襯底臺WT或「襯底支撐結構」的移動。在步進機的情況下(與掃描器相反)，圖案形成裝置支撐結構(例如掩模臺)MT可以僅與短行程致動器相連，或可以是固定的。可以使用圖案形成裝置對準標記M1、M2和襯底對準標記P1、P2來對準圖案形成裝置(例如掩模)MA和襯底W。儘管所示的襯底對準標記佔據了專用目標部分，但是它們可以位於目標部分C之間的空間(這些公知為劃線對齊標記)中。類似地，在將多於一個的管芯設置在圖案形成裝置(例如掩模)MA上的情況下，所述圖案形成裝置對準標記可以位於所述管芯之間。可以將所示的設備用於以下模式中的至少一種中I.在步進模式中，在將圖案形成裝置支撐結構(例如掩模臺)MT或「掩模支撐結構」和襯底臺WT或「襯底支撐結構」保持為基本靜止的同時，將賦予所述輻射束B的整個圖案一次投影到目標部分C上(即，單一的靜態曝光)。然後將所述襯底臺WT或「襯底支撐結構」沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同目標部分C曝光。在步進模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單一的靜態曝光中成像的所述目標部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在對圖案形成裝置支撐結構(例如掩模臺)MT或「掩模支撐結 構」和襯底臺WT或「襯底支撐結構」同步地進行掃描的同時，將賦予所述輻射束B的圖案投影到目標部分C上(即，單一的動態曝光)。襯底臺WT或「襯底支撐結構」相對於圖案形成裝置支撐結構(例如掩模臺)MT或「掩模支撐結構」的速度和方向可以通過所述投影系統PS的(縮小)放大率和圖像反轉特徵來確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了單一動態曝光中所述目標部分C的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描運動的長度確定了所述目標部分C的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一個模式中，將用於保持可編程圖案形成裝置的圖案形成裝置支撐結構(例如掩模臺)MT或「掩模支撐結構」保持為基本靜止，並且在對所述襯底臺WT或「襯底支撐結構」進行移動或掃描的同時，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標部分C上。在這種模式中，通常採用脈衝輻射源，並且在所述襯底臺WT或「襯底支撐結構」的每一次移動之後、或在掃描期間的連續輻射脈衝之間，根據需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易於應用於利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻術中。也可以採用上述使用模式的組合和/或變體或完全不同的使用模式。圖2投影系統PS的下遊部分、保持襯底W的襯底臺WT以及在投影系統PS的最終(下遊)透鏡和襯底W之間供給浸沒液體的液體供給系統IH(例如浸沒罩)的示意側視圖。通過光刻設備的測量框架MF的支撐(圖2中未示出)保持投影系統。通過定位裝置或定位器ro(例如圖I中表示的定位裝置PW)定位襯底臺WT。定位裝置或定位器可以包括配置成在大的移動範圍上粗定位襯底臺WT的長程致動器(圖2中未示出)，和用以提供襯底臺WT的精定位的短程致動器SSM，短程致動器SSM配置成相對於長程致動器移動。液體供給系統IH通過液體供給系統(圖2未示出)的一個或多個致動器定位，該致動器相對於測量框架定位液體供給系統。由於襯底臺和襯底的大的尺寸，並結合高的掃描速度以及由此帶來的襯底臺遭受的高的加速作用力，可以發生襯底臺的例如扭轉模式、彎曲模式等的內部模式形狀的激發。這些激發的結果是，襯底臺的表面的位於投影系統的最終(下遊)透鏡下面且將要被輻射的部分會出現位置的不精確，尤其在垂直於襯底W表面的垂直方向。而傳統的通過幹涉儀或其他裝置得到的晶片臺WT相對於投影透鏡PS或測量框架MF的位置測量不能足夠精確地測量晶片W相對於投影透鏡PS的垂直位置。通過例如沿垂直方向提供力到襯底表面上的襯底表面致動器至少部分地抵消或消除這種影響。結果，可以減小襯底表面在投影系統的焦平面上的定位不精確。可以提供用以控制襯底臺的位置的控制裝置或位置控制器。根據本發明的一方面，位置控制器可以布置成驅動襯底表面致動器以及定位器(襯底臺的短程馬達和/或長程馬達)。回到圖2，根據本發明的一方面，襯底表面致動器包含在液體供給系統內。襯底表面致動器和定位器(在該示例中是短程致動器SSM和，合適的長程致動器)通過控制器CON驅動。因為襯底表面致動器包含在液體供給系統內，不需要單獨的致動器。如圖3所示，液體供給系統將能夠施加力到襯底W表面上的在液體供給系統的結構和襯底W表面之間存在強耦合的區域內。這種強耦合存在於圓形區域WSP內，在此處液體供給系統的結構靠近襯底且在液體供給系統的結構和襯底之間提供窄的間隙。因為圓形區域WSP在襯底表面的部分外側，其在襯底的該確定位置內被投影系統輻射，可以避免對成像的衝擊。 因而致動器接合襯底表面的區域，沿投影系統的下遊透鏡的光學軸線方向觀察，其圍繞投影系統的下遊透鏡。在液體供給系統的結構和襯底之間的間隙內的浸沒液體提供最小頻率的流體靜力或流體動力耦合(軸承)，這允許沿垂直方向向下和向上施加力到襯底，因而與襯底表面接合。為了提供與襯底表面的良好的接合，期望沿水平方向寬且高度小的間隙，以便在液體供給系統的窄的間隙結構和襯底表面之間提供強耦合，因為襯底表面和液體供給系統的結構之間的窄的通道抵擋浸沒液體流走。可以有多個替換的實施例。襯底表面致動器可以例如由一個或多個分離的致動器形成。在一個示例中，例如圖4中示出的，襯底表面致動器SSA設置在相對側上或設置在圍繞投影系統PS的圓形區域內。襯底表面致動器可以每一個包括洛倫茲致動器以便沿垂直(z)方向施加力。可以設置例如流體(即，液體或氣體)軸承的耦合以接觸襯底表面，如下面詳細地介紹的。致動器可以包括洛倫茲致動器洛倫茲致動器允許軸承遵循襯底表面，其中致動器定子的垂直方向的位移最低程度地影響由洛倫茲致動器產生的致動力(這個力基本上僅依賴於致動器驅動電流)。在沒有電流流過致動器的情況下，軸承沿著襯底表面而不會施加力到襯底表面。該力僅依賴於致動器電流並且不依賴於襯底表面高度變化或可以連接至測量框架MF的致動器定子的振動。要注意的是，通常流體靜力、空氣靜力、流體動力或任何其他合適的軸承都可以使用。如圖4所示，可以設置兩個襯底表面致動器SSA。替換地，可以設置三個或更多個襯底表面致動器，例如等距地布置在圍繞投影系統的圓形區域內(沿投影系統的光學軸線方向觀察)。參照圖5A和5B介紹用以接觸襯底W表面的流體軸承的示例。在圖5A中，示出了襯底表面致動器的面對襯底W表面的端部的高度示意側視圖。在圖5B中示出相應的底視圖。致動器包括中心出口開口 PRA，通過中心出口開口增壓空氣或任何其他流體(即，液體或氣體)可以被引導朝向襯底。圍繞中心出口開口 PRA，設置多個入口開口 VAC，通過入口開口進行真空抽吸。經由開口 VAC釋放被供給進入襯底表面致動器和襯底表面之間的增壓空氣或其他流體。當供給空氣(或其他圍繞襯底臺的類似氣體的氣體混合物)時，不需要進一步的乾燥、清潔等，並且可以避免襯底表面的汙染。在上面的示例中，為了防止襯底表面致動器SSA使測量框架遭受到反作用力，襯底表面致動器的致動反作用，襯底表面致動器可以連接至熟知的平衡質量，其依次通過彈性件連接至測量框架或基部框架。在根據圖2和4的實施例中，沿投影系統的光學軸線方向觀察，襯底表面致動器作用在襯底表面的圍繞投影系統的部分上。由此，襯底表面致動器可以有效地作用在襯底表面的部分，其被保持在焦平面內投影系統的下遊透鏡下面。
下面將參照圖6介紹控制襯底表面致動器的控制系統的實施例。控制系統包括控制器，例如襯底臺控制器Cws，用以產生控制器輸出信號Fws，例如來自襯底臺的測量位置的襯底臺力信號，在本示例中襯底臺沿z方向Zws的測量位置和期望位置由設定點(未示出)表示。根據本發明一方面的控制系統還包括用以將控制器的控制器輸出信號Fws分配給襯底表面致動器IH的分配裝置DST，以及定位裝置或定位器H)。臺的力學特性或者機械特性在控制圖中通過力學傳遞函數MCH表示。控制器輸出信號可以包括多維控制器輸出信號，例如包括x、y和z方向和/或圍繞這些軸線的旋轉方向的分量的三維輸出信號。因為在某些實施方式中襯底表面致動器可以在襯底表面上僅沿垂直(Z)方向發出力，分配裝置可以在定位裝置或定位器和襯底表面致動器上分配控制器輸出信號的z分量，同時僅提供控制器輸出信號的其他分量至定位裝置或定位器。在存在沿Z方向作用的多個襯底表面致動器的情況下，可以控制圍繞X和Y軸線的附加的旋轉。定位裝置或定位器可以包括多個致動器，例如用以精確地定位襯底臺的短程致動器，結合用以在大的移動範圍內粗定位襯底臺的長程致動器。為了提供在襯底臺發生扭轉模式、共振模式等的確定頻率帶內驅動襯底表面致動器，分配裝置可以包括頻率域內的選擇裝置，例如濾波器。由此，分配裝置在襯底臺共振模式或襯底臺扭轉模式的頻率帶內可以選擇性地提供的控制器輸出信號至襯底表面致動器以便明確地在這種頻率帶內驅動襯底表面致動器。在一個實施例中，至襯底表面致動器的控制器輸出信號可以被低通濾波以防止不期望的投影透鏡系統PS的激發。襯底表面致動器還可以應用以抵消襯底臺和短程致動器之間的彈性共振。另外，在一個實施例中，分配裝置可以布置成在襯底臺和定位裝置或定位器的短程致動器之間的彈性共振的頻率帶內選擇性地大體提供控制器輸出信號至襯底表面致動器。為了考慮位置對於襯底臺的屬性的依賴關係，分配裝置可以布置成根據襯底臺(例如)在(X，Y)平面內的位置確定控制器輸出信號的分配。為了獲得扭轉模式、共振模式等的激發有關信息，可以提供合適的感測，例如用於感測襯底臺位置的超定位置感測裝置。替換地，控制器可以包括估計器，其用以通過表示襯底臺位置在時間段上隨時間變化的位置測量數據估計扭轉模式或共振模式(例如，襯底臺的扭轉模式或共振模式和/或襯底臺和短程致動器之間的彈性)的激發的。襯底表面致動器和襯底表面之間的耦合可以依賴於襯底表面致動器和襯底表面(或其周圍結構)之間的距離。可以提供基本上平的結構，以便避免耦合中的大的變化，例如將高度差保持在20到30微米的最大值。另外，襯底和襯底臺之間的溝槽可以靠近所謂的MES(機械邊緣密封)(US2011/0013169)，傳感器可以在頂部設置有合適的貼布或貼紙(sticker)，在雙臺光刻設備中可以設置橋用於將液體供給系統的傳送器從第一襯底臺橋接至第二襯底臺。替換地，該耦合(或距離)的量化可以依賴於襯底臺位置，並應用以校正驅動路徑。雖然本申請詳述了光刻設備在製造ICs中的應用，應該理解到，這裡描述的光刻設備可以有其他應用，例如製造集成光學系統、磁疇存儲器的引導和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCDs)、薄膜磁頭等。本領域技術人員應該看到，在這種替代應用的情況中，可以將其中使用的任意術語「晶片」或「管芯」分別認為是與更上位的術語「襯底」或「目標部分」同義。這裡所指的襯底可以在曝光之前或之後進行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層塗到襯底上，並且對已曝光的抗蝕劑進行顯影的工具)、測量工具和/或檢驗工具中。在可應用的情況下，可以將這裡公開內容應用於這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產生多層1C，使得這裡使用的所述術語「襯底」也可以表示已經包含多個已處理層的襯底。雖然上面詳述了本發明的實施例在光刻設備的應用，應該注意到，本發明可以有其它的應用，例如壓印光刻，並且只要情況允許，不局限於光學光刻。在壓印光刻中，圖案形成裝置中的拓撲限定了在襯底上產生的圖案。可以將所述圖案形成裝置的拓撲印刷到提供 給所述襯底的抗蝕劑層中，在其上通過施加電磁輻射、熱、壓力或其組合來使所述抗蝕劑固化。在所述抗蝕劑固化之後，所述圖案形成裝置從所述抗蝕劑上移走，並在抗蝕劑中留下圖案。這裡使用的術語「輻射」和「束」包含全部類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有約365、248、193、157或126nm的波長)或極紫外(EUV)輻射(例如具有5_20nm範圍的波長)，以及粒子束，例如離子束或電子束。在允許的情況下術語「透鏡」可以表示不同類型的光學構件中的任何一種或其組合，包括折射式的、反射式的、磁性的、電磁的和靜電的光學構件。儘管以上已經描述了本發明的具體實施例，但應該認識到，本發明可以以與上述不同的方式來實現。例如，本發明可以採用包含用於描述一種如上面公開的方法的一個或更多個機器可讀指令序列的一個或更多個電腦程式的形式，或具有存儲其中的所述一個或更多個電腦程式的一個或更多個數據存儲介質(例如半導體存儲器、磁碟或光碟)的形式。上述說明書是示例性的而非限制性的。因此，在不脫離權利要求的保護範圍的情況下，對本發明進行修改對本領域技術人員是顯而易見的。
權利要求
1.一種光刻設備，包括 照射系統，配置成調節輻射束； 支撐結構，構造用以支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束以形成圖案化的輻射束； 襯底臺，構造成保持襯底； 定位器，構造成定位襯底臺； 投影系統，配置成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標部分上， 襯底表面致動器，布置成接合襯底表面的面對投影系統的部分以施加力到襯底表面的所述部分上，和 位置控制器，配置成控制襯底臺的位置，位置控制器可操作地連接至定位器和襯底表面致動器以驅動定位器和襯底表面致動器。
2.如權利要求I所述的光刻設備，其中襯底表面致動器布置成接合襯底表面的區域的至少部分，沿投影系統的下遊透鏡的光學軸線方向觀察，所述區域圍繞投影系統的下遊透鏡。
3.如權利要求I或2所述的光刻設備，其中襯底表面致動器包括靜壓軸承，靜壓軸承配置成與襯底表面的所述部分接合。
4.如權利要求3所述的光刻設備，其中靜壓軸承的間隙的寬度在5μ m到300 μ m範圍內。
5.如權利要求1-4中任一項所述的光刻設備,其中襯底表面致動器被包含在液體供給系統內，液體供給系統布置用以在投影系統的下遊透鏡和襯底的被照射部分之間供給液體。
6.如前述權利要求中任一項所述的光刻設備，其中襯底表面致動器包括流體循環裝置，流體循環裝置配置成供給流體至與襯底表面的所述部分鄰接的間隙和從所述間隙去除流體。
7.如前述權利要求中任一項所述的光刻設備，其中襯底表面致動器包括洛倫茲致動器。
8.如前述權利要求中任一項所述的光刻設備，其包括平衡質量，所述平衡質量將襯底表面致動器連接至光刻設備的框架。
9.如前述權利要求中任一項所述的光刻設備，其中位置控制器包括布置用以提供控制器輸出信號的控制器和用以將控制器輸出信號分配給定位器和襯底表面致動器的分配裝置。
10.如權利要求9所述的光刻設備，其中分配裝置包括頻率域選擇裝置，例如濾波器。
11.如權利要求9或10所述的光刻設備，其中分配裝置布置成在襯底臺共振模式或襯底臺扭轉模式的頻率帶內選擇性地大體提供控制器輸出信號至襯底表面致動器。
12.如權利要求9-11中任一項所述的光刻設備，其中分配裝置布置成在襯底臺和定位器的短程致動器之間的彈性共振的頻率帶內選擇性地大體提供控制器輸出信號至襯底表面致動器。
13.如權利要求9-12中任一項所述的光刻設備，其中分配裝置布置成根據襯底臺的位置確定控制器輸出信號的分配。
14.如前述權利要求中任一項所述的光刻設備，其中控制器包括估計器，所述估計器配置成通過表示襯底臺的位置的位置測量數據估計內部模式形狀的振幅，例如扭轉模式或共振模式的內部模式形狀的振幅。
15.如權利要求14所述的光刻設備，其中所述內部模式形狀是例如襯底臺的扭轉模式或共振模式和/或襯底臺以及短程致動器之間的彈性的內部模式形狀。
全文摘要
光刻設備包括配置成調節輻射束的照射系統和構造用以支撐圖案形成裝置的支撐結構，圖案形成裝置能夠將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束以形成圖案化的輻射束。光刻設備還包括構造成保持襯底的襯底臺；定位器，構造成定位襯底臺；投影系統，配置成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標部分上；襯底表面致動器，布置成接合襯底表面的面對投影系統的部分，和位置控制器，配置成控制襯底臺的位置，位置控制器布置成驅動定位器和襯底表面致動器。
文檔編號G03F7/20GK102799071SQ20121014903
公開日2012年11月28日 申請日期2012年5月14日 優先權日2011年5月25日
發明者漢斯·巴特勒, J·范埃基科, S·A·J·霍爾, J·P·M·B·沃麥尤倫, 黃仰山 申請人:Asml荷蘭有限公司