電容結構的製作方法
2023-12-10 14:44:07 1
專利名稱：電容結構的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種電容結構，且特別是涉及一種金屬-氧化物-金屬 (metal-oxide-metal, MOM)電容結構。
背景技術：
在現今半導體產業中，電容為相當重要而基本的元件。其中，金屬-氧化物-金屬電容(Μ0Μ電容)為一種常見的電容結構，其基本設計為在作為電極的金屬平板之間充填絕緣介質，而使得每兩個相鄰的金屬平板與其中的絕緣介質可形成一個電容單元。由於電容值和電極的面積成正比，而與兩電極之間的距離成反比，故一般而言，在電容結構的設計中，可通過將電極之間的絕緣介質的厚度降低、或者增加電極表面積等方式來提高電容值。其中，關於增加電極表面積的方法，已提出有多層式電容結構，其為利用多層金屬電極的設計來增加電極表面積。然而，於製作工藝技術方面常會產生難以控制介質層的均勻度、製造步驟較繁瑣以及穩定度等問題。隨著半導體微型化的需求，集成電路的積成度愈來愈高，如何在現有製作工藝規格下改良電容結構以提高電容結構中單位面積的電容值已然成為重要的研究課題。為了更有效地提升電容結構中單位面積的電容值，需要提出更理想的電容結構設計。
發明內容
本發明的目的在於提供一種電容結構，其可提升單位面積的電容值，並且實現總電容值的最佳化。為達上述目的，本發明提出一種電容結構，包括介電材料層以及至少兩層金屬層。 金屬層間隔設置於介電材料層中。各金屬層包括繞行狀(zigzaging)電極、第一指狀電極以及第二指狀電極。繞行狀電極形成多個第一凹部以及多個第二凹部，多個第一凹部位於繞行狀電極的一側，多個第二凹部位於繞行狀電極的另一側。第一指狀電極包括多個第一延伸部，第一延伸部分別設置於第一凹部中。第二指狀電極包括多個第二延伸部，第二延伸部分別設置於第二凹部中。其中，各金屬層中的繞行狀電極電連接相鄰金屬層中的第一指狀電極及第二指狀電極。本發明還提出一種電容結構，包括介電材料層、第一金屬層以及第二金屬層。第一金屬層設置於介電材料層中，第一金屬層包括第一繞行狀電極、第一指狀電極以及第二指狀電極。第一繞行狀電極形成多個第一凹部以及多個第二凹部，多個第一凹部位於第一繞行狀電極的一側，多個第二凹部位於第一繞行狀電極的另一側，第一指狀電極包括多個第一延伸部，各第一延伸部分別設置於第一凹部中。第二指狀電極包括多個第二延伸部，各第二延伸部分別設置於第二凹部中。第二金屬層與第一金屬層間隔設置於介電材料層中。第二金屬層包括第二繞行狀電極、第三指狀電極以及第四指狀電極。第二繞行狀電極形成多個第三凹部以及多個第四凹部。多個第三凹部位於第二繞行狀電極的一側，多個第四凹部位於第二繞行狀電極的另一側。第三指狀電極包括多個第三延伸部，各第三延伸部分別設置於第三凹部中。第四指狀電極包括多個第四延伸部，各第四延伸部分別設置於第四凹部中。其中，第一繞行狀電極電連接第三指狀電極及第四指狀電極，且第二繞行狀電極電連接第一指狀電極及第二指狀電極。基於上述，本發明提供一種電容結構，可提升單位面積的電容值並實現總電容值的最佳化，且對於集成電路布局而言具有較低的面積成本。為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附附圖作詳細說明如下。
圖IA為依照本發明的一實施例所繪示的電容結構的示意圖；圖IB為圖IA所示的電容結構沿\_V線的剖視圖；圖2為依照本發明的一實施例所繪示的電容結構中，多個介層窗連接兩個相鄰金屬層的各種態樣的示意圖；圖3A及圖3B分別為圖IA所繪示的電容結構中的第一金屬層102與第二金屬層 202的上視圖；圖4為計算本發明的電容結構中的總電容值所使用公式的示意圖。主要元件符號說明100:電容結構101 :介電材料層102 :第一金屬層108 :第一繞行狀電極108a:第一凹部108b :第二凹部110:第一指狀電極IlOa:第一基部IlOb:第一延伸部109a:第一方向109b:第二方向112:第二指狀電極112a:第二基部112b:第二延伸部114、114a、114b、114c、114d、114e、114f、114g、114h :介層窗202 :第二金屬層208 :第二繞行狀電極208a :第三凹部208b:第四凹部209a:第三方向20%:第四方向
210 :第三指狀電極210a :第三基部210b :第三延伸部212:第四指狀電極212a:第四基部212b:第四延伸部302 :第三金屬層308 :第三繞行狀電極308a :第五凹部308b :第六凹部310 :第五指狀電極310a :第五基部310b :第五延伸部312:第六指狀電極312a :第六基部312b :第六延伸部SI :第一間距S2 :第二間距W1、W2、W3:線寬
具體實施例方式下文中參照所附附圖來更充分地描述本發明實施例。然而，本發明可以多種不同的形式來實踐，並非限制於下文中所述的實施例。此外，在附圖中為明確起見，可能將各層與各元件的尺寸以及相對尺寸作誇張的描繪。另外，下文中所使用的「實質上」一詞是指當存在「可容許的誤差值」時，也屬於本發明所要保護的範圍。圖IA為依照本發明的一實施例所繪示的電容結構的示意圖。圖IB為圖IA所示的電容結構沿X-X^線的剖視圖。首先，請參照圖IA及圖1B，電容結構100包括介電材料層101(未繪示於圖IA中， 但繪不於圖IB中)、第一金屬層102、第二金屬層202以及第三金屬層302。此介電材料層101可為氧化絕緣層的單層或多層介電層結構，其材料例如是二氧化矽(SiO2)或氧化鋁 (Al2O3) ο上述的多層介電層結構表示介電材料層101包括多種介電材料的介電層結構。第一金屬層102、第二金屬層202以及第三金屬層302間隔設置於介電材料層101中。在此實施例中是以具有三層金屬層的電容結構為例進行說明，但本發明不限於此，只要電容結構包括至少兩層金屬層，均屬於本發明所主張的範圍。於此，為使附圖清楚，於圖IA中並未繪示介電材料層101。如圖IA所不,第一金屬層102包括第一繞行狀電極108、第一指狀電極110以及第二指狀電極112。在與第一金屬層102法方向正交的平面上，第一繞行狀電極108以繞行的方式形成多個第一凹部108a以及多個第二凹部108b。多個第一凹部108a位於第一繞行狀電極108的一側，多個第二凹部108b位於第一繞行狀電極108的另一側。各第一凹部108a的開口方向沿著第一方向109a，且各第二凹部108b的開口方向沿著與第一方向109a反向的第二方向109b。第一指狀電極110包括多個第一延伸部110b，該些第一延伸部IlOb分別設置於各第一凹部108a中。第二指狀電極112包括多個第二延伸部112b，該些第二延伸部112b分別設置於各第二凹部108b中。此外，第一指狀電極110還包括第一基部110a，且該些第一延伸部IlOb連接至第一基部110a。第二指狀電極112還包括第二基部112a，且該些第二延伸部112b連接至第二基部112a。在一實施例中，第一金屬層102的材料例如是銅或鋁金屬。第二金屬層202包括第二繞行狀電極208、第三指狀電極210以及第四指狀電極 212。在與第二金屬層202法方向正交的平面上，第二繞行狀電極208以繞行的方式形成多個第三凹部208a以及多個第四凹部208b。多個第三凹部208a位於第二繞行狀電極208的一側，多個第四凹部208b位於第二繞行狀電極208的另一側。且各第三凹部208a的開口方向沿著第三方向209a，各第四凹部208b的開口方向沿著與第三方向209a反向的第四方向209b。在一實施例中，此第三方向209a與前述的第一方向109a例如是呈90°夾角，但本發明並不限於此。在其他實施例中，第三方向209a與第一方向109a的夾角角度可為大於0°且小於180°的任何角度。第三指狀電極210包括多個第三延伸部210b，該些第三延伸部210b分別設置於第三凹部208a中。第四指狀電極212包括多個第四延伸部212b，該些第四延伸部212b分別設置於第四凹部208b中。此外，第三指狀電極210還包括第三基部210a，且該些第三延伸部210b連接至第三基部210a。第四指狀電極212還包括第四基部212a，且該些第四延伸部212b連接至第四基部212a。在一實施例中，第二金屬層202的材料例如是銅或鋁金屬。第三金屬層302包括第三繞行狀電極308、第五指狀電極310以及第六指狀電極 312。在與第三金屬層302法方向正交的平面上，第三繞行狀電極308以繞行的方式形成多個第五凹部308a以及多個第六凹部308b。多個第五凹部308a位於第三繞行狀電極308的一側，多個第六凹部308b位於第三繞行狀電極308的另一側。與前述第一凹部108a相似， 各第五凹部308a的開口方向沿著第一方向109a。與前述第二凹部108b相似，各第六凹部 308b的開口方向沿著第二方向109b，但本發明並不限於此。在其他實施例中，各第五凹部 308a的開口方向與第一方向109a之間的夾角，以及各第六凹部308b的開口方向與第二方向109b之間的夾角，均可為大於0°且小於180°的任何角度。第五指狀電極310包括多個第五延伸部310b，該些第五延伸部310b分別設置於第五凹部308a中。第六指狀電極312 包括多個第六延伸部312b,該些第六延伸部312b分別設置於第六凹部308b。此外,第五指狀電極310還包括第五基部310a，且該些第五延伸部310b連接至第五基部310a。第六指狀電極312還包括第六基部312a，且該些第六延伸部312b連接至第六基部312a。在一實施例中，第三金屬層302的材料例如是銅或鋁金屬。其中，第一繞行狀電極108電連接至第三指狀電極210及第四指狀電極212。第二繞行狀電極208除了電連接至第一指狀電極110及第二指狀電極112之外，第二繞行狀電極208也電連接至第五指狀電極310及第六指狀電極312。第三繞行狀電極308電連接至第三指狀電極210及第四指狀電極212。在本實施例中，為使敘述更為簡明，以下僅就第一金屬層102與第二金屬層202的設置關係以及連接方式等進行說明。所屬技術領域中具通常知識者應可理解，第三金屬層302的設置與連接方式等均可參照第一金屬層102與第二金屬層202的模式而依照設計需求進行調整。在其他實施例中，本發明的電容結構也可僅具有兩層金屬層、或者具有超過三層以上的金屬層。請再次參照圖IA及圖1B，電容結構還可包括設置在第一金屬層102與第二金屬層202之間的多個介層窗114。通過如此的設置方式，可使第一繞行狀電極108通過介層窗114而與第三指狀電極210及第四指狀電極212電連接，且第二繞行狀電極208也可通過介層窗114而與第一指狀電極110及第二指狀電極112電連接。介層窗114的材料例如是銅或鋁金屬。在本實施例中，多個介層窗114例如是對應于于第一繞行狀電極108及第二繞行狀電極208的兩端的位置進行設置。如此一來，第一繞行狀電極108可通過介層窗114而與第三基部210a及第四基部212a電連接。第二繞行狀電極208可通過介層窗114而與第一基部IlOa及第二基部112a電連接。然而，介層窗114設置的位置並不限於此，介層窗114 也可具有其他設置方式，以下另舉一實施例進行說明。圖2為依照本發明的一實施例所繪示的電容結構中，多個介層窗連接兩個相鄰金屬層的各種態樣的示意圖。在此為以圖IA中的第一金屬層102與第二金屬層202為例進行說明，以下即參照圖2，說明多個介層窗連接兩個相鄰金屬層的各種態樣。請參照圖2，在此實施例中，在第一金屬層102與第二金屬層202之間設置有多個介層窗114。相對於第一繞行狀電極108,介層窗114a以及介層窗114h分別設置於第一繞行狀電極108的兩端的位置，介層窗114b以及介層窗114f設置於第一繞行狀電極108的兩端之間的位置。相對於第二繞行狀電極208，介層窗114c以及介層窗114g連接於第二繞行狀電極208的兩端的位置，介層窗114d以及介層窗114e連接於第二繞行狀電極208的兩端之間的位置。通過上述的設置關係，第一繞行狀電極108可電連接至第三指狀電極210及第四指狀電極212，且第二繞行狀電極208可電連接至第一指狀電極110及第二指狀電極112。 值得一提的是，通過將介層窗114設置於不同位置，第一繞行狀電極108可電連接至第三基部210a或第三延伸部210b，且第一繞行狀電極108可電連接至第四基部212a或第四延伸部212b。此外，第二繞行狀電極208可電連接至第一基部IlOa或第一延伸部110b，且第二繞行狀電極208可電連接至第二基部112a或第二延伸部112b。以圖2中的多個介層窗 114為例,介層窗114a可將第一金屬層102的第一繞行狀電極108連接至第二金屬層202 中第三指狀電極210的第三基部210a ;介層窗114b將第一金屬層102的第一繞行狀電極 108連接至第二金屬層202中的第三指狀電極210的第三延伸部210b ;介層窗114d將第二金屬層202的第二繞行狀電極208連接至第一金屬層102中第二指狀電極112的第二延伸部112b ;介層窗114c將第二金屬層202的第二繞行狀電極208連接至第一金屬層102中第二指狀電極112的第二基部112a ;介層窗114e將第二金屬層202的第二繞行狀電極208 連接至第一金屬層102中第一指狀電極110的第一延伸部IlOb ;介層窗114f將第一金屬層102的第一繞行狀電極108連接至第二金屬層202中的第四指狀電極212的第四延伸部 212b ;介層窗114h將第一金屬層102的第一繞行狀電極108連接至第二金屬層202中的第四指狀電極212的第四基部212a ;介層窗114g將第二金屬層202的第二繞行狀電極208連接至第一金屬層102中第一指狀電極110的第一基部110a。6/7頁又，多個介層窗114連接第一金屬層102與第二金屬層202的方式並無特別限定， 只要能使第一繞行狀電極108電連接至第三指狀電極210及第四指狀電極212，且使第二繞行狀電極208電連接至第一指狀電極110及第二指狀電極112即可。因此,在以多個介層窗114連接第一金屬層102以及第二金屬層202時,就第一金屬層102的第一繞行狀電極108而言，可選擇連接至第二金屬層202的第三指狀電極210上的第三基部210a及/或第三延伸部210b中的至少一個，並選擇連接至第二金屬層202的第四指狀電極212上的第四基部212a及/或第四延伸部212b中的至少一個。同樣地，就第二金屬層202的第二繞行狀電極208而言，可選擇連接至第一金屬層102的第一指狀電極110上的第一基部IlOa及/或第一延伸部中IlOb中的至少一個,並選擇連接至第二指狀電極112上的第二基部112a及/或第二延伸部112b中的至少一個。此外，所屬領域中具有通常知識者應理解可選擇及組合上述介層窗114a 介層窗114h的設置方式以完成本發明的電容結構。值得一提的是，當多個介層窗114為分別設置於第一繞行狀電極108兩端之間的位置以及第二繞行狀電極208兩端之間的位置(如介層窗114b、介層窗114d、介層窗114e及介層窗114f)時,於具有多層金屬層的電容結構中， 可降低電極的阻值，而進一步實現電容結構的最佳化。圖3A及圖3B分別為圖IA所繪示的電容結構100中的第一金屬層102與第二金屬層202的上視圖。以下將參照圖3A以及圖3B進一步說明本實施例的電容結構。請先參照圖3A，在第一金屬層102中，第一繞行狀電極108與第一指狀電極110之間具有第一間距SI，而第一繞行狀電極108與第二指狀電極112之間具有第二間距S2。第一間距SI與第二間距S2例如是實質上相同，但本發明並不限制於此。第一間距SI與第二間距S2可為半導體製作工藝技術所能達到的間距最小值，第一間距SI與第二間距S2可分別界於O. 14微米與O. 21微米之間。第一指狀電極108的線寬W1、第二指狀電極112的線寬W2以及第一繞行狀電極 108的線寬W3可分別小於或等於第一間距SI以及第二間距S2。其中，第一指狀電極108的線寬W1、第二指狀電極112的線寬W2以及第一繞行狀電極108的線寬W3可分別介於O. 14 微米與O. 20微米之間。線寬W1、線寬W2以及線寬W3例如是實質上相同。第二金屬層202 以及第三金屬層302中，間距及線寬的大小及相對關係均可參照第一金屬層102。接下來，請同時參照圖3A以及圖3B，第一金屬層102的上視圖案在旋轉一角度後可與第二金屬層202的上視圖案實質上重合。於本實施例中，此角度例如是90°，但本發明並不限於此。在其他實施例中，此角度可為大於0°且小於180°的任何角度。如上所述，在本實施例的電容結構100中，由於將第一繞行狀電極108電連接至第三指狀電極210及第四指狀電極212，並且將第二繞行狀電極208電連接至第一指狀電極 110及第二指狀電極112，故第一繞行狀電極108與第一指狀電極110之間、第一繞行狀電極108與第二指狀電極112之間、第二繞行狀電極208與第三指狀電極210之間、以及第二繞行狀電極208與第四指狀電極212之間均可存在電位差而分別具有電容值。此外，在第一金屬層102以及第二金屬層202之間也具有相鄰金屬層間的寄生電容值,故與一般平板式電容結構相比大大地增加了電極表面積以及總電容值。不僅如此，通過使各金屬層中的繞行狀電極與指狀電極之間的間距達到一致，可進一步實現總電容值的最佳化。因此，使用本發明的電容結構可提升單位面積的電容值，對於集成電路布局而言具有較低的面積成本
9(area cost)。圖4為計算本發明的電容結構中的總電容值所使用公式的示意圖。此處是以具有兩層金屬層(如，第一金屬層102及第二金屬層202)的電容結構為例進行說明。請參照圖4，其中"A"表示第一繞行狀電極108、" BI"表示第一指狀電極 110、" B2"表示第二指狀電極112、" D"表示第二繞行狀電極208、" Cl"表示第三指狀電極210、" C2"表示第四指狀電極212。" CA_B1 "表示第一繞行狀電極108與第一指狀電極110間的電容值、"CA_B2"表示第一繞行狀電極108與第二指狀電極112間的電容值、"CD_a"表示第二繞行狀電極208與第三指狀電極210間的電容值、"CD_e2"表示第二繞行狀電極208與第四指狀電極212間的電容值，而"Cfring/表示所有金屬層中的繞行狀電極與同層中的指狀電極之間所產生的電容值的總和；"Iayerl "表示第一金屬層 102, " layer2"表不第二金屬層202,而"Clayert_2 "表不第一金屬層102與第二金屬層 202之間所產生的寄生電容，"Cttrtal"則表示整個電容結構的總電容值。請參照圖4 :假設CA_B1、CA_B2、CD_cl以及CD_e2的大小均相同且等於電容值Cx，亦即CA_B1 — CA_B2 — CD_cl — CD_C2 — Cx,故Cftinge 約略等於 4CX，而此時的總電容值C
total 4CX +Clayerl—2在一實施例中，依據本發明的電容結構具有兩層金屬層(如，第一金屬層102及第二金屬層202)，且各金屬層中的兩個指狀電極的線寬(如圖3A中的第一線寬Wl以及第二線寬W2)以及繞行狀電極的線寬(如圖3A中的第三線寬W3)均為O. 14微米，各金屬層中的指狀電極與繞行狀電極的間距(如圖3A中的第一間距SI以及第二間距S2)也為O. 14 微米。各金屬層中的兩個指狀電極分別具有4個延伸部。在此製作工藝條件下，依上述公式所計算出的本發明的電容結構的總電容值可達235pf (pico-faraday)每單位面積。在相同的製作工藝條件下(例如相同線寬以及相同的間距)，現有的指狀電容結構的總電容值約為220pf每單位面積。因此，相較於現有技術的指狀電容結構，本發明的電容結構的總電容值至少可高出約5%。綜上所述，在上述實施例所提供的電容結構中，其通過增加電極表面積而提升總電容值。不僅如此，可通過使各金屬層中電極間的間距達到一致而進一步實現總電容值的最佳化。因此，使用本發明的電容結構可提升單位面積的電容值，對於集成電路布局而言具有較低的面積成本。雖然結合以上實施例揭露了本發明，然而其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中熟悉此技術者，在不脫離本發明的精神和範圍內，可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍應以附上的權利要求所界定的為準。
權利要求
1.一種電容結構，包括介電材料層；以及至少兩層金屬層，間隔設置於該介電材料層中，且各該金屬層包括繞行狀電極，形成多個第一凹部以及多個第二凹部，該些第一凹部位於該繞行狀電極的一側，該些第二凹部位於該繞行狀電極的另一側；第一指狀電極，包括多個第一延伸部，該些第一延伸部分別設置於該些第一凹部中；以及第二指狀電極，包括多個第二延伸部，該些第二延伸部分別設置於該些第二凹部中； 其中，各該金屬層中的該繞行狀電極電連接相鄰金屬層中的該第一指狀電極及該第二指狀電極。
2.如權利要求I所述的電容結構，其中各該金屬層的上視圖案在旋轉一角度後與相鄰金屬層的上視圖案實質上重合。
3.如權利要求2所述的電容結構，其中該角度為90°。
4.如權利要求I所述的電容結構，還包括多個介層窗，用以將各該金屬層的該繞行狀電極電連接至相鄰金屬層中的該第一指狀電極及該第二指狀電極。
5.如權利要求4所述的電容結構，其中各該金屬層的該繞行狀電極通過該些介層窗電連接至相鄰金屬層中該第一指狀電極的該些第一延伸部中的至少一個及該第二指狀電極的該些第二延伸部中的至少一個。
6.如權利要求4所述的電容結構，其中該第一指狀電極還包括第一基部，該些第一延伸部連接至該第一基部，該第二指狀電極還包括第二基部，該些第二延伸部連接至該第二基部。
7.如權利要求6所述的電容結構，其中各該金屬層的該繞行狀電極通過該些介層窗電連接至相鄰金屬層中該第一指狀電極的該第一基部及該第二指狀電極的該第二基部。
8.如權利要求6所述的電容結構，其中各該金屬層的該繞行狀電極通過該些介層窗電連接至相鄰金屬層中該第一指狀電極的該些第一延伸部中的至少一個及該第二指狀電極的該第二基部，及/或連接至相鄰金屬層中該第一指狀電極的該第一基部及該第二指狀電極的該些第二延伸部中的至少一個。
9.如權利要求I所述的電容結構，其中在各該金屬層中，該第一指狀電極與該繞行狀電極間具有一第一間距，該第二指狀電極與該繞行狀電極間具有一第二間距。
10.如權利要求9所述的電容結構，其中該第一間距與該第二間距實質上相同。
11.如權利要求9所述的電容結構，其中該第一間距與該第二間距分別介於O.14微米與O. 21微米之間。
12.如權利要求9所述的電容結構，其中在各該金屬層中，該繞行狀電極的線寬、該第一指狀電極的線寬以及該第二指狀電極的線寬分別小於或等於該第一間距以及該第二間距。
13.如權利要求I所述的電容結構，其中各該金屬層中的該繞行狀電極的線寬、該第一指狀電極的線寬以及該第二指狀電極的線寬分別介於O. 14微米與O. 20微米之間。
14.一種電容結構，包括介電材料層；第一金屬層，設置於該介電材料層中，該第一金屬層包括第一繞行狀電極，形成多個第一凹部以及多個第二凹部，該些第一凹部位於該第一繞行狀電極的一側，該些第二凹部位於該第一繞行狀電極的另一側；第一指狀電極，包括多個第一延伸部，該些第一延伸部分別設置於該些第一凹部中；以及第二指狀電極，包括多個第二延伸部，該些第二延伸部分別設置於該些第二凹部中；以及第二金屬層，與該第一金屬層間隔設置於該介電材料層中，該第二金屬層包括第二繞行狀電極，形成多個第三凹部以及多個第四凹部，該些第三凹部位於該第二繞行狀電極的一側，該些第四凹部位於該第二繞行狀電極的另一側；第三指狀電極，包括多個第三延伸部，該些第三延伸部分別設置於該些第三凹部；以及第四指狀電極，包括多個第四延伸部，該些第四延伸部分別設置於該些第四凹部中； 其中，該第一繞行狀電極電連接該第三指狀電極及該第四指狀電極，且該第二繞行狀電極電連接該第一指狀電極及該第二指狀電極。
15.如權利要求14所述的電容結構,其中該第一金屬層的上視圖案在旋轉一角度後與該第二金屬層的上視圖案實質上重合。
16.如權利要求14所述的電容結構,還包括多個介層窗,用以將該第一繞行狀電極電連接至該第三指狀電極及該第四指狀電極，且將該第二繞行狀電極電連接至該第一指狀電極及該第二指狀電極。
17.如權利要求16所述的電容結構，其中該第一繞行狀電極通過該些介層窗電連接至該些第三延伸部中的至少一個以及該些第四延伸部中的至少一個。
18.如權利要求16所述的電容結構，其中該第一指狀電極還包括第一基部，該些第一延伸部連接至該第一基部，該第二指狀電極還包括第二基部，該些第二延伸部連接至該第二基部，該第三指狀電極還包括第三基部，該些第三延伸部連接至該第三基部，該第四指狀電極還包括第四基部，該些第四延伸部連接至該第四基部。
19.如權利要求18所述的電容結構，其中該第一繞行狀電極通過該些介層窗電連接至該第三基部以及該第四基部。
20.如權利要求18所述的電容結構，其中該第一繞行狀電極通過該些介層窗電連接至該些第三延伸部中的至少一個以及該第四基部，及/或電連接至該第三基部以及該些第四延伸部中的至少一個。
全文摘要
本發明公開一種電容結構，其包括介電材料層以及至少兩層金屬層。金屬層間隔設置於介電材料層中。各金屬層包括繞行狀電極、第一指狀電極以及第二指狀電極。繞行狀電極形成多個第一凹部以及多個第二凹部。多個第一凹部位於繞行狀電極的一側，多個第二凹部位於繞行狀電極的另一側。第一指狀電極包括多個第一延伸部，第一延伸部分別設置於第一凹部中。第二指狀電極包括多個第二延伸部，第二延伸部分別設置於第二凹部中。其中，各金屬層中的繞行狀電極電連接相鄰金屬層中的第一指狀電極及第二指狀電極。
文檔編號H01L27/08GK102593128SQ201210069410
公開日2012年7月18日 申請日期2012年3月15日 優先權日2011年12月7日
發明者陳建盛 申請人:威盛電子股份有限公司