使用含有有機溶劑的顯影液的顯影處理方法和顯影處理裝置的製作方法

2023-06-03 21:31:36

專利名稱：使用含有有機溶劑的顯影液的顯影處理方法和顯影處理裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及對形成抗蝕劑膜並進行曝光處理後的半導體晶片等的基板供給含有有機溶劑的顯影液，進行顯影處理的顯影處理方法和顯影處理裝置。
背景技術：
一般來講，在半導體晶片等的生產線中，為了在半導體晶片或LCD基板等的基板的表面形成抗蝕劑的圖案，使用光刻技術。該光刻技術，依次進行對基板的表面塗布抗蝕劑液的抗蝕劑塗布處理；在形成的抗蝕劑膜曝光圖案的曝光處理；和對曝光處理之後的基板供給顯影液的顯影處理等的一系列的處理，能夠在基板的表面形成規定的抗蝕劑圖案。
但是，在顯影處理中，已知有在曝光處理中曝光的抗蝕劑膜的區域中，選擇性地溶解·除去光照射強度較強的區域，進行圖案形成的正片型系統；和選擇性地溶解·除去光照射強度較弱的區域，進行圖案形成的負片型系統。在該情況下，在負片型系統中，對基板供給含有有機溶劑的顯影液，進行顯影處理。於是，在負片型系統在中，作為對基板供給含有有機溶劑的顯影液，進行顯影處理的方法之一，已知有一邊對噴出顯影液的噴嘴以固定速度進行掃描一邊將顯影液連續噴至以固定速度旋轉的基板上，而對基板供給顯影液的方法(例如參照專利文獻I)。專利文獻I :日本特開2010-152353號公報

發明內容
發明想要解決的問題可是，在專利文獻I記載的顯影處理方法中，由於將顯影液從顯影噴嘴連續噴出在以固定速度旋轉的基板上，因此在基板的表面上形成的顯影液的液膜的厚度變厚。當含有有機溶劑的顯影液的液膜變厚時，抗蝕劑膜的溶解和除去速度變慢，因此存在顯影處理的處理時間變長的問題。本發明是基於上述情況完成的，目的在於，提供一種在使用含有有機溶劑的顯影液的顯影處理中，能夠使處理時間縮短並能夠提高處理能力的顯影處理方法和顯影處理裝置。用於解決課題的方法為了解決上述問題，本發明的顯影處理方法，對在表面塗布有抗蝕劑並被曝光後的基板供給含有有機溶劑的顯影液並進行顯影，上述顯影處理方法的特徵在於，包括液膜形成工序，一邊使上述基板旋轉一邊從顯影液供給噴嘴對上述基板的中心部供給上述顯影液並形成液膜；和顯影工序，停止從上述顯影液供給噴嘴向上述基板供給上述顯影液，同時以不使上述顯影液的液膜乾燥的狀態下一邊使上述基板旋轉，一邊對上述基板上的抗蝕劑膜進行顯影。
在本發明中，在上述液膜形成工序中，以第一轉速使上述基板旋轉，在上述顯影工序中，以比上述第一轉速低且不促進上述顯影液的液膜的乾燥的第二轉速使上述基板旋轉，進一步，以比上述第二轉速高的第三轉速使上述基板旋轉，並且從上述顯影液供給噴嘴對上述基板的中心部供給上述顯影液，優選在上述顯影工序中具有將溶解於上述顯影液的抗蝕劑成分衝走的清洗工序。在該情況下，優選上述第一轉速為IOOrpm 1500rpm,上述第二轉速為IOrpm IOOrpm0另外，優選在本發明中，使上述液膜形成工序和上述顯影工序交替重複多次。 在該情況下，優選具有在從上述顯影液供給噴嘴對上述基板的中心部供給上述顯影液之前，一邊使上述基板旋轉，一邊使上述顯影液供給噴嘴從上述基板的周邊部向中心部移動，並從上述顯影液供給噴嘴將上述顯影液連續地供給至上述基板的工序。另外，優選在從上述顯影液供給噴嘴對上述基板的中心部供給上述顯影液之後，一邊使上述基板旋轉一邊使上述顯影液供給噴嘴從上述基板的中心部向周邊部移動，並從上述顯影液供給噴嘴將上述顯影液供給至上述基板的工序，和停止從上述顯影液供給噴嘴向上述基板供給上述顯影液的工序交替重複多次。在該情況下，上述顯影液供給噴嘴也可以設置多個，在上述液膜形成工序中，也可以從上述多個顯影液供給噴嘴對上述基板的中心部和中心部以外的部位供給上述顯影液，在上述顯影工序中，也可以停止從上述多個的顯影液供給噴嘴向上述基板供給上述顯影液。優選具有在從上述顯影液供給噴嘴對上述基板供給上述顯影液之後，一邊使上述基板旋轉，一邊從衝洗液供給噴嘴對上述基板供給衝洗液的工序，和在從上述衝洗液供給噴嘴對上述基板供給上述衝洗液之後，使上述基板旋轉並乾燥的工序。另外，本發明的顯影處理裝置是實施上述顯影處理方法的裝置，其對在表面塗布有抗蝕劑並曝光後的基板供給含有有機溶劑的顯影液，該顯影處理的特徵在於，包括將上述基板保持水平的基板保持部；使上述基板保持部繞鉛垂軸旋轉的旋轉驅動機構；對被上述基板保持部保持的基板的表面供給上述顯影液的顯影液供給噴嘴；和對從上述顯影液供給噴嘴向上述基板的上述顯影液的供給和上述旋轉驅動機構進行控制的控制部，所述顯影處理裝置，根據來自上述控制部的控制信號進行以下處理，即液膜形成處理，其一邊使上述基板旋轉，一邊從顯影液供給噴嘴對上述基板的中心部供給上述顯影液並形成液膜；和顯影處理，其停止從上述顯影液供給噴嘴向上述基板供給上述顯影液，並且以不使上述顯影液的液膜乾燥的狀態一邊使上述基板旋轉一邊將上述基板上的抗蝕劑膜進行顯影。 在本發明中，根據來自上述控制部的控制信號，在上述液膜形成處理中，以第一轉速使上述基板旋轉，在上述顯影工序中，以比上述第一轉速低且不促進上述顯影液的液膜的乾燥的第二轉速使上述基板旋轉，進一步，以比上述第二轉速高的第三轉速使上述基板旋轉，並從上述顯影液供給噴嘴對上述基板的中心部供給上述顯影液，在上述顯影處理工序中優選進行清洗處理，將溶解於上述顯影液的抗蝕劑成分衝走。在該情況下，上述第一轉速可以為IOOrpm 1500rpm，上述第二轉速可以為IOrpm IOOrpm0另外，在該發明中，優選根據來自上述控制部的控制信號，一邊使上述基板旋轉，一邊從上述顯影液供給噴嘴對上述基板的中心部供給上述顯影液的液膜形成處理，和停止從上述從顯影液供給噴嘴向上述基板供給上述顯影液的顯影處理交替重複多次。在該情況下，優選還具有顯影液供給噴嘴移動機構其使上述顯影液供給噴嘴能夠在沿上述基板的表面的方向上移動，移動動作被上述控制部控制，上述控制部，在從上述顯影液供給噴嘴對上述基板的中心部供給上述顯影液之前，一邊使上述顯影液供給噴嘴從上述基板的周邊部向中心部移動，一邊從上述顯影液供給噴嘴將上述顯影液連續地供給至上述基板。另外，還具有顯影液供給噴嘴移動機構，其使上述顯影液供給噴嘴能夠在沿上述基板的表面的方向上移動，由上述控制部控制移動動作，上述控制部優選在從上述顯影液供給噴嘴對上述基板的中心部供給上述顯影液之後，使上述顯影液供給噴嘴從上述基板的周邊部向中心部移動，並從上述顯影液供給噴嘴對上述基板供給上述顯影液的處理，和停止從上述顯影液供給噴嘴對上述基板供給上述顯影液的處理交替重複多次。 在該情況下，上述顯影液供給噴嘴也可以設置有多個，在上述液膜形成處理中，也可以從上述多個顯影液供給噴嘴對上述基板的中心部和中心部以外的部位供給上述顯影液，在上述顯影處理中，也可以停止從上述多個顯影液供給噴嘴向上述基板供給上述顯影液。另外，還具有衝洗液供給噴嘴移動機構，其由上述控制部控制移動動作，使對上述基板供給衝洗液的衝洗液供給噴嘴和上述衝洗液供給噴嘴能夠在沿上述基板的表面的方向上移動，上述控制部，優選在從上述顯影液供給噴嘴對上述基板供給上述顯影液之後，一邊使上述基板旋轉，一邊從上述衝洗液供給噴嘴對上述基板供給衝洗液的處理，和在從上述衝洗液供給噴嘴對上述基板供給上述衝洗液之後，使上述基板旋轉並乾燥的處理。發明效果採用本發明的使用含有有機溶劑的顯影液的顯影處理方法和顯影處理裝置，通過具有一邊使基板旋轉，一邊從顯影液供給噴嘴對基板的中心部供給顯影液，形成液膜的液膜形成工序；和一邊使基板旋轉，一邊停止從顯影液供給噴嘴向基板供給顯影液，並且以不使顯影液的液膜乾燥的狀態一邊使基板旋轉，一邊在顯影基板上的抗蝕劑膜的顯影工序，能夠保持在基板的表面上形成的顯影液的液膜的厚度較薄，能夠提高抗蝕劑膜的溶解速度和除去速度，因此能夠使顯影處理的處理時間縮短，能夠提高處理能力。


圖I是表示適用於本發明涉及的顯影處理裝置的塗布顯影處理裝置與曝光處理裝置連接的處理系統的整體的概略立體圖。圖2是上述處理系統的概略俯視圖。圖3是表示本發明涉及的顯影處理裝置的概略截面圖。圖4是所述顯影處理裝置的概略俯視圖。圖5是表示第一實施方式中的顯影處理方法的次序的流程圖。圖6是表示本發明中的從顯影液供給噴嘴對基板的中心部供給顯影液的液膜形成工序的概略立體圖(a);和表示停止向顯影液供給噴嘴基板供給顯影液的顯影工序的概略立體圖(b)。
圖7是表示圖案的線寬與第一實施方式涉及的工序的關係的圖。圖8是表示圖案的線寬與第一實施方式涉及的工序的處理時間的關係的圖。圖9是表示使第二實施方式中的顯影液供給噴嘴從基板的周邊部向中心部移動，並從顯影液供給噴嘴對基板連續地供給顯影液的工序的概略立體圖。圖10是表示圖案的線寬與第二實施方式涉及的工序的關係的圖。圖11是表示使第三實施方式中的顯影液供給噴嘴從基板的中心部向周邊部移動，並從顯影液供給噴嘴對基板供給顯影液的工序，和停止從顯影液供給噴嘴向基板供給顯影液的工序交替重複多次的工序概略立體圖。 圖12是表示第四實施方式中的從多個顯影液供給噴嘴對基板的中心部和中心部以外的部位供給顯影液的供給工序的概略立體圖(a);和表示停止從多個顯影液供給噴嘴向基板供給顯影液的停止工序的概略立體圖(b)。圖13是表示第五實施方式中的顯影處理方法的次序的流程圖。圖14是表示第五實施方式中的液膜形成工序的概略立體圖(a)、表示顯影工序的概略立體圖(b);和表示在顯影工序中衝洗溶解於顯影液的抗蝕劑成分的清洗工序概略立體圖(C)。
具體實施例方式以下，基於附圖，對本發明的實施方式進行說明。在此，關於將本發明涉及的顯影處理裝置適用於塗布顯影處理裝置的情況進行說明。如圖I和圖2所示，上述處理系統，包括用於將密閉收納多塊例如25塊基板的半導體晶片w(以下稱為晶片W)的載體10搬入搬出的載體站I ;對從該載體站I取出的晶片W實施抗蝕劑塗布、顯影處理等的處理部2 ；以在晶片W的表面形成透過光的液層的狀態下對晶片W的表面進行浸液曝光的曝光部4 ;和與處理部2與曝光部4之間連接，進行晶片W的交接的接口部3。載體站I設置有能夠載置多個並列的載體10的載置部11 ;從該載置部11觀看設置於前方的壁面的開閉部12 ;和隔著開閉部12用於從載體10取出晶片W的交接部件Al。接口部3，包括在處理部2與曝光部4之間前後設置的第一搬送室3A和第二搬送室3B，各自設置有第一晶片搬送部30A和第二晶片搬送部30B。另外，載體站I的裡側連接有與由框體20將周圍包圍的處理部2，在該處理部2從眼前側依次交替配列設置有在使加熱·冷卻系統的單元多層化的架單元Ul、U2、U3與液處理單元U4、U5的各單元間進行晶片W的交接的主搬送部件A2，A3。另外，主搬送部件A2、A3配置於由從載體站I觀看在前後方向配置的架單元Ul、U2、U3側的一面部、後述的例如右側的液處理單元U4、U5側的一面部、和形成左側的一面的背面部形成的分隔壁21所包圍的空間內。另外，在載體站I與處理部2之間、處理部2與接口部3之間配置有具有在各單元使用的處理液的溫度調節裝置和溫溼度調節用的管(duct)等的溫溼度調節單元22。架單元U1、U2、U3是將用於進行在液處理單元U4、U5進行處理的前處理和後處理的各種單元多層例如十層疊層而構成，其組合包括加熱(烘烤)晶片W的加熱單元(未圖示)、冷卻晶片W的冷卻單元(未圖示)等。另外,例如如圖I所示,液處理單元U4、U5由將防反射膜塗布在抗蝕劑或顯影液等的藥液收納部上的防反射膜塗布單元(BCT) 23、塗布單元(COT) 24、對晶片W供給顯影液進行顯影處理的顯影單元(DEV) 25等多層例如五層疊層而構成。該發明涉及的顯影處理裝置50設置於顯影單元(DEV) 25。參照圖I和圖2，對於如上述方式構成的塗布顯影處理裝置中的晶片的移動，就一個例子簡單地進行說明。首先，當將收納有例如25塊晶片W的載體10載置於載置部11時，載體10的蓋體與開閉部12—起被打開，通過交接部件Al取出晶片W。然後，晶片W經由成為架單元Ul的一層的交接單元(未圖示)被向主搬送部件A2交接，在進行完作為塗布處理的前處理例如防反射膜形成處理、冷卻處理之後，在塗布單元(COT) 24被塗布抗蝕劑液。接著，晶片W通過主搬送部件A2，被架單元Ul、U2的形成一個架的加熱單元加熱(烘烤處理)，進一步，在被冷卻之後，經由架單元U3的交接單元，被向接口部3搬入。在該接口部3中，通過第一搬送室3A和第二搬送室3B的第一晶片搬送部30A和第二晶片搬送部30B被 搬送到曝光部4，以與晶片W的表面相對置的方式配置曝光部件(未圖示)，進行曝光。曝光後，晶片W以相反的路經被搬送至主搬送部件A3，通過在顯影單元DEV顯影來形成圖案。然後，晶片W被返回到載置在載置部11上的原來的載體10。接著，對於該發明涉及的顯影處理裝置50進行說明。如圖3和圖4所示，顯影處理裝置50具備旋轉卡盤(spin chuck) 40，其在具有晶片W的搬入搬出口 51a的外殼51內，成為吸引吸附晶片W的裡面側中心部並保持水平的基板保持部。此外，在搬入搬出口 51a設置有能夠開閉的關閉器(shutter) 51b。上述旋轉卡盤40經由軸部41與例如伺服電動機等的旋轉驅動機構42連接，在由該旋轉驅動機構42保持晶片W的狀態以能夠旋轉的方式構成。此外，旋轉驅動機構42與該發明的控制部的控制器60電連接，基於來自控制器60的控制信號，來控制旋轉卡盤40的轉速。另外，以包圍被旋轉卡盤40保持的晶片W的側方的方式設置有杯體(cup) 43。該杯體43，包括圓筒狀的外杯體43a和上部側向內側傾斜的筒狀的內杯體43b，外杯體43a通過與外杯體43a的下端部連接的例如汽缸等的升降機構44進行升降,進一步，內杯體43b在形成於外杯體43a的下端側內周面的層部被推上，以能夠升降的方式構成。此外，升降機構44被構成為與控制器60電連接，根據來自控制器60的控制信號來升降外杯體43a。另外，在旋轉卡盤40的下方一側設置有圓形板45,在該圓形板45的外側遍及全圓周設置有截面形成為凹部狀的液接受部46。在液接受部46的底面形成有排水排出口 47，從晶片W落下或者被甩下的存積於液接受部46的顯影液和衝洗液，經由該排水排出口 47被排出到裝置的外部。另外，在圓形板45的外側設置有截面呈山形的環部件48。此外，雖然圖示省略，但是設置有作為貫通圓形板45的例如3個基板支承銷的升降銷，通過該升降銷與未圖示的基板搬送部件和協同作用，晶片W被交接到旋轉卡盤40。另一方面，被保持在旋轉卡盤40的晶片W的上方一側，以隔著間隙與晶片W的表面的中心部對置的方式，設置有能夠升降和水平移動的顯影液供給噴嘴52 (以下稱為顯影噴嘴52)。在該情況下，顯影噴嘴52在噴嘴前端部具有供給(噴出)顯影液的圓形狀的噴出口(未圖示)。另外，顯影噴嘴52被噴嘴臂54A的一端側支承，該噴嘴臂54A的另一端側與具有未圖示的升降機構的移動基臺55A連結，進一步，移動基臺55A，例如通過滾珠絲杆或齒輪皮帶(timing belt)等的顯影液供給噴嘴移動機構56A (以下稱為顯影噴嘴移動機構56A)沿在X方向上延伸的引導部件57A以能夠在橫方向上移動的方式構成。通過驅動顯影噴嘴移動機構56A，顯影噴嘴52從晶片W的中心部沿朝向周邊部的直線(半徑)移動。此外，在杯體43的一方的外方側設置有顯影噴嘴52的待機部59A，在該待機部59A進行顯影噴嘴52的噴嘴前端部的清洗等。另外，在被旋轉卡盤40保持的晶片W的上方一側以隔著間隙與晶片W的表面的中心部對置的方式，以能夠升降和水平移動的方式設置有供給(噴出)衝洗液的衝洗液供給噴嘴58 (以下稱為衝洗噴嘴58)。該衝洗噴嘴58被保持為與噴嘴臂54B的一端相互平行狀態，該噴嘴臂54B的另一端與具有未圖示的升降機構的移動基臺55B連結，進一步，移動基臺55B被構成為，例如通過滾珠絲杆或同步帶等的衝洗液供給噴嘴移動機構56B(以下稱為衝洗噴嘴移動機構56B)沿在X方向上延伸的引導部件57B能夠在側方向上移動，即能夠從晶片W的中心部朝向基板的周邊部在徑方向移動。此外，杯體43的一方的外方側設置有衝洗噴嘴58的待機部59B。 另外，顯影噴嘴52經由設置有開閉閥Vl的顯影液供給管70與顯影液供給源71連接。另一方面，衝洗噴嘴58在連接衝洗噴嘴58與清洗液供給源的衝洗液供給源77的衝洗液供給管76設置有開閉閥V2。此外，上述顯影噴嘴移動機構56A、衝洗噴嘴移動機構56B、開閉閥VI、V2分別與上述控制器60電連接，以根據預先存儲在控制器60的控制信號進行顯影噴嘴52的水平移動、衝洗噴嘴58的水平移動、和開閉閥V1、V2的開閉驅動的方式構成。控制器60通過控制開閉閥Vl的開閉驅動，能夠控制從顯影噴嘴52向晶片W的顯影液的供給。從上述方式構成的顯影噴嘴52對晶片W供給的顯影液，使用含有有機溶劑的顯影液。該顯影液能夠在曝光處理中曝光的抗蝕劑膜的區域中，選擇性地溶解·除去光照射強度較弱的區域，進行圖案形成。作為含有有機溶劑的顯影液，例如能夠使用酮類溶劑、酯類溶劑、酒精溶劑、醯胺溶劑、以太(ether)溶劑等的極性溶劑和烴類溶劑等。在本實施方式中，使用含有酯類溶劑的醋酸丁酯的顯影液。另一方面，從衝洗噴嘴58對晶片W供給的衝洗液使用含有有機溶劑的衝洗液。作為含有有機溶劑的衝洗液，例如能夠使用具有含有分支結構和環狀結構中的至少一個的烷基鏈，該烷基鏈中的2級或者3級碳原子與羥基結合且碳原子數至少為5的醇，或者碳原子數至少為5的烷基以及碳原子數至少為5的環烷基中的至少一種的二烴基醚(dialkylether)的衝洗液，在本實施方式中，使用含有相當的酒精4_甲基_2_戊醇(MIBC)的衝洗液。接著，對於如上述方式構成的顯影處理裝置50的晶片W的顯影處理的第一實施方式進行說明。圖5是表示第一實施方式中的顯影處理方法的次序的流程圖，沿箭頭的方向進行步驟。此外，在第一實施方式中，對直徑300mm的晶片W進行顯影處理。首先，通過未圖示的搬送部件，將晶片W搬送到旋轉卡盤40上，由旋轉卡盤40保持晶片W，通過驅動旋轉驅動機構42例如以IOOOrpm旋轉晶片W(步驟SI)。然後，驅動顯影噴嘴移動機構56A，使顯影噴嘴52從晶片W的周邊部移動至中心部的上方位置(步驟S2)。此外，也可以使步驟SI與步驟S2的順序相反。即，也可以在使顯影噴嘴52從晶片W的周邊部移動到中心部的上方位置之後,通過驅動旋轉驅動機構42例如以IOOOrpm旋轉晶片W。接著，從顯影噴嘴52對晶片W的中心部供給顯影液(步驟S3)。步驟S3包括使晶片W旋轉，並從顯影噴嘴52對晶片W的中心部供給顯影液D來形成液膜的液膜形成工序(步驟A :參照圖6 (a));和使晶片W旋轉，並停止從顯影噴嘴52向晶片W供給顯影液D來顯影抗蝕劑膜的顯影工序(步驟B:參照圖6(b))，使液膜形成工序(步驟A)和顯影工序(步驟B)交替重複多次。首先，進行第一次的液膜形成工序(步驟A)。顯影液D的供給，例如從顯影噴嘴52對以IOOOrpm旋轉的晶片W的中心部供給顯影液D，形成液膜。從顯影噴嘴52供給的顯影液D的流速例如為300ml/min，從供給顯影液D至停止供給顯影液D之間的顯影液供給期間T為O. 5秒。接著，進行第一次的顯影工序(步驟B)。顯影工序，例如以IOOOrpm使晶片W旋轉，並進行晶片W上的抗蝕劑膜的顯影。從停止供給顯影液D至下一次供給顯影液之間的顯影液停止期間P為I. 5秒。在該顯影工序中，當使晶片W以IOOOrpm旋轉，並停止顯影液的供給時，存在促進乾燥的問題，所以作為抑制乾燥的方法，例如可以在晶片W上的局部配置整流板，或者用罩覆蓋整個晶片，抑制顯影液的揮發。此外，在顯影工序中，通過使晶片W的轉速例如減速至IOOrpm，能夠抑制顯影的乾燥。另外，作為抑制乾燥的另外的方法，使晶片W的溫度和顯影液的溫度中的至少一個溫度為18°C 21°C，或者，在顯影工序中，通過使杯體43 (具體來講為外杯體43a)的開口部縮小為30mm以下，能夠抑制顯影的乾燥。接著，與第一次的液膜形成工序同樣地進行第二次的液膜形成工序(步驟A)，接著，與第一次的顯影工序同樣地進行第二次的顯影工序(步驟B)。然後，通過使液膜形成工序(步驟A)和顯影工序(步驟B)交替重複多次例如η=8次，能夠完成步驟S3。接著，驅動顯影噴嘴移動機構56Α，使顯影噴嘴52從晶片W的中心部向周邊部移動(步驟S4)。如上所述，在從顯影噴嘴52對晶片W供給顯影液之後，驅動衝洗噴嘴移動機構56Β，使衝洗噴嘴58移動至晶片表面的中心部上方位置，由衝洗噴嘴58對例如以IOOOrpm旋轉的晶片W的表面供給含有有機溶劑的衝洗液(步驟S5)。從衝洗噴嘴58供給的衝洗液的流速例如是120ml/min，從供給衝洗液至停止供給衝洗液之間的衝洗液供給期間為5秒。通過由衝洗噴嘴58供給的衝洗液，能夠停止基於顯影液的抗蝕劑膜的溶解，並能夠衝洗包括晶片表面的抗蝕劑溶解成分的顯影液。此外，在供給步驟S5的衝洗處理中，也可以不使用衝洗液，而在步驟S3中使用有機顯影液，衝洗晶片表面的含有抗蝕劑溶解成分的顯影液。在該情況下，除了從顯影噴嘴52對晶片W的中心部供給有機顯影液之外，也可以使顯影噴嘴52從晶片W的中心部向周邊部或者，從晶片W的周邊部向中心部移動，同時供給有機顯影液。接著，通過驅動旋轉驅動機構42，使晶片W高速旋轉，例如使轉速為2000rpm來甩掉晶片表面的液體，進行20秒的旋轉乾燥處理(步驟S6)。採用上述第一實施方式，包括一邊使晶片W旋轉，一邊從顯影噴嘴52對晶片W的中心部供給顯影液來形成液膜的液膜形成工序；和一邊使晶片W旋轉，一邊停止從顯影噴嘴52向晶片W供給顯影液D來進行抗蝕劑膜的顯影的顯影工序，通過使液膜形成工序和顯、影工序交替重複多次，能夠保持在晶片W的表面上形成的顯影液D的液膜的厚度較薄，能夠提高抗蝕劑膜的溶解·除去速度，因此能夠使顯影處理的處理時間縮短，能夠提高處理能力。圖7是對直徑300mm的晶片W，在各處理條件下供給20秒時間的顯影液之後，進行上述的衝洗處理和乾燥處理之後的、從晶片W的中心部至周邊部為止的各部位的圖案的線寬的測定實驗結果。各處理條件是〇(顯影液供給期間T/顯影液停止期間P:
0.5s/l. 5s),Δ (顯影液供給期間T/顯影液停止期間P :1. Os/1. Os), □(顯影液供給期間T/顯影液停止期間P 1. 5s/0. 5s), X (全程實施(All Dispense))的條件如圖7所示，不設置停止從顯影噴嘴52向晶片W供給顯影液的顯影工序，連續地向晶片W供給顯影液的處理條件X (全程實施(AllDispense)),與在從晶片W中心部至周 邊部的各部位中，設置有顯影工序的處理條件〇(T/P :0. 5s/1.5s)、A (T/P 1. Os/1. Os)和口(T/P 1. 5s/0. 5s)相比，顯示圖案的線寬變寬，抗蝕劑膜的溶解·除去速度變慢。另外，通過對設置停止從顯影噴嘴52向晶片W供給顯影液的顯影工序的處理條件〇(T/P 0. 5s/l. 5s)與處理條件Λ (T/P 1. Os/1. Os)和處理條件□ (T/P
1.5s/0. 5s)進行比較，顯影液供給期間T最短的處理條件〇(顯影液供給期間T/顯影液停止期間P :0. 5s/l. 5s)的圖案的線寬最細，抗蝕劑膜的溶解·除去速度最快。圖8是對直徑300mm的晶片W，在不設置停止從顯影噴嘴52向晶片W供給顯影液的顯影工序，將顯影液以規定的處理時間連續地供給至晶片W的處理條件下，即，處理條件x(全程實施(All Dispense))，和在處理條件〇(顯影液供給期間T/顯影液停止期間P :0. 5s/l. 5s)下供給之後，測定晶片W的中心部中的經過每個處理時間的圖案的線寬的實驗結果。如圖8所示，判斷當目標的線寬為40nm時，在處理條件X (全程實施(AllDispense))下需要30秒的處理時間，與此相對，在處理條件:〇(T/P :0. 5s/l. 5s)下用20秒的處理時間完成，這說明設置停止從顯影噴嘴52向晶片W供給顯影液的停止工序的處理條件〇(T/P 0. 5s/l. 5s)的情況下，用於成為目標的線寬的處理時間變短。在上述的第一實施方式中，驅動顯影噴嘴移動機構56A，使顯影噴嘴52從晶片W的周邊部向中心部的上方位置移動(步驟S2)，但也可以例如如圖9所示，使顯影噴嘴52從晶片W的周邊部向中心部移動，並從顯影噴嘴52對晶片W連續地供給顯影液D (步驟S2a :未圖示)。此外，連續地供給顯影液是指不設置停止從顯影噴嘴52向晶片W供給顯影液的工序，從顯影噴嘴52對晶片W連續供給顯影液。當對通過顯影處理裝置50的晶片W的顯影處理的第二實施方式進行說明時，與第一實施方式相同，首先，通過未圖示的搬送部件，將晶片W搬送到旋轉卡盤40上，通過旋轉卡盤40保持晶片W，通過驅動旋轉驅動機構42，使晶片W例如以IOOOrpm旋轉(步驟SI)。接著，如圖9所示，驅動顯影噴嘴移動機構56A，使顯影噴嘴52以40mm/s的速度從晶片W的周邊部向中心部移動，並從顯影噴嘴52以流速例如300ml/min連續地供給顯影液D (步驟S2a)。之後的處理工序(步驟S3 S6)與第一實施方式同樣進行。採用上述第二實施方式，通過在從顯影噴嘴52對晶片W的中心部供給顯影液D之前，一邊使晶片W旋轉，一邊使顯影噴嘴52從晶片W的周邊部向中心部移動，並從顯影噴嘴52對晶片W連續地供給顯影液D，從使顯影噴嘴52從晶片W的周邊部向中心部移動的工序時刻起，能夠開始溶解·除去抗蝕劑膜，因此能夠使顯影處理的處理時間縮短，能夠提高處理能力。另外，通過對晶片W的中心部以外的部位供給顯影液D，能夠對晶片W整體進行更加均一的顯影處理。圖10是對將直徑300mm的晶片W以IOOOrpm旋轉，在各處理條件下X (移動時不供給顯影液)、Λ (以顯影噴嘴52的移動速度為120mm/s、流量為300ml/min供給顯影液)、O (以顯影噴嘴52的移動速度為40mm/s、流量為300ml/min供給顯影液)，使顯影噴嘴52從晶片W的周邊部向中心部的上方位置移動，在晶片W的中心部將顯影液以顯影液供給期間T/顯影液停止期間P :1. Os/1. Os的條件供給16秒之後，進行了上述的衝洗處理和乾燥處理之後、對從晶片W的中心部至周邊部的各部位的圖案的線寬進行測定的實驗結果。
如圖10所示，與從顯影噴嘴52對晶片W不供給顯影液處理條件X (移動時不供給顯影液)相比，具有使顯影噴嘴52從晶片W的周邊部向中心部移動，並從顯影噴嘴52對晶片W連續地供給顯影液的工序處理條件Λ (以顯影噴嘴52的移動速度為120mm/s、流量為300ml/min供給顯影液)和〇(以顯影噴嘴52的移動速度為40mm/s、流量為300ml/min供給顯影液)的情況下，圖案的線寬變細。另外，通過對設有使顯影噴嘴52從晶片W的周邊部向中心部移動，並從顯影噴嘴52對晶片W連續地供給顯影液的工序的處理條件Λ (以顯影噴嘴52的移動速度為120_/
S、流量為300ml/min供給顯影液)和處理條件〇(以顯影噴嘴52的移動速度為40mm/s、流量為300ml/min供給顯影液)進行比較，顯影噴嘴52的移動速度較慢的處理條件〇(以顯影噴嘴52的移動速度為40mm/s、流量為300ml/min供給顯影液)的圖案的線寬最細。通過以上結果可知在步驟S2a中，通過使顯影噴嘴52從晶片W的周邊部向中心部移動，並從顯影噴嘴52對晶片W連續地供給顯影液，能夠調整圖案的線寬。另外可知，通過顯影噴嘴52的移動速度也能夠調整線寬。在上述的第一實施方式中，以停止供給顯影液的狀態使顯影噴嘴52從晶片W的中心部向周邊部移動(步驟S4)，但也可以例如如圖11所示，也可以使顯影噴嘴52從晶片W的中心部向周邊部移動，並從顯影噴嘴52對晶片W供給顯影液D的工序；和停止從顯影噴嘴52向晶片W供給顯影液D的工序(步驟S4a:未圖示)交替重複多次。當對由顯影處理裝置50的晶片W的顯影處理的第三實施方式進行說明時，與第一實施方式同樣進行處理工序(步驟SI S3)。接著，如圖11所示，驅動顯影噴嘴移動機構56A，使顯影噴嘴52以40mm/s的速度從晶片W的中心部向周邊部移動，並從顯影噴嘴52將顯影液以流速例如為300ml/min對晶片W供給顯影液的工序；和停止從顯影噴嘴52向晶片W供給顯影液的工序(步驟S4a)交替重複多次，例如兩次。之後的處理工序(步驟S5、S6)與第一實施方式同樣進行。採用上述第三實施方式，通過使從顯影噴嘴52對晶片W的中心部供給過顯影液之後，一邊使晶片W旋轉，一邊使顯影噴嘴52從晶片W的中心部向周邊部移動，並從顯影噴嘴52對晶片W供給顯影液的工序；和停止從顯影噴嘴52向晶片W供給顯影液的工序交替重複多次，即使在使顯影噴嘴52從晶片W的中心部向周邊部移動的工序中，也能夠對晶片W供給顯影液，溶解 除去抗蝕劑膜，因此能夠使顯影處理的處理時間縮短，能夠提高處理能力。另外，通過對晶片W的中心部以外的部位供給顯影液，能夠對晶片W整體進行更加均一的顯影處理。
在上述的第一實施方式中，從一個顯影噴嘴52對晶片W的中心部供給顯影液(步驟S3)，但也可以例如如圖12所示，設置多個例如五個顯影噴嘴，從一個顯影噴嘴52A對晶片W的中心部供給顯影液D，並從四個顯影噴嘴52B對中心部以外的部位供給顯影液D (步驟S3a:未圖示)。當對由顯影處理裝置50的晶片W的顯影處理的第四實施方式進行說明時，與第一實施方式同樣進行處理工序(步驟S1、S2)。此外，在步驟S2中，將顯影噴嘴52A配置於晶片W的中心部的上方，使顯影噴嘴52B在晶片W的中心部以外的部位的上方，在隔著顯影噴嘴52A呈對稱的左右的位置各設置兩個(參照圖12)。
接著，從多個顯影噴嘴52A、52B對晶片W的中心部和中心部以外的部位供給顯影液D (步驟S3a)。步驟S3a，如圖12(A)所示，具有一邊使晶片W旋轉，一邊從顯影噴嘴52A、52B對晶片W的中心部和中心部以外的部位供給顯影液D，形成液膜的液膜形成工序(步驟Aa :未圖不);和如圖12 (b)所不，一邊使晶片W旋轉，一邊停止從顯影噴嘴52A、52B向晶片W供給顯影液來顯影抗蝕劑膜的顯影工序(步驟Ba :未圖示)，使液膜形成工序(步驟Aa)和顯影工序(步驟Ba)交替重複多次。首先，進行第一次的液膜形成工序(步驟Aa)。顯影液D的供給，例如從顯影噴嘴52A、52B對以IOOOrpm旋轉的晶片W的中心部和中心部以外的部位供給顯影液D。從顯影噴嘴52A、52B供給的顯影液D的流速例如是60ml/min，從供給顯影液D至停止供給顯影液D之間的顯影液供給期間T為O. 5秒。接著，進行第一次的顯影工序(步驟Ba)。供給顯影液的顯影工序是例如一邊使晶片W以IOOOrpm旋轉一邊進行。從停止供給顯影液至下一次供給顯影液之間的顯影液停止期間P為I. 5秒。接著，與第一次的液膜形成工序同樣地進行第二次的液膜形成工序(步驟Aa)，接著，與第一次的顯影工序同樣地進行第二次的顯影工序(步驟Ba)。於是，通過使液膜形成工序(步驟Aa)和顯影工序(步驟Ba)交替重複多次，例如η = 8次，能夠完成步驟S3a。之後的處理工序(步驟S4 S6)與第一實施方式同樣進行。採用上述第四實施方式，設置有多個顯影噴嘴52A、52B，在液膜形成工序中，從顯影噴嘴52A、52B對晶片W的中心部和中心部以外的部位供給顯影液，在顯影工序中，通過停止從顯影噴嘴52A、52B向晶片W供給顯影液，能夠從多個顯影噴嘴52A、52B對晶片W的中心部和中心部以外的部位供給顯影液，因此能夠使顯影處理的處理時間縮短，能夠提高處理能力。另外，通過對晶片W的中心部以外的部位供給顯影液，能夠對晶片W整體進行更加均一的顯影處理。接著，參照圖13所示的流程圖和圖14所示的概略立體圖，對上述方式構成的由顯影處理裝置50的晶片W的顯影處理的第五實施方式進行說明。首先，通過未圖示的搬送部件，將晶片W搬送到旋轉卡盤40上，由旋轉卡盤40保持晶片W，通過驅動旋轉驅動機構42，使晶片W例如以IOOOrpm旋轉(步驟SI)。然後，驅動顯影噴嘴移動機構56A，使顯影噴嘴52從晶片W的周邊部向中心部的上方位置移動(步驟S2)。此外，也可以使步驟SI和步驟S2的順序相反。即，也可以在使顯影噴嘴52從晶片W的周邊部移動到中心部的上方位置之後，通過驅動旋轉驅動機構42，使晶片W例如以IOOOrpm 旋轉。接著，從顯影噴嘴52對晶片W的中心部供給顯影液(步驟S3)。步驟S3包括一邊使晶片W以1000rpm(第一轉速)旋轉，一邊從顯影噴嘴52對晶片W的中心部供給顯影液D，形成液膜的液膜形成工序(步驟A :參照圖14(a));—邊使晶片W以比第一轉速低的、不促進顯影液乾燥的程度的轉速(第二轉速)例如IOOrpm旋轉，一邊停止從顯影噴嘴52向晶片W供給顯影液D，顯影抗蝕劑膜的顯影工序(步驟B:參照圖14(b));和使晶片W的轉速提高至例如lOOOrpm，並對晶片W的中心部供給顯影液D，並衝洗含有抗蝕劑溶解成分的顯影液的清洗工序(步驟C :參照圖14(c))。詳細說明步驟S3。首先，進行第一 次的液膜形成工序(步驟A)。顯影液D的供給，例如從顯影噴嘴52對以IOOOrpm(第一轉速)旋轉的晶片W的中心部供給顯影液D,形成液膜。從顯影噴嘴52供給的顯影液D的流速例如是60ml/min，從供給顯影液D至停止供給顯影液D之間的顯影液供給期間T為5秒。通過該液膜形成工序，顯影液的液膜在晶片整個面擴展。接著，進行第一次的顯影工序(步驟B)。顯影工序，一邊使晶片W以比第一轉速低的例如IOOrpm旋轉，一邊以較薄地保持晶片W上的抗蝕劑膜的液膜的狀態進行顯影。從停止供給顯影液D至下一次的供給顯影液之間的顯影液停止期間P為14秒。此外，在顯影工序中，通過使晶片W的轉速減速至例如IOOrpm，能夠抑制顯影的乾燥。另外，作為抑制乾燥的方法，例如在晶片W上的一部分配置整流板，或者，以罩覆蓋晶片整體，能夠抑制顯影液的揮發。另外，作為抑制乾燥的另外的方法，使晶片W的溫度和顯影液的溫度中至少一個溫度在18°C 21°C，或者，在顯影工序中，通過使杯體43 (具體來講外杯體43a)的開口部縮小為30mm以下,能夠抑制顯影的乾燥。此外，在上述說明中，在液膜形成工序中，使顯影液的流速為60ml/min，使顯影液供給期間T為5秒，在顯影工序中，使顯影液停止期間P為14秒，但也可以使顯影液的流速比60ml/min慢，使顯影液供給期間T比5秒長，使顯影液停止期間相應縮短。通過在顯影工序之後，使晶片W的轉速上升至例如lOOOrpm，並對晶片W的中心部供給顯影液D，來衝洗含有抗蝕劑溶解成分的顯影液的清洗工序(步驟C)，完成步驟S3。此夕卜，在步驟C的清洗工序中，除了從顯影噴嘴52對晶片W的中心部供給有機顯影液之外，也可以一邊使顯影噴嘴52從晶片W的中心部向周邊部，或者，從晶片W的周邊部向中心部移動，一邊供給有機顯影液。接著，驅動顯影噴嘴移動機構56A，使顯影噴嘴52從晶片W的中心部向周邊部移動(步驟S4)。如上所述，在從顯影噴嘴52對晶片W供給顯影液之後，如圖13中兩點劃線所示，驅動衝洗噴嘴移動機構56B，使衝洗噴嘴58向晶片表面的中心部上方位置移動，由衝洗噴嘴58對例如以IOOOrpm旋轉的晶片W的表面供給含有有機溶劑的衝洗液，進行衝洗處理(步驟S5)。從衝洗噴嘴58供給的衝洗液的流速例如為120ml/min，從供給衝洗液至停止供給衝洗液之間的衝洗液供給期間為5秒。通過由衝洗噴嘴58供給的衝洗液，能夠停止基於顯影液的抗蝕劑膜的溶解，同時能夠衝洗晶片表面的含有抗蝕劑溶解成分的顯影液。此外，在步驟S3的清洗工序中，使用有機顯影液，衝洗晶片表面的含有抗蝕劑溶解成分的顯影液，所以也可以不進行步驟S5的衝洗處理，就進行下一個工序的乾燥處理。此外，當不進行衝洗處理就進行乾燥處理時，也可以在乾燥工序之前，對晶片W的中心部供給N2等的氣體，來調整抗蝕劑膜的顯影的進行。此時，當一邊使顯影噴嘴52從晶片W的中心部向周邊部，或者，從晶片W的周邊部向中心部移動，一邊供給有機顯影液時，使氣體的供給位置從晶片W的中心部向周邊部移動，以顯影液的液膜在晶片W上變得均一的方式供給氣體。乾燥工序，通過驅動旋轉驅動機構42，使晶片W高速旋轉，例如使轉速為2000rpm，將晶片表面的液體甩掉，進行20秒的旋轉乾燥處理(步驟S6)。此外，在上述說明中，在液膜形成工序中，使晶片W的轉速為lOOOrpm，在顯影工序中，使晶片W的轉速為IOOrpm,但使液膜形成工序中的晶片W的轉速為IOOrpm 1500rpm,使顯影工序中的晶片W的轉速為IOrpm IOOrpm,也能夠獲得同樣的效果。例如，也可以在液膜形成工序中，使晶片W的轉速為lOOOrpm，在顯影工序中，使晶片W的轉速減速至IOOrpm，停止供給顯影液，並且以IOrpm超低速旋轉，進行顯影處理。此 外，在顯影工序中，不含有晶片W的旋轉停止的理由是因為當停止旋轉晶片W時，濃度分布由於溶解於顯影液的抗蝕劑成分變得不均，不能獲得均一的線寬。此外，也可以在第五實施方式中，使液膜形成工序和顯影工序交替重複多次。採用上述第五實施方式，通過具有一邊使晶片W旋轉，一邊從顯影噴嘴52對晶片W的中心部供給顯影液，在整個面較薄地形成液膜的液膜形成工序；一邊使晶片W旋轉，一邊停止從顯影噴嘴52向晶片供給顯影液D，以較薄地保持晶片W上的抗蝕劑膜的液膜的狀態進行顯影的顯影工序；和使用有機顯影液，衝洗晶片表面的含有抗蝕劑溶解成分的顯影液的清洗工序，能夠保持在晶片W的表面上形成的顯影液D的液膜的厚度較薄，能夠提高抗蝕劑膜的溶解·除去速度，因此能夠使顯影處理的處理時間縮短，能夠提高處理能力。符號說明W半導體晶片(基板)40旋轉卡盤(基板保持部)42旋轉驅動機構50顯影處理裝置52、52A、52B顯影噴嘴(顯影液供給噴嘴)56A顯影噴嘴移動機構(顯影液供給噴嘴移動機構)56B衝洗噴嘴移動機構(衝洗液供給噴嘴移動機構)58衝洗噴嘴(衝洗液供給噴嘴)60控制器(控制部)
權利要求
1.一種顯影處理方法，其對在表面被塗布抗蝕劑並被曝光後的基板供給含有有機溶劑的顯影液來進行顯影，該顯影處理方法的特徵在於，包括 液膜形成工序，一邊使所述基板旋轉，一邊從顯影液供給噴嘴對所述基板的中心部供給所述顯影液來形成液膜；和 顯影工序，停止從所述顯影液供給噴嘴向所述基板供給所述顯影液，並在不使所述顯影液的液膜乾燥的狀態下一邊使所述基板旋轉，一邊將所述基板上的抗蝕劑膜顯影。
2.如權利要求I所述的顯影處理方法，其特徵在於 在所述液膜形成工序中，以第一轉速使所述基板旋轉， 在所述顯影工序中，以比所述第一轉速更低並且不促進所述顯影液的液膜乾燥的第二轉速使所述基板旋轉， 進一步還包括清洗工序，以比所述第二轉速更高的第三轉速使所述基板旋轉，並從所述顯影液供給噴嘴對所述基板的中心部供給所述顯影液，將在所述顯影工序中溶解於所述顯影液的抗蝕劑成分衝走。
3.如權利要求2所述的顯影處理方法，其特徵在於 所述第一轉速為IOOrpm 1500rpm,所述第二轉速為IOrpm lOOrpm。
4.如權利要求I 3中任一項所述的顯影處理方法，其特徵在於 將所述液膜形成工序和所述顯影工序交替重複多次。
5.如權利要求I 4中任一項所述的顯影處理方法，其特徵在於，包括 在從所述顯影液供給噴嘴對所述基板的中心部供給所述顯影液之前，一邊使所述基板旋轉，一邊使所述顯影液供給噴嘴從所述基板的周邊部向中心部移動，並從所述顯影液供給噴嘴對所述基板連續地供給所述顯影液的工序。
6.如權利要求I 4中任一項所述的顯影處理方法，其特徵在於 使從所述顯影液供給噴嘴對所述基板的中心部供給所述顯影液之後，一邊使所述基板旋轉，一邊使所述顯影液供給噴嘴從所述基板的中心部向周邊部移動，並從所述顯影液供給噴嘴對所述基板供給所述顯影液的工序，和停止從所述顯影液供給噴嘴向所述基板供給所述顯影液的工序交替重複多次。
7.如權利要求I 6中任一項所述的顯影處理方法，其特徵在於 所述顯影液供給噴嘴設置有多個， 在所述液膜形成工序中，從所述多個顯影液供給噴嘴對所述基板的中心部和中心部以外的部位供給所述顯影液， 在所述顯影工序中，停止從所述多個顯影液供給噴嘴向所述基板供給所述顯影液。
8.如權利要求I 7中任一項所述的顯影處理方法，其特徵在於，包括 從所述顯影液供給噴嘴對所述基板供給所述顯影液之後，一邊使所述基板旋轉，一邊從衝洗液供給噴嘴對所述基板供給衝洗液的工序；和 從所述衝洗液供給噴嘴對所述基板供給所述衝洗液之後，使所述基板旋轉並乾燥的工序。
9.一種顯影處理裝置，其對在表面被塗布抗蝕劑並被曝光後的基板供給含有有機溶劑的顯影液來進行顯影，該顯影處理裝置的特徵在於，包括 將所述基板水平地保持的基板保持部；使所述基板保持部繞鉛垂軸旋轉的旋轉驅動機構； 對被保持在所述基板保持部的基板的表面供給所述顯影液的顯影液供給噴嘴；和對從所述顯影液供給噴嘴向所述基板的所述顯影液的供給和所述旋轉驅動機構進行控制的控制部， 所述顯影處理裝置進行如下處理 液膜形成處理，根據來自所述控制部的控制信號，一邊使所述基板旋轉，一邊從顯影液供給噴嘴對所述基板的中心部供給所述顯影液來形成液膜；和 顯影處理，停止從所述顯影液供給噴嘴向所述基板供給所述顯影液，並且以不使所述顯影液的液膜乾燥的狀態，一邊使所述基板旋轉，一邊對所述基板上的抗蝕劑膜進行顯影。
10.如權利要求9所述的顯影處理裝置，其特徵在於 根據來自所述控制部的控制信號，在所述液膜形成處理中，使所述基板以第一轉速旋轉，在所述顯影處理中，使所述基板以比所述第一轉速更低並且不促進所述顯影液的液膜乾燥的第二轉速旋轉，進一步進行清洗處理，使所述基板以比所述第二轉速更高的第三轉速旋轉，並從所述顯影液供給噴嘴對所述基板的中心部供給所述顯影液，將在所述顯影處理中溶解於所述顯影液的抗蝕劑成分衝走。
11.如權利要求10所述的顯影處理裝置，其特徵在於 所述第一轉速為IOOrpm 1500rpm,所述第二轉速為IOrpm lOOrpm。
12.如權利要求9 11中任一項所述的顯影處理裝置，其特徵在於 將根據來自所述控制部的控制信號，一邊使所述基板旋轉，一邊從所述顯影液供給噴嘴對所述基板的中心部供給所述顯影液的液膜形成處理，和停止從所述從顯影液供給噴嘴向所述基板供給所述顯影液的顯影處理交替重複多次。
13.如權利要求9 12中任一項所述的顯影處理裝置，其特徵在於 還具有能夠使所述顯影液供給噴嘴在沿所述基板的表面的方向上移動，移動動作由所述控制部進行控制的顯影液供給噴嘴移動機構，其中， 所述控制部，在從所述顯影液供給噴嘴對所述基板的中心部供給所述顯影液之前，使所述顯影液供給噴嘴從所述基板的周邊部向中心部移動，並從所述顯影液供給噴嘴連續地對所述基板供給所述顯影液。
14.如權利要求9 12中任一項所述的顯影處理裝置，其特徵在於 還具有顯影液供給噴嘴移動機構，能夠使所述顯影液供給噴嘴在沿所述基板的表面的方向上移動，移動動作由所述控制部進行控制，其中， 所述控制部，使從所述顯影液供給噴嘴對所述基板的中心部供給所述顯影液之後，使所述顯影液供給噴嘴從所述基板的中心部向周邊部移動，並從所述顯影液供給噴嘴對所述基板供給所述顯影液的處理，和停止從所述顯影液供給噴嘴對所述基板供給所述顯影液的處理交替重複多次。
15.如權利要求9 14中任一項所述的顯影處理裝置，其特徵在於 設置有多個所述顯影液供給噴嘴， 在所述液膜形成處理中，從多個所述顯影液供給噴嘴對所述基板的中心部和中心部以外的部位供給所述顯影液， 在所述顯影處理中，停止從多個所述顯影液供給噴嘴向所述基板供給所述顯影液。
16.如權利要求9 15中任一項所述的顯影處理裝置，其特徵在於，還包括 對所述基板供給衝洗液的衝洗液供給噴嘴；和 衝洗液供給噴嘴移動機構，能夠使所述衝洗液供給噴嘴在沿所述基板的表面方向上移動，所述衝洗液供給噴嘴的移動動作由所述控制部進行控制，其中， 所述控制部進行 從所述顯影液供給噴嘴對所述基板供給所述顯影液之後，一邊使所述基板旋轉，一邊從所述衝洗液供給噴嘴對所述基板供給所述衝洗液的處理；和 從所述衝洗液供給噴嘴對所述基板供給所述衝洗液之後，使所述基板旋轉乾燥的處理。
全文摘要
本發明提供一種顯影處理方法和顯影處理裝置，其在使用含有有機溶劑的顯影液的顯影處理中，能夠使處理時間縮短並能夠使處理能力提高。在對在表面塗布有抗蝕劑並對抗蝕劑進行曝光後的基板供給含有有機溶劑的顯影液來進行顯影的顯影處理方法中，具有使基板旋轉(步驟S1)，並從顯影液供給噴嘴對基板的中心部供給顯影液，形成液膜形成的液膜形成工序(步驟A)；和停止從顯影液供給噴嘴向基板供給顯影液，並在不使顯影液的液膜乾燥的狀態下一邊使基板旋轉，一邊對基板上的抗蝕劑膜進行顯影的顯影工序(步驟B)。
文檔編號G03F7/30GK102650835SQ201210043808
公開日2012年8月29日 申請日期2012年2月23日 優先權日2011年2月24日
發明者丹羽崇文, 京田秀治, 吉原孝介, 本武幸一 申請人:東京毅力科創株式會社