有機光伏器件的製作方法
2023-06-06 07:20:11 1
專利名稱：有機光伏器件的製作方法
技術領域：
本發明涉及半導體器件製作工藝技術領域，更具體地說，涉及一種有機光伏器件的製作方法。
背景技術：
與無機光伏器件相比，有機光伏器件因重量輕、製作成本低以及可以製成大的尺寸等優勢而越來越受到重視。有機光伏器件一般包括順序設置的玻璃層、ITO層、電子傳輸層、活性層、空穴傳輸層和金屬電極層。其中，活性層是由P型給體和N型受體混合形成的體異質結結構，該結構在光照下產生激子，激子分離成電子和空穴，所述電子和空穴分別由電子傳輸層和空穴傳輸層被傳輸至ITO層和金屬電極層，即可產生光伏效應。在有機光伏器件中，電子傳輸層一般可以由無機半導體薄膜來形成，應用較多的有CdS薄膜、LiF薄膜等。考慮到電子傳輸層在有機光伏器件中起著重要的作用，其直接影響著活性層和ITO層之間的能級匹配問題，進而影響電子和空穴的分離效率，最終影響有機光伏器件的能量轉換效率，因此，為了提高有機光伏器件的能量轉換效率，需要製備高質量的無機半導體薄膜來充當電子傳輸層。現有工藝中製備無機半導體薄膜的方法包括化學方法和物理方法，所述化學方法包括熱氧化生長、化學氣相沉積、電鍍、化學鍍、陽極反應沉積和LB膜技術等；所述物理方法包括真空蒸發、濺射、離子束沉積和外延生長等。但是，採用化學方法製備無機半導體薄膜一般在溶液中進行，這樣易於在薄膜內引入雜質和水氧，而且形成的薄膜易夾帶溶液中的沉積晶核或包裹氣體，進而不易形成緻密均勻的薄膜；採用物理方法製備無機半導體薄膜需要高真空及大型設備，一次性投入成本昂貴，維護費用大。因此，迫切需要尋找積極有效、成本較低的方法來製備高質量的無機半導體薄膜，進而將其應用於有機光伏器件中，以提高所述有機光伏器件的能量轉換效率。
發明內容
有鑑於此，本發明提供一種有機光伏器件的製作方法，該方法能有效地提高有機光伏器件的能量轉換效率。為實現上述目的，本發明提供如下技術方案—種有機光伏器件的製作方法，該方法包括採用原子層沉積法在ITO玻璃表面形成CdS薄膜；通過旋塗工藝將聚-3烷基噻吩和富勒烯衍生物的混合溶液旋塗於CdS薄膜上，形成活性層； 在所述活性層上依次形成空穴傳輸層和金屬電極層。優選的，上述方法中，採用原子層沉積法在ITO玻璃表面形成CdS薄膜，具體包括:對所述ITO玻璃進行預處理；
將預處理後的ITO玻璃置於原子層沉積儀的反應腔體內並對所述反應腔體進行抽真空；向所述反應腔體內通入惰性氣體；對所述反應腔體進行加熱使得所述ITO玻璃的溫度達到預設值；對原子層沉積儀上的脈衝氣閥、抽氣管路、S前軀體管路和Cd前軀體管路分別進行加熱；向所述反應腔體內交替通入S前軀體和Cd前軀體，直至形成CdS薄膜；將其上形成有CdS薄膜的ITO玻璃從原子層沉積儀的反應腔體內取出。優選的，上述方法中，向所述反應腔體內交替通入S前軀體和Cd前軀體,具體包括 向所述反應腔體內通入S前軀體，在ITO玻璃表面形成第一單層；向所述反應腔體內通入惰性氣體，然後抽真空；向所述反應腔體內通入Cd前軀體，在所述第一單層上形成第二單層，所述第一單層和第二單層形成Cd-S鍵；再次向所述反應腔體內通入惰性氣體，然後抽真空；重複上述步驟，直至在ITO玻璃表面形成CdS薄膜。優選的，上述方法中，對所述反應腔體進行加熱使得所述ITO玻璃的溫度達到預設值，所述預設值為100°C、150°C或250°C。優選的,上述方法中，向所述反應腔體內通入惰性氣體的流量為5sccm、10sccm或20sccmo優選的，上述方法中，在ITO玻璃表面形成CdS薄膜的厚度為10nm、20nm、30nm、50nm 或 IOOnm0優選的，上述方法中，在所述旋塗工藝中，旋塗聚-3烷基噻吩和富勒烯衍生物的混合溶液的轉速為I. 5kr/min或3kr/min。優選的，上述方法中，所述聚-3烷基噻吩和富勒烯衍生物的混合溶液的質量濃度為 20mg/mL、36mg/mL 或 40mg/mLo優選的，上述方法中，所述空穴傳輸層的厚度為lnm、2nm或5nm。優選的，上述方法中，所述金屬電極層的材料為Al、Ag或Au。從上述技術方案可以看出，本發明所提供的有機光伏器件的製作方法包括採用原子層沉積法在ITO玻璃表面形成CdS薄膜；通過旋塗工藝將聚-3烷基噻吩和富勒烯衍生物的混合溶液旋塗於CdS薄膜上，形成活性層；在所述活性層上依次形成空穴傳輸層和金屬電極層。本發明所提供的有機光伏器件的製作方法，首先採用原子層沉積法在ITO玻璃表面形成了 CdS薄膜，由於原子層沉積法類似化學氣相沉積方法，因此，形成CdS薄膜的過程不需要昂貴的大型設備，且成膜質量高，原料耗材少，流程工藝簡單，最終所形成的有機光伏器件的能量轉換效率較高。
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本發明實施例所提供的一種有機光伏器件的製作方法流程示意圖；圖2為本發明實施例所提供的一種原子層沉積儀的結構示意圖；圖3為本發明實施例所提供的CdS薄膜的原子力顯微鏡示意圖；
圖4為本發明實施例所提供的有機光伏器件的結構示意圖；圖5為本發明實施例所提供的不同厚度的CdS薄膜的X射線衍射圖；圖6為本發明實施例所提供的不同厚度的CdS薄膜的紫外可見光吸收譜圖；圖7為本發明實施例所提供的有機光伏器件分別在光照和暗電流下所得到的I-V曲線圖；圖8為圖7中有機光伏器件在暗電流下所得到的I-V曲線圖的另一種表現形式。
具體實施例方式為使本發明的上述目的、特徵和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施方式
做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節以便於充分理解本發明，但是本發明還可以採用其他不同於在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發明內涵的情況下做類似推廣，因此本發明不受下面公開的具體實施例的限制。參考圖1，圖I為本發明實施例所提供的一種有機光伏器件的製作方法流程示意圖，該方法具體包括如下步驟步驟SI :採用原子層沉積法在ITO玻璃表面形成CdS薄膜。原子層沉積法(ALD)是將物質以單原子層的形式一層一層的沉積到基底表面，新一層原子層被前一層原子層吸附後發生化學反應，形成穩定的成鍵態，最終在基底表面形成所需薄膜，故該方法類似化學氣相沉積方法。本實施例中需要在ITO玻璃表面形成CdS薄膜，因此，S的氣相前軀體和Cd的氣相前軀體需要通過脈衝控制器被交替通入原子層沉積儀的反應腔體內，且在兩個前軀體被交替通入的間隙,需要用惰性氣體對反應腔體進行清洗,並對所述反應腔體進行抽真空。本發明實施例採用原子層沉積法在ITO玻璃表面形成CdS薄膜，具體包括如下幾個步驟步驟Sll :對ITO玻璃進行預處理。ITO玻璃，即是其上沉積有氧化銦錫(Indium-Tin 0xide,IT0)導電薄膜鍍層的玻璃。對ITO玻璃進行預處理包括將ITO玻璃用丙酮、無水乙醇和去離子水依次超聲清洗10分鐘，然後用氮氣吹乾並在乾燥箱內烘乾，最後經紫外臭氧處理15分鐘。步驟S12 :將預處理後的ITO玻璃置於原子層沉積儀的反應腔體內並對所述反應腔體進行抽真空。用原子層沉積法製備薄膜所採用的儀器為原子層沉積儀，參考圖2，圖2為本發明所提供的原子層沉積儀的結構示意圖，圖中示出了反應腔體6、S前軀體管路I和Cd前軀體管路2、與前軀體管路通過氣閥相連的加熱器5、與反應腔體6相連的抽真空管路7和惰性氣體管路8。該步驟中首先將步驟Sll中預處理後的ITO玻璃正面朝上(即ITO面朝上)放入原子層沉積儀的反應腔體6內的基臺(圖中未示出)上，然後關閉反應腔體的腔門，對所述反應腔體6進行抽真空，一般需抽至O. 45Torr以下。步驟S13 :向所述反應腔體內通入惰性氣體。通過惰性氣體管路8向反應腔體6內通入惰性氣體，所述惰性氣體可以為氬氣、氦氣或氮氣等，且通入的惰性氣體的流量可以為5sccm、10sccm或20sccm等。向所述反應腔體6內通入惰性氣體的目的是對反應腔體6進行清洗，同時又能保證所述惰性氣體與後續將要通入的氣相前軀體不發生反應。步驟S14 :對所述反應腔體進行加熱使得所述ITO玻璃的溫度達到預設值。採用相應的加熱器(圖中未示出)對所述反應腔體6進行加熱，使得處於反應腔體6基臺上的ITO玻璃達到預設溫度值，所述預設溫度值應在室溫(室溫時即不需要對反應腔體6進行加熱)和250°C之間，具體的，可以設置所述預設溫度值為100°C、150°C或 250°C 等。步驟S15 :對原子層沉積儀上的脈衝氣閥、抽氣管路、S前軀體管路和Cd前軀體管路分別進行加熱。在向反應腔體6內通入氣相前軀體之前，首先通過加熱器5對原子層沉積儀上的脈衝氣閥進行加熱，防止因氣相前軀體分解後在閥門處生長，導致閥門堵塞，管路不通暢。具體的，對脈衝氣閥的加熱溫度可控制在150°C 200°C之間。另外，還應對原子層沉積儀上的抽氣管路進行加熱，即分別對抽真空管路7和惰性氣體管路8進行加熱，對這兩個管路進行加熱時應控制加熱溫度不能超過150°C。 最後，對原子層沉積儀上的S前軀體管路I和Cd前軀體管路2分別進行加熱。本發明實施例中在所述S前軀體管路I中盛放了硫代乙醯胺(TAA)，該硫代乙醯胺在高溫下分解成硫化氫(H2S),H2S即為S前軀體；在所述Cd前軀體管路2中盛放了二甲基鎘(Cd(CH3)2)，Cd (CH3) 2為Cd前軀體。由於Cd (CH3) 2是劇毒易爆物，TAA也是有毒物質，因此，在將TAA和Cd(CH3)2分別放入S前軀體管路I和Cd前軀體管路2中時，應在手套箱內將兩者分別裝入兩個金屬源容器內，然後關閉閥門，再將兩者分別裝到S前軀體管路I和Cd前軀體管路2中。由於TAA在高溫下可分解成H2S,因此，在第一次使用S前軀體時，應將所述S前軀體管路I加熱至150°C，使S前軀體管路I中的TAA完全分解，之後再使用時只需使S前軀體管路I處於室溫至70°C之間即可。在使用Cd前軀體時，加熱Cd前軀體管路2，但不能使其溫度過高，因為Cd(CH3)2在惰性氣氛下加熱至180°C會爆炸，在空氣中150°C即會爆炸，所以一般使Cd前軀體管路2在室溫至80°C之間即可。步驟S16 :向所述反應腔體內交替通入S前軀體和Cd前軀體,直至形成CdS薄膜。在步驟S15中通過相應加熱器對脈衝氣閥、抽氣管路、S前軀體管路I和Cd前軀體管路2分別進行加熱達到預設溫度值且穩定後，交替通入S前軀體和Cd前軀體。該步驟又可包括如下幾個步驟步驟S16a :向所述反應腔體內通入S前軀體,在ITO玻璃表面形成第一單層。開啟與S前軀體管路I相連的氣閥，向反應腔體6內通入S前軀體H2S,所述H2S被吸附至ITO玻璃表面形成第一單層，之後關閉與S前軀體管路I相連的氣閥，停止向反應腔體6內通入S前軀體。向所述反應腔體6內通入S前軀體的時間約為O. 015s。步驟S16b :向所述反應腔體內通入惰性氣體，然後抽真空。
通過惰性氣體管路8向反應腔體6內通入惰性氣體，該惰性氣體可以為氬氣、氦氣或氮氣等。該惰性氣體用於對反應腔體6內部進行清洗，以去除未反應的S前軀體，然後用真空泵通過抽真空管路7對所述反應腔體6進行抽真空。步驟S16c :向所述反應腔體內通入Cd前軀體，在所述第一單層上形成第二單層，所述第一單層和第二單層形成Cd-S鍵。
開啟與Cd前軀體管路2相連的氣閥，向反應腔體6內通入Cd前軀體Cd(CH3)2，K述Cd(CH3)2被吸附至所述第一單層上形成第二單層，且所述第二單層與所述第一單層發生反應進而形成Cd-S鍵，之後關閉與Cd前軀體管路2相連的氣閥，停止向反應腔體6內通入Cd前軀體。向所述反應腔體6內通入Cd前軀體的時間約為O. 015s。步驟S16d :再次向所述反應腔體內通入惰性氣體，然後抽真空。再次通過惰性氣體管路8向反應腔體6內通入惰性氣體，該惰性氣體用於對反應腔體6內部進行清洗，以去除未反應的Cd前軀體和反應的副產物，然後用真空泵通過抽真空管路7對所述反應腔體6進行抽真空。步驟S16e :重複上述步驟S16a S16d，直至在ITO玻璃表面形成所需厚度的CdS薄膜。步驟S17 :將其上形成有CdS薄膜的ITO玻璃從原子層沉積儀的反應腔體內取出。步驟S16結束之後，向反應腔體6內通入惰性氣體，清除腔體內殘餘的前軀體及反應副產物，待腔體內外氣壓達到平衡後，開啟所述反應腔體6的腔門(或稱蓋子)，取出其上形成有一定厚度CdS薄膜的ITO玻璃。本實施例中在ITO玻璃表面形成的CdS薄膜的厚度為30nm，對該CdS薄膜進行表面形貌測試，得到圖3中所示的原子力顯微鏡示意圖，由圖可看出，該CdS薄膜的成膜性比較緊密，且粒徑比較均勻。步驟S2 :通過旋塗工藝將聚-3烷基噻吩和富勒烯衍生物的混合溶液旋塗於CdS薄膜上，形成活性層。將其上具有CdS薄膜的ITO玻璃置於旋塗儀上，在所述CdS薄膜表面滴上一層聚-3烷基噻吩(P3HT)和富勒烯衍生物(PCBM)的混合溶液(氯苯溶液，由P3HT和PCBM混合併溶於有機溶劑而得)，開啟機械泵，使其按一定的轉速進行旋轉，進而在所述CdS薄膜表面形成膜層，之後加熱所述ITO玻璃，揮發溶劑，從而在CdS薄膜上形成了活性層。具體的，可以控制混合溶液中P3HT和PCBM的質量濃度均在5 30mg/mL之間。優選的，控制混合溶液的質量濃度為20mg/mL、36mg/mL或40mg/mL等。在旋塗工藝中，控制機械泵的轉速為I. 5kr/min或3kr/min等。步驟S3 :在所述活性層上依次形成空穴傳輸層和金屬電極層。待活性層形成後，將所述ITO玻璃放入真空蒸發儀內，在所述活性層上依次蒸鍍空穴傳輸層和金屬電極層。本發明實施例中所述空穴傳輸層的材料可以為V205、MoO3> WO3> NiO, PEDOT: PSS或sroPA等，所述金屬電極層的材料可以為銀、銅、鋁、金或鉬等。所蒸鍍的空穴傳輸層的厚度可以為lnm、2nm或5nm等。參考圖4，圖4為按照上述方法所形成的有機光伏器件的結構示意圖，該有機光伏器件包括順序設置的玻璃層10UIT0層102、CdS薄膜層103、活性層104、空穴傳輸層105和金屬電極層106。圖中玻璃層101和ITO層102即是上述步驟中的ITO玻璃。該有機光伏器件在工作時，太陽光照射到玻璃層101上，進而使得活性層104產生激子，所述激子分離成電子和空穴，電子和空穴分別由CdS薄膜層103和空穴傳輸層105被傳輸至ITO層102和金屬電極層106,進而產生光伏效應。由上可知，本發明所提供的有機光伏器件的製作方法，由於首先採用原子層沉積法在ITO玻璃表面形成了 CdS薄膜， 而原子層 沉積法一方面不需要昂貴的大型設備，且原料消耗較少，這就使得製備CdS薄膜的成本較低；另一方面，該方法工藝流程簡單，可精確控制工藝參數，最終使得形成的CdS薄膜的成膜質量高。由高質量的CdS薄膜充當有機光伏器件中的電子傳輸層，將能解決有機光伏器件中活 性層和ITO層之間的能級匹配問題，可有效地提高電子和空穴的分離效率，最終提高有機光伏器件的能量轉換效率。下面具體介紹按照上述方法所製成的CdS薄膜及有機光伏器件的性能。首先按照步驟SI在相同的ITO玻璃上形成厚度不同的CdS薄膜，所形成的CdS薄膜的厚度分別為10nm、30nm、50nm、70nm、90nm、IlOnm,對厚度分別為10nm、30nm和50nm的CdS薄膜進行X射線衍射，得到圖5所示曲線圖。圖5中所示CdS-100CYCLES、CdS-300CYCLES和CdS-500CYCLES分別對應厚度為10nm、30nm和50nm的CdS薄膜，由圖可知，不同厚度的CdS薄膜的結晶度均較好。對上述不同厚度的CdS薄膜進行紫外可見光吸收譜的測試，得到圖6所示曲線。圖中方形所構成的曲線對應單純的ITO層的紫外可見光吸收譜，圓形所構成的曲線(IOOCycles所指示曲線)對應IOnm厚的CdS薄膜的紫外可見光吸收譜,其他的依次類推。由圖可知，隨著CdS薄膜厚度的增加,其在可見光區域的吸收也相應的增大。接著，按照步驟S2和S3，分別在厚度為10nm、30nm和50nm的CdS薄膜上依次形成活性層、空穴傳輸層和金屬電極層，從而形成了三個有機光伏器件，對這三個有機光伏器件分別在暗電流和100W的光照下進行電性能測試，得到圖7所示曲線。參考圖7，圖7中黑色方形所構成的曲線為其上CdS薄膜為10nm(對應製備過程中的循環次數為100)的有機光伏器件在100W的太陽光的照射下所得到的I-V曲線圖，白色方形所構成的曲線為其上Cds薄膜為IOnm的有機光伏器件在暗電流下所得的I-V曲線圖，其他的依次類推。由圖可知，這三個有機光伏器件在100W太陽光的照射下時，隨著其上CdS薄膜厚度的增加，其電壓變化不大，電流呈下降趨勢，但曲線的飽和度增加，即填充因子增加(尤其在CdS薄膜厚度較小時變化明顯)，因此，合理調整CdS薄膜的厚度，可以使有機光伏器件達到較高的能量轉換效率。在暗電流情況下，CdS薄膜越厚，器件的反向飽和電流越小，且整流性越好。參考圖8，圖8為上述三個有機光伏器件在暗電流情況下所得到的I-V曲線圖，圖8中黑色方形所構成的曲線對應圖7中白色方形所構成的曲線，其他的依次類推。由於兩個圖上的縱坐標不同，因此，上述三個有機光伏器件在暗電流情況下所得到的I-V曲線圖在兩個圖中所表現出來的形狀不同。根據以上描述可知，本發明所提供的有機光伏器件的製作方法，由於採用原子層沉積法製備CdS薄膜，因此，可以精確控制工藝參數，最終可製得質量較優的CdS薄膜；將高質量的CdS薄膜應用於有機光伏器件中，可提高有機光伏器件的能量轉換效率。需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關係術語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關係或者順序。而且，術語「包括」、「包含」或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設備
所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句「包括一個......」限定的要素，並不排
除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設備中還存在另外的相同要素。對所公開的實施例的上述說明，使本領域專業技術人員能夠實現或使用本發明。對這些實施例的多種修改對本領域的專業技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發明的精神或範圍的情況下，在其它實施例中實現。因此，本發明將不會被限制於本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一 致的最寬的範圍。
權利要求
1.一種有機光伏器件的製作方法，其特徵在於，包括 採用原子層沉積法在ITO玻璃表面形成CdS薄膜； 通過旋塗工藝將聚-3烷基噻吩和富勒烯衍生物的混合溶液旋塗於CdS薄膜上，形成活性層； 在所述活性層上依次形成空穴傳輸層和金屬電極層。
2.根據權利要求I所述的方法，其特徵在於，採用原子層沉積法在ITO玻璃表面形成CdS薄膜，具體包括 對所述ITO玻璃進行預處理； 將預處理後的ITO玻璃置於原子層沉積儀的反應腔體內並對所述反應腔體進行抽真空; 向所述反應腔體內通入惰性氣體； 對所述反應腔體進行加熱使得所述ITO玻璃的溫度達到預設值； 對原子層沉積儀上的脈衝氣閥、抽氣管路、S前軀體管路和Cd前軀體管路分別進行加執. 向所述反應腔體內交替通入S前軀體和Cd前軀體，直至形成CdS薄膜； 將其上形成有CdS薄膜的ITO玻璃從原子層沉積儀的反應腔體內取出。
3.根據權利要求2所述的方法，其特徵在於，向所述反應腔體內交替通入S前軀體和Cd前軀體,具體包括 向所述反應腔體內通入S前軀體，在ITO玻璃表面形成第一單層； 向所述反應腔體內通入惰性氣體，然後抽真空； 向所述反應腔體內通入Cd前軀體，在所述第一單層上形成第二單層，所述第一單層和第二單層形成Cd-S鍵； 再次向所述反應腔體內通入惰性氣體，然後抽真空； 重複上述步驟，直至在ITO玻璃表面形成CdS薄膜。
4.根據權利要求2所述的方法，其特徵在於，對所述反應腔體進行加熱使得所述ITO玻璃的溫度達到預設值，所述預設值為100°C、150°C或250°C。
5.根據權利要求2所述的方法，其特徵在於，向所述反應腔體內通入惰性氣體的流量為 5sccm、IOsccm 或 20sccmo
6.根據權利要求3所述的方法，其特徵在於，在ITO玻璃表面形成CdS薄膜的厚度為10nm、20nm、30nm、50nm 或 IOOnm0
7.根據權利要求I 6任一項所述的方法，其特徵在於，在所述旋塗工藝中，旋塗聚-3燒基噻吩和富勒烯衍生物的混合溶液的轉速為I. 5kr/min或3kr/min。
8.根據權利要求I 6任一項所述的方法，其特徵在於，所述聚-3烷基噻吩和富勒烯衍生物的混合溶液的質量濃度為20mg/mL、36mg/mL或40mg/mL。
9.根據權利要求I 6任一項所述的方法，其特徵在於，所述空穴傳輸層的厚度為lnm、2nm 或 5nm。
10.根據權利要求I 6任一項所述的方法,其特徵在於,所述金屬電極層的材料為Al、Ag 或 Au。
全文摘要
本發明實施例公開了一種有機光伏器件的製作方法，該方法包括採用原子層沉積法在ITO玻璃表面形成CdS薄膜；通過旋塗工藝將聚-3烷基噻吩和富勒烯衍生物的混合溶液旋塗於CdS薄膜上，形成活性層；在所述活性層上依次形成空穴傳輸層和金屬電極層。本發明所提供的有機光伏器件的製作方法，由於首先採用原子層沉積法在ITO玻璃表面形成了CdS薄膜，因此，所形成的CdS薄膜質量較高，高質量的CdS薄膜能夠有效地提高後續形成的有機光伏器件的能量轉換效率。
文檔編號H01L51/48GK102760835SQ20111010743
公開日2012年10月31日 申請日期2011年4月27日 優先權日2011年4月27日
發明者唐建新, 朱鈞鈞, 李豔青 申請人:蘇州大學