同軸多圓環柱型陰極陣列結構的平板顯示器及其製作工藝的製作方法
2023-11-11 01:05:02 2
專利名稱：同軸多圓環柱型陰極陣列結構的平板顯示器及其製作工藝的製作方法
技術領域：
本發明屬於平板顯示技術領域、微電子科學與技術領域、真空科學與技術領域以及納米科學與技術領域的相互交叉領域，涉及到平板場致發射顯示器的器件製作，具體涉及到碳納米管陰極的平板場致發射顯示器的器件製作方面的內容，特別涉及到帶有一種同軸多圓環柱型陰極陣列結構的碳納米管場致發射平板顯示器的器件製作及其製作工藝。
背景技術：
碳納米管具有小的尖端曲率半徑，高的縱橫比率，極高的機械強度以及良好的物理化學特性，早已引起了眾多研究者們的高度關注。在外加電壓的作用下，碳納米管不需要額外的能量就能夠發射出大量的電子，也就是獨特的場致發射現象。利用這一原理，科研人員將碳納米管作為陰極材料而進行了場致發射平板顯示器件的研製，在最近的幾年中得到了飛躍的進展。碳納米管場致發射顯示器將陰極射線管的高圖像質量，液晶顯示器的超薄型以及等離子體顯示器的大面積性等優點集於一身，具有高清晰度、高亮度以及高解析度等特點，其應用越來越廣泛，已經成為了平板顯示領域的熱門話題。
在碳納米管陰極發射大量電子的過程中，受到陰極具體形狀的影響，並不是所有的碳納米管陰極都能夠均勻穩定的發射出大量電子的，這源於不同位置的碳納米管頂端所形成的電場強度是有所不同的。一般情況下，位於邊緣位置處的碳納米管所發射的電子相對比較多一些，而位於陰極中央位置的碳納米管陰極所發射的電子相對要少一些，也就是邊緣位置發射大量電子的現象。那麼在器件製作的過程中，如何充分有效的利用這一現象，來更好的提高器件質量呢，這是需要考慮的問題。另外，碳納米管陰極的電子發射需要受到柵極的強有力控制，柵極與陰極之間的距離越短，在碳納米管頂端所形成的電場強度也就越大，碳納米管也就能夠發射出更多的電子，但是同時也受到柵極-陰極之間絕緣材料的絕緣性能的限制，不能夠引起二者之間的電學擊穿。那麼如何在確保柵極-陰極之間絕緣等級的前提下來儘可能縮短距離從而降低整體器件的工作電壓呢，這也是值得研究的問題。
此外，在三極結構的平板場致發射顯示器件當中，在確保柵極結構對碳納米管陰極具有良好控制作用的前提下，還需要儘可能的降低總體器件成本，進行穩定可靠、成本低廉、性能優良、高質量的器件製作。
發明內容
本發明的目的在於克服上述平板顯示器件中存在的缺點和不足而提供一種成本低廉、製作過程穩定可靠、製作成功率高、結構簡單的同軸多圓環柱型陰極陣列結構的平板顯示器及其製作工藝。
本發明的目的是這樣實現的一種同軸多圓環柱型陰極陣列結構的平板顯示器，包括由陰極玻璃面板、陽極玻璃面板和四周玻璃圍框所構成的密封真空腔；在陽極玻璃面板上有陽極導電層以及製備在陽極導電層上面的螢光粉層；位於陽極玻璃面板和陰極玻璃面板之間的支撐牆結構以及消氣劑附屬元件，在陰極玻璃面板上有控制柵極、碳納米管以及同軸多圓環柱型陰極陣列結構。
所述的同軸多圓環柱型陰極陣列結構的襯底材料為玻璃，也就是陰極玻璃面板；陰極玻璃面板上的刻蝕後的金屬層形成陰極引線層；陰極玻璃面板上的刻蝕後的二氧化矽層形成隔離層；隔離層中存在一個圓形孔，暴露出底部的陰極引線層；隔離層上面的刻蝕後的金屬層形成柵極引線層；柵極引線層上面的刻蝕後的二氧化矽層形成柵極覆蓋層；隔離層圓形孔中陰極引線層上面的刻蝕後的二氧化矽層形成基底一層；基底一層為一個圓盤形狀，其中心軸與圓形孔的中心軸重合，其圓盤直徑要小於圓形孔的直徑，在其周圍要暴露出底部的陰極引線層；基底一層上面的刻蝕後的二氧化矽層形成基底二層；基底二層與基底一層的形狀相類似，也是一個圓盤形狀，其中心軸與基底一層的中心軸相重合，其圓盤直徑要小於基底一層的直徑，這樣，在基底一層的上表面的基底二層的周圍就形成了一個圓環柱型平面；基底二層上面的刻蝕後的二氧化矽層形成基底三層；基底三層與基底二層的形狀相類似，為一個圓盤形狀，其中心軸與基底二層的中心軸相重合，其圓盤直徑要小於基底二層的直徑，這樣，在基底二層的上表面的基底三層的周圍也形成了一個圓環柱型平面；基底一層、基底二層和基底三層表面的刻蝕後的金屬層形成陰極導電層；陰極導電層要覆蓋基底三層、基底二層以及基底一層的上表面和側面，並和底部的陰極引線層相互連通；基底一層上面的圓環柱型表面上，基底二層上面的圓環柱型表面上以及基底三層的上頂面上的刻蝕後的金屬層形成過渡層，碳納米管制備在過渡層的上面。
所述的同軸多圓環柱型陰極陣列結構的固定位置為安裝固定在陰極玻璃面板上，且柵極和陰極結構是集成到一起的，柵極位於碳納米管陰極的上方，控制著碳納米管的電子發射，陰極引線層為金屬金、銀、鋁、鉻、鉬、錫、鎳、鈷。柵極引線層為金屬金、銀、鎳、鈷、鉻、鋁，柵極引線層和陰極引線層是相互垂直分布的，陰極導電層為金屬金、銀、鎳、鉬、鉻、鋁、鈷，過渡層為金屬鐵、鈷、鎳、鉬、鉻。
一種集成化雙平柵陣列結構的平板顯示器的製作工藝，其特徵在於，其製作工藝如下
1)陰極玻璃面板的製作對整體平板玻璃進行劃割，製作出陰極玻璃面板；2)陰極引線層的製作在陰極玻璃面板上製備出一個金屬層，刻蝕後形成陰極引線層；3)隔離層的製作在陰極玻璃面板上製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成隔離層；隔離層中存在一個圓形孔，暴露出底部的陰極引線層；4)柵極引線層的製作在隔離層的上面製備出一個金屬層，刻蝕後形成柵極引線層；柵極引線層和陰極引線層是相互垂直分布的；5)柵極覆蓋層的製作在柵極引線層的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成柵極覆蓋層；6)基底一層的製作在隔離層圓形孔中陰極引線層的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成基底一層；7)基底二層的製作在基底一層的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成基底二層；8)基底三層的製作在基底二層的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成基底三層；9)陰極導電層的製作在基底一層、基底二層和基底三層的表面製備出一個金屬鉬層，刻蝕後形成陰極導電層；陰極導電層要覆蓋基底三層、基底二層以及基底一層的上表面和側面，並和底部的陰極引線層相互連通；10)過渡層的製作在基底一層上面的圓環柱型表面上，基底二層上面的圓環柱型表面上以及基底三層的上頂面上製備出一個金屬層，刻蝕後形成過渡層；11)同軸多圓環柱型陰極陣列結構的表面清潔處理對同軸多圓環柱型陰極陣列結構的表面進行清潔處理，除掉雜質和灰塵；
12)碳納米管的製備將碳納米管制備在過渡層的上面；13)陽極玻璃面板的製作對整體平板鈉鈣玻璃進行劃割，製作出陽極玻璃面板；14)陽極導電層的製作在陽極玻璃面板上蒸鍍一層錫銦氧化物膜層；刻蝕後形成陽極導電層；15)絕緣漿料層的製作在陽極導電層的非顯示區域印刷絕緣漿料層；16)螢光粉層的製作在陽極導電層上面的顯示區域印刷螢光粉層；17)器件裝配將陰極玻璃面板、陽極玻璃面板、支撐牆結構和四周玻璃圍框裝配到一起，並將消氣劑[18]放入到空腔當中，用低熔點玻璃粉固定；18)成品製作對已經裝配好的器件進行封裝工藝形成成品件。
所述步驟6具體為在隔離層圓形孔中陰極引線層的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成基底一層；基底一層為一個圓盤形狀，其中心軸與圓形孔的中心軸重合，其圓盤直徑要小於圓形孔的直徑，在其周圍要暴露出底部的陰極引線層。
所述步驟7具體為在基底一層的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成基底二層；基底二層與基底一層的形狀相類似，也是一個圓盤形狀，其中心軸與基底一層的中心軸相重合，其圓盤直徑要小於基底一層的直徑，這樣，在基底一層的上表面的基底二層的周圍就形成了一個圓環柱型平面。
所述步驟8具體為在基底二層的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成基底三層；基底三層與基底二層的形狀相類似，為一個圓盤形狀，其中心軸與基底二層的中心軸相重合，其圓盤直徑要小於基底二層的直徑，這樣，在基底二層的上表面的基底三層的周圍也形成了一個圓環柱型平面。
所述步驟15具體為在陽極導電層的非顯示區域印刷絕緣漿料層，用於防止寄生電子發射；經過烘烤，烘烤溫度150℃，保持時間5分鐘，之後，放置在燒結爐中進行高溫燒結，燒結溫度580℃，保持時間10分鐘。
所述步驟16具體為在陽極導電層上面的顯示區域印刷螢光粉層；在烘箱當中進行烘烤，烘烤溫度120℃，保持時間10分鐘。
所述步驟18具體為對已經裝配好的器件進行如下的封裝工藝將樣品器件放入烘箱當中進行烘烤；放入燒結爐當中進行高溫燒結；在排氣臺上進行器件排氣、封離，在烤消機上對器件內部的消氣劑進行烤消，最後加裝管腳形成成品件。
本發明具有如下的積極效果首先，在所述的同軸多圓環柱型陰極陣列結構中，碳納米管陰極的基底不是一個平面，而是由三個圓盤形狀的基底所構成的一個立體結構，並將碳納米管制備在位於圓盤基底邊緣的過渡層的上面，這樣，由於碳納米管陰極就位於高度不同的過渡層上，呈現一個弧形接近於柵極，能夠同時縮短各個陰極與柵極之間的距離，從而降低了整體器件的工作電壓；其次，在所述的同軸多圓環柱型陰極陣列結構中，對於碳納米管陰極的基底進行了優化處理，一方面將過渡層製作成了圓環形狀，並將碳納米管制備在過渡層的上面，這樣，由於圓環形狀內外邊緣位置的碳納米管都能夠同時發射出大量的電，從而充分利用了邊緣位置發射大量電子的現象；另一方面，將過渡層製作了高度不同的三個平面上，且其中心軸都是相互重合的，這樣也就進一步增大了碳納米管陰極的有效發射面積，有利於進一步提高器件的顯示亮度；第三，在所述的同軸多圓環柱型陰極陣列結構中，在柵極引線層的上面製備了柵極覆蓋層，避免了其它雜質對於柵極結構的影響，同時也避免了柵極-陰極二者之間短路現象的發生，提高了整體器件的製作成功率；另外，在所述的同軸多圓環柱型陰極陣列結構中，還將柵極和陰極結構高度集成到一起；在所述的同軸多圓環柱型陰極陣列結構中，並沒有採用特殊的結構製作材料，也沒有採用特殊的器件製作工藝，這在很大程度上就進一步降低了整體平板顯示器件的製作成本，簡化了器件的製作過程，能夠進行大面積的器件製作，有利於進行商業化的大規模生產。
圖1給出了同軸多圓環柱型陰極陣列結構的縱向結構示意圖；圖2給出了同軸多圓環柱型陰極陣列結構的橫向結構示意圖；圖3給出了帶有同軸多圓環柱型陰極陣列結構的、碳納米管場致發射平面顯示器的結構示意圖。
具體實施例方式
下面結合附圖和實施例對本發明進行進一步說明，但本發明並不局限於這些實施例。
所述的一種帶有同軸多圓環柱型陰極陣列結構的平板顯示器，包括由陰極玻璃面板1、陽極玻璃面板12和四周玻璃圍框17所構成的密封真空腔；在陽極玻璃面板上有陽極導電層13以及製備在陽極導電層上面的螢光粉層15；位於陽極玻璃面板和陰極玻璃面板之間的支撐牆結構16以及消氣劑附屬元件18。在陰極玻璃面板上有控制柵極4、碳納米管11以及同軸多圓環柱型陰極陣列結構。
所述的同軸多圓環柱型陰極陣列結構包括陰極玻璃面板1、陰極引線層2、隔離層3、柵極引線層4、柵極覆蓋層5、基底一層6、基底二層7、基底三層8、陰極導電層9、過渡層10和碳納米管11部分。
所述的同軸多圓環柱型陰極陣列結構的襯底材料為玻璃，如鈉鈣玻璃、硼矽玻璃，也就是陰極玻璃面板1；陰極玻璃面板上的刻蝕後的金屬層形成陰極引線層2；陰極玻璃面板上的刻蝕後的二氧化矽層形成隔離層3；隔離層中存在一個圓形孔，暴露出底部的陰極引線層；隔離層上面的刻蝕後的金屬層形成柵極引線層4；柵極引線層上面的刻蝕後的二氧化矽層形成柵極覆蓋層5；隔離層圓形孔中陰極引線層上面的刻蝕後的二氧化矽層形成基底一層6；基底一層為一個圓盤形狀，其中心軸與圓形孔的中心軸重合，其圓盤直徑要小於圓形孔的直徑，在其周圍要暴露出底部的陰極引線層；基底一層上面的刻蝕後的二氧化矽層形成基底二層7；基底二層與基底一層的形狀相類似，也是一個圓盤形狀，其中心軸與基底一層的中心軸相重合，其圓盤直徑要小於基底一層的直徑，這樣，在基底一層的上表面的基底二層的周圍就形成了一個圓環柱型平面；基底二層上面的刻蝕後的二氧化矽層形成基底三層8；基底三層與基底二層的形狀相類似，為一個圓盤形狀，其中心軸與基底二層的中心軸相重合，其圓盤直徑要小於基底二層的直徑，這樣，在基底二層的上表面的基底三層的周圍也形成了一個圓環柱型平面；基底一層、基底二層和基底三層表面的刻蝕後的金屬層形成陰極導電層9；陰極導電層要覆蓋基底三層、基底二層以及基底一層的上表面和側面，並和底部的陰極引線層相互連通；基底一層上面的圓環柱型表面上，基底二層上面的圓環柱型表面上以及基底三層的上頂面上的刻蝕後的金屬層形成過渡層10，碳納米管11製備在過渡層的上面。
所述的同軸多圓環柱型陰極陣列結構的固定位置為安裝固定在陰極玻璃面板上，且柵極和陰極結構是集成到一起的，柵極位於碳納米管陰極的上方，控制著碳納米管的電子發射。陰極引線層可以為金屬金、銀、鋁、鉻、鉬、錫、鎳、鈷。柵極引線層可以為金屬金、銀、鎳、鈷、鉻、鋁。柵極引線層和陰極引線層是相互垂直分布的。陰極導電層可以為金屬金、銀、鎳、鉬、鉻、鋁、鈷。過渡層，可以為金屬鐵、鈷、鎳、鉬、鉻。
一種帶有集成化雙平柵陣列結構的平板顯示器的製作工藝，其製作工藝如下1)陰極玻璃面板1的製作對整體平板鈉鈣玻璃進行劃割，製作出陰極玻璃面板；2)陰極引線層2的製作在陰極玻璃面板上製備出一個金屬鉻層，刻蝕後形成陰極引線層；3)隔離層3的製作在陰極玻璃面板上製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成隔離層；隔離層中存在一個圓形孔，暴露出底部的陰極引線層；4)柵極引線層4的製作在隔離層的上面製備出一個金屬鈷層，刻蝕後形成柵極引線層；柵極引線層和陰極引線層是相互垂直分布的；5)柵極覆蓋層5的製作在柵極引線層的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成柵極覆蓋層；6)基底一層6的製作在隔離層圓形孔中陰極引線層的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成基底一層；7)基底二層7的製作在基底一層的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成基底二層；8)基底三層8的製作在基底二層的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成基底三層；9)陰極導電層9的製作在基底一層、基底二層和基底三層的表面製備出一個金屬鉬層，刻蝕後形成陰極導電層；陰極導電層要覆蓋基底三層、基底二層以及基底一層的上表面和側面，並和底部的陰極引線層相互連通；10)過渡層10的製作在基底一層上面的圓環柱型表面上，基底二層上面的圓環柱型表面上以及基底三層的上頂面上製備出一個金屬鈷層，刻蝕後形成過渡層；11)同軸多圓環柱型陰極陣列結構的表面清潔處理對同軸多圓環柱型陰極陣列結構的表面進行清潔處理，除掉雜質和灰塵；12)碳納米管11的製備將碳納米管制備在過渡層的上面；13)陽極玻璃面板12的製作對整體平板鈉鈣玻璃進行劃割，製作出陽極玻璃面板；14)陽極導電層13的製作在陽極玻璃面板上蒸鍍一層錫銦氧化物膜層；刻蝕後形成陽極導電層；15)絕緣漿料層14的製作在陽極導電層的非顯示區域印刷絕緣漿料層；16)螢光粉層15的製作在陽極導電層上面的顯示區域印刷螢光粉層；17)器件裝配將陰極玻璃面板、陽極玻璃面板、支撐牆結構[16]和四周玻璃圍框[17]裝配到一起，並將消氣劑[18]放入到空腔當中，用低熔點玻璃粉固定。在玻璃面板的四周塗抹好低熔點玻璃粉，用夾子固定；18)成品製作對已經裝配好的器件進行封裝工藝形成成品件。
所述步驟6具體為在隔離層圓形孔中陰極引線層的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成基底一層；基底一層為一個圓盤形狀，其中心軸與圓形孔的中心軸重合，其圓盤直徑要小於圓形孔的直徑，在其周圍要暴露出底部的陰極引線層；所述步驟7具體為在基底一層的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成基底二層；基底二層與基底一層的形狀相類似，也是一個圓盤形狀，其中心軸與基底一層的中心軸相重合，其圓盤直徑要小於基底一層的直徑，這樣，在基底一層的上表面的基底二層的周圍就形成了一個圓環柱型平面；
所述步驟8具體為在基底二層的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成基底三層；基底三層與基底二層的形狀相類似，為一個圓盤形狀，其中心軸與基底二層的中心軸相重合，其圓盤直徑要小於基底二層的直徑，這樣，在基底二層的上表面的基底三層的周圍也形成了一個圓環柱型平面；所述步驟15具體為在陽極導電層的非顯示區域印刷絕緣漿料層，用於防止寄生電子發射；經過烘烤(烘烤溫度150℃，保持時間5分鐘)之後，放置在燒結爐中進行高溫燒結(燒結溫度580℃，保持時間10分鐘)；所述步驟16具體為在陽極導電層上面的顯示區域印刷螢光粉層；在烘箱當中進行烘烤(烘烤溫度120℃，保持時間10分鐘)；所述步驟18具體為對已經裝配好的器件進行如下的封裝工藝將樣品器件放入烘箱當中進行烘烤；放入燒結爐當中進行高溫燒結；在排氣臺上進行器件排氣、封離，在烤消機上對器件內部的消氣劑進行烤消，最後加裝管腳形成成品件。
權利要求
1.一種同軸多圓環柱型陰極陣列結構的平板顯示器，包括由陰極玻璃面板[1]、陽極玻璃面板[12]和四周玻璃圍框[17]所構成的密封真空腔；在陽極玻璃面板上有陽極導電層[13]以及製備在陽極導電層上面的螢光粉層[15]；位於陽極玻璃面板和陰極玻璃面板之間的支撐牆結構[16]以及消氣劑附屬元件[18]，其特徵在於在陰極玻璃面板上有控制柵極[4]、碳納米管[11]以及同軸多圓環柱型陰極陣列結構。
2.根據權利要求1所述的同軸多圓環柱型陰極陣列結構的平板顯示器，其特徵在於所述的同軸多圓環柱型陰極陣列結構的襯底材料為玻璃，也就是陰極玻璃面板[1]；陰極玻璃面板上的刻蝕後的金屬層形成陰極引線層[2]；陰極玻璃面板上的刻蝕後的二氧化矽層形成隔離層[3]；隔離層中存在一個圓形孔，暴露出底部的陰極引線層；隔離層上面的刻蝕後的金屬層形成柵極引線層[4]；柵極引線層上面的刻蝕後的二氧化矽層形成柵極覆蓋層[5]；隔離層圓形孔中陰極引線層上面的刻蝕後的二氧化矽層形成基底一層[6]；基底一層為一個圓盤形狀，其中心軸與圓形孔的中心軸重合，其圓盤直徑要小於圓形孔的直徑，在其周圍要暴露出底部的陰極引線層；基底一層上面的刻蝕後的二氧化矽層形成基底二層[7]；基底二層與基底一層的形狀相類似，也是一個圓盤形狀，其中心軸與基底一層的中心軸相重合，其圓盤直徑要小於基底一層的直徑，這樣，在基底一層的上表面的基底二層的周圍就形成了一個圓環柱型平面；基底二層上面的刻蝕後的二氧化矽層形成基底三層[8]；基底三層與基底二層的形狀相類似，為一個圓盤形狀，其中心軸與基底二層的中心軸相重合，其圓盤直徑要小於基底二層的直徑，這樣，在基底二層的上表面的基底三層的周圍也形成了一個圓環柱型平面；基底一層、基底二層和基底三層表面的刻蝕後的金屬層形成陰極導電層[9]；陰極導電層要覆蓋基底三層、基底二層以及基底一層的上表面和側面，並和底部的陰極引線層相互連通；基底一層上面的圓環柱型表面上，基底二層上面的圓環柱型表面上以及基底三層的上頂面上的刻蝕後的金屬層形成過渡層[10]，碳納米管[11]製備在過渡層的上面。
3.根據權利要求2所述的一種同軸多圓環柱型陰極陣列結構的平板顯示器，其特徵在於所述的同軸多圓環柱型陰極陣列結構的固定位置為安裝固定在陰極玻璃面板上，且柵極和陰極結構是集成到一起的，柵極位於碳納米管陰極的上方，控制著碳納米管的電子發射，陰極引線層為金屬金、銀、鋁、鉻、鉬、錫、鎳、鈷。柵極引線層為金屬金、銀、鎳、鈷、鉻、鋁，柵極引線層和陰極引線層是相互垂直分布的，陰極導電層為金屬金、銀、鎳、鉬、鉻、鋁、鈷，過渡層為金屬鐵、鈷、鎳、鉬、鉻。
4.一種同軸多圓環柱型陰極陣列結構的平板顯示器的製作工藝，其特徵在於，其製作工藝如下1)陰極玻璃面板[1]的製作對整體平板玻璃進行劃割，製作出陰極玻璃面板；2)陰極引線層[2]的製作在陰極玻璃面板上製備出一個金屬層，刻蝕後形成陰極引線層；3)隔離層[3]的製作在陰極玻璃面板上製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成隔離層；隔離層中存在一個圓形孔，暴露出底部的陰極引線層；4)柵極引線層[4]的製作在隔離層的上面製備出一個金屬層，刻蝕後形成柵極引線層；柵極引線層和陰極引線層是相互垂直分布的；5)柵極覆蓋層[5]的製作在柵極引線層的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成柵極覆蓋層；6)基底一層[6]的製作在隔離層圓形孔中陰極引線層的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成基底一層；7)基底二層[7]的製作在基底一層的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成基底二層；8)基底三層[8]的製作在基底二層的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成基底三層；9)陰極導電層[9]的製作在基底一層、基底二層和基底三層的表面製備出一個金屬鉬層，刻蝕後形成陰極導電層；陰極導電層要覆蓋基底三層、基底二層以及基底一層的上表面和側面，並和底部的陰極引線層相互連通；10)過渡層[10]的製作在基底一層上面的圓環柱型表面上，基底二層上面的圓環柱型表面上以及基底三層的上頂面上製備出一個金屬層，刻蝕後形成過渡層；11)同軸多圓環柱型陰極陣列結構的表面清潔處理對同軸多圓環柱型陰極陣列結構的表面進行清潔處理，除掉雜質和灰塵；12)碳納米管[11]的製備將碳納米管制備在過渡層的上面；13)陽極玻璃面板[12]的製作對整體平板鈉鈣玻璃進行劃割，製作出陽極玻璃面板；14)陽極導電層[13]的製作在陽極玻璃面板上蒸鍍一層錫銦氧化物膜層；刻蝕後形成陽極導電層；15)絕緣漿料層[14]的製作在陽極導電層的非顯示區域印刷絕緣漿料層；16)螢光粉層[15]的製作在陽極導電層上面的顯示區域印刷螢光粉層；17)器件裝配將陰極玻璃面板、陽極玻璃面板、支撐牆結構[16]和四周玻璃圍框[17]裝配到一起，並將消氣劑[18]放入到空腔當中，用低熔點玻璃粉固定；18)成品製作對已經裝配好的器件進行封裝工藝形成成品件。
5.根據權利要求4所述的同軸多圓環柱型陰極陣列結構的平板顯示器，其特徵在於所述步驟6具體為在隔離層圓形孔中陰極引線層的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成基底一層；基底一層為一個圓盤形狀，其中心軸與圓形孔的中心軸重合，其圓盤直徑要小於圓形孔的直徑，在其周圍要暴露出底部的陰極引線層。
6.根據權利要求4所述的同軸多圓環柱型陰極陣列結構的平板顯示器，其特徵在於所述步驟7具體為在基底一層的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成基底二層；基底二層與基底一層的形狀相類似，也是一個圓盤形狀，其中心軸與基底一層的中心軸相重合，其圓盤直徑要小於基底一層的直徑，這樣，在基底一層的上表面的基底二層的周圍就形成了一個圓環柱型平面。
7.根據權利要求4所述的同軸多圓環柱型陰極陣列結構的平板顯示器，其特徵在於所述步驟8具體為在基底二層的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成基底三層；基底三層與基底二層的形狀相類似，為一個圓盤形狀，其中心軸與基底二層的中心軸相重合，其圓盤直徑要小於基底二層的直徑，這樣，在基底二層的上表面的基底三層的周圍也形成了一個圓環柱型平面。
8.根據權利要求4所述的同軸多圓環柱型陰極陣列結構的平板顯示器，其特徵在於所述步驟15具體為在陽極導電層的非顯示區域印刷絕緣漿料層，用於防止寄生電子發射；經過烘烤，烘烤溫度150℃，保持時間5分鐘，之後，放置在燒結爐中進行高溫燒結，燒結溫度580℃，保持時間10分鐘。
9.根據權利要求4所述的同軸多圓環柱型陰極陣列結構的平板顯示器，其特徵在於所述步驟16具體為在陽極導電層上面的顯示區域印刷螢光粉層；在烘箱當中進行烘烤，烘烤溫度120℃，保持時間10分鐘。
10.根據權利要求4所述的同軸多圓環柱型陰極陣列結構的平板顯示器，其特徵在於所述步驟18具體為對已經裝配好的器件進行如下的封裝工藝將樣品器件放入烘箱當中進行烘烤；放入燒結爐當中進行高溫燒結；在排氣臺上進行器件排氣、封離，在烤消機上對器件內部的消氣劑進行烤消，最後加裝管腳形成成品件。
全文摘要
本發明涉及一種同軸多圓環柱型陰極陣列結構的平板顯示器及其製作製作，包括由陰極玻璃面板、陽極玻璃面板和四周玻璃圍框所構成的密封真空腔；在陽極玻璃面板上有陽極導電層以及製備在陽極導電層上面的螢光粉層；位於陽極玻璃面板和陰極玻璃面板之間的支撐牆結構以及消氣劑附屬元件，在陰極玻璃面板上有控制柵極、碳納米管以及同軸多圓環柱型陰極陣列結構；能夠進一步的縮短柵極－陰極之間的距離，降低整體器件的工作電壓；增大了碳納米管的發射面積，有利於進一步提高器件的顯示亮度，具有製作過程穩定可靠、製作工藝簡單、製作成本低廉、結構簡單的優點。
文檔編號H01J1/46GK1909166SQ20061004852
公開日2007年2月7日 申請日期2006年8月2日 優先權日2006年8月2日
發明者李玉魁 申請人:中原工學院